JPH10325953A - 反射型兼透過型表示装置 - Google Patents

反射型兼透過型表示装置

Info

Publication number
JPH10325953A
JPH10325953A JP9116155A JP11615597A JPH10325953A JP H10325953 A JPH10325953 A JP H10325953A JP 9116155 A JP9116155 A JP 9116155A JP 11615597 A JP11615597 A JP 11615597A JP H10325953 A JPH10325953 A JP H10325953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
display device
reflective
incident
transparent substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9116155A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3666181B2 (ja
Inventor
Tetsuo Urabe
哲夫 占部
Minoru Morio
稔 森尾
Hideo Kataoka
秀雄 片岡
Nobuyuki Shigeno
信行 重野
Masaki Munakata
昌樹 宗像
Takayuki Fujioka
隆之 藤岡
Yasutoshi Kawate
靖俊 川手
Masataka Matsute
雅隆 松手
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP11615597A priority Critical patent/JP3666181B2/ja
Publication of JPH10325953A publication Critical patent/JPH10325953A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3666181B2 publication Critical patent/JP3666181B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 明るい環境では反射型として動作し電力消費
を節約するとともに、暗い環境では背面光源と組み合わ
せた透過型として動作させ、環境に左右されることなく
常時表示可能にする。 【解決手段】 反射型兼透過型表示装置は、一対の透明
基板1,2の間隙に電気光学物質としてゲストホスト液
晶3が保持されており、入射する光を電極6,11間に
印加される電圧に応じて変調し表示を行なう。光反射層
9が後方の透明基板2側に配されており、前方から入射
する光の大部分を反射するとともに一部分を透過可能で
ある。背面光源30が透明基板2より後方に配され、必
要に応じて前方に向って光を入射する。明るい環境下で
は、前方から後方に向って外部から入射する外光の大部
分を光反射層9で前方に反射して表示を行なうととも
に、暗い環境下では後方から前方に向って背面光源30
から入射する光源光の一部分を光反射層9で遮ることな
く前方に透過して表示を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、昼間等外光が明る
い時これを利用して画像を写し出す一方、夜間等外光が
乏しい場合バックライト(背面光源)を利用して画像を
写し出す反射型兼透過型表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電気光学物質として液晶を利用した表示
装置には種々のモードがあり、現在ツイスト配向又はス
ーパーツイスト配向されたネマティック液晶を用いたT
NモードあるいはSTNモードが主流となっている。し
かしながら、これらのモードは動作原理上一対の偏光板
が必要であり、その光吸収がある為透過率が低く明るい
表示画面が得られない。これらのモードの他、二色性色
素を利用したゲストホストモードも開発されている。ゲ
ストホストモードの液晶表示装置は液晶に添加した二色
性色素の吸収係数の異方性を利用して表示を行なうもの
である。棒状構造の二色性色素を用いると、色素分子は
液晶分子に平行に配列する性質があるので、電界を印加
して液晶の分子配向を変化させると、色素の配向方向も
変化する。この色素は方向によって着色したりしなかっ
たりするので、電圧を印加することによって液晶表示装
置の着色、無色を切り換えることができる。
【0003】図26は透過方式のハイルマイアー(HE
ILMEIER)型ゲストホスト液晶表示装置の構造を
示しており、(A)は電圧無印加状態を表わし、(B)
は電圧印加状態を表わしている。この液晶表示装置はp
型色素と誘電異方性が正のネマティック液晶(Np
晶)を用いている。p型の二色性色素は分子軸にほぼ平
行な吸収軸を持っており、分子軸に平行な偏光成分Lx
を強く吸収し、それに垂直な偏光成分Lyはほとんど吸
収しない。(A)に示す電圧無印加状態では、光源から
の入射光に含まれる偏光成分Lxがp型色素により強く
吸収され、液晶表示装置は着色する。これに対し、
(B)に示す電圧印加状態では、誘電異方性が正のNp
液晶が電界に応答して立ち上がり、これに合わせてp型
色素も垂直方向に整列する。この為、偏光成分Lxはわ
ずかに吸収されるだけで液晶表示装置はほぼ無色を呈す
る。入射光に含まれる他方の偏光成分Lyは電圧印加状
態及び電圧無印加状態のいずれであっても二色性色素に
よって吸収されることはほとんどない。従って、透過型
のゲストホスト液晶表示装置では、予め一枚の偏光板を
介在させ、他方の偏光成分Lyを取り除き、コントラス
トの改善を図っている。
【0004】上述した透過型のゲストホスト液晶表示装
置では、十分なコントラストを得る為に、液晶表示装置
の入射側に一枚の偏光板を配置し、入射光の偏光方向を
液晶の配向方向と一致させている。しかしながら、この
ようにすると偏光板により原理的には入射光の50%
(実際には40%程度)が失われる為、表示がTNモー
ドのように暗くなってしまう。この問題を改善する手法
として、単に偏光板を取り除いただけでは吸光度のオン
オフ比が著しく低下するので適当ではなく、種々の改善
策が提案されている。例えば図27に示すように、入射
側から偏光板を除去する一方、出射側に四分の一波長板
及び反射板を取り付けた反射型のゲストホスト液晶表示
装置が提案されている。この方式では、互いに直交する
2つの偏光成分Lx,Lyが、四分の一波長板によって
往路及び復路で偏光方向を90°回転させ、偏光平分の
入れ替えが行なわれる。従って、(A)に示すオフ状態
(吸収状態)では、偏光成分Lx,Lyが入射光路か反
射光路のいずれかで吸収を受けることになる。又(B)
に示すオン状態(透過状態)ではいずれの偏光成分L
x,Lyもほとんど吸収を受けることはない。これによ
り、入射光の利用効率が顕著に改善でき、表示装置が明
るくなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ゲストホスト液晶表示装置は、図26に示した透過型と
図27に示した反射型がある。透過型は観察者が位置す
る表示装置の前面とは反対側の後面に照明用の背面光源
(バックライト)を配置して画面を明るく照らし出して
いる。一方、反射型は太陽光等の外光を利用して画面を
写し出す。前者はバックライトを利用するので明るい表
示が可能であり特にカラー表示に適しているが、バック
ライトが大きな電力を消費する。例えば屋外で使用する
場合、消費電力が大きい為携帯機器のディスプレイとし
ては不適当である。又、外光が豊富な明るい環境下で
は、逆にコントラストが低下する。これに対し、後者は
外光を利用する為バックライトが不要となりその分消費
電力を抑制できる。又、透過型と異なり反射型は明るい
環境下でコントラストが高くなる。しかしながら、反射
型は絶対的な画像輝度が低く高品位のカラー表示は難し
い。又、夜間等外光が乏しくなる環境では表示の視認性
が著しく低下する。
【0006】
【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決する為、本発明は昼間、夜間を問わず良好な表示
状態が得られる反射型兼透過型表示装置を提供すること
を目的とする。係る目的を達成する為に以下の手段を講
じた。即ち、本発明に係る反射型兼透過型表示装置は基
本的な構成として、前方に位置し電極を備えた第1の透
明基板と、これから所定の間隙を介して後方に位置し電
極を備えた第2の透明基板と、該間隙に保持され入射す
る光を該電極に印加される電圧に応じて変調し表示を行
なう電気光学物質と、第2の透明基板側に配され入射す
る光の大部分を反射するとともに一部分を透過可能な光
反射層と、第2の透明基板より後方に配され必要に応じ
て前方に向って光を入射する背面光源とを備えている。
係る構成において、通常は前方から後方に向って外部か
ら入射する光の大部分を該光反射層で前方に反射して表
示を行なうとともに、必要に応じ後方から前方に向って
該背面光源から入射する光の一部分を該光反射層で遮る
ことなく前方に透過して表示を行なう。好ましくは、第
1及び第2の透明基板に設けた各電極は互いに対面して
マトリクス状の画素を規定し、前記光反射層は個々の画
素に対応して細分化された反射要素の集合からなり、各
反射要素は前方から入射した光の大部分を反射する金属
膜及び後方から入射した光の一部分を透過する為に該金
属膜の一部を除去した微小な開口を有しており、加えて
該光反射層の後方に位置し該背面光源から発した光を各
画素の開口に向けて集光するマイクロレンズを備えてい
る。また好ましくは、前記電気光学物質はホストとなる
ネマティック液晶にゲストとなる二色性色素を添加した
ゲストホスト液晶であり、前記第2の透明基板は該光反
射層と該ゲストホスト液晶との間に外部から入射する光
の変調を効率化する四分の一波長層を備えており、前記
背面光源は該第2の透明基板との間に該背面光源から入
射する光の変調を可能にする偏光板及び四分の一波長板
を備えている。
【0007】本発明に係る反射型兼透過型表示装置は入
射する光の大部分を反射するとともに一部分を透過可能
な光反射層を備えている。昼間等通常使用時には、前方
から後方に向って外部から入射する太陽光等の外光の大
部分を光反射層で前方に反射して表示を行なう。この時
には背面光源を点灯する必要が無いので消費電力を節約
できる。一方、夜間等外光が乏しい場合には、後方から
前方に向って背面光源から入射する光の一部分を光反射
層で遮ることなく前方に透過して表示を行なう。すなわ
ち、本反射型兼透過型表示装置は外光が乏しい場合でも
表示が視認できるようにしている。
【0008】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
形態を詳細に説明する。図1は、本発明に係る反射型兼
透過型表示装置の第1実施形態を示す模式的な部分断面
図である。図示する様に、本表示装置は所定の間隙を介
して互いに接合した上下一対の基板1,2を用いて構成
されている。上側基板1は入射側に位置しガラス等の透
明基材からなる。一方下側の基板2は反射側に位置し、
これもガラス等の透明基材を用いている。一対の基板
1,2の間隙には電気光学物質としてゲストホスト液晶
3が保持されている。このゲストホスト液晶3は負の誘
電異方性を有するネマティック液晶分子4を主体とし、
かつ二色性色素5を所定の割合で含有している。上側の
基板1の内表面には対向電極6と配向層7が形成されて
いる。対向電極6はITO等の透明導電膜からなる。配
向層7は例えばポリイミドフィルムからなり、ゲストホ
スト液晶3を垂直配向している。なお、本発明はこれに
限られるものではなく、図26や図27に示した様にゲ
ストホスト液晶を水平配向してもよい。本実施形態では
電圧無印加状態でゲストホスト液晶3は垂直配向し、電
圧印加状態では水平配向に移行する。
【0009】下側の基板2には少くとも、薄膜トランジ
スタ8からなるスイッチング素子と光反射層9と四分の
一波長層10と画素電極11とが形成されている。四分
の一波長層10は薄膜トランジスタ8や光反射層9の上
方に成膜されており、且つ薄膜トランジスタ8に連通す
るコンタクトホール12が設けられている。画素電極1
1はこの四分の一波長層10の上にパタニングされてい
る。従って、画素電極11と対向電極6との間でゲスト
ホスト液晶3に十分な電界を印加することが可能であ
る。この画素電極11は四分の一波長層10に開口した
コンタクトホール12を介して薄膜トランジスタ8に電
気接続している。光反射層9は入射する光の大部分を反
射するとともに一部分を透過可能な構造を有している。
具体的には、光反射層9は平面に沿って形成された微細
な凸部9aとその上に成膜された金属膜9bからなる。
この金属膜9bの一部をエッチングで除去した開口9c
を設けており、前方から入射した光の大部分を散乱的に
反射する一方、後方から入射した光の一部分を開口9c
から透過する。この開口9cは凸部9aの一部に形成さ
れている。
【0010】後方に位置する基板2のさらに後側には背
面光源30が配されており、必要に応じて前方に向って
光を入射する。本実施形態では、背面光源30と基板2
との間に偏光板31及び四分の一波長板32が介在して
いる。係る構成において、通常前方から後方に向って外
部から入射する光(外光)の大部分を光反射層9で前方
に反射して表示を行なうとともに、必要に応じ後方から
前方に向って背面光源30から入射する光(光源光)の
一部分を光反射層9で遮ることなく開口9cを介して前
方に透過して表示を行なう。
【0011】以下、個々の要素について具体的な説明を
加える。本実施形態では、四分の一波長層10は一軸配
向した高分子液晶膜で構成されている。この高分子液晶
膜を一軸配向する為下地配向層13が用いられている。
薄膜トランジスタ8及び光反射層9の凹凸を埋める為平
坦化層14が介在しており、上述した下地配向層13は
この平坦化層14の上に形成される。そして、四分の一
波長層10もこの平坦化層14の表面に成膜されてい
る。この場合、画素電極11は四分の一波長層10及び
平坦化層14を貫通して設けたコンタクトホール12を
介して薄膜トランジスタ8に接続することになる。光反
射層9は個々の画素電極11に対応して細分化されてい
る。個々に細分化された部分は対応する画素電極11と
同電位に接続されている。係る構成により、光反射層9
と画素電極11との間に介在する四分の一波長層10や
平坦化層14に不要な電界が加わることがない。光反射
層9は図示するように金属膜9bからなる散乱性の反射
面を備えており、入射光の鏡面反射を防止して画質の改
善を図っている。前述した様に、この光反射層9には後
方から入射した照明光を前方に透過する為の開口9cが
設けられている。画素電極11の表面を被覆するように
配向層15が形成されており、ゲストホスト液晶3に接
してその配向を制御している。本実施形態では、この配
向層15は対向する配向層7と一緒になって、ゲストホ
スト液晶3を垂直配向している。薄膜トランジスタ8は
ボトムゲート構造を有しており、下から順にゲート電極
16、ゲート絶縁膜17、半導体薄膜18を重ねた積層
構造を有している。半導体薄膜18は例えば多結晶シリ
コンからなり、ゲート電極16と整合するチャネル領域
は上側からストッパ19により保護されている。
【0012】係る構成を有するボトムゲート型の薄膜ト
ランジスタ8は層間絶縁膜20により被覆されている。
層間絶縁膜20には一対のコンタクトホールが開口して
おり、これらを介してソース電極21及びドレイン電極
22が薄膜トランジスタ8に電気接続している。これら
の電極21及び22は例えばアルミニウムをパタニング
したものである。ドレイン電極22は光反射層9と同電
位になっている。また、画素電極11は前述したコンタ
クトホール12を介してこのドレイン電極22と電気接
続している。一方、ソース電極21には信号電圧が供給
される。
【0013】ここで、光反射層9の形成方法を説明す
る。この光反射層9は凸部9aが形成された樹脂膜と、
その表面に成膜されたアルミニウム等の金属膜9bとか
らなる。樹脂膜はフォトリソグラフィにより凹凸がパタ
ニングされた感光性樹脂膜である。感光性樹脂膜9aは
例えばフォトレジストからなり、層間絶縁膜20の表面
に全面的に塗布される。これを所定のマスクを介して露
光処理して円柱状にパタニング加工する。次いで、加熱
してリフローを施せば凸部9aが安定的に形成できる。
このようにして形成された凸部9aの表面に所望の膜厚
で良好な光反射率を有するアルミニウム等の金属膜9b
を形成する。凸部9aの高さ寸法を例えば数μmに設定
すれば、良好な光散乱特性が得られ、光反射層9は白色
を呈する。この後、金属膜9bをエッチングして凸部9
aの一部から部分的に除去し、開口9cを設ける。
【0014】さらに、四分の一波長層10の形成方法を
説明する。まず、光反射層9の上に平坦化層14を形成
して凹凸を埋めている。平坦化層14はアクリル樹脂等
透明な有機物を用いることが好ましい。この後、四分の
一波長層10を形成する処理に進む。まず、平坦化層1
4の上に下地配向層13を形成した後その上に高分子液
晶を塗工して一軸配向させることにより四分の一波長層
10を形成する。この際、平坦化層14を介在させるこ
とで下地配向層13の成膜及びラビング処理が安定に行な
える。この為、四分の一波長層10が精度よく形成でき
る。
【0015】下地配向層13は例えばポリイミドフィル
ムからなり、所定の配向方向に沿ってラビング処理が施
される。この下地配向層13の上に実際に四分の一波長
層10を形成する。具体的には、高分子液晶を所定の膜
厚で下地配向層13の上に塗工する。この高分子液晶は
所定の転位点を境にして高温側のネマティック液晶相と
低温側のガラス固体相との間を相転位可能な材料であ
る。この高分子液晶を有機溶媒に溶解させた後、スピン
コーティングによって下地配向層13の表面に塗布す
る。この際、溶液の濃度やスピン回転数等の条件を適宜
設定して、形成される薄膜の膜厚が可視光領域でλ/4
の位相差を生じさせる様にする。なお、λは入射光の波
長である。この後温度処理を行ない、基板2を一旦転位
点以上に加熱した後転位点以下の室温まで除冷し、成膜
された高分子液晶を配向方向に整列させて四分の一波長
層10を形成する。成膜段階では高分子液晶に含まれる
液晶分子はランダムな配列状態にあるのに対し、除冷後
では液晶分子は配向方向に沿って整列し、所望の一軸光
学異方性が得られる。
【0016】図2を参照して、図1に示した第1実施形
態の反射表示時における動作を説明する。反射表示を行
なう場合背面光源は消灯する。外部からの入射光は対向
基板及びゲストホスト液晶を通過し、光反射層9で拡散
反射される。白黒表示の切り替えは画素電極11に印加
する電圧のオン/オフで制御する。この白黒表示につい
て図1を参照し説明を加える。電圧印加状態では、ネマ
ティック液晶分子4は水平に配向しており、二色性色素
5も同様に配向する。上側の基板1側から入射した光が
ゲストホスト液晶3に進むと、入射光のうち二色性色素
5の分子の長軸方向に対して平行な振動面を持つ成分が
二色性色素5によって吸収される。又、二色性色素5の
分子の長軸方向に対して垂直な振動面を持つ成分はゲス
トホスト液晶3を通過し、下側の基板2の表面に形成さ
れた四分の一波長層10で円偏光とされて、光反射層9
で反射する。この時、反射光の偏光が逆回りとなり、再
び四分の一波長層9を通過し、二色性色素5の分子の長
軸方向に対して平行な振動面を持つ成分となる。この成
分は二色性色素5によって吸収されるのでほぼ完全な黒
色表示となる。一方、電圧無印加時にはネマティック液
晶分子4は図示の様に垂直に配向し、二色性色素5も同
様に配向する。上側の基板1側から入射した光は二色性
色素5によって吸収されずにゲストホスト液晶3を通過
し、さらに四分の一波長層9で偏光されずに光反射層9
で反射する。反射光は再び四分の一波長層10を通過
し、ゲストホスト液晶3で吸収されずに出射する。従っ
て白色表示となる。
【0017】図3を参照して、図1に示した第1実施形
態の透過表示時における動作を説明する。透過表示時に
は背面光源を点灯する。背面光源から発した光源光は基
板2を通過し、光反射層9を構成する金属膜9bの裏面
で反射され、開口4cから出射した後近傍の金属膜9b
の表面で拡散反射され、ゲストホスト液晶に入射する。
白黒表示の切り替えは、反射表示と同様画素電極11に
印加する電圧のオンオフにより制御する。この点に付
き、再び図1を参照して説明を加える。背面光源30か
らの光は偏光板31で直線偏光とされ、四分の一波長板
32及び四分の一波長層10によって偏光軸が90°回
転した状態でゲストホスト液晶3に進入する。従って、
図26に示した透過型ゲストホスト液晶表示装置と同様
の原理により白黒表示が行なえる。即ち、電圧無印加状
態ではゲストホスト液晶3に含まれる二色性色素5が液
晶分子4に倣って垂直配向している。この配向状態で
は、背面光源30から発した光源光は何らゲストホスト
液晶3によって吸収されずにそのまま透過し、白表示と
なる。一方、電圧印加状態では二色性色素5は液晶分子
4とともに水平配向に移行する。液晶分子4のプレチル
ト角を適当に制御することで、液晶分子4及び二色性色
素5の配向方向を例えば紙面に対して平行に設定でき
る。背面光源30から発した光源光は偏光板31により
直線偏光に変換される。この直線偏光軸は紙面と垂直で
ある。直線偏光は四分の一波長板32及び四分の一波長
層10を通過することで偏光軸が90°回転する。従っ
て、ゲストホスト液晶3に入射する時点では偏光軸が紙
面と平行になる。この為、ゲストホスト液晶3により吸
収を受け、黒表示が行なえる。四分の一波長板32と四
分の一波長層10は互いに重なることで二分の一波長板
として機能し、直線偏光の偏光軸を90°回転する。仮
に、四分の一波長板32が無いと、偏光板31を通った
直線偏光が四分の一波長層10により円偏光に変換され
る為、ゲストホスト液晶3により十分な吸収を受けるこ
とができない。これに対処する為、外付けの四分の一波
長板32を導入し、内蔵された四分の一波長層10の影
響を除去するようにしている。即ち、外付けの四分の一
波長板32は透過表示を行なう場合にゲストホスト液晶
3による光変調を可能とする為に装着されたものであ
る。
【0018】以上のように、本反射型兼透過型表示装置
は、前方に位置し電極6を備えた第1の透明基板1と、
これから所定の間隙を介して後方に位置し電極11を備
えた第2の透明基板2と、この間隙に保持され入射する
光を電極6,11に印加される電圧に応じて変調し表示
を行なう電気光学物質としてのゲストホスト液晶3と、
第2の透明基板2側に配され入射する光の大部分を反射
するとともに一部分を透過可能な光反射層9と、第2の
透明基板2より後方に配され必要に応じて前方に向って
光を入射する背面光源30とを備えている。通常前方か
ら後方に向って外部から入射する光(外光)の大部分を
光反射層9で前方に反射して表示を行なうとともに、必
要に応じ後方から前方に向って背面光源30から入射す
る光の一部分を光反射層9で遮ることなく前方に透過し
て表示を行なう。電気光学物質は、ホストとなる液晶分
子4からなるネマティック液晶にゲストとなる二色性色
素5を添加したゲストホスト液晶3であり、第2の透明
基板2は光反射層9とゲストホスト液晶3との間に外部
から入射する光の変調を効率化する四分の一波長層10
を備えており、背面光源30は第2の透明基板2との間
に背面光源30から入射する光の変調を可能にする偏光
板31及び四分の一波長板32を備えている。光反射層
9は平面に沿って形成された微細な凸部9aとその上に
成膜された金属膜9bからなるとともに、金属膜9bの
一部をエッチングで除去した開口9cを備えており、前
方から入射した光の大部分を散乱的に反射する一方後方
から入射した光の一部分を開口9cから透過する。この
開口9cは凸部9aの一部に形成されている。係る構成
により、本反射型兼透過型表示装置は暗い環境下でも明
るい環境下でも高品位な表示が得られる。即ち、屋外/
屋内双方で使用可能な画期的な表示装置が実現できる。
【0019】図4は、本発明に係る反射型兼透過型表示
装置の第2実施形態を示す部分断面図であり、基板2側
の一画素分のみを示してある。本実施形態はフォトレジ
ストからなる凸部9a、金属膜9b、平坦化層14、四
分の一波長層10、画素電極11等を備えている。ダブ
ルゲート構造を有する薄膜トランジスタ8を介して供給
された信号電圧は金属膜9bの一部及び中間電極12a
を介して画素電極11に印加される。第1実施形態と同
様に、光反射層9には開口9cが形成されており、背面
光源と組み合わせた透過表示が可能である。これによ
り、周囲の環境が明るい所では背面光源を用いない反射
型表示装置として機能し、暗い所では背面光源を用いた
透過型表示装置として機能する。なお、本例では薄膜ト
ランジスタ8を補助する補助容量Csを同時に形成して
いる。又、ゲート絶縁膜17a,17bを重ねた積層構
造を採用し、層間絶縁膜20a,20bも二層にしてあ
る。
【0020】図5は、図4に示した一画素分のパタン設
計例を示す平面図である。光反射層9の一部に開口9c
を設けると反射型表示装置としての表示特性の低下が懸
念されるが、本図に示す様に光反射層9の平坦な部分の
みに開口9cを設ければ、凸部9aによる光散乱効果の
低下は起こらない。よって、反射型としての表示特性の
低下を抑えることが可能である。図5に示す様に、光反
射層9は画素毎に細分化されている。具体的には、ゲー
ト配線Xと信号配線Yとによって区画された領域に一画
素分の光反射層9が形成されている。この光反射層9と
整合する様に画素電極11も個々の画素毎に形成されて
いる。画素電極11はコンタクトホールを介して薄膜ト
ランジスタ8のドレイン電極22に接続し、信号配線Y
は同じくコンタクトホールを介してソース電極21に接
続し、ゲート配線Xはゲート電極16に接続している。
光反射層9は離散的に配列した凸部9aを無数に含んで
おり、その上は金属膜9bにより被覆されている。凸部
9aの間に残された平坦部には部分的に開口9cが形成
されている。
【0021】図6を参照して、図4及び図5に示した第
2実施形態の動作を詳細に説明する。本実施形態は背面
光源30側の透明基板2、これに対面する透明基板1、
その内表面に形成されたカラーフィルタ40、対向電極
6、両基板1,2に保持されたゲストホスト液晶3等を
備えている。ゲストホスト液晶3は電圧無印加状態で水
平配向した液晶分子4及び二色性色素5を含有してい
る。まず、反射モードの動作原理について説明する。ゲ
ート電極16の電位がローレベルの場合、ドレイン電極
22及び画素電極11には電圧が印加されない為、水平
配向されたゲストホスト液晶3に変化はない。対向基板
1側から入射した光はゲストホスト液晶3により直線偏
光となり、さらに四分の一波長層10を通過することに
より円偏光となる。さらに、光反射層9により反射し、
帰路四分の一波長層10を通った光は直線偏光となる。
この直線偏光は偏光軸が90°旋回している為、ゲスト
ホスト液晶3に吸収されてしまう。よって黒表示とな
る。ゲート電極16の電位がハイレベルの場合、ドレイ
ン電極22を介して画素電極11に信号電圧が印加され
る為、対向電極6との間に電位差が生じ、液晶分子4の
長軸方向は電界に平行に垂直配列する。この場合、前側
の基板1から入射した光はゲストホスト液晶3により直
線偏光にならない為、全て光反射層9により反射され基
板1側に戻る。よって白表示となる。以上の説明は、誘
電異方性が正の液晶分子4を使用した水平配向の場合で
あるが、誘電異方性が負の液晶を利用し初期配向を垂直
配向にしてもよい。四分の一波長層10の光学的異方軸
は、液晶分子4が水平配向されている場合には、その配
向方向と45°の角度を成す様に設定する。又、液晶分
子4が垂直配向されている場合には、プレチルト角を持
った余弦方向に対して45°の角度を持つ様に四分の一
波長層10の光学的異方軸が設定される。
【0022】次に透過モードでの動作原理について説明
する。本実施形態は背面光源30、直線偏光板31、四
分の一波長板32を備えている。偏光板31の吸収軸は
ゲストホスト液晶3の配向方向と同じ向きに設置され、
外付けの四分の一波長板32の光学的異方軸は内蔵の四
分の一波長層10の光学的異方軸と同じ向きに設定され
ている。背面光源30から発した光は偏光板31により
直線偏光となり、さらに四分の一波長板32により円偏
光となり、後側の基板2に入射する。入射した光は光反
射層9に設けた開口9cを介して四分の一波長層10を
通過する。これにより、直線偏光に変換されるが、偏光
板31を通った直後の偏光軸に対し90°偏光軸が回転
している。ゲストホスト液晶3が水平配向している場
合、四分の一波長層10を通った直線偏光はこれに吸収
されてしまい黒表示となる。電圧印加に応答してゲスト
ホスト液晶3が垂直配向に移行すると、四分の一波長層
10を通った直線偏光は透過する為白表示となる。
【0023】以上の様に本実施形態では、光反射層の一
部に開口を設けることによりバックライトの併用が可能
になり、反射型として使用できない暗い環境でもバック
ライトを用いることにより透過型として機能することが
可能になる。特に、光反射層9の凸部と凸部の間に残さ
れた平面の一部に開口9cを設けることにより、光反射
層の光散乱効果を損なうことなくバックライトの併用が
可能になる。従来の光反射型液晶表示装置はバックライ
トを用いないで外光のみで視認するディスプレイである
為低消費電力であり、携帯端末用ディスプレイとして適
している。しかし、外光が全く無いかあるいは乏しい状
況下では視認性が悪くなる為端末の使用が周囲の環境に
制限されてしまう。補助的な光源として、表示装置の上
部付近から光を当てる様なユニットを付属させて使用し
てもよいが、それでは端末自体の形状が大きくなり過ぎ
る為携帯用としては不適当である。これに対し、本実施
形態では極めてコンパクトな構成で反射型兼透過型の表
示装置を実現できる。
【0024】図7は、本発明に係る反射型兼透過型表示
装置の第3実施形態を示す模式図である。(A)は光反
射層の形成方法を模式的に表わしたものであり、(B)
は一画素分の光反射層の構造を模式的に表わしている。
(A)に示す様に、基板2には画素PXLが集積形成さ
れている。(B)に示す様に、各画素は散乱性の光反射
層9を備えている。この光反射層9は有効画素領域の一
部において後方からの光を透過することが可能な構造を
有している。基板2の上には層間絶縁膜20を介して凸
部9aが形成されている。この凸部9aに対して金属膜
9bを形成する為にアルミニウムをスパッタリング(又
は蒸着)する際、スパッタ方向Sに対して基板2を傾斜
させ、凹凸の陰を作ることで、光を透過する開口9cを
形成している。有効画素領域内でフォトリソグラフィ及
びリフロー等を利用して凸部9aをあらかじめ形成した
基板2に対し、ターゲットTのアルミニウム等をスパッ
タする時スパッタリング方向Sに対して基板2を傾斜し
て成膜を行なう。その結果、凸部9aの形状によってス
パッタ方向から陰になる部分が発生し、ここにはアルミ
ニウムが被着しない為基板2の裏側から光が透過可能な
開口9cができる。
【0025】図8に示すように、凸部9aの陰になる部
分の大きさの制御は、凸部9aの傾斜角αとスパッタ方
向Sの関係によって決定される。陰を形成するには、基
板2の法線を基準にしたスパッタ角θsと半球状の凸部
9aの傾斜角αとの関係が、90°−α<θs<90°
の条件を満たす必要がある。スパッタ角θsをこの範囲
内で適切に制御することで、透過部分と反射部分の面積
比を変えることができる。
【0026】以上の様に、本実施形態では、光反射層9
は平面に沿って形成された微細な凸部9aとこの表面の
法線に対して傾斜した方位から蒸着又はスパッタリング
により成膜された金属膜9bからなる。前方から入射し
た光の大部分は凸部9aに被着した金属膜9bにより散
乱的に反射される一方、後方から入射した光の一部は凸
部9aの陰で金属膜9bが被着してない箇所から透過す
る。基板2の傾斜角を調整するだけで透過部分の面積を
簡単に制御することが可能である。前述した第1実施形
態及び第2実施形態では光反射層に開口を形成する方法
として、アルミニウムをスパッタリングした後選択的に
エッチングしてアルミニウムを除去し光が透過可能な開
口を作成していた。この方法ではエッチングの際に必要
なマスクの位置合わせにある程度の精度が要求される。
又、透過部分と反射部分の面積比の設計変更があると、
その都度マスクのパタンを変更しなくてはならない。
【0027】図9は、本発明に係る反射型兼透過型表示
装置の第4実施形態を示す模式的な部分断面図である。
図示する様に、光反射層9は平面に沿って形成された微
細な凸部9aとその上に成膜された半透鏡膜9zからな
り、前方から入射した光の大部分を散乱的に反射する一
方後方から入射した光の一部分を透過する。なお、本実
施形態は第1実施形態乃至第3実施形態と異なり、アク
ティブマトリクス型ではなく単純マトリクス型である。
この関係で、基板1には列状の電極6yが形成されてお
り、基板2には行状の電極11xが形成されている。両
電極6y,11xの交差部に画素が規定される。本表示
装置が反射型及び透過型の両モードで使用可能となる様
に、光反射層9として半透鏡膜9zの役割を果たす金属
薄膜を用いている。金属薄膜からなる半透鏡膜9zの光
特性については、反射率の低下が顕著にならない様、比
較的光透過率よりも反射率が高いことが必要である。
又、透過率及び反射率に波長依存性が少いことが必要で
ある。これらの条件に該当する金属薄膜としては、例え
ばロジウム(Rh)があり、その反射率は約80%であ
る。又、チタン(Ti)も使用可能であり、その反射率
は約60%である。
【0028】図9を参照して本実施形態の反射モードに
おける表示原理を説明する。入射光はゲストホスト液晶
3を通過し、光散乱性の光反射層9に至る。ここで、比
較的透過率より反射率の割合が高い金属薄膜を半透鏡膜
9zとして用いた場合、透過による光損失を少くするこ
とができる為、全入射光の大部分を表示に寄与させるこ
とが可能である。
【0029】図10の(A)を参照して、本実施形態の
透過モードにおける表示原理を説明する。蛍光管等から
なる背面光源30から発した光源光は、まず偏光板31
を通過して直線偏光になる。その偏光方向はゲストホス
ト液晶3の配向方向(ラビング方向)に対して直交す
る。さらにこの偏光は外付けの四分の一波長板32を通
過する。この四分の一波長板32は例えば光学的に一軸
性もしくは二軸性を示す高分子液晶の様な材料を用い
て、光学軸をゲストホスト液晶3のラビング方向に対し
て約45°方向に傾けたものである。直線偏光がこの四
分の一波長板32を通過すると円偏光になる。さらに、
この円偏光の一部が半透鏡膜9zを通過し、内蔵の四分
の一波長層10に進入すると、ゲストホスト液晶3のラ
ビング方向に平行な直線偏光に変換される。この時、画
素に電圧が印加されていなければ直線偏光はゲストホス
ト液晶3に吸収され黒表示となる。電圧が印加されてい
る場合液晶分子4とともに二色性色素5が垂直配向に移
行するので、直線偏光は吸収されずに白表示となる。本
表示装置に用いる半透鏡膜9zは透過率が小さいが、強
力な背面光源30を用いることにより、明るい表示を得
ることが可能である。上記の原理により、本表示装置は
反射及び透過の両モードでの表示が可能となる。なお、
本実施形態では基板2と光反射層9との間に下地の絶縁
膜20cが介在している。又、四分の一波長層10と電
極11xとの間にも下地層10aが介在している。
【0030】入射光を透過光と反射光に二分割できる光
学素子をハーフミラーと呼ぶ。本実施形態は、ハーフミ
ラーとしての半透鏡膜9zを用いることで反射型兼透過
型表示装置を実現している。上述した様に、ハーフミラ
ーとしては金属を蒸着した半透鏡膜9zが簡単であり、
例えばアルミニウムや銀などにより容易に作成できる。
しかしながら、金属膜では反射成分と透過成分の他に吸
収成分があるので、光の損失が生じる。これに代えて、
(B)に示す様に、λ/4の光学厚みを有する誘電体膜
9z1を下地の透明樹脂膜20の上にコーティングして
所望の半透鏡(ハーフミラー)を得ることができる。金
属膜の代わりに高屈折率の誘電体膜を用いることで、実
質上吸収損失の無いハーフミラーを作ることが可能であ
る。(B)において、誘電体膜9z1の屈折率をn1と
し、下地の透明樹脂膜20の屈折率をn0とすると、こ
のハーフミラーの反射率Rは以下の数式で表わされる。
なお、n1はn0よりも大きい。
【数1】 上記数式から明らかな様に、n1及びn0の値を適切に
設定することで、所望の反射率を有しほとんど吸収の無
いハーフミラーを形成することができる。ただし、上記
数式で示した反射率Rは垂直に入射した光に対する値で
ある。なお、誘電体膜9z1としては、例えば比較的屈
折率の高いZnS、TiO2 、CeO2などが用いられ
る。
【0031】(C)に、上述した誘電体膜9z1を用い
た光反射層9の具体的な構成を示す。(A)に示した光
反射層9の構成と対応する部分には対応する参照番号を
付して理解を容易にしている。下地の絶縁膜20cの上
には微細な凸部9aが形成されている。この凸部9aは
感光性樹脂を用いてパタニングした後熱フローを掛ける
ことにより形成できる。凸部9aの上に屈折率n0の透
明樹脂9yを塗布することにより、凸部9aの形状を最
適化し、所望の光拡散特性が得られる様にしている。透
明樹脂9yの上に屈折率n1の誘電体膜9z1を成膜す
ることで、ハーフミラー構造を得ている。n1の値を
1.4乃至1.5とし、n0の値をこれより低くすれ
ば、上記数式から算出される所望の光反射率Rが得られ
る。通常反射型表示装置として使用する場合、外光の強
度は調節が難しいものの、透過型表示装置として用いる
場合透過光はバックライトにより自在に調節可能であ
る。この点に鑑み、本実施形態では反射率を透過率より
も大きくする様にハーフミラーを設計している。具体的
には、反射率は50乃至90%の範囲に設定することが
好ましい。更に好ましくは、60乃至80%の範囲に反
射率を設定すると、最もバランスの取れた表示画像が得
られる。
【0032】(D)はハーフミラーの別の構成を模式的
に表わしている。本例では、下地の樹脂膜20の上に金
属膜(Metal)9z2を成膜し、更にその上に誘電
体膜9z1を成膜して、複合構造を有するハーフミラー
を得ている。
【0033】ゲストホスト液晶表示装置を透過型として
用いる場合、偏光板を基板1の外側か又は基板2の外側
に配することが必要である。(A)に示した実施形態で
は、基板2の外側に偏光板31を配している。この構造
では、基板2の内側に形成された四分の一波長層10の
効果を打ち消す為に、基板2の外側に追加の四分の一波
長板32を挿入する必要がある。この構造では基板2よ
り後方に偏光板31があるので、反射型として用いた場
合には偏光板31は全く影響を与えることがない為、外
光で明るい表示が得られる。これに対し、基板1の外側
に偏光板を配する構造も考えられる。この時には、反射
型でも通常のゲストホスト液晶表示装置として機能する
為、内蔵の四分の一波長層10は不要となる。この構造
では、基板1よりも前方に偏光板が位置する為、(A)
に示した構造よりも表示画像が暗くなるが、コントラス
トは逆に上昇する。
【0034】図11は種々の金属薄膜の反射率特性を示
すグラフである。横軸に波長を取り、縦軸に反射率を取
ってある。例えば、Rhの場合可視光領域でその反射率
は80%程度である。Tiの場合可視光領域で反射率は
60%程度である。何れも、半透鏡膜として使用可能で
ある。その場合、膜厚は50〜200nm程度に設定さ
れる。なお、Alでも膜厚を50nm以下にすれば半透
鏡膜として使用可能である。半透鏡膜としては金属薄膜
に代え誘電体膜を用いることもできる。以上の様に、本
実施形態では光反射層は平面に沿って形成された微細な
凸部とその上に成膜された半透鏡膜からなり、前方から
入射した光の大部分を散乱的に反射する一方後方から入
射した光の一部分を透過する。半透鏡膜としてはロジウ
ム、チタン、クロム、クロメル又はインコネルからなる
金属薄膜を用いることができる。クロメルはニッケル8
0%とクロム20%の合金である。インコネルはニッケ
ル80%、クロム15%、鉄5%の合金である。このよ
うに、後側の基板は背面光源から発した光源光の一部を
通過可能な構造を有し、且つ前面側の基板から入射した
光が当たる部分で、これを拡散反射させる構造を有して
いる。即ち、透過型と反射型の両方の表示能力を備えて
いる。従来の反射型液晶表示装置は照明又は日光等の外
光が存在する環境下でのみ使用が可能であり、外光が全
く存在しない環境では観察者が表示を見ることができな
い。しかし、反射型の液晶表示装置を外光の存在しない
環境でも使用したいとの要求もある。本実施形態は、外
光が存在する環境では外光を用いた反射型モードでの表
示を行ない、外光が存在しない環境では、背面光源(バ
ックライト)を利用した透過型モードでの表示を行な
う。
【0035】図12は本発明に係る反射型兼透過型表示
装置の第5実施形態を示す模式的な部分断面図であり、
4個の画素を表わしている。液晶3zは第1実施形態乃
至第4実施形態に示したゲストホスト液晶に限る必要は
ない。例えば、偏光板を一枚使用するECBモードの液
晶や相変化型の液晶を用いることも可能である。本実施
形態の特徴は、光反射層9に形成された金属膜9bが、
基板2に対して平行ではなくある角度θを以て傾斜配置
していることである。まず、背面光源30がオフの時
は、外部からの入射光が光拡散層42を通って進入して
くる。ここで、前側の基板1に設けた光拡散層42は後
方散乱を少くし、前方散乱のみを起こすものを用いる。
アルミニウム等からなる金属膜9bに入射した光は鏡面
反射され、再び光拡散層42に戻る。ここで散乱され外
部に出ていく。従って、金属膜9bが傾いていても広い
視角範囲で通常の反射型表示装置として機能する。次
に、背面光源30がオンの時は、これから基板2に垂直
に入る光源光が反射されるが、金属膜9bが傾斜してい
る為画素間を抜けて斜めに進む光線は液晶3zに入射す
ることができる。この透過光(a)、(b)はさらに光
拡散層42を通る為、広範囲に拡散される。結果とし
て、広い視角方向で通常の透過型表示装置として機能す
る。傾斜した金属膜9bを形成する為、レーザ光による
エッチングもしくはスタンパ技術を利用できる。レーザ
光を用いる場合、鋸波形に沿ってその強度変調を行ない
ながら樹脂膜をレーザエッチングすることで傾斜面に加
工できる。レーザ光は例えばYAGレーザから出力され
るラインビームを用いることができる。スタンパ法では
予め断面が鋸刃の形状に加工されたスタンパを用いてこ
れを基板2に転写することで傾斜形状を有する樹脂膜を
形成できる。その上に、蒸着又はスパッタリングで金属
膜9bを成膜すればよい。
【0036】図12に示した構成で、液晶3zとして相
変換ゲストホスト型を用いる時は図示の構成のままでよ
い。しかしながら、液晶パネル(LCD)が四分の一波
長層を内蔵したゲストホスト型の場合、背面光源側の構
成を図13に示したものにする必要がある。ここで外付
けした四分の一波長板32は内蔵した四分の一波長層と
ともに二分の一波長板として機能し、偏光板31を通っ
た背面光源30からの直線偏光を偏光方向が90°回転
した直線偏光で出力する。
【0037】以上の様に本実施形態では、内部に光反射
層を有する表示装置において、光反射層が基板に対して
平行ではなくある角度を以て傾斜していることにより、
反射型として使った時の反射率を落とすことなく、透過
型としても使える様にした。図12に示す様に具体的に
は、第1及び第2の透明基板1,2に設けた各電極6,
11は互いに対面してマトリクス状の画素を規定し、光
反射層9は個々の画素に対応して細分化された反射要素
の集合からなる。各反射要素は傾斜平面及び側端面を有
する透明な傾斜凸部9sとこの傾斜平面に選択的に形成
された金属膜9bからなる。前方から入射した光の大部
分は金属膜9bにより鏡面反射する一方、後方から入射
した光の一部分は側端面から透過する。傾斜平面は透明
基板2に対して1°〜45°の範囲で傾斜しており、後
方から入射した光源光の一部分は一つの反射要素に属す
る金属膜9bの裏面で反射した後側端面を通過し、さら
に他の反射要素に属する金属膜9bの表面で反射して前
方に指向する。第1の透明基板1にはブラックマスク4
1に加えて光拡散層42が配されており、光反射層9に
より鏡面反射した光又は光反射層9を透過した光を前方
に向って拡散する。係る構成により、反射モードでの使
用時の明るさを犠牲にすることなく表示装置を透過モー
ドでも使える様にできる。なお、反射型と透過型を両立
する方法として、例えば前述した第4実施形態の様に、
光反射層を100%完全反射の膜とするのではなく、一
部の光を反射し一部の光を透過する半透鏡膜(ハーフミ
ラー)の様な形態にすることが考えられる。しかし、こ
の方法では場合により反射型として見る時光反射層が一
部の光を透過してしまう為、反射率が下がり暗い表示と
なる可能性がある。又、透過型として見る時には背面光
源からの光が一部光反射層によって反射されてしまう為
透過率が下がり、やはり暗い表示となってしまう場合が
ある。本実施形態はこの様なトレードオフの関係を解消
することが可能である。
【0038】図14は、本発明に係る反射型兼透過型表
示装置の第6実施形態を示す模式的な部分断面図であ
る。図示する様に、本表示装置はゲストホスト液晶3を
利用しており、且つ四分の一波長層10を内蔵してい
る。但し、本実施形態はこれに限られるものではなく一
枚の偏光板を用いたECB方式でも同様に応用可能であ
る。図示する様に、光反射層9には微小な開口9cが形
成されている。表示装置の後側に位置する背面光源30
からの光源光を画素毎に設けた開口9cに効率よく集光
する様、背面光源30と基板2との間にマイクロレンズ
35のアレイを配置している。
【0039】背面光源30の輝度が例えば3000ni
tである場合、入射側に偏光板を配置しカラーフィルタ
での光吸収やゲストホスト液晶3での光吸収等を考慮に
入れると、3000nit×0.4×0.7/3=28
0nitの輝度が、開口率100%の時に得られる。一
方反射型として用いる時の明るさをロスしない為には、
反射率に寄与しない開口9cの開口率は10%以下とす
る必要がある。従って、これを例えば5%に設定すると
結局透過型として使用した時の明るさは280nit×
0.05=14nitとなって少々暗過ぎる。これを解
決する為本実施形態では図示する様にマイクロレンズ3
5のアレイシートを用いる。このアレイシートは各マイ
クロレンズ35の焦点位置に開口9cが来る様に配置さ
れている。背面光源30からの光源光はこのマイクロレ
ンズ35によって集光され、効率よく開口9cを通るこ
とになる。マイクロレンズ35による集光効果が3倍に
なれば約40nitの明るさが得られることになり、暗
い環境では十分な明度である。マイクロレンズ35の集
光効率は背面光源30から発する光源光の平行度に依存
している。従って、この光源光の平行度を上げる手法と
して、背面光源30上にプリズムシートを配置すること
もできる。以上の様な構成により、明るい環境で使う時
には外光を利用した反射型で、暗い環境で使う時には背
面光源を利用した透過型とすることにより、いかなる場
所でも使える携帯型機器のディスプレイが得られる。こ
の考え方を別な見地から見れば、基本的には反射型ディ
スプレイであるが、暗い所では背面光源(バックライ
ト)で透過型にもなるということである。従って、透過
型の場合の明るさはせいぜい上述した様に数十nitで
も十分である。これを実現する方法としてマイクロレン
ズを用いた。
【0040】図15は開口9cの配置例を表わす模式的
な平面である。(A)のパタン例では、各画素に1個ず
つ開口9cを配している。(B)のパタン例では、各画
素に2個ずつ開口9cを配している。(A)及び(B)
の何れのパタン例でも、開口9cは画素ピッチと同一か
もしくは整数倍の周期を持つ様にして、マイクロレンズ
35に対応させる。(C)に示す様に、開口9cは円形
でなくともスリット状でもよい。この場合、マイクロレ
ンズ35はx方向にのみ曲率を持つシリンドリカルレン
ズでよいことになる。即ち、(A)及び(B)のパタン
例では個々のマイクロレンズは二次元配列されるが、
(C)の場合一次元配列したものを用いてよいことにな
る。
【0041】図16は第6実施形態の変形例を示す模式
的な部分断面図である。本変形例ではマイクロレンズ3
5は基板2に内蔵した構造となっている。具体的には、
基板2の上に屈折率がn2の透明な樹脂を塗工し、これ
をフォトリソグラフィ及びリフローの手法を用いてマイ
クロレンズ35の形状に加工する。この上を、異なる屈
折率n1を有する透明な平坦化膜35aで被覆する。こ
の平坦化膜35aの上には前述した光反射層9が形成さ
れている。この光反射層9は凸部9aとその上に成膜さ
れた金属膜9bとからなる。金属膜9bの一部は欠損し
ており、ここに光源光が通過する開口9cが設けられ
る。なお、マイクロレンズ35が平行な光源光を集束透
過光に変換する為には、屈折率がn2>n1の関係を満
たす必要がある。
【0042】図17に示す様に、四分の一波長層をパネ
ル内に集積化したゲストホストLCDを透過型及び反射
型兼用で用いる場合、背面光源30とLCDとの間にプ
リズムシート36、偏光板31、四分の一波長板32、
マイクロレンズアレイシート35mを介在させた構造を
採用する。ここで、外付けの四分の一波長板32はLC
Dに内蔵した四分の一波長層とともに二分の一波長板と
して作用し、直線偏光を保持する役目を果たす。
【0043】以上の様に、図14に示した本実施形態で
は第1及び第2の透明基板1,2に設けた各電極6,1
1は互いに対面してマトリクス状の画素を規定し、光反
射層9は個々の画素に対応して細分化された反射要素の
集合からなる。各反射要素は前方から入射した光の大部
分を反射する金属膜9b及び後方から入射した光の一部
を透過する為に金属膜9bの一部を除去した微小な開口
9cを有している。マイクロレンズ35が光反射層9の
後方に位置し、背面光源30から発した光源光を各画素
の開口9cに向けて集光する。好ましくは、この開口9
cは画素に対して1〜10%の面積比で形成されてい
る。開口9cは点状に形成されており、マイクロレンズ
35は画素毎に形成された点状の開口9cに対応してマ
トリクス状に配列している。場合によっては、この開口
9cは線状に形成されており、マイクロレンズ35は画
素の列に沿った線状の開口9cに対応してストライプ状
に配列したものであってもよい。このマイクロレンズ3
5は外付けに代えて第2の透明基板2に集積的に形成し
てもよい。係る構成により、反射型兼透過型表示装置に
おいて、反射型として使用した時の反射率を大幅に低下
させることがない。又、透過型として使用した時の明る
さを十分に確保することが可能である。なお、反射型と
透過型を両立できる様にする方法として、第4実施形態
に示した様に光反射層を100%完全な反射膜とするの
ではなく、一部の光を反射し一部の光を透過するハーフ
ミラーの様な形態にする手段がある。しかし、この方法
では反射型として見る時に光反射層が一部の光を透過し
てしまう為、反射率が下がり暗い表示となってしまう場
合がある。又、透過型として見る時にはバックライトか
らの光が一部光反射層によって反射されてしまう為、透
過率が下がりやはり暗い表示となってしまう場合があ
る。本実施形態はこの様な第4実施形態のトレードオフ
の関係を解消することができる。
【0044】図18は、本発明に係る反射型兼透過型表
示装置の第7実施形態を示す模式的な部分断面図であ
る。従来の反射型液晶表示装置では、照明等の外光が存
在する環境下においては、表示装置としての役割を果た
すが、外光が全く存在しない環境下では、表示装置とし
て全く機能しない。本実施形態では、外光が存在する状
態では、バックライトフリーの反射型モードでの駆動を
実現させ、外光が全く存在しない状態ではバックライト
を利用した透過型モードでの駆動を実現させる。具体的
には、基板2側に形成された画素PXLの境界を、表示
装置の裏側から光が透過する様な構造とする。且つ、対
向側の基板1の内表面には、後方から透過してきた光が
当たる部分に、光を拡散反射させる構造を持つ副散乱層
51を形成している。係る構造により、透過型の表示に
も対応可能な反射型表示装置が得られる。
【0045】図示する様に、反射型と併用可能にする
為、後側の基板2から背面光源30の光源光を透過させ
る。この場合、反射モードで表示する時の有効画素の反
射率をほとんど低下させることがない様に、反射モード
では全く不要な画素PXL間の境界部分をバックライト
から発した光源光の透過用の開口(窓)とする。この開
口に対応する対向基板1の部分に、ブラックマスク41
及び光散乱性の副光反射層51を配置する。さらに、背
面光源30から発した光源光を有効に利用する為、画素
PXL間に整合してマイクロレンズ35を配置する。例
えば、二色性色素5を添加したネガ型のネマティック液
晶4を垂直に配向させ、さらに画素PXLの光散乱層9
の上に四分の一波長層10を配置する。この場合には、
マイクロレンズ35のさらに外側に四分の一波長板32
及び偏光板31を配置する。
【0046】反射モードにおいては、ブラックマスク4
1が画素PXLの境界に沿って配置されている分、余分
な反射がなくコントラストの向上が期待できる。透過モ
ードについては、蛍光管やEL素子等からなる背面光源
30からの光は偏光板31を通過して直線偏光になる。
その偏光方向はゲストホスト液晶3のラビング方向と平
行な方向である。この直線偏光は四分の一波長板32で
一但円偏光になる。さらに、光学的に一軸もしくは二軸
性を有する高分子液晶の様な材料を用いて、光学軸をラ
ビング方向に対して約45°方向に傾けることで、四分
の一波長層10が形成されている。前述した円偏光はこ
の四分の一波長層10を通過することでラビング方向と
垂直な方向の直線偏光に変換される。それ故、この直線
偏光は二色性色素5に吸収されることがほとんどなく、
対向基板1側に達する。この光は副光反射層51により
散乱的に逆反射され、画素PXL上の主光散乱層9に進
み、ここで再反射が起こる。その際、光は四分の一波長
層10を往復通過することで、直線偏光の偏光軸が90
°回転し、ゲストホスト液晶3のラビング方向に平行な
直線偏光となって対向基板1に向って進む。この時、画
素PXLに電圧が印加されていなければ液晶分子4及び
二色性色素5は垂直に配向しているので直線偏光は吸収
されず、カラーフィルタ40によって決定される色を表
示することができる。逆に、電圧が印加されている場合
液晶分子4及び二色性色素5はラビング方向に沿って図
示の様に水平配向するので、二色性色素による吸収が起
こり黒もしくはグレーの表示が可能になる。
【0047】以上の様に、本実施形態では、第1及び第
2の透明基板1,2に設けた各電極は互いに対面してマ
トリクス状の画素PXLを規定し、光反射層9は個々の
画素PXLに対応して細分化された光反射性の主散乱面
と隣り合う画素PXLの境界に配された開口とを有す
る。第1の透明基板1には画素PXLの境界に沿って副
散乱面を備えた光反射層51が形成されており、前方か
ら入射した光の大部分は主散乱面を備えた光反射層9に
より反射する一方、後方から入射した光の一部分は開口
を通過した後副散乱面を備えた光反射層51により逆反
射され、さらに主散乱面を備えた光反射層9で前方に再
反射される。第1の透明基板1には画素PXLの境界に
沿って副散乱面より前方に遮光性のブラックマスク41
が形成されている。本実施形態では電気光学物質として
ホストとなるネマティック液晶4にゲストとなる二色性
色素5を添加したゲストホスト液晶3を用いている。こ
の場合、第2の透明基板2の少くとも画素PXLと整合
する部分には光反射層9とゲストホスト液晶3との間に
介在して外部から入射する光の変調を効率化する四分の
一波長層10が形成されている。本実施形態ではこの四
分の一波長層10は画素PXLの境界に位置する開口ま
で延設されている。この関係で、背面光源30と透明基
板2との間には後方から入射する光源光の変調を可能に
する偏光板31及び四分の一波長板32が介在してい
る。なお、ブラックマスク41上に形成された副光散乱
層51は画素PXL上に形成された主光散乱層9と同様
な構造を有しており、無数の微小凸部とその上に成膜さ
れた金属膜からなる。
【0048】図19は、図18に示した第7実施形態の
変形例を示す模式的な部分断面図である。本変形例では
外付けの四分の一波長板32を取り除き、その代わりに
対向基板1の副光反射層51上に八分の一波長層52を
形成することで、同様な効果を得ている。この八分の一
波長層52は例えば光学的に一軸もしくは二軸性を有す
る高分子液晶の様な材料を用い、光学軸をゲストホスト
液晶3のラビング方向に対して約45°方向に傾けるこ
とで作成可能である。本変形例では内蔵した四分の一波
長層10は画素PXLの境界に位置する開口まで延設さ
れており、背面光源30と第2の透明基板2との間に偏
光板31が介在しており、副散乱面を有する光反射層5
1の上には開口を介して後方から入射した光源光の変調
を可能にする八分の一波長層52が配されている。
【0049】図20は、図18に示した第7実施形態の
他の変形例を示す模式的な部分断面図である。本変形例
では外付けの四分の一波長板と偏光板を取り除き、その
代わりに対向基板1の副光反射層51の上に偏光子53
を設けている。この偏光子53は光学的に一軸もしくは
二軸性を示す高分子液晶に黒の二色性色素を添加した材
料で形成できる。偏光子53の吸収軸をゲストホスト液
晶3のラビング方向に垂直になる様に配置すると、第7
実施形態と同様な効果が得られる。本変形例では、内蔵
の四分の一波長層10は画素PXLの境界に位置する開
口まで延設されており、副散乱面を備える光反射層51
の上には開口を介して後方から入射した光の変調を可能
にする偏光子53が配されている。
【0050】図21は、図18に示した第7実施形態の
別の変形例を示す模式的な部分断面図である。本変形例
では、四分の一波長層10は画素PXLの境界に位置す
る開口から除去されており、背面光源30と第2の透明
基板2との間には後方から入射する光源光の変調を可能
にする偏光板31が配されている。
【0051】図22は、対向基板に形成される光反射層
51の構成例を示す模式図である。(A)に示す様に、
対向基板1にあらかじめ形成されたブラックマスク41
に沿って所定の厚みで金属膜51aを成膜する。その上
をフォトレジストPRで被覆する。続いて(B)に示す
様にオーバーエッチングを行ない、金属膜51aの端面
を傾斜構造にする。これにより、散乱性を備えた光反射
層51を形成することができる。
【0052】図23は本発明に係る反射型兼透過型表示
装置の第8実施形態を示す模式的な断面図である。特徴
事項として、対向基板1の前面側には所定の間隙を介し
て第3の透明基板68が接合している。第1の透明基板
1と第3の透明基板68との間に例えば高分子分散型液
晶60が封入されており、液晶セルを構成する。高分子
分散型液晶60は上下から透明電極によって保持されて
いる。透明電極間に電圧を印加することで、高分子分散
型液晶60は拡散状態と透明状態との間で変化する。な
お、軽量化の為第3の透明基板68は有機フィルムを用
いることもできる。第1の透明基板1の内表面には対向
電極6が形成されている。一方、第2の透明基板10の
内表面には画素電極11が形成されている。ゲストホス
ト液晶3の駆動は薄膜トランジスタ8を介して画素電極
11に印加される電圧により行なう。画素電極11の下
方に位置する光反射層9は鏡面を備えているとともに、
一部が除去されており開口を形成する。背面光源30か
ら発した光源光はこの開口を介して前方に透過する。
【0053】図24を参照して、図23に示した第8実
施形態の反射表示モードを詳細に説明する。(A)は電
圧無印加状態を示し、(B)は電圧印加状態を示してい
る。反射表示では背面光源30及び高分子分散型の液晶
セル65は共にオフ状態である。従って、液晶セル65
は拡散状態になる。入射光は拡散状態にある高分子分散
型液晶60を通過した段階で拡散され、表示パネル内に
入射する。(A)に示す白表示では二色性色素5が基板
に垂直に配向しているので、入射光は光反射層9により
鏡面反射され、パネル外部に出ていく。(B)に示す黒
表示では、二色性色素5が基板に平行に配向している
為、入射光を吸収する。
【0054】図25は、図23に示した第8実施形態の
透過表示モードを示す模式図である。(A)は電圧無印
加状態を示し、(B)は電圧印加状態を示している。透
過表示では、背面光源30及び高分子分散型の液晶セル
65は共にオンであり、液晶セル65は透明状態になっ
ている。拡散板39を介して背面光源30から発した光
源光は偏光板31により直線偏光となる。さらに外付け
の四分の一波長板32及び内蔵の四分の一波長層10を
通過する為、直線偏光は90°回転したまま維持され
る。電圧無印加状態では二色性色素5が垂直配向してい
る為、直線偏光はほとんど吸収されずにパネル外に出て
いき、白表示が得られる。(B)に示す電圧印加状態で
は二色性色素5が基板に対して平行に配向する為、背面
光源30から発した光源光は吸収され、黒表示になる。
【0055】以上の様に、本実施形態では光反射層9は
前方から入射する外光の大部分を鏡面反射する鏡面及び
後方から入射する光源光の一部分を透過する開口を有し
ており、背面光源30は拡散板39を介して前方に向っ
て拡散的な光を発する。第1の透明基板1の前方には外
部から印加される電圧に応じて拡散状態と透明状態との
間で変化する液晶セル65が配されている。この液晶セ
ル65は通常拡散状態に置かれ、光反射層9の鏡面から
前方に鏡面反射した光を拡散的に出射するとともに、必
要に応じ透明状態に置かれ光反射層9の開口から前方に
透過した拡散的な光をそのまま出射する。この液晶セル
65は高分子に液晶を分散した高分子分散型である。係
る構成により、透過/反射型双方の特徴を有する高品位
表示が可能な液晶表示装置を実現できる。従来の液晶表
示装置はパネル外部に備えたバックライトからの透過光
を利用した透過型と、外部からの光を利用した反射型に
大別される。前者は、高コントラストなカラー表示が可
能であるが、強力なバックライトが不可欠になる為、例
えば屋外で使用する場合、消費電力が大きく携帯に不向
きである。又、明るい環境下では逆にコントラストが低
下する。これに対して、反射型ではバックライトが不要
である為消費電力が小さく、明るい環境下ではコントラ
ストが高くなる。しかし絶対的なコントラストは低く高
品位表示は不可能である。本実施形態は、以上の様な従
来の反射型及び透過型表示装置の欠点を改善したもので
ある。
【0056】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、表
示装置は前方に位置し電極を備えた第1の透明基板と、
これから所定の間隙を介して後方に位置し電極を備えた
第2の透明基板と、間隙に保持され入射する光を電極に
印加される電圧に応じて変調し表示を行なう電気光学物
質と、第2の透明基板側に配され入射する光の大部分を
反射するとともに一部分を透過可能な光反射層と、第2
の透明基板より後方に配され必要に応じて前方に向って
光を入射する背面光源とを備えている。係る構成によ
り、反射型兼透過型表示装置が実現できる。明るい環境
下では、前方から後方に向って外部から入射する外光の
大部分を光反射層で前方に反射して表示を行なうととも
に、暗い環境下では後方から前方に向って背面光源から
入射する光源光の一部分を光反射層で遮ることなく前方
に透過して表示を行なうことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第1実
施形態を示す断面図である。
【図2】第1実施形態の動作説明図である。
【図3】第1実施形態の動作説明図である。
【図4】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第2実
施形態を示す断面図である。
【図5】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第2実
施形態の平面図である。
【図6】第2実施形態の全体構成を示す断面図である。
【図7】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第3実
施形態を示す模式図である。
【図8】第3実施形態の説明図である。
【図9】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第4実
施形態を示す部分断面図である。
【図10】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第4
実施形態の部分断面図である。
【図11】第4実施形態の説明に供するグラフである。
【図12】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第5
実施形態を示す断面図である。
【図13】第5実施形態の説明図である。
【図14】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第6
実施形態を示す断面図である。
【図15】第6実施形態の説明に供する平面図である。
【図16】第6実施形態の変形例を示す断面図である。
【図17】第6実施形態の全体構成を示す模式図であ
る。
【図18】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第7
実施形態を示す断面図である。
【図19】第7実施形態の変形例を示す断面図である。
【図20】第7実施形態の他の変形例を示す模式図であ
る。
【図21】第7実施形態の別の変形例を示す断面図であ
る。
【図22】第7実施形態の説明に供する模式図であ
る。。
【図23】本発明に係る反射型兼透過型表示装置の第8
実施形態を示す断面図である。
【図24】第8実施形態の動作説明に供する模式図であ
る。
【図25】第8実施形態の動作説明に供する模式図であ
る。
【図26】従来の透過型表示装置の一例を示す模式図で
ある。
【図27】従来の反射型表示装置の一例を示す模式図で
ある。
【符号の説明】
1・・・基板、2・・・基板、3・・・ゲストホスト液
晶、4・・・液晶分子、5・・・二色性色素、7・・・
配向層、8・・・薄膜トランジスタ、9・・・光反射
層、9a・・・凸部、9b・・・金属膜、9c・・・開
口、10・・・四分の一波長層、11・・・画素電極、
14・・・平坦化層、15・・・配向層、30・・・背
面光源、31・・・偏光板、32・・・四分の一波長板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 重野 信行 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 宗像 昌樹 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 藤岡 隆之 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 川手 靖俊 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 松手 雅隆 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 前方に位置し電極を備えた第1の透明基
    板と、これから所定の間隙を介して後方に位置し電極を
    備えた第2の透明基板と、該間隙に保持され入射する光
    を該電極に印加される電圧に応じて変調し表示を行なう
    電気光学物質と、第2の透明基板側に配され入射する光
    の大部分を反射するとともに一部分を透過可能な光反射
    層と、第2の透明基板より後方に配され必要に応じて前
    方に向って光を入射する背面光源とを備えた反射型兼透
    過型表示装置であって、 通常前方から後方に向って外部から入射する光の大部分
    を該光反射層で前方に反射して表示を行なうとともに、
    必要に応じ後方から前方に向って該背面光源から入射す
    る光の一部分を該光反射層で遮え切ることなく前方に透
    過して表示を行なうことを特徴とする反射型兼透過型表
    示装置。
  2. 【請求項2】 前記電気光学物質はホストとなるネマテ
    ィック液晶にゲストとなる二色性色素を添加したゲスト
    ホスト液晶であり、前記第2の透明基板は該光反射層と
    該ゲストホスト液晶との間に外部から入射する光の変調
    を効率化する四分の一波長層を備えており、前記背面光
    源は該第2の透明基板との間に該背面光源から入射する
    光の変調を可能にする偏光板及び四分の一波長板を備え
    ていることを特徴とする請求項1記載の反射型兼透過型
    表示装置。
  3. 【請求項3】 前記光反射層は平面に沿って形成された
    微細な凸部とその上に成膜された金属膜からなるととも
    に、該金属膜の一部をエッチングで除去した開口を備え
    ており、前方から入射した光の大部分を散乱的に反射す
    る一方後方から入射した光の一部分を該開口から透過す
    ることを特徴とする請求項1記載の反射型兼透過型表示
    装置。
  4. 【請求項4】 前記開口は該凸部の一部に形成されてい
    ることを特徴とする請求項3記載の反射型兼透過型表示
    装置。
  5. 【請求項5】 前記開口は凸部と凸部の間に残された平
    面の一部に形成されていることを特徴とする請求項3記
    載の反射型兼透過型表示装置。
  6. 【請求項6】 前記光反射層は平面に沿って形成された
    微細な凸部と該平面の法線に対して傾斜した方位から蒸
    着又はスパッタリングにより成膜された金属膜からな
    り、前方から入射した光の大部分は凸部に被着した金属
    膜により散乱的に反射される一方後方から入射した光の
    一部は凸部の陰で金属膜が被着して無い箇所から透過す
    ることを特徴とする請求項1記載の反射型兼透過型表示
    装置。
  7. 【請求項7】 前記光反射層は平面に沿って形成された
    微細な凸部とその上に成膜された半透鏡膜からなり、前
    方から入射した光の大部分を散乱的に反射する一方後方
    から入射した光の一部分を透過することを特徴とする請
    求項1記載の反射型兼透過型表示装置。
  8. 【請求項8】 前記半透鏡膜はロジウム、チタン、クロ
    ム、アルミニウム、銀、クロメル又はインコネルからな
    る金属薄膜であることを特徴とする請求項7記載の反射
    型兼透過型表示装置。
  9. 【請求項9】 前記半透鏡膜は誘電体膜であることを特
    徴とする請求項7記載の反射型兼透過型表示装置。
  10. 【請求項10】 前記誘電体膜はZnS,TiO2 又は
    CeO2 からなることを特徴とする請求項9記載の反射
    型兼透過型表示装置。
  11. 【請求項11】 前記半透鏡膜は可視光領域における反
    射率が50〜90%の範囲にあることを特徴とする請求
    項7記載の反射型兼透過型表示装置。
  12. 【請求項12】 前記半透鏡膜は可視光領域における反
    射率が60〜80%の範囲にあることを特徴とする請求
    項7記載の反射型兼透過型表示装置。
  13. 【請求項13】 第1及び第2の透明基板に設けた各電
    極は互いに対面してマトリクス状の画素を規定し、前記
    光反射層は個々の画素に対応して細分化された反射要素
    の集合からなり、各反射要素は傾斜平面及び側端面を有
    する透明な斜形凸部と該傾斜平面に選択的に形成された
    金属膜からなり、前方から入射した光の大部分は該金属
    膜により鏡面反射する一方後方から入射した光の一部分
    は側端面から透過することを特徴とする請求項1記載の
    反射型兼透過型表示装置。
  14. 【請求項14】 前記傾斜平面は透明基板に対して1°
    〜45°の範囲で傾斜しており、後方から入射した光の
    一部分はある反射要素に属する金属膜の裏面で反射した
    後側端面を通過しさらに隣りの反射要素に属する金属膜
    の表面で反射して前方に指向することを特徴とする請求
    項13記載の反射型兼透過型表示装置。
  15. 【請求項15】 前記第1の透明基板には光拡散層が配
    されており、該光反射層により鏡面反射した光又は該光
    反射層を透過した光を前方に向って拡散することを特徴
    とする請求項13記載の反射型兼透過型表示装置。
  16. 【請求項16】 第1及び第2の透明基板に設けた各電
    極は互いに対面してマトリクス状の画素を規定し、前記
    光反射層は個々の画素に対応して細分化された反射要素
    の集合からなり、各反射要素は前方から入射した光の大
    部分を反射する金属膜及び後方から入射した光の一部分
    を透過する為に該金属膜の一部を除去した微小な開口を
    有しており、加えて該光反射層の後方に位置し該背面光
    源から発した光を各画素の開口に向けて集光するマイク
    ロレンズを備えていることを特徴とする請求項1記載の
    反射型兼透過型表示装置。
  17. 【請求項17】 該開口は画素に対して1〜10%の面
    積比で形成されていることを特徴とする請求項16記載
    の反射型兼透過型表示装置。
  18. 【請求項18】 前記開口は点状に形成されており、マ
    イクロレンズは画素毎に形成された点状の開口に対応し
    てマトリクス状に配列していることを特徴とする請求項
    16記載の反射型兼透過型表示装置。
  19. 【請求項19】 前記開口は線状に形成されており、マ
    イクロレンズは画素の列に沿った線状の開口に対応して
    ストライプ状に配列していることを特徴とする請求項1
    6記載の反射型兼透過型表示装置。
  20. 【請求項20】 前記マイクロレンズは該第2の透明基
    板に集積的に形成されていることを特徴とする請求項1
    6記載の反射型兼透過型表示装置。
  21. 【請求項21】 第1及び第2の透明基板に設けた各電
    極は互いに対面してマトリクス状の画素を規定し、前記
    光反射層は個々の画素に対応して細分化された光反射性
    の主散乱面と隣り合う画素の境界に配された開口とを有
    し、第1の透明基板には画素の境界に沿って副散乱面が
    形成されており、前方から入射した光の大部分は主散乱
    面により反射する一方後方から入射した光の一部分は該
    開口を透過した後副散乱面により逆反射されさらに主散
    乱面で前方に再反射することを特徴とする請求項1記載
    の反射型兼透過型表示装置。
  22. 【請求項22】 前記第1の透明基板には画素の境界に
    沿って該副散乱面より前方に遮光性のブラックマスクが
    形成されていることを特徴とする請求項21記載の反射
    型兼透過型表示装置。
  23. 【請求項23】 前記電気光学物質はホストとなるネマ
    ティック液晶にゲストとなる二色性色素を添加したゲス
    トホスト液晶であり、前記第2の透明基板の少くとも画
    素と整合する部分には該光反射層と該ゲストホスト液晶
    との間に介在して外部から入射する光の変調を効率化す
    る四分の一波長層が形成されていることを特徴とする請
    求項21記載の反射型兼透過型表示装置。
  24. 【請求項24】 前記四分の一波長層は画素の境界に位
    置する開口まで延設されており、前記背面光源と前記第
    2の透明基板との間には後方から入射する光の変調を可
    能にする偏光板及び四分の一波長板が介在していること
    を特徴とする請求項23記載の反射型兼透過型表示装
    置。
  25. 【請求項25】 前記四分の一波長層は画素の境界に位
    置する開口まで延設されており、前記背面光源と前記第
    2の透明基板との間に偏光板が介在しており、前記副散
    乱面の上には開口を介して後方から入射した光の変調を
    可能にする八分の一波長層が配されていることを特徴と
    する請求項23記載の反射型兼透過型表示装置。
  26. 【請求項26】 前記四分の一波長層は画素の境界に位
    置する開口まで延設されており、前記副散乱面の上には
    開口を介して後方から入射した光の変調を可能にする偏
    光子が配されていることを特徴とする請求項23記載の
    反射型兼透過型表示装置。
  27. 【請求項27】 前記四分の一波長層は画素の境界に位
    置する開口から除去されており、前記背面光源と前記第
    2の透明基板との間には後方から入射する光の変調を可
    能にする偏光板が配されていることを特徴とする請求項
    23記載の反射型兼透過型表示装置。
  28. 【請求項28】 前記光反射層は前方から入射する光の
    大部分を鏡面反射する鏡面及び後方から入射する光の一
    部分を透過する開口を有しており、前記背面光源は前方
    に向って拡散的な光を発し、前記第1の透明基板の前方
    には外部から印加される電圧に応じて拡散状態と透明状
    態との間で変化する液晶セルが配されており、通常は拡
    散状態におかれ該鏡面から前方に鏡面反射した光を拡散
    的に出射するとともに、必要に応じ透明状態におかれ該
    開口から前方に透過した拡散的な光をそのまま出射する
    ことを特徴とする請求項1記載の反射型兼透過型表示装
    置。
  29. 【請求項29】 前記液晶セルは高分子に液晶を分散し
    た高分子分散型であることを特徴とする請求項28記載
    の反射型兼透過型表示装置。
  30. 【請求項30】 前方に位置し電極を備えた第1の透明
    基板と、これから所定の間隙を介して後方に位置し電極
    を備えた第2の透明基板と、該間隙に保持され入射する
    光を該電極に印加される電圧に応じて変調し表示を行な
    う電気光学物質と、第2の透明基板側に配され入射する
    光の大部分を反射するとともに一部分を透過可能な光反
    射層と、第2の透明基板より後方に配され必要に応じて
    前方に向って光を入射する背面光源とを備え、 通常前方から後方に向って外部から入射する光の大部分
    を該光反射層で前方に反射して表示を行なうとともに、
    必要に応じ後方から前方に向って該背面光源から入射す
    る光の一部分を該光反射層で遮え切ることなく前方に透
    過して表示を行ない、 第1及び第2の透明基板に設けた各電極は互いに対面し
    てマトリクス状の画素を規定し、前記光反射層は個々の
    画素に対応して細分化された反射要素の集合からなり、
    各反射要素は前方から入射した光の大部分を反射する金
    属膜及び後方から入射した光の一部分を透過する為に該
    金属膜の一部を除去した微小な開口を有しており、加え
    て該光反射層の後方に位置し該背面光源から発した光を
    各画素の開口に向けて集光するマイクロレンズを備えて
    いることを特徴とする反射型兼透過型表示装置。
  31. 【請求項31】 前方に位置し電極を備えた第1の透明
    基板と、これから所定の間隙を介して後方に位置し電極
    を備えた第2の透明基板と、該間隙に保持され入射する
    光を該電極に印加される電圧に応じて変調し表示を行な
    う電気光学物質と、第2の透明基板側に配され入射する
    光の大部分を反射するとともに一部分を透過可能な光反
    射層と、第2の透明基板より後方に配され必要に応じて
    前方に向って光を入射する背面光源とを備え、 通常前方から後方に向って外部から入射する光の大部分
    を該光反射層で前方に反射して表示を行なうとともに、
    必要に応じ後方から前方に向って該背面光源から入射す
    る光の一部分を該光反射層で遮え切ることなく前方に透
    過して表示を行ない、 前記電気光学物質はホストとなるネマティック液晶にゲ
    ストとなる二色性色素を添加したゲストホスト液晶であ
    り、前記第2の透明基板は該光反射層と該ゲストホスト
    液晶との間に外部から入射する光の変調を効率化する四
    分の一波長層を備えており、前記背面光源は該第2の透
    明基板との間に該背面光源から入射する光の変調を可能
    にする偏光板及び四分の一波長板を備えていることを特
    徴とする反射型兼透過型表示装置。
JP11615597A 1997-03-21 1997-04-18 反射型兼透過型表示装置 Expired - Fee Related JP3666181B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11615597A JP3666181B2 (ja) 1997-03-21 1997-04-18 反射型兼透過型表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8774697 1997-03-21
JP9-87746 1997-03-21
JP11615597A JP3666181B2 (ja) 1997-03-21 1997-04-18 反射型兼透過型表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10325953A true JPH10325953A (ja) 1998-12-08
JP3666181B2 JP3666181B2 (ja) 2005-06-29

Family

ID=26429001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11615597A Expired - Fee Related JP3666181B2 (ja) 1997-03-21 1997-04-18 反射型兼透過型表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3666181B2 (ja)

Cited By (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11242226A (ja) * 1997-12-26 1999-09-07 Sharp Corp 液晶表示装置
WO1999053369A1 (en) * 1998-04-08 1999-10-21 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic device
JP2000347219A (ja) * 1999-03-29 2000-12-15 Sharp Corp 液晶表示装置
WO2001004695A1 (en) * 1999-07-07 2001-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Translucent liquid crystal display device
JP2001075091A (ja) * 1999-07-07 2001-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半透過型液晶表示装置
JP2001209044A (ja) * 1999-11-18 2001-08-03 Seiko Instruments Inc 液晶表示素子、及びその製造方法
JP2001264750A (ja) * 2000-03-23 2001-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネルおよびその駆動方法と画像表示装置と投射型表示装置とビューファインダと光受信方法と光伝送装置
JP2001356337A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Kyocera Corp 半透過型液晶表示装置
JP2002090742A (ja) * 2000-09-19 2002-03-27 Sony Corp 液晶表示装置
JP2002098951A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Sony Corp 半透過型液晶表示装置
JP2002169150A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 液晶表示装置
EP1111436A3 (en) * 1999-12-22 2002-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective liquid crystal display device
JP2002311445A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Hitachi Ltd 液晶表示装置
WO2002091071A1 (fr) * 2001-05-07 2002-11-14 Nec Corporation Element d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication
JP2002333621A (ja) * 2001-05-11 2002-11-22 Dainippon Printing Co Ltd 半透過型液晶表示装置およびそれに用いられる半透過反射板の製造方法
KR100394023B1 (ko) * 1998-08-06 2003-10-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 반사형 액정표시장치
KR100439925B1 (ko) * 2000-11-22 2004-07-12 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치
JP2004199050A (ja) * 2002-12-06 2004-07-15 Citizen Watch Co Ltd 反射性基板とそれを用いた液晶表示パネル
JP2005031641A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Casio Comput Co Ltd 表示装置およびその表示装置の製造方法
JP2005266206A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示装置
KR100528626B1 (ko) * 2001-12-14 2005-11-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반투과·반사형 전기 광학 장치, 전자 기기, 및반투과·반사형 전기 광학 장치의 제조 방법
JP2006099056A (ja) * 2004-09-27 2006-04-13 Idc Llc 背面照明を使用して光干渉変調器を照明するシステム及び方法
KR100597813B1 (ko) * 1999-10-01 2006-07-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시장치
KR100603927B1 (ko) * 1999-11-11 2006-07-24 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치
JP2006251307A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Toppoly Optoelectronics Corp 半透過型液晶ディスプレイ装置およびその製造方法
US7142770B2 (en) 2001-09-20 2006-11-28 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and production method therefor
KR100660531B1 (ko) * 1999-09-02 2006-12-22 삼성전자주식회사 반사투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치
WO2008093467A1 (ja) * 2007-01-31 2008-08-07 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
JP2009025578A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US7580096B2 (en) 2001-08-01 2009-08-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7609342B2 (en) 2001-10-22 2009-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display for enhancing reflection and method of manufacturing the same
KR100989256B1 (ko) * 2002-12-30 2010-10-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
EP2284437A1 (en) * 2001-12-05 2011-02-16 Rambus International Ltd Transreflector and display with transreflector
US8013831B2 (en) 2004-09-27 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods and devices for lighting displays
JP2011191750A (ja) * 2010-02-19 2011-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US8054532B2 (en) 1994-05-05 2011-11-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing illumination to interferometric modulators
US8289461B2 (en) 2007-01-24 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8384860B2 (en) 2007-06-26 2013-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device
US8421967B2 (en) 2006-12-14 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device
CN103529592A (zh) * 2013-10-18 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示装置
US8659726B2 (en) 2007-04-13 2014-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US8971675B2 (en) 2006-01-13 2015-03-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US8979349B2 (en) 2009-05-29 2015-03-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
US9019590B2 (en) 2004-02-03 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US9019183B2 (en) 2006-10-06 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical loss structure integrated in an illumination apparatus
US9025235B2 (en) 2002-12-25 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical interference type of color display having optical diffusion layer between substrate and electrode
US9110289B2 (en) 1998-04-08 2015-08-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device for modulating light with multiple electrodes
JP2018063403A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
CN112882294A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 夏普株式会社 液晶显示面板
CN114236938A (zh) * 2021-12-29 2022-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种反射式显示面板、制作方法以及显示装置
WO2023173479A1 (zh) * 2022-03-16 2023-09-21 广州华星光电半导体显示技术有限公司 背光模组及显示装置

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8054532B2 (en) 1994-05-05 2011-11-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing illumination to interferometric modulators
US7542116B2 (en) 1997-12-26 2009-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US7859620B2 (en) 1997-12-26 2010-12-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US6563554B2 (en) 1997-12-26 2003-05-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US8427608B2 (en) 1997-12-26 2013-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JPH11242226A (ja) * 1997-12-26 1999-09-07 Sharp Corp 液晶表示装置
US7394511B2 (en) 1997-12-26 2008-07-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US7050132B2 (en) 1997-12-26 2006-05-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US6900863B2 (en) 1997-12-26 2005-05-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
WO1999053369A1 (en) * 1998-04-08 1999-10-21 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic device
US9110289B2 (en) 1998-04-08 2015-08-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device for modulating light with multiple electrodes
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6680765B1 (en) 1998-04-08 2004-01-20 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic apparatus
KR100394023B1 (ko) * 1998-08-06 2003-10-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 반사형 액정표시장치
JP2000347219A (ja) * 1999-03-29 2000-12-15 Sharp Corp 液晶表示装置
EP1113308A4 (en) * 1999-07-07 2006-07-05 Matsushita Electric Industrial Co Ltd TRANSLUCENT LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
WO2001004695A1 (en) * 1999-07-07 2001-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Translucent liquid crystal display device
JP2001075091A (ja) * 1999-07-07 2001-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半透過型液晶表示装置
US6727965B1 (en) 1999-07-07 2004-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semitransparent liquid crystal display device
KR100446562B1 (ko) * 1999-07-07 2004-09-04 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반투과형 액정 표시장치
KR100660531B1 (ko) * 1999-09-02 2006-12-22 삼성전자주식회사 반사투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치
KR100597813B1 (ko) * 1999-10-01 2006-07-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시장치
KR100603927B1 (ko) * 1999-11-11 2006-07-24 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치
JP2001209044A (ja) * 1999-11-18 2001-08-03 Seiko Instruments Inc 液晶表示素子、及びその製造方法
EP1111436A3 (en) * 1999-12-22 2002-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective liquid crystal display device
US6597421B1 (en) 1999-12-22 2003-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective liquid crystal display element and image display device using the same
JP2001264750A (ja) * 2000-03-23 2001-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネルおよびその駆動方法と画像表示装置と投射型表示装置とビューファインダと光受信方法と光伝送装置
JP2001356337A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Kyocera Corp 半透過型液晶表示装置
JP2002090742A (ja) * 2000-09-19 2002-03-27 Sony Corp 液晶表示装置
JP2002098951A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Sony Corp 半透過型液晶表示装置
KR100439925B1 (ko) * 2000-11-22 2004-07-12 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치
JP2002169150A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 液晶表示装置
JP2002311445A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Hitachi Ltd 液晶表示装置
CN100510881C (zh) 2001-05-07 2009-07-08 日本电气株式会社 液晶显示元件及其制造方法
JP2002333619A (ja) * 2001-05-07 2002-11-22 Nec Corp 液晶表示素子およびその製造方法
WO2002091071A1 (fr) * 2001-05-07 2002-11-14 Nec Corporation Element d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication
JP2002333621A (ja) * 2001-05-11 2002-11-22 Dainippon Printing Co Ltd 半透過型液晶表示装置およびそれに用いられる半透過反射板の製造方法
US7580096B2 (en) 2001-08-01 2009-08-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7965356B2 (en) 2001-08-01 2011-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid display device and method for fabricating the same
US7142770B2 (en) 2001-09-20 2006-11-28 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and production method therefor
US7609342B2 (en) 2001-10-22 2009-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display for enhancing reflection and method of manufacturing the same
EP2284437A1 (en) * 2001-12-05 2011-02-16 Rambus International Ltd Transreflector and display with transreflector
KR100528626B1 (ko) * 2001-12-14 2005-11-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반투과·반사형 전기 광학 장치, 전자 기기, 및반투과·반사형 전기 광학 장치의 제조 방법
JP2004199050A (ja) * 2002-12-06 2004-07-15 Citizen Watch Co Ltd 反射性基板とそれを用いた液晶表示パネル
US9025235B2 (en) 2002-12-25 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical interference type of color display having optical diffusion layer between substrate and electrode
KR100989256B1 (ko) * 2002-12-30 2010-10-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP2005031641A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Casio Comput Co Ltd 表示装置およびその表示装置の製造方法
US9019590B2 (en) 2004-02-03 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
JP2005266206A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示装置
US8013831B2 (en) 2004-09-27 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods and devices for lighting displays
JP2011039536A (ja) * 2004-09-27 2011-02-24 Qualcomm Mems Technologies Inc 背面照明を使用して光干渉変調器を照明するシステム及び方法
JP2006099056A (ja) * 2004-09-27 2006-04-13 Idc Llc 背面照明を使用して光干渉変調器を照明するシステム及び方法
JP2006251307A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Toppoly Optoelectronics Corp 半透過型液晶ディスプレイ装置およびその製造方法
US8971675B2 (en) 2006-01-13 2015-03-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US9019183B2 (en) 2006-10-06 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical loss structure integrated in an illumination apparatus
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
US8421967B2 (en) 2006-12-14 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device
US8289461B2 (en) 2007-01-24 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
WO2008093467A1 (ja) * 2007-01-31 2008-08-07 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
CN101600987B (zh) 2007-01-31 2011-09-21 夏普株式会社 液晶显示装置
JPWO2008093467A1 (ja) * 2007-01-31 2010-05-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
US8659726B2 (en) 2007-04-13 2014-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display
US8384860B2 (en) 2007-06-26 2013-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device
JP2009025578A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US9121979B2 (en) 2009-05-29 2015-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
US8979349B2 (en) 2009-05-29 2015-03-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
JP2011191750A (ja) * 2010-02-19 2011-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
CN103529592A (zh) * 2013-10-18 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示装置
CN103529592B (zh) * 2013-10-18 2016-01-27 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示装置
JP2018063403A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
CN112882294A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 夏普株式会社 液晶显示面板
US11428981B2 (en) * 2019-11-29 2022-08-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel
CN112882294B (zh) * 2019-11-29 2024-04-02 夏普株式会社 液晶显示面板
CN114236938A (zh) * 2021-12-29 2022-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种反射式显示面板、制作方法以及显示装置
WO2023173479A1 (zh) * 2022-03-16 2023-09-21 广州华星光电半导体显示技术有限公司 背光模组及显示装置
US11841524B2 (en) 2022-03-16 2023-12-12 Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Backlight module and display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3666181B2 (ja) 2005-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3666181B2 (ja) 反射型兼透過型表示装置
JP4060332B2 (ja) 液晶表示装置
US6266108B1 (en) Reflective liquid crystal display device with a panel, a light guide plate and polarizing plate
US6833891B2 (en) Reflective liquid crystal display using cholesteric polymers
JP4727629B2 (ja) 液晶表示装置
US7327421B2 (en) Liquid crystal display device
JP2000200049A (ja) 反射型表示装置
KR100423685B1 (ko) 투과 반사기 및 투과 반사성 디스플레이 장치
JP2001154181A (ja) 液晶表示装置
KR101432567B1 (ko) 액정표시장치
US7502085B2 (en) Display device having functional transparent plate in prismatic structure on retarder provided on polarizer above display panel assembly
JP3543606B2 (ja) 反射型表示装置
KR100663074B1 (ko) 위상차층을 포함하는 반사투과형 액정표시장치
JPH0915575A (ja) 可変焦点レンズ素子および光導波路
JPH09105929A (ja) 液晶表示装置
JP3648870B2 (ja) 液晶表示装置
JPH09211496A (ja) 反射型ゲストホスト液晶表示装置
JPH10111502A (ja) 反射型ゲストホスト液晶表示装置
JP3367853B2 (ja) 反射型液晶表示装置
JP2003195319A (ja) 液晶表示装置および電子機器
US7405878B2 (en) Method of transforming a light beam, optical film for performing the method, and display device having the optical film
JPH07152029A (ja) 表示素子
KR100503600B1 (ko) 액정표시패널과 그 구동장치 및 그 방법
JP2001209048A (ja) 液晶表示装置
TWI231874B (en) Liquid crystal display having high brightness and wide viewing angle

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041130

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050131

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050328

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080415

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees