JPH10314980A - はんだ材料 - Google Patents

はんだ材料

Info

Publication number
JPH10314980A
JPH10314980A JP12444597A JP12444597A JPH10314980A JP H10314980 A JPH10314980 A JP H10314980A JP 12444597 A JP12444597 A JP 12444597A JP 12444597 A JP12444597 A JP 12444597A JP H10314980 A JPH10314980 A JP H10314980A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
weight
composition ratio
wettability
solder material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12444597A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoko Takeda
直子 武田
Kazutaka Haniyu
和隆 羽生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP12444597A priority Critical patent/JPH10314980A/ja
Publication of JPH10314980A publication Critical patent/JPH10314980A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度特性、濡れ性、機械的特性に優れ、また
安価な無鉛はんだ材料を提供する。 【解決手段】 Sn−Bi−Ag系合金にCu,Inを
添加したSn−Bi−Ag−Cu−In系合金をはんだ
材料として使用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に実装さ
れる各種電子回路素子を接続するためのはんだ材料に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子産業の分野においては、電子
機器の軽薄短小化や多機能化が益々求められるようにな
っており、それに伴って各種電子回路素子の配線基板へ
の実装密度は高くなる一方にある。このため、これら各
種電子回路素子を接続するための接続技術に対してもよ
り一層の高い信頼性が求められるようになっている。
【0003】高密度実装のための微細はんだ接続(マイ
クロソルダリング)技術において、最も広く使用されて
いるはんだは、Sn−Pb系はんだである。このSn−
Pbはんだの共晶組成は、錫63重量%と鉛37重量%
からなり、共晶温度は183℃である。このSn−Pb
系はんだは、温度特性、はんだ付け特性、信頼特性等に
優れており、これまでの高密度実装を支える接続材料で
ある。
【0004】しかしながら、Sn−Pb系はんだに含ま
れるPbは、使用が制限される方向にあり、将来的には
Sn−Pb系はんだも使用ができなくなるものと考えら
れる。このため、Sn−Pb系はんだと同様の作業性、
信頼性が得られ、しかも鉛を含まないはんだ材料の開発
が必要になっている。
【0005】ここで、はんだを開発する上で重要になる
のは、溶融温度特性(液相線温度、固相線温度)、濡れ
性、機械的強度等である。良好なはんだ付け性を得るた
めには、はんだ融液が良好な濡れ性を有することが必要
であり、また低温ではんだ付け作業が行えるようにする
には、はんだの溶融温度が比較的低いことが望ましい。
また、配線の信頼性を高めるためには、はんだが破断し
難いこと、すなわち強度が大きく、延び易いことが必要
である。さらに、配線の耐久性の点からは、はんだが酸
化し難いことが求められる。
【0006】現在、このような点から無鉛はんだ材料の
開発が進められており、種々の候補が公表されている。
例えば、Snを基本元素とする2元系の無鉛はんだ材料
としては、Sn−Bi系はんだ材料、Sn−In系はん
だ材料、Sn−Ag系はんだ材料、Sn−Zn系はんだ
材料等が知られている。しかしながら、これらの無鉛は
んだ材料は、いずれもSn−Pb共晶はんだと比較する
と、濡れ性の劣化、融点の上昇、疲労強度の低下、ドロ
スの発生、コスト高等の欠点を有していると言わざるを
得ない。
【0007】但し、このうちSn−Ag系はんだ材料
は、共晶温度が221℃と高いことと、コストがかかる
ことが指摘されているものの、耐酸化性とはんだ付け特
性等が優れていることからSn−Pb系はんだに代わる
ものとして有力視されている。
【0008】また、Sn−Ag系にBiとCuを添加し
たSn−Bi−Ag−Cu系はんだ材料も提案されてい
る。このSn−Bi−Ag−Cu系はんだ材料の中で
(Sn,Bi,Ag,Cu)=(90重量%,7.5重
量%,2重量%,0.5重量%)なる組成比の材料はA
lloy−Hと称されている。このはんだ材料は、熱サ
イクルに対する耐久性に優れているが、溶融温度が〜2
10℃と比較的高く、また強度的に脆いといった問題が
ある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、これまで
提案されている無鉛はんだ材料は、はんだに求められる
要件を十分に満たしておらず、また価格も高価であり、
工業的に使用するのは難しいのが実情である。
【0010】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、温度特性、濡れ性、機械
的特性に優れ、また安価な無鉛はんだ材料を提供するこ
とを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明者等が検討を行った結果、Sn−Bi−Ag
系はんだ材料にCuとInを添加すると、多量に添加す
るとはんだを脆くするBiや、高価なAgの量を少なく
抑えながら、はんだの特性が改善をされるとの知見を得
るに至った。
【0012】本発明のはんだ材料は、このような知見に
基づいて完成されたものであり、Sn−Bi−Ag−C
u−In系合金よりなり、Sn,Bi,Ag,Cu,I
nの組成比が、 1.0重量%≦Bi≦12.0重量% 0.5重量%≦Ag≦6.0重量% 0.1重量%≦Cu≦3.0重量% 0.5重量%≦In≦10.0重量% であり、残部が実質的に錫からなることを特徴とするも
のである。
【0013】このような組成のはんだ材料は、溶融温度
がSn−Pb系はんだと同程度であるので、現行のSn
−Pb系はんだのはんだ付けプロセスをそのまま使用す
ることができる。また、濡れ性が良く、機械的強度も優
れるので、良好なはんだ付け性が得られるとともに配線
の信頼性も向上する。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の具体的な実施の形態につ
いて説明する。
【0015】本発明のはんだ材料は、Snを基本元素と
するSn−Bi−Ag系はんだ材料に、Cu,Inを添
加したSn−Bi−Ag−Cu−In系はんだ材料であ
る。
【0016】このはんだ材料では、溶融温度、はんだ融
液の濡れ性、機械的強度の点から各元素の組成が次のよ
うに選定される。
【0017】 1.0重量%≦Bi≦12.0重量% 0.5重量%≦Ag≦6.0重量% 0.1重量%≦Cu≦3.0重量% 0.5重量%≦In≦10.0重量% 以下、この組成範囲について説明する。
【0018】まず、Biの組成比は1.0〜12.0重
量%である。
【0019】Biの組成比が1.0重量%を下回る場合
には、マイクロソルダリングを行うのに十分な濡れ性が
得られなくなり、破断強度も小さくなる。また、Bi
は、はんだの溶融温度を下げるように作用するので、こ
の組成比があまり少なくなると錫−鉛はんだに比べて溶
融温度が高くなり、現行のはんだプロセスが使えないと
いった不都合が生じる。
【0020】一方、Biの組成比が12.0重量%より
も大きくなると、はんだ融液の濡れ性が低くなる。ま
た、Biの組成比を大きくしていくと、強度は大きくな
るが、延びが悪くなり、最大荷重時のひずみ(引っ張り
試験に際してはんだ試料にかかる荷重が最大となったと
きの歪み)と破断ひずみ(引っ張り試験に際してはんだ
試料が破断に至るときの歪み)の差がほとんどなくな
る。この場合、はんだに脆い性質が現れ、Biの組成比
が12.0重量%よりも大きくなると、このはんだの脆
さが顕著になる。なお、Biのより好ましい組成範囲
は、2〜8重量%である。
【0021】次に、Agの組成比は0.5〜6.0重量
%であることが必要である。
【0022】Agの組成比がこの範囲からはずれる場合
には、はんだ融液の濡れ性が低くなる。また、Agは
3.5重量%よりも低い組成範囲ではんだの溶融温度を
下げるように作用するので、Agの組成比が0.5重量
%よりも少なくなると、溶融温度が高過ぎてしまい、は
んだ付けに際する加熱温度を高めに設定しなければなら
なくなる。また、Agは6重量%よりも低い組成範囲で
破断強度や延びを上げるが、Agの組成比があまり少な
くなると破断強度や延びが不足する。このAgのより好
ましい組成範囲は、1〜4重量%である。
【0023】なお、はんだ材料では各元素それぞれの組
成比も重要であるが、他の元素とのバランスも大きな意
味をもつ。BiとAgでは、Bi:Ag(重量比)が
2:1であるのが望ましい。この場合に最も良好な濡れ
性が得られ、特に、Biの組成比が4重量%、Agの組
成比が2重量%であるのが最適である。
【0024】一方、Cuの組成比は0.1〜3重量%
に、Inの組成比は0.5〜10重量%に選ばれる。
【0025】Cu,Inは、ともにはんだ材料の溶融温
度を下げるとともに、はんだ融液の濡れ性を改善するよ
うに作用する。良好な濡れ性を得るとともにSn−Pb
系はんだ材料と同等の溶融温度を得るためには、Cu,
Inがこの組成範囲とされていることが必要である。
【0026】特に、Inは溶融温度が156.6℃と低
いため、はんだ材料の溶融温度を効果的に低下させる。
但し、Inは酸化し易いため、あまり多く添加すると配
線の耐久性が低下する。また、Inは希少な元素である
ことから、はんだ材料が高価になる。
【0027】一方、Cuは、濡れ特性を向上させること
が可能な上、基板接合部分の銅パッドのCuがはんだに
拡散するのを防止する効果もある。この効果を得るため
にも、Cu組成比は上述の範囲にすることが必要であ
る。
【0028】なお、Inのより好ましい範囲は1〜5重
量%、さらには1.5〜2.5重量%である。また、C
uのより好ましい範囲は0.3〜2重量%、さらには
0.5〜1.0重量%である。
【0029】本発明では、はんだ材料の組成比を以上の
ように規制する。なお、ここでは組成の残部について
「実質的に錫からなる」としているが、これは、この組
成の残部が、Snを主体としているが、この他に不可避
的不純物を含むことを排除するものではないという意味
である。
【0030】
【実施例】以下、本発明の実施例について実験結果に基
づいて説明する。
【0031】Bi組成比,Ag組成比の検討 まず、予備実験のためSn−Bi−Ag系はんだ材料を
作製し、Bi組成比またはAg組成比と濡れ性の関係を
調べた。
【0032】純度99.999%のSn、純度99.9
999%のBi、純度99.999%のAgを磁性るつ
ぼに投入し、窒素雰囲気となされた電気炉によって、温
度400℃で2時間加熱溶融させることで3元系はんだ
材料を作製した。なお、各元素の組成比は各実験毎に変
化させるようにした。
【0033】そして、これらはんだ材料について、ウェ
ッティングバランス法によって濡れ性を評価した。ここ
で、このウェッティングバランス法について簡単に説明
する。
【0034】ウェッテイング・バランス法は母材(試験
片)をはんだ融液中に浸漬させ、その際の濡れ力Fの経
時変化(過度現象)を観測することではんだの濡れ性を
評価する方法である。ここで、濡れ力Fは次式によって
求められる値である。
【0035】F=γ・L・cosθ−g・ρ・V F:濡れ力 γ:表面張力 L:母材のはんだ融液中に占める周辺廻りの長さ θ:母材とはんだ融液との接触角 ρ:はんだ融液の密度 V:母材がはんだ融液中に占める体積 g:重力加速度 母材を所定の速度ではんだ融液に浸漬させ、母材がはん
だ融液に接してからの濡れ力Fの経時変化を観測する
と、図1に示すような曲線が得られる。
【0036】はんだの濡れ性はこの曲線から評価するこ
とができる。すなわち、母材がはんだ融液に接してから
濡れ力が0になるまでの時間(ゼロクロスタイム)Tb
と、はんだが染み上がって濡れ力が定常になったときの
濡れ力の値F2が濡れ性の指標となり、ゼロクロスタイ
ムTbが短い程、また、濡れ力F2が大きい値である
程、はんだの濡れ広がり速さが速く、濡れ性が良いこと
を意味する。なお、ここでは試験片をはんだに浸漬した
後10秒経過時の濡れ力を濡れ力F2とする。具体的な
測定条件は以下の通りである。
【0037】 試験片:直径0.6mmの銅片 フラックス:非活性ロジン(タムラ化研社製 商品名N
A−200) 試験片の浸漬速度:10mm/秒 試験片の浸漬深さ:2mm 試験片の浸漬時間:10秒 はんだ温度:235℃ このようにして測定されたゼロクロスタイムTbと濡れ
力F2のはんだ組成による変化を図2、図3に示す。な
お、図2は、Bi組成比を4重量%に固定し、Ag組成
比を10重量%以下の範囲で変化させた場合の、Ag組
成比とゼロクロスタイムTb及び濡れ力F2の関係を示
す。また、図3は、Ag組成比を2重量%に固定し、B
i組成比を25重量%以下の範囲で変化させた場合の、
Bi組成比とゼロクロスタイムTb及び濡れ力F2の関
係を示す。いずれもBi、Agの残部をSn組成比とし
た。
【0038】図2に示すように、ゼロクロスタイムTb
はAg組成比が2重量%のときに最も短くなり、濡れ力
F2はAg組成比が2重量%のときに最大になる。この
ことから、はんだの濡れ性は、Ag組成比が2重量%の
ときに最も良くなることがわかる。
【0039】次に、図3を見ると、ゼロクロスタイムT
bはBi組成比が4重量%のときに最も短くなり、濡れ
力F2はBi組成比が4重量%のときに最大になる。こ
のことから、はんだの濡れ性はBi組成比が4重量%の
ときに最も良くなることがわかる。
【0040】以上の3元系はんだ材料の濡れ性から、A
gとBiをはんだに含ませる場合、Bi:Agは2:1
であるのが好ましいことが示唆された。
【0041】そこで、次に、Bi:Agが2:1のSn
−Bi−Ag−Cu−In系はんだ材料を作製し、濡れ
性を評価した。
【0042】まず、純度99.999%のSn、純度9
9.9999%のBi、純度99.999%のAg、純
度99.9999%のCu及び純度99.99%のIn
を(In,Cu)=(2.0重量%,0.5重量%)な
る組成比で秤量した。なお、BiとAgは、Bi:Ag
が2:1となるように組成比を変化させた。また、B
i,Ag,Cu,Inの残部をSn組成比とした。そし
て、これら各金属を磁性るつぼに投入し、窒素雰囲気と
なされた電気炉によって、温度400℃で2時間加熱溶
融させることで5元系のはんだ材料を作製し、ウェッテ
ィングバランス法によって濡れ性を評価した。Bi組成
比及びAg組成比と、ゼロクロスタイム及び濡れ力F2
の関係を図4に示す。
【0043】図4に示すように、Bi:Agを2:1に
した場合には、いずれのはんだ組成であっても比較的良
い濡れ性が得られるが、Bi組成比が4重量%、Ag組
成比が2重量%のときに、ゼロクロスタイムTbが最も
短く、また濡れ力F2が最大になり、最も良い濡れ性が
得られる。そして、この組成比を越えると、ゼロクロス
タイムTbは長くなり、濡れ力F2は小さくなる。一
方、Bi組成比が1重量%未満、Ag組成比が0.5重
量%未満の範囲ではゼロクロスタイムTbが長くなる傾
向が見られる。以上のことから、Bi:Agは2:1で
あるのが好ましいが、マイクロソルダリングを行うのに
十分な濡れ性を得るには、Bi組成比は1〜12重量
%、好ましくは2〜8重量%であるのが良く、Ag組成
比は0.5〜6重量%、好ましくは1〜4重量%である
のが良いことがわかった。
【0044】In組成比,Cu組成比の検討 Sn−Bi−Ag系はんだ材料にCuまたはInを添加
し、はんだの溶融温度に対する効果を調べた。
【0045】純度99.999%のSn、純度99.9
999%のBi、純度99.999%のAgと、純度9
9.9999%のCuまたは純度99.99%のInを
磁性るつぼに投入し、窒素雰囲気となされた電気炉によ
って、温度400℃で2時間加熱溶融させることで4元
系はんだ材料を作製した。なお、各元素の組成比は各実
験毎に変化させるようにした。
【0046】そして、これらはんだ材料について、DS
C(Differential scanning c
alorimeter)を用いて溶融温度を調べた。溶
融温度のはんだ組成による変化を図5に示す。なお、図
5中、実線は(Bi,Ag)=(4重量%,2重量%)
を固定し、Cu組成比を変化させた場合の、Cu組成比
と溶融温度の関係を示す。また、破線は(Bi,Ag)
=(4重量%,2重量%)を固定し、In組成比を変化
させた場合の、In組成比と溶融温度の関係を示す。な
お、いずれも3元素の残部をSn組成比とした。
【0047】図5に示すように、Cuでは添加量が少な
い範囲ではんだの溶融温度を下げる効果が見られ、この
効果を得るにはCu組成比を0.1〜3重量%、さらに
は0.3〜2重量%とするのが良いのがわかる。
【0048】一方、Inでは、添加量を増やせば増やす
程はんだの溶融温度が下がる。但し、Inには酸化し易
いことと、高価であるという欠点があるため、あまり多
量に添加するのは好ましくない。これとの兼ね合いか
ら。In組成比は0.5〜10重量%、好ましくは1〜
5重量%とするのが良い。
【0049】次に、Sn−Bi−Ag−Cu−In系は
んだ材料を作製し、Cu組成比またはIn組成比と濡れ
性の関係を調べた。
【0050】純度99.999%のSn、純度99.9
999%のBi、純度99.999%のAg、純度9
9.9999%のCu及び純度99.99%のInを磁
性るつぼに投入し、窒素雰囲気とされた電気炉によっ
て、温度400℃で2時間加熱溶融させることではんだ
材料を作製し、ウェッティングバランス法によって濡れ
性を評価した。
【0051】ゼロクロスタイムTbと濡れ力F2のはん
だ組成による変化を図6、図7に示す。なお、図6は、
(Bi,Ag,In)=(4重量%,2重量%,2重量
%)に固定し、Cu組成比を3重量%以下の範囲で変化
させた場合の、Cu組成比とゼロクロスタイムTb及び
濡れ力F2の関係を示す。また、図7は、(Bi,A
g,Cu)=(4重量%,2重量%,1重量)に固定
し、In組成比を10重量%以下の範囲で変化させた場
合の、In組成比とゼロクロスタイムTb及び濡れ力F
2の関係を示す。なお、いずれもBi,Ag,Cu,I
nの残部をSn組成比とした。
【0052】まず、図6を見ると、Cu組成比が0.1
〜3重量%の範囲では比較的良好な濡れ性が得られる
が、特にCu組成比が0.5〜1.0重量%の範囲でゼ
ロクロスタイムが短くなり、濡れ力F2が大きくなる。
このことから、マイクロソルダリングを行うのに十分な
濡れ性を得るには、Cu組成比を0.5〜1.0重量%
とするのが望ましいことがわかった。
【0053】次に、図7を見ると、In組成比が0.5
〜10重量%の範囲では比較的良好な濡れ性が得られる
が、特にIn組成比が1.5〜2.5重量%の範囲でセ
ロタイム時間が短くなり、濡れ力F2が大きくなる。こ
のことから、マイクロソルダリングを行うのに十分な濡
れ性を得るには、In組成比を1.5〜2.5重量%と
するのが望ましいことがわかった。
【0054】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のはんだ材料はSn−Bi−Ag系にCuとInを添
加したものであり、多量に添加するとはんだを脆くする
Biや、高価な元素であるAg,Inの組成比を低く抑
えながら、溶融温度を適正化でき、またはんだ融液の濡
れ性や機械的特性を改善することができる。したがっ
て、本発明によれば、作業性に優れるとともに高い配線
信頼性が得られる無鉛はんだ材料が低い価格で提供でき
るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ウェッティングバランス法で測定される典型的
な濡れ性を示す模式図である。
【図2】はんだ材料のAg組成比と、ゼロクロスタイム
Tb及び濡れ力F2の関係を示す特性図である。
【図3】はんだ材料のBi組成比と、ゼロクロスタイム
Tb及び濡れ力F2の関係を示す特性図である。
【図4】はんだ材料のBi組成比及びAg組成比と、ゼ
ロクロスタイムTb及び濡れ力F2の関係を示す特性図
である。
【図5】はんだ材料のCu組成比及びIn組成比と、溶
融温度の関係を示す特性図である。
【図6】はんだ材料のCu組成比と、ゼロクロスタイム
Tb及び濡れ力F2の関係を示す特性図である。
【図7】はんだ材料のIn組成比と、ゼロクロスタイム
Tb及び濡れ力F2の関係を示す特性図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Sn−Bi−Ag−Cu−In系合金よ
    りなり、Sn,Bi,Ag,Cu,Inの組成比が、 1.0重量%≦Bi≦12.0重量% 0.5重量%≦Ag≦6.0重量% 0.1重量%≦Cu≦3.0重量% 0.5重量%≦In≦10.0重量% であり、残部が実質的に錫からなることを特徴とするは
    んだ材料。
JP12444597A 1997-05-14 1997-05-14 はんだ材料 Pending JPH10314980A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12444597A JPH10314980A (ja) 1997-05-14 1997-05-14 はんだ材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12444597A JPH10314980A (ja) 1997-05-14 1997-05-14 はんだ材料

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10314980A true JPH10314980A (ja) 1998-12-02

Family

ID=14885695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12444597A Pending JPH10314980A (ja) 1997-05-14 1997-05-14 はんだ材料

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10314980A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6176947B1 (en) 1998-12-31 2001-01-23 H-Technologies Group, Incorporated Lead-free solders
US6253988B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-03 Antaya Technologies Corporation Low temperature solder
EP1083020A3 (en) * 1999-09-07 2001-12-12 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Tin-silver-based soldering alloy
EP1163971A1 (en) * 2000-06-12 2001-12-19 Hitachi, Ltd. Electronic device and semiconductor device
SG98429A1 (en) * 1999-10-12 2003-09-19 Singapore Asahi Chemical & Solder Ind Pte Ltd Lead-free solders
WO2004094097A1 (en) * 2003-03-31 2004-11-04 Intel Corporation Phase change lead-free super plastic solders
US6843862B2 (en) * 2001-07-09 2005-01-18 Quantum Chemical Technologies (Singapore) Pte Ltd Solders
EP1488972A4 (en) * 2002-03-11 2006-09-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd THROUGH A METAL ATTACHMENT OF JOINED GLASS ARTICLES AND THESE CONNECTING CONSTRUCTION
US7145236B2 (en) * 2000-06-12 2006-12-05 Renesas Technology Corp. Semiconductor device having solder bumps reliably reflow solderable
US7472817B2 (en) 2004-10-27 2009-01-06 Quantum Chemical Technologies (Singapore) Pte. Ltd Solders
EP2147740A1 (en) * 2001-03-01 2010-01-27 Senju Metal Industry Co., Ltd Lead-free solder paste
EP2177305A4 (en) * 2007-07-18 2011-01-19 Senju Metal Industry Co IN-CONTAINED LEAD-FREE LOT FOR ELECTRONIC SWITCHING OF A VEHICLE
CN103146955A (zh) * 2013-03-22 2013-06-12 天津百瑞杰焊接材料有限公司 198℃保险丝熔断芯的无铅低温合金及其制备方法
CN112638574A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 铟泰公司 SnBi和SnIn焊锡合金
CN116000497A (zh) * 2021-10-22 2023-04-25 千住金属工业株式会社 软钎料合金、焊膏、焊料球、预成型软钎料和钎焊接头

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6176947B1 (en) 1998-12-31 2001-01-23 H-Technologies Group, Incorporated Lead-free solders
US6253988B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-03 Antaya Technologies Corporation Low temperature solder
EP1083020A3 (en) * 1999-09-07 2001-12-12 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Tin-silver-based soldering alloy
SG98429A1 (en) * 1999-10-12 2003-09-19 Singapore Asahi Chemical & Solder Ind Pte Ltd Lead-free solders
US7145236B2 (en) * 2000-06-12 2006-12-05 Renesas Technology Corp. Semiconductor device having solder bumps reliably reflow solderable
EP1163971A1 (en) * 2000-06-12 2001-12-19 Hitachi, Ltd. Electronic device and semiconductor device
US6555052B2 (en) 2000-06-12 2003-04-29 Hitachi, Ltd. Electron device and semiconductor device
US6774490B2 (en) 2000-06-12 2004-08-10 Hitachi, Ltd. Electronic device
EP2147740A1 (en) * 2001-03-01 2010-01-27 Senju Metal Industry Co., Ltd Lead-free solder paste
US6843862B2 (en) * 2001-07-09 2005-01-18 Quantum Chemical Technologies (Singapore) Pte Ltd Solders
US7514654B2 (en) 2002-03-11 2009-04-07 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass article with metal member joined thereto, and junction structure using the same
EP1488972A4 (en) * 2002-03-11 2006-09-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd THROUGH A METAL ATTACHMENT OF JOINED GLASS ARTICLES AND THESE CONNECTING CONSTRUCTION
WO2004094097A1 (en) * 2003-03-31 2004-11-04 Intel Corporation Phase change lead-free super plastic solders
US7776651B2 (en) 2003-03-31 2010-08-17 Intel Corporation Method for compensating for CTE mismatch using phase change lead-free super plastic solders
US7472817B2 (en) 2004-10-27 2009-01-06 Quantum Chemical Technologies (Singapore) Pte. Ltd Solders
US8888932B2 (en) 2007-07-18 2014-11-18 Senju Metal Industry Co., Ltd. Indium-containing lead-free solder for vehicle-mounted electronic circuits
EP2177305A4 (en) * 2007-07-18 2011-01-19 Senju Metal Industry Co IN-CONTAINED LEAD-FREE LOT FOR ELECTRONIC SWITCHING OF A VEHICLE
CN103146955A (zh) * 2013-03-22 2013-06-12 天津百瑞杰焊接材料有限公司 198℃保险丝熔断芯的无铅低温合金及其制备方法
CN112638574A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 铟泰公司 SnBi和SnIn焊锡合金
US11999018B2 (en) 2018-08-31 2024-06-04 Indium Corporation SnBi and SnIn solder alloys
US12240060B2 (en) 2018-08-31 2025-03-04 Indium Corporation SnIn solder alloys
CN116000497A (zh) * 2021-10-22 2023-04-25 千住金属工业株式会社 软钎料合金、焊膏、焊料球、预成型软钎料和钎焊接头
JP2023062768A (ja) * 2021-10-22 2023-05-09 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだペースト、はんだボール、はんだプリフォーム、およびはんだ継手
TWI810099B (zh) * 2021-10-22 2023-07-21 日商千住金屬工業股份有限公司 焊料合金、焊膏、焊料球、焊料預成型、及焊料接頭
US11858071B2 (en) 2021-10-22 2024-01-02 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder alloy, solder paste, solder ball, solder preform, and solder joint

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3221640B2 (ja) 改良された力学的性質を持つPbを含まない半田
US6180055B1 (en) Lead-free solder alloy
EP1043112B1 (en) Lead-free solder
WO1997012719A1 (en) Lead-free solder
JPH10314980A (ja) はんだ材料
US11607752B2 (en) Solder alloy, solder joint material, and electronic circuit board
CN101848787B (zh) 无铅焊料组合物及使用它的印刷电路板与电子器件
JP2006255784A (ja) 無鉛ハンダ合金
US5993736A (en) Lead-free tin-silver-based soldering alloy
JP4282482B2 (ja) はんだ合金およびはんだ接合部
CN100540206C (zh) 焊锡及使用该焊锡的安装品
JP4453473B2 (ja) 鉛フリーはんだ合金と、それを用いたはんだ材料及びはんだ接合部
JP2000343273A (ja) はんだ合金
JP3601278B2 (ja) はんだ材料
JP2001047276A (ja) はんだ材料
KR102667729B1 (ko) 전자 응용을 위한 비용-효율적인 무연 땜납 합금
CN1168571C (zh) 无铅软钎焊料合金
JP2008221330A (ja) はんだ合金
JPH11151591A (ja) 高温無鉛はんだ合金
JPH10249579A (ja) はんだ材料
JP3758090B2 (ja) SnCu系無鉛はんだ合金
JPH0985484A (ja) 鉛フリーはんだとそれを用いた実装方法及び実装品
KR100904652B1 (ko) 웨이브 및 디핑용 무연 솔더 조성물과 이를 이용한 전자기기 및 인쇄회로기판
JP2783981B2 (ja) はんだ合金
JP2008093701A (ja) はんだ合金

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20031007