JPH1031820A

JPH1031820A - 光ディスクの初期化ヘッド及び初期化装置

Info

Publication number: JPH1031820A
Application number: JP8186199A
Authority: JP
Inventors: Katsuya Yagi; 克哉八木
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1996-07-16
Filing date: 1996-07-16
Publication date: 1998-02-03

Abstract

(57)【要約】【課題】短時間で簡単に初期化が可能であり、かつ信
頼性のある光ディスクの初期化ヘッド及び初期化装置を
提供する。【解決手段】ストライプ状の発光部を有する半導体レ
ーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光ディ
スクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前記
媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置において、
前記線状光ビーム像の長手方向を、前記光ディスクの半
径方向もしくは接線方向に対し角度を持たせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を照射
することにより相変化型光ディスクの初期化を行う初期
化ヘッド及び初期化装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】相変化型光ディスクは、工場製造時スパ
ッタ法等でディスク基板上に相変化型記録材料を成膜し
た段階では非晶質となっている。これにレーザービーム
を照射して結晶化させ、情報の記録再生が可能となるよ
うにした上で出荷される。

【０００３】この初期化（結晶化）の際、媒体面を選択
的に加熱し、かつ他の部分はあまり高温とならないよう
ディスク基板を回転させながらφ１〜２（μｍ）に絞ら
れた光スポットを光ディスクの媒体面上に照射する方法
や、幅１〜２（μｍ）長さ５０〜１００（μｍ）の線状
の光ビームをその長手方向を光ディスクの半径方向に向
けて照射する方法が採られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の場合、
一度に初期化できる範囲が少なくディスク全体の初期化
に時間がかかる。後者の場合、一度に初期化できる範囲
は広いが、その分高出力のレーザー光源が必要であり、
ストライプ状の発光点を有する高出力半導体レーザーで
はそのニアフィールドパターンに強度ムラがある為、均
一な初期化が行える条件が狭いという問題点があった。

【０００５】又、この種の半導体レーザーは経時的にそ
のニアフィールドパターンが変化し、強度ムラも変わっ
てしまう為、定期的に初期化条件の再設定、半導体レー
ザー素子の交換を要し、又初期化ムラが起こって初めて
強度ムラの発生が分かるという問題があった。

【０００６】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものである。即ち、短時間で簡単に初期化が可能で
あり、かつ信頼性のある光ディスクの初期化ヘッド及び
初期化装置を提供することを目的としたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記構
成を採ることによって達成される。

【０００８】即ち、ストライプ状の発光部を有する半導
体レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光
ディスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、
前記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、前記線状光ビーム像の長手方向を、前記光ディスク
の半径方向もしくは接線方向に対し角度を持たせたこと
を特徴とする光ディスクの初期化装置。

【０００９】又、ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化ヘッドにおい
て、半導体レーザーのニアフィールドパターンの強度分
布ムラを低減させる素子を設けたことを特徴とする光デ
ィスクの初期化ヘッド。

【００１０】又、ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、対物レンズから出射される光ビームを略その長手方
向に振動させることを特徴とする光ディスクの初期化装
置。

【００１１】又、ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、半導体レーザーより出射した光束を対物レンズとは
別の光路へ導くビームスプリッターと、前記光束を集光
するレンズと、該レンズによる集光点上に配置された多
分割光検出器を有し、該光検出器よりの信号で強度ムラ
を検出することを特徴とする光ディスクの初期化装置。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を添付
した図面、図１〜図１７により説明する。但し本発明
は、以下に説明する本実施の形態に限定されるものでは
ない。

【００１３】図１は、初期化装置の機構の主要構成であ
る。初期化対象の光ディスク１７はディスク回転モータ
ー３３に取り付けられ、所定の回転数で回転される。光
ヘッド１０は、この光ディスク１７の媒体面に線状の光
ビームを照射し、移動ステージ３２により内周外周間を
駆動される。

【００１４】図２は、光ヘッドの主要構成図である。ス
トライプ状の発光部を有する高出力半導体レーザー１１
より出射した光束はコリメーターレンズ１２により平行
光束となり、偏光ビームスプリッター１３、１／４波長
板１４、像回転プリズム１５を通過して対物レンズ１６
へ入射し、光ディスク１７の透明基板を介して媒体面上
にストライプ状の光ビームとして集光される。偏光ビー
ムスプリッターは光源波長にて例えばＴｐ＝９５％，Ｒ
ｓ＝９９％といった特性を有し、ｐ偏光方位で入射した
光束の９５％は対物レンズ１６の方向へ透過し、５％は
反射され集光レンズ２２にてパワーモニターフォトダイ
オード２５上に集光される。このパワーモニターフォト
ダイオード２５よりの出力によりレーザーの発光パワー
を所定値に制御することができる。

【００１５】光ディスク１７の媒体面上に集光された光
束はこの媒体面で反射され、対物レンズ１６、像回転プ
リズム１５、１／４波長板１４、偏光ビームスプリッタ
ー１３へと戻りここで反射され、フーコープリズム２
１、集光レンズ２２、光量調整のためのフィルター２３
を介してフォーカスエラー検出フォトディテクター２４
へ入射する。このディテクター２４よりの出力により常
にフォーカシングアクチュエーター３１で対物レンズ１
６を駆動して光ディスク１７の媒体面上に光ビームを集
光させる。

【００１６】図３はストライプ状半導体レーザーの発光
部と、光ディスク上へ結像されるストライプ状の光ビー
ム像の関係を示す図である。レーザーチップ１１１の発
光部長さをＬ、コリメーターレンズ１２の焦点距離をｆ
ｃ、対物レンズ１６の焦点距離をｆｏ、結像される光ビ
ーム像の長さをＩとすると、Ｉ＝（ｆｏ／ｆｃ）×Ｌと
なる。Ｌ＝２００μｍ，ｆｃ＝５．８ｍｍ，ｆｏ＝６．
２ｍｍとすると、Ｉ≒２１４μｍとなる。

【００１７】又、像の幅ｗは主に光源波長（λ）と対物
レンズの開口数（ＮＡｏ）で決まり、λ＝８０８ｎｍ，
ＮＡｏ＝０．４０とするとｗ≒２μｍとなる。ここで対
物レンズの口径をＡｏとするとＮＡｏ＝（Ａｏ／２）／
ｆｏの関係にある。

【００１８】この種の半導体レーザーは、その発散角が
レーザーチップの接合に平行方向に１０°（半値全
角）、垂直方向に３０°（半値全角）程度の楕円ビーム
を出射する。発光部長さは品種によりさまざまであるが
Ｌ＝１００，２００，５００μｍ程度である。

【００１９】コリメーターレンズの有効開口数（ＮＡ
ｃ）は、ＮＡｃ＝（Ａｏ／２）／ｆｃで与えられる。こ
の有効開口数ＮＡｃは、レーザー出射光を有効に対物レ
ンズに導けるように設定する必要があり、楕円ビームの
強度１／ｅ²の範囲まで取り込むとするとＮＡｃ＝ｓｉ
ｎ（３０°×１．７／２）≒０．４３が必要である。

【００２０】このような光学系では、半導体レーザーの
品種とコリメーターレンズの焦点距離及び有効開口数を
設定してしまえば、ストライプ状の光ビーム像の長さ及
び幅は対物レンズの焦点距離に比例する。仮にｗ＝４μ
ｍを得る為には対物レンズの焦点距離ｆｏ＝１２．４ｍ
ｍ、開口数ＮＡｏ＝０．２０としてやればよいが、この
ときＩ＝４２８μｍとなり、光ビーム像のピーク強度は
ｗ＝２μｍのときと比べて１／４に低下してしまう。

【００２１】図４は、光ディスクとストライプ状ビーム
像の向きの関係を示す。ビーム像の長手方向とトラック
との間の角度をθとするある所定の角度を持たせたビー
ム像とし、その像の幅をｗ、長さをＩとすると、この像
の等価的なディスク半径方向の長さＩ′はＩｓｉｎθ、
トラック方向の幅ｗ′＝ｗ／ｓｉｎθとなる（図４
（ｂ））。

【００２２】Ｉ＝２１４μｍ，ｗ＝２．０μｍとすると
θ＝４５°のときはＩ′＝１５１μｍ，ｗ′＝２．８μ
ｍ，θ＝３０°では、Ｉ′＝１０７μｍ，ｗ′＝４μｍ
となる。

【００２３】このようにストライプ状のビーム像の長手
方向をトラックに対し角度を持たせることで、ディスク
１回転当たりのビーム照射範囲及び照射時間をビーム像
のピーク強度を落とすことなく設定することができる。

【００２４】図２の本実施例では、コリメーターレンズ
１２と対物レンズ１６の間に像回転プリズム１５を設け
ることにより、光ヘッド装置本体に対し、この像回転プ
リズム１５を光軸を中心に回転させることで、ストライ
プ状の光ビーム像の長手方向とトラックとの間の角度を
任意に設定してやることができる。

【００２５】これにより、初期化パラメーターとして、
ディスクの回転速度、光ヘッドの送り速度、レーザーパ
ワーに加え、半径方向等価ビーム長さ、接線方向等価ビ
ーム幅の設定が可能となり、種々の相変化型光ディスク
の初期化が容易となる。ストライプ状光ビーム像の長手
方向とトラックとの間の角度設定は、光ヘッド本体を移
動ステージ上で回転させ設定するようにしても良い。

【００２６】ストライプ状の半導体レーザーは、その長
さ方向（例えば２００μｍ）内で強度分布にムラがある
場合が多く、通常端の部分が強度が高く、中央ではある
程度周期性を有する（図５）。このようなレーザーを用
い、図２，３に示す光学系で集光させると、光ディスク
の媒体面上では、レーザーの強度ムラがそのまま現れ、
初期化のムラの原因となり、又ムラなく初期化する為の
条件設定が狭くなる。強度ムラの少ない半導体レーザー
を得るには選別を要し、コストが高くなる為、光学系で
強度ムラを低減できるように半導体レーザーから光ディ
スクに至る経路にムラ低減の為の素子を設ける。

【００２７】具体的には図６のように、光路中にシリン
ドリカルレンズ２６をその母線方向がレーザーのストラ
イプ方向と略平行若しくは略垂直となる方向に向け設置
してやる。光ディスクの媒体面上には、対物レンズによ
ってストライプ状光ビーム像の幅の狭い方向が集光する
ようにしてやることで、強度ムラを有する長手方向には
デフォーカス状態となり個々の強度の強弱が緩和され
る。

【００２８】コリメーターレンズを出射し、対物レンズ
に至る経路上にビーム整形プリズムを設け、楕円状ビー
ムのファーフィールドパターンを補正すると同時に、こ
の整形プリズムに入射する光束を発散若しくは収斂光と
することでここで非点収差を発生させ、前記シリンドリ
カルレンズを用いるのと同等の効果を与えることができ
る（図９）。

【００２９】又は図７，８のように複屈折性プリズムの
ウォーラストンプリズム２７や回折格子２８を光路中に
配置し、ビームを複数に分離し、互いに略長手方向に横
ずらしとなる状態で集光させることで個々の強度ムラが
緩和できる。このビーム像の横ずらし量は、半導体レー
ザーのニアフィールドパターンの強度ムラの周期性に合
わせ、この周期Ｐの１／２となるようにしてやるのが良
い。

【００３０】この周期性を利用し、ビームのエッジ部分
にナイフ状の遮蔽物（ナイフエッジ１８）を置き、この
ナイフエッジ１８からの回折で強度ムラを低減させるこ
ともできる（図１１）。ビームのエッジ部分にナイフエ
ッジ１８を置くと、この部分よりフレネル回折がおこ
る。この回折パターンは周期性を持った強度分布であ
り、この強度分布の強弱が、元のレーザービームの強弱
と逆向きになり打ち消し合うようにナイフエッジ１８の
光束を切る位置を設定してやる。

【００３１】これらムラ低減素子の配置としては、半導
体レーザーを出射した光束を一旦集光させ、この集光点
もしくはこの近傍に配置するのがより効果が高くし易
い。

【００３２】図１２に於いて、半導体レーザー１１２か
ら出射した光束はカップリングレンズにて図中Ｆ₁の位
置に結像される。このときの結像倍率は−ｂ／ａであ
り、ａ＝５．８ｍｍ，ｂ＝１１．６ｍｍとすると、Ｌ＝
２００μｍのストライプ状光源の像の長さは４００μｍ
となる。

【００３３】図５に示すニアフィールドパターンで両端
の強度ピーク間の幅をＬ′とすると、このＦ₁の位置で
は（ｂ／ａ）Ｌ′の幅となり、ここに幅ｗ_S≒（ｂ／
ａ）Ｌ′のスリットを置くことでこの両端の強度ピーク
をカットしてやることができる。

【００３４】同様に図１０に示すようにこの集光点に像
の強度分布ムラと比例する濃度分布を持つフィルター２
３を配置し、このムラを除去することもできる。

【００３５】図１５でこれを説明する。図１５（ａ）は
このＦ₁の位置でのレーザー光強度分布、（ｂ）はフィ
ルター濃度分布である。レーザー光強度分布の強度最小
値をＩ_L、強度最大値をＩ_Hとすると、フィルター濃度Ｄ
はＩ_H−Ｉ_Lになるように選ぶ。

【００３６】このフィルターを通過させることで強度ム
ラが除去された（ｃ）のようなレーザー光強度分布が得
られる。

【００３７】このフィルターは、光源波長に対し感度を
持つ写真乾板等の感光材料をこのＦ₁の位置に置き、レ
ーザー光を所定の強度で発光させ、露光・現像すること
により作成できる。この現像済乾板を露光時と同じ位置
に戻してやることで、個々のレーザーに合わせたムラ低
減フィルターとすることができる。

【００３８】もしくは、レーザー光のニアフィールドパ
ターンをＴＶカメラ等で観察してその強度分布を求め、
この強度分布と相似のパターンをマスク書込装置等で作
成してムラ低減フィルターとすることもできる。この場
合、光路中への位置決めが容易となるよう図１６のよう
に一方向に長いパターンとしておくのが良い。フィルタ
ー２３をこのＦ₁もしくはその近傍でない離れた位置に
配置する場合は、フィルター２３のパターンはニアフィ
ールドパターンのフレネル回折パターンとなる。又集光
点Ｆ₁から離れることで、半導体レーザーへのフィルタ
表面からの戻り光を低減させることができる。

【００３９】このようなフィルターとして、多分割位相
可変液晶素子と偏光子を組み合わせたものを用いること
もできる。

【００４０】図１７は、多分割位相可変液晶素子及び偏
光子を半導体レーザーからの光路中に配置した図であ
る。

【００４１】この多分割位相可変液晶素子３０は、分割
された個々の液晶素子へ印加する電圧を可変制御するこ
とで、個々の素子を透過する光束へ与える位相差を可変
できる。この素子の後に偏光子１９を配置することで、
個々の素子で与えられた位相差に応じた光量分のみが、
この偏光子１９を透過する強度可変フィルターとなる。

【００４２】このような多分割位相可変液晶素子として
は、例えば、ＭｅａｄｏｗｌａｒｋＯｐｔｉｃｓ社の
“ＳｈａｐｅＳｈｉｆｔｅｒ”がある。

【００４３】半導体レーザーからの出射光は、通常チッ
プの接合方向に平行な方向に電界成分を有する直線偏光
であり、液晶素子の進相軸はこれとは４５°の向きとし
てやる。もしくは、半導体レーザーと液晶素子の間に１
／２波長板を配し、液晶素子へ入射する光束の偏光方位
を調整してやる。

【００４４】サバール板やウォーラストンプリズム等の
複屈折性複像素子、シリンドリカルレンズ、回折格子等
をムラ低減素子として用いる場合、カップリングレンズ
から対物レンズに至る非平行光束中に配置し、光軸方向
に調整することで、横ずらし量やデフォーカス量を個々
の半導体レーザーに合わせ最適化できる。

【００４５】図１３に示すように、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶２
９等の固体レーザー光励起結晶を半導体レーザー光で励
起させこの結晶からの出力光を用いることも可能であ
る。

【００４６】８０８ｎｍ付近の波長でＮｄ：ＹＡＧ結晶
２９を励起してやることで１０６４ｎｍ，９４６ｎｍと
いった波長のレーザー出力が得られる。この励起の過程
で励起光であるストライプ状の発光部を有する半導体レ
ーザー１１２からの光束の空間的分布を改善することが
できる。

【００４７】これらの方法は、レーザー光の強度分布ム
ラを、ムラ低減の為の素子を加えて直接その空間分布を
改善するものである。これとは別に、もしくはこれらの
方法と併用して、光ディスクの媒体面上に照射される線
状ビーム像をその長手方向に振動させてやることで時間
平均で見た強度分布を均一化させ、初期化ムラを低減さ
せることができる。

【００４８】振動させる手段としては、対物レンズを駆
動するアクチュエーターとしてフォーカシング方向と線
状光ビーム長手方向の双方に駆動可能な２次元アクチュ
エーターを用い、線状光ビーム長手方向駆動アクチュエ
ーターを正弦波信号で駆動させる、半導体レーザーから
対物レンズに至る光路上にガルバノミラーを配し、これ
を正弦波信号で駆動し光束を振る、光路中に音響光学素
子を配し、これを高周波変調させる等がある。駆動周波
数は光ディスクの回転周波数と同期してしまうと光ディ
スクの特定の領域にムラが発生するおそれがある為同期
しないような周波数とする。光ディスクの回転速度は初
期化対象の光ディスクによって変わってくるが略１００
０〜４０００ｒｐｍである。周波数としては約２０〜７
０Ｈｚであり、駆動同波数はこれより高く１５０Ｈｚ以
上としてやるのが望ましい。そしてこの方法とムラ低減
素子との併用も可能である。又、ムラ低減素子は１種の
みではなく、２種以上を組み合わせても良い。

【００４９】さて、以上のような方法で半導体レーザー
のニアフィールドパターンの強度分布のムラを減少させ
ることができるが、この半導体レーザーは使用にともな
いその強度分布に経時変化が発生する。又、その出射パ
ワーの設定によっても変化する。よって初期化装置とし
て用いる際、ビームの強度並びに強度分布を観察しつつ
初期化の条件設定ができるのが好ましい。又、経時変化
が発生し、そのムラがある所定の値以上になったときは
警告を発する等の初期化不良発生防止機能がそなえられ
るのが良い。

【００５０】この為、半導体レーザーからの出射光を対
物レンズとは別の光路へ導くビームスプリッターと、こ
の光束を集光するレンズとこのレンズによる集光点上に
配置した多分割光検出器を用い、この光検出器からの出
力で強度ムラを検出してやる。このような多分割光検出
器としては１次元ＣＣＤラインセンサーが使用でき、例
えば１セル１４μｍ×１４μｍ，１２８〜２５６素子の
ものを用いれば、Ｌ＝２００μｍのストライプ状レーザ
ーの光源部に換算して１〜２μｍの分解能が得られる。

【００５１】このＣＣＤラインセンサーの出力を信号処
理し強度分布の最大最小を検出し所定値と比較すること
で、経時変化を検出することができる。

【００５２】ビームスプリッターは半導体レーザーから
対物レンズに至る光路中のどこに配置しても良いが、前
述したムラ低減素子を併用する場合は、光束がこの素子
を通過した後に配置する方が実際に光ディスクの媒体面
上に集光される光ビームとの対応が良くなる。又、この
ＣＣＤラインセンサーからの出力を見ながらムラ低減素
子の調整を行うことができ、メンテナンスが容易であ
る。

【００５３】多分割位相可変液晶素子を用いると、この
ＣＣＤラインセンサーからの出力をフィードバックする
ことにより常時、ムラ低減制御も可能となる。

【００５４】

【発明の効果】本発明により、短時間で簡単に初期化が
可能であり、かつ信頼性のある光ディスクの初期化ヘッ
ド及び初期化装置が提供されることとなった。

【図面の簡単な説明】

【図１】初期化装置の機構の主要構成を示す図である。

【図２】光ヘッドの主要構成図である。

【図３】レーザー発光部と光ビーム像の関係を示す図で
ある。

【図４】光ディスクとストライプ状ビーム像の向きの関
係を示す図である。

【図５】ストライプ状ビーム像の強度分布を示す図であ
る。

【図６】光路中にシリンドリカルレンズを配置した図で
ある。

【図７】光路中にウォーラストンプリズムを配置した図
である。

【図８】光路中に回折格子を配置した図である。

【図９】光路中にビーム整形プリズムを配置した図であ
る。

【図１０】光路中にフィルターを配置した図である。

【図１１】光路中のビームのエッジ部分にナイフエッジ
を配置した図である。

【図１２】ムラ低減素子の配置に関する説明図である。

【図１３】光路中にＮｄ：ＹＡＧ結晶を配置した図であ
る。

【図１４】多分割センサーの配置図である。

【図１５】フィルターによるレーザー光強度分布の強度
ムラ除去を説明する図である。

【図１６】フィルターパターンの図である。

【図１７】多分割位相可変液晶素子と偏光子の配置図で
ある。

【符号の説明】

１０光ヘッド１１ストライプ高出力半導体レーザー１２コリメーターレンズ１３偏光ビームスプリッター１４１／４波長板１５像回転プリズム１６対物レンズ１７光ディスク１８ナイフエッジ１９偏光子２０ビーム整形プリズム２１フーコープリズム２２集光レンズ２３フィルター２４フォーカスエラー検出フォトディテクター２５パワーモニターフォトダイオード２６シリンドリカルレンズ２７ウォーラストンプリズム２８回折格子２９ＹＡＧ結晶３０多分割位相可変液晶素子３１フォーカシングアクチュエーター３２移動ステージＩ結像される光ビーム像の長さＬレーザーチップの発光部長さ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ストライプ状の発光部を有する半導体レ
ーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光ディ
スクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前記
媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置において、
前記線状光ビーム像の長手方向を、前記光ディスクの半
径方向もしくは接線方向に対し角度を持たせたことを特
徴とする光ディスクの初期化装置。
【請求項２】前記線状光ビーム像の長手方向の方位が
前記光ディスクの半径方向若しくは接線方向に対し、調
整可能であることを特徴とする請求項１に記載の光ディ
スクの初期化装置。
【請求項３】光ヘッド本体に対し、前記線状光ビーム
像の長手方向の方位が調整可能となるような像回転手段
を有することを特徴とする請求項２に記載の光ディスク
の初期化装置。
【請求項４】ストライプ状の発光部を有する半導体レ
ーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光ディ
スクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前記
媒体の初期化を行う光ディスクの初期化ヘッドにおい
て、半導体レーザーのニアフィールドパターンの強度分
布ムラを低減させる素子を設けたことを特徴とする光デ
ィスクの初期化ヘッド。
【請求項５】ムラ低減素子は、レーザーのストライプ
方向と略平行もしくは略垂直に母線方向を向けたシリン
ドリカルレンズであることを特徴とする請求項４に記載
の光ディスクの初期化ヘッド。
【請求項６】ムラ低減素子は、ビーム整形プリズムで
あり、これに入射する光束は非平行光束となるように調
整されていることを特徴とする請求項４に記載の光ディ
スクの初期化ヘッド。
【請求項７】ムラ低減素子は、光束を複数に分割する
複屈折性複像素子であることを特徴とする請求項４に記
載の光ディスクの初期化ヘッド。
【請求項８】ムラ低減素子は、光束を複数に分割する
回折格子であることを特徴とする請求項４に記載の光デ
ィスクの初期化ヘッド。
【請求項９】ムラ低減素子は、光束の強度分布に対応
した濃度分布を持つフィルターであることを特徴とする
請求項４に記載の光ディスクの初期化ヘッド。
【請求項１０】ムラ低減素子は、少なくとも１方向に
多数に領域分割された位相可変液晶フィルターであるこ
とを特徴とする請求項４に記載の光ディスクの初期化ヘ
ッド。
【請求項１１】ムラ低減素子は、光束の端部両側に配
置されたナイフエッジであることを特徴とする請求項４
に記載の光ディスクの初期化ヘッド。
【請求項１２】半導体レーザーを出射した光束を、対
物レンズに入射する前に一旦集光させることを特徴とす
る請求項４〜１１の何れか１項に記載の光ディスクの初
期化ヘッド。
【請求項１３】前記ムラ低減素子は、前記集光点もし
くはその近傍に配置されることを特徴とする請求項１２
に記載の光ディスクの初期化ヘッド。
【請求項１４】ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、対物レンズから出射される光ビームを略その長手方
向に振動させることを特徴とする光ディスクの初期化装
置。
【請求項１５】ストライプ状の発光部を有する半導体
レーザーから発した光束を、対物レンズで相変化型光デ
ィスクの媒体面上に線状光ビーム像として集光させ、前
記媒体の初期化を行う光ディスクの初期化装置におい
て、半導体レーザーより出射した光束を対物レンズとは
別の光路へ導くビームスプリッターと、前記光束を集光
するレンズと、該レンズによる集光点上に配置された多
分割光検出器を有し、該光検出器よりの信号で強度ムラ
を検出することを特徴とする光ディスクの初期化装置。