JPH1031344A - 帯電装置および画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】導電性ファーブラシの回転速度を速くすること
なく、高画質の画像を得るようにし、メンテナンスフリ
ーを可能とする。 【解決手段】感光体ドラム１０５の軸方向に沿って周回
移動するベルト状の導電性ファーブラシ１０４を用いて
感光体ドラム１０５を帯電させるようにする。導電性フ
ァーブラシ１０４を用いた接触帯電部材１００は、可撓
性シート１０２に磁気ブラシ層１０１を植設させて形成
される。接触帯電部材１０６は、感光ドラム１０５の周
面に円弧状に接触するように全長に沿って配設してもよ
く、ベルト状の接触帯電部材１００にクリーニング装置
１０７を設けてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧印加方式の接
触帯電部材として導電性のファーブラシを用いた帯電装
置およびこの帯電装置を有する画像形成装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】

［画像形成装置］画像形成装置は、従来の、原稿を複写
するいわゆる複写機のみならず、近年需要の伸びの著し
いコンピュータ、ワードプロセッサの出力手段としての
プリンタを加え広く利用されている。こうしたプリンタ
については、従来のオフィスユースのみならず、パーソ
ナルユースが増大したため、低コスト、メンテナンスフ
リーといった経済性が重視される。

【０００３】さらに、エコロジーの観点から、両面コピ
ー、再生紙利用など紙の消費量の低減、消費電力低減に
よる省エネルギー化、オゾン発生量低減など近隣生物へ
の影響対策が、経済性と同様の重要度で求められてい
る。

【０００４】画像形成装置における従来の帯電方式の主
流であったコロナ帯電器は、太さ５０〜１００μｍ程度
の金属ワイヤに５〜１０ｋＶ程度の高電圧を印加してコ
ロナ放電を生起させ、雰囲気を電離して対向物に電荷を
付与するものである。その放電過程において、ワイヤ自
身が汚れを吸着するため、定期的な清掃、交換が必要と
なる。また、コロナ放電に伴って、不要なオゾンが発生
してしまう。

【０００５】省エネルギーに関しては、上述に加え、感
光体ヒータの問題もある。近年使用される被帯電体とし
ての電子写真感光体は、表面硬度を高くして耐刷枚数の
増大が図られており、長期の使用に供される。このた
め、コロナ帯電器から繰り返し発生するオゾンによって
コロナ生成物が派生し、この影響で感光体表面が湿度に
敏感となって水分を吸着しやすくなる。これが感光体表
面の電荷の横流れの原因となり、画像流れといわれる画
像品質の低下を引き起こす。

【０００６】このような画像流れを防止するために、実
公平１−３４２０５号公報に記載されているようなヒー
タによる加熱によって水分を除去する方法や、特公平２
−３８９５６号公報に記載されているようなマグネット
ローラと磁性キャリヤとによって形成されたブラシによ
り、感光体の表面を摺擦してコロナ生成物を取り除く方
法や、特開昭６１−１００７８０号公報に記載されてい
るような弾性ローラによって感光体の表面を摺擦してコ
ロナ生成物を取り除く方法などが用いられてきた。

【０００７】このような感光体の表面を摺擦してコロナ
生成物を取り除く方法は、極めて硬度の高いアモルファ
スシリコン感光体に対して使用されるが、近時の強い要
求である装置の小型化や低コスト化には不向きである。
また、ヒータで加熱して水分を除去する方法は、常時加
熱が消費電力量の増大を招く。こうしたヒータの容量は
通常１５Ｗから８０Ｗ程度と必ずしも大電力量ではない
が、夜間も含め常時通電されているケースがほとんどで
あり、一日あたりの消費電力量としては、画像形成装置
全体の消費電力量の５〜１５％にも達する。

【０００８】また、外部ヒータ加熱方式、すなわち、特
開昭５９ー１１１１７９号公報や特開昭６２−２７８５
７７号公報に開示された加熱方式においても、感光体の
温度変動に伴う画像濃度不安定要素の改善についてはな
んらの開示もない。

【０００９】また、こうした画像流れの元凶である前述
オゾンは、画像形成装置の周囲にいる人や生物への影響
があることが知られており、従来からオゾン除去フィル
タで分解無害化して排出していた。特にパーソナルユー
スの場合、排出オゾン量は極力低減しなければならな
い。このように経済面からも環境面からも帯電時の発生
オゾン量を大幅に低減することが求められている。

【００１０】こうした状況から、新たな帯電部材、帯電
装置、画像形成装置としての発生オゾン量が皆無または
低減された帯電装置、消費電力の少ない除湿装置、さら
にはこれらが装着された画像形成装置が求められてい
る。

【００１１】［帯電装置］前述の問題点を解決すべく、
各種帯電装置が提案されている。

【００１２】特開昭６３−２０８８７８号公報に記載さ
れているような接触帯電装置は、電圧を印加した帯電部
材を被帯電体に当接させて被帯電面を所要の電位に帯電
するもので、帯電装置として広く利用されている前記コ
ロナ帯電装置に比べ、第１に、被帯電面に所望の電位を
得るのに必要とされる印加電圧の低電圧化が図れるこ
と、第２に、帯電過程で発生するオゾン量が極く微量で
ありオゾン除去フィルタを装着する必要性がなくなるこ
と、そのため装置の排気系の構成が簡素化されること、
メンテナンスフリーであること、第３に、帯電過程にお
いて発生したオゾンから派生するコロナ生成物が被帯電
面である像担持体表面、例えば感光体の表面に付着し、
コロナ生成物の影響で感光体の表面が湿度に敏感となっ
て水分を吸着しやすくなることに起因する、表面の低抵
抗化による画像流れを防止するため、終日行われている
加熱ヒータによる除湿の必要性がなくなること、そのた
め夜間通電などの電力消費の大幅な低減が図れること、
などの長所を有している。

【００１３】そこで、このような長所を有する接触帯電
装置は、例えば、電子写真画像形成装置（複写機、レー
ザビームプリンタ）、静電記録方式の画像形成装置にお
いて、感光体、誘電体などの像担持体、その他の被帯電
体を帯電処理する手段としてコロナ放電装置に代わるも
のとして注目され、実用化されている。

【００１４】従来、接触帯電装置としては、ブレード状
やシート状の固定式の帯電部材を被帯電体に当接させ、
これにバイアスを印加して帯電を行うものが周知であ
る。

【００１５】図８にブレード状の帯電部材を使用するも
のの一例を示す。８０１は、ドラム型の電子写真感光体
（感光ドラム）であり、矢印Ａの時計回り方向に所定の
周速度（プロセススピード）にて回転駆動される。８０
２は接触帯電部材であり、電極８０２−１およびその帯
電面に形成した抵抗層８０２−２とを備えている。

【００１６】電極８０２−１は、通常、アルミニウム、
アルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレスなどの金
属や、樹脂、セラミックなどの絶縁材料に導電処理を施
したものを用いる。そして、導電処理としては、金属を
コーティングしたり、導電性塗料を塗布したりする。

【００１７】抵抗層８０２−２は、ポリプロピレン、ポ
リエチレンなどの樹脂や、シリコンゴム、ウレタンゴム
などのエラストマーに、酸化チタン、炭素粉、金属粉な
どの導電性フィラーを分散させたものが一般的に用いら
れる。

【００１８】抵抗層８０２−２は、その抵抗値が２５０
〜１０００Ｖの印加電圧でＨＩＯＫＩ社（メーカー）製
のＭΩテスターにおける測定にて、１×１０³ 〜１×１
０¹²Ωcmとなるように形成する。

【００１９】８０３は接触帯電部材８０２に対して電圧
を印加するための電源であり、この電源８０３により感
光ドラム８０１の帯電開始電圧の２倍以上のピーク間電
圧Ｖppを有する振動電圧Ｖacと直流電圧Ｖdcとを重畳し
た帯電電圧（Ｖac＋Ｖdc）が接触帯電部材８０２の電極
８０２−１に印加されて、この状態で回転駆動される感
光ドラム８０１の表面（外周面）を均一に帯電する。

【００２０】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビームプリンタ光８０５が走査されることによっ
て、感光ドラム８０１上に静電潜像が形成される。この
静電潜像は、現像剤（トナー）が塗布された現像スリー
ブ８０６によって顕画像化されてトナー画像となり、そ
の後、記録媒体としての転写材８０７上に転写ローラ８
０８を介して転写される。そして、トナー画像転写後の
転写材８０７は、不図示の定着装置によって表面のトナ
ー画像が定着された後、装置本体外に出力される。一
方、感光ドラム８０１は、転写材８０７に転写されない
で表面に残った転写残トナーがクリーニングブレード８
０９によって除去され、次の画像形成に供される。

【００２１】しかしながら、上述の接触帯電部材８０２
によると、感光ドラム８０１と接触帯電部材８０２とが
直接接触して、相互に摩擦するため、長期の使用により
接触帯電部材８０２が摩耗し、定期的な交換が必要とな
る。近年、画像形成装置に広く用いられ始めたアモルフ
ァスシリコン感光体は半永久的な寿命を有しており、接
触帯電部材８０２の交換は装置のメンテナンスフリーを
阻害することとなり、改善が強く求められていた。

【００２２】その解決策として、接触帯電部材のさまざ
まな改善策の中で、特開昭５９−１３３５６９号公報な
どのように、磁性体と磁性粉体あるいは磁性粒子などの
キャリヤ（以下「帯電キャリヤ」という）とを備えた磁
気ブラシ状の接触帯電部材が感光ドラムに接触して、電
荷を付与するといった新方式の機構が提案されている。

【００２３】図９（ａ），（ｂ）にその一例を示す。な
お、同図（ａ）は感光ドラム９０１および接触帯電部材
９０２の側面図、（ｂ）は接触帯電部材９０２の正面図
である。感光ドラム９０１は、所定の周速度（プロセス
スピード）にて矢印Ａの時計回り方向に回転駆動され
る。接触帯電部材９０２は、多極磁性体９０２−２と、
その帯電面（表面）に磁性粉体により形成された磁気ブ
ラシ層９０２−１とを備えている。

【００２４】多極磁性体９０２−２は、通常、フェライ
ト磁石、ゴムマグネットなどの磁性材料を用い、円筒状
の、いわゆるマグネットローラのごとく構成される。

【００２５】磁気ブラシ層９０２−１は、磁性酸化鉄
（フェライト）粉、マグネット粉、周知の磁性トナー材
などが一般的に用いられる。

【００２６】これらによって構成される接触帯電部材９
０２の抵抗値は、その使用される環境、高帯電効率、あ
るいは感光ドラム９０１の表面層の耐圧特性などに応じ
て適宜選択されることが望ましい。

【００２７】感光ドラム９０１と多極磁性体９０２−２
との最近接間隙は、磁気ブラシ層９０２−１が感光ドラ
ム９０１の表面に接触する接触幅（以下「帯電ニップ」
という）を安定に制御するため、一定の距離に安定的に
設定される必要がある。この距離は、５０〜２０００μ
ｍの範囲が好ましく、より好ましくは１００〜１０００
μｍである。

【００２８】９０３は接触帯電部材９０２に対して電圧
を印加する電源であり、この電源９０３により直流電圧
Ｖdcが多極磁性体９０２−２、磁気ブラシ層９０２−１
に印加されて、回転駆動されている感光ドラム９０１の
外周面（表面）が均一に帯電される。

【００２９】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビームプリンタ光９０５が走査されることによっ
て、感光ドラム９０１上に静電潜像が形成される。この
静電潜像は、現像剤（トナー）が塗布された現像スリー
ブ９０６によってトナー画像として顕画像化される。そ
の後、トナー画像は、転写材９０７上に転写ローラ９０
８を介して転写される。トナー画像転写後の転写材９０
７は、不図示の定着装置によって表面のトナー画像が定
着された後、装置本体外に出力される。一方、感光ドラ
ム９０１は、転写材９０７に転写されないで表面に残っ
た転写残トナーがクリーニングブレード９０９によって
除去され、次の画像形成に供される。

【００３０】上述の接触帯電部材９０２を用いる方式に
よると、感光ドラム９０１と接触帯電部材９０２との接
触性、摩擦性などの特性が向上し、耐久劣化に対して機
械的摩耗などの格段の向上が図られた。

【００３１】また、最近では、ファーブラシを用いた接
触帯電部材も使用されてきている。これは、例えばロー
ラ状の電極に、導電性を有する接触子、すなわちメッキ
を施した金属ブラシや繊維ブラシ中に導電材料を分散さ
せ、これらの導電性ブラシを感光ドラムに接触させるこ
とにより帯電を行うものである。

【００３２】［感光体］ ［有機光導電体（ＯＰＣ）］電子写真感光体の光導電材
料として、近年、種々の有機光導電材料の開発が進み、
特に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した機能分離型感
光体は既に実用化され、複写機やレーザビームプリンタ
などの画像形成装置に搭載されている。

【００３３】しかしながら、これらの感光体は一般的に
耐久性が低いことが１つの大きな欠点であるとされてき
た。耐久性としては、感度、残留電位、帯電能、画像ぼ
けなどの電子写真物性面の耐久性と、摺擦による感光体
の表面の摩耗や引っ掻き傷などの機械的耐久性とに大別
され、いずれも感光体の寿命を決定する大きな要因とな
っている。

【００３４】このうち電子写真物性面の耐久性、特に画
像ぼけに関しては、コロナ帯電器から発生するオゾン、
ＮＯｘなどの活性物質によって、感光体の表面層に含有
されている電荷輸送物質が劣化することが原因であるこ
とが知られている。

【００３５】他方の機械的耐久性に関しては、感光層に
対してブレードやローラなどのクリーニング部材、紙お
よびトナーなどが物理的に接触して摺擦することが原因
であることが知られている。

【００３６】電子写真物性面の耐久性を向上させるため
には、オゾン、ＮＯｘなどの活性物質によって劣化され
にくい電荷輸送物質を用いることが重要であり、酸化電
位の高い電荷輸送物質を選択することが知られている。
また、他方の機械的耐久性を上げるためには、紙やクリ
ーニング部材による摺擦に耐えるために、表面の潤滑性
を上げて摩耗を小さくすること、トナーのフィルミング
融着などを防止するために表面の離型性をよくすること
が重要であり、フッ素系樹脂粉体、フッ化黒鉛、ポリオ
レフィン系樹脂粉体などの滑材を表面層に配合すること
が知られている。しかしながら、摩耗が著しく小さくな
るとオゾン、ＮＯｘなどの活性物質により生成された吸
湿性物質が感光体の表面に堆積し、その結果として表面
抵抗が下がり、表面電荷が横方向に移動する、いわゆる
画像流れを生ずるという問題があった。 ［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）］電子写
真感光体において感光層を形成する光導電材料として
は、高感度で、ＳＮ比［光電流（Ｉp ）／暗電流（Ｉd
）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合
した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早く、所
望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に対し
て無害であること、などの特性が要求される。特に、事
務機としてオフィスで使用される画像形成装置内に組み
込まれる画像形成装置用感光体の場合には、大量に、か
つ長期にわたり複写に供されることを考えると、画質、
画像濃度の長期安定性も重要な点である。

【００３７】このような点に優れた性質を示す光導電材
料としては、水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ
−Ｓｉ：Ｈ」という）があり、例えば、特公昭６０−３
５０５９号公報には画像形成装置用感光体としての応用
が記載されている。

【００３８】このような画像形成装置用感光体は、一般
的には、導電性支持体を５０〜４００℃に加熱し、この
導電性支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法などの成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電
層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、
原料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー
放電によって分解し、導電性支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜
を形成する方法が好適なものとして実用に付されてい
る。

【００３９】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」という）光導
電層からなる画像形成装置用感光体が提案されている。
上述の公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１〜
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、画像
形成装置用感光体の光導電層として良好な電気的、光学
的特性を得ることができるとしている。

【００４０】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性などの電気的、
光学的、光導電的特性および耐湿性などの使用環境特
性、さらには経時的安定性について改善を図るため、シ
リコン原子を母体としたアモルファス材料で構成された
光導電層上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光
導電性のアモルファス材料で構成された表面障壁層を設
ける技術が記載されている。

【００４１】さらに、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素およびフッ素を
含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感
光体についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１
６１号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原
子と４１〜７０原子％の水素原子とを構成要素として含
む非晶質材料を用いる技術が記載されている。

【００４２】さらに、特開昭５７−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００cm^-1と２０００cm^-1の吸収ピークの吸収
係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層
に用いることにより高感度で高抵抗な画像形成装置用感
光体が得られることが記載されている。

【００４３】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体の表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成工程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。

【００４４】これらの技術により、画像形成装置用感光
体の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境特性
が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００４５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような電圧印加式の磁性粒子をブラシ（接触帯電部材）
として用いた帯電装置を像担持体の帯電手段として利用
した場合の問題点として、以下の点があげられる。

【００４６】特に、感光体９０１の回転速度が速い場合
や、帯電部（接触帯電部材）と非帯電部（被帯電体）の
電位差が大きい場合、接触帯電部材９０２の耐久性が悪
いことがあげられる。磁気ブラシ層９０２−１を構成す
る磁性粉体などの帯電キャリヤが帯電工程などの感光体
９０１の回転中に表面へ移動し、この結果、帯電効率が
低下し、現像後の画像上では感光体９０１の回転方向に
濃度差が見られるようになる。特に、アモルファスシリ
コン感光体のように高速で使用され、極めて長い寿命を
有する画像形成装置において、接触帯電部材９０２の帯
電キャリヤの減少により画質が低下し、接触帯電部材９
０２のメンテナンスや交換をせざるを得なくなってしま
う。こうしたことはサービスコストの増加を招き、メン
テナンスフリー化を阻害することになるという問題が生
ずる。

【００４７】特開昭５９−１３３５６９号公報では、感
光体９０１の回転方向で接触帯電部材９０２の下流側に
クリーニングブレード９０９を設けて上述の帯電キャリ
ヤの再捕獲を行う機構が開示されているが、上記のごと
くメンテナンスフリー化の妨げになるという問題があ
る。また、特に表面硬度がそれほど高くない感光体９０
１においては、現像スリーブ９０６に付着された帯電キ
ャリヤにより、感光体９０１の表面が研磨され、画質低
下を招くことがある。

【００４８】また、接触帯電部材としてファーブラシを
用いた場合、帯電キャリヤの減少がなく、メンテナンス
間隔を伸ばすことが可能だが、ファーブラシの毛状の帯
電ムラが発生する。この帯電ムラを解消するために、フ
ァーブラシを被帯電体に対して逆方向や高速度で回転さ
せる必要があるため、このようにすることにより画質の
向上は図れるものの、ファーブラシや被帯電体の寿命を
短くする結果となってしまう。

【００４９】そのため、ファーブラシの寿命を延ばす方
法として、例えば、特開昭５９−２２８６７５号公報に
は、ファーブラシの繊維中に磁性粉体を混入するととも
に、被帯電体中に磁石体を設けることにより、ファーブ
ラシのへたりを防止する技術を開示している。

【００５０】また、特開平５−２４１４２５号公報に
は、感光体の表面に付着したトナーや紙粉などを摺擦し
移動することにより、トナーや紙粉などの有無にかかわ
らず、安定な帯電状態を実現できる技術を開示してい
る。

【００５１】しかしながら、これらの方法を用いても、
画質を向上させるべくファーブラシを高速度で回転させ
るために、ファーブラシと被帯電体とは摩擦により摩耗
し、メンテナンスフリーの妨げとなっている。

【００５２】したがって、画像形成装置および電子写真
画像形成方法を設計する際には、画像形成装置用感光体
の電子写真物性、機械的耐久性など総合的な観点からの
改良を図ることが要求されていた。

【００５３】そこで、本発明は上記のような問題点を解
決するためになされたもので、接触帯電部材の回転速度
を速くすることなく、高画質の画像を得るようにし、接
触帯電部材の寿命を延ばすとともに、被帯電体の寿命を
延ばしてメンテナンスフリーを可能とするようにした帯
電装置および画像形成装置を提供することを目的とす
る。

【００５４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る請求項１記載の帯電装置によれば、
電圧が印加される接触帯電部材の帯電面を、被帯電体の
表面に接触させて帯電させるようにしたものであって、
前記接触帯電部材が、ベルト状の導電性ファーブラシに
よって形成されていることを特徴とする。

【００５５】請求項２記載の発明は、前記導電性ファー
ブラシが、ベルト状の可撓性シートに磁気ブラシ層を設
けて形成される。

【００５６】請求項３記載の発明は、前記導電性ファー
ブラシが、前記被帯電体の軸方向に沿って周回移動する
ように張設されている。

【００５７】請求項４記載の発明は、前記導電性ファー
ブラシが、前記被帯電体の周方向の一部に沿って周回移
動するように張設されている。

【００５８】請求項５記載の発明は、電圧が印加される
接触帯電部材の帯電面を、被帯電体の表面に接触させて
帯電させるようにしたものであって、前記接触帯電部材
が、ベルト状の導電性ファーブラシによって形成され、
かつ該導電性ファーブラシには、粉塵を除去するクリー
ニング手段を備えたことを特徴とする。

【００５９】請求項６記載の発明は、前記導電性ファー
ブラシが、可撓性シートをベルト状に張設し、該可撓性
シートに磁気ブラシ層を設けて形成される。

【００６０】請求項７記載の発明は、前記導電性ファー
ブラシが、前記被帯電体の軸方向に沿って周回移動する
ように張設されている。

【００６１】請求項８記載の発明は、前記導電性ファー
ブラシが、前記被帯電体の周方向の一部に沿って周回移
動するように張設されている。

【００６２】請求項９記載の発明の画像形成装置は、電
圧が印加される接触帯電部材を、被帯電体を帯電させる
ように接触させる帯電装置と、前記被帯電体に静電潜像
を形成する静電潜像形成手段と、前記被帯電体に形成さ
れた静電潜像を顕画像化する現像手段と、該現像手段に
よって前記被帯電体に形成されたトナー画像を記録媒体
に転写させる転写手段とを有するものであって、前記帯
電装置には、ベルト状の導電性ファーブラシによって形
成された接触帯電部材を設けたことを特徴とする。

【００６３】請求項１０記載の発明は、前記導電性ファ
ーブラシが、可撓性シートをベルト状に張設し、該可撓
性シートに磁気ブラシ層を設けて形成される。

【００６４】請求項１１記載の発明は、前記導電性ファ
ーブラシが、前記被帯電体の軸方向に沿って周回移動す
るように張設されている。

【００６５】請求項１２記載の発明は、前記導電性ファ
ーブラシが、前記被帯電体の周方向の一点で周回移動す
るように張設されている。

【００６６】請求項１３記載の発明は、請求項１ないし
請求項８のいずれか１記載の帯電装置と、該帯電装置に
よって帯電される被帯電体とを備え、該被帯電体が、導
電性支持体と、シリコン原子を母体として水素原子とハ
ロゲン原子のうちの少なくとも一方を含有する非単結晶
材料を有して光導電性を示す光導電層と、電荷を保持す
る機能を持つ表面層を有する光受容層と、を備え、前記
光導電層が、１０〜３０原子％の水素を含有し、少なく
とも光の入射する部分において、サブバンドギャップ光
吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギ
ーが５０〜６０ｍｅＶであり、かつ伝導帯端下における
局在状態密度が１×１０¹⁴cm^-3以上１×１０¹⁶cm^-3未満
であることを特徴とする。

【００６７】請求項１４記載の発明は、前記被帯電体
が、導電性支持体と、有機感光層、および電荷保持粒子
を含む表面層を有する電子写真感光体である。

【００６８】［作用］上記の構成に基づいて、接触帯電
部材を、被帯電体に沿って張設し、電圧が印加されるベ
ルト状の導電性ファーブラシによって形成する。そし
て、該導電性ファーブラシを用いて前記被帯電体を帯電
させることにより、前記接触帯電部材と前記被帯電体と
の接触幅が広げられる。すなわち、前記ベルト状の導電
性ファーブラシはロール状のファーブラシに対して２〜
３倍の接触幅とすることができる。これにより容易に高
画質の画像を得ることが可能となった。また、前記ベル
ト状の導電性ファーブラシは、ロール状のファーブラシ
に比べ、ニップが３〜５倍に広くすることができ、前記
被帯電体の周方向における密度が大きくなり、前記接触
帯電部材を高速回転させる必要がなく、ファーブラシの
寿命を延ばし、かつ被帯電体の寿命を飛躍的に延ばすこ
とが可能となる。

【００６９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００７０】［接触帯電部材］図１（ａ）は、本発明の
第１の実施の形態に係る帯電装置の接触帯電部材１００
の概略構成を示す斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ
部分を抽出して示す拡大正面図、同図（ｃ）は同図
（ｂ）のＢ部分を抽出して示す拡大正面図、同図（ｄ）
は、本発明の第２の実施の形態に係る帯電装置の接触帯
電部材１０６の概略構成を示す斜視図である。

【００７１】ベルト状の接触帯電部材１００は、図１
（ａ）に示すように被帯電体としてのドラム状の電子写
真感光体（以下「感光体ドラム」という）１０５の軸方
向に沿って配設されており、図１（ｂ）に示すように磁
気ブラシ層１０１と、この磁気ブラシ層１０１を植設さ
せるベルト状で、導電性のブラシ支持体（可撓性シー
ト）１０２と、このブラシ支持体１０２を張設させる導
電性の芯軸１０３とを備えている。そして、磁気ブラシ
層１０１とブラシ支持体１０２とによって、図１（ｃ）
に示すように導電性ファーブラシ１０４を形成する。こ
の場合、ブラシ支持体１０２と感光体ドラム１０５との
間隙は、不図示のスぺーサによって保持されている。

【００７２】また、接触帯電部材１０６は、図１（ｄ）
に示すように感光体ドラム１０５の周面に、円弧状に接
触するように感光体ドラム１０５の全長に沿って配設さ
れており、接触帯電部材１０６の構成は、図１（ａ）に
示す接触帯電部材１００と同おに磁気ブラシ層１０１
と、ブラシ支持体１０２と、ブラシ支持体１０２を張設
させる芯軸１０３とを備えている。なお、同図（ｄ）に
おけるＣ部分を抽出し拡大して示すと、図１（ｂ）に示
すようになる。

【００７３】感光体ドラム１０５とブラシ支持体１０２
との最近接間隙は、感光体ドラム１０５に対する接触帯
電部材１００の接触幅（以下「ニップ」という）を安定
に制御するため、コロやスぺーサなど適宜の方法で一定
の距離に安定的に設定される必要がある。この距離は５
０〜２０００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは１
００〜１０００μｍである。その他にニップ調整用にブ
レードなどの機構を設けてもよい。導電性ファーブラシ
１０４は、レーヨン、アクリルなどの有機系繊維中にカ
ーボンなどの導電性物質を混入し、抵抗値を調整したも
のや、カーボン繊維、金属繊維などの導電性材料の繊維
状のものを用いる。

【００７４】感光体ドラム１０５は、従来のものと同じ
ものでもよいが、本実施の形態の場合では、後述する新
規な感光体ドラム１０５を用いる。

【００７５】本発明では、上述のように導電性ファーブ
ラシ１０４を用いた接触帯電部材１００，１０６におい
て、ファーブラシ１０４をベルト状の可撓性シート１０
２に磁気ブラシ層１０１を植設して構成することで、磁
気ブラシ層１０１の接触幅（ニップ）を効率的に広げ、
ファーブラシ１０４を高速回転させずに、高画質な画像
を得られるようになった。

【００７６】すなわち、ブラシ支持体１０２と感光体ド
ラム１０５とのニップ部が狭い場合には、ファーブラシ
１０４の毛並み（太さ、単位面積あたりの本数、先端の
状態）がそのまま反映した毛並み模様が画像上に発生す
る。ところが、本発明のようにブラシ支持体１０２と感
光体ドラム１０５とのニップ部を積極的に広げた場合に
は、ファーブラシ１０４の毛並み模様が画像上に発生す
るといった現象を防止できる。しかし、接触帯電部材と
してファーブラシ１０４を用いずに、磁性キャリヤのみ
を使用した場合は、磁性キャリヤが減少し、メンテナン
スフリーの妨げとなる。

【００７７】また、本発明の帯電装置においては、ファ
ーブラシ１０４を高速回転させる必要がないため、摩擦
などによってファーブラシ１０４が摩耗してしまうこと
がなくなり、寿命を延ばすことができるとともに、感光
体ドラム１０５の寿命を飛躍的に延ばすことが可能とな
り、メンテナンスフリーが可能となった。

【００７８】また、図１（ｅ）は、本発明の第３の実施
の形態に係る帯電装置の概略構成を示す斜視図、同図
（ｆ）は図１（ｅ）のＤ部分を抽出して示す拡大正面図
で、帯電装置としては、図１（ｅ），（ｆ）に示すよう
にファーブラシ１０４に付着するトナーや紙粉１０９を
除去するクリーニング手段としてのクリーニング装置１
０７をファーブラシ１０４に組合せたものである。な
お、図１（ｅ），（ｆ）に示すクリーニング装置１０７
は、図１（ａ）に示す接触帯電部材１００に装着したも
のであるが、図１（ｄ）に示す接触帯電部材１０６にも
同様に装着させることができる。クリーニング装置１０
７は、ファーブラシ１０４に付着したトナーや紙粉１０
９が絶縁性のブレード１０８によって掻き取られ、次い
でエアの吸い込みによって完全に除去される構成となっ
ている。すなわち、本発明のファーブラシ１０４におい
ては、磁気ブラシ、ローラ状のファーブラシに比べ、図
１（ｅ）に示すように、クリーニング装置１０７が容易
に取り付けられる。

【００７９】また、このクリーニング装置１０７の併用
によって、接触帯電部材１００，１０６および感光体ド
ラム１０５の一層の高耐久性を実現し、メンテナンスフ
リーを実現できる。

【００８０】本実施の形態で説明したように、接触帯電
装置１００，１０６を単独で用いることにより、また接
触帯電部材１００，１０６にクリーニング装置１０７を
組合せて用いることにより、接触帯電部材１００，１０
６および感光体ドラム１０５の高耐久性を引き出すこと
が可能となる。

【００８１】図１０（ａ），（ｂ）にその一例に示す。
１００１は、矢印Ｒ１方向の時計回りに所定の周速度
（プロセススピード）にて回転駆動されるドラム型の電
子写真感光体（感光体ドラム）である。

【００８２】この感光体ドラム１００１の表面層は、そ
の電荷保持能、帯電効率などの電気的特性を良好にする
ために、また電圧により表面層が損傷する、いわゆるピ
ンホールリークを防止するために、その抵抗値を１×１
０¹⁰〜５×１０¹⁵Ωcmとすることが好ましい。より好ま
しくは１×１０¹²〜１×１０¹⁴Ωcmである。この場合の
抵抗値の測定は、ＨＩＯＫＩ社（メーカー）製のＭΩテ
スターで２５０Ｖ〜１０００Ｖの印加電圧における測定
にて行った。

【００８３】接触帯電部材１００２−ａ，１００２−ｂ
の磁気ブラシ層１００２−１の抵抗値は、良好な帯電効
率を保持するためと、ピンホールを防止するためにＨＩ
ＯＫＩ社（メーカー）製のＭΩテスターで２５０Ｖ〜１
０００Ｖの印加電圧における測定にて、１×１０³ 〜１
×１０¹²Ωcmとなる抵抗を有することが好ましい。より
好ましくは１×１０⁴ 〜１×１０⁸ Ωcmである。

【００８４】感光体ドラム１００１と接触帯電部材１０
０２−ａまたは１００２−ｂのブラシ支持体との最近接
間隙は、そのニップ制御のために５０〜２０００μｍの
範囲にスペーサ（不図示）などで安定的に設定されるこ
とが好ましく、より好ましくは１００〜１０００μｍで
ある。また、最近接間隙を安定的に設定するために、そ
の他にニップ調整用のブレードなどの機構を設けてもよ
い。

【００８５】１００３は接触帯電部材１００２−ａに対
して電圧を印加する電源であり、この電源１００３によ
り直流電圧Ｖdcが接触帯電部材１００２−ａの磁気ブラ
シ層１００２−１に印加されて、回転駆動されている感
光体ドラム１００１の外周面が均一に帯電される。

【００８６】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビームプリンタ光１００５が走査されることによ
って感光体ドラム１００１上に静電潜像が形成される。
この静電潜像は、現像剤が塗布された現像スリーブ１０
０６によって顕画像化された後、転写材１００７上に転
写ローラ１００８を介して転写される。転写材１００７
にトナー画像を転写した後の、感光体ドラム１００１に
残留している転写残留トナーは、クリーニングブレード
１００９によって感光体ドラム１００１上から除去され
るとともに、転写材１００７は、転写トナー画像が不図
示の定着装置によって定着された後、装置本体外に出力
される。

【００８７】［感光体］ ［有機光導電体（ＯＰＣ）］電子写真感光体の光導電材
料として、近年、種々の有機光導電材料の開発が進み、
特に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した機能分離型感
光体は既に実用化され、複写機やレーザビームプリンタ
などの画像形成装置に搭載されている。

【００８８】以下、本発明の接触帯電部材によって帯電
される好適な感光体の一形態であるＯＰＣ感光体につい
て述べる。図１１（ｅ）は、画像形成装置用ＯＰＣ感光
体の層構成を説明するための模式的構成図である。

【００８９】同図に示すドラム状の画像形成装置用ＯＰ
Ｃ感光体（以下適宜単に「ＯＰＣ感光体」という）１１
００は、感光体用としての円筒状支持体（以下適宜単に
「支持体」という）１１０１の上に、感光層１１０２が
設けられている。この感光層１１０２は光導電層１１０
３（電荷発生層１１０６および電荷輸送層１１０７）を
有し、必要に応じて、保護層あるいは表面層１１０４、
および支持体１１０１と電荷発生層１１０６との間に中
間層を設けて構成されている。

【００９０】本発明に用いられるＯＰＣ感光体１１０
０、すなわち表面層１１０４、光導電層１１０３、必要
に応じて設けられる中間層のうち、特にその表面層１１
０４は、接触帯電部材１００からの電荷注入を効率的に
受容し、電荷を有効に保持することが必要である。本出
願人らは、高融点ポリエステル樹脂と硬化樹脂とを混成
させた材料、特に表面層１１０４では、高融点ポリエス
テル樹脂と硬化樹脂との混成材にＳｎＯ₂ など金属酸化
物などの電荷保持粒子を分散させた材料がそれぞれの樹
脂成分の特性を相乗的に作用させあい、こうした条件を
満足することを見出した。

【００９１】上述の電子写真感光体としての画像形成装
置用ＯＰＣ感光体１１００の表面層１１０４、光導電層
１１０３（電荷輸送層１１０６および電荷発生層１１０
７）の形成に用いる樹脂成分について説明する。

【００９２】ポリエステルとは酸成分とアルコール成分
との結合ポリマーであり、ジカルボン酸とグリコールと
の縮合あるいはヒドロキシ安息香酸のヒドロキシ基とカ
ルボキシ基とを有する化合物の縮合によって得られる重
合体である。

【００９３】酸成分としてテレフタル酸、イソフタル
酸、ナフタレンジカルボン酸などの芳香族ジカルボン
酸、コハク酸、アジピン酸、セバチン酸などの脂肪族ジ
カルボン酸、ヘキサヒドロテレフタル酸などの脂環族ジ
カルボン酸、ヒドロキシエトキシ安息香酸などのオキシ
カルボン酸などを用いることができる。

【００９４】グリコール成分としては、エチレングリコ
ール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール、シクロヘキサンジメ
チロール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレング
リコールなどを使用することができる。

【００９５】なお、前記ポリエステル樹脂が実質的に線
状である範囲でペンタエリスリトール、ロリメチルプロ
パン、ピロメリット酸およびこれらのエステル形成誘導
体などの多官能化合物を共重合させてもよい。

【００９６】ポリエステル樹脂としては、高融点ポリエ
ステル樹脂を用いる。

【００９７】高融点ポリエステル樹脂としては、オルソ
クロロフェノール中３６℃で測定した極限粘度が０．４
ｄｌ／ｇ以上、好ましくは０．５ｄｌ／ｇ以上、さらに
好ましくは０．６５ｄｌ／ｇ以上のものが用いられる。

【００９８】好ましい高融点ポリエステル樹脂として
は、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂があげられ
る。ポリアルキレンテレフタレート系樹脂は酸成分とし
て、テレフタール酸、グリコール成分として、アルキレ
ングリコールから主としてなるものである。

【００９９】その具体例としては、テレフタル酸成分と
エチレングリコール成分とから主としてなるポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、テレフタル酸成分と１、
４−テトラメチレングリコール（１、４−ブチレングリ
コール）成分とから主としてなるポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ）、テレフタル酸成分とシクロヘキサン
ジメチロール成分とから主としてなるポリシクロヘキシ
ルジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）などをあげるこ
とができる。他の好ましい高分子量ポリエステル樹脂と
しては、ポリアルキレンナフタレート系樹脂を例示でき
る。ポリアルキレンナフタレート系樹脂は酸成分として
ナフタレンジカルボン酸成分とグリコール成分としてア
ルキレングリコール成分とから主としてなるものであっ
て、その具体例としては、ナフタレンジカルボン酸成分
とエチレングリコール成分とから主としてなるポリエチ
レンナフタレート（ＰＥＮ）などをあげることができ
る。

【０１００】高融点ポリエステル樹脂としては、その融
点が好ましくは１６０℃以上、特に好ましくは２００℃
以上のものである。

【０１０１】ポリエステル樹脂の他に、アクリル樹脂を
使用してもよい。

【０１０２】また、バインダとしては２官能アクリル、
６官能アクリル、ホスファゼンなどが使用される。

【０１０３】これらの樹脂は、比較的結晶性が高く、硬
化樹脂ポリマー鎖と高融点ポリマー鎖との相互の絡み合
いが均一かつ密になって、高耐久性の表面層を形成でき
るものと考えられる。低融点ポリエステル樹脂などの場
合には、結晶性が低いので、硬化樹脂ポリマー鎖との絡
み合いの程度が大きいところと小さいところが生じ、耐
久性が劣るものと考えられる。

【０１０４】表面層１１０４には、ＳｎＯ₂ などの電荷
保持材を分散させたものを用いた。使用条件などにより
適宜に選択された分散量を用い、抵抗値、帯電効率を制
御することが好ましい。 ［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）］次に、
本発明の接触帯電部材によって帯電される好適な感光体
の一形態であるアモルファスシリコン感光体について述
べる。

【０１０５】画像形成装置用感光体は、導電性支持体
と、シリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光
導電層を有する感光層とから構成され、光導電層は１０
〜３０原子％の水素を含み、光吸収スペクトルの指数関
数裾（アーバックテイル）の特性エネルギーが５０〜６
０ｍｅＶであって、かつ局在状態密度が１×１０¹⁴〜１
×１０¹⁶cm^-3であることを特徴としている。

【０１０６】上述したような構成をとるように設計され
た画像形成装置用感光体は、前記した諸問題点のすべて
を解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、画像品質、耐久性および使用環境特性を示す。

【０１０７】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
などの構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これら
の準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き、素
子の特性を低下させる原因になることが知られている。

【０１０８】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、一定光電流法などが
用いられている。なかでも一定光電流法［Ｃｏｎｓｔａ
ｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ：以下
「ＣＰＭ」という］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づ
くサブギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法
として有用である。

【０１０９】本出願人らは、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギー（以下「Ｅｕ］という）や
局在状態密度（以下「ＤＯＳ」という）と感光体特性と
の相関を種々の条件に渡って調べた結果、ＥｕおよびＤ
ＯＳがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモリと密接な関
係にあることを見出し、本発明を完成するに至った。

【０１１０】ドラムヒータなどで感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリヤ
（以下「熱励起キャリヤ」という）が帯電時の電界に引
かれてバンド裾の局在準位やバンドギャップ内の深い局
在準位への捕獲、放出を繰り返しながら表面に走行し、
表面電荷を打ち消してしまうことがあげられる。この
時、帯電器を通過する間に表面に到達する熱励起キャリ
ヤについては帯電能の低下にはほとんど影響がないが、
深い準位に捕獲された熱励起キャリヤは、帯電器を通過
した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温度
特性として観測される。また、帯電器を通過した後に熱
励起された熱励起キャリヤも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領
域における熱励起キャリヤの生成を抑え、なおかつ熱励
起キャリヤの走行性を向上させることが温度特性の向上
のために必要である。

【０１１１】さらに、光メモリはブランク露光や像露光
によって生じた光キャリヤがバンドギャップ内の局在準
位に捕獲され、光導電層内に光キャリヤが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写工程において生じ
た光キャリヤのうち光導電層内に残留した光キャリヤ
が、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電
界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が他
の部分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じ
る。したがって、光キャリヤが光導電層内に残留するこ
となく、１回の複写工程で走行するように、光キャリヤ
の走行性を改善しなければならない。

【０１１２】したがって、Ｅｕおよび特定のエネルギー
範囲のＤＯＳを制御することにより、熱励起キャリヤの
生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリヤや光キャリヤ
が局在準位に捕獲される割合を小さくすることができる
ために上記キャリヤ（以下「電荷キャリヤ」という）の
走行性が著しく改善される。その結果、感光体の使用温
度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモ
リの発生を抑制することができるために、感光体の使用
環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出
てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることが
できる。

【０１１３】以下、図面に基づいて光導電部材について
詳細に説明する。

【０１１４】図１１（ａ）は、画像形成装置用アモルフ
ァスシリコン感光体の層構成を説明するための模式的構
成図である。図１１（ａ）に示す画像形成装置用アモル
ファスシリコン感光体１１００は、感光体用としての導
電性支持体（支持体）１１０１の上に、感光層１１０２
が設けられている。この感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ
またはａ−Ｓｉ：Ｘからなり光導電性を有する光導電層
１１０３で構成されている。

【０１１５】図１１（ｂ）は、ドラム状の画像形成装置
用アモルファスシリコン感光体（以下適宜単に「感光
体」という）１１００の他の層構成を説明するための模
式的構成図である。図１１（ｂ）に示す画像形成装置用
アモルファスシリコン感光体１１００は、感光体用とし
ての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が設けられ
ている。この感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈまたはａ−
Ｓｉ：Ｘからなり光導電性を有する光導電層１１０３
と、アモルファスシリコン系の表面層１１０４とから構
成されている。

【０１１６】図１１（ｃ）は、本発明の画像形成装置用
アモルファスシリコン感光体の他の層構成を説明するた
めの模式的構成図である。図１１（ｃ）に示す画像形成
装置用アモルファスシリコン感光体１１００は、感光体
用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が設
けられている。この感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈまた
はａ−Ｓｉ：Ｘからなり光導電性を有する光導電層１１
０３と、アモルファスシリコン系の表面層１１０４と、
アモルファスシリコン系の電荷注入阻止層１１０５とか
ら構成されている。

【０１１７】図１１（ｄ）は、本発明の画像形成装置用
アモルファスシリコン感光体のさらに他の層構成を説明
するための模式的構成図である。図１１（ｄ）に示す画
像形成装置用アモルファスシリコン感光体１１００は、
感光体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０
２が設けられている。この感光層１１０２は光導電層１
１０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈまたはａ−Ｓｉ：Ｘから
なる電荷発生層１１０６および電荷輸送層１１０７と、
アモルファスシリコン系の表面層１１０４とから構成さ
れている。

【０１１８】［支持体］上述の感光体１１００に使用さ
れる支持体１１０１としては、導電性でも電気絶縁性で
あってもよい。導電性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｆｅなどの金属、およびこられの合金、例えばステンレ
スなどがあげられる。また、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド
などの合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラ
ミックなどの電気絶縁性支持体の少なくとも感光層を形
成する側の表面を導電処理した支持体も用いることがで
きる。

【０１１９】支持体１１０１の形状は平滑表面あるいは
凹凸表面の円筒状または板状無端ベルト状であることが
でき、その厚さは、所望通りの画像形成装置用感光体１
１００を形成し得るように適宜決定するが、画像形成装
置用感光体１１００としての可撓性が要求される場合に
は、支持体１１０１としての機能が充分発揮できる範囲
内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、
支持体１１０１は製造上および取り扱い上、機械的強度
などの点から通常は１０μｍ以上とされる。

【０１２０】特に、レーザ光などの可干渉性光を用いて
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
るために、帯電キャリヤの減少が実質的にない範囲で支
持体１１０１の表面に凹凸を設けてもよい。支持体１１
０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１
５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２
２５８５４号公報などに記載された公知の方法により作
製される。

【０１２１】また、レーザ光などの可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
別の方法としては、帯電キャリヤの減少が実質的にない
範囲で支持体１１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによ
る凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持体１１０１
の表面が画像形成装置用感光体１１００に要求される解
像力よりも微少な凹凸を有し、しかもこの凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。支持体１１０１の表
面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開
昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知の方法に
より作製される。

【０１２２】また、レーザ光などの可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
さらに別の方法としては、感光層１１０２内、あるいは
感光層１１０２の下側に光吸収層などの干渉防止層ある
いは領域を設けてもよい。

【０１２３】［光導電層］支持体１１０１上、必要に応
じて下引き層（不図示）上に形成され、感光層１１０２
の一部を構成する光導電層１１０３は真空堆積膜形成方
法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメ
ータの数値条件が設定されて作製される。具体的には、
例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法
またはマイクロ波ＣＶＤ法などの交流放電ＣＶＤ法、あ
るいは直流放電ＣＶＤ法など）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することが
できる。こられの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投
資下の負荷程度、製造規模、作製される画像形成装置用
感光体に所望される特性などの要因によって適宜選択さ
れて採用されるが、所望の特性を有する画像形成装置用
感光体を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易
であることからしてグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶ
ＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適
である。

【０１２４】グロー放電法によって光導電層１１０３を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給
し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給
し得るＨ供給用の原料ガスおよび／またはハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、この
反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の
位置に設置されている所定の支持体１１０１上にａ−Ｓ
ｉ、：Ｈ、ａ−Ｓｉ、：Ｘからなる光導電層１１０３を
形成すればよい。

【０１２５】また、光導電層１１０３中に水素原子およ
び／またはハロゲン原子が含有されることが必要である
が、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の
向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させるた
めに必須不可欠であるからである。よって、水素原子ま
たはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロゲン
原子との和の量はシリコン原子と水素原子および／また
はハロゲン原子との和に対して１０〜３０原子％、より
好ましくは１５〜２５原子％とされるのが望ましい。

【０１２６】Ｓｉ供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀などの
ガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン
類）が有効に使用されるものとしてあげられ、さらに光
導電層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さなど
の点でＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものとしてあげ
られる。

【０１２７】そして、形成される光導電層１１０３中に
水素原子を構造的に導入し、水素原の導入割合の制御を
一層容易になるように図り、これらのガスにさらにＨ₂
および／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物
のガスも所望量混合して層形成することが必要である。
また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合しても差し支えないものである。

【０１２８】また、ハロゲン原子供給用の原料ガスとし
て有効なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハ
ロゲンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体などのガス状の、またはガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましくあげられる。また、シリコン原子
とハロゲン原子とを構成要素とするガス状の、またはガ
ス化し得るハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効
なものとしてあげることができる。この場合において、
好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的にフ
ッ素ガス（Ｆ₂ ）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ
₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₇ などのハロゲン間化合物をあげる
ことができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆ
るハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具
体的には、例えばＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ などのフッ化珪
素が好ましいものとしてあげることができる。

【０１２９】光導電層１１０３に含有される水素原子お
よび／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体１１０１の温度、水素原子および／またはハロゲ
ン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容
器内へ導入する量、放電電力などを制御すればよい。

【０１３０】光導電層１１０３には必要に応じて伝導性
を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を
制御する原子は、光導電層１１０３中に万遍なく均一に
分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向
には不均一な分布状態で含有されている部分があっても
よい。

【０１３１】上述の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物をあげることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表III ｂ族に属する原
子（以下「第III ｂ族原子」という）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以下「第Ｖｂ
族原子」という）を用いることができる。

【０１３２】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）などがあり、特
にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子として
は、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン
（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）などがあり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。

【０１３３】光導電層１１０３に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜
１×１０⁴ 原子ppm 、より好ましくは５×１０^-2〜５×
１０³ 原子ppm 、最適には１×１０^-1〜１×１０³ 原子
ppm とされるのが望ましい。

【０１３４】伝導性を制御する原子、例えば、第III ｂ
族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、
層形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖｂ原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、光導電層１１０３を形成するための他のガスととも
に導入してやればよい。第III ｂ族原子導入用の原料物
質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るも
のとしては、常温常圧でガス状の、または少なくとも層
形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが
望ましい。

【０１３５】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ
₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ
₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄などの水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣ₁₃、ＢＢ
ｒ₃ などのハロゲン化硼素などがあげられる。この他
に、ＡｌＣｌ₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、Ｉｎ
Ｃｌ₃ 、ＴｌＣｌ₃ などもあげることができる。

【０１３６】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ₃ 、Ｐ₂
Ｈ₄ などの水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ などのハ
ロゲン化燐があげられる。この他に、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ
₃ 、ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、Ｓ
ｂＦ₃ 、ＳｂＦ₃ 、ＡｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ
₃ 、ＢｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃ なども第Ｖｂ族原子導入用
の出発物質の有効なものとしてあげることができる。

【０１３７】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂ および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。

【０１３８】さらに、光導電層１１０３に炭素原子およ
び／または酸素原子および／または窒素原子を含有させ
ることも有効である。炭素原子および／または酸素原子
および／または窒素原子の含有量はシリコン原子、炭素
原子、酸素原子および窒素原子の和に対して好ましくは
１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１０^-4〜
８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ましい。
炭素原子および／または酸素原子および／または窒素原
子は、光導電層１１０３中に万遍なく均一に含有されて
もよいし、光導電層１１０３の層厚方向に含有量が変化
するような不均一な分布を持たせた部分があってもよ
い。

【０１３９】光導電層１１０３の層厚は所望の電子写真
特性が得られること、および経済的効果などの点から適
宜所望に従って決定され、好ましくは２０〜５０μｍ、
より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μ
ｍとされるのが望ましい。

【０１４０】所望の膜特性を有する光導電層１１０３を
形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合
比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度
を適宜設定することが必要である。

【０１４１】希釈ガスとして使用するＨ₂ および／また
はＨｅの流量は、層設計に従って適宜最適範囲が選択さ
れるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ および／またはＨｅ
を、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５倍、最
適には５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１４２】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０^-4
〜１０Torr、好ましくは５×１０^-4〜５Torr、最適には
１×１０^-3〜１Torrとするのが好ましい。

【０１４３】放電電力もまた同様に層設計に従って適宜
最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対
する放電電力を、通常の場合２〜７倍、好ましくは２．
５〜６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定することが望
ましい。

【０１４４】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望まし
い。

【０１４５】光導電層を形成するための支持体温度、ガ
ス圧の望ましい数値範囲として前述した範囲があげられ
るが、条件は通常は独立的に別々に決められるものでは
なく、所望の特性を有する感光体を形成すべく相互的か
つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【０１４６】［電荷注入阻止層］画像形成装置用感光体
においては、導電性支持体１１０１と光導電層１１０３
との間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する
働きのある電荷注入阻止層１１０５を設けるのが一層効
果的である。すなわち、電荷注入阻止層１１０５は感光
層１１０２が一定極性の帯電処理をその自由表面１１０
４ａに受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入
されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を
受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる
極性依存性を有している。そのような機能を付与するた
めに、電荷注入阻止層１１０５には伝導性を制御する原
子を光導電層１１０３に比べ比較的多く含有させる。

【０１４７】電荷注入素子層１１０５に含有される伝導
性を制御する原子は、層中に万遍なく均一に分布されて
もよいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されては
いるが、不均一に分布する状態で含有している部分があ
ってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に
多く分布するように含有されるのが好適である。

【０１４８】しかしながら、いずれの場合にも支持体１
１０１の表面と平行面内方向においては、均一な分布で
万遍なく含有されることが面内方向における特性の均一
化をはかる点からも必要である。

【０１４９】電荷注入阻止層１１０５に含有される伝導
性を制御する原子としては、半導体分野における、いわ
ゆる不純物をあげることができ、ｐ型伝導特性を与える
周期律表III 族に属する原子（以下「第III 族原子」と
いう）またはｎ型伝導特性を与える周期律表Ｖ族に属す
る原子（以下「第Ｖ族原子」という）を用いることがで
きる。

【０１５０】第III 族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔａ）などがあり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）などがあり、特にＰ、Ａｓが好
適である。

【０１５１】電荷注入阻止層１１０５中に含有されてる
伝導性を制御する原子の含有量としては、極性依存性を
効果的に達成できるように所望に従って適宜決定される
が、好ましくは１０〜１×１０⁴ 原子ppm 、より好適に
は５０〜５×１０³ 原子ppm、最適には１×１０² 〜１
×１０³ 原子ppm とされるのが望ましい。

【０１５２】さらに、電荷注入阻止層１１０５には、炭
素原子、窒素原子および酸素原子の少なくとも一種を含
有させることによって、電荷注入阻止層１１０５に直接
接触して設けられる他の層との間の密着性の向上をより
一層図ることができる。

【０１５３】電荷注入素子層１１０５に含有される炭素
原子または窒素原子または酸素原子は層中に万遍なく均
一に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万遍な
く含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有し
ている部分があってもよい。しかしながら、いずれの場
合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な
分布で万遍なく含有されることが面内方向における特性
の均一化をはかる点からも必要である。

【０１５４】電荷注入阻止層１１０５の全層領域に含有
される炭素原子および／または窒素原子および／または
酸素原子の含有量は、極性依存性を効果的に達成される
ように適宜決定されるが、一種の場合はその量として、
二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×１０
^-3〜５０原子％、より好適には５×１０^-3〜３０原子
％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とされるのが望ま
しい。

【０１５５】また、電荷注入阻止層１１０５に含有され
る水素原子および／またはハロゲン原子は層内に存在す
る未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注
入阻止層１１０５中の水素原子またはハロゲン原子ある
いは水素原子とハロゲン原子との和の含有量は、好適に
は１〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適
には１０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１５６】電荷注入阻止層１１０５の層厚は所望の電
子写真特性が得られること、および経済的効果などの点
から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３
〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが望まし
い。

【０１５７】電荷注入阻止層１１０５を形成するには、
前述の光導電層１１０３を形成する方法と同様の真空堆
積法が採用される。

【０１５８】極性依存性の目的を達し得る特性を有する
電荷注入阻止層１１０５を形成するには、光導電層１１
０３と同様にＳｉ供給用ガスと希釈ガスとの混合比、反
応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１１０１の
温度を適宜設定することが必要である。

【０１５９】希釈ガスであるＨ₂ および／またはＨｅの
流量は、層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、
Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ および／またはＨｅを、通常
の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５
〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１６０】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０^-4
〜１０Torr、好ましくは５×１０^-4〜５Torr、最適には
１×１０^-3〜１Torrとするのが好ましい。

【０１６１】放電電力もまた同様に層設計に従って適宜
最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスの流量に対す
る放電電力を、通常の場合１〜７倍、好ましくは２〜６
倍、最適には３〜５倍の範囲に設定することが望まし
い。

【０１６２】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【０１６３】電荷注入阻止層１１０５を形成するための
希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持体温度の望
ましい数値範囲としては前述した範囲があげられるが、
こられの層作成ファクターは通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する表面層１１０
４を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層
作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【０１６４】このほかに、画像形成装置用感光体におい
ては、感光層１１０２の支持体１１０１側に、少なくと
もアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子および／
またはハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含
有する層領域を有することが望ましい。

【０１６５】また、画像形成装置用感光体においては、
支持体１１０１と光導電層１１０３あるいは電荷注入阻
止層１１０５との間の密着性の一層の向上を図る目的
で、例えば、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、あるいは
シリコン原子を母体とし、水素原子および／またはハロ
ゲン原子と、炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子とを含む非晶質材料などで構成される密
着層を設けてもよい。さらに、前述のごとく、支持体１
１０１からの反射光による干渉模様の発生を防止するた
めの光吸収層を設けてもよい。

【０１６６】次に、感光層１１０２を形成するための装
置および膜形成方法について詳述する。

【０１６７】図２は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」とい
う）による画像形成装置用感光体の製造装置の一例を示
す模式的な構成図である。図２に示す製造装置の構成は
以下のとおりである。

【０１６８】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガス供給装置２２００、および反応容器２１１
１内を減圧にするための排気装置（不図示）から構成さ
れている。堆積装置２１００中の反応容器２１１１内に
は円筒状支持体２１１２、支持体加熱用ヒータ２１１
３、原料ガス導入管２１１４が設置され、さらに高周波
マッチングボックス２１１５が接続されている。

【０１６９】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、ＢＨ₆ 、ＰＨ₃ などの原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６および
マスフローコントローラ２２１１〜２２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベ２２２１〜２２２６は補助バル
ブ２２６０を介して反応容器２１１１内の原料ガス導入
管２１１４に接続されている。

【０１７０】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。

【０１７１】まず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒータ２１１３により円筒状支持体２１１２
の温度を２００〜３５０℃の所定の温度に制御する。

【０１７２】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベ２２２１〜２２２６の
バルブ２２３１〜２２３７、反応容器２１１１のリーク
バルブ２１１７が閉じられていることを確認し、また流
入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２
２５６、補助バルブ２２６０が開かれていることを確認
して、まずメインバルブ２１１８を開いて反応容器２１
１１およびガス配管２１１６内を排気する。

【０１７３】次に、真空計２１１９の読みが約５×１０
^-6Torrになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ
２２５１〜２２５６を閉じる。

【０１７４】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２kg／
cm²に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４６
を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ２２
１１〜２２１６内に導入する。

【０１７５】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０１７６】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６から所定のガスを原料ガス導入
管２１１４を介して反応容器２１１１内に導入する。次
に、マスフローコントローラ２２１１〜２２１６によっ
て各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その
際、反応容器２１１１内の圧力が１Torr以下の所定の圧
力になるように真空計２１１９を見ながらメインバルブ
２２１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、
周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の
電力に設定して、高周波マッチンブボックス２１１５を
通じて反応容器２１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー
放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容
器２１１１内に導入された原料ガスが分解され、円筒状
支持体２１１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積
膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行わ
れた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反
応容器２１１１へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を
終える。

【０１７７】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層１１０２が形成される。

【０１７８】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることはいうま
でもなく、またそれぞれのガスが反応容器２１１１内、
流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１１１に
至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ
２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を開
き、さらにメインバルブ２１１８を全開して系内を一
旦、高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【０１７９】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行っている間は、支持体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。

【０１８０】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作成条件に従って変更が加えられることはい
うまでもない。

【０１８１】次に、電源にＶＨＦ帯の周波数を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以下「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」とい
う）による画像形成装置用感光体の製造方法について説
明する。

【０１８２】図２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置２１００を図３に示す堆積装置３
１００に交換して原料ガス供給装置２２００と接続する
ことにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による以下の構成の画
像形成装置用感光体の製造装置を得ることができる。な
お、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法の原料ガス供給装置２２００
は、図２のものと同じであるので、これについては図２
を参照して説明する。

【０１８３】この装置は大別すると、真空気密化構造
の、減圧し得る反応容器３１１１、原料ガス供給装置２
２００、および反応容器３１１１内を減圧にするための
排気装置（不図示）から構成されている。反応容器３１
１１内には円筒状支持体３１１２、支持体加熱用ヒータ
３１１３、原料ガス導入管３１１４、電極３１１５が設
置され、電極３１１５にはさらに高周波マッチングボッ
クス３１２０が接続されている。また、反応容器３１１
１内は排気管３１２１を通じて不図示の拡散ポンプに接
続されている。

【０１８４】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ などの原料
ガスのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２
２３６、流入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２
２５１〜２２５６およびマスフローコントローラ２２１
１〜２２１６から構成され、各原料ガスのボンベは補助
バルブ２２６０を介して反応容器３１１１内の原料ガス
導入管３１１４に接続されている。また、円筒状支持体
３１１２によって取り囲まれた空間３１３０が放電空間
を形成している。

【０１８５】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行うことができる。

【０１８６】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、駆動装置３１２０によって円筒状支
持体３１１２を回転させ、不図示の排気装置（例えば真
空ポンプ）により反応容器３１１１内を排気管３１２１
を介して排気し、反応容器３１１１内の圧力を１×１０
^-7Torr以下に調整する。つづいて、支持体加熱用ヒータ
３１１３により円筒状支持体３１１２の温度を２００〜
３５０℃の所定の温度に加熱保持する。

【０１８７】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器３１１１のリークバルブ（不図示）が
閉じられていることを確認し、また流入バルブ２２４１
〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バル
ブ２２６０が開かれていることを確認して、まずメイン
バルブ（不図示）を開いて反応容器３１１１およびガス
配管（不図示）内のガスを排気する。

【０１８８】次に、真空計（不図示）の読みが約５×１
０^-6Torrになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０１８９】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２kg／
ｃｍ² に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ２
２１１〜２２１６内に導入する。

【０１９０】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１２上に各層の
形成を行う。

【０１９１】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６から所定のガスを原料ガス導入
管３１１４を介して反応容器３１１１内の放電空間３１
３０に導入する。次に、マスフローコントローラ２２１
１〜２２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよ
うに調整する。その際、放電空間３１３０内の圧力が１
Torr以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を
見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。

【０１９２】圧力が安定したところで、周波数５００Ｍ
ＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、
マッチングボックス３１２０を通じて放電空間３１３０
にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。かく
して円筒状支持体３１１２により取り囲まれた放電空間
３１３０において、導入された原料ガスは、放電エネル
ギーにより励起されて解離し、円筒状支持体３１１２上
に所定の堆積膜が形成される。この時、円筒状支持体３
１１２を、層形成の均一化を図るため支持体回転用モー
タ３１２０によって、所望の回転速度で回転させる。

【０１９３】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じ
て反応容器３１１１へのガスの流入を止め、堆積膜の形
成を終える。

【０１９４】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。

【０１９５】それぞれの層を形成する際には、必要なガ
ス以外の流出バルブ２２５１〜２２５６はすべて閉じら
れていることはいうまでもなく、またそれぞれのガスが
反応容器３１１１内や、流出バルブ２２５１〜２２５６
から反応容器３１１１に至る配管内に残留することを避
けるために、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補
助バルブ２２６０を開き、さらにメインバルブ（不図
示）を全開にして系内を一旦、高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。

【０１９６】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作製条件に従って変更が加えられることはいうまでも
ない。

【０１９７】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００〜３５０℃、好ましくは２３
０〜３３０℃、より好ましくは２５０〜３００℃が好ま
しい。

【０１９８】円筒状支持体３１１２の加熱方法は、真空
仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシート
状ヒータの巻き付けヒータ、板状ヒータ、セラミックヒ
ータなどの電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ラ
ンプなどの熱放射ランプ発熱体、液体、気体などを温媒
とし熱交換手段による発熱体などがあげられる。加熱手
段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウ
ム、銅などの金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂
などを使用することができる。

【０１９９】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送するなどの方法が用いられる。

【０２００】また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において、
放電空間の圧力として、好ましくは１〜５００ｍTorr、
より好ましくは３〜３００ｍTorr、最も好ましくは５〜
１００ｍTorrに設定することが望ましい。

【０２０１】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において、放電空間３
１３０に設けられる電極３１１５の大きさおよび形状
は、放電を乱さないならばいずれのものでもよいが、実
用上は直径１〜１００mmの円筒状が好ましい。この時、
電極３１１５の長さも、円筒状支持体３１１２に電界が
均一にかかる長さであれば任意に設定できる。

【０２０２】電極３１１５の材質としては、表面が導電
性となるものならばいずれのものでもよく、例えば、ス
テンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅなどの金属、こられの
合金または表面を導電処理したガラス、セラミックス、
プラスチックなどが通常使用される。

【０２０３】以下、具体的な数値をあげてさらに実験例
および実施例について詳述する。なお、本発明はこれら
の実施例に限定されるものではない。 〈実験例１〉図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形
成装置用感光体の製造装置を用い、直径１０８mmの鏡面
加工を施したアルミニウムシリンダ（支持体）上に、図
１４に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層か
らなる感光体を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ₄ と
Ｈ₂ との混合比ならびに放電電力を変えることによっ
て、種々の感光体を作製した。

【０２０４】作製した感光体を画像形成装置（キヤノン
製ＮＰ６０６０をテスト用に改造）にセットして、画像
およびキャリヤの減少を評価した。

【０２０５】また、画像については、画像上で、かぶ
り、スジ、ハーフトーン濃度ムラを総合的に判断した。

【０２０６】一方、円筒形のサンプルホルダに設置した
ガラス基板（コーニング社、７０５９）ならびにＳｉウ
エハー上に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−
Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの櫛
型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネル
ギ（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）とを測定し、Ｓｉ
ウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素量を測定
した。

【０２０７】このときのＥｕと温度特性との関係を図４
に、ＤＯＳとメモリ、画像流れとの関係を図５，図６に
示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３０原子
％の間であった。

【０２０８】図４，図５ならびに図６から明らかなよう
に、Ｅｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、ＤＯＳ＝１×１０¹⁴〜１
×１０¹⁶cm^-3の範囲にすることが良好な電子写真特性を
得るために必要であることがわかった。また、同様に表
面層のサンプルを作製し、櫛型電極を用いて抵抗値の測
定を行った。

【０２０９】つづいて、接触帯電部材を以下の条件で製
作した。 ファーブラシは、幅３３mmのシート状にしたものを図
１（ａ）に示す構成にした。磁気ブラシ層は、直径２０
μｍ、長さ４mmのファーブラシを密度約１５０，０００
本／inch² のものを使用した。これらからなる帯電装置
をφ１０８の被帯電体（感光体）に当接させてニップ幅
を３１〜３３mmとなるようにした。なお、接触帯電部材
は静止して用いた。 ファーブラシは、幅３６０mmのシート状にしたものを
図１（ｂ）に示す構成にした。磁気ブラシ層は、直径２
０μｍ、長さ４mmのファーブラシを密度約１５０，００
０本／inch² のものを使用した。これらからなる帯電装
置をφ１０８の被帯電体（感光体）に当接させてニップ
幅を３１〜３３mmとなるようにした。なお、接触帯電部
材は静止して用いた。

【０２１０】作製した接触帯電部材や補助電極を図１０
（ａ），（ｂ）に示した画像形成装置（キヤノン製ＮＰ
６０６０を改造）にセットして、帯電能力を評価した。
接触帯電部材への印加電圧条件は、６００Ｖdcとした。
プロセススピードは３００mm／sec で行った。２０℃、
４０％ＲＨの環境で１０万枚の耐刷試験を行った。

【０２１１】結果を図１２に示す。接触帯電部材が１×
１０³ 〜１×１０¹¹Ωcmの抵抗値を有するとき、良好な
帯電特性が得られた。より好ましくは、接触帯電部材が
１×１０⁴ 〜１×１０⁹ Ωcmの抵抗値を有するときに良
好な帯電特性、および画像流れなどの環境特性が得られ
た。

【０２１２】接触帯電部材の抵抗値が１×１０³ Ωcm未
満である場合は、異常放電、ピンホールが発生し、感光
体が破損した。また、接触帯電部材の抵抗値が１×１０
¹²Ωcm以上である場合は帯電効率低下、注入による帯電
がほとんど生じなかった。 〈実験例２〉実験例１で作製した感光体を用い、本発明
の帯電装置の実施の形態に対する画質を評価した。接触
帯電部材は以下の（１）〜（５）のものを用いた。 （１）実験例１で用いた本発明の接触帯電部材：接触
帯電部材は静止 （２）実験例１で用いた本発明の接触帯電部材：接触
帯電部材は静止 （３）直径２０μｍ、長さ４mm、密度約１５０，０００
本／inch² のファーブラシをφ１８の導電性の芯軸に張
設したローラ状のタイプの接触帯電部材。

【０２１３】：接触帯電部材は静止。 （４）直径２０μｍ、長さ４mm、密度約１５０，０００
本／inch² のファーブラシをφ１８の導電性の芯軸に張
設したローラ状のタイプの接触帯電部材。

【０２１４】：接触帯電部材は感光体に対して逆方向に
同じ面スピードで回転。 （５）φ１８の多極磁性体を用いた磁気ブラシの接触帯
電部材。

【０２１５】（磁極数１２、磁力線密度３０００ガウ
ス） ：接触帯電部材は静止 これらの接触帯電部材を図１０（ａ），（ｂ）に示すよ
うな画像形成装置（キヤノン製ＮＰ６０６０を改造）を
用いて、Ａ４紙で１０万枚の耐久テストを行い、ハーフ
トーン画像の画質を評価した。結果を図１５に示す。

【０２１６】本発明の帯電装置（図１（ａ），（ｂ）に
示す実施の形態）を用いることで、初期画像において磁
気ブラシを用いた場合と同様に高画質の画像を得た。ま
た、Ａ４紙で１０万枚の耐久テスト後の画像において
は、ローラタイプのファーブラシ、磁気ブラシの場合に
は、ブラシの掃きムラが生じてしまったが、本発明の接
触帯電部材においては、ほぼ初期画像と同じ、高品位な
画像を得ることができた。すなわち、本発明の接触帯電
部材を用いた場合、ほとんど画質の低下は見られなかっ
た。

【０２１７】このように、本発明の接触帯電部材を用い
ることで、接触帯電部材と被帯電体とのニップを限られ
た空間で効果的に広げることが可能になり、接触帯電部
材の移動（回転）がない状態でも画質の向上、および長
時間安定した画質の画像が得られた。また、図１
（ｅ），（ｆ）に示すように接触帯電部材に、クリーニ
ング装置を組み合わせることで耐久性がより効果的にな
る。 〈実験例３〉実験例１と同じ画像形成装置を用い、実験
例２における（２）の接触帯電部材を用い、ニップ幅を
８〜３３mmまで変えて帯電効率を評価した。接触帯電部
材への印加電圧条件は、７００Ｖdcとした。プロセスス
ピードは２００mm／sec で行い帯電直後に帯電電位を測
定した。同様に実験例２の（３），（４）の接触帯電部
材でも同様の評価を行った。結果を図１３に示す。

【０２１８】図１３に示すように、本発明の帯電装置に
おいては、ニップ幅８〜３３mmの範囲で帯電効率９０％
以上を示しており、特にニップ幅１５mm以上では９８％
以上の帯電効率を示した。

【０２１９】また、実験例２と同様の実験をした結果、
Ａ４紙で１０万枚の耐久テスト後の画像においても、ニ
ップ幅８mmのものにおいては、実験例２の（１），
（２）と同様の結果を示した。すなわち、本発明の実施
の形態の接触帯電部材を用いた場合、掃きムラなどの画
像欠陥を考えた場合、好ましくはニップ幅１０mm以上、
より好ましくは１５mm以上が、非常に高い帯電効率を得
られ、耐久後においてもこの高い帯電効率を維持し、ま
た画像欠陥の生じない非常に耐久性に優れた構成になっ
ている。 〈実施例１〉外径８０mm×長さ３５８mmのアルミニウム
シリンダーを基体とし、これにアルコキシメチル化ナイ
ロンの５％メタノール溶液を浸漬法で塗布して、膜厚１
μｍの下引き層（中間層）を設けた。

【０２２０】次に、チタニルフタロシアニン顔料を１０
部（重量部、以下同様）、ポリビニルブチラール８部、
およびシクロヘキサノン５０部を直径１mmのガラスビー
ズ１００部を用いたサンドミル装置で２０時間混合分散
した。この分散液にメチルエチルケント７０〜１２０
（適宜）部を加えて下引き層上に塗布し、１００℃で５
分間乾燥して０．２μｍの電荷発生層を形成させた。

【０２２１】次にこの電荷発生層の上に図１６に示す構
造式のスチリル化合物１０部とビスフェノールＺ型ポリ
カーボネート１０部をモノクロルベンゼン６５部に溶解
した。この溶液をディッピング法によって基体上に塗布
し、１２０℃で６０分間の熱風乾燥させて、２０μｍ厚
の電荷輸送層を形成させた。

【０２２２】次にこの電荷輸送層の上に以下の方法で膜
厚１．０μｍの表面層を設けた。

【０２２３】酸成分としてテレフタル酸を、またグリコ
ール成分としてエチレングリコールを用いて得られた高
融点ポリエチレンテレフタレート（Ａ）［極限粘度０．
７０dl／ｇ、融点２５８℃（示差熱測定器を用いて１０
℃／min の昇温速度で測定した。また、測定サンプルは
５ｍｇで、測定しようとするポリエステル樹脂を２８０
℃で溶融後、０℃の氷水で急冷して作製した）、ガラス
点移転温度７０℃］１００部とエポキシ樹脂（Ｂ）［エ
ポキシ当量１６０；芳香族エステルタイプ；商品名：エ
ピコート１９０Ｐ（油化シェルエポキシ社製）］３０部
とをフェノールとテトラクロロエタン（１：１）混合液
１００mlに溶解させた。さらに、上記溶液中に電荷保持
粒子として、ＳｎＯ₂ 粉を６０wt％混入した。次いで光
重合開始剤としてトリフェニルスルフォニウムヘキサフ
ルオロアンチモネート（Ｃ）３部を添加して樹脂組成物
溶液を調整した。

【０２２４】光の照射条件としては、２ｋＷ高圧水銀灯
（３０Ｗ／cm）を２０cm離した位置から１３０℃で８秒
間照射した硬化させた。

【０２２５】このようにして作製した感光ドラムを、図
１０（ａ），（ｂ）に示したような画像形成装置におい
て、補助電極は画像形成部分外に設置し、実験例２の
（１），（２）で示した帯電装置を用いた。キャリヤの
抵抗は８×１０⁷ Ωcmのものを使用した。

【０２２６】この条件下で、３０℃、８０％ＲＨの環境
において１０万枚の耐刷試験を行い、画像、およびキャ
リヤの減少を評価した。接触帯電部材への印加電圧条件
は、７００Ｖdcとした。プロセススピードは２００mm／
sec で行った。帯電直後に測定した帯電電位は６８０Ｖ
以上であった。実験例２と同様の評価をしたところ、良
好な画像が得られた。 〈実施例２〉実施例１で用いた保護層の代りに次の保護
層を形成した。電荷輸送層で用いたものと同じバインダ
ーとして、アクリル樹脂中にＳｎＯ₂ 粉を６０wt％混入
し、電荷発生層上に膜厚１．０μｍになるように塗布し
て表面層を形成し、実験例２と同様に耐久テストを行
い、実験例２（１），（２）と同様の評価をしたとこ
ろ、本発明の接触帯電部材を用いた場合において良好な
画像が得られた。 〈実施例３〉図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による画像
形成装置用感光体の製造装置を用い、実施例１と同様に
直径１０８mmの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
（支持体）上に図１７に示す作製条件で電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる感光体を作製した。

【０２２７】この感光体を実施例２と同様に耐久テスト
を行い、実験例２（１），（２）と同様の評価をしたと
ころ、本発明の接触帯電部材を用いた場合において良好
な画像が得られた。 〈実施例４〉図３に示す画像形成装置用感光体の製造装
置を用い、図１８に示す作製条件で画像形成装置用感光
体を作製した。

【０２２８】この感光体を実施例２と同様に耐久テスト
を行い、実験例２（１），（２）と同様の評価をしたと
ころ、本発明の接触帯電部材を用いた場合において良好
な画像が得られた。

【０２２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
接触帯電部材をベルト状の導電性ファーブラシにより形
成することにより、限られた空間内で、より多くのニッ
プを確保でき、導電性ファーブラシの回転速度を速くす
ることなく、高画質な画像が得られるようになった。そ
のため、摩耗などによるブラシの寿命を延ばし、かつ、
被帯電部材の寿命を飛躍的に伸ばすことが可能となり、
メンテナンスフリーが可能となった。

【０２３０】また、本発明の帯電装置においては、限ら
れた空間で最大限にニップを広げられるため、省スペー
ス化においても優れている。

【０２３１】さらに、被帯電体の表面形状に沿って導電
性ファーブラシを接触させることができるため、高帯電
効率、高品位画像を得ることが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の帯電装置を示し、（ａ）は第１の実施
の形態を示す斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ部分と、
同図（ｄ）のＣ部分とを抽出して示す拡大側面図、
（ｃ）は同図（ｂ）のＢ部分を抽出して示す拡大側面
図、（ｄ）は第２の実施の形態を示す斜視図、（ｅ）は
第３の実施の形態を示す斜視図、（ｆ）は同図（ｅ）の
Ｄ部分を抽出して示す拡大側面図である。

【図２】画像形成装置用感光体の光受容層を形成するた
めの装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電
法による画像形成装置用感光体の製造装置の模式的説明
図である。

【図３】画像形成装置用感光体の光受容層を形成するた
めの装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いたグロー放
電法による画像形成装置用感光体の製造装置の模式的説
明図である。

【図４】画像形成装置用感光体における光導電層のアー
バックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との
関係を示す図である。

【図５】画像形成装置用感光体における光導電層の局在
状態密度（ＤＯＳ）と光メモリとの関係を示す図であ
る。

【図６】画像形成装置用感光体における光導電層の局在
状態密度（ＤＯＳ）と画像流れとの関係を示す図であ
る。

【図７】画像形成装置用感光体における光導電層のＳｉ
−Ｈ₂ 結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比とハーフ
トーン濃度ムラ（ガサツキ）との関係を示す図である。

【図８】従来の帯電装置の一例をす模式的構成図であ
る。

【図９】従来の帯電装置の他の例を示す模式的構成図で
ある。

【図１０】本発明の画像形成装置の実施の形態を示し、
（ａ）は図１（ａ）の接触帯電部材を用いた模式的構成
図、（ｂ）は図１（ｄ）の接触帯電部材を用いた模式的
構成図である。

【図１１】（ａ）〜（ｅ）は画像形成装置用感光体のそ
れぞれ別の構成を示す部分断面図である。

【図１２】本発明に係る接触帯電部材の磁気ブラシ層の
抵抗と帯電状態を示す特性図である。

【図１３】本発明と従来の接触帯電部材におけるニップ
幅と帯電電位との関係を示す図である。

【図１４】実験例１の画像形成装置用感光体の作製条件
を示す図である。

【図１５】接触帯電部材の耐久テストの結果を示す図で
ある。

【図１６】実施例１における電荷輸送層を構成するスチ
リル化合物の構造式を示す図である。

【図１７】実施例３の画像形成装置用感光体の作製条件
を示す図である。

【図１８】実施例４の画像形成装置用感光体の作製条件
を示す図である。

【符号の説明】

１００ 接触帯電部材 １０１ 磁気ブラシ層 １０２ 可撓性シート（ブラシ支持体） １０３ 導電性芯軸 １０４ 導電性ファーブラシ １０５ 被帯電体（感光体ドラム） １０６ 接触帯電部材 １０７ クリーニング手段（吸着装置） １１００ 被帯電体（感光体） １１０１ 導電性支持体 １１０２ 感光層 １１０３ 光導電層 １１０４ 表面層 １１０６ 電荷発生層 １１０７ 電荷輸送層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江原 俊幸 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電圧が印加される接触帯電部材の帯電面
   を、被帯電体の表面に接触させて帯電させるようにした
   帯電装置において、 前記接触帯電部材が、ベルト状の導電性ファーブラシに
   よって形成されている、 ことを特徴とする帯電装置。
2. 【請求項２】 前記導電性ファーブラシが、ベルト状の
   可撓性シートに磁気ブラシ層を設けて形成される、 ことを特徴とする請求項１記載の帯電装置。
3. 【請求項３】 前記導電性ファーブラシが、前記被帯電
   体の軸方向に沿って周回移動するように張設されてい
   る、 ことを特徴とする請求項１記載の帯電装置。
4. 【請求項４】 前記導電性ファーブラシが、前記被帯電
   体の周方向の一部に沿って周回移動するように張設され
   ている、 ことを特徴とする請求項１記載の帯電装置。
5. 【請求項５】 電圧が印加される接触帯電部材の帯電面
   を、被帯電体の表面に接触させて帯電させるようにした
   帯電装置において、 前記接触帯電部材が、ベルト状の導電性ファーブラシに
   よって形成され、 かつ該導電性ファーブラシには、粉塵を除去するクリー
   ニング手段を備えた、 ことを特徴とする帯電装置。
6. 【請求項６】 前記導電性ファーブラシが、可撓性シー
   トをベルト状に張設し、該可撓性シートに磁気ブラシ層
   を設けて形成される、 ことを特徴とする請求項５記載の帯電装置。
7. 【請求項７】 前記導電性ファーブラシが、前記被帯電
   体の軸方向に沿って周回移動するように張設されてい
   る、 ことを特徴とする請求項５記載の帯電装置。
8. 【請求項８】 前記導電性ファーブラシが、前記被帯電
   体の周方向の一部に沿って周回移動するように張設され
   ている、 ことを特徴とする請求項５記載の帯電装置。
9. 【請求項９】 電圧が印加される接触帯電部材を、被帯
   電体を帯電させるように接触させる帯電装置と、前記被
   帯電体に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、前記
   被帯電体に形成された静電潜像を顕画像化する現像手段
   と、該現像手段によって前記被帯電体に形成されたトナ
   ー画像を記録媒体に転写させる転写手段とを有する画像
   形成装置において、 前記帯電装置には、ベルト状の導電性ファーブラシによ
   って形成された接触帯電部材を設けた、 ことを特徴とする画像形成装置。
10. 【請求項１０】 前記導電性ファーブラシが、可撓性シ
    ートをベルト状に張設し、該可撓性シートに磁気ブラシ
    層を設けて形成される、 ことを特徴とする請求項９記載の画像形成装置。
11. 【請求項１１】 前記導電性ファーブラシが、前記被帯
    電体の軸方向に沿って周回移動するように張設されてい
    る、 ことを特徴とする請求項９記載の画像形成装置。
12. 【請求項１２】 前記導電性ファーブラシが、前記被帯
    電体の周方向の一部に沿って周回移動するように張設さ
    れている、 ことを特徴とする請求項９記載の画像形成装置。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし請求項８のいずれか１
    記載の帯電装置と、 該帯電装置によって帯電される被帯電体とを備え、 該被帯電体が、 導電性支持体と、 シリコン原子を母体として水素原子とハロゲン原子のう
    ちの少なくとも一方を含有する非単結晶材料を有して光
    導電性を示す光導電層と、 電荷を保持する機能を持つ表面層を有する光受容層と、
    を備え、 前記光導電層が、 １０〜３０原子％の水素を含有し、 少なくとも光の入射する部分において、サブバンドギャ
    ップ光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エ
    ネルギーが５０〜６０ｍｅＶであり、かつ伝導帯端下に
    おける局在状態密度が１×１０¹⁴cm^-3以上１×１０¹⁶cm
    ^-3未満である、 ことを特徴とする画像形成装置。
14. 【請求項１４】 前記被帯電体が、 導電性支持体と、有機感光層、および電荷保持粒子を含
    む表面層を有する電子写真感光体である、 ことを特徴とする請求項１３記載の画像形成装置。