JPH10317075A - 水素吸蔵合金およびその製造方法 - Google Patents
水素吸蔵合金およびその製造方法Info
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- JPH10317075A JPH10317075A JP9124039A JP12403997A JPH10317075A JP H10317075 A JPH10317075 A JP H10317075A JP 9124039 A JP9124039 A JP 9124039A JP 12403997 A JP12403997 A JP 12403997A JP H10317075 A JPH10317075 A JP H10317075A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】V、Ti、Niを含むV基固溶体相からなる母
相の粒界にTiNi基合金相またはラベス相を析出させ
た上記高性能の水素吸蔵合金(以下、三次元網目状骨格
をもつ水素吸蔵合金とも略称する)のサイクル寿命また
は反応特性を更に向上した水素吸蔵合金およびその製造
方法を提供すること。 【解決手段】三次元網目状骨格をもつ水素吸蔵合金の原
料融液に、この水素吸蔵合金の融点より高い融点を有し
て母相凝固時の凝固核をなす微粉末を含有させる。 こ
のようにすれば、この微粉末を凝固核として母相が凝固
するので、母相の平均セル幅を従来より大幅に細かくす
ることができ、これにより、粒界に析出するTiNi基
合金相およびラベス相、すなわち、三次元網目状骨格を
もつ粒界相を従来より格段に微細化することができる。
その結果、上述した理由により、優れたサイクル寿命ま
たは反応特性をもつ水素吸蔵合金またはその製造方法を
実現することができる。
相の粒界にTiNi基合金相またはラベス相を析出させ
た上記高性能の水素吸蔵合金(以下、三次元網目状骨格
をもつ水素吸蔵合金とも略称する)のサイクル寿命また
は反応特性を更に向上した水素吸蔵合金およびその製造
方法を提供すること。 【解決手段】三次元網目状骨格をもつ水素吸蔵合金の原
料融液に、この水素吸蔵合金の融点より高い融点を有し
て母相凝固時の凝固核をなす微粉末を含有させる。 こ
のようにすれば、この微粉末を凝固核として母相が凝固
するので、母相の平均セル幅を従来より大幅に細かくす
ることができ、これにより、粒界に析出するTiNi基
合金相およびラベス相、すなわち、三次元網目状骨格を
もつ粒界相を従来より格段に微細化することができる。
その結果、上述した理由により、優れたサイクル寿命ま
たは反応特性をもつ水素吸蔵合金またはその製造方法を
実現することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、水素吸蔵合金およ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】特開平7ー268513、4号公報は、
V、Ti、Niを主に含むV基固溶体相からなる母相の
粒界にTiNi基合金相またはラベス相を主に析出させ
た水素吸蔵合金を提案している。上記公報によれば、上
記水素吸蔵合金が優れた水素吸蔵特性をもち、たとえば
水素吸蔵合金負極として用いることにより、そのサイク
ル寿命や放電容量などの電池特性が大幅に改善されるこ
とが記載されている。
V、Ti、Niを主に含むV基固溶体相からなる母相の
粒界にTiNi基合金相またはラベス相を主に析出させ
た水素吸蔵合金を提案している。上記公報によれば、上
記水素吸蔵合金が優れた水素吸蔵特性をもち、たとえば
水素吸蔵合金負極として用いることにより、そのサイク
ル寿命や放電容量などの電池特性が大幅に改善されるこ
とが記載されている。
【0003】この水素吸蔵合金では、母相がTiーV系
固溶体の高水素吸蔵相であって、この母相粒界に第2相
としてTiおよびNiを主成分とする合金相またはラー
ベス合金を主とする第2相が三次元網目状の骨格を形成
して存在するので、この三次元網目状の骨格をなす相が
母相を囲包した状態となって水素吸蔵放出に伴う合金の
微粉化を抑止する効果、第2相が保護膜となって母相中
のバナジウムの溶出を抑止する効果、第2相が電子の移
動経路すなわち集電体として機能する効果を奏し、これ
らの効果により、従来より合金の水素吸蔵放出サイクル
寿命の延長および反応速度の向上を実現することができ
る。
固溶体の高水素吸蔵相であって、この母相粒界に第2相
としてTiおよびNiを主成分とする合金相またはラー
ベス合金を主とする第2相が三次元網目状の骨格を形成
して存在するので、この三次元網目状の骨格をなす相が
母相を囲包した状態となって水素吸蔵放出に伴う合金の
微粉化を抑止する効果、第2相が保護膜となって母相中
のバナジウムの溶出を抑止する効果、第2相が電子の移
動経路すなわち集電体として機能する効果を奏し、これ
らの効果により、従来より合金の水素吸蔵放出サイクル
寿命の延長および反応速度の向上を実現することができ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、水素吸
蔵合金、特に水素吸蔵合金負極では、その水素吸蔵放出
サイクル寿命の延長および反応速度の向上の一層の向
上、水素吸蔵合金負極について言えば、そのサイクル寿
命や内部損失の低下、放電容量の向上がなお強く期待さ
れていた。
蔵合金、特に水素吸蔵合金負極では、その水素吸蔵放出
サイクル寿命の延長および反応速度の向上の一層の向
上、水素吸蔵合金負極について言えば、そのサイクル寿
命や内部損失の低下、放電容量の向上がなお強く期待さ
れていた。
【0005】本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、V、Ti、Niを含むV基固溶体相からなる母相
の粒界にTiNi基合金相またはラベス相を析出させた
上記高性能の水素吸蔵合金(以下、三次元網目状骨格を
もつ水素吸蔵合金とも略称する)のサイクル寿命または
反応特性を更に向上した水素吸蔵合金およびその製造方
法を提供することを、その解決すべき課題としている。
あり、V、Ti、Niを含むV基固溶体相からなる母相
の粒界にTiNi基合金相またはラベス相を析出させた
上記高性能の水素吸蔵合金(以下、三次元網目状骨格を
もつ水素吸蔵合金とも略称する)のサイクル寿命または
反応特性を更に向上した水素吸蔵合金およびその製造方
法を提供することを、その解決すべき課題としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1または2記載の
構成によれば、上述した三次元網目状骨格をもつ水素吸
蔵合金の原料融液に、この水素吸蔵合金の融点より高い
融点を有して母相凝固時の凝固核をなす微粉末を含有さ
せる。このようにすれば、この微粉末を凝固核として母
相が凝固するので、母相の平均セル幅を従来より大幅に
細かくすることができ、これにより、粒界に析出するT
iNi基合金相およびラベス相、すなわち、三次元網目
状骨格をもつ粒界相を従来より格段に微細化することが
できる。
構成によれば、上述した三次元網目状骨格をもつ水素吸
蔵合金の原料融液に、この水素吸蔵合金の融点より高い
融点を有して母相凝固時の凝固核をなす微粉末を含有さ
せる。このようにすれば、この微粉末を凝固核として母
相が凝固するので、母相の平均セル幅を従来より大幅に
細かくすることができ、これにより、粒界に析出するT
iNi基合金相およびラベス相、すなわち、三次元網目
状骨格をもつ粒界相を従来より格段に微細化することが
できる。
【0007】その結果、上述した理由により、優れたサ
イクル寿命または反応特性をもつ水素吸蔵合金またはそ
の製造方法を実現することができる。好適な態様におい
て、原料融液の冷却にア−ク溶解炉の水冷銅鋳型を用い
る。このようにすれば、大量の原料融液の凝固を行って
も冷却を急速化することができるので、生産性の低下を
招くことなく、母相の平均セル幅を一層の細かくし、三
次元網目状骨格を微細に形成することができるので、上
記効果の一層の向上を図ることができる。または、高周
波溶解などによって得た融液を水冷定盤表面に流し、急
冷凝固することも好適である。
イクル寿命または反応特性をもつ水素吸蔵合金またはそ
の製造方法を実現することができる。好適な態様におい
て、原料融液の冷却にア−ク溶解炉の水冷銅鋳型を用い
る。このようにすれば、大量の原料融液の凝固を行って
も冷却を急速化することができるので、生産性の低下を
招くことなく、母相の平均セル幅を一層の細かくし、三
次元網目状骨格を微細に形成することができるので、上
記効果の一層の向上を図ることができる。または、高周
波溶解などによって得た融液を水冷定盤表面に流し、急
冷凝固することも好適である。
【0008】請求項3記載の構成によれば請求項1ない
し2のいずれか記載の構成において更に、微粉末の平均
粒径は、母相の任意方向断面における平均セル幅の20
%以下とされる。このようにすれば上記効果の一層の向
上を図ることができる。微粉末の任意方向断面における
平均粒径が母相の平均セル幅の20%を超えると、水素
吸蔵に関与しない微粉末の相対的増大と、母相の平均セ
ル幅の増大とにより上記効果の劣化を招く。
し2のいずれか記載の構成において更に、微粉末の平均
粒径は、母相の任意方向断面における平均セル幅の20
%以下とされる。このようにすれば上記効果の一層の向
上を図ることができる。微粉末の任意方向断面における
平均粒径が母相の平均セル幅の20%を超えると、水素
吸蔵に関与しない微粉末の相対的増大と、母相の平均セ
ル幅の増大とにより上記効果の劣化を招く。
【0009】請求項4記載の構成によれば請求項1ない
し2のいずれか記載の構成において更に、微粉末の平均
粒径は、1μm以下とされる。このようにすれば上記効
果の一層の向上を図ることができる。請求項5記載の構
成によれば請求項1ないし4のいずれか記載の構成にお
いて更に、微粉末の密度は3〜8g/cm3とされる。
し2のいずれか記載の構成において更に、微粉末の平均
粒径は、1μm以下とされる。このようにすれば上記効
果の一層の向上を図ることができる。請求項5記載の構
成によれば請求項1ないし4のいずれか記載の構成にお
いて更に、微粉末の密度は3〜8g/cm3とされる。
【0010】このようにすれば、原料融液とその内部の
微粉末との比重が近似するので、上記比重差による原料
融液中における微粉末の偏在を抑止して上記効果の一層
の向上を図ることができる。請求項6記載の構成によれ
ば請求項1ないし4のいずれか記載の構成において更
に、微粉末としてTiC、TiN、VC、NbCの少な
くとも一つが選択される。このよいうにすれば、上記効
果の一層の向上を図ることができる。
微粉末との比重が近似するので、上記比重差による原料
融液中における微粉末の偏在を抑止して上記効果の一層
の向上を図ることができる。請求項6記載の構成によれ
ば請求項1ないし4のいずれか記載の構成において更
に、微粉末としてTiC、TiN、VC、NbCの少な
くとも一つが選択される。このよいうにすれば、上記効
果の一層の向上を図ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】固溶体からなる母相および原料融
液は、V、Ti、Niを主に含む。好適な態様におい
て、原料融液中において、Vの割合は10〜95wt%
とされ、Tiの割合は4〜45wt%とされ、Niの割
合は10〜55wt%とされることが好ましい。
液は、V、Ti、Niを主に含む。好適な態様におい
て、原料融液中において、Vの割合は10〜95wt%
とされ、Tiの割合は4〜45wt%とされ、Niの割
合は10〜55wt%とされることが好ましい。
【0012】原料融液の冷却は高速であることが好まし
い。ア−ク溶解炉の水冷銅鋳型による冷却、またはそれ
と同程度以上の冷却手段の採用が好ましい。原料融液に
は、Ta、Co、Nb、Hfなどを添加することができ
る。Taの割合は合金重量の5wt%以下、Coの割合
は合金重量の25wt%以下、Nbの割合は合金重量の
30wt%以下、Hfの割合は合金重量の65wt%以
下とされることが好ましい。
い。ア−ク溶解炉の水冷銅鋳型による冷却、またはそれ
と同程度以上の冷却手段の採用が好ましい。原料融液に
は、Ta、Co、Nb、Hfなどを添加することができ
る。Taの割合は合金重量の5wt%以下、Coの割合
は合金重量の25wt%以下、Nbの割合は合金重量の
30wt%以下、Hfの割合は合金重量の65wt%以
下とされることが好ましい。
【0013】
【実施例】本発明の好適な態様を以下の各実施例に基づ
いて説明する。 (実施例1)V3TiNi0.56Nb0.047Ta0.047Co
0.05の組成になるように、V、Ti、Ni、Nb、T
a、Coの各金属単体を秤量し、全体で60gの重量と
なるようにしたものを試料の数だけ準備した。アーク溶
解炉の水冷銅鋳型に、凝固核をなす微粉末としてのNb
C粉末(比重7.8、融点3500ー3800℃)0.
6gと、秤量した上記金属混合物とを入れた。
いて説明する。 (実施例1)V3TiNi0.56Nb0.047Ta0.047Co
0.05の組成になるように、V、Ti、Ni、Nb、T
a、Coの各金属単体を秤量し、全体で60gの重量と
なるようにしたものを試料の数だけ準備した。アーク溶
解炉の水冷銅鋳型に、凝固核をなす微粉末としてのNb
C粉末(比重7.8、融点3500ー3800℃)0.
6gと、秤量した上記金属混合物とを入れた。
【0014】NbC粉末としては後述するように平均粒
径が異なるものを準備してそれぞれ個別に用いた。溶解
はインゴットを反転しながら5回繰り返した。比較のた
め、NbC粉末を混合しないインゴットも同じ製法で作
製した。このインゴットが十分冷えてから炉内より取り
出し、ダイヤモンドカッターで鋳型底部に対してほぼ垂
直な面を切り出し、この面をバフ研磨して試料を作製
し、各試料をノマルスキー微分干渉法の金属顕微鏡で観
察した。
径が異なるものを準備してそれぞれ個別に用いた。溶解
はインゴットを反転しながら5回繰り返した。比較のた
め、NbC粉末を混合しないインゴットも同じ製法で作
製した。このインゴットが十分冷えてから炉内より取り
出し、ダイヤモンドカッターで鋳型底部に対してほぼ垂
直な面を切り出し、この面をバフ研磨して試料を作製
し、各試料をノマルスキー微分干渉法の金属顕微鏡で観
察した。
【0015】この実施例における原料融液中のセル状組
織の成長すなわち凝固方向は、鋳型の底に対してほぼ垂
直方向であるので、この凝固方向に対して垂直(すなわ
ち鋳型の底と平行)な向きの母相の粒の幅をセル幅と定
義する。実際のセル幅は、凝固組織が真の円柱として
も、観察する面はこの各セルの直径とは限らない。断面
の切り方によって、顕微鏡像の見えかたが異なってく
る。ここでは、簡便の為、上記断面に見られるセル幅を
ある範囲内で測定し、その平均値をセル幅の代表値(平
均セル幅)と定義した。この結果を表1に示す。
織の成長すなわち凝固方向は、鋳型の底に対してほぼ垂
直方向であるので、この凝固方向に対して垂直(すなわ
ち鋳型の底と平行)な向きの母相の粒の幅をセル幅と定
義する。実際のセル幅は、凝固組織が真の円柱として
も、観察する面はこの各セルの直径とは限らない。断面
の切り方によって、顕微鏡像の見えかたが異なってく
る。ここでは、簡便の為、上記断面に見られるセル幅を
ある範囲内で測定し、その平均値をセル幅の代表値(平
均セル幅)と定義した。この結果を表1に示す。
【0016】表1から、微粉末の混合により平均セル幅
の減少が実現すること、および、微粉末の平均粒径を小
さくするほど平均セル幅を減少できることがわかった。
これらの原因は、微粉末が凝固核となり、細かいセル状
の組織ができるためと考えられる。そのため、細かい微
粉末を用いると凝固核の増大により母相の平均セル幅を
減少する小さくすることができることがわかる。
の減少が実現すること、および、微粉末の平均粒径を小
さくするほど平均セル幅を減少できることがわかった。
これらの原因は、微粉末が凝固核となり、細かいセル状
の組織ができるためと考えられる。そのため、細かい微
粉末を用いると凝固核の増大により母相の平均セル幅を
減少する小さくすることができることがわかる。
【0017】この合金を水素化後、機械粉砕し、篩によ
り100メッシュ以下としたたものに合金重量の3倍の
重量の銅粉と混合し、これをプレス成形して水素吸蔵合
金電極を作製した。この電極を負極、正極にカルボニル
ニッケル、電解液に6NKOH水溶液を用いて、水素吸
蔵合金電極の放電容量を測定した。測定時の放電電流密
度は合金あたり50A/kgまたは200A/kgとし
た。更に、充放電を繰り返し行い、このサイクルに対す
る放電容量の減少すなわちサイクル特性を調べた。これ
らの結果を表1に示す。
り100メッシュ以下としたたものに合金重量の3倍の
重量の銅粉と混合し、これをプレス成形して水素吸蔵合
金電極を作製した。この電極を負極、正極にカルボニル
ニッケル、電解液に6NKOH水溶液を用いて、水素吸
蔵合金電極の放電容量を測定した。測定時の放電電流密
度は合金あたり50A/kgまたは200A/kgとし
た。更に、充放電を繰り返し行い、このサイクルに対す
る放電容量の減少すなわちサイクル特性を調べた。これ
らの結果を表1に示す。
【0018】
【表1】 表1から、混入微粉末の平均粒径が小さく、細かな3次
元網目構造を持つと推定される合金が大電流密度での放
電容量(高率放電特性)の点で優れていることがわかっ
た。特に、微粉末の平均粒径が1μm以下の場合におけ
る効果が顕著であり、平均粒径が大きい微粉末を加えた
場合には耐久性すなわちサイクル特性が低下することが
わかった。
元網目構造を持つと推定される合金が大電流密度での放
電容量(高率放電特性)の点で優れていることがわかっ
た。特に、微粉末の平均粒径が1μm以下の場合におけ
る効果が顕著であり、平均粒径が大きい微粉末を加えた
場合には耐久性すなわちサイクル特性が低下することが
わかった。
【0019】この原因を調べるために、サイクル試験途
中の試料を取り出し、鏡面研磨してその断面を観察し
た。その結果、混入した微粉末と合金との境界付近で亀
裂が多数発生し、この亀裂から合金が腐食していた。こ
れらのことから、微粉末すなわちNbC粉末は水素を吸
蔵放出せず、粉末強度が高いのに対し、母相は充放電時
に大量の水素の吸蔵・放出を行って体積変化するので、
この時のストレスが微粉末と合金との界面に集中し、亀
裂が多数発生すると推定される。 (実施例2)実施例1の材料、製法を用い、凝固核をな
す微粉末をVC粉末(比重5.4、融点2810ー28
65℃)にして、上記と同じ試験を行った。その結果を
表2に示す。 凝固核をなす微粉末をVCに置換して
も、実施例1と同様の効果が得られることがわかった。
中の試料を取り出し、鏡面研磨してその断面を観察し
た。その結果、混入した微粉末と合金との境界付近で亀
裂が多数発生し、この亀裂から合金が腐食していた。こ
れらのことから、微粉末すなわちNbC粉末は水素を吸
蔵放出せず、粉末強度が高いのに対し、母相は充放電時
に大量の水素の吸蔵・放出を行って体積変化するので、
この時のストレスが微粉末と合金との界面に集中し、亀
裂が多数発生すると推定される。 (実施例2)実施例1の材料、製法を用い、凝固核をな
す微粉末をVC粉末(比重5.4、融点2810ー28
65℃)にして、上記と同じ試験を行った。その結果を
表2に示す。 凝固核をなす微粉末をVCに置換して
も、実施例1と同様の効果が得られることがわかった。
【0020】
【表2】 比較例として粉末を加えなかった場合と、平均粒径が5
μmのVC粉末を用いた場合とについても調べた。その
結果、後者の比較例の場合には顕著な組織の微細化は見
られないことが観察されたが、充放電サイクルを繰り返
した場合に亀裂が粉末界面で多数発生していることがわ
かった。 (実施例3)実施例1の材料、製法を用い、凝固核をな
す微粉末をTiC(比重4.9、融点3980ー325
0℃)、TiN(比重5.4、融点2627ー2900
℃)、C(比重1.4、融点3727℃)、WC(比重
15.6、融点2627ー2900℃)、SiO2 (比
重2.7、融点1500℃)に置換して上記と同じ試験
を行った。なお、SiO2 (比重2.7、融点1500
℃)粉末をアーク溶解時に混合した。その結果を表3に
示す。
μmのVC粉末を用いた場合とについても調べた。その
結果、後者の比較例の場合には顕著な組織の微細化は見
られないことが観察されたが、充放電サイクルを繰り返
した場合に亀裂が粉末界面で多数発生していることがわ
かった。 (実施例3)実施例1の材料、製法を用い、凝固核をな
す微粉末をTiC(比重4.9、融点3980ー325
0℃)、TiN(比重5.4、融点2627ー2900
℃)、C(比重1.4、融点3727℃)、WC(比重
15.6、融点2627ー2900℃)、SiO2 (比
重2.7、融点1500℃)に置換して上記と同じ試験
を行った。なお、SiO2 (比重2.7、融点1500
℃)粉末をアーク溶解時に混合した。その結果を表3に
示す。
【0021】
【表3】 表3から、組織の微細化による効果は、TiC(比重
4.9、融点3980ー3250℃)、TiN(比重
5.4、融点2627ー2900℃)を用いた場合には
生じているものの、C(比重1.4、融点3727
℃)、WC(比重15.6、融点2627ー2900
℃)、SiO2 (比重2.7、融点1500℃)を用い
た場合にはほとんど生じないことがわかった。
4.9、融点3980ー3250℃)、TiN(比重
5.4、融点2627ー2900℃)を用いた場合には
生じているものの、C(比重1.4、融点3727
℃)、WC(比重15.6、融点2627ー2900
℃)、SiO2 (比重2.7、融点1500℃)を用い
た場合にはほとんど生じないことがわかった。
【0022】顕微鏡観察によれば、C(比重1.4)や
WC(比重15.6)は、比重の大きな相違によると思
われる理由により合金とほとんど混じることなく偏在し
ていた。そのためこれらの微粉末では合金構造の微細化
効果をほとんど奏することができないものと推定され
る。また、低融点のSiO2(比重2.7、融点150
0℃)粉末を混合して作製した上記合金を、SEMーE
PMA分析した結果、更に、この合金を水素化粉砕後、
真空中で450℃、4時間の真空熱処理により脱水素化
してXRD(CuーKα)にて解析した。
WC(比重15.6)は、比重の大きな相違によると思
われる理由により合金とほとんど混じることなく偏在し
ていた。そのためこれらの微粉末では合金構造の微細化
効果をほとんど奏することができないものと推定され
る。また、低融点のSiO2(比重2.7、融点150
0℃)粉末を混合して作製した上記合金を、SEMーE
PMA分析した結果、更に、この合金を水素化粉砕後、
真空中で450℃、4時間の真空熱処理により脱水素化
してXRD(CuーKα)にて解析した。
【0023】その結果、この合金組織は、V固溶体の母
相と、その粒界に析出するTiNi基の相と、Ti4 N
i2Oと類似のXRDパタンをもつ酸化物相とからなっ
ていた。Siは主に粒界の相内に分布するが、母相にも
含まれていた。この理由としては、以下のことが挙げら
れる。すなわち、合金の溶湯温度は、主要構成元素のう
ちのもっとも高い融点程度にされるので、SiO2 粉末
は溶湯内で溶けて合金内に分散したものと思われる。た
だし、この場合にも母相の平均セル幅が小さくなる理由
は、Siや酸化物析出の影響で、粒界の相が相対的に多
くなったためと考えられる。ただし、この合金の放電容
量は著しく低下したが、その原因として、Siや酸素が
母相内に固溶することと、酸化物相析出による母相の比
重低下によるものが考えられる。なお、平均セル幅が小
さくなったために、大電流密度での放電容量(高率放電
容量)は比較的良好であった。 (実施例4)V、Ti、Ni、Hfの各金属単体を秤量
して全体で60gになるようにした原料を用いて、合金
組成がV3TiNi0.56Hf0.24となるようにした他
は、実施例1と同一の条件で水素吸蔵合金を作製し、実
施例1と同一の条件でその試験を行った。この合金は、
第2相がC14型ラーベス相合金が主となる3次元網目
骨格を有する合金である。
相と、その粒界に析出するTiNi基の相と、Ti4 N
i2Oと類似のXRDパタンをもつ酸化物相とからなっ
ていた。Siは主に粒界の相内に分布するが、母相にも
含まれていた。この理由としては、以下のことが挙げら
れる。すなわち、合金の溶湯温度は、主要構成元素のう
ちのもっとも高い融点程度にされるので、SiO2 粉末
は溶湯内で溶けて合金内に分散したものと思われる。た
だし、この場合にも母相の平均セル幅が小さくなる理由
は、Siや酸化物析出の影響で、粒界の相が相対的に多
くなったためと考えられる。ただし、この合金の放電容
量は著しく低下したが、その原因として、Siや酸素が
母相内に固溶することと、酸化物相析出による母相の比
重低下によるものが考えられる。なお、平均セル幅が小
さくなったために、大電流密度での放電容量(高率放電
容量)は比較的良好であった。 (実施例4)V、Ti、Ni、Hfの各金属単体を秤量
して全体で60gになるようにした原料を用いて、合金
組成がV3TiNi0.56Hf0.24となるようにした他
は、実施例1と同一の条件で水素吸蔵合金を作製し、実
施例1と同一の条件でその試験を行った。この合金は、
第2相がC14型ラーベス相合金が主となる3次元網目
骨格を有する合金である。
【0024】試験結果を表4に示す。
【0025】
【表4】 表4から、微粉末を加えて溶解することにより、母相の
セルサイズが小さくなり、細かい三次元網目状の骨格を
得ることができること、細かい三次元網目状の骨格を有
する合金の方が優れた高電流密度での放電容量特性をも
つこと、優れた反応速度をもつことがわかった。 (実施例5)実施例4の材料、製法を用い、凝固核をな
す微粉末をVC粉末(比重5.4、融点2810ー28
65℃)に置換して、上記と同じ試験を行った。その結
果を表5に示す。表5から、凝固核をなす微粉末をVC
に置換しても、実施例4と同様の効果が得られることが
わかった。
セルサイズが小さくなり、細かい三次元網目状の骨格を
得ることができること、細かい三次元網目状の骨格を有
する合金の方が優れた高電流密度での放電容量特性をも
つこと、優れた反応速度をもつことがわかった。 (実施例5)実施例4の材料、製法を用い、凝固核をな
す微粉末をVC粉末(比重5.4、融点2810ー28
65℃)に置換して、上記と同じ試験を行った。その結
果を表5に示す。表5から、凝固核をなす微粉末をVC
に置換しても、実施例4と同様の効果が得られることが
わかった。
【0026】
【表5】 比較例として粉末を加えなかった場合と、平均粒径が5
μmのVC粉末を用いた場合とについても調べた。その
結果、後者の比較例の場合には顕著な組織の微細化は見
られないことが観察されたが、充放電サイクルを繰り返
した場合に亀裂が粉末界面で多数発生していることがわ
かった。 (実施例6)実施例4の材料、製法を用い、凝固核をな
す微粉末をTiC(比重4.9、融点3980ー325
0℃)、TiN(比重5.4、融点2627ー2900
℃)、C(比重1.4、融点3727℃)、WC(比重
15.6、融点2627ー2900℃)、SiO2 (比
重2.7、融点1500℃)に置換して上記と同じ試験
を行った。なお、SiO2 (比重2.7、融点1500
℃)粉末をアーク溶解時に混合した。その結果を表6に
示す。
μmのVC粉末を用いた場合とについても調べた。その
結果、後者の比較例の場合には顕著な組織の微細化は見
られないことが観察されたが、充放電サイクルを繰り返
した場合に亀裂が粉末界面で多数発生していることがわ
かった。 (実施例6)実施例4の材料、製法を用い、凝固核をな
す微粉末をTiC(比重4.9、融点3980ー325
0℃)、TiN(比重5.4、融点2627ー2900
℃)、C(比重1.4、融点3727℃)、WC(比重
15.6、融点2627ー2900℃)、SiO2 (比
重2.7、融点1500℃)に置換して上記と同じ試験
を行った。なお、SiO2 (比重2.7、融点1500
℃)粉末をアーク溶解時に混合した。その結果を表6に
示す。
【0027】
【表6】 表6から、組織の微細化による効果は、TiC(比重
4.9、融点3980ー3250℃)、TiN(比重
5.4、融点2627ー2900℃)を用いた場合には
生じているものの、C(比重1.4、融点3727
℃)、WC(比重15.6、融点2627ー2900
℃)、SiO2 (比重2.7、融点1500℃)を用い
た場合にはほとんど生じないことがわかった。
4.9、融点3980ー3250℃)、TiN(比重
5.4、融点2627ー2900℃)を用いた場合には
生じているものの、C(比重1.4、融点3727
℃)、WC(比重15.6、融点2627ー2900
℃)、SiO2 (比重2.7、融点1500℃)を用い
た場合にはほとんど生じないことがわかった。
【0028】顕微鏡観察によれば、C(比重1.4)や
WC(比重15.6)は、比重の大きな相違によると思
われる理由により合金とほとんど混じることなく偏在し
ていた。そのためこれらの微粉末では合金構造の微細化
効果をほとんど奏することができないものと推定され
る。また、低融点のSiO2 (比重2.7、融点150
0℃)粉末を混合して作製した上記合金を、SEMーE
PMA分析した結果、更に、この合金を水素化粉砕後、
真空中で450℃、4時間の真空熱処理により脱水素化
してXRD(CuーKα)にて解析した。
WC(比重15.6)は、比重の大きな相違によると思
われる理由により合金とほとんど混じることなく偏在し
ていた。そのためこれらの微粉末では合金構造の微細化
効果をほとんど奏することができないものと推定され
る。また、低融点のSiO2 (比重2.7、融点150
0℃)粉末を混合して作製した上記合金を、SEMーE
PMA分析した結果、更に、この合金を水素化粉砕後、
真空中で450℃、4時間の真空熱処理により脱水素化
してXRD(CuーKα)にて解析した。
【0029】その結果、この合金組織は、V固溶体の母
相と、その粒界に析出するラベス相と、Ti4 Ni2O
と類似のXRDピ−クをもつ酸化物相がみられた。Si
は主に粒界の相内に分布していた。ただし、放電容量は
顕著に低下した。この理由としては、主に母相に析出す
る酸素と、酸化相の析出による母相の割合の低下が考え
られる。
相と、その粒界に析出するラベス相と、Ti4 Ni2O
と類似のXRDピ−クをもつ酸化物相がみられた。Si
は主に粒界の相内に分布していた。ただし、放電容量は
顕著に低下した。この理由としては、主に母相に析出す
る酸素と、酸化相の析出による母相の割合の低下が考え
られる。
【0030】また、高率放電時の放電容量も低下した。
この理由としては、第2相がもつ良好な触媒活性が、S
iの固溶により劣化したためであると考えられる。こよ
うに合金よりも低融点の微粉末の混合は、合金特性に顕
著な悪影響を生じることがわかった。なお、上記した各
表において、Cd(50A/kg)は、合金1kgw当
たり50Aの電流で放電した場合の合金1kgw当たり
の通常放電容量を示し、Cd(200A/kg)は、合
金1kgw当たり200Aの大電流で放電した場合の合
金1kgw当たりの高率放電容量を示し、100C100
/Cdは、上記通常放電容量Cd(初回のサイクルから
数回程度のサイクル数実施後の通常放電容量)に対する
100サイクル経過後の通常放電容量C100の割合
(%)、すなわち、本明細書で言うサイクル寿命を意味
するものとする。また、上記高率放電容量は、水素吸蔵
合金電極の電池としての反応活性および電気的導電性の
程度を示す。 (その他の結論)以上説明した各実施例から、以下の結
論および推定が得られる。
この理由としては、第2相がもつ良好な触媒活性が、S
iの固溶により劣化したためであると考えられる。こよ
うに合金よりも低融点の微粉末の混合は、合金特性に顕
著な悪影響を生じることがわかった。なお、上記した各
表において、Cd(50A/kg)は、合金1kgw当
たり50Aの電流で放電した場合の合金1kgw当たり
の通常放電容量を示し、Cd(200A/kg)は、合
金1kgw当たり200Aの大電流で放電した場合の合
金1kgw当たりの高率放電容量を示し、100C100
/Cdは、上記通常放電容量Cd(初回のサイクルから
数回程度のサイクル数実施後の通常放電容量)に対する
100サイクル経過後の通常放電容量C100の割合
(%)、すなわち、本明細書で言うサイクル寿命を意味
するものとする。また、上記高率放電容量は、水素吸蔵
合金電極の電池としての反応活性および電気的導電性の
程度を示す。 (その他の結論)以上説明した各実施例から、以下の結
論および推定が得られる。
【0031】微粉末最適混合割合は、合金の水素吸蔵、
放出特性や電極としての特性を阻害しない範囲でできる
だけ多いほうがよい。各種実験によれば、微粉末は、上
記水素吸蔵合金に0.2〜5wt%混合することが好ま
しい。実施例では、上記水素吸蔵合金を電池負極として
用いた場合の電池特性の向上を示すが、それらはもちろ
ん、合金の水素ガスの吸蔵、放出用におけるサイクル寿
命、水素吸蔵能力、反応性アップを意味するものであ
り、この水素吸蔵合金を水素ガス吸蔵装置や熱交換器と
して用いる場合でも、上記特性向上が実現できることは
当然である。
放出特性や電極としての特性を阻害しない範囲でできる
だけ多いほうがよい。各種実験によれば、微粉末は、上
記水素吸蔵合金に0.2〜5wt%混合することが好ま
しい。実施例では、上記水素吸蔵合金を電池負極として
用いた場合の電池特性の向上を示すが、それらはもちろ
ん、合金の水素ガスの吸蔵、放出用におけるサイクル寿
命、水素吸蔵能力、反応性アップを意味するものであ
り、この水素吸蔵合金を水素ガス吸蔵装置や熱交換器と
して用いる場合でも、上記特性向上が実現できることは
当然である。
Claims (6)
- 【請求項1】V、Ti、Niを主に含む原料融液の冷却
により、V基固溶体相からなる母相の粒界に主にTiN
i基合金相およびラベス相の少なくとも一方を析出させ
る水素吸蔵合金の製造方法において、 前記原料融液は、前記水素吸蔵合金の融点より高い融点
を有して前記母相凝固時の凝固核をなす微粉末を含有す
ることを特徴とする水素吸蔵合金の製造方法。 - 【請求項2】V、Ti、Niを含むV基固溶体相からな
る母相と、前記母相の粒界に析出するTiNi基合金相
およびラベス相の少なくとも一方とを有する水素吸蔵合
金において、 前記水素吸蔵合金の融点より高い融点を有して前記母相
の凝固核をなす微粉末を含有することを特徴とする水素
吸蔵合金。 - 【請求項3】請求項1ないし2のいずれかに記載の水素
吸蔵合金またはその製造方法において、 前記微粉末は、前記母相の任意方向断面における平均セ
ル幅の20%以下の平均粒径を有することを特徴とする
水素吸蔵合金またはその製造方法。 - 【請求項4】請求項1ないし2のいずれかに記載の水素
吸蔵合金またはその製造方法において、 前記微粉末は、1μm以下の平均粒径を有することを特
徴とする水素吸蔵合金またはその製造方法。 - 【請求項5】請求項1ないし4のいずれかに記載の水素
吸蔵合金またはその製造方法において、 前記微粉末は、3〜8g/cm3の密度を有することを
特徴とする水素吸蔵合金またはその製造方法。 - 【請求項6】請求項1ないし5のいずれかに記載の水素
吸蔵合金またはその製造方法において、 前記微粉末は、TiC、TiN、VC、NbCの少なく
とも一つを含むことを特徴とする水素吸蔵合金またはそ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9124039A JPH10317075A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 水素吸蔵合金およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9124039A JPH10317075A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 水素吸蔵合金およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317075A true JPH10317075A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=14875513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9124039A Pending JPH10317075A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 水素吸蔵合金およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10317075A (ja) |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP9124039A patent/JPH10317075A/ja active Pending
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