JPH10324532A

JPH10324532A - 多孔質酸化物ガラス膜製造装置

Info

Publication number: JPH10324532A
Application number: JP14471697A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Konishi; 繁小西; Shinji Makikawa; 新二牧川; Masaki Ejima; 正毅江島; Kazuo Kamiya; 和雄神屋
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1997-05-19
Filing date: 1997-05-19
Publication date: 1998-12-08

Abstract

(57)【要約】【解決手段】多孔質ガラス微粒子層が形成される基板
１４が載置されるテーブル１３と、この基板１４に対し
移動可能に配設され、上記基板１４に酸化物ガラス微粒
子を堆積する酸水素火炎バーナー１１と、このバーナー
１１の近傍に固定され、上記基板１４上に堆積されなか
った酸化物ガラス微粒子を除去する排気管１２とを具備
する多孔質酸化物ガラス膜製造装置１０において、上記
排気管１２の酸化物ガラス微粒子吸引口１２ａの横幅を
上記基板１４の直径より大きく形成したことを特徴とす
る多孔質酸化物ガラス膜製造装置。【効果】本発明によれば、基板上の膜厚分布及びドー
パント濃度の組成分布が均一で、表面状態の良好な多孔
質酸化物ガラス膜を歩留まり良く形成することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多孔質酸化物ガラ
ス膜製造装置に関し、更に詳述すると、火炎堆積（Ｆｌ
ａｍｅＨｙｄｒｏｌｙｓｉｓＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ；ＦＨＤ）法により、基板面上に膜厚分布及びドーパ
ント濃度の組成分布が均一で、表面状態の良好な多孔質
酸化物ガラス膜を形成し得る多孔質酸化物ガラス膜製造
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光導波
路は、基板上にアンダークラッド層、コア層、オーバー
クラッド層を積層した構造をとっており、光導波路を形
成する基板にはシリコン（Ｓｉ）若しくは石英が用いら
れている。このような光導波路のデバイスとしては、光
を多数に分割するビームスプリッタや、所望の線路に信
号を切り換える光スイッチ、更に今後は、光加入者系に
おいて、各家庭にはＳｉ基板の上に光信号の分波／合波
の機能を持つ光導波路と共に、レーザーダイオード（Ｌ
Ｄ）、フォトダイオード（ＰＤ）などを集積化したＯＮ
Ｕ（ＯｐｔｉｃａｌＮｅｔｗｏｒｋＵｎｉｔ）が導
入されることが予想され、例えば“Ａｐｐｌｉｃａｔｉ
ｏｎｏｆｐｌａｎａｒｌｉｇｈｔｗａｖｅｃｉ
ｒｃｕｉｔｐｌａｔｆｏｒｍｔｏｈｙｂｒｉｄ
ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｏｐｔｉｃａｌＷＤＭｔｒ
ａｎｓｍｉｔｔｅｒ／ｒｅｃｅｉｖｅｒｍｏｄｕｌ
ｅ”（Ｙ．Ｙａｍａｄａｅｔａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ．Ｌｅｔｔ．３１（１６），１３６６−１３６７
（１９９５））などに示されているように既に開発が進
められている。

【０００３】このような光導波路を形成する基板として
シリコン（Ｓｉ）を用いる場合を例にとって光導波路の
製造プロセスを説明すると、Ｓｉ基板上に光導波路を作
製するには、Ｓｉ基板上にアンダークラッド層となる厚
さ約２０μｍのガラス層を形成し、このアンダークラッ
ド層上に光が導波するコア層を形成し、このコア層をリ
ソグラフィー及び異方性エッチングにより光の導波パタ
ーンに加工した後、オーバークラッド層となる厚さ３０
μｍ以上のガラス層を形成することにより行われてい
る。これらのガラス層の形成方法としては、火炎堆積
（ＦＨＤ）法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング、プ
ラズマＣＶＤ法などが知られているが、厚さ数十μｍの
ガラス層の作製は一般に火炎堆積法が好適である。

【０００４】上記火炎堆積法は、例えば“Ｓｉｌｉｃａ
ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓｏｎｓｉｌｉｃｏｎａｎ
ｄｔｈｅｉｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｔｏｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ−ｏｐｔｉｃｃｏｍｐｏｎｅｎｔ
ｓ”（Ｍ．Ｋａｗａｃｈｉ，Ｏｐｔｉｃａｌａｎｄ
ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ２２，３９
１−４１６（１９９０））に示されており、図２に示し
たような酸化物ガラス膜製造装置１０を用い、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｂｒ及びＰなどのハロゲン化物を酸水素火炎バーナ
ー１１に供給してガラス微粒子を生成し、これを回転可
能なテーブル１３の上に載置した基板１４上に吹き付け
堆積し、多孔質の酸化物ガラス微粒子膜層を形成し、こ
れを電気炉（図示せず）中で１２００〜１４００℃の温
度で焼結することにより基板上に透明なガラス膜を作製
する方法である。

【０００５】この場合、光導波路用基板上に形成するガ
ラス膜に対しては基板面内で膜厚分布及びドーパント濃
度の組成分布が均一に保たれ、表面状態が良好なもので
あることが必要であり、例えば直径１０ｃｍの基板の場
合、膜厚の分布は少なくともバラツキが３％以下（膜厚
２０μｍの場合０．６μｍ以下）であることが望まし
い。

【０００６】しかしながら、図２に示したような従来の
多孔質酸化物ガラス膜製造装置１０は、回転テーブル１
３の外周部に所定間隔離間して複数個の基板１４を載置
し、排気管１２を酸水素火炎バーナー１１の近傍の一定
位置に固定し、この酸水素火炎バーナー１１を図中矢印
Ｂ方向に往復運動させつつ、上記基板１４上にガラス微
粒子を吹き付け堆積するものである。この場合、上記装
置においては、図３に示したように、酸水素火炎バーナ
ー１１がテーブルの最も内側に位置した場合（図３
（ａ））と、バーナーがテーブルの最も外側に位置した
場合（図３（ｂ））とで、バーナー１１と排気管１２と
の位置関係に差異が生じ、基板に対する酸水素火炎の当
たり方、即ち火炎の形（堆積の状態）を常に一定の状態
に保つことができず、均一な膜厚分布のガラス膜を形成
することが困難であった。

【０００７】即ち、上記図２に示した装置１０は、余剰
の酸化物ガラス微粒子を吸引除去するための排気管とし
て、その吸引口の断面直径が基板の直径より小さい円筒
形の排気管１２を用いており、この排気管１２内の流れ
の速度分布は管の中心付近ほど速いため酸水素火炎バー
ナーの火炎は排気管の中心へ引き込まれる形となる。こ
のため堆積を行うバーナーの基板面内での位置変化に伴
って基板に対する酸水素火炎の当たり方、つまり炎の形
（堆積の状態）が変化し、基板面内での膜厚分布やドー
パント濃度の組成分布にバラツキが生じるという問題が
あった。

【０００８】かかる問題点を解決するために、（１）酸
水素火炎バーナーの基板内での往復運動に連動させて排
気管を移動可能に構成すること、（２）図４に示したよ
うに、酸水素火炎バーナー１１及び排気管１２を一定位
置に固定し、基板１４を搭載したテーブル１３を図４中
Ｘ方向及びＹ方向に移動可能に構成すること、などが提
案されている。

【０００９】しかしながら、上記（１）の提案は、バー
ナーと排気管を移動可能に構成するために、チャンバ内
において可動部分が増加し、この可動部分には外部の雰
囲気と遮断するためにシール構造を設ける必要があり、
このシール構造のシール材料と可動部分とが接触するこ
とにより発塵が生じやすくなり、結局異物発生の要因が
増加するという問題があった。

【００１０】一方、上記（２）の提案では、未だバーナ
ーの火炎の形が不安定であり、膜厚分布のバラツキは大
きく、基板を搭載したテーブルをＸ方向及びＹ方向に移
動可能に構成することにより、テーブル下部に設けられ
たヒーターにより基板を均等に加熱することができず、
基板面全体の温度分布が不均一となり、ドーパント濃度
の組成分布にバラツキが生じ、ガラス膜の表面状態が粗
くなるという問題がある。

【００１１】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、装置のチャンバ内の可動部分が少なく発塵の発生が
抑えられると共に、酸水素火炎バーナーの火炎の形（堆
積の状態）を安定に保つことができ、基板面内の膜厚分
布及びドーパント濃度の組成分布が均一で、良好な表面
状態の多孔質酸化物ガラス膜を基板上に形成し得る多孔
質酸化物ガラス膜製造装置を提供することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、多孔質ガラス微粒子層が形成される基板が
載置されるテーブルと、この基板に対し移動可能に配設
され、上記基板に酸化物ガラス微粒子を堆積する酸水素
火炎バーナーと、このバーナーの近傍に固定され、上記
基板上に堆積されなかった酸化物ガラス微粒子を除去す
る排気管とを具備する多孔質酸化物ガラス膜製造装置に
おいて、上記排気管の酸化物ガラス微粒子吸引口の横幅
を上記基板の直径より大きく形成したことを特徴とする
多孔質酸化物ガラス膜製造装置を提供する。

【００１３】本発明によれば、基板面上に酸水素火炎バ
ーナーから酸化物ガラス微粒子を吹き付け堆積し、ガラ
ス微粒子層を形成すると共に、余剰のガラス微粒子を吸
引除去するための排気管を具備してなる多孔質酸化物ガ
ラス膜製造装置において、上記排気管を上記バーナーの
酸化物ガラス微粒子供給位置近傍に固定し、該排気管の
吸引口の大きさ（横幅）を上記基板の幅（直径）よりも
大きく形成することにより、基板面内の膜厚及びドーパ
ント濃度の組成分布が均一で、良好な表面状態の多孔質
酸化物ガラス膜を基板上に形成することができるもので
ある。

【００１４】即ち、上記多孔質酸化物ガラス膜製造装置
において、排気管を常に一定の吸引位置に固定すること
により、装置のチャンバ内の可動部分は酸水素火炎バー
ナーのみとなり、発塵の発生源となる可動部分を最低限
に保つことができ、基板面上への異物付着による歩留り
低下を抑制することができると共に、基板上に堆積しな
かった余剰のガラス微粒子の吸引除去を行う排気管の吸
引口の大きさ（横幅）をガラス膜形成対象である基板の
幅（直径）よりも大きく形成することにより、酸水素火
炎バーナーがテーブル上に搭載した基板の最内周側に位
置した場合でも、最外周側に位置した場合でも、基板面
に対する火炎の当たり方、つまり火炎の形（堆積の状
態）を常に一定に保つことができ、基板面内の任意の位
置で膜厚分布及びドーパント濃度の組成を均一な状態に
保ちつつ、ガラス微粒子の基板面への吹き付け堆積を行
うことができ、表面状態の良好な多孔質酸化物ガラス膜
を歩留まり良く基板上に形成することができるものであ
る。

【００１５】

【実施例及び発明の実施の形態】以下、本発明の一実施
例につき図面を参照して説明する。なお、図１におい
て、図２〜４と同一の構成部品については同一の参照符
号を付してその説明を省略する。

【００１６】図１は、本発明の火炎堆積法による多孔質
酸化物ガラス膜製造装置の一実施例を示し、１１は酸水
素火炎バーナーである。このバーナー１１は基板１４上
を図中矢印Ａ方向（円形状のテーブルの径方向）に往復
運動可能に形成されており、バーナー１１のストローク
長は、火炎の広がりを考慮して、直径１０ｃｍの基板に
吹き付け堆積する場合、基板の径方向に１０ｃｍ以上、
より好ましくは１３〜１６ｃｍであり、移動速度は、通
常、０．５〜１．５ｃｍ／ｓｅｃである。なお、このバ
ーナー形状は、特に制限されないが、酸化物ガラス微粒
子供給口を断面円形状とすることが好ましく、その内径
は２０〜４０ｍｍ程度である。

【００１７】上記バーナー１１にはガラス原料を供給す
るための供給管（図示せず）が設けられており、この供
給管を介してガラス原料を火炎内に供給し、酸化物ガラ
ス微粒子を生成し、基板面上に吹き付け堆積する。ガラ
ス原料としてはＳｉ、Ｇｅ、Ｂｒ及びＰなどのハロゲン
化物が好ましく、特にＳｉＣｌ₄、ＢＢｒ₃及びＰＯＣｌ
₃などが好適であり、これらガラス原料の供給量は、Ｓ
ｉＣｌ₄の場合２０〜３００ｃｃ／ｍｉｎ、好ましくは
５０〜２００ｃｃ／ｍｉｎ、ＢＢｒ₃の場合５〜６０ｃ
ｃ／ｍｉｎ、好ましくは１０〜３０ｃｃ／ｍｉｎ、ＰＯ
Ｃｌ₃の場合５〜６０ｃｃ／ｍｉｎ、好ましくは１０〜
３０ｃｃ／ｍｉｎである。

【００１８】１３は、外周部に基板１４を等間隔離間し
て複数枚（図１では９枚）搭載可能な円形テーブルであ
り、このテーブル１３は図中矢印Ｌ方向に、通常、１〜
１０ｒｐｍ、好ましくは３〜５ｒｐｍの回転速度で回転
可能に形成されている。また、上記テーブルの下部には
基板加熱用のヒーター（図示せず）が設けられており、
予め基板温度を一定温度（例えば４００〜８００℃の範
囲の温度）に均一に加熱し、バーナーから吹き付けられ
たガラス微粒子が基板面上に堆積可能に構成されてい
る。

【００１９】１２は、基板面に堆積しなかった余剰のガ
ラス微粒子を系外に吸引除去する排気管であり、その先
端部の酸化物ガラス微粒子吸引口１２ａは上記バーナー
１１の供給口近傍に位置して基板面に向けて開口してお
り、他端は吸引装置（図示せず）に接続されている。こ
の排気管１２は装置内においてバーナーの近傍に上記の
態様で固定することにより、堆積を行う系内に設ける可
動部分が少なくすみ、系内への異物混入を可及的に抑え
ることができるものである。

【００２０】上記排気管の吸引口１２ａの断面形状は、
特に制限されず、円形、長方形、正方形などとすること
ができ、特に長方形とすることが、吸引効率、均一なバ
ーナー火炎の形を維持する上で好ましい。この吸引口１
２ａの大きさ（横幅）は、基板の幅（基板が円形の場合
は直径）よりも大きく形成することがバーナーの往復運
動に伴う火炎の形（堆積状態）を常に一定とするために
必要である。ここで吸引口１２ａの横幅とは、基板に対
するバーナーの移動方向（この実施例ではテーブルの径
方向）に沿った長さであり、吸引口１２ａはその横幅を
最大長さとしてバーナーの移動方向に沿って配設されて
いる。この場合、吸引口１２ａの大きさは基板の幅（直
径）より２〜１２ｃｍ、好ましくは４〜８ｃｍ大きく形
成することが好ましい。そして、上記排気管の吸引口の
大きさは、火炎のゆらぎなどを考慮して、バーナーのス
トローク長より大きく形成することが好ましい。例えば
直径１０ｃｍの基板の場合、排気管の吸引口の断面形状
を長方形とすると、その大きさは、好ましくは１４〜３
４ｃｍ、より好ましくは１８〜２６ｃｍである。この場
合、吸引口１２ａの縦幅（上記横幅に対し直角方向の長
さ）は横幅の１／２〜１／４であることが好ましい。

【００２１】上記各部品、及び基板上に形成した酸化物
ガラス微粒子層を熱処理により透明ガラス化する電気炉
（図示せず）は外部と遮断して、異物の生じることを防
止するためチャンバ（図示せず）内に配置されている。

【００２２】本発明に用いられる基板としては、シリコ
ン（Ｓｉ）又は石英からなるもので、その形状、大きさ
は、特に制限されず、直径１０ｃｍ程度の通常の光導波
路用基板を用いることができる。

【００２３】上記本発明の酸化物ガラス膜製造装置１０
を用いた火炎堆積法により多孔質酸化ガラス膜を製造す
る方法は、基板面上にＳｉ、Ｇｅ、Ｂｒ及びＰなどのハ
ロゲン化物を酸水素火炎バーナー１１に供給してガラス
微粒子を生成し、これを一定方向に回転可能なテーブル
１３の上に搭載した基板１４上に吹き付け堆積し、多孔
質のガラス微粒子層を形成し、この際、基板上に堆積し
なかった余剰ガラス微粒子は排気管１２により系外へ吸
引除去される。得られたガラス微粒子層を有する基板を
電気炉（図示せず）中で１２００〜１４００℃の温度で
焼結することにより基板上に透明なガラス膜を作製する
ことができる。

【００２４】基板上に所望の厚さのガラス微粒子を吹き
付け堆積した後、この基板を装置から取り出し、例えば
電気炉中でＨｅ：Ｏ₂＝１０：１（容量比）〜５：１の
雰囲気下、１２００〜１４００℃で熱処理し、透明化す
ることができる。この場合、基板上に形成されるガラス
膜の厚さは、目的、用途などに応じて異なり一概には規
定されないが、３〜５０μｍ、好ましくは５〜３０μｍ
である。

【００２５】本発明の装置により形成された基板上のガ
ラス膜は、透明性に優れ、膜厚分布及びドーパント濃度
組成が均一で、表面状態が良好であり、光導波路用の基
板として好適なものである。

【００２６】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更して差し支えな
い。

【００２７】以下、実験例及び比較例を示し、本発明を
更に具体的に説明する。〔実験例〕多孔質ガラス膜の基板表面への堆積を図１に
示す装置を用いて行った。回転テーブル１３の直径は８
０ｃｍであり、その外周部に直径１０ｃｍ、厚さ１ｍｍ
のシリコン（Ｓｉ）基板１４を複数枚（図１では９枚）
搭載している。これら基板は予め回転テーブル１３下部
のヒーター（図示せず）により、基板温度約６００℃に
加熱されている。余剰ガラス微粒子を除去するための排
気管１２の吸引口１２ａの断面形状は１６ｃｍ×５ｃｍ
の長方形であり、酸水素火炎バーナー１１近傍に固定さ
れている。

【００２８】基板を搭載した回転テーブル１３を一定方
向（図中矢印Ｌ方向）に５ｒｐｍの回転数で回転させな
がら、酸水素火炎バーナー１１に供給管（図示せず）か
らガラス原料を供給しつつ、バーナーをテーブルの径方
向に沿ってストローク長１６ｃｍ、移動速度１ｃｍ／ｓ
ｅｃの条件で基板上を往復運動させながらガラス微粒子
を基板上に吹き付け堆積した。この際、基板上に堆積し
なかった余剰ガラス微粒子は排気管により系外へ吸引除
去される。ガラス原料としてはＳｉＣｌ₄、ＢＢｒ₃及び
ＰＯＣｌ₃を用い、それぞれの供給量が１５０ｃｃ／ｍ
ｉｎ、２０ｃｃ／ｍｉｎ及び２０ｃｃ／ｍｉｎとなるよ
うに火炎内に供給した。

【００２９】基板上に所望の厚さ（２０μｍ）のガラス
微粒子層を堆積した後、この基板を装置から取り出し、
電気炉中でＨｅ：Ｏ₂＝１０：１（容量比）の雰囲気下
１３５０℃で熱処理し、透明な多孔質酸化物ガラス膜を
形成したＳｉ基板を得た。なお、得られたＳｉ基板には
異物の付着や発泡は特に見られなかった。

【００３０】［比較例１］多孔質ガラス膜の基板表面へ
の堆積を図２に示す装置を用いて行った。回転テーブル
１３の直径は８０ｃｍであり、その外周部には直径１０
ｃｍ、厚さ１ｍｍのシリコン（Ｓｉ）基板１４を複数枚
（図２では９枚）搭載している。これら基板は予め回転
テーブル１３下部のヒーター（図示せず）により、基板
温度約６００℃に加熱されている。余剰ガラス微粒子を
除去するための排気管１２の吸引口１２ａの断面形状は
直径６ｃｍの円形であり、酸水素火炎バーナー１１近傍
に固定されている。

【００３１】基板を載せたテーブルを一定方向（図中矢
印Ｌ方向）に５ｒｐｍの回転数で回転させながら、酸水
素火炎バーナーに供給管（図示せず）からガラス原料を
供給しつつバーナーをテーブルの径方向に沿ってストロ
ーク長１６ｃｍ、移動速度１ｃｍ／ｓｅｃの条件で基板
上を往復運動させながらガラス微粒子を基板上に吹き付
け堆積した。この際、基板上に堆積しなかった余剰ガラ
ス微粒子は排気管により系外へ吸引除去される。ガラス
原料としてはＳｉＣｌ₄、ＢＢｒ₃及びＰＯＣｌ₃を用
い、それぞれの供給量が１５０ｃｃ／ｍｉｎ、２０ｃｃ
／ｍｉｎ及び２０ｃｃ／ｍｉｎとなるように火炎内に供
給した。

【００３２】基板上に所望の厚さ（２０μｍ）のガラス
微粒子層を堆積した後、この基板を装置から取り出し、
電気炉中でＨｅ：Ｏ₂＝１０：１（容量比）の雰囲気下
１３５０℃で熱処理し、透明な多孔質酸化物ガラス膜を
形成したＳｉ基板を得た。なお、得られたＳｉ基板には
異物の付着や発泡は特に見られなかった。

【００３３】［比較例２］多孔質ガラス膜の堆積を図４
に示す装置を用いて行った。基板１４は直径１０ｃｍ、
厚さ１ｍｍのＳｉ基板を用い、この基板は、２０ｃｍ×
２０ｃｍの正方形の図４のＸ方向及びＹ方向に移動可能
なテーブル上に１枚搭載され、テーブル１３の下部に設
けられたヒーター（図示せず）により基板温度約４５０
℃に加熱されている。余剰ガラス微粒子を除去するため
の排気管１２は断面形状が直径６ｃｍの円形であり、酸
水素火炎バーナー１１と共に常に一定位置に固定されて
いる。

【００３４】酸水素火炎バーナーにガラス原料を供給
し、テーブルを図４のＸ方向及びＹ方向に移動距離Ｘ方
向及びＹ方向共に１６ｃｍ、移動速度５ｃｍ／ｓｅｃで
移動させながら、ガラス微粒子を基板上に吹き付け堆積
させた。この際、基板上に堆積しなかった余剰ガラス微
粒子は排気管により系外へ吸引除去される。ガラス原料
としてはＳｉＣｌ₄、ＢＢｒ₃及びＰＯＣｌ₃を用い、そ
れぞれの供給量が１５０ｃｃ／ｍｉｎ、２０ｃｃ／ｍｉ
ｎ及び２０ｃｃ／ｍｉｎとなるように火炎内に供給し
た。

【００３５】基板上に所望の厚さ（２０μｍ）のガラス
微粒子層を堆積した後、この基板を装置から取り出し、
電気炉中でＨｅ：Ｏ₂＝１０：１（容量比）の雰囲気下
１３５０℃で熱処理し、透明な多孔質酸化物ガラス膜を
形成したＳｉ基板を得た。なお、得られたＳｉ基板には
異物の付着や発泡は特に見られなかった。

【００３６】次に、得られた実験例、比較例１、２の各
基板について、下記方法により、屈折率、膜厚分布、平
均表面粗さＲａを測定した。結果を表１に示す。屈折率ｍｏｄｅｌ２０１０（メトリコン社製）を用いてプリズ
ムカップリング法で測定した。膜厚分布ｍｏｄｅｌ２０１０（メトリコン社製）を用いてプリズ
ムカップリング法で測定した。平均粗さＲａＤＥＫＴＡＫ８０００（ＶｅｅｃｏＩｎｓｔｒｕｍｅ
ｎｔｓＩｎｃ．，ＳｌｏｏｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｄｉｖｉｓｉｏｎ製）を用いて触針法で測定した。

【００３７】

【表１】

【００３８】表１の結果から、比較例１、２は膜厚分布
のバラツキが大きく、特に比較例１では基板中心付近で
の膜厚が小さかった。また比較例２は平均表面粗さＲａ
が大きく、その表面状態を顕微鏡（１００倍）で観察し
たところ多数の突起が見られた。

【００３９】これに対して、実験例は屈折率のバラツキ
は測定誤差レベルであり、膜厚分布が均一で、表面状態
も良好であることが確認できた。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、基板上の膜厚分布及び
ドーパント濃度の組成分布が均一で、表面状態の良好な
多孔質酸化物ガラス膜を歩留まり良く形成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る多孔質酸化物ガラス膜
製造装置の部分概略図である。

【図２】従来の多孔質酸化物ガラス膜製造装置を示す部
分概略図である。

【図３】同装置の部分拡大図であり、（ａ）はバーナー
がテーブルの最も内側に位置した場合、（ｂ）はバーナ
ーがテーブルの最も外側に位置した場合を示す。

【図４】別の従来の多孔質酸化物ガラス膜製造装置を示
す部分概略図である。

【符号の説明】

１０多孔質酸化ガラス膜製造装置１１酸水素火炎バーナー１２排気管１２ａ酸化物ガラス微粒子吸引口１３テーブル１４基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者神屋和雄群馬県安中市磯部２丁目13番１号信越化学工業株式会社精密機能材料研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】多孔質ガラス微粒子層が形成される基板
が載置されるテーブルと、この基板に対し移動可能に配
設され、上記基板に酸化物ガラス微粒子を堆積する酸水
素火炎バーナーと、このバーナーの近傍に固定され、上
記基板上に堆積されなかった酸化物ガラス微粒子を除去
する排気管とを具備する多孔質酸化物ガラス膜製造装置
において、上記排気管の酸化物ガラス微粒子吸引口の横
幅を上記基板の直径より大きく形成したことを特徴とす
る多孔質酸化物ガラス膜製造装置。
【請求項２】排気管の吸引口の断面形状が長方形であ
る請求項１記載の多孔質酸化物ガラス膜製造装置。