JPH1032521A - デュプレクサ - Google Patents
デュプレクサInfo
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- JPH1032521A JPH1032521A JP8187422A JP18742296A JPH1032521A JP H1032521 A JPH1032521 A JP H1032521A JP 8187422 A JP8187422 A JP 8187422A JP 18742296 A JP18742296 A JP 18742296A JP H1032521 A JPH1032521 A JP H1032521A
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- filter
- frequency switch
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Links
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0557—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H7/463—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
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- H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
- H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波スイッチとフィルタを一体化すること
により、小形化、軽量化を図ることができるデュプレク
サを提供する。 【解決手段】 デュプレクサ１は、高周波スイッチＳＷ
と、低域通過フィルタであるＬＣフィルタＦ１と、帯域
通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ２とで構成され
る。高周波スイッチＳＷは、ダイオードＤ１、Ｄ２、コ
ンデンサＣ１、Ｃ２，及び伝送線路ＳＴＬ１、ＳＴＬ２
を備え、ＬＣフィルタＦ１は、コンデンサＣ３、Ｃ４、
Ｃ５、及び伝送線路ＳＴＬ３、ＳＴＬ４を備える。
により、小形化、軽量化を図ることができるデュプレク
サを提供する。 【解決手段】 デュプレクサ１は、高周波スイッチＳＷ
と、低域通過フィルタであるＬＣフィルタＦ１と、帯域
通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ２とで構成され
る。高周波スイッチＳＷは、ダイオードＤ１、Ｄ２、コ
ンデンサＣ１、Ｃ２，及び伝送線路ＳＴＬ１、ＳＴＬ２
を備え、ＬＣフィルタＦ１は、コンデンサＣ３、Ｃ４、
Ｃ５、及び伝送線路ＳＴＬ３、ＳＴＬ４を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機、例
えば自動車電話機、携帯電話機等に使用されるデュプレ
クサに関する。
えば自動車電話機、携帯電話機等に使用されるデュプレ
クサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に、一般的なデュプレクサのブロッ
ク図を示す。このデュプレクサ１は、一つのアンテナＡ
ＮＴを送信Ｔｘと受信Ｒｘに共用させるため、送信時に
は送信出力から受信機を保護し、受信時には受信信号を
受信機へ供給するための複合高周波部品であり、小形
化、表面実装形態化されたフィルタＦ１、Ｆ２、スイッ
チＳＷ等の電子部品を高密度化したプリント配線基板に
実装することで、小形化、軽量化が実現されてきた。
ク図を示す。このデュプレクサ１は、一つのアンテナＡ
ＮＴを送信Ｔｘと受信Ｒｘに共用させるため、送信時に
は送信出力から受信機を保護し、受信時には受信信号を
受信機へ供給するための複合高周波部品であり、小形
化、表面実装形態化されたフィルタＦ１、Ｆ２、スイッ
チＳＷ等の電子部品を高密度化したプリント配線基板に
実装することで、小形化、軽量化が実現されてきた。
【０００３】このデュプレクサ１を搭載する自動車電話
機、携帯電話機に代表される移動体通信機は、今後と
も、より機能を高めつつ一層の小形化、軽量化が進展す
るものと期待され、そのためには、搭載されるデュプレ
クサ１のさらなる小形化、軽量化は不可欠の要素とな
る。
機、携帯電話機に代表される移動体通信機は、今後と
も、より機能を高めつつ一層の小形化、軽量化が進展す
るものと期待され、そのためには、搭載されるデュプレ
クサ１のさらなる小形化、軽量化は不可欠の要素とな
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
デュプレクサにおいては、ディスクリートのフィルタ及
びスイッチをプリント配線基板に実装しているため、さ
らなる小形化、軽量化は困難であるという問題点があっ
た。特に、フィルタの場合には、一般的に、フィルタの
性能と形状寸法とは、反比例する関係にあって、フィル
タの性能を高めれば高めるほど形状寸法は大きくなり、
フィルタの小形化、軽量化の妨げとなる。逆に、デュプ
レクサを搭載する移動体通信機の寸法の制約上からのフ
ィルタの小形化は、フィルタ特性が不十分ゆえの機器性
能の妥協を強いられることになる。
デュプレクサにおいては、ディスクリートのフィルタ及
びスイッチをプリント配線基板に実装しているため、さ
らなる小形化、軽量化は困難であるという問題点があっ
た。特に、フィルタの場合には、一般的に、フィルタの
性能と形状寸法とは、反比例する関係にあって、フィル
タの性能を高めれば高めるほど形状寸法は大きくなり、
フィルタの小形化、軽量化の妨げとなる。逆に、デュプ
レクサを搭載する移動体通信機の寸法の制約上からのフ
ィルタの小形化は、フィルタ特性が不十分ゆえの機器性
能の妥協を強いられることになる。
【０００５】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、高周波スイッチとフィルタを
一体化することにより、小形化、軽量化を図ることがで
きるデュプレクサを提供することを目的とする。
めになされたものであり、高周波スイッチとフィルタを
一体化することにより、小形化、軽量化を図ることがで
きるデュプレクサを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のデュプレクサは、複数の誘電体層を積層し
てなる多層基板と、該多層基板に搭載したダイオード、
並びに前記多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサ
からなる少なくとも１つの高周波スイッチと、前記多層
基板に搭載した少なくとも１つのＳＡＷフィルタとで構
成されることを特徴とする。
め、本発明のデュプレクサは、複数の誘電体層を積層し
てなる多層基板と、該多層基板に搭載したダイオード、
並びに前記多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサ
からなる少なくとも１つの高周波スイッチと、前記多層
基板に搭載した少なくとも１つのＳＡＷフィルタとで構
成されることを特徴とする。
【０００７】また、前記多層基板に、伝送線路及びコン
デンサからなる少なくとも１つのＬＣフィルタを内蔵す
ることを特徴とする。
デンサからなる少なくとも１つのＬＣフィルタを内蔵す
ることを特徴とする。
【０００８】また、前記多層基板として低温焼成セラミ
ック基板を用いることを特徴とする。
ック基板を用いることを特徴とする。
【０００９】本発明のデュプレクサによれば、高周波ス
イッチとフィルタとを、複数の誘電体層を積層してなる
多層基板に形成し、一体化することにより、従来のディ
スクリートのフィルタ及び高周波スイッチを基板上に実
装して、接続したものに比べて、全体の寸法が小さくな
る。また、フィルタ及び高周波スイッチを同時設計する
ことにより、フィルタ及び高周波スイッチのインピーダ
ンス整合を施した設計を行うことができる。
イッチとフィルタとを、複数の誘電体層を積層してなる
多層基板に形成し、一体化することにより、従来のディ
スクリートのフィルタ及び高周波スイッチを基板上に実
装して、接続したものに比べて、全体の寸法が小さくな
る。また、フィルタ及び高周波スイッチを同時設計する
ことにより、フィルタ及び高周波スイッチのインピーダ
ンス整合を施した設計を行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係るデュプレクサの
一実施例の回路図を示す。デュプレクサ１は、高周波ス
イッチＳＷと、低域通過フィルタであるＬＣフィルタＦ
１と、帯域通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ２とで
構成される。
施例を説明する。図１に、本発明に係るデュプレクサの
一実施例の回路図を示す。デュプレクサ１は、高周波ス
イッチＳＷと、低域通過フィルタであるＬＣフィルタＦ
１と、帯域通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ２とで
構成される。
【００１１】高周波スイッチＳＷは、自動車電話機、携
帯電話機に代表される移動体通信機において、送信回路
ＴｘとアンテナＡＮＴとの接続、及び受信回路Ｒｘとア
ンテナＡＮＴとの接続を切り換えるために用いられ、ア
ンテナＡＮＴ、低域通過フィルタであるＬＣフィルタＦ
１及び帯域通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ２に接
続される。
帯電話機に代表される移動体通信機において、送信回路
ＴｘとアンテナＡＮＴとの接続、及び受信回路Ｒｘとア
ンテナＡＮＴとの接続を切り換えるために用いられ、ア
ンテナＡＮＴ、低域通過フィルタであるＬＣフィルタＦ
１及び帯域通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ２に接
続される。
【００１２】高周波スイッチＳＷとＬＣフィルタＦ１を
接続する高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１は、ダ
イオードＤ１のアノードに接続される。また、ダイオー
ドＤ１のアノードは、伝送線路ＳＴＬ１及びコンデンサ
Ｃ１を介して接地される。さらに、伝送線路ＳＴＬ１と
コンデンサＣ１との接続点は、制御端子Ｖ１に接続され
る。ダイオードＤ１のカソードは、アンテナ用外部電極
ＡＮＴを接続する第２のポートＰ２に接続される。
接続する高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１は、ダ
イオードＤ１のアノードに接続される。また、ダイオー
ドＤ１のアノードは、伝送線路ＳＴＬ１及びコンデンサ
Ｃ１を介して接地される。さらに、伝送線路ＳＴＬ１と
コンデンサＣ１との接続点は、制御端子Ｖ１に接続され
る。ダイオードＤ１のカソードは、アンテナ用外部電極
ＡＮＴを接続する第２のポートＰ２に接続される。
【００１３】さらに、第２のポートＰ２には、伝送線路
ＳＴＬ２の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ２の他
端は、ＳＡＷフィルタＦ２が接続される第３のポートＰ
３に接続される。また、伝送線路ＳＴＬ２の他端は、ダ
イオードＤ２とコンデンサＣ２との直列回路を介して接
地される。さらに、ダイオードＤ２とコンデンサＣ２と
の接続点には、制御端子Ｖ２に接続される。
ＳＴＬ２の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ２の他
端は、ＳＡＷフィルタＦ２が接続される第３のポートＰ
３に接続される。また、伝送線路ＳＴＬ２の他端は、ダ
イオードＤ２とコンデンサＣ２との直列回路を介して接
地される。さらに、ダイオードＤ２とコンデンサＣ２と
の接続点には、制御端子Ｖ２に接続される。
【００１４】次に、ＬＣフィルタＦ１は、バターワース
型の低域通過フィルタであり、送信用外部電極Ｔｘと高
周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１との間に伝送線路
ＳＴＬ３、ＳＴＬ４が接続される。また、伝送線路ＳＴ
Ｌ３と送信用外部電極Ｔｘとの接続点、伝送線路ＳＴＬ
３と伝送線路ＳＴＬ４との接続点、伝送線路ＳＴＬ４と
高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１との接続点は、
それぞれコンデンサＣ３、Ｃ４、Ｃ５を介して接地され
る。
型の低域通過フィルタであり、送信用外部電極Ｔｘと高
周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１との間に伝送線路
ＳＴＬ３、ＳＴＬ４が接続される。また、伝送線路ＳＴ
Ｌ３と送信用外部電極Ｔｘとの接続点、伝送線路ＳＴＬ
３と伝送線路ＳＴＬ４との接続点、伝送線路ＳＴＬ４と
高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１との接続点は、
それぞれコンデンサＣ３、Ｃ４、Ｃ５を介して接地され
る。
【００１５】図２及び図３に、図１のデュプレクサ１の
概略断面図及び詳細部分断面図を示す。デュプレクサ１
は、例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能
な、酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分
とする低温焼成セラミック基板からなる多層基板１０を
含む。多層基板１０は、第１〜第１８の誘電体層１１〜
２８を上から順次積層することによって形成され、第１
の誘電体層１１から第５の誘電体層１５にかけて第１の
キャビティ２９、第６の誘電体層１６から第８の誘電体
層１８にかけて第２のキャビティ３０が設けられる。そ
して、第２のキャビティ３０内にボンディング２にてＳ
ＡＷフィルタＦ２を実装するとともに、第１のキャビテ
ィ２９の開口部のみを金属キャップ３で覆う。 第１の
誘電体層１１上には高周波スイッチＳＷのダイオードＤ
１、Ｄ２が搭載される。また、第１０、第１４、第１５
及び第１６の誘電体層２０、２４、２５、２６上にはコ
ンデンサ電極Ｃ１１、Ｃ２１、Ｃ３１、Ｃ４１、Ｃ５１
がそれぞれ形成される。
概略断面図及び詳細部分断面図を示す。デュプレクサ１
は、例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能
な、酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分
とする低温焼成セラミック基板からなる多層基板１０を
含む。多層基板１０は、第１〜第１８の誘電体層１１〜
２８を上から順次積層することによって形成され、第１
の誘電体層１１から第５の誘電体層１５にかけて第１の
キャビティ２９、第６の誘電体層１６から第８の誘電体
層１８にかけて第２のキャビティ３０が設けられる。そ
して、第２のキャビティ３０内にボンディング２にてＳ
ＡＷフィルタＦ２を実装するとともに、第１のキャビテ
ィ２９の開口部のみを金属キャップ３で覆う。 第１の
誘電体層１１上には高周波スイッチＳＷのダイオードＤ
１、Ｄ２が搭載される。また、第１０、第１４、第１５
及び第１６の誘電体層２０、２４、２５、２６上にはコ
ンデンサ電極Ｃ１１、Ｃ２１、Ｃ３１、Ｃ４１、Ｃ５１
がそれぞれ形成される。
【００１６】さらに、第６、第８、第１２及び第１４の
誘電体層１６、１８、２２、２４上にはストリップライ
ン電極Ｌ３１、Ｌ４１、Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ１２、Ｌ２
２がそれぞれ形成される。また、第９、第１１、第１３
及び第１７の誘電体層上にはグランド電極Ｇ１〜Ｇ４が
それぞれ形成される。さらに、第１８の誘電体層２８の
下面には送信用外部電極、受信用外部電極、アンテナ用
外部電極、制御用外部電極（図示せず）、グランド電極
Ｇ５が形成される。
誘電体層１６、１８、２２、２４上にはストリップライ
ン電極Ｌ３１、Ｌ４１、Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ１２、Ｌ２
２がそれぞれ形成される。また、第９、第１１、第１３
及び第１７の誘電体層上にはグランド電極Ｇ１〜Ｇ４が
それぞれ形成される。さらに、第１８の誘電体層２８の
下面には送信用外部電極、受信用外部電極、アンテナ用
外部電極、制御用外部電極（図示せず）、グランド電極
Ｇ５が形成される。
【００１７】そして、コンデンサ電極Ｃ１１とグランド
電極Ｇ１、及びコンデンサ電極Ｃ１２とグランド電極Ｇ
２とでそれぞれ高周波スイッチＳＷのコンデンサＣ１、
Ｃ２を構成し、コンデンサ電極Ｃ１１、Ｃ２１、Ｃ３１
とグランド電極Ｇ４とでそれぞれＬＣフィルタＦ１のコ
ンデンサＣ３、Ｃ４、Ｃ５を構成する。
電極Ｇ１、及びコンデンサ電極Ｃ１２とグランド電極Ｇ
２とでそれぞれ高周波スイッチＳＷのコンデンサＣ１、
Ｃ２を構成し、コンデンサ電極Ｃ１１、Ｃ２１、Ｃ３１
とグランド電極Ｇ４とでそれぞれＬＣフィルタＦ１のコ
ンデンサＣ３、Ｃ４、Ｃ５を構成する。
【００１８】また、ストリップライン電極Ｌ１１、Ｌ１
２、及びストリップライン電極Ｌ２１、Ｌ２２でそれぞ
れ高周波スイッチＳＷの伝送線路ＳＴＬ１、ＳＴＬ２を
構成し、ストリップライン電極Ｌ３１、Ｌ４１でそれぞ
れＬＣフィルタＦ１の伝送線路ＳＴＬ３、ＳＴＬ４を構
成する。
２、及びストリップライン電極Ｌ２１、Ｌ２２でそれぞ
れ高周波スイッチＳＷの伝送線路ＳＴＬ１、ＳＴＬ２を
構成し、ストリップライン電極Ｌ３１、Ｌ４１でそれぞ
れＬＣフィルタＦ１の伝送線路ＳＴＬ３、ＳＴＬ４を構
成する。
【００１９】以上のような構成で、図１に示す回路を有
するデュプレクサ１が１つの多層基板に構成される。
するデュプレクサ１が１つの多層基板に構成される。
【００２０】上記のように、第１の実施例のデュプレク
サによれば、高周波スイッチを構成する複数の誘電体層
を積層してなる多層基板に、ＳＡＷフィルタを搭載し、
さらにＬＣフィルタを内蔵し、一体化するため、従来の
ディスクリートの高周波スイッチ及びフィルタを基板上
に実装して、接続したものに比べて、プリント配線基板
内での高周波スイッチ及びＳＡＷフィルタの実装面積が
削減でき、小形化及び軽量化が実現できる。また、低コ
スト化も実現できる。
サによれば、高周波スイッチを構成する複数の誘電体層
を積層してなる多層基板に、ＳＡＷフィルタを搭載し、
さらにＬＣフィルタを内蔵し、一体化するため、従来の
ディスクリートの高周波スイッチ及びフィルタを基板上
に実装して、接続したものに比べて、プリント配線基板
内での高周波スイッチ及びＳＡＷフィルタの実装面積が
削減でき、小形化及び軽量化が実現できる。また、低コ
スト化も実現できる。
【００２１】また、高周波スイッチ及びフィルタを同時
設計することできるため、高周波スイッチ及びフィルタ
のインピーダンス整合を施した設計を行うことができ、
整合用回路が不要となる。従って、低コスト化が実現で
きる。
設計することできるため、高周波スイッチ及びフィルタ
のインピーダンス整合を施した設計を行うことができ、
整合用回路が不要となる。従って、低コスト化が実現で
きる。
【００２２】さらに、多層基板に低温焼成セラミック基
板を用いているため、複数の誘電体層と、その複数の誘
電体層上の伝送線路及びコンデンサを形成する電極とを
一体焼成することができる。従って、製造工程の短縮化
が可能となり、コストダウンを図ることができる。
板を用いているため、複数の誘電体層と、その複数の誘
電体層上の伝送線路及びコンデンサを形成する電極とを
一体焼成することができる。従って、製造工程の短縮化
が可能となり、コストダウンを図ることができる。
【００２３】また、ＳＡＷフィルタを多層基板のキャビ
ティ内に搭載するとともに、キャビティの開口部のみを
金属キャップで覆うようにしているため、さらにデュプ
レクサの小形化、軽量化を図ることができる。
ティ内に搭載するとともに、キャビティの開口部のみを
金属キャップで覆うようにしているため、さらにデュプ
レクサの小形化、軽量化を図ることができる。
【００２４】なお、上記の実施例では、デュプレクサが
それぞれ１つの高周波スイッチ、ＳＡＷフィルタ及びＬ
Ｃフィルタで構成される場合について説明したが、複数
の高周波スイッチ、ＳＡＷフィルタ及びＬＣフィルタで
構成されてもよい。すなわち、図４に示すように、受信
回路Ｒｘ側に１つの高周波スイッチＳＷと通過帯域の異
なる２つの帯域通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ
２、Ｆ３を有してもよい。この場合には、例えば、ＳＡ
ＷフィルタＦ２に通過帯域が８００ＭＨｚの帯域通過フ
ィルタ、Ｆ３に通過帯域が１．５ＧＨｚの帯域通過フィ
ルタを用いることにより、８００ＭＨｚのＰＤＣ８００
（Personal Digital Cellular 800)、１．５ＧＨｚのＰ
ＤＣ１５００の２つのシステムの電波を受信することが
できる。
それぞれ１つの高周波スイッチ、ＳＡＷフィルタ及びＬ
Ｃフィルタで構成される場合について説明したが、複数
の高周波スイッチ、ＳＡＷフィルタ及びＬＣフィルタで
構成されてもよい。すなわち、図４に示すように、受信
回路Ｒｘ側に１つの高周波スイッチＳＷと通過帯域の異
なる２つの帯域通過フィルタであるＳＡＷフィルタＦ
２、Ｆ３を有してもよい。この場合には、例えば、ＳＡ
ＷフィルタＦ２に通過帯域が８００ＭＨｚの帯域通過フ
ィルタ、Ｆ３に通過帯域が１．５ＧＨｚの帯域通過フィ
ルタを用いることにより、８００ＭＨｚのＰＤＣ８００
（Personal Digital Cellular 800)、１．５ＧＨｚのＰ
ＤＣ１５００の２つのシステムの電波を受信することが
できる。
【００２５】また、図１及び図３に示した高周波スイッ
チの等価回路図及び詳細部分透視側面図は、一例であ
り、多層基板に搭載したダイオード、並びに多層基板に
内蔵した伝送線路及びコンデンサからなるものであれ
ば、本発明の範囲内にあるといえる。
チの等価回路図及び詳細部分透視側面図は、一例であ
り、多層基板に搭載したダイオード、並びに多層基板に
内蔵した伝送線路及びコンデンサからなるものであれ
ば、本発明の範囲内にあるといえる。
【００２６】さらに、図１に示したＬＣフィルタの等価
回路図は、一例であり、多層基板に、内蔵した伝送線路
及びコンデンサからなるものであれば、本発明の範囲内
にあるといえる。
回路図は、一例であり、多層基板に、内蔵した伝送線路
及びコンデンサからなるものであれば、本発明の範囲内
にあるといえる。
【００２７】また、ＳＡＷフィルタとＬＣフィルタの組
み合わせが、帯域通過フィルタと低域通過フィルタの場
合について説明したが、例えば、帯域通過フィルタと帯
域通過フィルタのように他の組み合わせであってもよ
い。
み合わせが、帯域通過フィルタと低域通過フィルタの場
合について説明したが、例えば、帯域通過フィルタと帯
域通過フィルタのように他の組み合わせであってもよ
い。
【００２８】さらに、ＳＡＷフィルタを多層基板のキャ
ビティ内に搭載する場合について説明したが、キャビテ
ィを設けず、多層基板の表面に搭載してもよい。
ビティ内に搭載する場合について説明したが、キャビテ
ィを設けず、多層基板の表面に搭載してもよい。
【００２９】また、伝送線路ＳＴＬ１〜ＳＴＬ４が、ス
トリップラインで構成される場合について説明したが、
マイクロストリップライン、コプレーナガイドライン等
で構成されてもよい。
トリップラインで構成される場合について説明したが、
マイクロストリップライン、コプレーナガイドライン等
で構成されてもよい。
【００３０】さらに、低温焼成セラミック基板に、酸化
バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする材
料を用いる場合について説明したが、その他に、酸化バ
リウム、シリカ、酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウ
ムを主成分とする材料、酸化カルシウムジルコニウム、
ガラスを主成分とする材料等がある。
バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする材
料を用いる場合について説明したが、その他に、酸化バ
リウム、シリカ、酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウ
ムを主成分とする材料、酸化カルシウムジルコニウム、
ガラスを主成分とする材料等がある。
【００３１】
【発明の効果】請求項１のデュプレクサによれば、高周
波スイッチを構成する複数の誘電体層を積層してなる多
層基板に搭載し、高周波スイッチ及びＳＡＷフィルタを
一体化しているため、プリント配線基板内での高周波ス
イッチ及びＳＡＷフィルタの実装面積が削減でき、小形
化及び軽量化が実現できる。また、低コスト化も実現で
きる。
波スイッチを構成する複数の誘電体層を積層してなる多
層基板に搭載し、高周波スイッチ及びＳＡＷフィルタを
一体化しているため、プリント配線基板内での高周波ス
イッチ及びＳＡＷフィルタの実装面積が削減でき、小形
化及び軽量化が実現できる。また、低コスト化も実現で
きる。
【００３２】請求項２のデュプレクサによれば、高周波
スイッチを構成する複数の誘電体層を積層してなる多層
基板に、ＳＡＷフィルタを搭載し、さらにＬＣフィルタ
を内蔵し、一体化するため、従来のディスクリートの高
周波スイッチ及びフィルタを基板上に実装して、接続し
たものに比べて、さらに全体の寸法が小さくなる。従っ
て、デュプレクサのさらなる小形化及び軽量化が実現で
きる。
スイッチを構成する複数の誘電体層を積層してなる多層
基板に、ＳＡＷフィルタを搭載し、さらにＬＣフィルタ
を内蔵し、一体化するため、従来のディスクリートの高
周波スイッチ及びフィルタを基板上に実装して、接続し
たものに比べて、さらに全体の寸法が小さくなる。従っ
て、デュプレクサのさらなる小形化及び軽量化が実現で
きる。
【００３３】また、高周波スイッチ及びフィルタを同時
設計することができ、高周波スイッチ及びフィルタのイ
ンピーダンス整合を施した設計を行うことができ、整合
用回路が不要となる。従って、低コスト化が実現でき
る。
設計することができ、高周波スイッチ及びフィルタのイ
ンピーダンス整合を施した設計を行うことができ、整合
用回路が不要となる。従って、低コスト化が実現でき
る。
【００３４】請求項３のデュプレクサによれば、多層基
板に低温焼成セラミック基板を用いているため、複数の
誘電体層と、その複数の誘電体層上の伝送線路及びコン
デンサを形成する電極とを一体焼成することができる。
従って、製造工程の短縮化が可能となり、コストダウン
を図ることができる。
板に低温焼成セラミック基板を用いているため、複数の
誘電体層と、その複数の誘電体層上の伝送線路及びコン
デンサを形成する電極とを一体焼成することができる。
従って、製造工程の短縮化が可能となり、コストダウン
を図ることができる。
【図１】本発明に係るデュプレクサの一実施例の回路図
である。
である。
【図２】図１のデュプレクサの概略断面図である。
【図３】図１のデュプレクサの詳細部分透視側面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係るデュプレクサの別の実施例のブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】一般的な、デュプレクサを示すブロック図であ
る。
る。
１ 多層基板 １０ デュプレクサ １１〜２８ 誘電体層 ＳＷ 高周波スイッチ Ｆ１ ＬＣフィルタ Ｆ２、Ｆ３ ＳＡＷフィルタ Ｃ１〜Ｃ５ コンデンサ ＳＴＬ１〜ＳＴＬ４ 伝送線路
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の誘電体層を積層してなる多層基板
と、該多層基板に搭載したダイオード、並びに前記多層
基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからなる少なく
とも１つの高周波スイッチと、前記多層基板に搭載した
少なくとも１つのＳＡＷフィルタとで構成されることを
特徴とするデュプレクサ。 - 【請求項２】 前記多層基板に、伝送線路及びコンデン
サからなる少なくとも１つのＬＣフィルタを内蔵するこ
とを特徴とする請求項１に記載のデュプレクサ。 - 【請求項３】 前記多層基板として低温焼成セラミック
基板を用いることを特徴とする請求項１あるいは請求項
２に記載のデュプレクサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187422A JPH1032521A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | デュプレクサ |
| US08/895,160 US6060960A (en) | 1996-07-17 | 1997-07-16 | Duplexer comprising a SAW filter disposed on a multi-layer substrate |
| EP97112281A EP0820155A3 (en) | 1996-07-17 | 1997-07-17 | Duplexer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187422A JPH1032521A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | デュプレクサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032521A true JPH1032521A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16205778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8187422A Pending JPH1032521A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | デュプレクサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6060960A (ja) |
| EP (1) | EP0820155A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1032521A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025761A (en) * | 1997-10-24 | 2000-02-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite filter with LC and saw filters and radio equipment using the same |
| JP2000049651A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
| US6249194B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-06-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite filter comprising LC and saw filters and radio communication apparatus using the filter |
| JP2001352271A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| JP2002064400A (ja) * | 2000-06-09 | 2002-02-28 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| US6424233B1 (en) * | 1997-10-23 | 2002-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Complex electronic component with a first multilayer filter having a cavity in which a second filter is mounted |
| US6442376B1 (en) | 1998-11-20 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
| US6445262B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus incorporating the same |
| WO2003026154A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency composite switch module |
| WO2003026155A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency wave composite switch module and mobile body communication device using the same |
| US6633748B1 (en) | 1998-10-27 | 2003-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| US6876273B2 (en) | 2001-05-15 | 2005-04-05 | Tdk Corporation | Front end module |
| US7253702B2 (en) | 2000-11-01 | 2007-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
| US7356349B2 (en) | 2003-06-05 | 2008-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module and communication apparatus |
| KR100844773B1 (ko) | 2002-12-30 | 2008-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 듀플렉서 및 그 제조방법 |
| US7492565B2 (en) | 2001-09-28 | 2009-02-17 | Epcos Ag | Bandpass filter electrostatic discharge protection device |
| US7904030B2 (en) | 2001-03-29 | 2011-03-08 | Panasonic Corporation | High frequency switch, radio communication apparatus, and high frequency switching method |
| US8436248B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-05-07 | Epcos Ag | Electrical component |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3255105B2 (ja) * | 1998-01-22 | 2002-02-12 | 株式会社村田製作所 | 高周波複合部品 |
| JP3484090B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2004-01-06 | 株式会社日立製作所 | スイッチ型アンテナ共用器および移動無線端末 |
| GB2346049A (en) | 1999-01-19 | 2000-07-26 | Roke Manor Research | Duplex filtering |
| JP2002064301A (ja) * | 1999-03-18 | 2002-02-28 | Hitachi Metals Ltd | トリプルバンド用高周波スイッチモジュール |
| US6456172B1 (en) * | 1999-10-21 | 2002-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayered ceramic RF device |
| JP2001189605A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック積層ｒｆデバイス |
| US7035602B2 (en) | 1999-12-14 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency composite switch component |
| US6542021B2 (en) * | 2000-01-20 | 2003-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency switch and communication apparatus with a high frequency voltage divider |
| CA2398713A1 (en) | 2000-02-02 | 2001-08-09 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Programmable surface acoustic wave (saw) filter |
| JP3405316B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2003-05-12 | 松下電器産業株式会社 | 高周波スイッチ |
| KR100463092B1 (ko) | 2000-06-27 | 2004-12-23 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 세라믹 적층 소자 |
| JP3711846B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2005-11-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及びそれを用いた移動体通信装置 |
| JP2002118487A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波複合スイッチモジュール |
| DE10102201C2 (de) * | 2001-01-18 | 2003-05-08 | Epcos Ag | Elektrisches Schaltmodul, Schaltmodulanordnung und verwendung des Schaltmoduls und der Schaltmodulanordnung |
| JP2003032001A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | 複合高周波スイッチ、高周波モジュール及び通信機 |
| JP2003087002A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ |
| WO2003030383A1 (de) | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Epcos Ag | Schaltungsanordnung, schaltmodul mit der schaltungsanordnung und verwendung des schaltmoduls |
| US20050059371A1 (en) * | 2001-09-28 | 2005-03-17 | Christian Block | Circuit arrangement, switching module comprising said circuit arrangement and use of switching module |
| TW519749B (en) * | 2002-01-23 | 2003-02-01 | United Microelectronics Corp | Gateless diode device of ESD protection circuit and its manufacturing method |
| JP2003264348A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Sony Corp | 高周波モジュール |
| AU2002258349A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-12-19 | Addvalue Technologies Ltd | A radio frequency circuit |
| KR20040016105A (ko) * | 2002-08-16 | 2004-02-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 고주파 스위치 모듈 |
| DE10246098A1 (de) | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Epcos Ag | Schaltungsanordnung |
| JP2004147045A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ |
| KR100471157B1 (ko) * | 2002-12-16 | 2005-03-10 | 삼성전기주식회사 | 증폭기능을 구비한 안테나 스위칭 모듈 |
| JP3761000B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2006-03-29 | 日立金属株式会社 | スイッチ回路及び複合高周波部品 |
| JP2005198051A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Hitachi Ltd | 高周波モジュール |
| KR100845491B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2008-07-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고주파 스위치 모듈 |
| DE102007021581B4 (de) | 2007-05-08 | 2018-09-27 | Snaptrack Inc. | Elektrisches Bauelement mit einer Frontend-Schaltung |
| WO2013128541A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| WO2016190914A2 (en) * | 2015-01-25 | 2016-12-01 | Reiskarimian Negar | Circuits for n-path filters |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0241236A3 (en) | 1986-04-11 | 1989-03-08 | AT&T Corp. | Cavity package for saw devices and associated electronics |
| WO1992014275A1 (fr) | 1991-02-05 | 1992-08-20 | Tdk Corporation | Filtre dielectrique |
| US5483678A (en) * | 1992-09-28 | 1996-01-09 | Fujitsu Limited | Internal microstrip antenna for radio telephones |
| JPH0758506A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｌｃ型誘電体フィルタ、およびこれを用いた空中線共用器 |
| FI97086C (fi) * | 1994-02-09 | 1996-10-10 | Lk Products Oy | Järjestely lähetyksen ja vastaanoton erottamiseksi |
| JP3267042B2 (ja) | 1994-04-06 | 2002-03-18 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品 |
| JP3031178B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2000-04-10 | 株式会社村田製作所 | 複合高周波部品 |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP8187422A patent/JPH1032521A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-16 US US08/895,160 patent/US6060960A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-17 EP EP97112281A patent/EP0820155A3/en not_active Withdrawn
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424233B1 (en) * | 1997-10-23 | 2002-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Complex electronic component with a first multilayer filter having a cavity in which a second filter is mounted |
| US6025761A (en) * | 1997-10-24 | 2000-02-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite filter with LC and saw filters and radio equipment using the same |
| US6249194B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-06-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite filter comprising LC and saw filters and radio communication apparatus using the filter |
| JP2000049651A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
| US6633748B1 (en) | 1998-10-27 | 2003-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| US7200365B2 (en) | 1998-10-27 | 2007-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| US6768898B2 (en) | 1998-11-20 | 2004-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
| US6442376B1 (en) | 1998-11-20 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
| US6445262B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus incorporating the same |
| US6563396B2 (en) * | 1999-09-28 | 2003-05-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus incorporating the same |
| JP2002064400A (ja) * | 2000-06-09 | 2002-02-28 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| JP2001352271A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| US7253702B2 (en) | 2000-11-01 | 2007-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
| JP2010178380A (ja) * | 2000-11-01 | 2010-08-12 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| EP2437400A1 (en) | 2000-11-01 | 2012-04-04 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
| JP2011254505A (ja) * | 2000-11-01 | 2011-12-15 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| JP2010220231A (ja) * | 2000-11-01 | 2010-09-30 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| US7904030B2 (en) | 2001-03-29 | 2011-03-08 | Panasonic Corporation | High frequency switch, radio communication apparatus, and high frequency switching method |
| US6876273B2 (en) | 2001-05-15 | 2005-04-05 | Tdk Corporation | Front end module |
| WO2003026155A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency wave composite switch module and mobile body communication device using the same |
| WO2003026154A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency composite switch module |
| US7010273B2 (en) | 2001-09-14 | 2006-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency composite switch module |
| US6998912B2 (en) | 2001-09-14 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency composite switch module and mobile communication device using the same |
| US7492565B2 (en) | 2001-09-28 | 2009-02-17 | Epcos Ag | Bandpass filter electrostatic discharge protection device |
| KR100844773B1 (ko) | 2002-12-30 | 2008-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 듀플렉서 및 그 제조방법 |
| US7356349B2 (en) | 2003-06-05 | 2008-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module and communication apparatus |
| US8436248B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-05-07 | Epcos Ag | Electrical component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0820155A3 (en) | 2001-02-07 |
| US6060960A (en) | 2000-05-09 |
| EP0820155A2 (en) | 1998-01-21 |
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