JPH10312987A - マイクロマシーニング用ウエファ加工方法 - Google Patents
マイクロマシーニング用ウエファ加工方法Info
- Publication number
- JPH10312987A JPH10312987A JP12098997A JP12098997A JPH10312987A JP H10312987 A JPH10312987 A JP H10312987A JP 12098997 A JP12098997 A JP 12098997A JP 12098997 A JP12098997 A JP 12098997A JP H10312987 A JPH10312987 A JP H10312987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- etching
- passivation film
- micromachining
- film
- Prior art date
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- Pending
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- Micromachines (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィクスチャを用いることなくウエファのエ
ッチング処理を行ないしかも金属配線材の侵食を防止す
ることができるマイクロマシーニング用ウエファ加工方
法を提供する。 【解決手段】 ウエファの一方の面の回路を含む表面に
第１パッシベーション膜を付着させ、第１パッシベーシ
ョン膜の表面を平坦化させ、平坦化させた第１パッシベ
ーション膜の表面に第２パッシベーション膜を付着さ
せ、第１及び第２パッシベーション膜をエッチング除去
する部分を設定するために第２パッシベーション膜の表
面に第１マスク膜を付着させ、ウエファのエッチング除
去させる部分を設定するためにウエファに第２マスク膜
を付着させ、第１及び第２マスクを付着した後のウエフ
ァを第２パッシベーション膜に対して非侵食性の第１エ
ッチング液に浸し、第１エッチング液によるエッチング
後のウエファをウエファに対して非侵食性の第２エッチ
ング液に浸す。
ッチング処理を行ないしかも金属配線材の侵食を防止す
ることができるマイクロマシーニング用ウエファ加工方
法を提供する。 【解決手段】 ウエファの一方の面の回路を含む表面に
第１パッシベーション膜を付着させ、第１パッシベーシ
ョン膜の表面を平坦化させ、平坦化させた第１パッシベ
ーション膜の表面に第２パッシベーション膜を付着さ
せ、第１及び第２パッシベーション膜をエッチング除去
する部分を設定するために第２パッシベーション膜の表
面に第１マスク膜を付着させ、ウエファのエッチング除
去させる部分を設定するためにウエファに第２マスク膜
を付着させ、第１及び第２マスクを付着した後のウエフ
ァを第２パッシベーション膜に対して非侵食性の第１エ
ッチング液に浸し、第１エッチング液によるエッチング
後のウエファをウエファに対して非侵食性の第２エッチ
ング液に浸す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエファにマイク
ロマシーニング用の機械的加工を施すマイクロマシーニ
ング用ウエファ加工方法に関する。
ロマシーニング用の機械的加工を施すマイクロマシーニ
ング用ウエファ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】加速度センサ、圧力センサ等のセンサを
ＬＳＩ技術を用いてシリコンウエファ（silicon wafe
r）上に形成するという技術であるマイクロマシーニン
グ（micromachining）が知られている。マイクロマシー
ニングにおいては、シリコンウエファの一方の面に回路
を形成した後、その回路形成面とは反対面にエッチング
を施して例えば、ピエゾ効果を利用するセンサのダイア
フラムを形成することが行なわれる。そのエッチング工
程では回路形成面をフィクスチャ(fixture)と呼ばれる
治具を用いて保護しつつＫＯＨ、ＴＭＡＨ（テトラメチ
ルアンモニアハイドライド）等のエッチング液によりシ
リコンの異方性エッチングが施される。
ＬＳＩ技術を用いてシリコンウエファ（silicon wafe
r）上に形成するという技術であるマイクロマシーニン
グ（micromachining）が知られている。マイクロマシー
ニングにおいては、シリコンウエファの一方の面に回路
を形成した後、その回路形成面とは反対面にエッチング
を施して例えば、ピエゾ効果を利用するセンサのダイア
フラムを形成することが行なわれる。そのエッチング工
程では回路形成面をフィクスチャ(fixture)と呼ばれる
治具を用いて保護しつつＫＯＨ、ＴＭＡＨ（テトラメチ
ルアンモニアハイドライド）等のエッチング液によりシ
リコンの異方性エッチングが施される。
【０００３】図１（ａ）〜（ｅ）はかかる従来のウエフ
ァ加工方法を順に示している。図１（ａ）に示した工程
では、単結晶のシリコンウエファ１の一方の面側には拡
散層２，３が形成され、その面にＳｉＯ2（酸化シリコ
ン）からなる保護膜４が付着される。拡散層２，３部分
の保護膜４は除去されてアルミニウムからなる電極端子
５，６が拡散層２，３と結合されている。電極端子５，
６はワイヤボンディング用の電極端子である。電極端子
５，６を含んで保護膜４には更にＰＳＧ（リンガラス）
からなるパッシベーション膜である保護膜７が付着され
る。図１（ｂ）では電極端子５上の保護膜７に穴８が開
けられボンディングワイヤが接続されるパッドが形成さ
れる。図１（ｃ）の工程ではシリコンウエファ１の他方
の面にはマスク膜９が付着され、マスク膜９が付着され
ない４角形部分が次の図１（ｄ）の工程でエッチングを
施される。このエッチングの際にはフィクスチャ１０に
よってシリコンウエファ１の一方の面側が覆われる。フ
ィクスチャ１０はシリコンウエファ１の一方の面、すな
わち回路形成面がエッチングされることを防止するため
のものであり、例えば、図２に示すように凹状の円盤形
状である。エッチングでは断面が図のように台形の穴１
１が形成され、図１（ｅ）のように拡散層２，３の間に
おいてシリコンウエファ１の薄い部分をダイアフラムと
し得る状態でウエファ加工は終了する。
ァ加工方法を順に示している。図１（ａ）に示した工程
では、単結晶のシリコンウエファ１の一方の面側には拡
散層２，３が形成され、その面にＳｉＯ2（酸化シリコ
ン）からなる保護膜４が付着される。拡散層２，３部分
の保護膜４は除去されてアルミニウムからなる電極端子
５，６が拡散層２，３と結合されている。電極端子５，
６はワイヤボンディング用の電極端子である。電極端子
５，６を含んで保護膜４には更にＰＳＧ（リンガラス）
からなるパッシベーション膜である保護膜７が付着され
る。図１（ｂ）では電極端子５上の保護膜７に穴８が開
けられボンディングワイヤが接続されるパッドが形成さ
れる。図１（ｃ）の工程ではシリコンウエファ１の他方
の面にはマスク膜９が付着され、マスク膜９が付着され
ない４角形部分が次の図１（ｄ）の工程でエッチングを
施される。このエッチングの際にはフィクスチャ１０に
よってシリコンウエファ１の一方の面側が覆われる。フ
ィクスチャ１０はシリコンウエファ１の一方の面、すな
わち回路形成面がエッチングされることを防止するため
のものであり、例えば、図２に示すように凹状の円盤形
状である。エッチングでは断面が図のように台形の穴１
１が形成され、図１（ｅ）のように拡散層２，３の間に
おいてシリコンウエファ１の薄い部分をダイアフラムと
し得る状態でウエファ加工は終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来のマイクロ
マシーニング用ウエファ加工方法においては、フィクス
チャを用いるので長時間を要するエッチング処理におい
て一度に処理可能なウエファの枚数が制限されてしま
い、それによりマイクロマシーニングを用いるセンサ等
の装置のコスト低減の障害となっていた。また、フィク
スチャの装着及びその取り外しが必要であるので、工程
を複雑にする原因になっていた。
マシーニング用ウエファ加工方法においては、フィクス
チャを用いるので長時間を要するエッチング処理におい
て一度に処理可能なウエファの枚数が制限されてしま
い、それによりマイクロマシーニングを用いるセンサ等
の装置のコスト低減の障害となっていた。また、フィク
スチャの装着及びその取り外しが必要であるので、工程
を複雑にする原因になっていた。
【０００５】このフィクスチャを用いることなくエッチ
ング処理を行なうとすると、シリコンウエファの回路形
成側の表面にもエッチング液が侵入することになる。図
３に示すように、シリコンウエファ１３に設けられた電
極端子１４を覆うように付着された保護膜１５には段差
部Ａ，Ｂ，Ｃが生じるので、このような段差部があると
その段差部から長時間のエッチングによりエッチング液
が保護膜を介して侵入し、電極端子等の金属配線材を侵
食してしまう。よって、従来のマイクロマシーニング用
ウエファ加工方法ではフィクスチャを用いないで済ます
ことはできなかった。
ング処理を行なうとすると、シリコンウエファの回路形
成側の表面にもエッチング液が侵入することになる。図
３に示すように、シリコンウエファ１３に設けられた電
極端子１４を覆うように付着された保護膜１５には段差
部Ａ，Ｂ，Ｃが生じるので、このような段差部があると
その段差部から長時間のエッチングによりエッチング液
が保護膜を介して侵入し、電極端子等の金属配線材を侵
食してしまう。よって、従来のマイクロマシーニング用
ウエファ加工方法ではフィクスチャを用いないで済ます
ことはできなかった。
【０００６】更に、シリコンウエファのエッチングを先
に行なってからシリコンウエファの一方の面に回路を形
成する等の他の処理を行なうことも考えられるが、先に
シリコンウエファを成形してしまうと、ウエファの機械
的強度の低下により他の処理中において多大な制限を与
えることになるという別の問題がある。そこで、本発明
の目的は、フィクスチャを用いることなくウエファのエ
ッチング処理を行ないしかも金属配線材の侵食を防止す
ることができるマイクロマシーニング用ウエファ加工方
法を提供することである。
に行なってからシリコンウエファの一方の面に回路を形
成する等の他の処理を行なうことも考えられるが、先に
シリコンウエファを成形してしまうと、ウエファの機械
的強度の低下により他の処理中において多大な制限を与
えることになるという別の問題がある。そこで、本発明
の目的は、フィクスチャを用いることなくウエファのエ
ッチング処理を行ないしかも金属配線材の侵食を防止す
ることができるマイクロマシーニング用ウエファ加工方
法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロマシー
ニング用ウエファ加工方法は、ウエファにマイクロマシ
ーニング用の加工を施す加工方法であって、ウエファの
一方の面側に回路を形成した後、ウエファの一方の面の
回路を含む表面に第１パッシベーション膜を付着させる
工程と、第１パッシベーション膜の表面を平坦化させる
工程と、平坦化させた第１パッシベーション膜の表面に
第２パッシベーション膜を付着させる工程と、第１及び
第２パッシベーション膜をエッチング除去する部分を設
定するために第２パッシベーション膜の表面に第１マス
ク膜を付着させる工程と、ウエファのエッチング除去さ
せる部分を設定するためにウエファに第２マスク膜を付
着させる工程と、第１及び第２マスクを付着した後のウ
エファを第２パッシベーション膜に対して非侵食性の第
１エッチング液に浸す第１エッチング工程と、第１エッ
チング工程後のウエファをウエファに対して非侵食性の
第２エッチング液に浸す第２エッチング工程と、からな
ることを特徴としている。
ニング用ウエファ加工方法は、ウエファにマイクロマシ
ーニング用の加工を施す加工方法であって、ウエファの
一方の面側に回路を形成した後、ウエファの一方の面の
回路を含む表面に第１パッシベーション膜を付着させる
工程と、第１パッシベーション膜の表面を平坦化させる
工程と、平坦化させた第１パッシベーション膜の表面に
第２パッシベーション膜を付着させる工程と、第１及び
第２パッシベーション膜をエッチング除去する部分を設
定するために第２パッシベーション膜の表面に第１マス
ク膜を付着させる工程と、ウエファのエッチング除去さ
せる部分を設定するためにウエファに第２マスク膜を付
着させる工程と、第１及び第２マスクを付着した後のウ
エファを第２パッシベーション膜に対して非侵食性の第
１エッチング液に浸す第１エッチング工程と、第１エッ
チング工程後のウエファをウエファに対して非侵食性の
第２エッチング液に浸す第２エッチング工程と、からな
ることを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しつつ詳細に説明する。図４（ａ）〜（ｇ）は本発明
によるマイクロマシーニング用ウエファ加工方法の手順
を示している。先ず、図４（ａ）に示した工程では、例
えば、４００〜６００ミクロンの厚さの単結晶のシリコ
ンウエファ２１の一方の面側に必要な配線及び素子の形
成が行なわれ、その形成後にパッシベーション膜が付着
される。すなわち、シリコンウエファ２１の一方の面側
には拡散層２２，２３が形成され、その面にＳｉＯ2か
らなる保護膜２４が付着されている。拡散層２２，２３
部分の保護膜４は除去されてアルミニウムからなる電極
端子２５，２６が拡散層２２，２３と結合されている。
電極端子２５，２６はワイヤボンディング用の電極端子
である。電極端子２５，２６を含んで保護膜２４には更
にパッシベーション膜２７が付着されている。パッシベ
ーション膜２７はＣＶＤ（Chemical Vapour Depositio
n）法を用いてＴＥＯＳ（テトラ・エトキシ・シラン）
の熱分割でＳｉＯ 2膜を形成することにより得られてい
る。
照しつつ詳細に説明する。図４（ａ）〜（ｇ）は本発明
によるマイクロマシーニング用ウエファ加工方法の手順
を示している。先ず、図４（ａ）に示した工程では、例
えば、４００〜６００ミクロンの厚さの単結晶のシリコ
ンウエファ２１の一方の面側に必要な配線及び素子の形
成が行なわれ、その形成後にパッシベーション膜が付着
される。すなわち、シリコンウエファ２１の一方の面側
には拡散層２２，２３が形成され、その面にＳｉＯ2か
らなる保護膜２４が付着されている。拡散層２２，２３
部分の保護膜４は除去されてアルミニウムからなる電極
端子２５，２６が拡散層２２，２３と結合されている。
電極端子２５，２６はワイヤボンディング用の電極端子
である。電極端子２５，２６を含んで保護膜２４には更
にパッシベーション膜２７が付着されている。パッシベ
ーション膜２７はＣＶＤ（Chemical Vapour Depositio
n）法を用いてＴＥＯＳ（テトラ・エトキシ・シラン）
の熱分割でＳｉＯ 2膜を形成することにより得られてい
る。
【０００９】図４（ｂ）に示した工程ではパッシベーシ
ョン膜２７の表面が平坦化される。パッシベーション膜
２７を単に付着した工程では図３に示したように段差が
大きいので、その段差を少なくするために平坦化が行な
われる。その平坦化の方法としては、パッシベーション
膜２７の表面をフォトレジストでエッチングするエッチ
バック（Etch Back）法、パッシベーション膜２７の表
面を化学機械的に研磨するＣＭＰ（Chemical mechanica
l polishing）法、及び液体ガラスの塗布によりＳｉＯ2
層を形成するＳＯＧ法がある。その平坦化後の図４
（ｃ）に示した工程では、平坦化されたパッシベーショ
ン膜２７の表面に更にパッシベーション膜２８がＣＶＤ
法を用いて付着される。これにより、表面がより平坦化
される。パッシベーション膜２７，２８はＳｉＯ2等の
耐アルカリ性の膜である。
ョン膜２７の表面が平坦化される。パッシベーション膜
２７を単に付着した工程では図３に示したように段差が
大きいので、その段差を少なくするために平坦化が行な
われる。その平坦化の方法としては、パッシベーション
膜２７の表面をフォトレジストでエッチングするエッチ
バック（Etch Back）法、パッシベーション膜２７の表
面を化学機械的に研磨するＣＭＰ（Chemical mechanica
l polishing）法、及び液体ガラスの塗布によりＳｉＯ2
層を形成するＳＯＧ法がある。その平坦化後の図４
（ｃ）に示した工程では、平坦化されたパッシベーショ
ン膜２７の表面に更にパッシベーション膜２８がＣＶＤ
法を用いて付着される。これにより、表面がより平坦化
される。パッシベーション膜２７，２８はＳｉＯ2等の
耐アルカリ性の膜である。
【００１０】図４（ｄ）に示した工程では電極端子２５
の部分にパッドパターンを形成するためのマスク膜２９
がパッシベーション膜２８表面に形成される。マスク膜
２９は耐アルカリ性の材料であり、例えば、シリコン・
ナイトライドやタングステンからなる。図４（ｅ）に示
した工程ではシリコンウエファ２１の他方の面にはセン
サのダイアフラムを形成するためのマスク膜３０が付着
される。マスク膜３０が付着されない部分が次の図４
（ｆ）の工程でＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ヒドラジン、ＥＰＰ
（エチレンジアミンピロカチコール）等のアルカリ性の
エッチング液でエッチングを施される。このエッチング
ではシリコンウエファ２１全体がエッチング液（第１エ
ッチング液）中に浸されるが、シリコンウエファ２１の
回路形成側のマスク膜２９から露出したパッシベーショ
ン膜２８は耐アルカリ性の膜であるので、エッチングさ
れることはない。このエッチングによりシリコンウエフ
ァ２１の他方の面側に形成される穴３１は、図４（ｆ）
に示した断面は台形状であるが、シリコンウエファ２１
の他方の面を見ると図５に示すような四角形状であり、
シリコンウエファ２１の薄い部分がピエゾ効果を利用す
るセンサのダイアフラムとなる。
の部分にパッドパターンを形成するためのマスク膜２９
がパッシベーション膜２８表面に形成される。マスク膜
２９は耐アルカリ性の材料であり、例えば、シリコン・
ナイトライドやタングステンからなる。図４（ｅ）に示
した工程ではシリコンウエファ２１の他方の面にはセン
サのダイアフラムを形成するためのマスク膜３０が付着
される。マスク膜３０が付着されない部分が次の図４
（ｆ）の工程でＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ヒドラジン、ＥＰＰ
（エチレンジアミンピロカチコール）等のアルカリ性の
エッチング液でエッチングを施される。このエッチング
ではシリコンウエファ２１全体がエッチング液（第１エ
ッチング液）中に浸されるが、シリコンウエファ２１の
回路形成側のマスク膜２９から露出したパッシベーショ
ン膜２８は耐アルカリ性の膜であるので、エッチングさ
れることはない。このエッチングによりシリコンウエフ
ァ２１の他方の面側に形成される穴３１は、図４（ｆ）
に示した断面は台形状であるが、シリコンウエファ２１
の他方の面を見ると図５に示すような四角形状であり、
シリコンウエファ２１の薄い部分がピエゾ効果を利用す
るセンサのダイアフラムとなる。
【００１１】シリコンウエファ２１の他方の面のエッチ
ングが終了すると、次の図４（ｇ）に示す工程では酢酸
とフッ酸との混合液をエッチング液（第２エッチング
液）としてシリコンウエファ２１の一方の面のエッチン
グが行なわれる。これにより、シリコンウエファ２１を
エッチングすることなくマスク膜２９から露出したパッ
シベーション膜２８部分及びその下のパッシベーション
膜２７部分がエッチングされて穴３２となり、ワイヤボ
ンディング用のパッドが形成される。
ングが終了すると、次の図４（ｇ）に示す工程では酢酸
とフッ酸との混合液をエッチング液（第２エッチング
液）としてシリコンウエファ２１の一方の面のエッチン
グが行なわれる。これにより、シリコンウエファ２１を
エッチングすることなくマスク膜２９から露出したパッ
シベーション膜２８部分及びその下のパッシベーション
膜２７部分がエッチングされて穴３２となり、ワイヤボ
ンディング用のパッドが形成される。
【００１２】なお、上記した実施例においては、ウエフ
ァとしてシリコンを用いた例を示したが、ゲルマニウム
等の他の材料からなるウエファのマイクロマシーニング
用加工にも本発明を適用することができる。また、上記
した実施例においては、シリコンウエファ２１の他方の
面にセンサのダイアフラム用の穴を形成するためにエッ
チングを行なったが、シリコンウエファ２１の一方の面
にもダイアフラム等のマイクロマシーニング用の機械的
加工のためにエッチングを行なっても良い。更に、アク
チュエータ等の他のマイクロマシーニング技術を用いた
装置にも本発明は適用することができる。
ァとしてシリコンを用いた例を示したが、ゲルマニウム
等の他の材料からなるウエファのマイクロマシーニング
用加工にも本発明を適用することができる。また、上記
した実施例においては、シリコンウエファ２１の他方の
面にセンサのダイアフラム用の穴を形成するためにエッ
チングを行なったが、シリコンウエファ２１の一方の面
にもダイアフラム等のマイクロマシーニング用の機械的
加工のためにエッチングを行なっても良い。更に、アク
チュエータ等の他のマイクロマシーニング技術を用いた
装置にも本発明は適用することができる。
【００１３】また、上記した実施例においては、第２エ
ッチング液としては酢酸とフッ酸との混合液としたが、
パッシベーション膜を侵食してウエファを侵食しないエ
ッチング液であれば良い。
ッチング液としては酢酸とフッ酸との混合液としたが、
パッシベーション膜を侵食してウエファを侵食しないエ
ッチング液であれば良い。
【００１４】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、フィクス
チャを用いることなくウエファのエッチング処理を行な
いしかも回路の金属配線材の侵食を防止することができ
る。
チャを用いることなくウエファのエッチング処理を行な
いしかも回路の金属配線材の侵食を防止することができ
る。
【図１】従来のマイクロマシーニング用ウエファ加工方
法の手順を示すウエファ断面図である。
法の手順を示すウエファ断面図である。
【図２】フィクスチャの外観を示す図である。
【図３】保護膜の段差部を示す図である。
【図４】本発明の実施例を示すマイクロマシーニング用
ウエファ加工方法の手順を示すウエファ断面図である。
ウエファ加工方法の手順を示すウエファ断面図である。
【図５】ダイアフラム用の穴をシリコンウエファの他方
の面を見た図である。
の面を見た図である。
１，２１ シリコンウエファ ２，３，２２，２３ 拡散層 ５，６，２５，２６ 電極端子 ９，２９，３０ マスク膜 １０ フィクスチャ ２７，２８ パッシベーション膜
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエファにマイクロマシーニング用の加
工を施す加工方法であって、 前記ウエファの一方の面側に回路を形成した後、前記ウ
エファの一方の面の前記回路を含む表面に第１パッシベ
ーション膜を付着させる工程と、 前記第１パッシベーション膜の表面を平坦化させる工程
と、 平坦化させた前記第１パッシベーション膜の表面に第２
パッシベーション膜を付着させる工程と、 前記第１及び第２パッシベーション膜をエッチング除去
する部分を設定するために前記第２パッシベーション膜
の表面に第１マスク膜を付着させる工程と、 前記ウエファのエッチング除去させる部分を設定するた
めに前記ウエファに第２マスク膜を付着させる工程と、 前記第１及び第２マスクを付着した後の前記ウエファを
前記第２パッシベーション膜に対して非侵食性の第１エ
ッチング液に浸す第１エッチング工程と、 前記第１エッチング工程後の前記ウエファを前記ウエフ
ァに対して非侵食性の第２エッチング液に浸す第２エッ
チング工程と、からなることを特徴とするマイクロマシ
ーニング用ウエファ加工方法。 - 【請求項２】 前記第１エッチング液はＫＯＨ又はＴＭ
ＡＨであり、前記第２エッチング液は酢酸とフッ酸との
混合液であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ
マシーニング用ウエファ加工方法。 - 【請求項３】 前記第１エッチング工程ではピエゾ効果
を利用するセンサのダイアフラムを形成することを特徴
とする請求項１記載のマイクロマシーニング用ウエファ
加工方法。 - 【請求項４】 前記第２エッチング工程ではワイヤボン
ディング用のパット穴を前記第１及び第２パッシベーシ
ョン膜に形成することを特徴とする請求項１記載のマイ
クロマシーニング用ウエファ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098997A JPH10312987A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | マイクロマシーニング用ウエファ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098997A JPH10312987A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | マイクロマシーニング用ウエファ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312987A true JPH10312987A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14800035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12098997A Pending JPH10312987A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | マイクロマシーニング用ウエファ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10312987A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017003365A (ja) * | 2015-06-08 | 2017-01-05 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 圧力センサ |
-
1997
- 1997-05-12 JP JP12098997A patent/JPH10312987A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017003365A (ja) * | 2015-06-08 | 2017-01-05 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 圧力センサ |
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