JPH10326572A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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- JPH10326572A JPH10326572A JP9136965A JP13696597A JPH10326572A JP H10326572 A JPH10326572 A JP H10326572A JP 9136965 A JP9136965 A JP 9136965A JP 13696597 A JP13696597 A JP 13696597A JP H10326572 A JPH10326572 A JP H10326572A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 38
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001275 scanning Auger electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部放電ガス圧の一定したＰＤＰを製造す
る。 【解決手段】 前面ガラス基板１と背面ガラス基板３と
からなるプラズマディスプレイパネル組立体Ｔを密閉空
間に位置させて、当該空間を真空排気したのち放電ガス
を前記空間に供給し、その後、前記プラズマディスプレ
イパネル組立体を封着するプラズマディスプレイパネル
を製造するにあたり、前記ガラス基板の一方に通気孔２
を設けたものを使用してプラズマディスプレイパネル組
立体を封着したのち、前記通気孔をシールガラス板８に
より封止するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
る。 【解決手段】 前面ガラス基板１と背面ガラス基板３と
からなるプラズマディスプレイパネル組立体Ｔを密閉空
間に位置させて、当該空間を真空排気したのち放電ガス
を前記空間に供給し、その後、前記プラズマディスプレ
イパネル組立体を封着するプラズマディスプレイパネル
を製造するにあたり、前記ガラス基板の一方に通気孔２
を設けたものを使用してプラズマディスプレイパネル組
立体を封着したのち、前記通気孔をシールガラス板８に
より封止するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰという）の製造方法に関する
ものである。
レイパネル（以下、ＰＤＰという）の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰの製造方法として種々の方法が提
案されているが、その１つとして、図６，７に示すよう
に、前面ガラス基板１と背面ガラス基板２との対向面に
従来同様、電極（図示せず）および隔壁２ａを設け、両
ガラス基板１，２のうち、たとえば背面ガラス基板２の
前記対向面の外周部に低融点ガラス等のシール用封着材
４ａをディスペンサー等で塗布し、さらにその上にスペ
ーサ用封着材４ｂを所定間隔にて設けたのち乾燥し、こ
の背面ガラス基板２と前面ガラス基板１をクランプ金具
５にて固定してＰＤＰ組立体Ｔとする。そして、このＰ
ＤＰ組立体Ｔを密閉炉内に装入して３００〜４００℃に
加熱するとともに炉内を排気することで、同時に両ガラ
ス基板１，２の脱ガスを行なう。この場合、炉の昇温速
度は３〜１５℃／分、排気は１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒ程
度とする。前記のようにして、炉内を所定真空度として
炉内排気と両ガラス基板１，２からの脱ガスが完了する
と、炉内に、たとえば、ネオンガス等の放電ガスを供給
（所期の封入ガス圧を得るのに必要な量）することで、
ガラス基板間に放電ガスを導入する。その後、さらに炉
内温度を封着材４ａ，４ｂの軟化温度である４００〜５
００℃に上昇させて前記封着材を軟化させて封着処理し
て両ガラス基板１，２内に放電ガスを封入することで、
ＰＤＰとするものである。
案されているが、その１つとして、図６，７に示すよう
に、前面ガラス基板１と背面ガラス基板２との対向面に
従来同様、電極（図示せず）および隔壁２ａを設け、両
ガラス基板１，２のうち、たとえば背面ガラス基板２の
前記対向面の外周部に低融点ガラス等のシール用封着材
４ａをディスペンサー等で塗布し、さらにその上にスペ
ーサ用封着材４ｂを所定間隔にて設けたのち乾燥し、こ
の背面ガラス基板２と前面ガラス基板１をクランプ金具
５にて固定してＰＤＰ組立体Ｔとする。そして、このＰ
ＤＰ組立体Ｔを密閉炉内に装入して３００〜４００℃に
加熱するとともに炉内を排気することで、同時に両ガラ
ス基板１，２の脱ガスを行なう。この場合、炉の昇温速
度は３〜１５℃／分、排気は１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒ程
度とする。前記のようにして、炉内を所定真空度として
炉内排気と両ガラス基板１，２からの脱ガスが完了する
と、炉内に、たとえば、ネオンガス等の放電ガスを供給
（所期の封入ガス圧を得るのに必要な量）することで、
ガラス基板間に放電ガスを導入する。その後、さらに炉
内温度を封着材４ａ，４ｂの軟化温度である４００〜５
００℃に上昇させて前記封着材を軟化させて封着処理し
て両ガラス基板１，２内に放電ガスを封入することで、
ＰＤＰとするものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記方法でＰＤＰを製
造したところ、ＰＤＰ内の放電ガスの封入ガス圧に±１
０％以上のバラツキがあり、種々支障を来すことが判明
した。そこで、本発明者らは、その原因につき検討した
ところ、下記理由によることを知見した。すなわち、前
記両ガラス基板１，２はその外縁部に設けたスペーサ用
封着材４ｂにより内外が連通状態であることから、炉内
温度の上昇につれて封着材４ａ，４ｂが軟化し、封着材
４ａ，４ｂが両ガラス基板１，２の対向外縁部を封止す
る瞬間におけるＰＤＰの内外の圧力は同一である。この
時の両ガラス基板１，２間の隙間Ｄは、封着材４ａ，４
ｂの塗布状態により決定される。その後、炉内温度をさ
らに上昇させると封着材４ａ，４ｂの軟化がさらに進行
するとともに、クランプ金具５による押圧力により両ガ
ラス基板１，２が封着され、両ガラス基板１，２間の距
離が所期の隙間ｄ（封着完了時の封着材４の厚み）とな
る。つまり、前述のように、両ガラス基板１，２の外縁
部が封止された後、その間隙は所定値まで減少する（Ｄ
→ｄ）ため、ＰＤＰ内の封入ガス圧Ｐ1′は両ガラス基
板１，２の外縁部内の面積をＳ、放電ガス供給完了時の
炉内圧をＰ1とすると、Ｐ1×Ｄ×Ｓ＝Ｐ1′×ｄ×Ｓ
∴ Ｐ1′＝Ｐ1（Ｄ／ｄ） となる。ここで、Ｄ＝２
００μ、ｄ＝１５０μ、Ｐ1＝５００Ｔｏｒｒ とする
と、Ｐ1′＝６６７Ｔｏｒｒ となり、ＰＤＰ内の封入
ガス圧が大きく変化する。
造したところ、ＰＤＰ内の放電ガスの封入ガス圧に±１
０％以上のバラツキがあり、種々支障を来すことが判明
した。そこで、本発明者らは、その原因につき検討した
ところ、下記理由によることを知見した。すなわち、前
記両ガラス基板１，２はその外縁部に設けたスペーサ用
封着材４ｂにより内外が連通状態であることから、炉内
温度の上昇につれて封着材４ａ，４ｂが軟化し、封着材
４ａ，４ｂが両ガラス基板１，２の対向外縁部を封止す
る瞬間におけるＰＤＰの内外の圧力は同一である。この
時の両ガラス基板１，２間の隙間Ｄは、封着材４ａ，４
ｂの塗布状態により決定される。その後、炉内温度をさ
らに上昇させると封着材４ａ，４ｂの軟化がさらに進行
するとともに、クランプ金具５による押圧力により両ガ
ラス基板１，２が封着され、両ガラス基板１，２間の距
離が所期の隙間ｄ（封着完了時の封着材４の厚み）とな
る。つまり、前述のように、両ガラス基板１，２の外縁
部が封止された後、その間隙は所定値まで減少する（Ｄ
→ｄ）ため、ＰＤＰ内の封入ガス圧Ｐ1′は両ガラス基
板１，２の外縁部内の面積をＳ、放電ガス供給完了時の
炉内圧をＰ1とすると、Ｐ1×Ｄ×Ｓ＝Ｐ1′×ｄ×Ｓ
∴ Ｐ1′＝Ｐ1（Ｄ／ｄ） となる。ここで、Ｄ＝２
００μ、ｄ＝１５０μ、Ｐ1＝５００Ｔｏｒｒ とする
と、Ｐ1′＝６６７Ｔｏｒｒ となり、ＰＤＰ内の封入
ガス圧が大きく変化する。
【０００４】また、封着材４ａ，４ｂは前述のようにデ
ィスペンサー等で形成されるが、その量および形状を完
全に同一にすることは不可能であるから、両ガラス基板
１，２が封止する瞬間の隙間Ｄを正確に制御することが
できない。このため、封着材４ａ，４ｂによる両ガラス
基板１，２の封止開始時からの押込量が一定とならない
ため、予め押込量に見合ったガス圧力を導入してＰＤＰ
内の封入ガス圧を一定にすることができないことに起因
することを知見した。したがって、本発明は、封着材の
形成状態に関係なく、常に、ＰＤＰ内の放電ガスの封入
ガス圧を一定とすることのできるＰＤＰの製造方法を提
供することを第１目的とする。また、前記方法を実施す
るにあたり、ゲッタ材を活性化するゲッタ付きＰＤＰの
製造方法を提供することを第２目的とする。
ィスペンサー等で形成されるが、その量および形状を完
全に同一にすることは不可能であるから、両ガラス基板
１，２が封止する瞬間の隙間Ｄを正確に制御することが
できない。このため、封着材４ａ，４ｂによる両ガラス
基板１，２の封止開始時からの押込量が一定とならない
ため、予め押込量に見合ったガス圧力を導入してＰＤＰ
内の封入ガス圧を一定にすることができないことに起因
することを知見した。したがって、本発明は、封着材の
形成状態に関係なく、常に、ＰＤＰ内の放電ガスの封入
ガス圧を一定とすることのできるＰＤＰの製造方法を提
供することを第１目的とする。また、前記方法を実施す
るにあたり、ゲッタ材を活性化するゲッタ付きＰＤＰの
製造方法を提供することを第２目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、前面ガラス基板と背面ガラス基板とから
なるプラズマディスプレイパネル組立体を密閉空間に位
置させて、当該空間を真空排気したのち放電ガスを前記
空間に供給し、その後、前記プラズマディスプレイパネ
ル組立体を封着するプラズマディスプレイパネルの製造
方法において、前記ガラス基板の一方に通気孔を設けた
ものを使用してプラズマディスプレイパネル組立体を封
着したのち、前記通気孔を封止するものである。また、
前記通気孔を介してゲッタ材をプラズマディスプレイパ
ネル組立体内に位置させて封着したのち、前記通気孔を
封止するものである。
成するために、前面ガラス基板と背面ガラス基板とから
なるプラズマディスプレイパネル組立体を密閉空間に位
置させて、当該空間を真空排気したのち放電ガスを前記
空間に供給し、その後、前記プラズマディスプレイパネ
ル組立体を封着するプラズマディスプレイパネルの製造
方法において、前記ガラス基板の一方に通気孔を設けた
ものを使用してプラズマディスプレイパネル組立体を封
着したのち、前記通気孔を封止するものである。また、
前記通気孔を介してゲッタ材をプラズマディスプレイパ
ネル組立体内に位置させて封着したのち、前記通気孔を
封止するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の態様につ
いて図にもとづいて説明する。本発明の第１の実施の形
態は、前記前面ガラス基板１あるいは背面ガラス基板２
のいずれか一方のガラス基板に通気孔３を設けたものを
使用し、この両ガラス基板１，２からなるＰＤＰ組立体
Ｔを封着したのち、前記通気孔３を封止するようにした
ものである。
いて図にもとづいて説明する。本発明の第１の実施の形
態は、前記前面ガラス基板１あるいは背面ガラス基板２
のいずれか一方のガラス基板に通気孔３を設けたものを
使用し、この両ガラス基板１，２からなるＰＤＰ組立体
Ｔを封着したのち、前記通気孔３を封止するようにした
ものである。
【０００７】すなわち、図１に示すように、たとえば、
背面ガラス基板２のシール用封着材塗布部よりやや内方
に通気孔３を設け、この通気孔３を囲むように、低融点
ガラスからなる最終封着材６を位置させる。この最終封
着材６は前記シール用、スペース用封着材４ａ，４ｂよ
り軟化点が高い材料により成型したもので、図２
（Ａ），（Ｂ）に示すようにＣ形状や側壁に溝を形成し
たリング形状をし、前者の開口、後者の溝をガス流通孔
７としたものである。表面ガラス基板１と背面ガラス基
板２とは、背面ガラス基板２の外縁部にシール用、スペ
ース用封着材４ａ，４ｂを塗布して乾燥・仮焼成した
後、クランプ金具５により背面ガラス基板２を上側とし
て組付けてＰＤＰ組立体Ｔとする。このＰＤＰ組立体Ｔ
の内外は連通状態となっている。なお、シール用、スペ
ース用封着材４ａ，４ｂとしては、たとえば日本電気硝
子（株）製ＬＳ−０１１８…軟化点３９０℃、最終封着
材６としては、たとえば同社製ＬＳ−０２０６…軟化点
４１０℃などが使用できる。
背面ガラス基板２のシール用封着材塗布部よりやや内方
に通気孔３を設け、この通気孔３を囲むように、低融点
ガラスからなる最終封着材６を位置させる。この最終封
着材６は前記シール用、スペース用封着材４ａ，４ｂよ
り軟化点が高い材料により成型したもので、図２
（Ａ），（Ｂ）に示すようにＣ形状や側壁に溝を形成し
たリング形状をし、前者の開口、後者の溝をガス流通孔
７としたものである。表面ガラス基板１と背面ガラス基
板２とは、背面ガラス基板２の外縁部にシール用、スペ
ース用封着材４ａ，４ｂを塗布して乾燥・仮焼成した
後、クランプ金具５により背面ガラス基板２を上側とし
て組付けてＰＤＰ組立体Ｔとする。このＰＤＰ組立体Ｔ
の内外は連通状態となっている。なお、シール用、スペ
ース用封着材４ａ，４ｂとしては、たとえば日本電気硝
子（株）製ＬＳ−０１１８…軟化点３９０℃、最終封着
材６としては、たとえば同社製ＬＳ−０２０６…軟化点
４１０℃などが使用できる。
【０００８】ついで、前記最終封着材６上にシールガラ
ス板８を載置するとともに、背面ガラス基板２上にステ
ンレス鋼等からなる組付治具９を載置し、この組付治具
９との間に介在したスプリング１１により前記シールガ
ラス板８を最終封着材６に圧着した状態とする。そし
て、密閉炉内に装入して図３のヒートカーブにしたがっ
て、３４０〜３７０℃に加熱するとともに炉内を排気す
ることで、同時に両ガラス基板１，２の脱ガスを行な
う。この場合、炉の昇温速度は約３℃／分、排気は１０
-6〜１０-7Ｔｏｒｒ程度である。そして、前記３４０〜
３７０℃で一定時間均熱して前記両ガラス基板１，２の
脱ガスを確実に行なう。前記のようにして、炉内を所定
真空度とし炉内排気と両ガラス基板１，２からの脱ガス
が完了すると、炉内を４１０〜４７０℃に再昇温する。
ス板８を載置するとともに、背面ガラス基板２上にステ
ンレス鋼等からなる組付治具９を載置し、この組付治具
９との間に介在したスプリング１１により前記シールガ
ラス板８を最終封着材６に圧着した状態とする。そし
て、密閉炉内に装入して図３のヒートカーブにしたがっ
て、３４０〜３７０℃に加熱するとともに炉内を排気す
ることで、同時に両ガラス基板１，２の脱ガスを行な
う。この場合、炉の昇温速度は約３℃／分、排気は１０
-6〜１０-7Ｔｏｒｒ程度である。そして、前記３４０〜
３７０℃で一定時間均熱して前記両ガラス基板１，２の
脱ガスを確実に行なう。前記のようにして、炉内を所定
真空度とし炉内排気と両ガラス基板１，２からの脱ガス
が完了すると、炉内を４１０〜４７０℃に再昇温する。
【０００９】一方、炉内空間に、たとえば、ネオンガス
等の放電ガスを前記均熱中の後半（脱ガスの完了時点）
で導入する。この放電ガスは、加熱されて温度が高いた
め、ＰＤＰの常温における所定圧力を保持する必要上、
たとえば４５０℃においては常温時の所定圧力（放電ガ
スの封入ガス圧）の約２．４倍の圧力とする必要があ
る。
等の放電ガスを前記均熱中の後半（脱ガスの完了時点）
で導入する。この放電ガスは、加熱されて温度が高いた
め、ＰＤＰの常温における所定圧力を保持する必要上、
たとえば４５０℃においては常温時の所定圧力（放電ガ
スの封入ガス圧）の約２．４倍の圧力とする必要があ
る。
【００１０】ところで、前記封着材４ａ，４ｂは図３の
Ａ点にて軟化を開始して両ガラス基板１，２の外縁部は
封止される。この瞬間の両ガラス基板１，２内の圧力Ｐ
1と炉内圧Ｐ2とは同じである（Ｐ1＝Ｐ2）。その後、炉
内温度の昇温により前記封着材４ａ，４ｂはさらに軟化
するとともに、クランプ金具５により押圧され、Ｂ点で
両ガラス基板１，２間の隙間が減少する（Ｄからｄ）。
この際、前記最終封着材６は軟化点が封着材４ａ，４ｂ
より高いため非軟化状態であるから、前記両ガラス基板
１，２間の隙間がＤからｄへと減少して両ガラス基板
１，２間の内圧が大になろうとしても最終封着材６のガ
ス流通孔７、組付治具９の通気孔１０から両ガラス基板
１，２間の圧力が炉内へ逃げて同圧に維持される（Ｐ1
＝Ｐ2）。
Ａ点にて軟化を開始して両ガラス基板１，２の外縁部は
封止される。この瞬間の両ガラス基板１，２内の圧力Ｐ
1と炉内圧Ｐ2とは同じである（Ｐ1＝Ｐ2）。その後、炉
内温度の昇温により前記封着材４ａ，４ｂはさらに軟化
するとともに、クランプ金具５により押圧され、Ｂ点で
両ガラス基板１，２間の隙間が減少する（Ｄからｄ）。
この際、前記最終封着材６は軟化点が封着材４ａ，４ｂ
より高いため非軟化状態であるから、前記両ガラス基板
１，２間の隙間がＤからｄへと減少して両ガラス基板
１，２間の内圧が大になろうとしても最終封着材６のガ
ス流通孔７、組付治具９の通気孔１０から両ガラス基板
１，２間の圧力が炉内へ逃げて同圧に維持される（Ｐ1
＝Ｐ2）。
【００１１】その後、Ｃ点において、前記最終封着材６
が軟化し、前記シールガラス板８はスプリング１１の押
圧力で通気孔３を封止することになる。なお、この場合
においても最終封着材６は軟化してガス流通孔７を閉鎖
した後、さらに軟化して押圧されるため、若干ガラス基
板１，２内の圧力は大となるが、その容積変化は全体か
らみれば極めて小さく無視することができる。つまり、
放電ガスは炉内圧Ｐ2とほぼ同一の状態で両ガラス基板
１，２間に封入される。前記のようにしてガラス基板
１，２間に放電ガスが封入されると、約３．５℃／分の
冷却速度で冷却して所定のＰＤＰとする。
が軟化し、前記シールガラス板８はスプリング１１の押
圧力で通気孔３を封止することになる。なお、この場合
においても最終封着材６は軟化してガス流通孔７を閉鎖
した後、さらに軟化して押圧されるため、若干ガラス基
板１，２内の圧力は大となるが、その容積変化は全体か
らみれば極めて小さく無視することができる。つまり、
放電ガスは炉内圧Ｐ2とほぼ同一の状態で両ガラス基板
１，２間に封入される。前記のようにしてガラス基板
１，２間に放電ガスが封入されると、約３．５℃／分の
冷却速度で冷却して所定のＰＤＰとする。
【００１２】前記のガス導入例は３４０〜３７０℃の脱
ガス均熱後に発光ガスを導入した例であるが、下記方法
をとってもよい。３４０〜３７０℃での真空脱ガス後、
真空排気をそのまま続行しつつ炉を昇温させ、基板シー
ル材４ａ，４ｂの軟化開始温度Ａと最終シール材６の封
止温度Ｃの温度範囲で放電ガスを密閉炉内にガスを導入
する。この方法では、炉内に導入された放電ガスは、組
付治具９の通気孔１０、最終封着材６のガス流通孔７か
らＰＤＰ内に侵入する。
ガス均熱後に発光ガスを導入した例であるが、下記方法
をとってもよい。３４０〜３７０℃での真空脱ガス後、
真空排気をそのまま続行しつつ炉を昇温させ、基板シー
ル材４ａ，４ｂの軟化開始温度Ａと最終シール材６の封
止温度Ｃの温度範囲で放電ガスを密閉炉内にガスを導入
する。この方法では、炉内に導入された放電ガスは、組
付治具９の通気孔１０、最終封着材６のガス流通孔７か
らＰＤＰ内に侵入する。
【００１３】前記ＰＤＰ内への封入ガス（放電ガス）は
出来るだけ不純物（Ｎ2，Ｏ2，Ｈ2，ＣＯ，ＣＯ2等）が
少ないことが望ましい。このため、図４に示すように、
ＰＤＰ内にゲッタ材を設けて前記不純物を除去する方法
がある。この場合、前記通気孔３をゲッタルームの一部
として利用するとともに、前記封着材４ａ，４ｂの封着
温度をゲッタ材１２の活性化処理温度に利用することが
できる。すなわち、ＰＤＰ組立体Ｔを構成する過程にお
いて、ゲッタ材（たとえば、サエス ゲッターズ ジャ
パン（株）製Ｐｔ７０７…活性化温度４００〜５００
℃）１２を背面ガラス基板２に設けた通気孔３内に位置
するようにしてＰＤＰ組立体Ｔを構成し、前述のヒート
カーブにより封着処理を行なえば、最終封着温度（４１
０〜４７０℃）において前記ゲッタ１２は活性化され、
ＰＤＰ内の放電ガス中の不純ガスを吸着することにな
る。なお、最終封着材６は、図５に示すように、シール
用封着材６ａとスペース用封着材６ｂで構成されてい
る。
出来るだけ不純物（Ｎ2，Ｏ2，Ｈ2，ＣＯ，ＣＯ2等）が
少ないことが望ましい。このため、図４に示すように、
ＰＤＰ内にゲッタ材を設けて前記不純物を除去する方法
がある。この場合、前記通気孔３をゲッタルームの一部
として利用するとともに、前記封着材４ａ，４ｂの封着
温度をゲッタ材１２の活性化処理温度に利用することが
できる。すなわち、ＰＤＰ組立体Ｔを構成する過程にお
いて、ゲッタ材（たとえば、サエス ゲッターズ ジャ
パン（株）製Ｐｔ７０７…活性化温度４００〜５００
℃）１２を背面ガラス基板２に設けた通気孔３内に位置
するようにしてＰＤＰ組立体Ｔを構成し、前述のヒート
カーブにより封着処理を行なえば、最終封着温度（４１
０〜４７０℃）において前記ゲッタ１２は活性化され、
ＰＤＰ内の放電ガス中の不純ガスを吸着することにな
る。なお、最終封着材６は、図５に示すように、シール
用封着材６ａとスペース用封着材６ｂで構成されてい
る。
【００１４】ＰＤＰ組立体Ｔにおける両ガラス基板１，
２の隙間形成は、前記実施形態に限らず、実質的に隙間
が形成されるのであれば、他の方法を採用してもよい。
２の隙間形成は、前記実施形態に限らず、実質的に隙間
が形成されるのであれば、他の方法を採用してもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
の発明によれば、前面ガラス基板と背面ガラス基板とか
らなるプラズマディスプレイパネル組立体を密閉空間に
位置させて、当該空間を真空排気したのち放電ガスを前
記空間に供給し、その後、前記プラズマディスプレイパ
ネル組立体を封着するプラズマディスプレイパネルの製
造方法において、前記ガラス基板の一方に通気孔を設け
たものを使用してプラズマディスプレイパネル組立体を
封着したのち、前記通気孔を封止するようにしたから、
つまり、両ガラス基板が完全に封着されたのちに通気孔
が封止されるため、ＰＤＰ内の放電ガス圧は炉内に供給
される放電ガス圧により制御でき、放電ガス圧のほぼ均
一なＰＤＰとすることができる。また、請求項２の発明
によれば、前記通気孔を介してゲッタ材をプラズマディ
スプレイパネル組立体内に位置させて封着したのち、前
記通気孔を封止するようにしたから通気孔をゲッタルー
ムとして利用できるとともに、通気孔の封止温度をゲッ
タの活性化温度に利用することができるという効果を奏
する。
の発明によれば、前面ガラス基板と背面ガラス基板とか
らなるプラズマディスプレイパネル組立体を密閉空間に
位置させて、当該空間を真空排気したのち放電ガスを前
記空間に供給し、その後、前記プラズマディスプレイパ
ネル組立体を封着するプラズマディスプレイパネルの製
造方法において、前記ガラス基板の一方に通気孔を設け
たものを使用してプラズマディスプレイパネル組立体を
封着したのち、前記通気孔を封止するようにしたから、
つまり、両ガラス基板が完全に封着されたのちに通気孔
が封止されるため、ＰＤＰ内の放電ガス圧は炉内に供給
される放電ガス圧により制御でき、放電ガス圧のほぼ均
一なＰＤＰとすることができる。また、請求項２の発明
によれば、前記通気孔を介してゲッタ材をプラズマディ
スプレイパネル組立体内に位置させて封着したのち、前
記通気孔を封止するようにしたから通気孔をゲッタルー
ムとして利用できるとともに、通気孔の封止温度をゲッ
タの活性化温度に利用することができるという効果を奏
する。
【図１】 本発明のプラズマディスプレイパネルの製造
に適用する組立体の一部断面図。
に適用する組立体の一部断面図。
【図２】 （Ａ），（Ｂ）は最終封着材の斜視図。
【図３】 ヒートカーブ。
【図４】 他の組立体の断面図。
【図５】 図４のＶ−Ｖ平面図。
【図６】 （Ａ），（Ｂ）はガラス基板上への封着材の
塗布方法を示す図。
塗布方法を示す図。
【図７】 従来のプラズマディスプレイパネルの製造に
適用される組立体の一部断面図で、左半分は封着後、右
半分は封着前を示す。
適用される組立体の一部断面図で、左半分は封着後、右
半分は封着前を示す。
１…前面ガラス基板、２…背面ガラス基板、３…通気
孔、４ａ，４ｂ…封着材、５…クリップ金具、６…最終
封着材、８…シールガラス板、Ｔ…プラズマディスプレ
イパネル組立体。
孔、４ａ，４ｂ…封着材、５…クリップ金具、６…最終
封着材、８…シールガラス板、Ｔ…プラズマディスプレ
イパネル組立体。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 17/22 Ｈ０１Ｊ 17/22
Claims (2)
- 【請求項１】 前面ガラス基板と背面ガラス基板とから
なるプラズマディスプレイパネル組立体を密閉空間に位
置させて、当該空間を真空排気したのち放電ガスを前記
空間に供給し、その後、前記プラズマディスプレイパネ
ル組立体を封着するプラズマディスプレイパネルの製造
方法において、 前記ガラス基板の一方に通気孔を設けたものを使用して
プラズマディスプレイパネル組立体を封着したのち、前
記通気孔を封止することを特徴とするプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 前記通気孔を介してゲッタ材をプラズマ
ディスプレイパネル組立体内に位置させて封着したの
ち、前記通気孔を封止することを特徴とする前記請求項
１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9136965A JPH10326572A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9136965A JPH10326572A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326572A true JPH10326572A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15187632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9136965A Pending JPH10326572A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10326572A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-05-27 JP JP9136965A patent/JPH10326572A/ja active Pending
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