JPH10317184A - 錫／ビスマス合金めっき液 - Google Patents
錫／ビスマス合金めっき液Info
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 79
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- -1 polyoxymethylene Polymers 0.000 claims abstract description 23
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C=O FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- SQYNKIJPMDEDEG-UHFFFAOYSA-N paraldehyde Chemical compound CC1OC(C)OC(C)O1 SQYNKIJPMDEDEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229960003868 paraldehyde Drugs 0.000 claims abstract description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000001621 bismuth Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 150000004002 naphthaldehydes Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- GUTLBVAYUNHFRZ-UHFFFAOYSA-N 1-chlorocyclohexa-2,4-diene-1-carbaldehyde Chemical compound O=CC1(Cl)CC=CC=C1 GUTLBVAYUNHFRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- SQAINHDHICKHLX-UHFFFAOYSA-N 1-naphthaldehyde Chemical compound C1=CC=C2C(C=O)=CC=CC2=C1 SQAINHDHICKHLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 abstract 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 abstract 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- PJKVFARRVXDXAD-UHFFFAOYSA-N 2-naphthaldehyde Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=O)=CC=C21 PJKVFARRVXDXAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 description 1
- JIRHAGAOHOYLNO-UHFFFAOYSA-N (3-cyclopentyloxy-4-methoxyphenyl)methanol Chemical compound COC1=CC=C(CO)C=C1OC1CCCC1 JIRHAGAOHOYLNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVGOXGQSTGQXDD-UHFFFAOYSA-N 1-decane-sulfonic-acid Chemical compound CCCCCCCCCCS(O)(=O)=O KVGOXGQSTGQXDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobenzaldehyde Chemical class ClC1=CC=CC(C=O)=C1 SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MNMKEULGSNUTIA-UHFFFAOYSA-K bismuth;methanesulfonate Chemical compound [Bi+3].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O MNMKEULGSNUTIA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N butane-2-sulfonic acid Chemical compound CCC(C)S(O)(=O)=O BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003673 groundwater Substances 0.000 description 1
- FYAQQULBLMNGAH-UHFFFAOYSA-N hexane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCCCS(O)(=O)=O FYAQQULBLMNGAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AICMYQIGFPHNCY-UHFFFAOYSA-J methanesulfonate;tin(4+) Chemical compound [Sn+4].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O AICMYQIGFPHNCY-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RJQRCOMHVBLQIH-UHFFFAOYSA-M pentane-1-sulfonate Chemical compound CCCCCS([O-])(=O)=O RJQRCOMHVBLQIH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNDXKIMMSFCCFW-UHFFFAOYSA-N propane-2-sulphonic acid Chemical compound CC(C)S(O)(=O)=O HNDXKIMMSFCCFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い電流密度領域に渡って光沢めっきを形
成できる錫／ビスマス合金めっき液の提供。 【解決手段】 錫／ビスマス合金の電気めっき用水溶液
であって、酸として有機スルホン酸、金属塩として有機
スルホン酸の２価の錫塩と２価のビスマス塩の両者、分
散剤としてポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ルまたはポリオキシエチレンナフチルエーテルの１種も
しくは２種以上、光沢剤としてクロロベンズアルデヒド
とナフトアルデヒドとパラアセトアルデヒドとを含有す
ることを特徴とする錫／ビスマス合金めっき液。
成できる錫／ビスマス合金めっき液の提供。 【解決手段】 錫／ビスマス合金の電気めっき用水溶液
であって、酸として有機スルホン酸、金属塩として有機
スルホン酸の２価の錫塩と２価のビスマス塩の両者、分
散剤としてポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ルまたはポリオキシエチレンナフチルエーテルの１種も
しくは２種以上、光沢剤としてクロロベンズアルデヒド
とナフトアルデヒドとパラアセトアルデヒドとを含有す
ることを特徴とする錫／ビスマス合金めっき液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、錫／ビスマス合金
めっき液に関する。
めっき液に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまでに工業的に生産されてきた錫／
鉛合金めっき材は、はんだ付け性、耐食性などが良好な
ために、コネクタやリードフレームなどの電子工業用部
品の工業用めっきとして広く利用されてきた。しかしな
がら、近年鉛の有害性が指摘されるようになり、鉛の使
用を規制しようとする動きが世界的に生じている。例え
ば、屋外に廃棄された電子機器類などが酸性雨にさらさ
れると、機器内部に使用されているはんだ（錫／鉛合
金）や、電子部品の表面に施されているはんだめっきが
腐食して鉛が溶けだし、これが原因で地下水や河川が汚
染される。環境汚染を防止するには、鉛を含有しない物
質を使用することが最善であり、従って、従来の錫／鉛
めっきに代わる鉛を含有しない新しいめっき材を開発す
る必要がある。
鉛合金めっき材は、はんだ付け性、耐食性などが良好な
ために、コネクタやリードフレームなどの電子工業用部
品の工業用めっきとして広く利用されてきた。しかしな
がら、近年鉛の有害性が指摘されるようになり、鉛の使
用を規制しようとする動きが世界的に生じている。例え
ば、屋外に廃棄された電子機器類などが酸性雨にさらさ
れると、機器内部に使用されているはんだ（錫／鉛合
金）や、電子部品の表面に施されているはんだめっきが
腐食して鉛が溶けだし、これが原因で地下水や河川が汚
染される。環境汚染を防止するには、鉛を含有しない物
質を使用することが最善であり、従って、従来の錫／鉛
めっきに代わる鉛を含有しない新しいめっき材を開発す
る必要がある。
【０００３】めっき液を開発するうえで重要となる点
は、めっきができる電流密度の範囲と、めっき外観の良
否である。
は、めっきができる電流密度の範囲と、めっき外観の良
否である。
【０００４】電流密度については、例えば、近年めっき
工場では生産性向上のために、めっき浴に大電流をかけ
て高電流密度で高速のめっきを行うことが望まれている
が、高電流密度での使用に耐えうるめっき液がないため
に、低電流密度で操業している場合が多い。一方、連続
めっきあるいはバレルめっきラインにおいて金属条やプ
レス品をめっきする際に、めっき槽中における被めっき
物の位置やその形状により、めっき時の電流密度が局部
的に高くあるいは局部的に低くなる場合がある。そのよ
うな場合、低電流から高電流密度までめっきが可能なめ
っき液では問題ないが、狭い電流密度範囲のめっき液の
場合には、めっき品に外観のむらなどの欠陥が生じる。
めっき液に望まれる電流密度に関する特性としては、
高い電流密度でめっきができること、めっきできる電
流密度の範囲が広いこと、の２点が挙げられる。
工場では生産性向上のために、めっき浴に大電流をかけ
て高電流密度で高速のめっきを行うことが望まれている
が、高電流密度での使用に耐えうるめっき液がないため
に、低電流密度で操業している場合が多い。一方、連続
めっきあるいはバレルめっきラインにおいて金属条やプ
レス品をめっきする際に、めっき槽中における被めっき
物の位置やその形状により、めっき時の電流密度が局部
的に高くあるいは局部的に低くなる場合がある。そのよ
うな場合、低電流から高電流密度までめっきが可能なめ
っき液では問題ないが、狭い電流密度範囲のめっき液の
場合には、めっき品に外観のむらなどの欠陥が生じる。
めっき液に望まれる電流密度に関する特性としては、
高い電流密度でめっきができること、めっきできる電
流密度の範囲が広いこと、の２点が挙げられる。
【０００５】めっき外観については、めっき後の外観が
平滑かつ均質で、表面からの粉の発生が少ないことが望
まれる。
平滑かつ均質で、表面からの粉の発生が少ないことが望
まれる。
【０００６】従来報告されている錫／ビスマスめっき液
において、上述したようなふたつの特性、すなわち電流
密度およびめっき外観に対する要求特性を満たすめっき
液はほとんどない。例えば、特開平８−２２５９８５の
めっき液では、めっき時の電流密度の上限は１０Ａ／ｄ
ｍ2であり、一方、特開平８−２６０１８７での実施例
ではハルセル試験を１Ａで行っていることから、電流密
度の上限は５Ａ／ｄｍ2程度と推定される。
において、上述したようなふたつの特性、すなわち電流
密度およびめっき外観に対する要求特性を満たすめっき
液はほとんどない。例えば、特開平８−２２５９８５の
めっき液では、めっき時の電流密度の上限は１０Ａ／ｄ
ｍ2であり、一方、特開平８−２６０１８７での実施例
ではハルセル試験を１Ａで行っていることから、電流密
度の上限は５Ａ／ｄｍ2程度と推定される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑みてなされたもので、０．２Ａ／ｄｍ2
程度の低電流密度から、２５Ａ／ｄｍ2程度までの広い
範囲において、外観の良好な光沢めっきが得られる錫／
ビスマス合金めっき液を提供することを目的としたもの
である。
術の問題点に鑑みてなされたもので、０．２Ａ／ｄｍ2
程度の低電流密度から、２５Ａ／ｄｍ2程度までの広い
範囲において、外観の良好な光沢めっきが得られる錫／
ビスマス合金めっき液を提供することを目的としたもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明者が研究を行った結果、以下に示すめっき液を
発明するに至った。すなわち本発明は、（１）錫／ビス
マス合金の電気めっき用水溶液であって、酸として有機
スルホン酸、金属塩として有機スルホン酸の２価の錫塩
と２価のビスマス塩の両者、分散剤としてポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテルまたはポリオキシエチ
レンナフチルエーテルの１種もしくは２種以上、光沢剤
としてクロロベンズアルデヒドとナフトアルデヒドとパ
ラアセトアルデヒドとを含有することを特徴とする錫／
ビスマスめっき液、（２）ポリオキシエチレンアルキル
フェニルエーテルまたはポリオキシエチレンナフチルエ
ーテルの濃度が、１種もしくは２種以上合計で０．５〜
３０ｇ／Ｌであることを特徴とする前記（１）に記載の
錫／ビスマス合金めっき液、（３）光沢剤として使用す
る３種類の成分の濃度がそれぞれ、クロロベンズアルデ
ヒド０．００５〜１ｇ／Ｌ、ナフトアルデヒド０．０１
〜４ｇ／Ｌ、パラアセトアルデヒド０．１〜３０ｇ／Ｌ
であることを特徴とする前記（１）または（２）に記載
の錫／ビスマス合金めっき液である。
に本発明者が研究を行った結果、以下に示すめっき液を
発明するに至った。すなわち本発明は、（１）錫／ビス
マス合金の電気めっき用水溶液であって、酸として有機
スルホン酸、金属塩として有機スルホン酸の２価の錫塩
と２価のビスマス塩の両者、分散剤としてポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテルまたはポリオキシエチ
レンナフチルエーテルの１種もしくは２種以上、光沢剤
としてクロロベンズアルデヒドとナフトアルデヒドとパ
ラアセトアルデヒドとを含有することを特徴とする錫／
ビスマスめっき液、（２）ポリオキシエチレンアルキル
フェニルエーテルまたはポリオキシエチレンナフチルエ
ーテルの濃度が、１種もしくは２種以上合計で０．５〜
３０ｇ／Ｌであることを特徴とする前記（１）に記載の
錫／ビスマス合金めっき液、（３）光沢剤として使用す
る３種類の成分の濃度がそれぞれ、クロロベンズアルデ
ヒド０．００５〜１ｇ／Ｌ、ナフトアルデヒド０．０１
〜４ｇ／Ｌ、パラアセトアルデヒド０．１〜３０ｇ／Ｌ
であることを特徴とする前記（１）または（２）に記載
の錫／ビスマス合金めっき液である。
【０００９】本発明のめっき液に用いる第１の必須成分
である酸の有機スルホン酸は、一般式（１） Ｒ1ＳＯ3Ｈ （１） （式中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表す）で
表される。Ｒ1のアルキル基、アリール基の炭素数は１
〜１０が好ましい。この一般式（１）で表される化合物
のうち好ましいものを挙げると、メタンスルホン酸、エ
タンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンス
ルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、
ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスル
ホン酸などのアルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、フェノ
ールスルホン酸などの芳香族スルホン酸などである。上
記有機スルホン酸の１種もしくは２種以上を本発明のめ
っき液に利用することができるが、一般式（１）のＲ1
がアルキル基のものの方がより好ましい。これらの酸は
めっき液に電気伝導性を与え、錫およびビスマスの塩の
めっき液への溶解、あるいは、めっき用陽極のめっき液
への溶解を促進させる。
である酸の有機スルホン酸は、一般式（１） Ｒ1ＳＯ3Ｈ （１） （式中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表す）で
表される。Ｒ1のアルキル基、アリール基の炭素数は１
〜１０が好ましい。この一般式（１）で表される化合物
のうち好ましいものを挙げると、メタンスルホン酸、エ
タンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンス
ルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、
ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスル
ホン酸などのアルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、フェノ
ールスルホン酸などの芳香族スルホン酸などである。上
記有機スルホン酸の１種もしくは２種以上を本発明のめ
っき液に利用することができるが、一般式（１）のＲ1
がアルキル基のものの方がより好ましい。これらの酸は
めっき液に電気伝導性を与え、錫およびビスマスの塩の
めっき液への溶解、あるいは、めっき用陽極のめっき液
への溶解を促進させる。
【００１０】本発明のめっき液に用いる第２の必須成分
である金属塩は、上記有機スルホン酸の２価の錫塩と２
価のビスマス塩の両者である。これらの塩は、２価の錫
または２価のビスマス塩と所望の金属スルホン酸との反
応によって容易に調製することができる。スルホン酸と
反応して所望の金属スルホン酸を形成し得る錫およびビ
スマスの例は、ビスマスと錫の酸化物を含む。めっき液
に添加される金属塩は、陰極に析出する金属イオンの源
となる。なお錫は、２価の錫から４価の錫へと酸化しや
すいため、この酸化を防止することを目的として、めっ
き液にカテコールやヒドラキノンのような酸化防止剤を
適宜添加することも有効である。
である金属塩は、上記有機スルホン酸の２価の錫塩と２
価のビスマス塩の両者である。これらの塩は、２価の錫
または２価のビスマス塩と所望の金属スルホン酸との反
応によって容易に調製することができる。スルホン酸と
反応して所望の金属スルホン酸を形成し得る錫およびビ
スマスの例は、ビスマスと錫の酸化物を含む。めっき液
に添加される金属塩は、陰極に析出する金属イオンの源
となる。なお錫は、２価の錫から４価の錫へと酸化しや
すいため、この酸化を防止することを目的として、めっ
き液にカテコールやヒドラキノンのような酸化防止剤を
適宜添加することも有効である。
【００１１】本発明のめっき液に用いる第３の必須成分
である分散剤のポリオキシエチレンアルキルフェニルエ
ーテルは一般式（２）、ポリオキシエチレンナフチルエ
ーテルは一般式（３）
である分散剤のポリオキシエチレンアルキルフェニルエ
ーテルは一般式（２）、ポリオキシエチレンナフチルエ
ーテルは一般式（３）
【００１２】
【化１】
【００１３】（式中、Ｒ2は約６ないし２０個の炭素原
子を含有するアルキル基を示し、ｎは２ないし５０の整
数を示す）で表される。一般式（２）で表される化合物
のうち好ましいものを挙げると、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフ
ェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルフェニル
エーテルなどである。一般式（３）で表される化合物の
うち好ましいものを挙げると、エトキシレーテッドナフ
トールなどがある。これらの化合物はいずれも界面活性
剤に属するものであり、工業的に生産され市販されてい
る。
子を含有するアルキル基を示し、ｎは２ないし５０の整
数を示す）で表される。一般式（２）で表される化合物
のうち好ましいものを挙げると、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフ
ェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルフェニル
エーテルなどである。一般式（３）で表される化合物の
うち好ましいものを挙げると、エトキシレーテッドナフ
トールなどがある。これらの化合物はいずれも界面活性
剤に属するものであり、工業的に生産され市販されてい
る。
【００１４】分散剤は、水に溶解しにくい光沢剤をめっ
き液に溶解しやすくする機能のほかに、めっき液の表面
張力を減少させるので、めっき表面を平滑にし、その結
果、めっき外観を半光沢もしくは光沢状にする機能を有
している。本発明では多種多様の界面活性剤を使用して
実験を行った結果、めっき外観を半光沢状にさせる分散
剤としては、一般式（２）及び（３）で表される化合物
が最も適していることを発見した。添加量は、上記分散
剤１種もしくは２種合計で０．５〜３０ｇ／Ｌ（めっき
液１リットルに対し分散剤が０．５〜３０グラム）が好
ましい。分散剤の添加量が０．５ｇ／Ｌ未満では効果が
期待できず、また、３０ｇ／Ｌを超えると過剰となり不
経済である。
き液に溶解しやすくする機能のほかに、めっき液の表面
張力を減少させるので、めっき表面を平滑にし、その結
果、めっき外観を半光沢もしくは光沢状にする機能を有
している。本発明では多種多様の界面活性剤を使用して
実験を行った結果、めっき外観を半光沢状にさせる分散
剤としては、一般式（２）及び（３）で表される化合物
が最も適していることを発見した。添加量は、上記分散
剤１種もしくは２種合計で０．５〜３０ｇ／Ｌ（めっき
液１リットルに対し分散剤が０．５〜３０グラム）が好
ましい。分散剤の添加量が０．５ｇ／Ｌ未満では効果が
期待できず、また、３０ｇ／Ｌを超えると過剰となり不
経済である。
【００１５】本発明のめっき液に用いる第４の必須成分
である光沢剤は、３種類の成分すなわち、クロロベンズ
アルデヒドとナフトアルデヒドとパラアセトアルデヒド
を含有するものである。これらの成分は、めっき液中に
おいてそれぞれ独自の機能をはたす。
である光沢剤は、３種類の成分すなわち、クロロベンズ
アルデヒドとナフトアルデヒドとパラアセトアルデヒド
を含有するものである。これらの成分は、めっき液中に
おいてそれぞれ独自の機能をはたす。
【００１６】クロロベンズアルデヒドは、１０Ａ／ｄｍ
2以上の光電流密度でのめっきにおいて、光沢剤として
の機能をはたす。添加量は０．００５〜１ｇ／Ｌが好ま
しく、０．００５ｇ／Ｌ未満では効果が期待できず、１
ｇ／Ｌを超えるとめっき外観が悪くなる。なおクロロベ
ンズアルデヒドには、ｏ−クロロベンズアルデヒドと、
ｍ−クロロベンズアルデヒドの二つの異性体があるが、
どちらを採用してもかまわない。
2以上の光電流密度でのめっきにおいて、光沢剤として
の機能をはたす。添加量は０．００５〜１ｇ／Ｌが好ま
しく、０．００５ｇ／Ｌ未満では効果が期待できず、１
ｇ／Ｌを超えるとめっき外観が悪くなる。なおクロロベ
ンズアルデヒドには、ｏ−クロロベンズアルデヒドと、
ｍ−クロロベンズアルデヒドの二つの異性体があるが、
どちらを採用してもかまわない。
【００１７】ナフトアルデヒドは、５〜１５Ａ／ｄｍ2
の中電流密度でのめっきにおいて、光沢剤としての機能
をはたす。添加量は０．０１〜４ｇ／Ｌが好ましく、添
加量０．０１ｇ／Ｌ未満ではその効果が期待できず、４
ｇ／Ｌを超えるとめっき外観が悪くなる。なおナフトア
ルデヒドには、１−ナフトアルデヒドと、２−ナフトア
ルデヒドの二つの異性体があるが、１−ナフトアルデヒ
ドの方が性能とコストの面で有利である。
の中電流密度でのめっきにおいて、光沢剤としての機能
をはたす。添加量は０．０１〜４ｇ／Ｌが好ましく、添
加量０．０１ｇ／Ｌ未満ではその効果が期待できず、４
ｇ／Ｌを超えるとめっき外観が悪くなる。なおナフトア
ルデヒドには、１−ナフトアルデヒドと、２−ナフトア
ルデヒドの二つの異性体があるが、１−ナフトアルデヒ
ドの方が性能とコストの面で有利である。
【００１８】パラアセトアルデヒドは単独使用では光沢
剤としての機能はあまり強くないが、他の光沢剤と併用
することにより、他の光沢剤の機能を大幅に向上させる
はたらきがある。例えば、ナフトアルデヒドのみの添加
では低電流密度域で光沢はでないが、パラアセトアルデ
ヒドと併用すると、０．２〜５Ａ／ｄｍ2の低電流域で
も光沢めっき外観を得ることができる。添加量は０．１
〜３０ｇ／Ｌが好ましく、添加量０．１ｇ／Ｌ未満では
効果が期待できず、３０ｇ／Ｌを超えるとめっき外観が
悪くなる。
剤としての機能はあまり強くないが、他の光沢剤と併用
することにより、他の光沢剤の機能を大幅に向上させる
はたらきがある。例えば、ナフトアルデヒドのみの添加
では低電流密度域で光沢はでないが、パラアセトアルデ
ヒドと併用すると、０．２〜５Ａ／ｄｍ2の低電流域で
も光沢めっき外観を得ることができる。添加量は０．１
〜３０ｇ／Ｌが好ましく、添加量０．１ｇ／Ｌ未満では
効果が期待できず、３０ｇ／Ｌを超えるとめっき外観が
悪くなる。
【００１９】以上述べたように光沢剤は３種類の成分か
らなるが、めっき液への光沢剤の添加方法としては、３
種類の成分を予め混合させた後にめっき液に添加する方
法、あるいは、３種類の成分をそれぞれ別個に添加する
方法のいずれを選んでもよい。
らなるが、めっき液への光沢剤の添加方法としては、３
種類の成分を予め混合させた後にめっき液に添加する方
法、あるいは、３種類の成分をそれぞれ別個に添加する
方法のいずれを選んでもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によりさらに
詳細に説明するが、本発明はこれらの数例に限定される
ものではなく、前述した目的に添ってめっき液の組成及
びめっき条件は任意に変更することができる。
詳細に説明するが、本発明はこれらの数例に限定される
ものではなく、前述した目的に添ってめっき液の組成及
びめっき条件は任意に変更することができる。
【００２１】めっき液を試験する方法としてハルセル試
験を採用し、めっきされた金属板（ハルセルパネル）を
観察して、めっき液の性能を評価した。なおハルセル試
験は、総電流５Ａ、液温度は室温、液の撹拌なしの条件
で行った。ハルセル試験で使用しためっき液の組成と、
試験後のハルセルパネルの外観をまとめて表１に示す。
験を採用し、めっきされた金属板（ハルセルパネル）を
観察して、めっき液の性能を評価した。なおハルセル試
験は、総電流５Ａ、液温度は室温、液の撹拌なしの条件
で行った。ハルセル試験で使用しためっき液の組成と、
試験後のハルセルパネルの外観をまとめて表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１脚注 （１）：メタンスルホン酸（１００％）濃度 （２）：メタンスルホン酸錫使用、錫換算濃度（錫イオ
ン濃度） （３）：メタンスルホン酸ビスマス使用、ビスマス換算
濃度（ビスマスイオン濃度） Ａ：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル Ｂ：ポリオキシエチレンナフチルエーテル Ｃ：ｏ−クロロベンズアルデヒド Ｄ：１−ナフトアルデヒド Ｅ：パラアセトアルデヒド 表１の実施例１〜３は本発明に従って調合しためっき液
を用いて試験した結果であり、いずれも０．２〜２５Ａ
／ｄｍ2の広い範囲の電流密度において、半光沢（すり
ガラス状）の外観良好なめっきを得ることができた。比
較例４〜７は分散剤（界面活性剤）の効果を確認するた
めに試験した結果である。この結果より、ポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテルおよびポリオキシエチ
レンナフチルエーテルは、それぞれ単独、もしくは併用
のどちらの場合にも効果があることがわかった。比較例
８〜１３は光沢剤の効果を確認するために試験した結果
である。これらの結果および実施例１より、クロロベン
ズアルデヒド、ナフチルアルデヒドおよびパラアルデヒ
ドの３種類の光沢剤全てが添加された場合に、最良のめ
っき外観が得られることがわかった。
ン濃度） （３）：メタンスルホン酸ビスマス使用、ビスマス換算
濃度（ビスマスイオン濃度） Ａ：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル Ｂ：ポリオキシエチレンナフチルエーテル Ｃ：ｏ−クロロベンズアルデヒド Ｄ：１−ナフトアルデヒド Ｅ：パラアセトアルデヒド 表１の実施例１〜３は本発明に従って調合しためっき液
を用いて試験した結果であり、いずれも０．２〜２５Ａ
／ｄｍ2の広い範囲の電流密度において、半光沢（すり
ガラス状）の外観良好なめっきを得ることができた。比
較例４〜７は分散剤（界面活性剤）の効果を確認するた
めに試験した結果である。この結果より、ポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテルおよびポリオキシエチ
レンナフチルエーテルは、それぞれ単独、もしくは併用
のどちらの場合にも効果があることがわかった。比較例
８〜１３は光沢剤の効果を確認するために試験した結果
である。これらの結果および実施例１より、クロロベン
ズアルデヒド、ナフチルアルデヒドおよびパラアルデヒ
ドの３種類の光沢剤全てが添加された場合に、最良のめ
っき外観が得られることがわかった。
【００２４】
【発明の効果】以上記述したように、本発明のめっき液
によれば、０．２〜２５Ａ／ｄｍ2の広い電流密度範囲
において、外観良好な錫／ビスマス合金めっきを得るこ
とができ、生産性の向上とともにめっき品質の向上にも
寄与することができる。
によれば、０．２〜２５Ａ／ｄｍ2の広い電流密度範囲
において、外観良好な錫／ビスマス合金めっきを得るこ
とができ、生産性の向上とともにめっき品質の向上にも
寄与することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 錫／ビスマス合金の電気めっき用水溶液
であって、酸として有機スルホン酸、金属塩として有機
スルホン酸の２価の錫塩と２価のビスマス塩の両者、分
散剤としてポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ルまたはポリオキシエチレンナフチルエーテルの１種も
しくは２種以上、光沢剤としてクロロベンズアルデヒド
とナフトアルデヒドとパラアセトアルデヒドとを含有す
ることを特徴とする錫／ビスマス合金めっき液。 - 【請求項２】 ポリオキシエチレンアルキルフェニルエ
ーテルまたはポリオキシエチレンナフチルエーテルの濃
度が、１種もしくは２種以上合計で０．５〜３０ｇ／Ｌ
であることを特徴とする請求項１に記載の錫／ビスマス
合金めっき液。 - 【請求項３】 光沢剤として使用する３種類の成分の濃
度がそれぞれ、クロロベンズアルデヒド０．００５〜１
ｇ／Ｌ、ナフトアルデヒド０．０１〜４ｇ／Ｌ、パラア
セトアルデヒド０．１〜３０ｇ／Ｌであることを特徴と
する請求項１または２に記載の錫／ビスマス合金めっき
液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13222997A JPH10317184A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 錫／ビスマス合金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13222997A JPH10317184A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 錫／ビスマス合金めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317184A true JPH10317184A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=15076404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13222997A Pending JPH10317184A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 錫／ビスマス合金めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10317184A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115404525A (zh) * | 2021-05-28 | 2022-11-29 | 贵州振华群英电器有限公司（国营第八九一厂） | 一种Si-Bi合金电镀工艺 |
| WO2025192702A1 (ja) * | 2024-03-13 | 2025-09-18 | 三菱マテリアル株式会社 | めっき液用微粒化剤補給液、および、錫系めっき材の製造方法 |
-
1997
- 1997-05-22 JP JP13222997A patent/JPH10317184A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115404525A (zh) * | 2021-05-28 | 2022-11-29 | 贵州振华群英电器有限公司（国营第八九一厂） | 一种Si-Bi合金电镀工艺 |
| WO2025192702A1 (ja) * | 2024-03-13 | 2025-09-18 | 三菱マテリアル株式会社 | めっき液用微粒化剤補給液、および、錫系めっき材の製造方法 |
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