JPH1073941A

JPH1073941A - 画像形成装置および画像形成方法ならびに電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JPH1073941A
Application number: JP23210096A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Furushima; 聡古島; Hiroaki Niino; 博明新納; Nobufumi Tsuchida; 伸史土田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-09-02
Filing date: 1996-09-02
Publication date: 1998-03-17

Abstract

(57)【要約】【課題】高画質高速高耐久オゾンレスプロセスを提供
する。【解決手段】少なくとも非単結晶シリコン系の材料で
構成された光導電層と、シリコン原子、炭素原子の少な
くとも一方を母体とした表面層とを有する電子写真用光
受容部材において、該表面層の層厚方向の抵抗値に対し
て、該表面層の最表面の面方向の抵抗値が大きいことを
特徴とする電子写真用光受容部材を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、帯電部材に電圧を
印加し、この帯電部材の帯電面を電子写真用光受容部材
に当接させて帯電し、その帯電面に可視光、ライン走査
レーザー光により画像情報の書き込みをして画像形成を
実行する方式の画像形成方法及びそれに使用する装置に
関する。

【０００２】また、本発明は光等（ここでは広義の光で
あって紫外線、可視光線、赤外線、ｘ線、γ線等を意味
する。）の電磁波に対して感受性のある電子写真用光受
容部材に関する。

【０００３】

【従来技術】

１．画像形成装置画像形成装置は原稿を複写するいわゆる複写機のみなら
ず、近年需要の伸びの著しいコンピュータ、ワードプロ
セッサの出力手段としてのプリンターを加え広く利用さ
れている。こうしたプリンターは従来のオフィスユース
のみならず、パーソナルユースが増大したため、低コス
ト、メンテナンスフリーといった経済性が重視される。

【０００４】さらに、エコロジーの観点から、両面コピ
ー、再生紙利用等、紙の消費低減、画像形成時における
消費電力低減の省エネルギー、オゾン量低減等近隣生物
への影響対策が、経済性と同様の重要度で求められてい
る。

【０００５】従来の帯電方式の主流であったコロナ帯電
器は、径５０〜１００μｍ程度の金属ワイヤーに５〜１
０ｋＶ程度の高電圧を印加し、帯電器中雰囲気を電離し
対向物に電荷を付与する。その過程において、ワイヤー
自身も汚れを吸着し、定期的な清掃、交換が必要とな
る。また、コロナ放電に伴い、オゾンの大量発生も問題
である。

【０００６】省エネルギーに関しては、光受容部材の加
熱手段の問題もある。

【０００７】近年使用される電子写真用光受容部材は、
高速大量複写のために連続して使用される。そのため、
オゾンから派生するコロナ生成物が付着することで光受
容部材表面が水分を吸着し易くなり、これが光受容部材
表面の電荷の横流れの原因となり、これにより画像流れ
と言われる画像品質低下を引き起こすことがある。

【０００８】このような画像流れを防止するために、実
公平１−３４２０５に記載されているようなヒーターに
よる加熱や、特公平２−３８９５６に記載されているよ
うなマグネットローラーと磁性トナーから形成されたブ
ラシにより光受容部材表面を摺擦しコロナ生成物を取り
除く方法、特開昭６１−１００７８０に記載されている
ような弾性ローラーによる光受容部材表面の摺擦でコロ
ナ生成物を取り除く方法等が用いられてきた。

【０００９】また、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン光受容部材の画像品質向上の
ために、光受容部材表面近傍の温度を３０乃至４０℃に
維持して帯電、露光、現像および転写といった画像形成
工程を行うことにより、光受容部材表面での水分の吸着
による表面抵抗の低下とそれに伴って発生する画像流れ
を防止する技術が開示されている。

【００１０】しかし、光受容部材表面を摺擦する方法
は、極めて硬度の高いアモルファスシリコン光受容部材
で使用されるが、装置の小型化や低コスト化に対して困
難な一因となる。

【００１１】また、ヒーターによる常時加熱は前述のよ
うに消費電力量の増大を招く。こうしたヒーターの容量
は通常１５Ｗから８００Ｗ程度と必ずしも大電力量とい
った印象を得ないが、夜間も含め常時通電されているケ
ースがほとんどであり、一日当たりの消費電力として
は、画像形成装置全体の消費電力の５〜１５％にも達す
る。

【００１２】また、本発明に類似する形態での外部ヒー
ター加熱方式、すなわち、特開昭５９−１１１１７９や
特開昭６２−２７８５７７においても、光受容部材の温
度変動に伴う画像濃度不安定要素の改善についてはなん
らの開示もない。

【００１３】また、こうした画像流れの元凶である前述
オゾンは、画像形成装置周囲の人や生物への健康障害の
おそれもあり、従来からオゾン除去フィルターで分解無
害化して排出していた。特にパーソナルユースの場合、
排出オゾン量は極力低減しなければならない。このよう
に経済面、環境衛生面からも帯電時の発生オゾン量を大
幅に低減する方式が求められている。

【００１４】こうした状況から、新たな帯電部材、帯電
装置、画像形成装置としての発生オゾン量が皆無、ある
いは低減された帯電装置が求められている。

【００１５】２．帯電装置前述の問題点を解決すべく、各種帯電装置が提案されて
いる。

【００１６】特開昭６３−２０８８７８に記載されてい
る接触帯電法は、電圧を印加した帯電部材を電子写真用
光受容部材に当接させて被帯電面を所用の電位に帯電す
るもので、帯電部装置として広く利用されているコロナ
帯電装置に比べ、電子写真用光受容部材面に所望の電位を得るのに必要
とされる印加電圧の低電圧化が図れる、帯電過程で発生するオゾン量が無乃至極微量であり、
オゾン除去フィルターの必要性がなく、装置の排気系の
構成が簡素化される、帯電過程で発生するオゾン量が無乃至極微量であるこ
とからオゾン生成物が電子写真用光受容部材表面に付着
し水分を吸収することもなく、終日行われている加熱ヒ
ーターによる除湿の必要性がなくなり、そのため夜間通
電等の電力消費の大幅な低減が図れる、等の長所を有し
ている。

【００１７】そこで例えば、画像形成装置（複写機、レ
ーザービームプリンター）、静電記録装置等の画像形成
装置において、光受容部材、誘電体等の像担持体、その
他の電子写真用光受容部材を帯電処理する手段としてコ
ロナ放電装置に代わるものとして注目されている。

【００１８】接触帯電部材の様々な改善といった試みの
中で、特開昭５９−１３３５６９号公報等のように、磁
性体と磁性粉体（あるいは粒子）からなる磁気ブラシ状
の接触帯電部材が像担持体に接触、帯電を付与する機構
の新方式が提案されている。

【００１９】図２にその一実施態様を示す。１０２は像
担持体である感光ドラムであり、矢印Ａの時計方向に所
定の周速度（プロセススピード）にて回転駆動されるド
ラム型の電子写真用光受容部材である。１０１は帯電部
材であり、多極磁性体およびその帯電面に磁性粉体によ
り形成した磁気ブラシ層とからなる。

【００２０】多極磁性体は、円筒状の、いわゆるマグネ
ットローラーのごとく構成され、通常フェライト磁石、
ゴムマグネット等の磁性材料を用いる。

【００２１】磁気ブラシ層は、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｆｅ−Ｏ系
等の磁性酸化鉄（フェライト）粉、マグネタイト粉、樹
脂中にフェライトやマグネタイト等の磁性材料を分散さ
せたもの、周知の磁性トナー材等が一般的に用いられ
る。

【００２２】該帯電部材の抵抗値は、その使用される環
境、高帯電効率、あるいは該光受容部材の表面層の耐圧
特性等に応じて適宜選択されることが望ましい。通常、
良好な帯電を得るためには、帯電部材の抵抗値が、１×
１０³ 〜１×１０¹²Ωｃｍなる抵抗を有する必要があ
る。より好ましくは、１×１０⁴ 〜１×１０⁹ Ωｃｍの
抵抗のときで、良好な帯電特性、および画像流れ等の環
境特性の改善が得られた。

【００２３】帯電部材抵抗が１×１０³ Ωｃｍ未満の場
合は、異常放電、ピンホールが発生し光受容部材が破損
する危険性がある。また、１×１０¹²Ωｃｍ以上の場合
は帯電効率低下、注入による帯電性が低下する。

【００２４】帯電部材に対する電圧印加電源は、直流電
圧Ｖｄｃ単独、あるいはそれに交流電圧（Ｖａｃ）を重
畳して帯電部材の多極磁性体、磁気ブラシ層に印加され
て、回転駆動されている感光ドラム１０２の外周面が均
一に帯電される。

【００２５】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザービームプリンター光が走査されることによって
該感光ドラム上に静電潜像が形成される。この潜像は、
現像材が塗布された現像スリーブによって顕画像化され
た後、転写材上に転写ローラを介して転写される。転写
残トナーは、クリーニングブレードによって感光ドラム
上から除去されると共に該転写像は、不図示の定着装置
によって定着された後、出力される。前述方式により、
像担持体と接触帯電部材の接触性等の特性の向上が図ら
れた。

【００２６】３．光受容部材１）アモルファスシリコン系光受容部材（ａ−Ｓｉ）電子写真において、光受容部材における感光層を形成す
る光導電材料としては、高感度でＳＮ比（光電流（Ｉ
ｐ）／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性に適合した吸収スペクトルを有すること、光
応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に
おいて人体に対して無害であること、等の特性が要求さ
れる。

【００２７】特に、事務機としてオフィスで使用される
画像形成装置内に組み込まれる画像形成装置用光受容部
材の場合には、大量に、かつ長期にわたり複写されるこ
とを考えると、画質、画像濃度の長期安定性も重要な点
である。

【００２８】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ：と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には画像形成装置用光受容部材としての応用
が記載されている。

【００２９】このような画像形成装置用光受容部材は、
一般的には、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加熱
し、該支持体上に真空蒸発法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層
を形成する。中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料
ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電
によって、分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成す
る方法が好適なものとして実用に付されている。また、
特開昭５４−８３７４６号公報においては、導電性支持
体と、ハロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉ（以
下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導電層からなる画
像形成装置用光受容部材が提案されている。当該公報に
おいては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至４０原子％
含有させることにより、耐熱性が高く、画像形成装置用
光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学的特性
を得ることができるとしている。

【００３０】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学
的、光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。

【００３１】さらに、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素および弗素を含
有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する光受
容部材についての技術が記載され、特開昭６２−１６８
１６１号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素
原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含
む非晶質材料を用いる技術が記載されている。

【００３２】さらに、特開昭５７−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００ｃｍ^-1の吸収ピーク係数の２０００ｃｍ
^-1の吸収ピークの吸収係数に対する比が０．２〜１．７
であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層に用いることにより高感
度で高抵抗な画像形成装置用光受容部材が得られること
が記載されている。

【００３３】これらの技術により、画像形成装置用光受
容部材の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境
特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００３４】４．環境対策ヒータ前述光受容部材の高湿画像流れを防止、除去するため
に、光受容部材内面に熱源を設けることが周知であり、
最も一般的なのは、面状乃至棒状の電熱ヒータを円筒状
光受容部材内面に配設している。

【００３５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なアモルファスシリコン光受容部材を用いた画像形成装
置の問題点として、以下の点が挙げられる。

【００３６】昨今のオフィス状況から求められている、
装置の小型化に対して、上記のような電圧印加式の磁性
粉体をブラシとして用いた帯電装置を用いることで、従
来のようなコロナ帯電装置に比べて小型化が図ることが
できる。そして、オゾンの発生がほとんどない、磁性粉
体をブラシとして用いた帯電装置の採用することで、磁
気ブラシ等が用いたクリーナーによる摺擦をなくして
も、画像流れのない状態を維持することが可能となる。

【００３７】しかし、電圧印加式の磁気粉体をブラシと
して用いた帯電装置により帯電させる場合にも、画像濃
度が薄くぼやけた領域ができてしまうという新たな問題
が生じていた。そのような領域をもつ電子写真用光受容
部材を用いた場合には高湿環境下での画像流れが起きや
すいという問題が生じている。

【００３８】さらに、上記のように画像流れの問題を解
決できても、対環境温度の変化により、電子写真特性の
温度依存性（温度特性）が大きいのでは、実公平１−３
４２０５に記載されているようなヒーターによる精密な
温度制御を行わなければならない。そのため、ヒーター
を取り除くためには、この温度特性を小さくする必要が
ある。また、画像形成装置を小型化するためにもヒータ
ーを取り除くことは必要であり、この意味からも温度特
性を小さくすることは重要な問題である。

【００３９】また、電子写真装置はプレゼンテーション
資料作製に欠かせない道具として、ＯＨＰ用トランスペ
アレンシー等の樹脂シートからハガキ等の厚手の紙を含
む様々な複写媒体が用いられるようになってきている。

【００４０】特に、普通紙に比べて硬質な複写媒体への
複写が頻繁に行われることにより、電子写真用光受容部
材表面に傷が生じ易くなっている。この傷がひどい場合
には、画像上でスジとなって現われたり、帯電せずに画
像が全く複写されないといった問題が生じる。

【００４１】この傷を防ぐために、電子写真用光受容部
材の表面層の硬度を上げて耐久性の向上を図ることが望
まれており、従来はシリコン原子含有量に対して炭素原
子含有量を多くすることによって硬度を維持してきた。
また、ダイヤモンドライクな無定形炭素膜を積層するこ
とにより、さらに硬度等総合的に優れた表面層を得られ
るようになってきている。

【００４２】特に本発明は、電圧印加式の磁気粉体をブ
ラシとして用いた帯電装置により帯電させる場合におい
て、画像濃度が薄くぼやけた領域ができてしまうという
新たな問題や、そのような領域を持つ電子写真用光受容
部材を用いた場合には高湿環境下での画像の流れが起き
やすいという問題を解決することを第一の目的としたも
のである。

【００４３】さらに、上記で掲げた課題が解決されるよ
うに、電圧印加式の磁気粉体をブラシとして用いた帯電
装置を有する画像形成装置及び画像形成方法ならびに電
子写真用光受容部材を総合的な観点からの一段の改良を
図ることが必要とされている。

【００４４】したがって、上記のような課題を解決され
るように、電圧印加式の磁気粉体をブラシとして用いた
帯電装置を有する画像形成装置および画像形成方法なら
びに電子写真用光受容部材を総合的な観点からの一段の
改良を図ることが必要とされている。

【００４５】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記の手段に
より上記課題を解決することができる。

【００４６】即ち、本発明は、少なくとも多極磁性材と
磁性粉体を有する円筒状の帯電部材に電圧を印加し、該
磁性粉体を像担持体であるところの電子写真用光受容部
材に接触させて帯電し、該電子写真用光受容部材上に静
電潜像を形成し、これをトナーによって顕画像化する画
像形成装置において、該電子写真用光受容部材が少なく
とも非単結晶シリコン系の材料で構成された光導電層
と、シリコン原子、炭素原子の少なくとも一方を母体と
した表面層とを有し、該表面層の層厚方向の抵抗値に比
して、最表面の面方向の抵抗値が大きいことを特徴とす
る画像形成装置を提供することにある。

【００４７】また本発明は、前記表面層の層厚方向の抵
抗値に対する最表面の面方向の抵抗値の比が１０〜１０
００であることを特徴とする画像形成装置を提供するこ
とにある。

【００４８】また本発明は、前記表面層の層厚方向の抵
抗値が１×１０¹⁰〜５×１０¹³Ωｃｍであることを特徴
とする画像形成装置を提供することにある。

【００４９】また本発明は、前記表面層の最表面の面方
向の抵抗値が１×１０¹²〜２×１０ ¹⁵Ωｃｍであること
を特徴とする画像形成装置を提供することにある。

【００５０】さらに本発明は、少なくとも非単結晶シリ
コン系の材料で構成された光導電層と、シリコン原子、
炭素原子の少なくとも一方を母体とした表面層とを有す
る電子写真用光受容部材において、該表面層の層厚方向
の抵抗値に対して、該表面層の最表面の面方向の抵抗値
が大きいことを特徴とする電子写真用光受容部材を提供
することにある。

【００５１】さらに本発明は、前記表面層の表面層層厚
方向の抵抗値に対する該表面層の最表面の面方向の抵抗
値の比が１０〜１０００であることを特徴とする前記電
子写真用光受容部材を提供することにある。

【００５２】さらに本発明は、前記表面層の層厚方向の
抵抗値が１×１０¹⁰〜５×１０¹³Ωｃｍであることを特
徴とする前記電子写真用光受容部材を提供することにあ
る。

【００５３】さらに本発明は、前記表面層の最表面の面
方向の抵抗値が１×１０¹²〜２×１０¹⁵Ωｃｍであるこ
とを特徴とする前記電子写真用光受容部材を提供するこ
とにある。

【００５４】また本発明は、前記光導電層が１０〜３０
原子％の水素原子を含有し、該光導電層の少なくとも光
の入射する部分における光吸収スペクトルから得られる
指数関数裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅ
Ｖ以下であることを特徴とする請求項５に記載の電子写
真用光受容部材を提供することにある。

【００５５】また本発明は、前記光導電層中に周期律表
第III ｂ族または第Ｖｂ族に属する元素の少なくとも一
つを含むことを特徴とする前記電子写真用光受容部材を
提供することにある。

【００５６】また本発明は、前記光導電層中に炭素、酸
素、窒素の少なくとも一つを含むことを特徴とする前記
電子写真用光受容部材を提供することにある。

【００５７】さらに本発明は、前記光受容層がシリコン
原子を母体とする非単結晶材料から成る光導電層と、該
光導電層の表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なく
とも一つを含むシリコン系非単結晶材料から成る表面層
とから構成されることを特徴とする前記電子写真用光受
容部材を提供することにある。

【００５８】さらに本発明は、前記光受容層が、シリコ
ン原子を母体とし炭素、酸素、窒素の少なくとも一つお
よび周期律表第III ｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元
素の少なくとも一つを含む非単結晶材料から成る電荷注
入阻止層と、該電荷注入阻止層の表面上に設けた、シリ
コン原子を母体とする非単結晶材料から成る光導電層
と、該光導電層の表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の
少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料から成る
表面層とから構成されることを特徴とする前記電子写真
用光受容部材を提供することにある。

【００５９】また本発明は、前記光導電層の層厚が２０
〜５０μｍである前記電子写真用光受容部材を提供する
ことにある。

【００６０】さらに本発明は、少なくとも多極磁性材と
磁性粉体を有する円筒状の帯電部材に電圧を印加し、該
磁性粉体を像担持体であるところの電子写真用光受容部
材に接触させて帯電し、該電子写真用光受容部材上に静
電潜像を形成し、これをトナーによって顕画像化する画
像形成方法において、該電子写真用光受容部材が少なく
とも非単結晶シリコン系の材料で構成された光導電層
と、シリコン原子、炭素原子の少なくとも一方を母体と
した表面層とを有し、該表面層の厚膜方向の抵抗値に比
して、最表面の面方向の抵抗値が大きいことを特徴とす
る画像形成方法を提供することにある。

【００６１】さらに本発明は前記表面層の層厚方向の抵
抗値に対する最表面の面方向の抵抗値の比が１０〜１０
００であることを特徴とする前記の画像形成方法を提供
することにある。

【００６２】さらに本発明は、前記表面層の層厚方向の
抵抗値が１×１０¹⁰〜５×１０¹³Ωｃｍであることを特
徴とする前記の画像形成方法を提供することにある。

【００６３】さらに本発明は、前記表面層の最表面の面
方向の抵抗値が１×１０¹²〜２×１０¹⁵Ωｃｍであるこ
とを特徴とする前記の画像形成方法を提供することにあ
る。

【００６４】

【発明の実施の形態】電圧印加式の磁気粉体をブラシと
して用いた帯電装置により帯電させる場合に、画像濃度
が薄くぼやけた領域が生じる原因を、帯電時の電荷が最
表面でドリフトすることによるのではないかと考え、電
子写真用光受容部材の最表面の面方向の抵抗値に着目し
て鋭意検討を加えた結果、層厚方向の抵抗値に対して、
面方向の抵抗値が大きくなるように表面層を設計するこ
とにより、磁気粉体をブラシとして用いた帯電装置に対
しての、帯電効率および帯電安定性が大幅に向上し、上
記のような画像濃度の変化を低減することができること
がわかった。

【００６５】また、最表面の面方向の抵抗が表面層層厚
方向の抵抗のおよそ１０〜１０００倍になるようにする
ことにより、画像濃度が薄くぼやけた領域がほとんど発
生することもなく、高湿環境下での画像流れの問題も改
善できることがわかった。

【００６６】温度特性を小さくするという問題を解決す
るために、本発明者らは、光導電層のキャリアの挙動に
着目し、ａ−Ｓｉのバンドギャップ内の局在状態分布と
帯電能の温度依存性や光メモリーとの関係について鋭意
検討した結果、光導電層の少なくとも光の入射する部分
において、局在状態分布を制御することにより上記目的
を達成できるという知見を得た。

【００６７】すなわち、シリコン原子を母体とし、水素
原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材
料で構成された光導電層を有する光受容部材において、
その層構造を特定化するように設計されて作成された光
受容部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光受容部材と比べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、特に電子写真用の光受容部材とし
て優れた特性を有していることを見いだした。

【００６８】ところで、以下で用いる「指数関数裾」と
は、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギー側に裾を
引いた吸収スペクトルのことを指す。また、「特性エネ
ルギー」とは、この指数関数裾の傾きである。

【００６９】本発明の電子写真用光受容部材は、導電性
支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を
母体として水素原子および／またはハロゲン原子を含有
する非単結晶材料からなり光導電性を示す光導電層を有
する光受容層とを少なくとも有する電子写真用光受容部
材において、該光導電層が１０〜３０原子％の水素を含
有し、該光導電層の少なくとも光の入射する部分におけ
る光吸収スペクトルから得られる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶである
ことを特徴とする。

【００７０】さらに本発明の電子写真用光受容部材は、
導電性支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン
原子を母体として水素原子および／またはハロゲン原子
を含有する非単結晶材料からなり光導電性を示す光導電
層を有する光受容層とを少なくとも有する電子写真用光
受容部材において、該光導電層が１０〜３０原子％の水
を含有し、該光導電層の赤外吸収スペクトルから得られ
るＳｉ−Ｈ₂ 結合の吸収ピーク係数のＳｉ−Ｈ結合の吸
収ピークの吸収係数に対する強度比が０．１〜０．５で
あって、該光導電層の少なくとも光の入射する部分にお
ける光吸収スペクトルから得られる指数関数裾（アーバ
ックテイル）の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶであ
り、かつ該光導電層における局在状態密度が１×１０¹⁴
ｃｍ^-3以上１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満であることを特徴とす
る。

【００７１】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の
特性を低下させる原因になることが知られている。

【００７２】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深い準位分光法、等
温容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一
定光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法
［Constant Photocurrent Methodo:以後、「ＣＰＭ」と
略記する］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブギ
ャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として有
用である。

【００７３】本発明者らは、ＣＰＭによって測定された
サブバンドギャップ光吸収スペクトリから求められる指
数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギー（以
下、「Ｅｕ」と略記する）や局在状態密度（以下、「Ｄ
ＯＳ」と略記する）と感光体特性との相関を種々の条件
にわたって調べた結果、ＥｕおよびＤＯＳがａ−Ｓｉ感
光体の温度特性や光メモリーと密接な関係にあることを
見いだし、本発明を完成するに至った。

【００７４】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到
達したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影
響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器
を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すため
に温度特性として観測される。また、帯電器を通過した
後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領
域における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキャ
リアの走行性を向上させることが温度特性の向上のため
に必要である。

【００７５】したがって、本発明のごとくＥｕおよびＤ
ＯＳを制御することにより、熱励起キャリアの生成が抑
えられ、なおかつ熱励起キャリアや光キャリアが局在準
位に捕獲される割合を小さくすることができるためにキ
ャリアの走行性が著しく改善される。

【００７６】その結果、感光体の使用温度領域での温度
特性が飛躍的に改善され、感光体の使用環境に対する安
定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の
高い高品質の画像を安定して得ることができる。

【００７７】さらにＳｉ−Ｈ₂ 結合とＳｉ−Ｈ結合に起
因する吸収ピークの吸収強度比を特定することにより、
光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、
その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわ
ゆるガサツキを低減することができる。

【００７８】故に、上記の構成をとるように設計された
本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の
全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、画像品質、耐久性および使用環境性を示す。

【００７９】さらに、従来の表面層に比べて水分の吸着
が小さくなっており、従来の帯電形式のようにコロナ帯
電によるオゾン生成物が発生しないため、オゾン生成物
による「高湿流れ」対策が不要になり、温度特性も従来
に比べて小さくできたためドラムヒーターも除去され、
装置の小型化がより可能になると共に、夜間通電や消費
電力が低減されエコロジーの点からも有効である。

【００８０】以下さらに詳しく、作用について述べる。

【００８１】［帯電部材］本発明の要所を説明する、図
１にそれぞれ本発明にかかる帯電部材と電子写真用光受
容部材の概略を示してある。図１において、１００は本
発明にかかる接触型帯電部材、１０１−１は接触型帯電
部材の上記帯電キャリアからなる磁気ブラシ層、１０１
−２は接触型帯電部材のローラー状の多極磁性体（形状
により以下マグローラーと称する）、１０２は接触型帯
電部材と光受容部材との距離（ギャップ）を規制するス
ペーサー、１０３は光受容部材等の電子写真用光受容部
材である。

【００８２】接触型帯電部材のマグローラー１０１−２
は、通常フェライト磁石等の金属や、プラスティックマ
グネット、等の多極構成が可能な磁性体を用いている。
その磁力線密度はその使用するプロセススピード、印加
電圧と非帯電部の電位差による電界、電子写真用光受容
部材の誘電率や表面性等多くの要因により異なりそれら
の条件に応じて適宜選択されるものであるが、該マグロ
ーラー１０１−２の表面から１ｍｍの距離において測定
される、磁極位置における磁力線密度で５００ガウス
（Ｇ）以上が好ましい。より好ましくは１０００Ｇ以上
である。

【００８３】像担持体とマグローラー１００−２の最近
接間隙は、光受容部材の回転方向における該磁気ブラシ
層１０１−１の接触幅（以下ニップと称する）を安定に
制御するため、コロ１０２やスペーサ等、適宜な方法
で、適宜な距離に設定される必要がある。該距離は５０
〜２０００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは１０
０〜１０００μｍである。その他にニップ調整用の機構
を設けてもよい。

【００８４】該帯電部材の、上記帯電キャリアからなる
磁気ブラシ層１０２は、一般にフェライト、マグネタイ
ト等の磁性粉体、周知のトナーのキャリア、あるいは磁
性体と樹脂からなるトナーを使用する。

【００８５】該磁性粉体の粒径は一般に１乃至１００μ
ｍ以下のものが用いられるが、画質に支障がなければさ
らに大粒径の粉体を使用してもよい。また、粒径は均一
なものを用いてもよいし、流動性向上のため異なる粒径
の帯電キャリアを混合して使用してもよい。

【００８６】また、図４に示すように、該磁気ブラシ層
の抵抗は帯電効率を良好に保持し、一方でリークポチ
や、光受容部材表面の微小欠陥から、帯電部材長軸方向
で電位が低下してしまうことの防止等のために１×１０
³ 〜１×１０¹²Ωｃｍなる抵抗を有することが好まし
い。より好ましくは１×１０⁴ 〜１×１０⁹ Ωｃｍであ
る。

【００８７】上記、マグローラーについて述べたが、帯
電部材としては磁性体を内蔵したスリーブ状のもの（形
状より、以下帯電スリーブと称する）を用いてもよい。

【００８８】該抵抗値の測定は、ＨＩＯＫＩ社製のＭΩ
テスターで２５０〜１ｋＶの印加電圧における測定に行
った。光受容部材等の電子写真用光受容部材１０２は従
来のものと同じものでもよいが、必要に応じて後述する
新規な光受容部材を用いる。

【００８９】［光受容部材］前述問題を解決するため
に、本発明者らは温度依存性が小さく、表面耐久性に優
れた表面層をもち、かつ表面層層厚方向の抵抗値に対し
て、該表面層の最表面の面方向の抵抗値が大きい電子写
真用光受容部材を用い、長期にわたり極めて好適な画像
安定化が達成されることを見いだした。

【００９０】［アモルファスシリコン系光受容部材（ａ
−Ｓｉ）］本発明に用いた好適な光受容部材の一形態で
あるアモルファスシリコン系光受容部材（以下「ａ−Ｓ
ｉ光受容部材」と称する）について以下に述べる。

【００９１】本発明にかかるａ−Ｓｉ系光受容部材は周
知の、導電性支持体と、シリコン原子を母体とする非単
結晶材料からなる光導電層を有する感光層と、シリコン
原子、炭素原子の少なくとも一方を母体とした表面層と
から構成され、必要に応じて特性を向上させたものを用
いる。

【００９２】本発明に用いられるａ−Ｓｉ系光受容部材
を有する電子写真用光受容部材は、帯電能の温度依存性
をはじめ、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、画像品質、耐久性および使用環境特性を示す。

【００９３】以下、図面にしたがって本発明の光導電部
材について詳細に説明する。

【００９４】図５は、本発明の画像形成装置用光受容部
材の層構成を説明するための模式的構成図である。

【００９５】図５（ａ）に示す画像形成装置用光受容部
材６００は、光受容部材用としての支持体６０１の上
に、感光層６０２と表面層６０４が設けられている。該
感光層６０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有
する光導電層６０３で構成されている。

【００９６】図５（ｂ）は、本発明の画像形成装置用光
受容部材の他の層構成を説明するための模式的構成図で
ある。図５（ｂ）に示す画像形成装置用光受容部材６０
０は、光受容部材用としての支持体６０１の上に、感光
層６０２が設けられている。該感光層６０２はａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電層を有する光導電層６０３
と、シリコン原子、炭素原子の少なくとも一方を母体と
した表面層６０４と、表面層６０４と光導電層６０３の
間に積層された中間層６０５とから構成されている。

【００９７】中間層の機能については、さまざまなもの
があり、例をあげると、１）表面層（６０４）と光導電層（６０３）という組成
及び構造の異なる層を堆積する時の密着性を向上させる
役割を果たす。２）１とほぼ同様な機能であるが、構造の緩衝層の構成
をとって６０３から６０４に滑らかにつながる機能。３）表面側からの電荷の注入を阻止する層とする。４）積極的にフォトキャリアを発生させる増感層とす
る。などがあり、その役割に応じて、適宜、構造、組成や構
成等を選択する必要がある。

【００９８】図５（ｃ）は、本発明の画像形成装置用光
受容部材の他の層構成を説明するための模式的構成図で
ある。図５（ｃ）に示す画像形成装置用光受容部材６０
０は、光受容部材用としての支持体６０１の上に、感光
層６０２が設けられている。該感光層６０２はａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導伝層６０３
と、シリコン原子、炭素原子の少なくとも一方を母体と
した表面層６０４と、アモルファスシリコン系電荷注入
阻止層６０６とから構成されている。

【００９９】図５（ｄ）は本発明の画像形成装置用光受
容部材のさらに他の層構成を説明するための模式的構成
図である。図５（ｄ）に示す画像形成装置用光受容部材
６００は、光受容部材用としての支持体６０１の上に、
感光層６０２が設けられている。該感光層６０２は光導
電層６０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発
生層６０７ならびに電荷輸送層６０８と、シリコン原
子、炭素原子の少なくとも一方を母体とした表面層６０
４とから構成されている。

【０１００】［光導電層］本発明において、その目的を
効果的に達成するために支持体６０１上に、必要に応じ
て下引き層（不図示）上に形成され、感光層６０２の一
部を構成する光導電層６０３は真空堆積膜形成法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の
数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これ
らの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程
度、製造規模、作成される画像形成装置用光受容部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望の特性を有する画像形成装置用光受容部材
を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易である
ことからしてグロー放電法、特にＲＦ帯、μＷ帯または
ＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好
適である。

【０１０１】グロー放電法によって光導電層６０３を形
成するには、基本的には周知のごとくシリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子
（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／および
ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る反応容器に所望のガス状態で導
入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、予め所
定の位置に設置されるてある所定の支持体６０１上にａ
−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【０１０２】また、シリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上
させるために、光導電層６０３中に水素原子または／お
よびハロゲン原子が含有されることが必要であるが、水
素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子と
ハロゲン原子の和の含有量はシリコン原子と水素原子ま
たは／およびハロゲン原子の和に対して１０〜３０原子
％、より好ましくは１５〜２５原子％とされるのが望ま
しい。

【０１０３】そして、形成される光導電層６０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
一層容易になるように図り、本発明の目的を達成する膜
特性を得るために、これらのガスにさらにＨ₂ および／
またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも
所望量混合して層形成することが必要である。また、各
ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合して
も差し支えないものである。

【０１０４】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。

【０１０５】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂ ）、Ｂｒ
Ｆ，ＣｌＦ，ＣｌＦ₃ ，ＢｒＦ₃ ，ＢｒＦ₅ ，ＩＦ₃ ，
ＩＦ₇等のハロゲンまたはハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、例えば、ＳｉＦ₄ ，Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が
好ましいものとして挙げることができる。

【０１０６】光導電層６０３中に含有される水素原子ま
たは／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体６０１の温度、水素原子または／およびハロゲン
原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器
内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【０１０７】本発明においては、光導電層６０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層６０３中に
万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。

【０１０８】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表III ｂ族に属する原子
（以後「第III ｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖ
ｂ族原子」と略記する）を用いることができる。第III
ｂ族原子としては、具体的には硼素（Ｂ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、
タリウム（Ｔｌ）等があり、特に、Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好
適である。特に第Ｖｂ族原子としては具体的には燐
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス
（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。

【０１０９】光導電層１０３に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１
×１０³ 原子ｐｐｍ、より好ましのは５×１０^-2〜５×
１０ ² 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０² 原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【０１１０】伝導性を制御する原子、例えば第III ｂ族
原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あるいは
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、光導電層１０３を形成するための他のガスと共に導
入してやればよい。第III ｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものと
しては、常温常圧でガス状または、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。ガス化し得るとは単なるガス状になる意味より広
く、例えば塩化アルミニウムのように昇華するのでは、
昇華させて水素ガスやヘリウムガス等のキャリアガスで
装置内に導入する方法もガス化の概念に含まれる。

【０１１１】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質としては具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂
Ｈ₆ ，Ｂ₄ Ｈ₁₀，Ｂ₅ Ｈ₁₁，Ｂ₆ Ｈ₁₀，Ｂ₆ Ｈ₁₂，Ｂ₁₀
Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ ，ＢＣｌ₃ ，ＢＢｒ₃ 等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃ ，
ＧａＣｌ₃ ，Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ ，ＩｎＣｌ₃ ，ＴｌＣｌ
₃ 等も挙げることができる。

【０１１２】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＯＨ₃ ，Ｐ₂
Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ，ＰＦ₃ ，ＰＦ₅ ，ＰＣｌ
₃ ，ＰＣｌ₅ ，ＰＢｒ₃ ，ＰＢｒ₅ ，ＰＩ₃ 等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ ，ＡｓＦ₃ ，Ａ
ｓＣｌ₃ ，ＡｓＢｒ₃ ，ＡｓＦ₅ ，ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ
₃ ，ＳｂＦ₅ ，ＳｂＣｌ₃ ，ＳｂＣｌ₅ ，ＢｉＨ₃ ，Ｂ
ｉＣｌ₃ ，ＢｉＢｒ₃ 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

【０１１３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂ および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。

【０１１４】さらには本発明においては、光導電層６０
３に炭素原子および／または酸素原子および／または窒
素原子を含有されることも有効である。炭素原子および
／または酸素原子および／または窒素原子の含有量はシ
リコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に
対して、好ましくは１×１０^-5〜１０原子％、より好ま
しくは１×１０^-4〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５
原子％が好ましい。

【０１１５】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有さ
れてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化する
ような不均一な分布をもたせた部分であってもよい。

【０１１６】本発明において、光導電層６０３の層厚は
所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等
の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２
０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適に
は２５〜４０μｍとされるのが望ましい。

【０１１７】さらに、支持体６０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望まし
い。

【０１１８】光導電層を形成するための支持体温度、ガ
ス圧等の条件は通常は独立的別々に決められるものでは
なく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互
的か有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【０１１９】［表面層］本発明においては、上記のよう
にして支持体６０１上に形成された光導電層６０３のさ
らに上に、表面層６０４を形成する。光導電層６０３を
成膜した後に、光導電層６０３と同様に、例えばグロー
放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイク
ロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流ＣＶ
Ｄ法等）スパッタリング法、イオンプレーティング法、
真空蒸着法等の数々の薄膜堆積法によって表面層を形成
することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、
設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子
写真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適
宜選択されて採用されるが、本発明の表面層を製造する
には、グロー放電法が好適である。

【０１２０】その際に支持体温度を成膜の進行に伴って
徐々に昇温させると共に、Ｓｉ原子含有原料ガスに対す
るＣ原子含有原料ガスの割合を増加させる。それに加え
て、印加するパワーを減少させることにより本発明の表
面層を得ることができる。

【０１２１】この表面層６０４は自由表面６０９を有
し、層厚方向の抵抗に対して最表面の面方向の抵抗が大
きく、かつ面方向でのムラを少なくすると共に硬度を向
上することにより、多極磁性材と磁性粉体を有する円筒
状の帯電部材に電圧を印加し該磁性粉体を像担持体であ
るところの電子写真用光受容部材に接触させて帯電させ
る形式に適し、耐久性と感度を向上させ、さらに耐湿
性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性において本発明の目的を達成するために設けられる。

【０１２２】この表面層６０４は、シリコン原子、炭素
原子の少なくとも一方を母体とした水素化非晶質材料で
構成された層である。

【０１２３】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン原子（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質として
は、ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等
のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層
作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＳ
ｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものとして挙げられる。
また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用して
もよい。

【０１２４】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄ ，Ｃ₂ Ｈ₂ ，Ｃ₂ Ｈ₆ ，Ｃ₃Ｈ₈ ，Ｃ₄ Ｈ₁₀等の
ガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用
されるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い
易さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＣＨ₄ ，Ｃ₂ Ｈ₂ ，
Ｃ₂ Ｈ₆ が好ましいものとして挙げられる。また、これ
らのＣ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。さら
に、本発明において、表面層６０４を形成する際に稀釈
ガスを使用する場合、稀釈ガスとしては、アルゴン（Ａ
ｒ），ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。

【０１２５】本発明による表面層６０４は、その要求さ
れる特性が所望の通りに与えられるように注意深く形成
される。すなわち、Ｓｉ，Ｃ，Ｈを構成要素とする物質
はその形成条件によって構造的には結晶からアモルファ
スまでの形態をとり、電気物性的には導電性から半導体
性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質から
非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明
においては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓ
ｉｘＣｙＨｚ）が形成されるように、所望にしたがって
その形成条件の選択が厳密になされる。

【０１２６】本発明では光導電層６０３の表面ａ−（Ｓ
ｉｘＣｙＨｚ）からなる表面層６０４を形成する際、層
形成中の支持体温度は、成膜の進行に伴って徐々に昇温
させることが重要である。

【０１２７】本発明における目的が効果的に達成される
ための表面層６０４を形成する際の支持体温度としては
表面層６０４の形成法に合わせて適時最適範囲が選択さ
れて、表面層６０４の形成が実行されるが、成膜初期の
温度が通常の場合、２００〜２７０℃とされるのが望ま
しいものである。表面層６０４の形成には、その成膜に
したがって少なくとも支持体温度を昇温させる必要があ
る。しかし、その昇温率は、２．０℃／ｍｉｎ以上にな
らないようにしなけらばならない。また、その昇温率
は、成膜終期において支持体温度が２７０〜４００℃の
間に入るように、成膜速度とも関連付けて適宜調節する
ことが望ましい。

【０１２８】昇温率が０℃／ｍｉｎ未満の場合には、最
表面での構造緩和が少なく、表面から数原子の層部分の
構造が稠密になり易くさらに面方向での構造の乱れが増
加する。その結果として表面層層厚方向の抵抗に対して
表面層の最表面の面方向の抵抗が小さい領域が生じてし
まい、硬度や感度と共に高次で両立することは困難であ
る。また、昇温率が２．０℃／ｍｉｎより大きくなる
と、、膜成長に対して温度変化が大きくなり過ぎるため
に、膜中に歪みを生じ易くなり、硬度不足のためドラム
傷や最悪の場合剥れが生じる等の初期特性の劣化が起こ
る。

【０１２９】成膜初期温度が２００℃より低くなると、
シリコン原子および／または炭素原子と水素原子が光導
電層表面での成長過程で最適な結合が成されにくくな
り、ダングリングボンドの多い部分が表面層光導電層界
面近傍に生じることになり、本発明の目的である透明度
と硬度を高次で両立させるということには不適である。
また、成膜初期温度が２７０℃より高くなると、残留電
位の上昇傾向が見られ、２９０℃よりも高温になるとさ
らにその傾向が強くなる。

【０１３０】また、成膜終期温度が２７０℃より低い本
発明の効果が得られないのは、表面層成膜表面でシリコ
ン原子および／または炭素原子のダングリングボンドへ
の結合が効果的になされずに、未結合手のままかあるい
は水素による補償や水素の取り込みが増加し水素含有量
の多い部分を生じ易くなることにより硬度の向上が認め
られないと考えられる。成膜終期温度が４００℃より高
くなると、硬度がやや低下する傾向を示し、耐久後のド
ラム表面には傷が目立つようになる。これは、成長表面
原子における水素終端の割合が低くなり、膜中に極微細
な孔をもつために硬度が落ちてくるものと考えられる。

【０１３１】層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に比べて比較的容易であること等
のためにグロー放電法やスパッタリング法の採用が有利
であるが、これらの層形成法で表面層６０４を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
パワー、ガス圧が作成されるａ−（ＳｉｘＣｙＨｚ）の
特性を左右する重要な因子の一つである。

【０１３２】本発明における目的が達成されるための特
性を有するａ−（ＳｉｘＣｙＨｚ）が効果的に作成され
るための放電パワー条件としては、グロー放電法におい
て支持体１個当たり、通常、１０〜８００Ｗ、好適には
２０〜５００Ｗとされるのが好ましい。そして、表面層
成膜初期は、５０〜５００Ｗとされるのが望ましいもの
である。成膜中に連続的に放電パワーを減少させること
が必要であるが、成膜最後において放電パワーが１０〜
４００Ｗの間に入るように、放電パワーの減少を適宜調
整することが望ましい。

【０１３３】印加電圧の周波数としては、通常はＤＣ〜
１０ＧＨｚ、好適には１ＭＨｚ〜５ＧＨｚ，最適には１
０ＭＨｚ〜３ＧＨｚとされるのが望ましい。さらに、こ
の範囲の周波数を複数同時に印加することも有効であ
る。

【０１３４】堆積室内のガス圧は通常０．００１〜３Ｔ
ｏｒｒ、好適には０．００５〜２Ｔｏｒｒ、最適には
０．０１〜１Ｔｏｒｒ程度されるのが望ましい。

【０１３５】本発明においては、表面層６０４を形成す
るための支持体温度、ガス圧、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、これら
の層形成ファクターは、独立的に別々に決められるもの
ではなく、所望特性のａ−（ＳｉｘＣｙＨｚ）からなる
表面層６０４が形成されるように相互的有機的関連性に
基づいて、各層形成ファクターの最適値が決められるの
が望ましい。

【０１３６】本発明の電子写真光湯用部材における表面
層６０４に含有されるシリコン原子、炭素原子、水素原
子の量は、表面層６０４の作製条件と同様、本発明の目
的を達成する所望の特性が得られる表面層６０４が形成
される重要な因子である。

【０１３７】すなわち、先のａ−（ＳｉｘＣｙＨｚ）の
表示で行えば本発明において効果を得るためにはｘが０
〜０．５、好適には０〜０．４５、最適には０〜０．
４、ｙは０．３〜１．０、好適には０．３５〜０．８
５、最適には０．４〜０．８、ｚは０．２０〜０．７、
好適には０．２５〜０．６であるのが望ましい。

【０１３８】本発明の電子写真用光受容部材における表
面層６０４に含有される水素原子の量は、構成原子の総
量に対して通常の場合４０〜７０原子％、好適には４０
〜６０原子％であるのが望ましい。これらの水素含有量
の範囲内で形成される光受容部材は、実際面において従
来にない格段に優れたものとして十分適用させ得るもの
である。

【０１３９】すなわち、ａ−（ＳｉｘＣｙＨｚ）で構成
される表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭
素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受容部材
としての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例
えば自由表面６０９から電荷の注入による帯電特性の劣
化や、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変
化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時
や光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、
前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより
繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として
挙げられる。

【０１４０】しかしながら表面層内の水素含有量を４０
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、前記問題点は全て解消し、従来に比べ
て電気的特性面および高速連続使用性において飛躍的な
向上が図れることができる。

【０１４１】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられない。したがって、表面層中の水素
含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所
望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１つで
ある。表面層中の水素含有量は、Ｈ₂ ガスの流量、支持
体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。

【０１４２】さらに本発明の表面層中に弗素原子を微量
含有させることも、耐環境性、耐久性に対して効果を示
し、特に水分の吸着防止に対して有効である。表面層中
の弗素含有量を１原子％以上の範囲に制御することで表
面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効
果的に達成することが可能となる。さらに、膜中の弗素
原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン
原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することが
可能となる。

【０１４３】一方、表面層中の弗素含有量が７０原子％
を越えると表面層内の構成原子同志（ｅｘ．ＳｉとＳｉ
とＳｉ，ＣとＣ）の結合の切断を防止する効果がほとん
ど認められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層
中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像
メモリーが顕著に認められてくる。したがって、表面層
中の弗素含有量を１原子％以上７０原子％以下の範囲内
に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性を得
る上で非常に重要な因子の１つである。表面層中の弗素
含有量は、四弗素化珪素、四弗化炭素等の弗素原子含有
ガスの流量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によっ
て制御し得る。

【０１４４】また、本発明では表面層６０４中に前記の
原子以外に微量（１原子％以下）であれば他のいかなる
原子を含有することも可能である。

【０１４５】本発明では、表面層中の炭素原子の結合状
態が非常に重要な構成要素となっている。本発明が効果
を得るためには、炭素原子の結合がＳＰ３結合のものが
全炭素原子２０％以上、１００％以下にすることがより
効果的である。

【０１４６】表面層中の組成および結合の状態が上述の
範囲からはずれると、表面層の強度、透明度、耐久性、
耐候性等の面でいずれかの弊害が発生すると同時に、本
発明の効果も大幅に低下してしまう。

【０１４７】本発明は、シリコン原子を含む場合には、
炭素原子との結合を少なくとも１つもつシリコン原子が
表面層中のシリコン原子の５０％以上１００％以下、好
ましくは６０％以上、１００％以下であることが望まし
い。最表面では７０％以上、１００％以下になるように
表面層中で分布させる上で、なおかつ最表面に向かって
炭素原子の含有量が増加するように設計する場合に最も
有効であり、本発明の効果を顕著に示すものである。

【０１４８】本発明における表面層６０４の膜厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成するように所期の
目的に応じて適宜所望にしたがって決められる。

【０１４９】また表面層６０４の膜厚は、光導伝層６０
３の層厚との関係においても、各の層領域に要求された
特性に応じた有機的な関連性のもとに所望にしたがって
適宜決定される必要がある。さらに加え得るに、生産性
や量産性を加味した経済性の点においても考慮されるの
が望ましい。

【０１５０】本発明における表面層６０４の層厚として
は、通常５００オングストローム〜１０μｍ、好適には
８００オングストローム〜５μｍ、最適には１０００オ
ングストローム〜２μｍとされるのが望ましいものであ
る。すなわち、５００オングストロームよりも薄いと本
発明の効果が十分に得られず、さらに光受容部材を使用
中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまう場合も
ある。また、層厚が１０μｍを越えると残留電位の増加
等の電子写真特性の低下が見られる。

【０１５１】本発明における電子写真用光受容部材６０
０の光導電層の層厚としては、目的に適合させて所望に
したがって適宜決定される。

【０１５２】本発明においては、光導電層６０３と表面
層６０４の層厚の和は、光導電層６０３と表面層６０４
に付与される特性が有効に生かされて本発明の目的が効
果的に達成されるように光導電層６０３と表面層６０４
との層厚関係において適宜所望にしたがって決められる
ものであり、好ましくは、表面層６０４の膜厚に対して
光導電層６０３の層厚が数〜数千倍、好適には数十〜数
百倍となるようにされるのが好ましいものである。

【０１５３】また、本発明の表面層６０４と光導電層６
０３との間に炭素原子含有量が光導電層６０３に向かっ
て大きく減少するように変化する領域を設けてもよい。
これにより表面層と光導電層の界面での反射光による干
渉の影響をより少なくすることができる。

【０１５４】［電荷注入阻止層］本発明の画像形成装置
用光受容部材においては、導電性支持体と光導電層との
間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働き
のある電荷注入阻止層を設けるのが、一層効果的であ
る。すなわち、電荷注入阻止層は感光層が一定極性の帯
電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導電
層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の
極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮さ
れない、いわゆる極性依存性を有している。

【０１５５】そのような機能を付与するために、電荷注
入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に較べ比
較的多く含有させる。該層に含有される伝導性を制御す
る原子は、該層中に万遍なく均一に分布されてもよい
し、あるいは層厚方向には万遍なく含有されていはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く
分布するように含有させるのが好適である。いずれの場
合にも支持体の表面と平行面の方向においては、均一な
分布で万遍なく含有されることが面方向における特性の
均一化を図る点からも必要である。

【０１５６】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、「第III 族原子」または「第Ｖ
族原子」を用いることができる。

【０１５７】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは
０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが
望ましい。

【０１５８】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面
層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層
作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【０１５９】また、本発明の画像形成装置用光受容部材
においては、支持体６０１と光導電層６０３あるいは電
荷注入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を図る
目的で、例えば、Ｓｉ₃ Ｎ₄ ，ＳｉＯ₂ ，ＳｉＯ，ある
いはシリコン原子を母体とし、水素原子および／または
ハロゲン原子と、炭素原子および／または酸素原子およ
び／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される
密着層を設けてもよい。さらに、前述のごとく、支持体
からの反射光による干渉模様の発生を防止するために光
吸収層を設けてもよい。

【０１６０】以上述べてきた、課題を解決するための手
段および作用を単独、組み合わせて用いることにより、
優れた効果を引き出すことが可能である。

【０１６１】図５（ａ）〜（ｄ）にその例を示す。図２
の１０２は像担持体である感光体ドラムであり、矢印Ｘ
の時計方向に所定の周速度（プロセススピード）にて回
転駆動されるドラム型の電子写真用光受容部材である。

【０１６２】該光受容部材の表面層の膜厚方向の抵抗値
は、その電荷保持能、帯電効率等の電気的特性を良好に
有し、電圧により表面層が損傷する、いわゆるピンホー
ルリークを防止するために、１×１０¹⁰〜５×１０¹³Ω
ｃｍなる抵抗を有することが望ましい。より好ましくは
１×１０¹²〜５×１０¹³Ωｃｍである。該抵抗値の測定
はＨＩＯＫＩ社製のＭΩテスター２５０〜１ｋＶの印加
電圧における測定にて行った。

【０１６３】１０１は前記帯電キャリアを用いた接触型
帯電部材であり、多極磁性体およびその面上に形成した
帯電キャリアよりな成るブラシ層とからなる。該ブラシ
層は、前述のごとくＣｕ−Ｚｎ系フェライトやＭｎ−Ｚ
ｎ系のフェライト等の磁性フェライトや磁性マグネタイ
ト、ピロール等の樹脂中に磁性粉体を分散させたもの、
磁性トナーのキャリア等の磁性粒子を含む帯電キャリア
で構成される。

【０１６４】該帯電部材１０１のブラシ層の抵抗値は、
図４で示されるように良好な帯電効率を保持するため、
さらにピンホール防止のためにＨＩＯＫＩ社（メーカ
ー）製のＭΩテスターで２５０〜１ｋＶの印加電圧にお
ける測定にて、１×１０³ 〜１×１０¹²Ωｍなる抵抗を
有することが好ましい。より好ましくは１×１０⁴ 〜１
×１０⁹ Ωｍである。

【０１６５】帯電部材１０１には不図示の電圧印加手段
が付随し、該電圧印加手段により直流電圧Ｖｄｃあるい
は交流を重畳した電圧Ｖｄｃ＋Ｖａｃが帯電部材の帯電
キャリアからなるブラシ層に印加されて、回転駆動され
ている光受容部材１０２の外周面が均一に帯電される。

【０１６６】像担持体であるところの光受容部材１０２
と接触帯電部材１０１の最近接間隙は、そのニップ制御
のために５０〜２０００μｍの範囲にスペーサー（不図
示）等安定的に設定されることが好ましく、より好まし
くは１００〜１０００μｍである。その他にニップ調整
用の機構を設けてもよい。

【０１６７】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザービームプリンター光等の、画像信号付与手段１
０３が走査されることによって該感光ドラム上に静電潜
像が形成される。この潜像は、トナー等の現像剤が塗布
された現像スリーブ１０４によって顕画像化された後、
転写材Ｐ上に転写装置１０６（ａ）を介して転写される
転写残トナーは、クリーニングブレード１２０によって
感光ドラム上から除去されると共に該転写像は、不図示
の定着装置によって定着された後、出力される。

【０１６８】実験例１図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形成装置用光受
容部材の製造装置を用いて、直径１０８ｍｍのサンプル
ホルダーにガラス基板（コーニング社７０５９）をセッ
トし、表１に示す条件で種々の表面層を作製した。サン
プル上にＣｒの櫛型電極を蒸着して面方向抵抗を測定し
た。

【０１６９】

【表１】

【０１７０】

【表２】実験例２図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形成装置用光受
容部材の製造装置を用いて、直径１０８ｍｍのサンプル
ホルダーにガラス基板（コーニング社７０５９）をセッ
トし、表３に示す条件で種々の表面層を作製した。サン
プル上にＣｒ櫛型電極を蒸着して面方向抵抗を測定し
た。

【０１７１】

【表３】

【０１７２】

【表４】以上実験例１，２に結果より、支持体温度が３００℃を
越えると抵抗が下降し、Ｓｉ原子含有原料ガスに対する
Ｃ原子含有原料ガスの割合が増加することで抵抗が上昇
する傾向を示している。また、印加するパワーが小さい
方が抵抗が大きいこともわかった。

【０１７３】［実験例３］図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による画像形成装置用光受容部材の製造装置を用い、直
径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
ー上に、表５に示す条件で種々の表面層を成膜した。ガ
ス流量、支持体温度および放電パワーの変化は、成膜開
始と共に成膜終了まで滑らかに連続的に変化させた。そ
の後、表面層上にＣｒを蒸着して層厚方向の抵抗を測定
した。

【０１７４】また、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施した
アルミニウムシリンダー上に、表７に示す条件で電荷注
入阻止層、光導電層を作製し、さらに表５の表面層から
なる光受容部材を作製した。

【０１７５】

【表５】

【０１７６】

【表６】以上の結果より、層厚方向の抵抗値に対して、面方向の
抵抗値が大きくなるようにするためには、支持体温度を
成膜の進行に伴って少なくとも徐々に昇温させるか、Ｓ
ｉ原子含有原料ガスに対するＣ原子含有原料ガスの割合
を増加させる、と同時に印加するパワーを減少させるこ
とにより達成できることがわかった。

【０１７７】

【表７】作製した感光体を従来のコロナ帯電方式の画像形成装置
（キャノン製ＮＰ６０６０をテスト用に改造）にセット
し、帯電能の温度依存性（温度特性）、メモリーならび
に画像欠陥を評価した。

【０１７８】温度特性は、感光体の温度を室温から約４
５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当
たりの帯電能の変化を測定し、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合格
と判定した。

【０１７９】また、メモリー、画像欠陥および画像流れ
については、画像を目視により判定し、１：非常に良
好、２：良好、３：実用上問題なし、４：実用上やや難
ありの４段階にランク分けした。

【０１８０】残留電位を測定し、表面層の電気特性を評
価した。１５Ｖ以下を１：非常に良好、２５Ｖ以下を
２：良好、５０Ｖ未満を３：実用問題なし、５０Ｖ以上
を４：実用上やや難ありの４段階にランク分けした。

【０１８１】評価結果は表８に示す。

【０１８２】

【表８】従来のコロナ帯電方式では、全ての評価において良好な
特性を示した。

【０１８３】画像欠陥に関してＳｉＨ₄ ／ＣＨ₄ 比の小
さいものがややその他ものに比べて画像欠陥が生じ易い
傾向を示した。

【０１８４】またさらに、光導電層のＳｉＨ₄ ，Ｈ₂ 等
のガス流量およびＲＦパワー、内圧、支持体温度を種々
変化させて、３−Ｃの表面層を積層させた電子写真用光
受容部材を作製し、温度特性およびメモリーについて評
価した。またドラムとは別に、その光導電層と同じ処方
でガラス基板（コーニング社製７０５９）上に堆積さ
せ、指数関数裾の特性エネルギー局在状態密度について
測定した。

【０１８５】そして、温度特性ランクと指数関数裾の特
性エネルギーとの関係について評価した。評価結果は図
６に示す。

【０１８６】温度特性は、感光体の温度を室温から約４
５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当
たりの帯電能の変化を測定し、１Ｖ／ｄｅｇ以下のラン
ク１、２Ｖ／ｄｅｇ以下をランク２、５Ｖ／ｄｅｇ以下
のランク３、５Ｖ／ｄｅｇ以上をランク４と評価した。

【０１８７】次に作製した光受容部材、帯電部材を図２
に示したような画像形成装置にセットして環境対策ヒー
ター１２２はＯＦＦにして帯電能の温度依存性（温度特
性）、メモリーならびに画像欠陥を評価した。

【０１８８】帯電部材１００への印加電圧条件は、６０
０Ｖｄｃ。プロセススピードは２５０ｍｍ／ｓｅｃで行
った。また、磁気ブラシすなわち帯電部材は光受容部材
と同方向、すなわち光受容部材との当接面で反対方向に
進行するように６０ｒｐｍの回転速度で回転させた（当
接面では各々逆方向に進行している）。

【０１８９】また、帯電部材中の帯電キャリア量の変化
による画質への影響を分離するため、ニップ幅等の帯電
部材条件を一定にするように、耐久中に適宜帯電キャリ
アの補給を行った。

【０１９０】温度特性は、光受容部材の温度を室温から
約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１
℃当たりの帯電能の変化を測定し、２Ｖ／ｄｅｇ以下を
合格と判定した。

【０１９１】また、メモリー、画像欠陥および画像流れ
については、画像を目視により判定し、１：非常に良
好、２：良好、３：実用上問題なし、４：実用上やや難
ありの４段階にランク分けした。

【０１９２】また、画像濃度が薄くぼやけた領域の比率
を調べるために、高湿環境下での画像流れを起こす面積
を測定し、光受容部材の面積に占める割合の大きさで評
価した。１：常に良好（５％未満）、２：良好（５％〜
１０％未満）、３：実用上問題なし（１０％〜２０％未
満）、４：実用上難あり（２０％以上）の４ランクに分
けた。

【０１９３】残留電位を測定し、表面層の電気特性を評
価した。１５Ｖ以下を１：非常に良好、２５Ｖ以下を
２：良好、５０Ｖ未満を３：実用上問題なし、５０Ｖ以
上を４：実用上やや難ありの４段階にランク分けした。

【０１９４】さらに、帯電効率として磁気ブラシの印加
電圧に対する帯電０．３秒後の光受容部材の帯電電位の
割合で評価した。１：９０％以上、２：８０％以上、
３：７０％以上の３ランクとした。評価結果は表９に示
す。

【０１９５】

【表９】この実験から、表面層層厚方向の抵抗値に対する該表面
層の最表面の面方向の抵抗値の比が１０〜１０００にす
ることが本発明の効果を得るためにより有効であること
がわかった。１０未満では本発明の効果が現われない。
また、１０００以上になると表面層部分での残留電位が
大きくなってくる。

【０１９６】使用した接触型帯電部材１０１の条件を以
下に示す。

【０１９７】多極磁性体は、該ローラー状多極磁性体に
前記の帯電キャリアを付着した状態でφ２２ｍｍのロー
ラ状になるように構成した。その磁力線密度は前述のご
とく制御される。本実施例では磁極数１２極、時局部表
面での磁力線密度は前述の如き測定にて１０００〜３０
００Ｇａｕｓｓのものを作製した。

【０１９８】ブラシ層は、５乃至２５μｍの磁性酸化鉄
等と１乃至５μｍの小粒径マグ等の磁性粉を、所定の比
で混合したものを帯電キャリアとして使用した。該帯電
キャリアは前述のごとく、一般にトナーに利用される周
知のキャリアと同成分のものでもよいし、複数の成分を
混合して使用してもよい。また、その粒径は均一であっ
ても、また異なる粒径のものを混合して用いてもよい。

【０１９９】また、本実施例ではニップ幅を６乃至７ｍ
ｍとした。

【０２００】実験例４図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形成装置用光受
容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を
施したアルミニウムシリンダー上に、表１０に示す条件
で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部
材を作製した。表面層の成膜において、ガス流量、支持
体温度および放電パワーの変化は、成膜開始と共に成膜
終了まで滑らかに連続的に変化させた。

【０２０１】さらに光導電層のＳｉＨ₄ とＨ₂ との混合
比ならびに放電電力を変えることによって、種々の光受
容部材を作製した。

【０２０２】また、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施した
アルミニウムシリンダー上に表面層だけを成膜し、その
後Ｃｒを表面に蒸着した。

【０２０３】円筒形のサンプルホルダーに設置したガラ
ス基板（コーニング社７０５９）に最表面層部分の膜を
成膜し、Ｃｒの櫛型電極を蒸着した。

【０２０４】作製した光受容部材は実験例３で用いた画
像形成装置にセットして実験例３と同様の評価をした。
耐久性も確認するために一万枚の通紙後に再度評価し
た。耐久後の帯電効率の変化から帯電安定性を評価し
た。１：安定性良好、２：実用上問題なし、３：実用上
やや難ありの３段階にランク分けした。評価結果を表１
１に示す。

【０２０５】

【表１０】表面層の抵抗値の層厚方向、面方向を測定した結果、層
厚方向の抵抗値は７．５６×１０¹²Ωｃｍで、面方向の
抵抗値は１．２７×１０¹⁵Ωｃｍであった。

【０２０６】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が１６８であっ
た。

【０２０７】以下に説明は光導電層の膜特性を調べる方
法である。

【０２０８】一方、円筒状のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板（コーニング社７０５９）とＳｉウェハー
上に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜
を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの櫛型電極
を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー
（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウェハー上の堆積膜はＦＴＩＲ
により含有水素量を測定した。

【０２０９】いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３
０原子％の間の範囲にあることがわかった。

【０２１０】光受容部材の条件は、ａ：Ｅｕは４７ｍｅＶｂ：Ｅｕは５０ｍｅＶｃ：Ｅｕは５２ｍｅＶｄ：Ｅｕは５５ｍｅＶｅ：Ｅｕは５８ｍｅＶｆ：Ｅｕは６４ｍｅＶである。

【０２１１】

【表１１】また、表１１の結果から、耐久前後で電子写真用光受容
部材の特性画像共に差は見られなかった。

【０２１２】また、サブバンドギャップ光吸収スペクト
ルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０〜６
０ｍｅＶであることが電子写真特性に対して好適条件で
あることが判明した。

【０２１３】なお、６００Ｖｄｃ印加で帯電直後でＴＲ
ｅｋ社（メーカー）製表面電位計にて測定したところ、
暗状態電位も耐久前後で差は認められなかった。

【０２１４】実験例５本例では、実験例４の表面層に変えて、表面層成膜時の
ガス流量においてＳｉＨ₄ ガスの流量は一定でＣＨ₄ ガ
スの流量だけを変化させた。その他は実験例４と同様に
した。表１２に、このときの電子写真用光受容部材の作
製条件を示した。その他は実験例４と同様にした。

【０２１５】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は５．５８×１０¹¹Ωｃｍ
で、面方向の抵抗値は３．３２×１０¹⁴Ωｃｍであっ
た。

【０２１６】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が５９５であっ
た。

【０２１７】光電導層の物性は水素含有量は２６．７原
子％でＥｕは５７．４ｍｅＶであった。作製した光受容
部材を実験例３と同様にして、光受容部材、帯電部材を
図２に示したような画像形成装置にセットして環境対策
ヒーター１２２はＯＦＦにして帯電能の温度依存性（温
度特性）、メモリーならびに画像欠陥を評価した。

【０２１８】帯電部材１０１へ印加電圧条件は、６００
Ｖｄｃ。プロセススピードは２５０ｍｍ／ｓｅｃで行っ
た。また、磁気部ブラシすなわち帯電部材は光受容部材
と同方向、すなわち光受容部材との当接面で反対方向に
進行するように６０ｒｐｍの回転速度で回転させた（当
接面では各々逆方向に進行している）。

【０２１９】また、帯電部材中の帯電キャリア量の変化
による画質への影響を分離するため、ニップ幅等の帯電
部材条件を一定にするように、耐久中に適宜帯電キャリ
アの補給を行った。

【０２２０】温度特性は、光受容部材の温度を室温から
約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１
℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下
を合格とした。

【０２２１】また、メモリー、画像欠陥および画像流れ
については、画像を目視により判定し、１：非常に良
好、２：良好、３：実用上問題なし、４：実用上やや難
ありの４段階にランク分けした。

【０２２２】また、画像濃度が薄くぼやけた領域の比率
を調べるために、高湿環境下での画像流れを起こす面積
を測定し、光受容部材の面積に占める割合の大きさで評
価した。１：常に良好（５％未満）、２：良好（５％〜
１０％未満）、３：実用上問題なし（１０％〜２０％未
満）、４：実用上難あり（２０％以上）の４ランクに分
けた。

【０２２３】残留電位を測定し、表面層の電気特性を評
価した。１５Ｖ以下を１：非常に良好、２５Ｖ以下を
２：良好、５０Ｖ未満を３：実用上問題なし、５０Ｖ以
上を４：実用上やや難ありの４段階にランク分けした。
帯電部材は実験例３で用いたものと同様のものである。
評価結果は表１３に示す。

【０２２４】

【表１２】

【０２２５】

【表１３】すなわち、表面層のＣＨ₄ ガス流量だけを変化させＣＨ
₄ ／ＳｉＨ₄ を変化させた場合においても、本発明の表
面層の効果が得られ良好な電子写真特性が得られること
がわかった。

【０２２６】

【実施例】以下の実施例では、さまざまな光導電層や電
荷注入阻止層、中間層等を用いた層構成の異なる光受容
部材に対しても、本発明の表面層が効果を示すが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。

【０２２７】実施例１本例では、実験例４の表面層に変えて、表面層成膜時の
ガス流量においてＣＨ ₄ ガスの流量は一定でＳｉＨ₄ ガ
ス流量だけを変化させた。その他は実験例５と同様にし
た。表１４に、このときの電子写真用光受容部材の作製
条件を示した。その他は実験例４と同様にした。

【０２２８】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は６．８７×１０¹¹Ωｃｍ
で、面方法の抵抗値は３．１４×１０¹³Ωｃｍであっ
た。

【０２２９】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が４５．７であ
った。

【０２３０】光導電層の物性は水素含有量は２５．４原
子％で、Ｅｕは５６．４ｍｅＶであった。

【０２３１】作製した光受容部材を実験例５と同様の評
価をしたところ実験例５と同様に良好な電子写真特性が
得られた。

【０２３２】すなわち、表面層にＳｉＨ₄ ガス流量だけ
変化させＣＨ₄ ／ＳｉＨ₄ 比を変化させた場合において
も、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子写真特性
がえられることがわかった。

【０２３３】

【表１４】実施例２本例では、光導電層と表面層の間に中間層を設けて、電
荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層からなる光受
容部材を作製した。その他は実験例４と同様にした。表
１５に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を
示した。その他は実験例５と同様にした。

【０２３４】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は５．５８×１０¹¹Ωｃｍ
で、面方向の抵抗値は３．３２×１０¹³Ωｃｍであっ
た。

【０２３５】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が５９．５であ
った。

【０２３６】光導電層の物性は水素含有量は２４．８原
子％で、Ｅｕは５８．２ｍｅＶであった。

【０２３７】作製した光受容部材を実験例５と同様の評
価をしたところ実験例５と同様に良好な電子写真特性が
得られた。

【０２３８】すなわち、中間層を設けた場合において
も、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子写真特性
が得られることが判った。

【０２３９】

【表１５】実施例３本例では、表面層ガス流量、支持体温度および放電パワ
ーを層厚方向に２段階で変化させて表面層を設けた。表
１６に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を
示した。その他は実験例５と同様にした。

【０２４０】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は９．２６×１０¹¹Ωｃｍ
で、面方向の抵抗値は３．７１×１０¹³Ωｃｍであっ
た。

【０２４１】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が４０１であっ
た。

【０２４２】光導電層の物性は水素含有量は２５．４原
子％で、Ｅｕは５９．７ｍｅＶであった。

【０２４３】作製した光受容部材を実験例５と同様の評
価をしたところ実験例５と同様に良好な電子写真特性が
得られた。

【０２４４】すなわち、表面層のガス流量、支持体温度
および放電パワーを層厚方向に２段階で変化させた場合
においても、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子
写真特性が得られることがわかった。

【０２４５】

【表１６】実施例４本例では、実施例３の表面層に変えて、フッ素原子を含
有させた表面層を設けた。表１７に、このときの電子写
真用光受容部材の作製条件を示した。その他は実験例５
と同様にした。表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測
定した結果、層厚方向の抵抗値は７．７６×１０¹¹Ωｃ
ｍで、面方向の抵抗値は８．５２×１０¹³Ωｃｍであっ
た。

【０２４６】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が１１０であっ
た。

【０２４７】光導電層の物性は水素含有量は２４．４原
子％で、Ｅｕは５５．４ｍｅＶであった。

【０２４８】作製した光受容部材を実験例５と同様の評
価をしたところ実験例５と同様に良好な電子写真特性が
得られた。すなわち、表面層にフッ素原子を含有させた
場合においても、本発明の表面層の効果が得られ良好な
電子写真特性が得られることがわかった。

【０２４９】

【表１７】実施例５本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体か
らの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸
収層としてＩＲ吸収層を設けた。表１８に、このときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実
験例５と同様とした。

【０２５０】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は４．１９×１０¹²Ωｃｍ
で、面方向の抵抗値は３．８３×１０¹⁴Ωｃｍであっ
た。表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する該表面層
の最表面の面方向の抵抗値の比が９４．１であった。

【０２５１】光導電層の物性は水素含有量は２４．９原
子％で、Ｅｕは５４．１ｍｅＶであった。

【０２５２】作製した光受容部材を実験例５と同様の評
価をしたところ実験例５と同様に良好な電子写真特性が
得られた。

【０２５３】すなわち、ＩＲ吸収層を設けた場合におい
ても、本発明の表面層の効果が得らの比が１１０であっ
た。

【０２５４】光導電層の物性は水素含有量は２４．４原
子％で、Ｅｕは５５．４ｍｅＶであった。

【０２５５】作製した光受容部材を実験例５と同様の評
価をしたところ実験例５と同様に良好な電子写真特性が
得られた。

【０２５６】すなわち、表面層にフッ素原子を含有させ
た場合においても、本発明の表面層の効果が得られ良好
な電子写真特性が得られることがわかった。

【０２５７】

【表１８】実施例５本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体か
らの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸
収層としてＩＲ吸収層を設けた。表１８に、このときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実
験例５と同様とした。

【０２５８】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は４．１９×１０¹²Ωｃｍ
で、面方向の抵抗値は３．８３×１０¹⁴Ωｃｍであっ
た。

【０２５９】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が９４．１であ
った。

【０２６０】光導電層の物性は水素含有量は２４．９原
子％で、Ｅｕは５４．１ｍｅＶであった。

【０２６１】作製した光受容部材を実験例５と同様の評
価をしたところ実験例５と同様に良好な電子写真特性が
得られた。

【０２６２】すなわち、ＩＲ吸収層を設けた場合におい
ても、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子写真特
性が得られることがわかった。

【０２６３】

【表１９】実施例６本例では、電荷注入阻止層は削除し、光導電層として炭
素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の
層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域と連
続して形成した。表１９に、このときの電子写真用光受
容部材の作製条件を示した。他の点は実施例８と同様と
した。

【０２６４】作製した電子写真用光受容部材を実験例５
と同様の評価をしたところ実験例５と同様に良好な電子
写真特性が得られた。

【０２６５】すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導
電層として炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含
有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２
の層領域と連続して形成した場合においても、本発明の
表面層の効果が得られ良好な電子写真特性が得られるこ
とがわかった。

【０２６６】

【表２０】実施例７本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有
量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設ける
と同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と
電荷発生層の２層化を図り設けた。表２０にこのときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。

【０２６７】他の点は実験例５と同様とした。

【０２６８】作製した電子写真用光受容部材を実験例５
と同様の評価をしたところ実験例５と同様に良好な電子
写真特性が得られた。

【０２６９】すなわち、光導電層と表面層との間に、炭
素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面
層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、
電荷輸送層と電荷発生層の２層化を図り設けた場合にお
いても、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子写真
特性が得られることがわかった。

【０２７０】

【表２１】

【０２７１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は層厚方向
の抵抗値に対して、表方向の抵抗値が大きくなるように
表面層を設計することにより、磁気粉体をブラシとして
用いた帯電装置に対しての、帯電効率および帯電安定性
が大幅に向上し、帯電時の電荷が最表面でドリフトする
ことによる画像濃度の変化を低減することができた。

【０２７２】また、最表面の面方向の抵抗が表面層層厚
方向の抵抗のおよそ１０〜１０００倍になるようにする
ことにより、画像濃度が薄くぼやけた領域がほとんど発
生することもなく、高湿環境下での画像流れの問題も改
善できた。

【０２７３】また、安定性、耐久性が向上した本発明の
表面層により、さらに温度特性や電気的特性を向上させ
た新規な光受容部材を組み合わせることにより、夜間通
電無し、省エネルギー、高画質保持のまま、高湿画像流
れの除去が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の帯電装置の配置、構成を説明するため
の模式的構成図である。（ａ）は断面図、（ｂ）は正面
から見た図である。

【図２】本発明の帯電装置、画像形成装置の好適な実施
態様の一例の構成を説明するための模式的構成図であ
る。

【図３】本発明の画像形成装置用光受容部材の光受容層
を形成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用い
たグロー放電法による画像形成装置用光受容部材の製造
装置の模式的説明図である。

【図４】本発明の帯電部材の抵抗値および帯電効率の関
係を示す図である。

【図５】本発明の画像形成装置用光受容部材の好適な実
施態様例の層構成を説明するための模式的層構成図であ
る。

【図６】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度
特性との関係を示す図である。

【符号の説明】

１００接触型帯電部材１０１−１磁気ブラシ層１０１−２多極磁性体（マグローラー）１０２Ａスペーサー１０３Ａ電子写真用光受容部材１０２電子写真用光受容部材１０３画像信号付与手段１０４現像スリーブ１０５転写紙供給系１０６（ａ）転写帯電器１０６（ｂ）分離帯電器１０７クリーナー１０８搬送系１０９除電光源１１０ランプ１１１原稿台ガラス１１２原稿１１３〜１１６ミラー１１７レンスユニット１１８レンズ１１９（ペーパー）転写材ガイド１２０クリーニングブレード１２１レジストローラー１２２環境対策ヒーターＰ転写材（コピー用紙等）３１００堆積装置３１１１反応容器３１１２円筒状支持体３１１３支持体加熱用ヒーター３１１４原料ガス導入管３１１５マチングボックス３１１６原料ガス配管３１１７反応容器リークバルブ３１１８メイン排気バルブ３１１９真空計３２００原料ガス供給装置３２１１〜３２１６マスフローコントローラ３２２１〜３２２６原料ガスボンベ３２３１〜３２３６原料ガスボンベバルブ３２４１〜３２４６ガス流入バルブ３２５１〜３２５６ガス流出バルブ３２６１〜３２６６圧力調整器６００光受容部材６０１支持体６０２感光層６０３光導電層６０４表面層６０５中間層６０６電荷注入阻止層６０７電荷発生層６０８電荷輸送層６０９自由表面図２について、さらに詳しく述べる。図２は複写機の画
像形成プロセスの一例を示す概略図であって、矢印Ｘ方
向に回転する、面状内面ヒーター１２２によって温度コ
ントロールされた、感光体１０２の周辺には、主帯電器
１０１、静電潜像形成部位１０３、現像器１０４、転写
紙供給系１０５、転写帯電器１０６（ａ）、分離帯電器
１０６（ｂ）、クリーナー１０７、搬送系１０８、除電
光源１０９等が配設されている。以下、さらに具体例を
もって画像形成プロセスを説明すると、感光体１０２は
＋６〜８ｋＶの高電圧を印加した主帯電器１０１により
一様に帯電され、これに静電潜像形成部位、すなわちラ
ンプ１１０から発した光が原稿台ガラス１１１上に置か
れた原稿１１２に反射し、ミラー１１３，１１４，１１
５を経由し、レンズユニット１１７のレンズ１１８によ
って結像され、ミラー１１６を経由し、導かれ投影され
た静電潜像が形成される。この潜像に現像器１０４から
ネガ極性トナーが供給されてトナー像となる。一方、転
写紙供給系１０５を通って、レジストローラ１２１によ
って先端タイミングを調整され、感光体方向に供給され
る転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高圧電圧を印加した転写帯
電器１０６（ａ）と感光体１０２の間隙において背面か
ら、トナーとは反対極性の正電界を与えられ、これによ
って感光体表面のネガ極性トナー像は転写材Ｐに転移す
る。１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、３００〜６００Ｈｚの高圧
ＡＣ電圧を印加した分離帯電器１０６（ｂ）により、転
写材Ｐは転写紙搬送系１０８を通って定着装置１２４に
至り、トナー像は定着されて装置外に排出される。感光
体１０１上に残留するトナーはクリナーユニット１０７
のクリーニングブレード１２０によってかき落され、残
留する静電潜像は除電光源１０９によって消去される。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも非単結晶シリコン系の材料で
構成された光導電層と、シリコン原子、炭素原子の少な
くとも一方を母体とした表面層とを有する電子写真用光
受容部材において、該表面層の層厚方向の抵抗値に対し
て、該表面層の最表面の面方向の抵抗値が大きいことを
特徴とする電子写真用光受容部材。
【請求項２】前記表面層の表面層層厚方向の抵抗値に
対する該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が１０〜
１０００であることを特徴とする請求項１に記載の電子
写真用光受容部材。
【請求項３】前記表面層の層厚方向の抵抗値が１×１
０¹⁰〜５×１０¹³Ωｃｍであることを特徴とする請求項
１に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項４】前記表面層の最表面の面方向の抵抗値が
１×１０¹²〜２×１０¹⁵Ωｃｍであることを特徴とする
請求項１に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項５】前記光導電層が１０〜３０原子％の水素
原子を含有し、該光導電層の少なくとも光の入射する部
分における光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の
特性エネルギーが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の電子写真用光受容部
材。
【請求項６】前記光導電層中に周期律表第III ｂ族ま
たは第Ｖｂ族に属する元素の少なくとも一つを含むこと
を特徴とする請求項５に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項７】前記光導電層中に炭素、酸素、窒素の少
なくとも一つを含むことを特徴とする請求項５または６
に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項８】前記光受容層がシリコン原子を母体とす
る非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の表面
上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含む
シリコン系非単結晶材料から成る表面層とから構成され
ることを特徴とする請求項５乃至６のいずれか１項に記
載の電子写真用光受容部材。
【請求項９】前記光受容層が、シリコン原子を母体と
し炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表第
III ｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくとも
一つを含む非単結晶材料から成る電荷注入阻止層と、該
電荷注入阻止層の表面上に設けた、シリコン原子を母体
とする非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の
表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを
含むシリコン系非単結晶材料から成る表面層とから構成
されることを特徴とする請求項５乃至６のいずれか１項
に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項１０】前記光導電層の層厚が２０〜５０μｍ
である請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子写真
用光受容部材。
【請求項１１】少なくとも多極磁性材と磁性粉体を有
する円筒状の帯電部材に電圧を印加し、該磁性粉体を像
担持体であるところの電子写真用光受容部材に接触させ
て帯電し、該電子写真用光受容部材上に静電潜像を形成
し、これをトナーによって顕画像化する画像形成装置に
おいて、該電子写真用光受容部材として請求項１乃至１０項いず
れか１項に記載の電子写真光受容部材を用いることを特
徴とする画像形成装置。
【請求項１２】少なくとも多極磁性材と磁性粉体を有
する円筒状の帯電部材に電圧を印加し、該磁性粉体を像
担持体であるところの電子写真用光受容部材に接触させ
て帯電し、該電子写真用光受容部材上に静電潜像を形成
し、これをトナーによって顕画像化する画像形成方法に
おいて、該電子写真用光受容部材が請求項１乃至１０項いずれか
１項に記載光受容部材であることを特徴とする画像形成
方法。