JPH1031820A - Initialization head for optical disk and initialization device - Google Patents

Initialization head for optical disk and initialization device

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JPH1031820A
JPH1031820A JP8186199A JP18619996A JPH1031820A JP H1031820 A JPH1031820 A JP H1031820A JP 8186199 A JP8186199 A JP 8186199A JP 18619996 A JP18619996 A JP 18619996A JP H1031820 A JPH1031820 A JP H1031820A
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JP
Japan
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optical disk
light beam
initialization
image
semiconductor laser
Prior art date
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Application number
JP8186199A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsuya Yagi
克哉 八木
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To attain a simple and reliable initialization in a short time by giving a longitudinal direction of a linear light beam image an angle in the radial direction or the normal direction of an optical disk. SOLUTION: When the angle between the longitudinal direction of a stripe like beam image and a track is defined θ, and a width of its image is W, and a length is I, the equivalent length I' of this image in the disk radial direction becomes I'=Isinθ, and the width W' in the track direction becomes W'=W/sinθ. In such a manner, by giving the longitudinal direction of the stripe like beam image, the angle for the track, beam irradiation range and irradiation time per one revolution of a disk are set without reducing the peak intensity of the beam image.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を照射
することにより相変化型光ディスクの初期化を行う初期
化ヘッド及び初期化装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an initialization head and an initialization apparatus for initializing a phase change optical disk by irradiating a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】相変化型光ディスクは、工場製造時スパ
ッタ法等でディスク基板上に相変化型記録材料を成膜し
た段階では非晶質となっている。これにレーザービーム
を照射して結晶化させ、情報の記録再生が可能となるよ
うにした上で出荷される。
2. Description of the Related Art A phase change type optical disk is amorphous when a phase change type recording material is formed on a disk substrate by a sputtering method or the like at the time of factory manufacturing. It is crystallized by irradiating it with a laser beam to enable recording and reproduction of information before being shipped.

【0003】この初期化(結晶化)の際、媒体面を選択
的に加熱し、かつ他の部分はあまり高温とならないよう
ディスク基板を回転させながらφ1〜2(μm)に絞ら
れた光スポットを光ディスクの媒体面上に照射する方法
や、幅1〜2(μm)長さ50〜100(μm)の線状
の光ビームをその長手方向を光ディスクの半径方向に向
けて照射する方法が採られている。
At the time of initialization (crystallization), the medium surface is selectively heated, and the other portion is rotated by rotating the disk substrate so that the temperature is not so high, and the light spot is reduced to φ1 to 2 (μm). And a method of irradiating a linear light beam having a width of 1 to 2 (μm) and a length of 50 to 100 (μm) with the longitudinal direction thereof directed in the radial direction of the optical disk. Have been.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の場合、
一度に初期化できる範囲が少なくディスク全体の初期化
に時間がかかる。後者の場合、一度に初期化できる範囲
は広いが、その分高出力のレーザー光源が必要であり、
ストライプ状の発光点を有する高出力半導体レーザーで
はそのニアフィールドパターンに強度ムラがある為、均
一な初期化が行える条件が狭いという問題点があった。
However, in the former case,
The range that can be initialized at once is small, and it takes time to initialize the entire disk. In the latter case, the range that can be initialized at a time is wide, but a high-output laser light source is required,
A high-power semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting point has a problem in that the conditions for performing uniform initialization are narrow because the near-field pattern has uneven intensity.

【0005】又、この種の半導体レーザーは経時的にそ
のニアフィールドパターンが変化し、強度ムラも変わっ
てしまう為、定期的に初期化条件の再設定、半導体レー
ザー素子の交換を要し、又初期化ムラが起こって初めて
強度ムラの発生が分かるという問題があった。
[0005] In addition, since the near-field pattern of this type of semiconductor laser changes over time and the intensity unevenness also changes, it is necessary to periodically reset initialization conditions and replace the semiconductor laser element. There has been a problem that occurrence of intensity unevenness can be recognized only after initialization unevenness occurs.

【0006】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものである。即ち、短時間で簡単に初期化が可能で
あり、かつ信頼性のある光ディスクの初期化ヘッド及び
初期化装置を提供することを目的としたものである。
The present invention has been made to solve the above problems. That is, an object of the present invention is to provide an initialization head and an initialization device for an optical disk which can be easily initialized in a short time and have high reliability.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記構
成を採ることによって達成される。
The object of the present invention is achieved by adopting the following constitution.

【0008】即ち、ストライプ状の発光部を有する半導
体レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光
ディスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、
前記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、前記線状光ビーム像の長手方向を、前記光ディスク
の半径方向もしくは接線方向に対し角度を持たせたこと
を特徴とする光ディスクの初期化装置。
That is, a light beam emitted from a semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting portion is condensed as a linear light beam image on a medium surface of a phase-change optical disk by an objective lens.
An apparatus for initializing an optical disk for initializing the medium, wherein a longitudinal direction of the linear light beam image has an angle with respect to a radial direction or a tangential direction of the optical disk. .

【0009】又、ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化ヘッドにおい
て、半導体レーザーのニアフィールドパターンの強度分
布ムラを低減させる素子を設けたことを特徴とする光デ
ィスクの初期化ヘッド。
An optical disc for initializing the medium by condensing a light beam emitted from a semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting portion on a medium surface of a phase-change optical disc with an objective lens as a linear light beam image. The initialization head according to claim 1, further comprising an element for reducing unevenness in intensity distribution of a near-field pattern of the semiconductor laser.

【0010】又、ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、対物レンズから出射される光ビームを略その長手方
向に振動させることを特徴とする光ディスクの初期化装
置。
An optical disk for initializing the medium by condensing a light beam emitted from a semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting portion on a medium surface of a phase-change optical disk with an objective lens as a linear light beam image. The optical disc initialization apparatus according to claim 1, wherein the light beam emitted from the objective lens is vibrated substantially in the longitudinal direction.

【0011】又、ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、半導体レーザーより出射した光束を対物レンズとは
別の光路へ導くビームスプリッターと、前記光束を集光
するレンズと、該レンズによる集光点上に配置された多
分割光検出器を有し、該光検出器よりの信号で強度ムラ
を検出することを特徴とする光ディスクの初期化装置。
An optical disk for initializing the medium by condensing a light beam emitted from a semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting portion on a medium surface of a phase-change optical disk with an objective lens as a linear light beam image. A beam splitter for guiding a light beam emitted from a semiconductor laser to an optical path different from an objective lens, a lens for condensing the light beam, and a multi-splitting light detection arranged on a converging point by the lens. An optical disk initialization device, comprising: a detector; and detecting intensity unevenness by a signal from the photodetector.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を添付
した図面、図1〜図17により説明する。但し本発明
は、以下に説明する本実施の形態に限定されるものでは
ない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the attached drawings and FIGS. However, the present invention is not limited to the embodiment described below.

【0013】図1は、初期化装置の機構の主要構成であ
る。初期化対象の光ディスク17はディスク回転モータ
ー33に取り付けられ、所定の回転数で回転される。光
ヘッド10は、この光ディスク17の媒体面に線状の光
ビームを照射し、移動ステージ32により内周外周間を
駆動される。
FIG. 1 shows the main structure of the mechanism of the initialization device. The optical disk 17 to be initialized is attached to a disk rotation motor 33, and is rotated at a predetermined rotation speed. The optical head 10 irradiates the medium surface of the optical disk 17 with a linear light beam, and is driven by the moving stage 32 between the inner circumference and the outer circumference.

【0014】図2は、光ヘッドの主要構成図である。ス
トライプ状の発光部を有する高出力半導体レーザー11
より出射した光束はコリメーターレンズ12により平行
光束となり、偏光ビームスプリッター13、1/4波長
板14、像回転プリズム15を通過して対物レンズ16
へ入射し、光ディスク17の透明基板を介して媒体面上
にストライプ状の光ビームとして集光される。偏光ビー
ムスプリッターは光源波長にて例えばTp=95%,R
s=99%といった特性を有し、p偏光方位で入射した
光束の95%は対物レンズ16の方向へ透過し、5%は
反射され集光レンズ22にてパワーモニターフォトダイ
オード25上に集光される。このパワーモニターフォト
ダイオード25よりの出力によりレーザーの発光パワー
を所定値に制御することができる。
FIG. 2 is a diagram showing the main configuration of the optical head. High power semiconductor laser 11 having a stripe-shaped light emitting portion
The emitted light beam is converted into a parallel light beam by the collimator lens 12, passes through the polarizing beam splitter 13, the 波長 wavelength plate 14, and the image rotating prism 15 and passes through the objective lens 16.
And is condensed as a stripe-shaped light beam on the medium surface via the transparent substrate of the optical disk 17. For example, Tp = 95%, R
It has a characteristic of s = 99%, and 95% of the light flux incident in the p-polarized direction is transmitted toward the objective lens 16 and 5% is reflected and condensed on the power monitor photodiode 25 by the condensing lens 22. Is done. The output power of the power monitor photodiode 25 can control the laser emission power to a predetermined value.

【0015】光ディスク17の媒体面上に集光された光
束はこの媒体面で反射され、対物レンズ16、像回転プ
リズム15、1/4波長板14、偏光ビームスプリッタ
ー13へと戻りここで反射され、フーコープリズム2
1、集光レンズ22、光量調整のためのフィルター23
を介してフォーカスエラー検出フォトディテクター24
へ入射する。このディテクター24よりの出力により常
にフォーカシングアクチュエーター31で対物レンズ1
6を駆動して光ディスク17の媒体面上に光ビームを集
光させる。
The light beam condensed on the medium surface of the optical disk 17 is reflected on the medium surface, returns to the objective lens 16, the image rotating prism 15, the quarter-wave plate 14, and the polarization beam splitter 13, and is reflected there. , Foucault prism 2
1. Condensing lens 22, Filter 23 for adjusting light amount
Error detection photodetector 24 via
Incident on. Due to the output from the detector 24, the focusing actuator 31 always controls the objective lens 1
6 is driven to focus a light beam on the medium surface of the optical disk 17.

【0016】図3はストライプ状半導体レーザーの発光
部と、光ディスク上へ結像されるストライプ状の光ビー
ム像の関係を示す図である。レーザーチップ111の発
光部長さをL、コリメーターレンズ12の焦点距離をf
c、対物レンズ16の焦点距離をfo、結像される光ビ
ーム像の長さをIとすると、I=(fo/fc)×Lと
なる。L=200μm,fc=5.8mm,fo=6.
2mmとすると、I≒214μmとなる。
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the light emitting portion of the stripe semiconductor laser and the stripe light beam image formed on the optical disk. The length of the light emitting portion of the laser chip 111 is L, and the focal length of the collimator lens 12 is f.
c, where fo is the focal length of the objective lens 16 and I is the length of the light beam image to be formed, I = (fo / fc) × L. L = 200 μm, fc = 5.8 mm, fo = 6.
If 2 mm, I ≒ 214 μm.

【0017】又、像の幅wは主に光源波長(λ)と対物
レンズの開口数(NAo)で決まり、λ=808nm,
NAo=0.40とするとw≒2μmとなる。ここで対
物レンズの口径をAoとするとNAo=(Ao/2)/
foの関係にある。
The image width w is mainly determined by the light source wavelength (λ) and the numerical aperture (NAo) of the objective lens.
If NAo = 0.40, w ≒ 2 μm. Here, if the aperture of the objective lens is Ao, NAo = (Ao / 2) /
fo.

【0018】この種の半導体レーザーは、その発散角が
レーザーチップの接合に平行方向に10°(半値全
角)、垂直方向に30°(半値全角)程度の楕円ビーム
を出射する。発光部長さは品種によりさまざまであるが
L=100,200,500μm程度である。
This type of semiconductor laser emits an elliptical beam having a divergence angle of about 10 ° (full width at half maximum) in the direction parallel to the junction of the laser chip and about 30 ° (full width at half maximum) in the vertical direction. The length of the light emitting portion varies depending on the type, but is about L = 100, 200, 500 μm.

【0019】コリメーターレンズの有効開口数(NA
c)は、NAc=(Ao/2)/fcで与えられる。こ
の有効開口数NAcは、レーザー出射光を有効に対物レ
ンズに導けるように設定する必要があり、楕円ビームの
強度1/e2の範囲まで取り込むとするとNAc=si
n(30°×1.7/2)≒0.43が必要である。
The effective numerical aperture (NA) of the collimator lens
c) is given by NAc = (Ao / 2) / fc. It is necessary to set the effective numerical aperture NAc so that the laser emission light can be effectively guided to the objective lens. If the effective numerical aperture NAc is taken into the range of the intensity 1 / e 2 of the elliptical beam, NAc = si
n (30 ° × 1.7 / 2) ≒ 0.43 is required.

【0020】このような光学系では、半導体レーザーの
品種とコリメーターレンズの焦点距離及び有効開口数を
設定してしまえば、ストライプ状の光ビーム像の長さ及
び幅は対物レンズの焦点距離に比例する。仮にw=4μ
mを得る為には対物レンズの焦点距離fo=12.4m
m、開口数NAo=0.20としてやればよいが、この
ときI=428μmとなり、光ビーム像のピーク強度は
w=2μmのときと比べて1/4に低下してしまう。
In such an optical system, once the type of the semiconductor laser and the focal length and the effective numerical aperture of the collimator lens are set, the length and width of the stripe-shaped light beam image are determined by the focal length of the objective lens. Proportional. If w = 4μ
In order to obtain m, the focal length of the objective lens fo = 12.4m
m and the numerical aperture NAo = 0.20, but at this time I = 428 μm, and the peak intensity of the light beam image is reduced to 1 / of that at w = 2 μm.

【0021】図4は、光ディスクとストライプ状ビーム
像の向きの関係を示す。ビーム像の長手方向とトラック
との間の角度をθとするある所定の角度を持たせたビー
ム像とし、その像の幅をw、長さをIとすると、この像
の等価的なディスク半径方向の長さI′はIsinθ、
トラック方向の幅w′=w/sinθとなる(図4
(b))。
FIG. 4 shows the relationship between the optical disk and the direction of the stripe beam image. Assuming that the angle between the longitudinal direction of the beam image and the track is θ and the beam image has a predetermined angle, and the width of the image is w and the length is I, an equivalent disk radius of this image The direction length I ′ is Isin θ,
The width w ′ in the track direction = w / sin θ (FIG. 4
(B)).

【0022】I=214μm,w=2.0μmとすると
θ=45°のときはI′=151μm,w′=2.8μ
m,θ=30°では、I′=107μm,w′=4μm
となる。
When I = 214 μm and w = 2.0 μm, when θ = 45 °, I ′ = 151 μm and w ′ = 2.8 μ.
For m, θ = 30 °, I ′ = 107 μm, w ′ = 4 μm
Becomes

【0023】このようにストライプ状のビーム像の長手
方向をトラックに対し角度を持たせることで、ディスク
1回転当たりのビーム照射範囲及び照射時間をビーム像
のピーク強度を落とすことなく設定することができる。
By setting the longitudinal direction of the striped beam image at an angle to the track, the beam irradiation range and irradiation time per one rotation of the disk can be set without lowering the peak intensity of the beam image. it can.

【0024】図2の本実施例では、コリメーターレンズ
12と対物レンズ16の間に像回転プリズム15を設け
ることにより、光ヘッド装置本体に対し、この像回転プ
リズム15を光軸を中心に回転させることで、ストライ
プ状の光ビーム像の長手方向とトラックとの間の角度を
任意に設定してやることができる。
In this embodiment shown in FIG. 2, an image rotating prism 15 is provided between the collimator lens 12 and the objective lens 16 so that the image rotating prism 15 is rotated about the optical axis with respect to the optical head device main body. By doing so, the angle between the longitudinal direction of the stripe-shaped light beam image and the track can be arbitrarily set.

【0025】これにより、初期化パラメーターとして、
ディスクの回転速度、光ヘッドの送り速度、レーザーパ
ワーに加え、半径方向等価ビーム長さ、接線方向等価ビ
ーム幅の設定が可能となり、種々の相変化型光ディスク
の初期化が容易となる。ストライプ状光ビーム像の長手
方向とトラックとの間の角度設定は、光ヘッド本体を移
動ステージ上で回転させ設定するようにしても良い。
Thus, as initialization parameters,
In addition to the rotation speed of the disk, the feed speed of the optical head, and the laser power, the equivalent beam length in the radial direction and the equivalent beam width in the tangential direction can be set, and various phase change optical disks can be easily initialized. The angle between the longitudinal direction of the stripe light beam image and the track may be set by rotating the optical head body on a moving stage.

【0026】ストライプ状の半導体レーザーは、その長
さ方向(例えば200μm)内で強度分布にムラがある
場合が多く、通常端の部分が強度が高く、中央ではある
程度周期性を有する(図5)。このようなレーザーを用
い、図2,3に示す光学系で集光させると、光ディスク
の媒体面上では、レーザーの強度ムラがそのまま現れ、
初期化のムラの原因となり、又ムラなく初期化する為の
条件設定が狭くなる。強度ムラの少ない半導体レーザー
を得るには選別を要し、コストが高くなる為、光学系で
強度ムラを低減できるように半導体レーザーから光ディ
スクに至る経路にムラ低減の為の素子を設ける。
A stripe-shaped semiconductor laser often has uneven intensity distribution in the length direction (for example, 200 μm), and usually has a high intensity at the end and a certain periodicity at the center (FIG. 5). . When such a laser is used and focused by the optical system shown in FIGS. 2 and 3, unevenness in the intensity of the laser appears as it is on the medium surface of the optical disk,
This may cause unevenness in initialization, and the setting of conditions for initialization without unevenness becomes narrow. In order to obtain a semiconductor laser with less intensity unevenness, sorting is required and the cost becomes higher. Therefore, an element for reducing unevenness is provided in a path from the semiconductor laser to the optical disk so that the optical system can reduce intensity unevenness.

【0027】具体的には図6のように、光路中にシリン
ドリカルレンズ26をその母線方向がレーザーのストラ
イプ方向と略平行若しくは略垂直となる方向に向け設置
してやる。光ディスクの媒体面上には、対物レンズによ
ってストライプ状光ビーム像の幅の狭い方向が集光する
ようにしてやることで、強度ムラを有する長手方向には
デフォーカス状態となり個々の強度の強弱が緩和され
る。
More specifically, as shown in FIG. 6, a cylindrical lens 26 is placed in the optical path so that its generatrix direction is substantially parallel or substantially perpendicular to the laser stripe direction. On the medium surface of the optical disk, the narrow direction of the stripe light beam image is condensed by the objective lens so that the longitudinal direction having intensity unevenness is defocused and the intensity of each intensity is reduced. Is done.

【0028】コリメーターレンズを出射し、対物レンズ
に至る経路上にビーム整形プリズムを設け、楕円状ビー
ムのファーフィールドパターンを補正すると同時に、こ
の整形プリズムに入射する光束を発散若しくは収斂光と
することでここで非点収差を発生させ、前記シリンドリ
カルレンズを用いるのと同等の効果を与えることができ
る(図9)。
A beam shaping prism is provided on the path from the collimator lens to the objective lens to correct the far-field pattern of the elliptical beam and, at the same time, convert the light beam incident on the shaping prism into divergent or convergent light. Thus, astigmatism is generated here, and an effect equivalent to the use of the cylindrical lens can be obtained (FIG. 9).

【0029】又は図7,8のように複屈折性プリズムの
ウォーラストンプリズム27や回折格子28を光路中に
配置し、ビームを複数に分離し、互いに略長手方向に横
ずらしとなる状態で集光させることで個々の強度ムラが
緩和できる。このビーム像の横ずらし量は、半導体レー
ザーのニアフィールドパターンの強度ムラの周期性に合
わせ、この周期Pの1/2となるようにしてやるのが良
い。
Alternatively, as shown in FIGS. 7 and 8, a Wollaston prism 27 of a birefringent prism and a diffraction grating 28 are arranged in the optical path, the beams are separated into a plurality of beams, and the beams are gathered in such a manner that they are shifted from each other substantially in the longitudinal direction. Lighting can alleviate individual intensity unevenness. The lateral shift amount of the beam image is preferably set to be の of the period P in accordance with the periodicity of the intensity unevenness of the near field pattern of the semiconductor laser.

【0030】この周期性を利用し、ビームのエッジ部分
にナイフ状の遮蔽物(ナイフエッジ18)を置き、この
ナイフエッジ18からの回折で強度ムラを低減させるこ
ともできる(図11)。ビームのエッジ部分にナイフエ
ッジ18を置くと、この部分よりフレネル回折がおこ
る。この回折パターンは周期性を持った強度分布であ
り、この強度分布の強弱が、元のレーザービームの強弱
と逆向きになり打ち消し合うようにナイフエッジ18の
光束を切る位置を設定してやる。
Utilizing this periodicity, a knife-shaped shield (knife edge 18) can be placed at the edge of the beam, and the intensity unevenness can be reduced by diffraction from the knife edge 18 (FIG. 11). When the knife edge 18 is placed at the edge of the beam, Fresnel diffraction occurs from this portion. This diffraction pattern is a periodic intensity distribution, and the position at which the light beam of the knife edge 18 is cut is set so that the intensity of the intensity distribution is opposite to the intensity of the original laser beam and cancels out.

【0031】これらムラ低減素子の配置としては、半導
体レーザーを出射した光束を一旦集光させ、この集光点
もしくはこの近傍に配置するのがより効果が高くし易
い。
As an arrangement of these unevenness reducing elements, it is easy to enhance the effect by temporarily condensing the light beam emitted from the semiconductor laser and disposing it at or near this condensing point.

【0032】図12に於いて、半導体レーザー112か
ら出射した光束はカップリングレンズにて図中F1の位
置に結像される。このときの結像倍率は−b/aであ
り、a=5.8mm,b=11.6mmとすると、L=
200μmのストライプ状光源の像の長さは400μm
となる。
[0032] In FIG. 12, a light beam emitted from the semiconductor laser 112 is focused at the position of the figure F 1 at the coupling lens. The imaging magnification at this time is -b / a, and if a = 5.8 mm and b = 11.6 mm, L =
The image length of a 200 μm stripe light source is 400 μm
Becomes

【0033】図5に示すニアフィールドパターンで両端
の強度ピーク間の幅をL′とすると、このF1の位置で
は(b/a)L′の幅となり、ここに幅wS≒(b/
a)L′のスリットを置くことでこの両端の強度ピーク
をカットしてやることができる。
[0033] 'When, at the position of the F 1 (b / a) L ' width between the intensities across the peak in near-field pattern shown in FIG. 5 L is the width, wherein the width w S ≒ (b /
a) By arranging the slit of L ', the intensity peaks at both ends can be cut.

【0034】同様に図10に示すようにこの集光点に像
の強度分布ムラと比例する濃度分布を持つフィルター2
3を配置し、このムラを除去することもできる。
Similarly, as shown in FIG. 10, a filter 2 having a density distribution proportional to the image intensity distribution
3 can be arranged to remove this unevenness.

【0035】図15でこれを説明する。図15(a)は
このF1の位置でのレーザー光強度分布、(b)はフィ
ルター濃度分布である。レーザー光強度分布の強度最小
値をIL、強度最大値をIHとすると、フィルター濃度D
はIH−ILになるように選ぶ。
This will be described with reference to FIG. FIG. 15 (a) laser beam intensity distribution at the position of the F 1, (b) is a filter density distribution. Assuming that the minimum intensity of the laser light intensity distribution is I L and the maximum intensity is I H , the filter density D
Is chosen to be I H -I L.

【0036】このフィルターを通過させることで強度ム
ラが除去された(c)のようなレーザー光強度分布が得
られる。
By passing the light through this filter, a laser light intensity distribution as shown in FIG.

【0037】このフィルターは、光源波長に対し感度を
持つ写真乾板等の感光材料をこのF1の位置に置き、レ
ーザー光を所定の強度で発光させ、露光・現像すること
により作成できる。この現像済乾板を露光時と同じ位置
に戻してやることで、個々のレーザーに合わせたムラ低
減フィルターとすることができる。
[0037] The filter was placed a photosensitive material such as photographic plates having sensitivity to a light source wavelength in the position of the F 1, to emit a laser beam at a predetermined intensity, can be created by exposing and developing. By returning the developed dry plate to the same position as at the time of exposure, it is possible to obtain a non-uniformity reduction filter adapted to each laser.

【0038】もしくは、レーザー光のニアフィールドパ
ターンをTVカメラ等で観察してその強度分布を求め、
この強度分布と相似のパターンをマスク書込装置等で作
成してムラ低減フィルターとすることもできる。この場
合、光路中への位置決めが容易となるよう図16のよう
に一方向に長いパターンとしておくのが良い。フィルタ
ー23をこのF1もしくはその近傍でない離れた位置に
配置する場合は、フィルター23のパターンはニアフィ
ールドパターンのフレネル回折パターンとなる。又集光
点F1から離れることで、半導体レーザーへのフィルタ
表面からの戻り光を低減させることができる。
Alternatively, the near-field pattern of the laser beam is observed with a TV camera or the like, and its intensity distribution is obtained.
A pattern similar to this intensity distribution can be created by a mask writing device or the like to provide a non-uniformity reduction filter. In this case, it is preferable to make the pattern long in one direction as shown in FIG. 16 so as to facilitate positioning in the optical path. When placing the filter 23 to the distant position not the F 1 or in the vicinity thereof, the pattern of the filter 23 becomes Fresnel diffraction pattern of the near-field pattern. By departing from Matashu point F 1, it is possible to reduce the return light from the filter surface of the semiconductor laser.

【0039】このようなフィルターとして、多分割位相
可変液晶素子と偏光子を組み合わせたものを用いること
もできる。
As such a filter, a combination of a multi-segment variable phase liquid crystal element and a polarizer can be used.

【0040】図17は、多分割位相可変液晶素子及び偏
光子を半導体レーザーからの光路中に配置した図であ
る。
FIG. 17 is a diagram in which a multi-segment variable phase liquid crystal element and a polarizer are arranged in an optical path from a semiconductor laser.

【0041】この多分割位相可変液晶素子30は、分割
された個々の液晶素子へ印加する電圧を可変制御するこ
とで、個々の素子を透過する光束へ与える位相差を可変
できる。この素子の後に偏光子19を配置することで、
個々の素子で与えられた位相差に応じた光量分のみが、
この偏光子19を透過する強度可変フィルターとなる。
The multi-segment variable phase liquid crystal element 30 can vary the phase difference applied to a light beam passing through each element by variably controlling the voltage applied to each divided liquid crystal element. By disposing the polarizer 19 after this element,
Only the light amount corresponding to the phase difference given by each element,
A variable intensity filter that transmits this polarizer 19 is obtained.

【0042】このような多分割位相可変液晶素子として
は、例えば、MeadowlarkOptics社の
“Shape Shifter”がある。
As such a multi-divided phase variable liquid crystal element, for example, there is “Shape Shifter” manufactured by Meadowlark Optics.

【0043】半導体レーザーからの出射光は、通常チッ
プの接合方向に平行な方向に電界成分を有する直線偏光
であり、液晶素子の進相軸はこれとは45°の向きとし
てやる。もしくは、半導体レーザーと液晶素子の間に1
/2波長板を配し、液晶素子へ入射する光束の偏光方位
を調整してやる。
The light emitted from the semiconductor laser is generally linearly polarized light having an electric field component in a direction parallel to the bonding direction of the chip, and the fast axis of the liquid crystal element is set at 45 °. Or, between the semiconductor laser and the liquid crystal element,
A half-wave plate is provided to adjust the polarization direction of the light beam incident on the liquid crystal element.

【0044】サバール板やウォーラストンプリズム等の
複屈折性複像素子、シリンドリカルレンズ、回折格子等
をムラ低減素子として用いる場合、カップリングレンズ
から対物レンズに至る非平行光束中に配置し、光軸方向
に調整することで、横ずらし量やデフォーカス量を個々
の半導体レーザーに合わせ最適化できる。
When a birefringent double image element such as a Savart plate or a Wollaston prism, a cylindrical lens, a diffraction grating, or the like is used as a non-uniformity reducing element, it is arranged in a non-parallel light beam from the coupling lens to the objective lens, By adjusting in the direction, the amount of lateral shift and the amount of defocus can be optimized according to each semiconductor laser.

【0045】図13に示すように、Nd:YAG結晶2
9等の固体レーザー光励起結晶を半導体レーザー光で励
起させこの結晶からの出力光を用いることも可能であ
る。
As shown in FIG. 13, the Nd: YAG crystal 2
It is also possible to excite a solid-state laser light-excited crystal such as 9 with a semiconductor laser beam and use the output light from this crystal.

【0046】808nm付近の波長でNd:YAG結晶
29を励起してやることで1064nm,946nmと
いった波長のレーザー出力が得られる。この励起の過程
で励起光であるストライプ状の発光部を有する半導体レ
ーザー112からの光束の空間的分布を改善することが
できる。
By exciting the Nd: YAG crystal 29 at a wavelength near 808 nm, laser outputs with wavelengths of 1064 nm and 946 nm can be obtained. In the course of this excitation, the spatial distribution of the luminous flux from the semiconductor laser 112 having the stripe-shaped light-emitting portion as the excitation light can be improved.

【0047】これらの方法は、レーザー光の強度分布ム
ラを、ムラ低減の為の素子を加えて直接その空間分布を
改善するものである。これとは別に、もしくはこれらの
方法と併用して、光ディスクの媒体面上に照射される線
状ビーム像をその長手方向に振動させてやることで時間
平均で見た強度分布を均一化させ、初期化ムラを低減さ
せることができる。
These methods directly improve the spatial distribution of the intensity distribution unevenness of the laser light by adding an element for reducing the unevenness. Separately, or in combination with these methods, the linear beam image irradiated on the medium surface of the optical disk is vibrated in the longitudinal direction to make the intensity distribution viewed on a time average uniform, Initialization unevenness can be reduced.

【0048】振動させる手段としては、対物レンズを駆
動するアクチュエーターとしてフォーカシング方向と線
状光ビーム長手方向の双方に駆動可能な2次元アクチュ
エーターを用い、線状光ビーム長手方向駆動アクチュエ
ーターを正弦波信号で駆動させる、半導体レーザーから
対物レンズに至る光路上にガルバノミラーを配し、これ
を正弦波信号で駆動し光束を振る、光路中に音響光学素
子を配し、これを高周波変調させる等がある。駆動周波
数は光ディスクの回転周波数と同期してしまうと光ディ
スクの特定の領域にムラが発生するおそれがある為同期
しないような周波数とする。光ディスクの回転速度は初
期化対象の光ディスクによって変わってくるが略100
0〜4000rpmである。周波数としては約20〜7
0Hzであり、駆動同波数はこれより高く150Hz以
上としてやるのが望ましい。そしてこの方法とムラ低減
素子との併用も可能である。又、ムラ低減素子は1種の
みではなく、2種以上を組み合わせても良い。
As a means for oscillating, a two-dimensional actuator which can be driven in both the focusing direction and the longitudinal direction of the linear light beam is used as an actuator for driving the objective lens. For example, a galvanomirror is disposed on an optical path from a semiconductor laser to an objective lens to be driven, and the galvanomirror is driven by a sine wave signal to oscillate a light beam. An acousto-optic element is disposed in the optical path, and this is modulated at a high frequency. If the drive frequency is synchronized with the rotation frequency of the optical disk, there is a possibility that unevenness may occur in a specific area of the optical disk. The rotation speed of the optical disk depends on the optical disk to be initialized.
0 to 4000 rpm. The frequency is about 20-7
It is 0 Hz, and it is desirable to set the driving common wave number higher than 150 Hz or more. This method can be used in combination with the unevenness reducing element. Further, the unevenness reducing element may be not only one kind but also a combination of two or more kinds.

【0049】さて、以上のような方法で半導体レーザー
のニアフィールドパターンの強度分布のムラを減少させ
ることができるが、この半導体レーザーは使用にともな
いその強度分布に経時変化が発生する。又、その出射パ
ワーの設定によっても変化する。よって初期化装置とし
て用いる際、ビームの強度並びに強度分布を観察しつつ
初期化の条件設定ができるのが好ましい。又、経時変化
が発生し、そのムラがある所定の値以上になったときは
警告を発する等の初期化不良発生防止機能がそなえられ
るのが良い。
The intensity distribution of the near-field pattern of the semiconductor laser can be reduced by the above-described method. However, the intensity distribution of the semiconductor laser changes with time with use. It also changes depending on the setting of the output power. Therefore, when used as an initialization device, it is preferable that initialization conditions can be set while observing the beam intensity and intensity distribution. Further, it is preferable to provide a function for preventing occurrence of initialization failure such as issuing a warning when a change over time occurs and the unevenness exceeds a predetermined value.

【0050】この為、半導体レーザーからの出射光を対
物レンズとは別の光路へ導くビームスプリッターと、こ
の光束を集光するレンズとこのレンズによる集光点上に
配置した多分割光検出器を用い、この光検出器からの出
力で強度ムラを検出してやる。このような多分割光検出
器としては1次元CCDラインセンサーが使用でき、例
えば1セル14μm×14μm,128〜256素子の
ものを用いれば、L=200μmのストライプ状レーザ
ーの光源部に換算して1〜2μmの分解能が得られる。
For this reason, a beam splitter for guiding the emitted light from the semiconductor laser to an optical path different from the objective lens, a lens for condensing this light beam, and a multi-segmented photodetector arranged on the condensing point by this lens are provided. The intensity non-uniformity is detected based on the output from the photodetector. As such a multi-segmented photodetector, a one-dimensional CCD line sensor can be used. For example, if a cell having 14 μm × 14 μm and 128 to 256 elements is used, it is converted into a light source of a stripe laser having L = 200 μm. A resolution of 1-2 μm is obtained.

【0051】このCCDラインセンサーの出力を信号処
理し強度分布の最大最小を検出し所定値と比較すること
で、経時変化を検出することができる。
By subjecting the output of the CCD line sensor to signal processing, detecting the maximum and minimum of the intensity distribution, and comparing the detected value with a predetermined value, a change with time can be detected.

【0052】ビームスプリッターは半導体レーザーから
対物レンズに至る光路中のどこに配置しても良いが、前
述したムラ低減素子を併用する場合は、光束がこの素子
を通過した後に配置する方が実際に光ディスクの媒体面
上に集光される光ビームとの対応が良くなる。又、この
CCDラインセンサーからの出力を見ながらムラ低減素
子の調整を行うことができ、メンテナンスが容易であ
る。
The beam splitter may be placed anywhere in the optical path from the semiconductor laser to the objective lens. However, when the above-mentioned unevenness reducing element is used together, it is actually better to place the light beam after passing through this element. The correspondence with the light beam condensed on the medium surface is improved. Further, the unevenness reducing element can be adjusted while observing the output from the CCD line sensor, and maintenance is easy.

【0053】多分割位相可変液晶素子を用いると、この
CCDラインセンサーからの出力をフィードバックする
ことにより常時、ムラ低減制御も可能となる。
When the multi-segment variable phase liquid crystal element is used, the output from the CCD line sensor is fed back so that the unevenness reduction control can be always performed.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明により、短時間で簡単に初期化が
可能であり、かつ信頼性のある光ディスクの初期化ヘッ
ド及び初期化装置が提供されることとなった。
According to the present invention, an initialization head and an initialization apparatus for an optical disk which can be easily initialized in a short time and have a high reliability are provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】初期化装置の機構の主要構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a main configuration of a mechanism of an initialization device.

【図2】光ヘッドの主要構成図である。FIG. 2 is a main configuration diagram of an optical head.

【図3】レーザー発光部と光ビーム像の関係を示す図で
ある。
FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between a laser light emitting unit and a light beam image.

【図4】光ディスクとストライプ状ビーム像の向きの関
係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the direction of an optical disc and the direction of a stripe beam image.

【図5】ストライプ状ビーム像の強度分布を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing an intensity distribution of a stripe beam image.

【図6】光路中にシリンドリカルレンズを配置した図で
ある。
FIG. 6 is a diagram in which a cylindrical lens is arranged in an optical path.

【図7】光路中にウォーラストンプリズムを配置した図
である。
FIG. 7 is a diagram in which a Wollaston prism is arranged in an optical path.

【図8】光路中に回折格子を配置した図である。FIG. 8 is a diagram in which a diffraction grating is arranged in an optical path.

【図9】光路中にビーム整形プリズムを配置した図であ
る。
FIG. 9 is a diagram in which a beam shaping prism is arranged in an optical path.

【図10】光路中にフィルターを配置した図である。FIG. 10 is a diagram in which a filter is arranged in an optical path.

【図11】光路中のビームのエッジ部分にナイフエッジ
を配置した図である。
FIG. 11 is a diagram in which a knife edge is arranged at an edge portion of a beam in an optical path.

【図12】ムラ低減素子の配置に関する説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram related to the arrangement of the unevenness reducing elements.

【図13】光路中にNd:YAG結晶を配置した図であ
る。
FIG. 13 is a diagram in which an Nd: YAG crystal is arranged in an optical path.

【図14】多分割センサーの配置図である。FIG. 14 is a layout diagram of a multi-split sensor.

【図15】フィルターによるレーザー光強度分布の強度
ムラ除去を説明する図である。
FIG. 15 is a view for explaining removal of intensity unevenness of a laser beam intensity distribution by a filter.

【図16】フィルターパターンの図である。FIG. 16 is a diagram of a filter pattern.

【図17】多分割位相可変液晶素子と偏光子の配置図で
ある。
FIG. 17 is a layout diagram of a multi-segment phase variable liquid crystal element and a polarizer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 光ヘッド 11 ストライプ高出力半導体レーザー 12 コリメーターレンズ 13 偏光ビームスプリッター 14 1/4波長板 15 像回転プリズム 16 対物レンズ 17 光ディスク 18 ナイフエッジ 19 偏光子 20 ビーム整形プリズム 21 フーコープリズム 22 集光レンズ 23 フィルター 24 フォーカスエラー検出フォトディテクター 25 パワーモニターフォトダイオード 26 シリンドリカルレンズ 27 ウォーラストンプリズム 28 回折格子 29 YAG結晶 30 多分割位相可変液晶素子 31 フォーカシングアクチュエーター 32 移動ステージ I 結像される光ビーム像の長さ L レーザーチップの発光部長さ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Optical head 11 Stripe high power semiconductor laser 12 Collimator lens 13 Polarization beam splitter 14 1/4 wavelength plate 15 Image rotation prism 16 Objective lens 17 Optical disk 18 Knife edge 19 Polarizer 20 Beam shaping prism 21 Foucault prism 22 Condensing lens 23 Filter 24 Focus error detection photodetector 25 Power monitor photodiode 26 Cylindrical lens 27 Wollaston prism 28 Diffraction grating 29 YAG crystal 30 Multi-segment variable phase liquid crystal element 31 Focusing actuator 32 Moving stage I Length of light beam image to be formed L Light emitting length of laser chip

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ストライプ状の発光部を有する半導体レ
ーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光ディ
スクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前記
媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置において、
前記線状光ビーム像の長手方向を、前記光ディスクの半
径方向もしくは接線方向に対し角度を持たせたことを特
徴とする光ディスクの初期化装置。
1. An optical disk for initializing the medium by condensing a light beam emitted from a semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting portion on a medium surface of a phase-change optical disk with an objective lens as a linear light beam image. In the initialization device of
An apparatus for initializing an optical disk, wherein the longitudinal direction of the linear light beam image has an angle with respect to a radial direction or a tangential direction of the optical disk.
【請求項2】 前記線状光ビーム像の長手方向の方位が
前記光ディスクの半径方向若しくは接線方向に対し、調
整可能であることを特徴とする請求項1に記載の光ディ
スクの初期化装置。
2. The optical disk initialization apparatus according to claim 1, wherein the azimuth of the linear light beam image in the longitudinal direction is adjustable with respect to a radial direction or a tangential direction of the optical disk.
【請求項3】 光ヘッド本体に対し、前記線状光ビーム
像の長手方向の方位が調整可能となるような像回転手段
を有することを特徴とする請求項2に記載の光ディスク
の初期化装置。
3. The optical disk initialization apparatus according to claim 2, further comprising an image rotating means for adjusting an azimuth of the linear light beam image in a longitudinal direction with respect to the optical head body. .
【請求項4】 ストライプ状の発光部を有する半導体レ
ーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光ディ
スクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前記
媒体の初期化を行う光ディスクの初期化ヘッドにおい
て、半導体レーザーのニアフィールドパターンの強度分
布ムラを低減させる素子を設けたことを特徴とする光デ
ィスクの初期化ヘッド。
4. An optical disk for initializing said medium by converging a light beam emitted from a semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting portion on an optical disk medium surface of a phase change optical disk with an objective lens. The initialization head according to claim 1, further comprising an element for reducing unevenness in intensity distribution of a near-field pattern of the semiconductor laser.
【請求項5】 ムラ低減素子は、レーザーのストライプ
方向と略平行もしくは略垂直に母線方向を向けたシリン
ドリカルレンズであることを特徴とする請求項4に記載
の光ディスクの初期化ヘッド。
5. The initialization head for an optical disk according to claim 4, wherein the unevenness reducing element is a cylindrical lens having a generatrix direction substantially parallel or substantially perpendicular to a laser stripe direction.
【請求項6】 ムラ低減素子は、ビーム整形プリズムで
あり、これに入射する光束は非平行光束となるように調
整されていることを特徴とする請求項4に記載の光ディ
スクの初期化ヘッド。
6. The optical disk initialization head according to claim 4, wherein the unevenness reducing element is a beam shaping prism, and a light beam incident thereon is adjusted to be a non-parallel light beam.
【請求項7】 ムラ低減素子は、光束を複数に分割する
複屈折性複像素子であることを特徴とする請求項4に記
載の光ディスクの初期化ヘッド。
7. The optical disk initialization head according to claim 4, wherein the unevenness reducing element is a birefringent double image element that divides a light beam into a plurality of light beams.
【請求項8】 ムラ低減素子は、光束を複数に分割する
回折格子であることを特徴とする請求項4に記載の光デ
ィスクの初期化ヘッド。
8. The optical disk initialization head according to claim 4, wherein the unevenness reducing element is a diffraction grating that divides a light beam into a plurality of light beams.
【請求項9】 ムラ低減素子は、光束の強度分布に対応
した濃度分布を持つフィルターであることを特徴とする
請求項4に記載の光ディスクの初期化ヘッド。
9. The optical disk initialization head according to claim 4, wherein the unevenness reducing element is a filter having a density distribution corresponding to the intensity distribution of the light beam.
【請求項10】 ムラ低減素子は、少なくとも1方向に
多数に領域分割された位相可変液晶フィルターであるこ
とを特徴とする請求項4に記載の光ディスクの初期化ヘ
ッド。
10. The optical disk initialization head according to claim 4, wherein the unevenness reducing element is a phase variable liquid crystal filter divided into a number of regions in at least one direction.
【請求項11】 ムラ低減素子は、光束の端部両側に配
置されたナイフエッジであることを特徴とする請求項4
に記載の光ディスクの初期化ヘッド。
11. The non-uniformity reducing element is a knife edge arranged on both sides of an end of a light beam.
An optical disk initialization head according to claim 1.
【請求項12】 半導体レーザーを出射した光束を、対
物レンズに入射する前に一旦集光させることを特徴とす
る請求項4〜11の何れか1項に記載の光ディスクの初
期化ヘッド。
12. The optical disk initialization head according to claim 4, wherein the light beam emitted from the semiconductor laser is once focused before entering the objective lens.
【請求項13】 前記ムラ低減素子は、前記集光点もし
くはその近傍に配置されることを特徴とする請求項12
に記載の光ディスクの初期化ヘッド。
13. The device according to claim 12, wherein the unevenness reducing element is arranged at or near the light converging point.
An optical disk initialization head according to claim 1.
【請求項14】 ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、対物レンズから出射される光ビームを略その長手方
向に振動させることを特徴とする光ディスクの初期化装
置。
14. An optical disc for initializing the medium by converging a light beam emitted from a semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting portion on a medium surface of a phase-change optical disc with an objective lens as a linear light beam image. The optical disc initialization apparatus according to claim 1, wherein the light beam emitted from the objective lens is vibrated substantially in the longitudinal direction.
【請求項15】 ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、半導体レーザーより出射した光束を対物レンズとは
別の光路へ導くビームスプリッターと、前記光束を集光
するレンズと、該レンズによる集光点上に配置された多
分割光検出器を有し、該光検出器よりの信号で強度ムラ
を検出することを特徴とする光ディスクの初期化装置。
15. An optical disk for initializing the medium by condensing a light beam emitted from a semiconductor laser having a stripe-shaped light emitting portion on a medium surface of a phase-change optical disk with an objective lens as a linear light beam image. A beam splitter for guiding a light beam emitted from a semiconductor laser to an optical path different from an objective lens, a lens for condensing the light beam, and a multi-splitting light detection arranged on a converging point by the lens. An optical disk initialization device, comprising: a detector; and detecting intensity unevenness by a signal from the photodetector.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7277229B2 (en) 2005-05-23 2007-10-02 Fujifilm Corporation Linear light beam generating optical system
EP1906495A1 (en) 2006-09-29 2008-04-02 FUJIFILM Corporation Shaping of a LD beam to reduce side lobs
JP2014011278A (en) * 2012-06-28 2014-01-20 Ricoh Co Ltd Plane emission laser unit, optical scanner, and image formation apparatus

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