JPH10321568A - 研磨方法 - Google Patents
研磨方法Info
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- JPH10321568A JPH10321568A JP12959797A JP12959797A JPH10321568A JP H10321568 A JPH10321568 A JP H10321568A JP 12959797 A JP12959797 A JP 12959797A JP 12959797 A JP12959797 A JP 12959797A JP H10321568 A JPH10321568 A JP H10321568A
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- silicon nitride
- nitride film
- oxide film
- silicon oxide
- polishing
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選
択的に研磨することを可能にする。 【解決手段】 シリコン酸化膜３２及び凹部３３が形成
された下地上に凹部３３を埋め込むようにシリコン窒化
膜３４を形成する工程と、鉄化合物又は鉄イオンを少な
くとも含むスラリーを用いた化学的機械的研磨法によ
り、シリコン酸化膜３２をストッパーとしてシリコン窒
化膜３４を選択的に研磨することにより、凹部３３内に
選択的にシリコン窒化膜３４を残置させる工程とを有す
る。
択的に研磨することを可能にする。 【解決手段】 シリコン酸化膜３２及び凹部３３が形成
された下地上に凹部３３を埋め込むようにシリコン窒化
膜３４を形成する工程と、鉄化合物又は鉄イオンを少な
くとも含むスラリーを用いた化学的機械的研磨法によ
り、シリコン酸化膜３２をストッパーとしてシリコン窒
化膜３４を選択的に研磨することにより、凹部３３内に
選択的にシリコン窒化膜３４を残置させる工程とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械的研磨
（ＣＭＰ）を用いた研磨方法、特に半導体装置の製造に
好適な研磨方法に関する。
（ＣＭＰ）を用いた研磨方法、特に半導体装置の製造に
好適な研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造分野において、
半導体装置の高密度化・微細化に伴い、種々の微細加工
技術が研究開発されている。その中でＣＭＰ技術は、層
間絶縁膜の平坦化、プラグの形成、埋め込み金属配線の
形成、埋め込み素子分離などを行う際に、欠かすことの
できない必須の技術となっている。
半導体装置の高密度化・微細化に伴い、種々の微細加工
技術が研究開発されている。その中でＣＭＰ技術は、層
間絶縁膜の平坦化、プラグの形成、埋め込み金属配線の
形成、埋め込み素子分離などを行う際に、欠かすことの
できない必須の技術となっている。
【０００３】このＣＭＰにおける研磨粒子としては、通
常、シリカ、アルミナ、セリアが用いられる。そして、
これらの研磨粒子を水に分散させて（場合によっては化
学的研磨作用等の効果を目的とした添加剤を加えて）、
研磨液すなわちスラリーが作られる。現在まで、用途に
合わせて多様なスラリーが開発されいる。
常、シリカ、アルミナ、セリアが用いられる。そして、
これらの研磨粒子を水に分散させて（場合によっては化
学的研磨作用等の効果を目的とした添加剤を加えて）、
研磨液すなわちスラリーが作られる。現在まで、用途に
合わせて多様なスラリーが開発されいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的に研磨するこ
とのできるスラリーは現在まで開発されていない。その
ため、シリコン酸化膜をストッパーとしてシリコン窒化
膜を研磨するプロセスを実現することができなかった。
本発明の目的は、シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対
して選択的に研磨することが可能な研磨方法を提供する
ことにある。
ン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的に研磨するこ
とのできるスラリーは現在まで開発されていない。その
ため、シリコン酸化膜をストッパーとしてシリコン窒化
膜を研磨するプロセスを実現することができなかった。
本発明の目的は、シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対
して選択的に研磨することが可能な研磨方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における研磨方法
は、シリコン酸化膜上に形成されたシリコン窒化膜を鉄
化合物又は鉄イオンを少なくとも含むスラリーを用いた
化学的機械的研磨法により前記シリコン酸化膜に対して
選択的に研磨することを特徴とする（製造方法Ａとす
る）。
は、シリコン酸化膜上に形成されたシリコン窒化膜を鉄
化合物又は鉄イオンを少なくとも含むスラリーを用いた
化学的機械的研磨法により前記シリコン酸化膜に対して
選択的に研磨することを特徴とする（製造方法Ａとす
る）。
【０００６】また、本発明における研磨方法は、シリコ
ン酸化膜及び凹部が形成された下地上に該凹部を埋め込
むようにシリコン窒化膜を形成する工程と、鉄化合物又
は鉄イオンを少なくとも含むスラリーを用いた化学的機
械的研磨法により前記シリコン酸化膜をストッパーとし
て前記シリコン窒化膜を前記シリコン酸化膜に対して選
択的に研磨することにより前記凹部内に選択的に前記シ
リコン窒化膜を残置させる工程とを有することを特徴と
する（製造方法Ｂとする）。
ン酸化膜及び凹部が形成された下地上に該凹部を埋め込
むようにシリコン窒化膜を形成する工程と、鉄化合物又
は鉄イオンを少なくとも含むスラリーを用いた化学的機
械的研磨法により前記シリコン酸化膜をストッパーとし
て前記シリコン窒化膜を前記シリコン酸化膜に対して選
択的に研磨することにより前記凹部内に選択的に前記シ
リコン窒化膜を残置させる工程とを有することを特徴と
する（製造方法Ｂとする）。
【０００７】前記鉄化合物は酸化鉄（特にＦｅ3 Ｏ4 又
はＦｅＯが有効）であることが好ましい。また、前記鉄
イオンは２価の鉄イオンであることが好ましい。鉄化合
物を用いる場合には、鉄化合物を研磨粒子として水等の
適当な液体に分散させたものをスラリーとして用いれば
よい。鉄イオンを用いる場合には、水等の適当な液体に
鉄イオンを溶かすとともに研磨粒子を分散させたものを
スラリーとして用いればよい。
はＦｅＯが有効）であることが好ましい。また、前記鉄
イオンは２価の鉄イオンであることが好ましい。鉄化合
物を用いる場合には、鉄化合物を研磨粒子として水等の
適当な液体に分散させたものをスラリーとして用いれば
よい。鉄イオンを用いる場合には、水等の適当な液体に
鉄イオンを溶かすとともに研磨粒子を分散させたものを
スラリーとして用いればよい。
【０００８】シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対する
選択的な研磨に対して鉄化合物（特にＦｅ3 Ｏ4 又はＦ
ｅＯ等の酸化鉄）又は鉄イオン（特に２価の鉄イオン）
が有効なのは、鉄化合物又は鉄イオンの還元作用に大き
な要因があるものと考えられる。
選択的な研磨に対して鉄化合物（特にＦｅ3 Ｏ4 又はＦ
ｅＯ等の酸化鉄）又は鉄イオン（特に２価の鉄イオン）
が有効なのは、鉄化合物又は鉄イオンの還元作用に大き
な要因があるものと考えられる。
【０００９】したがって、前記製造方法Ａ及びＢにおい
て、鉄化合物や鉄イオン以外の還元作用のある物質を用
いることも可能である。前記製造方法によれば、シリコ
ン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的に研磨するこ
とができるため、シリコン酸化膜をストッパーとしてシ
リコン窒化膜を研磨するプロセス等を容易に実現するこ
とができ、半導体装置の製造に適用した場合に大きな効
果を発揮することができる。
て、鉄化合物や鉄イオン以外の還元作用のある物質を用
いることも可能である。前記製造方法によれば、シリコ
ン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的に研磨するこ
とができるため、シリコン酸化膜をストッパーとしてシ
リコン窒化膜を研磨するプロセス等を容易に実現するこ
とができ、半導体装置の製造に適用した場合に大きな効
果を発揮することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について説明する。図１は、第１の実施形
態を示した工程図であり、埋め込み配線に隣接してコン
タクトを設ける工程に本発明の研磨方法を適用したもの
である。以下、図１（ａ）〜（ｆ）に示した工程にした
がって説明する。
適な実施形態について説明する。図１は、第１の実施形
態を示した工程図であり、埋め込み配線に隣接してコン
タクトを設ける工程に本発明の研磨方法を適用したもの
である。以下、図１（ａ）〜（ｆ）に示した工程にした
がって説明する。
【００１１】まず、シリコン等の半導体基板（図示せ
ず）の主面側に形成されたシリコン酸化膜１１上に、リ
ソグラフィ法及びリアクティブイオンエッチング法を用
いて溝１２を形成する。続いて、溝１２を完全に埋め込
まない程度の厚みに、ＴｉＮ又はＷＮ等のバリアメタル
１３をスパッタリング法を用いて全面に堆積する。続い
て、高融点金属膜、例えばタングステン膜１４をＣＶＤ
法を用いて全面に堆積し、溝１２を完全に充填する。そ
の後、従来から用いられているスラリーを用いたＣＭＰ
法により、シリコン酸化膜１１が露出するまでタングス
テン膜１４及びバリアメタル１３を研磨し、表面を平坦
化するとともにタングステン膜１４からなる配線層を形
成する。続いて、リアクティブイオンエッチング法を用
いてタングステン膜１４及びバリアメタル１３を選択的
にエッチングし、段差が形成された溝１５を形成する
（図１（ａ））。
ず）の主面側に形成されたシリコン酸化膜１１上に、リ
ソグラフィ法及びリアクティブイオンエッチング法を用
いて溝１２を形成する。続いて、溝１２を完全に埋め込
まない程度の厚みに、ＴｉＮ又はＷＮ等のバリアメタル
１３をスパッタリング法を用いて全面に堆積する。続い
て、高融点金属膜、例えばタングステン膜１４をＣＶＤ
法を用いて全面に堆積し、溝１２を完全に充填する。そ
の後、従来から用いられているスラリーを用いたＣＭＰ
法により、シリコン酸化膜１１が露出するまでタングス
テン膜１４及びバリアメタル１３を研磨し、表面を平坦
化するとともにタングステン膜１４からなる配線層を形
成する。続いて、リアクティブイオンエッチング法を用
いてタングステン膜１４及びバリアメタル１３を選択的
にエッチングし、段差が形成された溝１５を形成する
（図１（ａ））。
【００１２】次に、シリコン窒化膜１６をＣＶＤ法を用
いて全面に堆積し、溝１５を充填する（図１（ｂ））。
次に、シリコン酸化膜１１をストッパーとして、シリコ
ン窒化膜１６を化学的機械的研磨し、表面を平坦化す
る。このとき用いるスラリーは、シリコン窒化膜をシリ
コン酸化膜に対して選択的に研磨するものであり、研磨
粒子として鉄の化合物を用いたもの、或いは研磨粒子を
分散させたスラリー中に鉄イオンが含まれるものである
（図１（ｃ））。
いて全面に堆積し、溝１５を充填する（図１（ｂ））。
次に、シリコン酸化膜１１をストッパーとして、シリコ
ン窒化膜１６を化学的機械的研磨し、表面を平坦化す
る。このとき用いるスラリーは、シリコン窒化膜をシリ
コン酸化膜に対して選択的に研磨するものであり、研磨
粒子として鉄の化合物を用いたもの、或いは研磨粒子を
分散させたスラリー中に鉄イオンが含まれるものである
（図１（ｃ））。
【００１３】鉄の化合物としては、酸化鉄が硬度の観点
から適当であり、特にＦｅ3 Ｏ4 、ＦｅＯが良好な特性
を示す。一例として、粒径１μｍレベルのＦｅ3 Ｏ4 を
研磨粒子として１０ｗｔ％水に分散させたスラリーを用
いた場合、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対する研
磨速度の比は３以上であった。また、鉄イオンとして
は、＋２価のものが最も有効である。
から適当であり、特にＦｅ3 Ｏ4 、ＦｅＯが良好な特性
を示す。一例として、粒径１μｍレベルのＦｅ3 Ｏ4 を
研磨粒子として１０ｗｔ％水に分散させたスラリーを用
いた場合、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対する研
磨速度の比は３以上であった。また、鉄イオンとして
は、＋２価のものが最も有効である。
【００１４】Ｆｅ3 Ｏ4 、ＦｅＯ、＋２価の鉄イオンが
有効であるのは、これらが有する還元作用によるものと
考えられる。つまり、シリコン窒化膜はシリコン酸化膜
よりも還元され易いため、シリコン酸化膜に比べてシリ
コン窒化膜の研磨が促進されるということである。した
がって、この還元反応が促進されるようにスラリーのｐ
Ｈを調整すれば、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対
する研磨レートはより大きくなることが期待される。
有効であるのは、これらが有する還元作用によるものと
考えられる。つまり、シリコン窒化膜はシリコン酸化膜
よりも還元され易いため、シリコン酸化膜に比べてシリ
コン窒化膜の研磨が促進されるということである。した
がって、この還元反応が促進されるようにスラリーのｐ
Ｈを調整すれば、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対
する研磨レートはより大きくなることが期待される。
【００１５】なお、鉄の化合物以外でも、適当な硬度
（モース硬度：５〜７程度）で還元作用を有する金属化
合物等を研磨粒子として用いた場合にも、同様の効果を
得ることが可能であると考えられる。また、鉄イオン以
外でも、還元作用を有する物質を添加物としてスラリー
中に溶かせば、同様の効果を得ることが可能であると考
えられる。
（モース硬度：５〜７程度）で還元作用を有する金属化
合物等を研磨粒子として用いた場合にも、同様の効果を
得ることが可能であると考えられる。また、鉄イオン以
外でも、還元作用を有する物質を添加物としてスラリー
中に溶かせば、同様の効果を得ることが可能であると考
えられる。
【００１６】次に、溝１２に直交するライン／スペース
パターンを用いてフォトレジスト１７を形成する。そし
て、フォトレジスト１７及びシリコン窒化膜１６に対し
て選択比の高い条件を用いて、シリコン酸化膜１１をリ
アクティブイオンエッチング法によりエッチングし、コ
ンタクトホール１８を自己整合的に形成する（図１
（ｄ））。
パターンを用いてフォトレジスト１７を形成する。そし
て、フォトレジスト１７及びシリコン窒化膜１６に対し
て選択比の高い条件を用いて、シリコン酸化膜１１をリ
アクティブイオンエッチング法によりエッチングし、コ
ンタクトホール１８を自己整合的に形成する（図１
（ｄ））。
【００１７】次に、フォトレジスト１７を除去した後、
全面にシリコン窒化膜を堆積する。そして、全面をリア
クティブイオンエッチング法を用いてエッチバックし、
コンタクトホール１８の側壁にシリコン窒化膜からなる
サイドウォール１９を形成する（図１（ｅ））。
全面にシリコン窒化膜を堆積する。そして、全面をリア
クティブイオンエッチング法を用いてエッチバックし、
コンタクトホール１８の側壁にシリコン窒化膜からなる
サイドウォール１９を形成する（図１（ｅ））。
【００１８】次に、バリアメタル２０及びタングステン
膜２１を順次堆積し、コンタクトホール１８を充填す
る。続いて、従来から用いられているスラリーを用いた
ＣＭＰ法により、シリコン酸化膜１１及びシリコン窒化
膜１６が露出するまでタングステン膜２１及びバリアメ
タル２０を研磨し、表面を平坦化する（図１（ｆ））。
膜２１を順次堆積し、コンタクトホール１８を充填す
る。続いて、従来から用いられているスラリーを用いた
ＣＭＰ法により、シリコン酸化膜１１及びシリコン窒化
膜１６が露出するまでタングステン膜２１及びバリアメ
タル２０を研磨し、表面を平坦化する（図１（ｆ））。
【００１９】以上のようにして製造された半導体装置に
おいて、タングステン膜１４からなる配線層はメモリセ
ルのビット線として使用することができ、このビット線
に隣接して形成されたコンタクトはメモリセルのストレ
ージノードコンタクトとして使用することができる。自
己整合的にコンタクトを形成するので、余分な位置合わ
せ余裕を設ける必要がなく、チップサイズの縮小化を図
ることができ、半導体装置の高密度化につながる。
おいて、タングステン膜１４からなる配線層はメモリセ
ルのビット線として使用することができ、このビット線
に隣接して形成されたコンタクトはメモリセルのストレ
ージノードコンタクトとして使用することができる。自
己整合的にコンタクトを形成するので、余分な位置合わ
せ余裕を設ける必要がなく、チップサイズの縮小化を図
ることができ、半導体装置の高密度化につながる。
【００２０】従来から用いられている通常のスラリーを
用いてシリコン窒化膜１６を研磨した場合には、シリコ
ン酸化膜の研磨速度がシリコン窒化膜の研磨速度より大
きいため、シリコン酸化膜１１はストッパーとして作用
しない。よって、図１（ｃ）における埋め込み部のシリ
コン窒化膜１６の厚さを制御することが難しくなる。こ
の厚さが薄くなり過ぎれば、コンタクトホール１８を形
成するためのリアクティブイオンエッチングを行う際
に、タングステン膜１４にダメージを与える危険性があ
る。上記のように、シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に
対して選択的に研磨するスラリーを用いることにより、
シリコン酸化膜１１をストッパーとしてシリコン窒化膜
１６を選択的に研磨することができ、埋め込み部のシリ
コン窒化膜１６の膜厚を所望の厚さに確実に制御するこ
とが可能になる。
用いてシリコン窒化膜１６を研磨した場合には、シリコ
ン酸化膜の研磨速度がシリコン窒化膜の研磨速度より大
きいため、シリコン酸化膜１１はストッパーとして作用
しない。よって、図１（ｃ）における埋め込み部のシリ
コン窒化膜１６の厚さを制御することが難しくなる。こ
の厚さが薄くなり過ぎれば、コンタクトホール１８を形
成するためのリアクティブイオンエッチングを行う際
に、タングステン膜１４にダメージを与える危険性があ
る。上記のように、シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に
対して選択的に研磨するスラリーを用いることにより、
シリコン酸化膜１１をストッパーとしてシリコン窒化膜
１６を選択的に研磨することができ、埋め込み部のシリ
コン窒化膜１６の膜厚を所望の厚さに確実に制御するこ
とが可能になる。
【００２１】図２は、第２の実施形態を示した工程図で
あり、半導体装置の素子分離工程に本発明の研磨方法を
適用したものである。以下、図２（ａ）〜（ｄ）に示し
た工程にしたがって説明する。
あり、半導体装置の素子分離工程に本発明の研磨方法を
適用したものである。以下、図２（ａ）〜（ｄ）に示し
た工程にしたがって説明する。
【００２２】まず、シリコン基板３１上に、シリコン酸
化膜３２をＣＶＤ法或いは熱酸化法により厚さ４００ｎ
ｍ成膜する（図２（ａ））。続いて、シリコン酸化膜３
２を所定の形状にパターニングする（図２（ｂ））。そ
の後、リアクティブイオンエッチングにより、シリコン
酸化膜３２をマスクとして、シリコン基板３１に深さ７
００ｎｍの素子分離用の溝３３を形成する（図２
（ｃ））。次に、素子分離用の溝３３の埋め込み材とし
て、シリコン窒化膜３４をＣＶＤ法により８００ｎｍ成
膜する（図２（ｄ））。その後、シリコン酸化膜３２を
ストッパーとして、シリコン窒化膜３４をＣＭＰ法によ
り研磨する（図２（ｅ））。
化膜３２をＣＶＤ法或いは熱酸化法により厚さ４００ｎ
ｍ成膜する（図２（ａ））。続いて、シリコン酸化膜３
２を所定の形状にパターニングする（図２（ｂ））。そ
の後、リアクティブイオンエッチングにより、シリコン
酸化膜３２をマスクとして、シリコン基板３１に深さ７
００ｎｍの素子分離用の溝３３を形成する（図２
（ｃ））。次に、素子分離用の溝３３の埋め込み材とし
て、シリコン窒化膜３４をＣＶＤ法により８００ｎｍ成
膜する（図２（ｄ））。その後、シリコン酸化膜３２を
ストッパーとして、シリコン窒化膜３４をＣＭＰ法によ
り研磨する（図２（ｅ））。
【００２３】工程（ｅ）のＣＭＰで用いるスラリーは、
シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的に研磨
するものであり、研磨粒子として鉄の化合物を用いたも
の、或いは研磨粒子を分散させたスラリー中に鉄イオン
が含まれるものである。鉄の化合物としては酸化鉄が硬
度の観点から適当であり、特にＦｅ3 Ｏ4 、ＦｅＯが良
好な特性を示す。粒径１μｍレベルのＦｅ3 Ｏ4 を研磨
粒子として１０ｗｔ％水に分散させたスラリーを用いた
場合、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対する研磨速
度の比は３以上であった。また、鉄イオンとしては、＋
２価のものが最も有効である。
シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的に研磨
するものであり、研磨粒子として鉄の化合物を用いたも
の、或いは研磨粒子を分散させたスラリー中に鉄イオン
が含まれるものである。鉄の化合物としては酸化鉄が硬
度の観点から適当であり、特にＦｅ3 Ｏ4 、ＦｅＯが良
好な特性を示す。粒径１μｍレベルのＦｅ3 Ｏ4 を研磨
粒子として１０ｗｔ％水に分散させたスラリーを用いた
場合、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対する研磨速
度の比は３以上であった。また、鉄イオンとしては、＋
２価のものが最も有効である。
【００２４】なお、第１の実施形態と同様、還元作用を
有する金属化合物等を研磨粒子としたスラリーを用いる
こと、或いは、還元作用を有する物質を添加物としてス
ラリー中に溶かしたものを用いることも可能である。
有する金属化合物等を研磨粒子としたスラリーを用いる
こと、或いは、還元作用を有する物質を添加物としてス
ラリー中に溶かしたものを用いることも可能である。
【００２５】従来から用いられている通常のスラリーを
用いてシリコン窒化膜３４を研磨した場合には、シリコ
ン窒化膜の研磨速度がシリコン酸化膜の研磨速度の３分
の１程度しかないため、シリコン酸化膜３２はシリコン
窒化膜３４のストッパーとして作用しない。一方、研磨
速度に関してウエハ全面を完全に均一化することは困難
である。したがって、例えば図３に示すように、研磨速
度の遅い位置においてシリコン酸化膜３２まで研磨が到
達したときには、研磨速度の速い位置においてはシリコ
ン酸化膜３２が全て研磨され、シリコン基板３１及び埋
め込み領域のシリコン窒化膜３４が大幅に研磨されてし
まうことになる。
用いてシリコン窒化膜３４を研磨した場合には、シリコ
ン窒化膜の研磨速度がシリコン酸化膜の研磨速度の３分
の１程度しかないため、シリコン酸化膜３２はシリコン
窒化膜３４のストッパーとして作用しない。一方、研磨
速度に関してウエハ全面を完全に均一化することは困難
である。したがって、例えば図３に示すように、研磨速
度の遅い位置においてシリコン酸化膜３２まで研磨が到
達したときには、研磨速度の速い位置においてはシリコ
ン酸化膜３２が全て研磨され、シリコン基板３１及び埋
め込み領域のシリコン窒化膜３４が大幅に研磨されてし
まうことになる。
【００２６】上記のように、シリコン窒化膜をシリコン
酸化膜に対して選択的に研磨するスラリーを用いること
により、シリコン窒化膜の研磨速度をシリコン酸化膜の
研磨速度に比べて十分大きくすることができるため、図
２（ｅ）に示すように、シリコン酸化膜３２をわずかに
研磨したレベルで研磨を終了させることができ、所望の
埋め込み形状を得ることができる。
酸化膜に対して選択的に研磨するスラリーを用いること
により、シリコン窒化膜の研磨速度をシリコン酸化膜の
研磨速度に比べて十分大きくすることができるため、図
２（ｅ）に示すように、シリコン酸化膜３２をわずかに
研磨したレベルで研磨を終了させることができ、所望の
埋め込み形状を得ることができる。
【００２７】以上、第１及び第２の実施形態について説
明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるもの
ではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変
形して実施可能である。
明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるもの
ではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変
形して実施可能である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、シリコン窒化膜をシリ
コン酸化膜に対して選択的に研磨することができるた
め、半導体装置の製造に適用した場合に大きな効果を発
揮することができる。
コン酸化膜に対して選択的に研磨することができるた
め、半導体装置の製造に適用した場合に大きな効果を発
揮することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示した工程図であ
り、埋め込み配線に隣接してコンタクトを設ける工程に
本発明の研磨方法を適用した場合の図。
り、埋め込み配線に隣接してコンタクトを設ける工程に
本発明の研磨方法を適用した場合の図。
【図２】本発明の第２の実施形態を示した工程図であ
り、素子分離工程に本発明の研磨方法を適用した場合の
図。
り、素子分離工程に本発明の研磨方法を適用した場合の
図。
【図３】図２（ｅ）の工程において従来から用いられて
いる通常のスラリーを用いてシリコン窒化膜を研磨した
場合の問題点について示した図。
いる通常のスラリーを用いてシリコン窒化膜を研磨した
場合の問題点について示した図。
１１、３２…シリコン酸化膜 １５、３３…溝（凹部） １６、３４…シリコン窒化膜
Claims (7)
- 【請求項１】 シリコン酸化膜上に形成されたシリコン
窒化膜を鉄化合物又は鉄イオンを少なくとも含むスラリ
ーを用いた化学的機械的研磨法により前記シリコン酸化
膜に対して選択的に研磨することを特徴とする研磨方
法。 - 【請求項２】 シリコン酸化膜及び凹部が形成された下
地上に該凹部を埋め込むようにシリコン窒化膜を形成す
る工程と、鉄化合物又は鉄イオンを少なくとも含むスラ
リーを用いた化学的機械的研磨法により前記シリコン酸
化膜をストッパーとして前記シリコン窒化膜を前記シリ
コン酸化膜に対して選択的に研磨することにより前記凹
部内に選択的に前記シリコン窒化膜を残置させる工程と
を有することを特徴とする研磨方法。 - 【請求項３】 前記鉄化合物は酸化鉄であることを特徴
とする請求項１又は２に記載の研磨方法。 - 【請求項４】 前記酸化鉄はＦｅ3 Ｏ4 又はＦｅＯであ
ることを特徴とする請求項３に記載の研磨方法。 - 【請求項５】 前記鉄イオンは２価の鉄イオンであるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨方法。 - 【請求項６】 シリコン酸化膜上に形成されたシリコン
窒化膜を還元作用のある物質を少なくとも含むスラリー
を用いた化学的機械的研磨法により前記シリコン酸化膜
に対して選択的に研磨することを特徴とする研磨方法。 - 【請求項７】 シリコン酸化膜及び凹部が形成された下
地上に該凹部を埋め込むようにシリコン窒化膜を形成す
る工程と、還元作用のある物質を少なくとも含むスラリ
ーを用いた化学的機械的研磨法により前記シリコン酸化
膜をストッパーとして前記シリコン窒化膜を前記シリコ
ン酸化膜に対して選択的に研磨することにより前記凹部
内に選択的に前記シリコン窒化膜を残置させる工程とを
有することを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12959797A JPH10321568A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12959797A JPH10321568A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321568A true JPH10321568A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15013393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12959797A Pending JPH10321568A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321568A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004214667A (ja) * | 2002-12-30 | 2004-07-29 | Hynix Semiconductor Inc | ナイトライド用ｃｍｐスラリー及びこれを利用したｃｍｐ方法 |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP12959797A patent/JPH10321568A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004214667A (ja) * | 2002-12-30 | 2004-07-29 | Hynix Semiconductor Inc | ナイトライド用ｃｍｐスラリー及びこれを利用したｃｍｐ方法 |
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