JPH10312719A - 導線エナメル引き装置 - Google Patents

導線エナメル引き装置

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JPH10312719A
JPH10312719A JP10122489A JP12248998A JPH10312719A JP H10312719 A JPH10312719 A JP H10312719A JP 10122489 A JP10122489 A JP 10122489A JP 12248998 A JP12248998 A JP 12248998A JP H10312719 A JPH10312719 A JP H10312719A
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JP
Japan
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wire
chamber
furnace
varnish
enamelling
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JP10122489A
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Tiec Pierre-Yves Le
ピエール−イブ・ル・テイエク
Raymond Andre
レイモン・アンドル
Michel Debray
ミツシエル・ドウブレー
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Alcatel Lucent SAS
Original Assignee
Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite
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Publication date
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/28—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity for treating continuous lengths of work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • B05D3/0254—After-treatment
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 構造が簡単で場所をとらず、加熱炉から発生
する溶媒の蒸気の処理装置を必要としない導線エナメル
引き装置を提供する。 【解決手段】 導線エナメル引き装置は、導線へのワニ
スのアプリケータと、連結されたエナメル焼付け炉とか
ら形成され、それらの中を導線が進んで行く少なくとも
一つのアセンブリを備えている。この装置は、エナメル
焼付け炉(2)が、その内側で導線の経路と対向する放
射加熱エレメント(7)を備え、内部雰囲気の酸素含有
率が6%未満に調整される、単一チャンバ(4)を備え
ることを特徴とする。本発明の装置は、エナメル電線の
製造での使用に適している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導線へのワニスア
プリケータと、エナメル焼付け炉とを備え、それらの中
を導線が次々と通る導線エナメル引き装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】米国特許US−A−5 291 670
には、溶媒中で溶解する樹脂層(またはワニス層)で被
覆された導線のエナメル焼付け炉が記されている。この
炉は、水平で細長い形状のメインチャンバと、メインチ
ャンバから発生した溶媒の蒸気の吸気及び処理用補助ア
センブリと、そのチャンバ中での熱気の対流システムを
備えている。
【0003】この炉のメインチャンバは、導線上の樹脂
層の溶媒の蒸発ゾーンと、樹脂の重合化及び架橋ゾーン
に分けられる。このチャンバには、その内側に取付けら
れた水平な一列の電気抵抗器と、前記メインチャンバの
向かい合った縦方向の二枚の壁面を規定する熱交換器が
備えられている。
【0004】補助アセンブリは、メインチャンバの二つ
のゾーンの間に、メインチャンバからの空気の流れと溶
媒の蒸気の流れとを吸込むための吸気手段を備えてい
る。このアセンブリはまた、吸込んだこの流れを処理す
るための加熱手段を備えている。さらに、処理済みの流
れによって確保される熱気を供給するために交換器の一
端に接続されている。
【0005】熱気対流システムは、熱交換器の他方の端
をメインチャンバの一端に接続するダクトを備えてい
る。このようにして、このシステムは、前記のチャンバ
に沿って熱交換器中を循環した後にメインチャンバ中に
再び入れられる処理済みの流れのリサイクルを行なう。
【0006】このエナメル焼付け炉のメインチャンバ中
で、溶媒の蒸発ゾーンは150から350℃に保たれ、
樹脂の重合化及び架橋ゾーンは400から550℃で保
たれる。このメインチャンバから吸込まれた流れは、補
助アセンブリにおいておよそ700から750℃の温度
で処理される。メインチャンバの二つのゾーンの各々
は、内部の電気抵抗器のみならず、その大部分は熱交換
器さらに対流システムによってもたらされる熱によって
必要とする温度に保たれる。
【0007】このエナメル焼付け炉は、処理済みの空気
及び溶媒の流れと、エナメルがかけられる導線との間の
熱交換を最大限利用している。しかしながら、その構造
は複雑で、場所をとる。
【0008】特開平01−11671号は、金属導線上
の樹脂層(またはワニス)の加熱硬化アセンブリについ
て記述しており、このアセンブリは、前後に並べて取付
けられ、その樹脂層で被覆された導線がその中を進んで
行く二つの加熱炉を備えている。第一の加熱炉は空気の
循環用である。この炉は、導線上の樹脂層から溶媒のほ
とんどを蒸発させ、樹脂と残りの導線を一定の度合い以
下で酸化させるとともに、樹脂の架橋を不十分な度合い
に保つ。第二の加熱炉は、およそ500℃の高温で樹脂
の架橋を行ない、その内部雰囲気は、樹脂と導線の酸化
を妨げるために、5%未満という低い酸素含有率を有し
ている。このエナメル化アセンブリは、汚染の問題を防
ごうとする場合には、第一の加熱炉から発生する溶媒の
蒸気の処理装置を必要とする。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
の解決策の欠点を解消することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、導線へのワニ
スアプリケータと、エナメル焼付け炉とを備えそれらの
中を導線が進んで行く少なくとも一つのアセンブリを備
える導線エナメル引き装置であって、前記炉はそれ自体
が、細長い形状の少なくとも一つのチャンバを備え、そ
のチャンバは、向かい合った両端に導線供給口と排出口
を備え、内側には、導線上の前記ワニスの溶媒の蒸発及
び/または導線上のワニスの加熱硬化のため、前記導線
供給口と排出口との間で導線経路と対向する放射加熱エ
レメントを備えており、さらに、導線上の樹脂から発生
する溶媒の蒸気の処理手段を備る導線エナメル引き装置
であって、さらにエナメル焼付け炉が単一チャンバを備
え、その内部雰囲気は、溶媒の蒸発と前記導線上のワニ
スの加熱硬化を行なうと同時に、結果的に炎を生じるこ
となく前記単一チャンバにおける前記放射加熱エレメン
トと溶媒蒸気とを接触させ燃焼させることによって溶媒
蒸気を処理する手段を構成するように、酸素の含有率が
6%未満と低く調整されていることを特徴とする導線エ
ナメル引き装置を対象とする。
【0011】この装置は、有利には、さらに以下の追加
特性のうちの少なくともいずれか一つを有することがで
きる。
【0012】− 前記単一チャンバが、前記内部雰囲気
の酸素含有率の測定用プローブと、前記プローブの測定
値によって制御される空気供給口を有する。
【0013】− 前記の単一チャンバが、外部雰囲気に
対して負圧となる。
【0014】− 前記単一チャンバを少なくとも100
0℃の温度に保つことができるように前記放射加熱エレ
メントが選択される。
【0015】添付の単一図面を参照して、望ましい実施
形態を説明することで、本発明の特性と利点が明らかに
なるだろう。
【0016】
【発明の実施の形態】この導線エナメル引き装置はワニ
スのアプリケータ1と、アプリケータの後ろに取付けら
れ、そのアプリケータに連結されたエナメル焼付け炉2
を備え、図示されている実施形態においては、それらの
中を、導線3が水平に進んで行く。もちろん、変形例と
して、装置を垂直に配置することもできる。
【0017】ワニスのアプリケータには、アプリケータ
中を進んで行く導線上にこのワニス層を付着させるため
に溶媒に溶けたワニスが入れられている。
【0018】エナメル焼付け炉2は、チャンバ中を導線
が進んで行くのに応じて、導線上のワニス層の溶媒を蒸
発させ、溶媒の蒸気を処理し、さらに導線上のワニスを
高温で加熱硬化させるための単一チャンバ4を備えてい
る。この炉は、細長い形状とその長さ全体にわたって同
形の長方形断面をもち、支持用台座20に支えられてい
る。
【0019】この炉2は、その炉の両端に、チャンバ中
への導線供給口5と排出口6を有する。また、チャンバ
4中の導線経路と対向して取付けられた放射加熱エレメ
ント7を備えている。図示されているように、これらの
エレメントは、チャンバの縦方向の上部壁面8に支えら
れ、その内側を覆っているが、この炉の他方の縦方向壁
面上に置くこともできる。それらは、チャンバ4をおよ
そ1000℃またはそれ以上の温度に保つことができる
ように有利には選択された電気抵抗器である。このよう
な電気抵抗器は、従来通り、自動車の分野で塗料の加熱
硬化のためにすでに使用されているタイプのものであ
る。
【0020】炉の他の縦方向の壁面のいずれか一つ、こ
こでは下部壁面は、できれば、9A及び9Bで記された
二重壁で構成されることが望ましい。
【0021】このチャンバ4は、その内部雰囲気の酸素
の含有率が、6%未満、できればおよそ3%と非常に低
く調整されている。チャンバ4はまた、内部雰囲気の酸
素含有率測定用プローブ10を備えている。空気の調整
供給口11は、測定用プローブによって制御され、チャ
ンバ内の酸素の含有率を必要な低い値に保つ。
【0022】測定用プローブ10は、導線経路3の近く
に取付けられる。空気の調整供給口11は、できれば測
定用プローブ10から離れたところに位置することが望
ましい。この供給口は、チャンバに沿って延び、その両
端が、チャンバの導線供給口と排出口の向かい合った末
端部分に通じた供給管路12中に通じている。空気の調
整供給口11は、炉の下部壁面を貫通して、とりわけ、
炉の中央部分に、または中央部分と導線供給側末端部分
との間に、あるいはまた供給部分と向き合って形成され
る。供給用管路12は、有利には、炉の下部二重壁の二
枚の壁面9Aと9Bとの間に限定される。測定用プロー
ブ10については、チャンバ4の排出側末端部分に取付
けられる。
【0023】空気の調整供給口11によって入れられる
空気を、反対方向の矢印12A及び12B、さらに4A
及び4Bによって示されているように、チャンバ4の両
端に向かってまたチャンバ中で二つの方向に循環させる
ために、供給管路12中の空気の調整供給口11に向き
合ってファン13が取付けられる。このファンは、取り
入れられた空気の流れと、チャンバ4に存在する空気と
蒸気の流れとを混ぜ合わせる。
【0024】プローブの測定信号は、チャンバ4中の酸
素の含有率が低いと同時に、チャンバ中で炎を生じるこ
となく、溶媒の蒸気を完全に燃焼させるのに十分な値と
なるように、管路12中に、さらにチャンバ4中に入れ
られる空気の流量を調節する。
【0025】チャンバ4はわずかに負圧になっており、
その結果、調整供給口11以外から調整されていない空
気が再び入りこむのを防ぐために気密性を保っている。
その供給口5は、ワニスのアプリケータ1に密閉される
ように直接連結され、ワニスアプリケータ1は、吸気フ
ード15を備えている。その排出口6は、吸気ダクト1
6に接続される。このダクト16の一端は排出口6の周
辺に通じており、もう一端は、吸気流量を調節すること
ができる換気装置18を有する空気取入れダクト17に
接続されている。排出口6の外側はまた、低い圧力で外
部空気を供給する末端ノズルを備えている。その結果、
矢印19で示されているように、この外部空気は、吸気
ダクト16中に吸込まれるが、導線の周囲に排出口6の
必要な気密性を確保し、燃焼ガスの排出を行なう。
【0026】吸気フード15には、吸込んだ空気とアプ
リケータから発生する溶媒の蒸気の排出用シュートを備
えている。有利には、この吸気フードは、このように吸
込まれた空気が、チャンバ4中で直接浄化されるよう
に、排気ダクト14によって空気の調整供給口11に接
続される。吸気フード15は、測定用プローブによって
制御され、このプローブは、フードによって吸込まれ、
供給口11によって管路12とチャンバ4中に注入され
た流れを調整する。
【0027】ワニス層で被覆された導線がチャンバ4中
を進んで行くと、溶媒がこのワニス層から蒸発し、ワニ
スがその重合化と架橋のために加熱硬化される。溶媒の
蒸気は、すぐに放射加熱エレメント7との接触で完全に
燃焼し、チャンバ4の内部雰囲気の酸素の含有率が低い
が、十分であるために炎が発生するわけではない。排出
口6側に位置するチャンバ4の末端部分においては、吸
込まれた大気からは、完全にまたはほぼ完全に、チャン
バ4中で先に直接焼き尽くされた溶媒の蒸気が取り除か
れる。
【0028】したがって、溶媒の蒸気の処理は、導線上
のワニスの加熱硬化用のチャンバ4中で直接行われ、そ
の結果、外部の汚染に関するあらゆる問題を防ぐととも
に、そのために他の何らかの装置を必要とすることもな
い。
【0029】有利には、チャンバの温度は、1000℃
またはそれ以上に保たれる。この温度はチャンバ4の長
さにわたって均一とすることもできる。また、変形例と
して、供給口5から排出口6に向かって上昇するよう
に、あるいは好ましくは供給口から中央部分または排出
口の付近まで上昇し、次に、この部分から排出口に向か
って下降するように、チャンバに沿って温度勾配が生成
される。
【0030】本発明によるエナメル焼付け炉またはエナ
メル引き装置の利点は、導線上のワニスの溶媒の蒸気の
処理についても、このワニスの加熱硬化についても、単
一チャンバ型の設計から直接生じている。
【0031】さらに、従来の解決策よりはるかに高い非
常に高温でチャンバ4が作動することによって、炉の長
さは同じでも、生産速度を著しく増大させることができ
る。この生産速度は、少なくとも、1000℃でのチャ
ンバ4の作動のために少なくとも二倍となる。
【0032】もちろん、本発明の範囲を逸脱しない限
り、図示し、上述した実施形態に対する変形例を採用す
ることもできる。このようにして、特に、放射加熱エレ
メントは、炉の上部壁面によって支持される必要なく、
ワニス層で被覆された導線の経路と対向して置くことが
できる。同様に、チャンバへの空気の調整供給は、供給
管路を炉の他の壁面のいずれか一つの中に組み入れず
に、ここに図示されているのとは別の方法で行なうこと
もできる。
【0033】同様に、導線エナメル引き装置は、互いに
連結されたアプリケータ1と炉2によって構成されたア
センブリと同様の、互いに前後して取付けられた複数の
アセンブリを備えることができる。
【0034】さらに、炉は、長手方向に開くことがで
き、導線経路に対して引っ込むことができるように設計
され、そのことによって、チャンバが1000℃に達し
た場合にも導線が溶けないように、導線が十分な速度に
達していない限り、導線が炉の外に来るように装置を始
動させることができる点が明らかである。次に、炉は、
導線の速度がこの問題を防ぐことができるようになると
すぐに、装置上の本来の場所に戻り、この導線上で閉鎖
される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による導線エナメル引き装置の断面図で
ある。
【符号の説明】
1 アプリケータ 2 エナメル焼付け炉 3 導線 4 単一チャンバ 7 放射加熱エレメント 10 測定用プローブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レイモン・アンドル フランス国、02300・オートルビル、リ ユ・ドウ・ラ・レピユブリツク・177 (72)発明者 ミツシエル・ドウブレー フランス国、02300・オートルビル、シユ マン・デ・ベルソー・8

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導線へのワニスアプリケータと、エナメ
    ル焼付け炉とを備えそれらの中を前記導線が進む少なく
    とも一つのアセンブリを有する導線エナメル引き装置で
    あって、前記炉がそれ自体、細長い形状の少なくとも一
    つのチャンバを有し、そのチャンバは向かい合った両端
    に導線の供給口と排出口とを備え、さらに内側に、導線
    上のワニスの溶媒の蒸発及び/または導線上のワニスの
    加熱硬化のため、導線の前記供給口と前記排出口との間
    に、導線の経路と対向する放射加熱エレメントを備え、
    さらに、導線上のワニスから発生する溶媒蒸気の処理手
    段を有する導線エナメル引き装置であって、さらに、エ
    ナメル焼付け炉(2)が、単一チャンバ(4)を備え、
    そのチャンバの内部雰囲気は、溶媒の蒸発と前記導線上
    のワニスの加熱硬化を行なうと同時に、結果的に炎を発
    生させることなく、前記単一チャンバ中で前記の放射加
    熱エレメント(7)と前記溶媒蒸気とを接触させ燃焼さ
    せることによって前記溶媒蒸気を処理する手段を構成す
    るように、内部雰囲気の酸素含有率が6%未満に低く調
    整されることを特徴とする導線エナメル引き装置。
  2. 【請求項2】 前記単一チャンバが、前記の内部雰囲気
    の酸素含有率の測定用プローブ(10)と、前記プロー
    ブの測定値によって制御される空気供給口(11)とを
    備えることを特徴とする請求項1に記載の導線エナメル
    引き装置。
  3. 【請求項3】 前記単一チャンバ(4)が、外部雰囲気
    に対して負圧となることを特徴とする請求項2に記載の
    導線エナメル引き装置。
  4. 【請求項4】 前記の導線供給口(5)が、連結された
    吸気手段(15)を備えたアプリケータ(1)に密閉さ
    れるように接続され、また導線排出口(6)が、その一
    端は前記導線排出口の周辺に通じ、もう一端は、換気装
    置(18)付きの空気取入れダクト(17)に接続され
    た吸気ダクト(16)に接続されることを特徴とする請
    求項3に記載の導線エナメル引き装置。
  5. 【請求項5】 ワニスのアプリケータ(1)に連結され
    た前記吸気手段(15)が、排気ダクト(14)によっ
    て前記空気供給口(11)に接続され、前記測定用プロ
    ーブ(10)によって調整されることを特徴とする請求
    項4に記載の導線エナメル引き装置。
  6. 【請求項6】 前記の導線排出口(6)が、外側に、低
    圧の外部空気を入れる末端手段(19)を備えることを
    特徴とする請求項4または5に記載の導線エナメル引き
    装置。
  7. 【請求項7】 前記放射加熱エレメント(7)が、前記
    炉(2)の第一の壁面(8)に沿って取付けられること
    を特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の導
    線エナメル引き装置。
  8. 【請求項8】 前記の放射加熱エレメント(7)が、前
    記炉の前記の第一の壁面(8)の内側を覆うことを特徴
    とする請求項7に記載の導線エナメル引き装置。
  9. 【請求項9】 前記の空気供給口(11)が、炉の第二
    の壁面(9A、9B)を貫通するように形成されること
    を特徴とする請求項7または8に記載の導線エナメル引
    き装置。
  10. 【請求項10】 前記の第二の壁面(9A、9B)が二
    重壁であり、この二重壁の二枚の壁面の間に限定され、
    前記単一チャンバの向かい合う二つの末端部分中に開か
    れた空気供給管路(12)を備え、前記供給口(11)
    が、この二重壁の最も外側の壁面(9A)を貫通して形
    成されることを特徴とする請求項9に記載の導線エナメ
    ル引き装置。
  11. 【請求項11】 前記供給管路(12)中に前記の空気
    供給口(11)と対向して取付けられたファン(13)
    を備えることを特徴とする請求項10に記載の導線エナ
    メル引き装置。
  12. 【請求項12】 前記放射加熱エレメント(7)が、前
    記単一チャンバを少なくとも1000℃の温度に保つこ
    とができるように選択されることを特徴とする請求項1
    から11のいずれか一項に記載の導線エナメル引き装
    置。
  13. 【請求項13】 前記の放射加熱エレメント(7)が、
    前記単一チャンバに沿って温度勾配を生成するように選
    択されることを特徴とする請求項13に記載の導線エナ
    メル引き装置。
  14. 【請求項14】 前記単一チャンバ(4)が、前記の導
    線供給口(5)から前記チャンバのほぼ中央の部分に向
    かって上昇し、次に前記中央の部分から導線の前記排出
    口(6)に向かって下降する温度勾配を有することを特
    徴とする請求項13に記載の導線エナメル引き装置。
  15. 【請求項15】 前記炉が長手方向に開口し、前記装置
    において導線経路に対して引っ込み可能であることを特
    徴とする請求項12に記載の導線エナメル引き装置。
JP10122489A 1997-05-02 1998-05-01 導線エナメル引き装置 Pending JPH10312719A (ja)

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FR9705444A FR2762860B1 (fr) 1997-05-02 1997-05-02 Ligne d'emaillage d'un fil conducteur
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