JPS5841442A - 磁気記録媒体の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、移動する高分子成形物などの可撓性基体上に
真空蒸着法によル磁性薄Ｊ［ｔ−形成せしめて磁気記録
媒体を製造する方法に関する。

従来Ｌシ磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ−
にｅｏ　　　Ｃｏｆドーブレ、、−Ｆｅ、０゜　　３− に’ｅＯｃＯｋドープしりＦ　ｅ　ｍｕ　４　＋　ｒ　
　Ｆ　ｅ　２０３３　　４’ とＦｅ３Ｏ４のベルトライド化合物、Ｃｒｙ、轡の酸化
物磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等の粉末磁性材料を
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−ブタジェ
ン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂尋の有機
バインダー中に分散せしめたものを塗布し乾燥させる塗
布型のものか広く使用されてきている。近年高密度記録
への要求の高ま夛と共に真空蒸着、スノ櫂ツタリング、
イオンプレーテング等のペーパーデポジション法あるい
は電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ法によ多形成さ
れる強品性金属薄膜を磁気記録層とするバインダーを使
用しない、いわゆる非パイングー型磁気記録媒体か注目
を浴びてお夛、実用化への努力か種々性われている。

従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁性金属よ
ジ飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ている几め、高密度記録に必要な薄形化か信号出力の低
下をも尺ら丁ため限界にきてお夛、かつその製造工程も
豪雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための太き表付帯
設備を要するという欠点ｔ−有している。非バインダー
型の磁気記録媒体では上記酸化′＠ａ性材料より大きな
飽和出仕′に；ｆｉｌ−する強磁性劇料全バインダーの
如き非磁性物質を含有しない状態で薄膜として形成せし
める定め、尚密層記録化のために超薄形にできるという
利点を有し、しかもその製造工程は簡単である。

高布簾記録用の磁気記録媒体に１求される条件の一つと
して高抗磁力化、薄形化かｆｆｌ論的にも実験的にも提
唱されておｐ１塗布型の磁気記録媒体重すも一桁小さい
薄型化か容易で、飽和磁束密度本大きい非バインダー型
磁気記録媒体への期待は大きい。

特に真空蒸着による方法はメッキの場合のような排液処
理を必要とぜず製造工程も簡単で膜の析出速度も大きく
できるため非常にメリットか太きい、真空蒸着によって
磁気記録媒体として望ましい抗Ｓカおよび角型性を有す
る磁性膜を製造する方法としては、米国特許Ｊ３≠、２
６３２号、同３ｊ４’、ＺＡＪＪ号等に述べられている
斜め蒸着法か知られている。この方法によると基体に対
して入射する蒸気流の入射角か大きいほど高抗磁力の媒
体が得られる。しかしなから入射角か大きいと蒸着効率
か低下するという現象がめシ生産上問題である。

比較的低い入射角にて抗磁力の高い磁性薄膜を形成させ
る方法として斜め蒸着の際に真空槽に酸素を導入させる
方法が提案されているが、従来の方法だと再生出力か充
分でなく、密層性か悪いという欠点′に有してい几・ 本発明の目的は、斜め蒸着法によシ良好な再生出力特性
を有すると共に、密着性の良好な磁気記録媒体１ｒ再現
よく製造できる方＠を提供することにあるφ すなわち本発明は、蒸発源よｐ蒸発せしめられ友磁性金
属材料の蒸気ｆｉを移動する基体に斜めに入射蒸着する
磁気記録媒体の製法において、前記移動基体に対する該
蒸気流の入射角（θ）か高入射角（θｍ１ｘ）から低射
角（０ｍ　ｉ　ｎ　）へと連続的に変化する工う該基体
を移動せしめると共に、紋基体の近傍且つ高入射（０ｍ
　ａ　ｘ　）、蒸気流付近に酸化性ガス全導入しつつ強
磁性薄ａｔ形成することｔ特徴とする磁気記録媒体の製
法である。

第１図人及びＢは本発明による磁気記録媒体の製法倉図
式的に示している。真空容器Ｓ□（／部分■み凶示）内
に配置された円筒状冷却キャンｌＫ沿ってテープ状支持
体−か矢印３の方向に移動せしめられる０円筒状冷却キ
ャンｌの下方には磁牡羽科のチャージされた蒸発源参か
設置されていてマスクｊｔ介して冷却キャンｌに沿って
移動する支持体コに斜方入射蒸着か行えるようになって
いる。テープ状支持体−の移動に従い、テープ状支持体
λ上への磁性薄膜の析出スタート時には高入射角θｍａ
ｘにて斜め蒸着が開始され、支持体λの移動と共に入射
角０は連続的に減少し、マスク！にニジ定められる低入
射角θｍ　ｉ　ｎにて磁性薄膜の支持体λ上への析出が
停止される。本発明においては高入射角θｍ　ａ　ｘの
蒸気流付近で且つ支持体λの近ｆｌ１ｍ化性ガス導入管
６を配置し、真壁槽外〃・らガス導入路７を経て酸化性
ガスを導入しつつ磁性薄膜の析出？行なう。第１図の例
では導入管４の小孔ｒから酸化性ガスか磁性側斜の蒸気
流に向けて供給される。小孔ｔか蒸気流による堆積物で
ふさがれぬよう設計するのが望ましい。

本発明において入射角としては一般には３０’〜ｙｏ”
か望ましく、％に入射角１ｍａｘｆ＠　４０　’　〜２
０°％入射角θｍｉ　ｎｉｊ：　Ｊ　Ｏ”〜７　Ｊ　Ｃ
ｉｌ望ましい。

本実８ＡＫ用いられるａ怪金属材料としては％Ｆｅ＃Ｃ
ｏ、Ｎｉ等の金属、あるいはｐｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎ　ｉ
　、　Ｇｏ　−Ｎ　ｉ　、　ｐｅ−Ｇｏ　−Ｎ　ｉ　、
　Ｆｅ　−Ｒｈ　、Ｆｅ−Ｃｕ　、Ｇｏ−Ｃｕ　、Ｇｏ
−Ａｕ、Ｇ。

−Ｙ　、　Ｇｏ−Ｌａ　、　Ｇｏ−Ｐ　ｒ　、　Ｇｏ−
Ｑｄ、Ｃ。

−８ｍ、ｃｏ−８ｔ、Ｇｏ−Ｐｔ　、Ｎｉ−Ｃｕ。

Ｍｎ−Ｂ　ｉ　、　Ｍｎ−８ｂ　、　Ｍｎ−Ａｔ、Ｆｅ
−Ｃｒ。

Ｃｏ−Ｃｒ　、Ｎｉ　−Ｃｒ　、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎ
１−Ｇｏ−Ｃｒ　、　Ｆｅ−Ｇｏ　、Ｎ　１−Ｃｒ　、
　Ｆｅ　−８Ｌ等の強磁性合金である０％に好ましいの
ＩｄＣ。

あるいはＣｏｋｙｏｘ量％以上含量子以上含有合金であ
る。磁性薄膜の膜厚は磁気配路媒体として充分な出力會
与え得る厚さおよび高密度記録の充分行える薄さ全必要
とすることから一般には約０゜０２μｍから約３．０μ
ｍ１好ましくは０．０１μｍから一１Ｏμｍである。

本発明における＃着とは、上記米国特許第３３参−６３
−号の明細書に述べられている通常の真空蒸着の他、電
界、磁界あるいは電子ビーム照射にエフ蒸気流のイオン
化、加速化婢を行って蒸発分子の平均自由行程の大きい
雰囲気にて支持体上に薄膜を形成させる方法ｔも含むも
のであシ、例えは当山願人による％開昭１／−／弘ｒｏ
ｏｔ号明細書に示されているような電界蒸着法、特公昭
４４３−１１１２１号、脣公昭≠６−２〇参ｌ参号、特
公昭弘７−２４！７２号、特公昭≠２−亭！≠３２号、
特開昭≠ター３３１１２Ｑ号、特開昭仏ターＨｔｌｌｌ
Ｊ号、特開昭４ＬＰ−１ダλ３！号公報に示されている
ようなイオン化蒸着法も本発明に用いられる。

本発明に用いられるテープ状支持体としてはポリエチレ
ンテレフタレート、ボリイきド、ポリアミド、ポリ塩化
ビニル、三酢酸セルロース、ポリカポネート、ポリエチ
レンナフタレートのようなプラスチックベース、めるい
＃′ｉＡｔ、Ａｔ合金、Ｔｉ、Ｔ１合金、ステンレス鋼
のような金属帯か用いられる。

酸化性ガスとしては酸素を用いるのが良く、酸素単独で
も、他のガスと混合してもどちらでも良い、酸化性ガス
の導入量は真空槽容積、排気速度、真空槽内のレイアウ
ト、磁性材料の蒸発速度、テープ状基体の移動速度、テ
ープ状基体の幅、磁性側斜の種類等によって大きく変化
し限定できない・一般には形成された磁性薄膜中にａ！
素かＩ〜３３ａｔｍ％ｔＶされる工うにガスを導入させ
るのか好ましい。

次に実施例によって本発明を具体的に説明するが本発明
はこれに限定されるものではない。

実施ＭＬ ＃！１図人及びＢＫその機部を示し次善取り式蒸着装置
ｌｔ用い２３μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上に斜め蒸着法にｊＪ）コバルトを蒸着せしめて磁
気テープを作製し友、蒸発源としては電子ビーム加熱式
蒸発源を用い、ガス導入管４工り酸素ガスをキャンに沿
って移動するポリエチレンテレフタレートフィルム近傍
で且つ高入射角蒸気流付近に導入しつつ各種真空度にて
コバルトのＬ発を行なつ友、磁性膜の厚さは／ｊ００に
となる工うにし、蒸着の際の入射角の設定はθｍａｘｔ
　ｙ　ｏ　０１０ｍ　ｉ　ｎ　ｋ４４２０とした◎さら
に比較のために講−図に示されているような従来の巻取
ｐ式蒸着装＠ｔｉｃよυ磁気テープ七作製し＾、第λ図
において真空容器Ｓ、（／部分のみ図示ン円に配置され
た円ＩｉＩ状冷却キャン／／ｆｃ沿ってテープ状支持体
ｌコか矢印／３の方向に移動せしめられる円筒状冷却キ
ャンｉｉの下方には蒸発源／≠か配置されておシ、マス
クｌ！を介して支持体／λ上に斜方入射蒸着か行われる
。酸化性ガスの導入は真空容器Ｓ２の壁に設けられ次ガ
ス導入ボート１４よシ爽施される。従来法による比較サ
ンゾルの作製の際も、酸素ガスの導入方法を除いた条件
、すなわちコＪμｍのポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、コバルト羽料、蒸ａｍ、磁性膜の厚さ、入射角の
設定は第７図人及びＢによる上の実施例と同一とし友。

得られた磁気テープはＶＨ８ｆｆｉＶＴＲにて電磁変換
特性ｔ＃Ｉ足した。ｌｌ素ガス導入圧を変化させた場合
の磁気テープの磁性膜のセロテープ試験による密着性、
参ＭＨｚの信号を記録し九時の再生出力全１ｇ１表に示
す・ 第１表 く注意〉　○：喪看性良好 △：密着性やや不良 ×：密着性不良 このＬうに本発明に従って酸化性ガスを基体近傍且つ高
入射角蒸気流付近に導入しつつコバルトを蒸着して得友
磁気テープは、従来の酸化性ガス導入方法による磁気テ
ープニジ密着性に丁ぐれ、丙午出力も高いことかわかる
・ 実施例２ 実施＄１１１と同様Ｋｇ／図Ａ及びＢに示され几巻取９
式蒸着装置を用い／４Ｃμｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に斜め蒸着法にＬシＣｏ−Ｎｉ　（Ｎ
ｉＪｊ重量％）合金を酸素ガスの導入の下に蒸発せしめ
て磁気テープ會作製し友。

磁性層の厚さは２０００にとなるようにし、蒸着時の入
射角の設定はθｍａＸｔ−１１０、ａｍｉｎ％すｊｏと
し友、実施例１における比較サンプルと同様に第２図に
示され次善取り式蒸着装置ＩＬＫよシ、従来法の酸素ガ
ス導入にエル比較サンプルを作製した。酸素ガス導入圧
を変化させ次場合の磁気テープの密層性、ｊＭ）（ｘの
信号の杏生出力ｔ−第一表に示す。

婁１　　コ　　表 このように本発明による磁気テープは、従来法の磁気テ
ープ↓夛密着性にすぐれ、丙午出力も高くすぐれた磁気
テープであることか明らかである。

冥施例においては磁性薄膜か単層の場合のみを示し次か
本発明による方法に従って作製される磁性薄膜會積層と
しても良いし、さらに積層してなる磁性薄膜の関ＫＣｒ
　、　８　ｔ　、　ｋｌ　、　Ｍｎ　、　Ｂｌ。

Ｔｉ、８ｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＣｕｔｂｂＷｎらの酸
化物、輩ｆヒ物尋の非磁性ＮＩｔ介在させても良い。さ
らにまた磁性薄膜と基体の間に下地層？設けても良いし
、磁性薄膜上に有機物あるいは無慎物の保護層を設けて
も良い。目的によっては磁性薄膜とは反対側の基体面に
バック層を設けることもできる。

【図面の簡単な説明】

第７凶Ａ及びＢは本発明による磁気記録媒体の製法に基
づいた装ｍを図式的に示し、第一図は従来法による装置
全図式的に示している。 ／は円筒状冷却キャン、λは支持体、昼は蒸発源、！は
マスク、４＃ｉ酸化性ガス導入管である。 特許出願人　　富士写真フィルム株式会社第１図Ａ ）ヨヨヨ）４ 第２図 手続補正書 昭和ｊ４年１０月乙日 特許庁長官　島　１）春　樹　　殿 １、事件の表示　　　　昭和５４年　特願第１３り０り
３号２、発明の名称　　　　磁気記録媒体の製法３、補
正をする者 事件との関係　　　　　　　特許出願人４、補正の対象
　　明細書の「発明の詳細な説明」の欄 Ｓ　補正の内容 −り本願明細書第１う頁第を行目と第７行目の間に１ 「又、実施例Ｋをいて、ガス導入口として小孔を設けた
例を示したが、これをスリット状等の形状に変更しても
良い。」を挿入する。 ２０３

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ＋１１　　蒸発源から蒸発せしめられた磁性金属材料の
   蒸気流を移ｗＪする基体に斜めに入射蒸着する磁気記録
   媒体の製法において、前記移動基体に対する該蒸気流の
   入射角（θ）か高入射角（０ｍ　ａ　ｘ　）から低入射
   角（０ｍ１ｎｉへと連続的に変化する工う該基体を桜動
   せしめると共に、該基体の近傍かつ織入射角（＃ｍａｘ
   ）蒸気流付近に酸化性ガスを導入しつつ強磁性薄１１ｋ
   形成することを特徴とする磁気記録媒体の製法。