JPH10324965A

JPH10324965A - 薄膜、薄膜形成方法ならびに薄膜形成装置

Info

Publication number: JPH10324965A
Application number: JP9136914A
Authority: JP
Inventors: Kaji Maezawa; 可治前澤; Koichi Shinohara; 紘一篠原; Hideki Yoshida; 秀樹吉田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-05-27
Filing date: 1997-05-27
Publication date: 1998-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】コラムが一方向に揃って配向された高密度な薄
膜の提供。【解決手段】高分子基体２に形成される薄膜３であっ
て、そのコラムが高分子基体２側で部分円弧状に配向さ
れ、その途中から直柱状に配向されている。このような
コラムの配向性によって膜質が高品質なものとなり、例
えば磁気記録媒体の磁性金属薄膜とする場合では、優れ
た電磁変換特性が得られて高記録密度、高出力化、低ノ
イズ化を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜、薄膜形成方
法ならびに薄膜形成装置に関する。薄膜は、例えば、高
記録密度が要求される磁気テープなどの磁気記録媒体の
金属膜、あるいは液晶表示装置の液晶配向用の膜、太陽
電池を構成する膜などとされる。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体の例として、オーディオ、
ビデオ機器など各種情報機器に用いられる磁気テープが
あるが、これら磁気テープにおいては、磁気記録密度の
向上が永遠の課題であり、その技術的発展はめざましい
ものがある。

【０００３】従来の磁気テープは、一般的に、ポリエス
テルフィルムなどの高分子基体上に、γ−Ｆｅ₂Ｏ₃粉
末、ＣｒＯ₂粉末、純鉄粉末などを樹脂などのバインダ
ーを介して膜状に付着した構造になっている。

【０００４】このような磁気テープにおいて、記録密度
を高めるために、高分子フィルム上に、真空蒸着、イオ
ンプレーティング、スパッタリング、クラスターイオン
ビームなどの方法で、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒなどの磁
性金属を、単独もしくは合金として蒸着することが検討
されている。

【０００５】近年では、斜方入射蒸着法により強磁性金
属薄膜を形成した磁気テープが考えられている。この磁
気テープの強磁性金属薄膜を形成するのに用いる装置を
図５に示す。図中、５１は磁気テープのベースとなる高
分子基体、５２は高分子基体５１の送り軸、５３は高分
子基体５１の巻き取り軸、５４は高分子基体５１がほぼ
Ｕ字形に巻き掛けられる冷却ドラム、５５，５６は高分
子基体５１での薄膜形成範囲を設定する遮蔽板、５７は
強磁性金属原料５９が収納されるるつぼ、５８は酸素ガ
スを供給する酸素ノズルであり、これらは図示しない
が、真空チャンバ内に収納されている。この装置では、
冷却ドラム５４の外周面を利用した斜方入射蒸着を行う
ようになっている。

【０００６】動作としては、高分子基体５１を送り軸５
２と巻き取り軸５３とにより順次一定速度で送りつつ冷
却ドラム５４で冷却する一方で、るつぼ５７内の磁性金
属原料５９を電子ビームで溶解して蒸発させ、この蒸気
に対して酸素ノズル５８から導入される酸素ガスを反応
させ、この強磁性金属酸化物を冷却ドラム５４の外周の
高分子基体５１に対して付着させる。

【０００７】なお、高分子基体５１に対する蒸着範囲
は、遮蔽板５５，５６により規制されており、磁性金属
原料５９の蒸気と酸素ガスと反応した強磁性金属酸化物
が、蒸気流の高入射角θ２側つまり高分子基体５１の供
給方向の上流側で付着し、ここから核成長が始まり、こ
れを中心に連続的に低入射角θ１側つまり高分子基体１
の供給方向の下流側へ向けて成長される。これにより、
図６に示すような構造の強磁性金属薄膜６０が得られ
る。この強磁性金属薄膜６０は、コラムが部分円弧状に
配向されている。

【０００８】そして、従来では、高出力化および低ノイ
ズ化を達成できる電磁変換特性を持つ高品質な薄膜を得
るために、前述の低入射角θ１を約４０度、高入射角θ
２を約９０度にそれぞれ設定している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来例
では、高品質な強磁性金属薄膜６０を得るために、上述
したように、低入射角θ１および高入射角θ２を限定す
る必要があるが、そのために、例えばるつぼ５７から蒸
発させた強磁性金属原料５９をその全体量の７〜８重量
％しか高分子基体５１に対して付着させることができな
いなど、付着効率が非常に悪くなり、量産性が悪く、製
造コストが高騰することが指摘される。

【００１０】したがって、本発明は、コラムが一方向に
揃って配向された高密度な薄膜の提供を目的としてい
る。また、本発明は、高分子基体に対する薄膜原料の付
着効率を向上することができる薄膜形成方法ならびに薄
膜形成装置の提供を目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜は、コラム
の配向方向を規定して、高密度化を図るようにしてい
る。本発明の薄膜形成方法は、直線状の受け面を利用し
て上記薄膜を形成する方法に関し、本発明の薄膜形成装
置は、上記薄膜を斜方入射蒸着により形成する装置に関
する。

【００１２】

【発明の実施の形態】請求項１の発明は、高分子基体に
形成される薄膜であって、そのコラムが高分子基体側で
部分円弧状に配向され、その途中から直柱状に配向され
ている。

【００１３】請求項２の発明は、高分子基体に形成され
る薄膜であって、上下２層の薄膜からなり、高分子基体
側の第１層でのコラムが部分円弧状に配向され、第２層
でのコラムが直柱状に配向されている。

【００１４】請求項３の発明は、請求項２の発明の薄膜
における第１、第２層が、磁性金属酸化物からなり、第
２層の酸素含有量が第１層よりも多く設定されている。

【００１５】請求項４の発明は、請求項３の発明の薄膜
における第１層の膜厚と第２層の膜厚との比が、１：１
から１：２０の範囲に設定されている。

【００１６】請求項５の発明にかかる薄膜形成方法は、
供給される高分子基体を一旦湾曲させてから再度直線的
に案内しつつ冷却し、この高分子基体の湾曲部分から直
線部分までの範囲に対して、当該高分子基体の供給方向
の下流側から上流側へ向けて薄膜原料の蒸気を供給する
ものである。

【００１７】請求項６の発明にかかる薄膜形成装置は、
供給される高分子基体を一旦湾曲させるよう案内しつつ
冷却する冷却ドラムと、冷却ドラムで湾曲される高分子
基体を直線的に案内する直線案内部材と、薄膜原料を蒸
気としかつこの蒸気を高分子基体の湾曲部分から直線部
分までの範囲に対して当該高分子基体の供給方向の下流
側から上流側へ向けて供給する気化源とを含む。

【００１８】請求項７の発明にかかる薄膜形成装置は、
供給される高分子基体を一旦湾曲させるよう案内しつつ
冷却する冷却ドラムと、冷却ドラムで湾曲される高分子
基体を直線的に案内する直線案内部材と、薄膜原料を蒸
気としかつこの蒸気を高分子基体の湾曲部分から直線部
分までの範囲に対して当該高分子基体の供給方向の下流
側から上流側へ向けて供給する気化源と、前記高分子基
体に対する薄膜形成範囲の上流側および下流側にそれぞ
れ設けられて蒸気と反応させるガスを導入するガス導入
手段とを含む。

【００１９】請求項８の発明にかかる薄膜形成装置は、
供給される高分子基体を一旦湾曲させるよう案内しつつ
冷却する冷却ドラムと、冷却ドラムで湾曲される高分子
基体を直線的に案内する直線案内部材と、薄膜原料を蒸
気としかつこの蒸気を高分子基体の湾曲部分から直線部
分までの範囲に対して当該高分子基体の供給方向の下流
側から上流側へ向けて供給する気化源と、前記高分子基
体に対する薄膜形成範囲の上流側および下流側にそれぞ
れ設けられて蒸気と反応させるガスを導入するガス導入
手段と、高分子基体の湾曲部分と直線部分とを仕切るよ
うに設けられかつ蒸気の一部を高分子基体の湾曲部分側
に導く開口を有する遮蔽部材とを含む。

【００２０】請求項９の発明は、請求項７，８の発明の
薄膜形成装置でのガス導入手段によるガス導入量が、薄
膜形成範囲の下流側が上流側よりも多く設定されるもの
である。

【００２１】請求項１０の発明は、請求項８の発明の薄
膜形成装置での遮蔽部材の開口幅寸法が、気化源の蒸気
放出開口の開口幅寸法の１／２以下に設定されるもので
ある。

【００２２】以下、本発明の詳細を、図１ないし図４に
示す実施形態に基づいて説明する。下記する実施形態で
は、本発明の薄膜を磁気テープなどの強磁性金属薄膜と
する場合を例に挙げている。

【００２３】図１および図２は本発明の実施形態１にか
かり、図１は、磁気テープの断面構造を模式的に示した
図、図２は、薄膜形成装置の概略構成図である。

【００２４】図１に示す磁気テープ１は、ポリエステル
フィルムなどの高分子基体２の表面に強磁性金属酸化物
からなる薄膜３を付着した構造になっている。

【００２５】薄膜３は、上下の２層４，５からなり、下
層つまり高分子基体２側の第１層４よりも上層の第２層
５の酸素含有量を多く設定している。つまり、この上下
２層４，５は酸素含有量が異なっており、それによって
上下の層の境界ができているのである。この薄膜３の構
造は、オージェ電子分光計で薄膜３を表面側からエッチ
ングしていくと酸素ピークが２カ所現れることから確認
することができる。なお、上記第１、第２層４，５の酸
化状態は、要求される電磁変換特性、信頼性、耐食性の
バランスを考慮して適宜設定すればよい。また、第１層
４については、非磁性金属酸化物とすることができる。

【００２６】高分子基体２は、例えばポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、
ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネートなどか
ら適宜選択されるもので、帯状フィルムとされる。薄膜
３は、例えばＣｏ，Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、あるいはこれら
をベースにした各種の合金（例えばＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−
Ｆｅ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｐ
ｄ，Ｃｏ−Ｓｎ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒなど）の酸化物とさ
れる。

【００２７】この薄膜３において高分子基体２側の第１
層４は、コラムが部分円弧状に、また、第２層５は、コ
ラムが直柱状に、それぞれ配向されている。この構造
は、例えば透過型電子顕微鏡で５０万倍に拡大すること
により観察することができる。

【００２８】そして、２つの層４，５の膜厚は、同じか
あるいは第２層５を第１層４よりも厚く設定するのが好
ましい。具体的に例えば、第１層４と第２層５との膜厚
比は、１：１〜１：２０の範囲、好ましくは１：３〜
１：１０の範囲に設定される。また、第１、第２層４，
５を合わせた厚み寸法は、例えば３００〜５０００Å、
好ましくは５００〜３０００Åに設定される。

【００２９】次に、上述した磁気テープ１の薄膜３を形
成する方法を説明する。薄膜３を形成するのに用いる装
置を図２に示す。図中、１１は高分子基体２の送り軸、
１２は高分子基体２の巻き取り軸、１３は上部冷却ドラ
ム、１４は下部冷却ドラム、１５は両冷却ドラム１３，
１４間にループ状に巻き掛けられる板状のエンドレスベ
ルト、１６は高分子基体２を上部冷却ドラム１３の外周
のエンドレスベルト１５に沿わせるローラ、１７は下部
冷却ドラム１４の外周のエンドレスベルト１５から高分
子基体２を引き離すローラ、１８，１９は高分子基体２
での薄膜形成範囲を設定する遮蔽板、２０は強磁性金属
原料２３が収納されるるつぼ、２１，２２は酸素ガスを
供給する酸素ノズルであり、これらは図示しないが、真
空チャンバ内に収納されている。この装置では、斜め姿
勢としたエンドレスベルト１５を利用した斜方入射蒸着
を行うようになっている。

【００３０】上記２つの遮蔽板１８，１９は、上部冷却
ドラム１３側と下部冷却ドラム１４側とに離れて配設さ
れており、上方の遮蔽板１８には、るつぼ２０から発生
される強磁性金属原料２３の蒸気の一部を上部冷却ドラ
ム１３側の高分子基体２の湾曲部分側に導く開口２４が
設けられている。この開口２４の開口幅寸法Ｗ１は、る
つぼ２０の開口Ｗ２に対し１／２以下、好ましくは１／
５に設定されている。この比率を最適化することで薄膜
３の第１層４と第２層５との膜厚比を決定することがで
きる。ここで、るつぼ２０から発生される蒸気がエンド
レスベルト１５の直線部分で案内される高分子基体２に
対する入射角は、低入射角θ１が約４０度、高入射角θ
２が８０度以上に設定される。

【００３１】上記２つの酸素ノズル２１，２２は、上部
冷却ドラム１３側と下部冷却ドラム１４側とに離れて配
設されている。そして、下方の酸素ノズル２２からの酸
素ガスの導入量は、上方の酸素ノズル２１からの酸素ガ
スの導入量よりも多く設定される。具体的には、上方の
酸素ノズル２１からの導入量と下方の酸素ノズル２２か
らの導入量との比は、例えば１：１５に設定される。

【００３２】前述の強磁性金属原料２３として、例えば
Ｃｏ，Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、あるいはこれらをベースにし
た各種の合金（Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｃｒ，
Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｐｄ，Ｃｏ−Ｓｎ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ）、あるいはこれらの酸化物などを用意
する。

【００３３】動作としては、高分子基体２を送り軸１１
と巻き取り軸１２とにより順次一定速度で送り、上部冷
却ドラム１３と下部冷却ドラム１４によって冷却する一
方で、るつぼ２０内の強磁性金属原料２３を電子ビーム
で溶解して蒸発させ、この蒸気を酸素ノズル２１，２２
から供給される酸素ガスと反応させ、この強磁性金属酸
化物を高分子基体２の所要範囲に付着させるようになっ
ている。

【００３４】ところで、るつぼ２０から発生される蒸気
が上方の遮蔽板１８の開口２４から上方に回り込んで、
酸素に反応してから、高分子基体２において上部冷却ド
ラム１３で湾曲される部分に付着し、ここから核成長が
始まり、高分子基体２においてエンドレスベルト１５の
直線部分で案内される範囲（上下２つの遮蔽板１８，１
９で規制される範囲）で上流から下流に向けて、蒸気と
酸素ガスとの反応物が順次付着して成長するようにな
る。このようにして、図１に示すような２層構造の薄膜
３が形成される。

【００３５】このとき、上方の酸素ノズル２１からの酸
素ガスの導入量と下方の酸素ノズル２２からの酸素ガス
の導入量とを異ならせているので、高分子基体２の湾曲
部分に付着する強磁性金属酸化物と、高分子基体２の直
線部分の所要範囲に付着する強磁性金属酸化物とは、酸
素含有量が異なるものとなり、結果的に薄膜３が上下２
層構造となるのである。

【００３６】図３および図４は本発明の実施形態２にか
かり、図３は、磁気テープの断面構造を模式的に示した
図、図４は、薄膜形成装置の概略構成図である。

【００３７】この実施形態２での薄膜３は、上記実施形
態１で説明したもののように上下２層の境界が明確にな
っていずに単層構造になっているが、高分子基体２側で
コラムが部分円弧状に配向され、その途中から直柱状に
配向された構造になっていることにかわりない。

【００３８】このような構造の薄膜３を形成する方法を
説明する。この薄膜３を形成するのに用いる装置を図４
に示す。この装置は、上記実施形態１で示したものと基
本構成を同じにしているが、一部が相違している。相違
点は、上方の酸素ノズル２１を排除していることと、上
方の遮蔽板１８に開口２４を設けていないことと、上方
の遮蔽板１８を上方にずらしてるつぼ２０からの蒸気が
上部冷却ドラム１３の湾曲部分にまで届くようにしてい
ることとである。

【００３９】つまり、この装置では、高分子基体２にお
いて上下２つの遮蔽板１８，１９で仕切った範囲に対し
て、るつぼ２０から発生される蒸気を、単一の酸素ノズ
ル２２から導入される酸素ガスで反応させて、連続的に
蒸着させるようにしており、その結果として薄膜３が単
層構造となるのである。このときの、薄膜３の成長過程
も高分子基体２の供給方向の上流から下流へ向けて発生
する。

【００４０】次に、上述した実施形態１，２の磁気テー
プと、従来例の磁気テープとについて、蒸着効率、電磁
変換特性、走行耐久性、錆試験を調べたので、表１に示
す。電磁変換特性と走行耐久性の試験では、市販の８ｍ
ｍビデオテープレコーダを改造して行った。電磁変換特
性は、９〔ＭＨｚ〕でのカラー出力とノイズ比を求め、
走行耐久性は、初期出力に対して出力が−５〔ｄＢ〕低
下したときの走行回数を調べた。錆試験は、温度６０
度、湿度９０％の環境において１週間放置し、試験前後
の錆の発生状況を光学顕微鏡で観察した。

【００４１】実施形態１での磁気テープは、全厚を２０
００Å、薄膜３の第１層４と第２層５との厚み比を１：
４、上方の酸素ノズル２１と下方の酸素ノズル２２との
酸素ガスの導入量の比を１：１５としている。実施形態
２での磁気テープおよび従来例での磁気テープは、それ
ぞれ全厚を２０００Åとしている。これらはすべて強磁
性金属原料２３としてＣｏ−Ｎｉ合金を用いている。

【００４２】

【表１】

【００４３】結果は、上記表１のように、実施形態１お
よび実施形態２が従来例に比べて優れており、なかでも
実施形態１が最も優れていた。特に、蒸着効率では、実
施形態１，２が従来例の２．５倍も向上する。これはつ
まり、従来例で高分子基体２を単一の円筒形の冷却ドラ
ムに巻き付けた状態で蒸着していたのに対して、実施形
態１，２では板状のエンドレスベルト１５を用いて蒸着
範囲を広げているからである。錆については、従来例の
場合、表面全体にわたり面状態で発生しているが、実施
形態２の場合、表面に点状態で発生する程度であり、さ
らに実施形態１の場合、表面にわずかに点状態で発生す
る程度である。この状況に基づいて上記表１のような形
態で評価した。これは、実施形態１のように高次の酸化
物で保護することが錆に対して有効であることを示して
いる。

【００４４】また、周知のＶＳＭ（Vibrating Sample M
agnetmeter）を用いて磁気特性を調べた結果、実施形態
１，２が従来例に比べて、保磁力で３００〔Ｏｅ〕、角
形比で０．３改善されていた。

【００４５】以上の結果は、薄膜３のコラム構造による
ものと考えられる。特に、実施形態１が優れているの
は、薄膜３を上下２層として上層である第２層５のコラ
ムを高次の酸化物で保護するためと考えられる。

【００４６】なお、第１層４と第２層５との膜厚比は、
第２層５を第１層４の２０倍以上厚くしても、特に電磁
変換特性の向上が図れない。一方、第１層４を厚くして
ゆくと、蒸着効率が減少し、磁気特性と電磁変換特性の
バランスが損なわれる。このことから、第１層４と第２
層５との膜厚比を、上述したように、１：１〜１：２０
の範囲、好ましくは１：３〜１：１０の範囲に設定して
いるのである。

【００４７】なお、本発明は上記実施形態のみに限定さ
れるものではなく、種々な応用や変形が考えられる。

【００４８】（１）上記実施形態では、磁気テープ１
に本発明を適用した例を挙げているが、カード、デスク
等の磁気記録媒体に本発明を適用することができる。そ
の他、液晶表示装置の液晶配向用のＳｉＯ膜など、太陽
電池を構成するＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系膜など、あるいはエ
レクトロルミネッセンス（ＥＬ）、超伝導薄膜などとい
った高機能性薄膜にも本発明を適用することができる。
つまり、本発明の薄膜は、金属や合金などの無機物質に
限らず、有機物質も含む。

【００４９】（２）上記実施形態では、磁気テープ１
の薄膜３を得るために、酸素ガスを用いているが、その
他、必要に応じて、窒素、水素、オゾン、アルゴン等の
ガスあるいは反応性ガスを用いてもよい。

【００５０】（３）上記実施形態では、磁気テープ１
の薄膜３を形成するにあたって斜方入射蒸着法を採用し
ているが、垂直蒸着法を採用することも可能である。そ
の他、上記実施形態での薄膜形成装置において、冷却ド
ラム１３，１４、エンドレスベルト１５、遮蔽板１８，
１９、酸素ノズル２１，２２などの位置関係は特に限定
されない。

【００５１】

【発明の効果】請求項１，２の発明の薄膜は、コラムが
一方向に揃って配向されて高密度となるなど、膜質が高
品質なものとなる。特に、請求項３，４の発明のよう
に、薄膜を磁気記録媒体の磁性金属薄膜とする場合で
は、優れた電磁変換特性が得られて高記録密度、高出力
化、低ノイズ化を図ることができる。

【００５２】請求項５の発明の薄膜形成方法では、高分
子基体に対する薄膜形成範囲を従来例に比べて広くでき
るようになって薄膜の付着効率を高めることができるの
で、量産性の向上に貢献できるようになる。

【００５３】請求項６，７，８の発明の薄膜形成装置で
は、請求項１〜４の薄膜を効率良く形成することができ
る。特に、請求項９，１０の発明では、薄膜において特
に直柱状に配向されるコラムについて高次の酸化物で保
護することができるから、例えば磁気記録媒体の薄膜と
して耐腐食性、耐久性などの向上に貢献できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１の磁気テープの断面構造を
模式的に示した図

【図２】図１の強磁性金属薄膜の形成に用いる薄膜形成
装置の概略構成図

【図３】本発明の実施形態２の磁気テープの断面構造を
模式的に示した図

【図４】図３の強磁性金属薄膜の形成に用いる薄膜形成
装置の概略構成図

【図５】従来の薄膜形成装置の概略構成図

【図６】従来例の磁気テープの断面構造を模式的に示し
た図

【符号の説明】

１磁気テープ２高分子基体３薄膜４薄膜の第１層５薄膜の第２層１３上部冷却ドラム１４下部冷却ドラム１５エンドレスベルト１８上部遮蔽板１９下部遮蔽板２０るつぼ２１，２２酸素ノズル２３強磁性金属原料

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高分子基体に形成される薄膜であって、
そのコラムが高分子基体側で部分円弧状に配向され、そ
の途中から直柱状に配向されている、ことを特徴とする
薄膜。
【請求項２】高分子基体に形成される薄膜であって、
上下２層の薄膜からなり、高分子基体側の第１層でのコ
ラムが部分円弧状に配向され、第２層でのコラムが直柱
状に配向されている、ことを特徴とする薄膜。
【請求項３】前記第１、第２層は、磁性金属酸化物か
らなり、第２層の酸素含有量が第１層よりも多く設定さ
れている、請求項２記載の薄膜。
【請求項４】前記第１層の膜厚と第２層の膜厚との比
は、１：１から１：２０の範囲に設定されている、請求
項３記載の薄膜。
【請求項５】供給される高分子基体を一旦湾曲させて
から再度直線的に案内しつつ冷却し、この高分子基体の
湾曲部分から直線部分までの範囲に対して、当該高分子
基体の供給方向の下流側から上流側へ向けて薄膜原料の
蒸気を供給する、ことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項６】供給される高分子基体を一旦湾曲させる
よう案内しつつ冷却する冷却ドラムと、冷却ドラムで湾曲される高分子基体を直線的に案内する
直線案内部材と、薄膜原料を蒸気としかつこの蒸気を高分子基体の湾曲部
分から直線部分までの範囲に対して当該高分子基体の供
給方向の下流側から上流側へ向けて供給する気化源と、を含むことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項７】供給される高分子基体を一旦湾曲させる
よう案内しつつ冷却する冷却ドラムと、冷却ドラムで湾曲される高分子基体を直線的に案内する
直線案内部材と、薄膜原料を蒸気としかつこの蒸気を高分子基体の湾曲部
分から直線部分までの範囲に対して当該高分子基体の供
給方向の下流側から上流側へ向けて供給する気化源と、前記高分子基体に対する薄膜形成範囲の上流側および下
流側にそれぞれ設けられて蒸気と反応させるガスを導入
するガス導入手段と、を含むことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項８】供給される高分子基体を一旦湾曲させる
よう案内しつつ冷却する冷却ドラムと、冷却ドラムで湾曲される高分子基体を直線的に案内する
直線案内部材と、薄膜原料を蒸気としかつこの蒸気を高分子基体の湾曲部
分から直線部分までの範囲に対して当該高分子基体の供
給方向の下流側から上流側へ向けて供給する気化源と、前記高分子基体に対する薄膜形成範囲の上流側および下
流側にそれぞれ設けられて蒸気と反応させるガスを導入
するガス導入手段と、高分子基体の湾曲部分と直線部分とを仕切るように設け
られかつ蒸気の一部を高分子基体の湾曲部分側に導く開
口を有する遮蔽部材と、を含むことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項９】前記ガス導入手段によるガス導入量は、
薄膜形成範囲の下流側が上流側よりも多く設定される、
請求項７または８に記載の薄膜形成装置。
【請求項１０】前記遮蔽部材の開口幅寸法は、気化源
の蒸気放出開口の開口幅寸法の１／２以下に設定され
る、請求項８に記載の薄膜形成装置。