JPH10326739A - 位置合わせ方法及び露光方法 - Google Patents
位置合わせ方法及び露光方法Info
- Publication number
- JPH10326739A JPH10326739A JP9150031A JP15003197A JPH10326739A JP H10326739 A JPH10326739 A JP H10326739A JP 9150031 A JP9150031 A JP 9150031A JP 15003197 A JP15003197 A JP 15003197A JP H10326739 A JPH10326739 A JP H10326739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- image
- mark
- mask
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、マスクと感光基板とを位置合わせす
るための位置合わせ方法及び露光方法に関し、所望のア
ライメント精度を維持しつつスループットを向上させた
位置合わせ方法および露光方法を提供することことを目
的とする。 【解決手段】基板1、3に形成されたアライメントマー
ク7、8を検出して、基板1、3の位置合わせを行う位
置合わせ方法において、アライメントマーク7、8の少
なくとも一部をテンプレートとして登録し、アライメン
トマーク7、8の画像を取り込むステップS1と、アラ
イメントマーク7、8とテンプレートとの類似度を求め
るステップS3、S5、S10と、求めた相関に応じ
て、アライメントマーク7、8の画像を取り込む回数を
設定するステップS7と、設定された回数のアライメン
トマーク7、8の画像に基づいて、基板1、3の位置合
わせを行うステップS14とを含むように構成する。
るための位置合わせ方法及び露光方法に関し、所望のア
ライメント精度を維持しつつスループットを向上させた
位置合わせ方法および露光方法を提供することことを目
的とする。 【解決手段】基板1、3に形成されたアライメントマー
ク7、8を検出して、基板1、3の位置合わせを行う位
置合わせ方法において、アライメントマーク7、8の少
なくとも一部をテンプレートとして登録し、アライメン
トマーク7、8の画像を取り込むステップS1と、アラ
イメントマーク7、8とテンプレートとの類似度を求め
るステップS3、S5、S10と、求めた相関に応じ
て、アライメントマーク7、8の画像を取り込む回数を
設定するステップS7と、設定された回数のアライメン
トマーク7、8の画像に基づいて、基板1、3の位置合
わせを行うステップS14とを含むように構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置あるい
は液晶表示装置等を製造する際のフォトリソグラフィ工
程で用いられる露光装置において、露光パターンが描画
されたマスクと感光基板とを位置合わせするための位置
合わせ(アライメント)方法及び露光方法に関する。
は液晶表示装置等を製造する際のフォトリソグラフィ工
程で用いられる露光装置において、露光パターンが描画
されたマスクと感光基板とを位置合わせするための位置
合わせ(アライメント)方法及び露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置や液晶表示装置等をフ
ォトリソグラフィ技術を用いて製造する際に、フォトマ
スクまたはレチクル(以下、マスクという)に形成され
たパターンを投影光学系を介してフォトレジスト等の感
光剤が塗布された半導体ウェハまたはガラスプレート等
の感光基板(以下、プレートという)上の各ショット領
域に投影露光する露光装置が使用されている。
ォトリソグラフィ技術を用いて製造する際に、フォトマ
スクまたはレチクル(以下、マスクという)に形成され
たパターンを投影光学系を介してフォトレジスト等の感
光剤が塗布された半導体ウェハまたはガラスプレート等
の感光基板(以下、プレートという)上の各ショット領
域に投影露光する露光装置が使用されている。
【0003】露光装置としては、前述の投影光学系の光
軸に垂直な平面内を2次元的に移動自在なプレートステ
ージ上にプレートを載置し、このプレートステージによ
りプレートをステッピングさせてマスクのパターン像を
プレート上の各ショット領域に一括露光する動作を順次
繰り返すステップ・アンド・リピート方式の露光装置、
特に縮小投影型の露光装置が多用されている。
軸に垂直な平面内を2次元的に移動自在なプレートステ
ージ上にプレートを載置し、このプレートステージによ
りプレートをステッピングさせてマスクのパターン像を
プレート上の各ショット領域に一括露光する動作を順次
繰り返すステップ・アンド・リピート方式の露光装置、
特に縮小投影型の露光装置が多用されている。
【0004】これに対して最近では半導体素子等の1つ
のチップが大型化する傾向にあり、より大面積のパター
ンをプレート上に投影露光することが要求されている。
また、液晶ディスプレイ装置の製造にあたっても、ディ
スプレイの大型化に伴って大面積のパターンをプレート
上に投影露光することが要求されている。そこでマスク
とプレートとを投影光学系に対して同期して走査するこ
とにより、投影光学系の有効露光領域より広い範囲のシ
ョット領域への露光が可能な走査露光方式の露光装置も
開発されている。
のチップが大型化する傾向にあり、より大面積のパター
ンをプレート上に投影露光することが要求されている。
また、液晶ディスプレイ装置の製造にあたっても、ディ
スプレイの大型化に伴って大面積のパターンをプレート
上に投影露光することが要求されている。そこでマスク
とプレートとを投影光学系に対して同期して走査するこ
とにより、投影光学系の有効露光領域より広い範囲のシ
ョット領域への露光が可能な走査露光方式の露光装置も
開発されている。
【0005】走査露光方式の露光装置としては、1枚の
マスクのパターンの全体を1枚のプレートの全面に逐次
投影露光する露光装置、およびプレート上の各ショット
領域へのパターン露光を縮小投影でかつ走査露光方式で
行うとともに、各ショツト間の移動をステッピング方式
で行うステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が知
られている。
マスクのパターンの全体を1枚のプレートの全面に逐次
投影露光する露光装置、およびプレート上の各ショット
領域へのパターン露光を縮小投影でかつ走査露光方式で
行うとともに、各ショツト間の移動をステッピング方式
で行うステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が知
られている。
【0006】半導体素子や液晶ディスプレイ装置は、プ
レート上に多数層の回路パターンを重ね合わせて形成さ
れるので、2層目以降の回路パターンをプレート上に投
影露光する際には、いずれの露光装置においても、すで
に回路パターンが形成されたプレート上の各ショツト領
域とこれから露光するマスクのパターン像との位置合わ
せ、すなわちマスクとプレートとの位置合わせ(アライ
メント)を高精度に行う必要がある。
レート上に多数層の回路パターンを重ね合わせて形成さ
れるので、2層目以降の回路パターンをプレート上に投
影露光する際には、いずれの露光装置においても、すで
に回路パターンが形成されたプレート上の各ショツト領
域とこれから露光するマスクのパターン像との位置合わ
せ、すなわちマスクとプレートとの位置合わせ(アライ
メント)を高精度に行う必要がある。
【0007】このアライメント方法には、例えば、特開
昭60−130742号公報に記載されているように、
プレートの回折格子マークにレーザ光を照射したときに
発生する回折光を光検出器で検出し、得られる信号波形
を処理してアライメントマークの位置を求める方法と、
マスクやプレートに形成されたアライメントマークを含
む所定の領域を照明し、アライメントマークの像をCC
Dカメラ等の2次元撮像素子で撮像し、得られた画像に
所定の画像処理を施してアライメントマークの位置を求
める方法がある。
昭60−130742号公報に記載されているように、
プレートの回折格子マークにレーザ光を照射したときに
発生する回折光を光検出器で検出し、得られる信号波形
を処理してアライメントマークの位置を求める方法と、
マスクやプレートに形成されたアライメントマークを含
む所定の領域を照明し、アライメントマークの像をCC
Dカメラ等の2次元撮像素子で撮像し、得られた画像に
所定の画像処理を施してアライメントマークの位置を求
める方法がある。
【0008】これらのアライメント方法のうち、特に画
像処理によるアライメント方法では、アライメントマー
クのマーク部分とその周囲の領域のコントラストの大き
さによって、マーク位置の検出再現性精度の程度が異な
ってくる。コントラストの低いマークではCCDカメラ
の電気ノイズ等によりマーク位置の検出再現性が悪化し
てしまうので、所望のアライメント精度を確保するため
には、多数回マーク位置を検出して平均化処理を施す必
要がある。なお、コントラストは、アライメントマーク
を構成する膜の材質や膜厚等によって変化する。
像処理によるアライメント方法では、アライメントマー
クのマーク部分とその周囲の領域のコントラストの大き
さによって、マーク位置の検出再現性精度の程度が異な
ってくる。コントラストの低いマークではCCDカメラ
の電気ノイズ等によりマーク位置の検出再現性が悪化し
てしまうので、所望のアライメント精度を確保するため
には、多数回マーク位置を検出して平均化処理を施す必
要がある。なお、コントラストは、アライメントマーク
を構成する膜の材質や膜厚等によって変化する。
【0009】このため、どのようなコントラストのマー
クに対しても必要なアライメント精度が確保できるよう
に、コントラストの低いマークを基準にマーク検出の回
数及び平均化処理を最適化していた。
クに対しても必要なアライメント精度が確保できるよう
に、コントラストの低いマークを基準にマーク検出の回
数及び平均化処理を最適化していた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】アライメント精度を高
める方法には、上述のように同一のアライメントマーク
に対して、複数回の位置検出を行い、これら複数回の位
置検出結果の平均をとる方法や、プレート上のアライメ
ントマークの数を増やす方法等がある。これらの方法で
は、アライメント精度を高めようとすればするほど、マ
ーク検出の回数を増やす必要がある。このため、平均化
処理の回数をコントラストの低いマークに対して最適化
すると、本来高い精度で検出できるコントラストの高い
マークに対しても必要以上の平均化処理を施すことにな
り、位置合わせの時間がかかる分だけスループットが低
下してしまう。
める方法には、上述のように同一のアライメントマーク
に対して、複数回の位置検出を行い、これら複数回の位
置検出結果の平均をとる方法や、プレート上のアライメ
ントマークの数を増やす方法等がある。これらの方法で
は、アライメント精度を高めようとすればするほど、マ
ーク検出の回数を増やす必要がある。このため、平均化
処理の回数をコントラストの低いマークに対して最適化
すると、本来高い精度で検出できるコントラストの高い
マークに対しても必要以上の平均化処理を施すことにな
り、位置合わせの時間がかかる分だけスループットが低
下してしまう。
【0011】本発明は、上述の従来の技術が有する問題
点を解決するためになされたもので、その目的は、所望
のアライメント精度を維持しつつスループットを向上さ
せた位置合わせ方法および露光方法を提供することにあ
る。
点を解決するためになされたもので、その目的は、所望
のアライメント精度を維持しつつスループットを向上さ
せた位置合わせ方法および露光方法を提供することにあ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施の形態を
表す図1乃至図11に対応付けて説明すると上記目的
は、基板(1、3)に形成されたアライメントマーク
(7、8)を検出して、基板(1、3)の位置合わせを
行う位置合わせ方法において、アライメントマーク
(7、8)の画像を取り込むステップ(ステップS1)
と、取り込んだ画像に応じて、アライメントマーク
(7、8)の画像を取り込む回数を設定するステップ
(ステップS7)と、設定された回数のアライメントマ
ーク(7、8)の画像に基づいて、基板(1、3)の位
置合わせを行うステップ(ステップS14)とを含むこ
とを特徴とする位置合わせ方法によって達成される。
表す図1乃至図11に対応付けて説明すると上記目的
は、基板(1、3)に形成されたアライメントマーク
(7、8)を検出して、基板(1、3)の位置合わせを
行う位置合わせ方法において、アライメントマーク
(7、8)の画像を取り込むステップ(ステップS1)
と、取り込んだ画像に応じて、アライメントマーク
(7、8)の画像を取り込む回数を設定するステップ
(ステップS7)と、設定された回数のアライメントマ
ーク(7、8)の画像に基づいて、基板(1、3)の位
置合わせを行うステップ(ステップS14)とを含むこ
とを特徴とする位置合わせ方法によって達成される。
【0013】また、基板(1、3)に形成されたアライ
メントマーク(7、8)を検出して、基板(1、3)の
位置合わせを行う位置合わせ方法において、アライメン
トマーク(7、8)の少なくとも一部をテンプレートと
して登録するステップと、アライメントマーク(7、
8)の画像を取り込むステップ(ステップS1)と、ア
ライメントマーク(7、8)とテンプレートとの相関
(類似度)を求めるステップ(ステップS2〜S5、S
10)と、求めた相関に応じて、アライメントマーク
(7、8)の画像を取り込む回数を設定するステップ
(ステップS7)と、設定された回数のアライメントマ
ーク(7、8)の画像に基づいて、基板(1、3)の位
置合わせを行うステップ(ステップS14)とを含むこ
とを特徴とする位置合わせ方法によって達成される。
メントマーク(7、8)を検出して、基板(1、3)の
位置合わせを行う位置合わせ方法において、アライメン
トマーク(7、8)の少なくとも一部をテンプレートと
して登録するステップと、アライメントマーク(7、
8)の画像を取り込むステップ(ステップS1)と、ア
ライメントマーク(7、8)とテンプレートとの相関
(類似度)を求めるステップ(ステップS2〜S5、S
10)と、求めた相関に応じて、アライメントマーク
(7、8)の画像を取り込む回数を設定するステップ
(ステップS7)と、設定された回数のアライメントマ
ーク(7、8)の画像に基づいて、基板(1、3)の位
置合わせを行うステップ(ステップS14)とを含むこ
とを特徴とする位置合わせ方法によって達成される。
【0014】また、上記位置合わせ方法において、相関
が所定の値よりも小さい場合に、画像に基づいた基板の
位置合わせを中止するようにしてもよい。また上記目的
は、マスクのパターンの像をアライメントマークが形成
された感光基板に露光する露光方法において、感光基板
を上記記載の位置合わせ方法を用いて位置決めすること
を特徴とする露光方法によって達成される。さらに上記
目的は、上記露光方法において、マスクにはアライメン
トマークが形成されており、マスクを上記の位置合わせ
方法を用いて位置決めすることを特徴とする露光方法に
よって達成される。
が所定の値よりも小さい場合に、画像に基づいた基板の
位置合わせを中止するようにしてもよい。また上記目的
は、マスクのパターンの像をアライメントマークが形成
された感光基板に露光する露光方法において、感光基板
を上記記載の位置合わせ方法を用いて位置決めすること
を特徴とする露光方法によって達成される。さらに上記
目的は、上記露光方法において、マスクにはアライメン
トマークが形成されており、マスクを上記の位置合わせ
方法を用いて位置決めすることを特徴とする露光方法に
よって達成される。
【0015】本発明によれば、アライメントマーク
(7、8)の少なくとも一部をテンプレートとして登録
しておいて、テンプレートマッチング方法による画像処
理を用い、得られた相関(類似度)に応じてアライメン
トマーク(7、8)の画像を取り込む回数を設定するよ
うにしているので、所望のアライメント精度を維持しつ
つ、スループットを低下させずに基板の位置合わせを行
うことができる。
(7、8)の少なくとも一部をテンプレートとして登録
しておいて、テンプレートマッチング方法による画像処
理を用い、得られた相関(類似度)に応じてアライメン
トマーク(7、8)の画像を取り込む回数を設定するよ
うにしているので、所望のアライメント精度を維持しつ
つ、スループットを低下させずに基板の位置合わせを行
うことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による位置
合わせ方法及び露光方法を図1乃至図11を用いて説明
する。まず、本実施の形態による位置合わせ方法及び露
光方法が用いられる露光装置の概略の構成を図1を用い
て説明する。図1に示す露光装置は、等倍で正立正像を
投影する投影光学系2を有する走査型露光装置である。
図1において、照明光学系30は、所定の照明領域でマ
スク1の一部領域をほぼ均一な照度で照明するようにな
っている。詳細な図示を省略しているが、照明光学系3
0は、g線、h線等の照明光を射出する超高圧氷銀ラン
プ等からなる光源及び、光源からの照明光が通過するフ
ライアイレンズ、視野絞り、コンデンサーレンズ等から
構成される光学系を有している。
合わせ方法及び露光方法を図1乃至図11を用いて説明
する。まず、本実施の形態による位置合わせ方法及び露
光方法が用いられる露光装置の概略の構成を図1を用い
て説明する。図1に示す露光装置は、等倍で正立正像を
投影する投影光学系2を有する走査型露光装置である。
図1において、照明光学系30は、所定の照明領域でマ
スク1の一部領域をほぼ均一な照度で照明するようにな
っている。詳細な図示を省略しているが、照明光学系3
0は、g線、h線等の照明光を射出する超高圧氷銀ラン
プ等からなる光源及び、光源からの照明光が通過するフ
ライアイレンズ、視野絞り、コンデンサーレンズ等から
構成される光学系を有している。
【0017】照明されたマスク1のパターン像は、所定
の結像特性を有する投影光学系2を介して、等倍かつ正
立正像で感光基板としてのガラスプレート3上に転写さ
れるようになっている。マスク1は微動ステージ4上に
載置され、微動ステージ4はコの字状のキャリッジ6の
一方の側面に載置されている。微動ステージ4は微動ア
クチュエータ5により、キャリッジ6に対してX方向
(図中紙面に垂直な方向)、Y方向(図中紙面の上下方
向)、及びX−Y面内での回転方向に微動することがで
きるようになっている。微動ステージ4の載置面に対向
するキャリッジ6の他方の側面にはプレート3が載置さ
れている。
の結像特性を有する投影光学系2を介して、等倍かつ正
立正像で感光基板としてのガラスプレート3上に転写さ
れるようになっている。マスク1は微動ステージ4上に
載置され、微動ステージ4はコの字状のキャリッジ6の
一方の側面に載置されている。微動ステージ4は微動ア
クチュエータ5により、キャリッジ6に対してX方向
(図中紙面に垂直な方向)、Y方向(図中紙面の上下方
向)、及びX−Y面内での回転方向に微動することがで
きるようになっている。微動ステージ4の載置面に対向
するキャリッジ6の他方の側面にはプレート3が載置さ
れている。
【0018】キャリッジ6は図示しない駆動機構により
駆動され、照明光学系30及び投影光学系2に対して相
対的にX方向に移動できるようになっており、このキャ
リッジ6の移動と共にマスク1とプレート3とが投影光
学系2に対して同期して走査するようになっている。
駆動され、照明光学系30及び投影光学系2に対して相
対的にX方向に移動できるようになっており、このキャ
リッジ6の移動と共にマスク1とプレート3とが投影光
学系2に対して同期して走査するようになっている。
【0019】キャリッジ6のX方向の端面には、図示し
ない移動鏡が固定され、この移動鏡にレーザ干渉計(図
示せず)からのレーザ光を反射させて、キャリッジ6の
X方向の移動量が高分解能で計測されるようになってい
る。このレーザ干渉計からの位置情報に基づいて、キャ
リッジ6は正確に位置決めされるようになっている。露
光の際にはキャリッジ6を投影光学系2に対しX方向に
走査させることにより、マスク1に描画された所望の回
路パターンの像が順次プレート3上に投影露光される。
ない移動鏡が固定され、この移動鏡にレーザ干渉計(図
示せず)からのレーザ光を反射させて、キャリッジ6の
X方向の移動量が高分解能で計測されるようになってい
る。このレーザ干渉計からの位置情報に基づいて、キャ
リッジ6は正確に位置決めされるようになっている。露
光の際にはキャリッジ6を投影光学系2に対しX方向に
走査させることにより、マスク1に描画された所望の回
路パターンの像が順次プレート3上に投影露光される。
【0020】本実施の形態における走査型投影露光装置
には、Y方向に所定の間隔で設けられた一対のアライメ
ント系AM1、AM2が配置されている。また、アライ
メント系AM1、AM2の外側に別の一対のアライメン
ト系AM3、AM4が配置されている。これらのアライ
メント系AM1、AM2あるいはアライメント系AM
3、AM4のいずれかあるいは両方を用いて、走査露光
の前にマスク1およびプレート3の所定の位置に形成さ
れているアライメントマーク7、8、あるいはアライメ
ントマーク47、48の位置を検出し、マスク1とプレ
ート3の位置ずれ量を測定するようになっている。この
位置ずれ量に基づいて微動ステージ4を駆動してマスク
1をX−Y面内で移動させることにより、プレート3に
既に形成されているパターンとこれから露光するマスク
1の回路パターンの重ね合わせが所望の重ね合わせ精度
を満たすように位置合わせが行われる。
には、Y方向に所定の間隔で設けられた一対のアライメ
ント系AM1、AM2が配置されている。また、アライ
メント系AM1、AM2の外側に別の一対のアライメン
ト系AM3、AM4が配置されている。これらのアライ
メント系AM1、AM2あるいはアライメント系AM
3、AM4のいずれかあるいは両方を用いて、走査露光
の前にマスク1およびプレート3の所定の位置に形成さ
れているアライメントマーク7、8、あるいはアライメ
ントマーク47、48の位置を検出し、マスク1とプレ
ート3の位置ずれ量を測定するようになっている。この
位置ずれ量に基づいて微動ステージ4を駆動してマスク
1をX−Y面内で移動させることにより、プレート3に
既に形成されているパターンとこれから露光するマスク
1の回路パターンの重ね合わせが所望の重ね合わせ精度
を満たすように位置合わせが行われる。
【0021】アライメント系AM1、AM2は、マスク
1とプレート3とに形成されているアライメントマーク
7、8を含む所定の領域を照明し、このパターン像をC
CD(固体撮像素子)等のTVカメラに結像させる光学
系と、この撮像した画像を処理して、マスク1とプレー
ト3のアライメントマーク7、8の位置をそれぞれ検出
し、マスク1とプレート3の位置ずれ量を求める信号処
理系とから構成されている。
1とプレート3とに形成されているアライメントマーク
7、8を含む所定の領域を照明し、このパターン像をC
CD(固体撮像素子)等のTVカメラに結像させる光学
系と、この撮像した画像を処理して、マスク1とプレー
ト3のアライメントマーク7、8の位置をそれぞれ検出
し、マスク1とプレート3の位置ずれ量を求める信号処
理系とから構成されている。
【0022】アライメント系AM3、AM4は、上述の
特開昭60−130742号公報に記載されているもの
と同様であり、マスク1及びプレート3に設けられた回
折格子マーク47、48にレーザ光を照射して発生した
回折光を光検出器で検出し、得られる信号波形を処理し
て回折格子マーク47、48の位置ずれ量を測定するよ
うになっている。本実施の形態における位置合わせにお
いては、主としてアライメント系AM1、AM2を用
い、後述するようにアライメント系AM1、AM2では
高いアライメント精度が得られない場合にアライメント
系AM3、AM4を用いることとしている。
特開昭60−130742号公報に記載されているもの
と同様であり、マスク1及びプレート3に設けられた回
折格子マーク47、48にレーザ光を照射して発生した
回折光を光検出器で検出し、得られる信号波形を処理し
て回折格子マーク47、48の位置ずれ量を測定するよ
うになっている。本実施の形態における位置合わせにお
いては、主としてアライメント系AM1、AM2を用
い、後述するようにアライメント系AM1、AM2では
高いアライメント精度が得られない場合にアライメント
系AM3、AM4を用いることとしている。
【0023】本実施の形態における位置合わせで主とし
て用いられるアライメント系AM1、AM2の構成を図
1に加えて図2を用いてさらに詳細に説明する。図1及
び図2において、超高圧水銀ランプから射出したe線、
d線等の、プレート3表面に塗布されているフォトレジ
ストを感光させない波長を持つ照明光は、光ファイバ3
2を介して、マスク1およびプレート3の所定の領域を
照明するアライメント系用の照明光学系に入射する。こ
のアライメント系用の照明光学系は、コンデンサーレン
ズ9、視野絞り10およびレンズ11等から構成され、
ビームスプリッタ14および対物レンズ13を介して、
マスク1のアライメントマーク7を含む所定の領域をほ
ぼ均一な照度で照明する。
て用いられるアライメント系AM1、AM2の構成を図
1に加えて図2を用いてさらに詳細に説明する。図1及
び図2において、超高圧水銀ランプから射出したe線、
d線等の、プレート3表面に塗布されているフォトレジ
ストを感光させない波長を持つ照明光は、光ファイバ3
2を介して、マスク1およびプレート3の所定の領域を
照明するアライメント系用の照明光学系に入射する。こ
のアライメント系用の照明光学系は、コンデンサーレン
ズ9、視野絞り10およびレンズ11等から構成され、
ビームスプリッタ14および対物レンズ13を介して、
マスク1のアライメントマーク7を含む所定の領域をほ
ぼ均一な照度で照明する。
【0024】ここでマスク1を透過した照明光は投影光
学系2を通り、プレート3のアライメントマーク8を含
む所定の領域をほぼ均一な照度で照明する。照明された
マスク1およびプレート3のアライメントマーク7、8
のパターン像は、対物レンズ13、ビームスプリッタ1
4、結像レンズ15を通して、CCDカメラ16の撮像
面に結像される。
学系2を通り、プレート3のアライメントマーク8を含
む所定の領域をほぼ均一な照度で照明する。照明された
マスク1およびプレート3のアライメントマーク7、8
のパターン像は、対物レンズ13、ビームスプリッタ1
4、結像レンズ15を通して、CCDカメラ16の撮像
面に結像される。
【0025】CCDカメラ16は2次元撮像素子で、水
平方向(走査方向)と垂直方向の2次元に画素が配列さ
れている。CCDカメラ16の各画素に所定の時間蓄積
された光量は、その大きさに応じた電気信号レベルに変
換される。さらにAGC17(オート・ゲイン・コント
ロール)等の前処理を経て、アナログの電気信号はAD
C18(アナログ/デジタルコンバータ)で、2次元の
各画素位置に対応したデジタルの信号強度に変換され
る。画像処理装置及び画像記憶装置を含んで構成される
画像処理ユニット19では、撮像した2次元の画像から
マスク1およびプレート3のアライメントマーク7、8
をそれぞれ検出し、マスク1とプレート3との位置ずれ
量が求められる。
平方向(走査方向)と垂直方向の2次元に画素が配列さ
れている。CCDカメラ16の各画素に所定の時間蓄積
された光量は、その大きさに応じた電気信号レベルに変
換される。さらにAGC17(オート・ゲイン・コント
ロール)等の前処理を経て、アナログの電気信号はAD
C18(アナログ/デジタルコンバータ)で、2次元の
各画素位置に対応したデジタルの信号強度に変換され
る。画像処理装置及び画像記憶装置を含んで構成される
画像処理ユニット19では、撮像した2次元の画像から
マスク1およびプレート3のアライメントマーク7、8
をそれぞれ検出し、マスク1とプレート3との位置ずれ
量が求められる。
【0026】マスク1上には、アライメントマーク7と
して予め図3に示すような矩形形状のマークが形成され
ている。またプレート3上には、アライメントマーク8
として予め図4に示すような4つの十字形状のマークが
形成されている。図5にCCDカメラ16で撮像された
マスク1とプレート3とのアライメントマーク7、8を
含む画像の例を示す。画像処理ユニット19は、図5に
例示した画像を処理して、マスク1とプレート3のアラ
イメントマーク7、8の位置をそれぞれ検出し、マスク
1のアライメントマークの中心位置とプレート3のアラ
イメントマークの中心位置のずれ量ΔXを検出するよう
になっている。なお、本実施の形態による走査型露光装
置は、不図示の主制御装置により走査型露光装置全体が
制御されている。
して予め図3に示すような矩形形状のマークが形成され
ている。またプレート3上には、アライメントマーク8
として予め図4に示すような4つの十字形状のマークが
形成されている。図5にCCDカメラ16で撮像された
マスク1とプレート3とのアライメントマーク7、8を
含む画像の例を示す。画像処理ユニット19は、図5に
例示した画像を処理して、マスク1とプレート3のアラ
イメントマーク7、8の位置をそれぞれ検出し、マスク
1のアライメントマークの中心位置とプレート3のアラ
イメントマークの中心位置のずれ量ΔXを検出するよう
になっている。なお、本実施の形態による走査型露光装
置は、不図示の主制御装置により走査型露光装置全体が
制御されている。
【0027】さて、以上の装置構成に基づいた本実施の
形態による位置合わせ方法を次に説明する。本実施の形
態における画像処理ユニット19では、テンプレートマ
ッチング方法(相関法)によって、マスク1とプレート
3とのアライメントマーク7、8の位置を検出するよう
にしている。テンプレートマッチング方法では、まず検
出対象の画像を、予めテンプレートとして画像処理ユニ
ット19内の記憶装置(図示せず)に登録する。記憶装
置には、図6に示すようにマスク1のアライメントマー
ク7と同一形状の画像と、図7に示すようにプレート3
のアライメントマーク8の一部の画像とがそれぞれテン
プレートとして登録されている。
形態による位置合わせ方法を次に説明する。本実施の形
態における画像処理ユニット19では、テンプレートマ
ッチング方法(相関法)によって、マスク1とプレート
3とのアライメントマーク7、8の位置を検出するよう
にしている。テンプレートマッチング方法では、まず検
出対象の画像を、予めテンプレートとして画像処理ユニ
ット19内の記憶装置(図示せず)に登録する。記憶装
置には、図6に示すようにマスク1のアライメントマー
ク7と同一形状の画像と、図7に示すようにプレート3
のアライメントマーク8の一部の画像とがそれぞれテン
プレートとして登録されている。
【0028】次に、CCDカメラ16で撮像され画像処
理ユニット19内の記憶装置に記憶した画像に対して、
テンプレートの画像を図8に示すように、X方向および
Y方向に1画素ずつずらしながら、それぞれ類似度R
(相関値)を計算し、その類似度Rの大きさからテンプ
レートの画像と最も良く一致する画像の位置を求める。
これがテンプレートマッチング方法である。類似度Rを
決定するための計算方法は種々あるが、その中の1つに
以下に示す[数1]を用いた計算方法がある。
理ユニット19内の記憶装置に記憶した画像に対して、
テンプレートの画像を図8に示すように、X方向および
Y方向に1画素ずつずらしながら、それぞれ類似度R
(相関値)を計算し、その類似度Rの大きさからテンプ
レートの画像と最も良く一致する画像の位置を求める。
これがテンプレートマッチング方法である。類似度Rを
決定するための計算方法は種々あるが、その中の1つに
以下に示す[数1]を用いた計算方法がある。
【0029】
【数1】
【0030】ここで、I1(x,y)は、位置(x,
y)における撮像画像の輝度、I2(x,y)は、位置
(x,y)におけるテンプレートの輝度、Pはテンプレ
ートの画素数である。
y)における撮像画像の輝度、I2(x,y)は、位置
(x,y)におけるテンプレートの輝度、Pはテンプレ
ートの画素数である。
【0031】[数1]では、テンプレート中の各画素の
輝度とそれに対応する撮像画像中の画素の輝度との差を
テンプレートの全画素に渡って加算し、それをテンプレ
ートの画素数Pで規格化したものである。ここで、輝度
が256階調の場合、類似度Rは0〜255の範囲の値
をとる。[数1]を用いた場合には、類似度Rが小さい
ほど検出した画像とテンプレートの画像とが良く一致し
ていることを示し、類似度R=0はテンプレートの画像
と完全に一致した場合である。
輝度とそれに対応する撮像画像中の画素の輝度との差を
テンプレートの全画素に渡って加算し、それをテンプレ
ートの画素数Pで規格化したものである。ここで、輝度
が256階調の場合、類似度Rは0〜255の範囲の値
をとる。[数1]を用いた場合には、類似度Rが小さい
ほど検出した画像とテンプレートの画像とが良く一致し
ていることを示し、類似度R=0はテンプレートの画像
と完全に一致した場合である。
【0032】テンプレートの登録方法としては、マーク
部分とその周囲部分のコントラストから各画素の輝度を
数学的に計算してテンプレートを作成する方法と、実際
にマスク1とプレート3のマークの画像をCCDカメラ
16で撮像し、その画像の一部をテンプレートとして登
録する方法とがある。アライメントマークのコントラス
トは、マークを形成している膜の材質や膜厚等によって
微妙に変化するため、数学的にテンプレートを作成する
ことは難しく、後者の方法がよく使われる。
部分とその周囲部分のコントラストから各画素の輝度を
数学的に計算してテンプレートを作成する方法と、実際
にマスク1とプレート3のマークの画像をCCDカメラ
16で撮像し、その画像の一部をテンプレートとして登
録する方法とがある。アライメントマークのコントラス
トは、マークを形成している膜の材質や膜厚等によって
微妙に変化するため、数学的にテンプレートを作成する
ことは難しく、後者の方法がよく使われる。
【0033】一般にテンプレートマッチング法において
は、検出した画像とテンプレートの画像が良く一致して
いるほど、マーク位置の検出再現性が高い。[数1]で
定義した類似度Rとマーク位置の検出再現性との関係を
図9に示す。図9において、横軸は類似度Rを表し、縦
軸はマーク位置の検出再現性の程度を示している。図9
によれば、[数1]で定義した類似度Rの値が小さいほ
どマーク位置の検出再現性精度が高くなることがわか
る。本実施の形態ではこの関係に着目し、テンプレート
とアライメントマークの画像の類似度Rの大きさからマ
ーク位置の検出再現性を推定し、推定したマーク位置の
検出再現性精度に基づいてアライメント精度とスループ
ットとが最適になるようなアライメント方法を選択する
ようにしている。
は、検出した画像とテンプレートの画像が良く一致して
いるほど、マーク位置の検出再現性が高い。[数1]で
定義した類似度Rとマーク位置の検出再現性との関係を
図9に示す。図9において、横軸は類似度Rを表し、縦
軸はマーク位置の検出再現性の程度を示している。図9
によれば、[数1]で定義した類似度Rの値が小さいほ
どマーク位置の検出再現性精度が高くなることがわか
る。本実施の形態ではこの関係に着目し、テンプレート
とアライメントマークの画像の類似度Rの大きさからマ
ーク位置の検出再現性を推定し、推定したマーク位置の
検出再現性精度に基づいてアライメント精度とスループ
ットとが最適になるようなアライメント方法を選択する
ようにしている。
【0034】すでに説明したようにアライメント精度を
高めるには、例えば、同一マークの位置検出を複数回行
い、検出された複数のマーク位置の平均値をアライメン
トマーク位置とする方法がある。このマーク位置の平均
化回数を大きめに設定して予め固定しておけば、コント
ラストの低いマークに対しても精度良く位置検出するこ
とができる。しかし、平均化を必要としないコントラス
トの高いマークに対しても平均化を行うことになるため
スループットが低下する。そこで、本実施の形態におい
ては、実験等によって、図9に示したような類似度Rと
アライメントマークの位置の検出再現性の関係を予め求
めておき、アライメントマークの位置検出再現性精度に
基づいて、類似度Rの大きさに対するマーク検出の際の
平均化回数の関係を予め求めるようにした。
高めるには、例えば、同一マークの位置検出を複数回行
い、検出された複数のマーク位置の平均値をアライメン
トマーク位置とする方法がある。このマーク位置の平均
化回数を大きめに設定して予め固定しておけば、コント
ラストの低いマークに対しても精度良く位置検出するこ
とができる。しかし、平均化を必要としないコントラス
トの高いマークに対しても平均化を行うことになるため
スループットが低下する。そこで、本実施の形態におい
ては、実験等によって、図9に示したような類似度Rと
アライメントマークの位置の検出再現性の関係を予め求
めておき、アライメントマークの位置検出再現性精度に
基づいて、類似度Rの大きさに対するマーク検出の際の
平均化回数の関係を予め求めるようにした。
【0035】図10に、類似度Rの大きさに対するマー
ク検出の際の平均化回数の関係を表したテーブルの一例
を示す。図10において、類似度Rが0〜20の場合
は、テンプレートとマークの画像が良く一致し、マーク
位置の検出再現性が高いと判断して平均化(平均化回数
=1)は行わない。また、類似度Rが20〜50の場合
は3回、50〜100の場合は5回の平均化を行うこと
にする。また、類似度Rが100を越える場合には、撮
像画像中に、テンプレートと一致する画像がないと判断
してエラー処理に移行する。このようなテーブルを予め
作成しておけば、類似度Rによって最適な平均化回数で
マーク位置の検出を行うことができるようになる。
ク検出の際の平均化回数の関係を表したテーブルの一例
を示す。図10において、類似度Rが0〜20の場合
は、テンプレートとマークの画像が良く一致し、マーク
位置の検出再現性が高いと判断して平均化(平均化回数
=1)は行わない。また、類似度Rが20〜50の場合
は3回、50〜100の場合は5回の平均化を行うこと
にする。また、類似度Rが100を越える場合には、撮
像画像中に、テンプレートと一致する画像がないと判断
してエラー処理に移行する。このようなテーブルを予め
作成しておけば、類似度Rによって最適な平均化回数で
マーク位置の検出を行うことができるようになる。
【0036】次に、上述の本実施の形態による位置合わ
せ方法における不図示の主制御装置による処理手順を図
11に示すフローチャートを用いて説明する。図11に
おいて、まずステップS1で、マスク1とプレート3と
のアライメントマーク7、8の画像をCCDカメラ16
で撮像し、画像処理ユニット19に送る。次に、画像処
理ユニット19において、取り込んだ画像に対してマス
ク1のテンプレートを用いてテンプレートマッチング方
法によりマスク1の類似度RMを求め、類似度RMが最
も小さい値となる位置をマスク1のアライメントマーク
7のマーク位置として検出する(ステップS2)。ここ
で、マスク1のアライメントマーク7は反射率の高いク
ロム(Cr)膜で形成されておりコントラストが良好で
あるのが通常であるから、平均化処理は行わない。
せ方法における不図示の主制御装置による処理手順を図
11に示すフローチャートを用いて説明する。図11に
おいて、まずステップS1で、マスク1とプレート3と
のアライメントマーク7、8の画像をCCDカメラ16
で撮像し、画像処理ユニット19に送る。次に、画像処
理ユニット19において、取り込んだ画像に対してマス
ク1のテンプレートを用いてテンプレートマッチング方
法によりマスク1の類似度RMを求め、類似度RMが最
も小さい値となる位置をマスク1のアライメントマーク
7のマーク位置として検出する(ステップS2)。ここ
で、マスク1のアライメントマーク7は反射率の高いク
ロム(Cr)膜で形成されておりコントラストが良好で
あるのが通常であるから、平均化処理は行わない。
【0037】次に、ステップS3において、得られたマ
スク1の類似度RMの値が20より大きいか否かを判断
し、類似度RMの値が20より大きい場合は、取り込ん
だ画像中にマスク1のマークがなかったものと判断して
ステップS14に移行してエラー処理を行う。上述のよ
うに、マスク1のアライメントマーク7は反射率が高い
ので、ステップS3でエラーが発生した場合にはアライ
メントマーク7の画像が取り込めなかった可能性が高
い。このため、エラー処理の例としては、アライメント
マーク7の画像を再び取り組むことが考えられる。
スク1の類似度RMの値が20より大きいか否かを判断
し、類似度RMの値が20より大きい場合は、取り込ん
だ画像中にマスク1のマークがなかったものと判断して
ステップS14に移行してエラー処理を行う。上述のよ
うに、マスク1のアライメントマーク7は反射率が高い
ので、ステップS3でエラーが発生した場合にはアライ
メントマーク7の画像が取り込めなかった可能性が高
い。このため、エラー処理の例としては、アライメント
マーク7の画像を再び取り組むことが考えられる。
【0038】ステップS3において、類似度RMの値が
20以下であればマスク1のアライメントマーク7のマ
ーク位置の検出が所定の精度で行えたものと判断してス
テップS4に移行する。ステップS4では、画像処理ユ
ニット19において、取り込んだ画像に対してプレート
3用のテンプレートを用いてテンプレートマッチング方
法により求めた類似度Rのうち小さい方から4個の類似
度Rを求め、この4個の類似度Rをプレート3の4個の
それぞれのマーク位置として検出する。次にステップS
5において、これらの4個のマークの各類似度Rから平
均の類似度RPを計算する。
20以下であればマスク1のアライメントマーク7のマ
ーク位置の検出が所定の精度で行えたものと判断してス
テップS4に移行する。ステップS4では、画像処理ユ
ニット19において、取り込んだ画像に対してプレート
3用のテンプレートを用いてテンプレートマッチング方
法により求めた類似度Rのうち小さい方から4個の類似
度Rを求め、この4個の類似度Rをプレート3の4個の
それぞれのマーク位置として検出する。次にステップS
5において、これらの4個のマークの各類似度Rから平
均の類似度RPを計算する。
【0039】ステップS6では、平均類似度RPに対応
する平均化回数Nを図10に例示したテーブルを参照し
て求め、例えば平均類似度RPが100を越えるか否か
を判断する。平均類似度RPが100を越える場合は、
取り込んだ画像中にプレート3のアライメントマーク8
が存在しないもしくは、所望のアライメント精度が得ら
れないと判断し、ステップS14に移行してエラー処理
を行う。ここでのエラー処理の例としては、上述のマス
ク1及びプレート3のアライメントマーク7、8とは異
なる位置に形成されたマスク1及びプレート3上のアラ
イメントマークを用いて、改めてステップS1からの手
順で画像取り込みを行うようにしてもよいし、画像取り
込みを中止して別のアライメント系AM3、AM4を用
い、プレート3に設けられた回折格子マーク48にレー
ザ光を照射して発生した回折光を光検出器で検出し、得
られる信号波形を処理して回折格子マーク48の位置を
測定することにより位置合わせを行うようにしてもよ
い。
する平均化回数Nを図10に例示したテーブルを参照し
て求め、例えば平均類似度RPが100を越えるか否か
を判断する。平均類似度RPが100を越える場合は、
取り込んだ画像中にプレート3のアライメントマーク8
が存在しないもしくは、所望のアライメント精度が得ら
れないと判断し、ステップS14に移行してエラー処理
を行う。ここでのエラー処理の例としては、上述のマス
ク1及びプレート3のアライメントマーク7、8とは異
なる位置に形成されたマスク1及びプレート3上のアラ
イメントマークを用いて、改めてステップS1からの手
順で画像取り込みを行うようにしてもよいし、画像取り
込みを中止して別のアライメント系AM3、AM4を用
い、プレート3に設けられた回折格子マーク48にレー
ザ光を照射して発生した回折光を光検出器で検出し、得
られる信号波形を処理して回折格子マーク48の位置を
測定することにより位置合わせを行うようにしてもよ
い。
【0040】平均類似度RPが100を越えていなけれ
ば、テーブルから得られた平均類似度RPに対応する平
均化回数Nで平均化処理を行うことを決定する(ステッ
プS7)。ステップS8において、平均化回数Nが1か
否かを判断し、平均化回数Nが1の場合は、ステップS
4までで検出したマスク1とプレート3とのアライメン
トマーク位置からマスク1とプレート3との位置ずれ量
ΔXを計算する(ステップS13)。平均化回数Nが2
以上の場合は、ステップS9に移行する。ステップS9
では、再びプレート3のアライメントマーク8の画像取
り込みを行い、次いでステップS10において、取り込
んだ画像に対してプレート3用のテンプレートを用いて
テンプレートマッチング方法によりプレート3の4個の
マーク位置を検出する。
ば、テーブルから得られた平均類似度RPに対応する平
均化回数Nで平均化処理を行うことを決定する(ステッ
プS7)。ステップS8において、平均化回数Nが1か
否かを判断し、平均化回数Nが1の場合は、ステップS
4までで検出したマスク1とプレート3とのアライメン
トマーク位置からマスク1とプレート3との位置ずれ量
ΔXを計算する(ステップS13)。平均化回数Nが2
以上の場合は、ステップS9に移行する。ステップS9
では、再びプレート3のアライメントマーク8の画像取
り込みを行い、次いでステップS10において、取り込
んだ画像に対してプレート3用のテンプレートを用いて
テンプレートマッチング方法によりプレート3の4個の
マーク位置を検出する。
【0041】次にステップS11において、決定した平
均化回数Nに達したか否かが判断され、平均化回数に達
していなければステップS9に戻って再び画像取り込み
を行い、ステップS10でマーク位置検出を行う。平均
化回数Nに達したら、ステップS12において、N個の
検出されたマーク位置を平均してプレート3のアライメ
ントマーク8のマーク位置を決定する。次に、検出した
マスク1とプレート3のアライメントマーク位置からマ
スク1とプレート3との位置ずれ量ΔXを計算する(ス
テップS13)。ステップS13で求めた位置ずれ量Δ
Xに基づいて、微動ステージ4を駆動させて、マスク1
とプレート3との位置合わせを行う。(ステップS1
4)
均化回数Nに達したか否かが判断され、平均化回数に達
していなければステップS9に戻って再び画像取り込み
を行い、ステップS10でマーク位置検出を行う。平均
化回数Nに達したら、ステップS12において、N個の
検出されたマーク位置を平均してプレート3のアライメ
ントマーク8のマーク位置を決定する。次に、検出した
マスク1とプレート3のアライメントマーク位置からマ
スク1とプレート3との位置ずれ量ΔXを計算する(ス
テップS13)。ステップS13で求めた位置ずれ量Δ
Xに基づいて、微動ステージ4を駆動させて、マスク1
とプレート3との位置合わせを行う。(ステップS1
4)
【0042】以上のような処理手順によりマスク1とプ
レート3の位置ずれ量ΔXを求めるようにすれば、マー
ク位置検出の再現性に基づく最適な平均化処理により所
望のアライメント精度を確保することができるようにな
る。そして、マスク1の回路パターンの像をプレート3
に露光する露光工程において、上述の本実施の形態によ
る位置合わせ方法を用いてマスク1とプレート3とを位
置合わせして露光することにより、所望の重ね合わせ精
度を維持しつつスループットに優れた露光を実現するこ
とができるようになる。
レート3の位置ずれ量ΔXを求めるようにすれば、マー
ク位置検出の再現性に基づく最適な平均化処理により所
望のアライメント精度を確保することができるようにな
る。そして、マスク1の回路パターンの像をプレート3
に露光する露光工程において、上述の本実施の形態によ
る位置合わせ方法を用いてマスク1とプレート3とを位
置合わせして露光することにより、所望の重ね合わせ精
度を維持しつつスループットに優れた露光を実現するこ
とができるようになる。
【0043】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、同一
のアライメントマークに対して複数回のマーク位置検出
を行って平均化処理をしたが、マスク1およびプレート
3上の複数の位置に設けた複数のアライメントマークを
用いて、類似度Rに対して検出するアライメントマーク
の数を変更するようなテーブルを作成して位置合わせを
行うようにすることも可能である。
変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、同一
のアライメントマークに対して複数回のマーク位置検出
を行って平均化処理をしたが、マスク1およびプレート
3上の複数の位置に設けた複数のアライメントマークを
用いて、類似度Rに対して検出するアライメントマーク
の数を変更するようなテーブルを作成して位置合わせを
行うようにすることも可能である。
【0044】また、上記実施の形態においては、本発明
の位置合わせ方法を実施するためにキャリッジが移動す
る走査型投影露光装置を用いたが、本発明はこれに限ら
ず、いわゆるステップ・アンド・リピート方式、あるい
はステップ・アンド・スキャン方式の露光装置にも本発
明を適用することはもちろん可能である。更に、電子線
やX線を光源とする荷電粒子線露光装置に適用すること
も可能である。
の位置合わせ方法を実施するためにキャリッジが移動す
る走査型投影露光装置を用いたが、本発明はこれに限ら
ず、いわゆるステップ・アンド・リピート方式、あるい
はステップ・アンド・スキャン方式の露光装置にも本発
明を適用することはもちろん可能である。更に、電子線
やX線を光源とする荷電粒子線露光装置に適用すること
も可能である。
【0045】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、テンプレ
ートマッチング方法による画像処理を用い、得られた類
似度に応じてアライメントマークの画像を取り込む回数
を設定するようにしているので、所望のアライメント精
度を維持しつつ、スループットを低下させずに基板の位
置合わせを行うことができる。
ートマッチング方法による画像処理を用い、得られた類
似度に応じてアライメントマークの画像を取り込む回数
を設定するようにしているので、所望のアライメント精
度を維持しつつ、スループットを低下させずに基板の位
置合わせを行うことができる。
【図1】本発明の一実施の形態による位置合わせ方法に
用いる走査型投影露光装置の概略の構成を示す図であ
る。
用いる走査型投影露光装置の概略の構成を示す図であ
る。
【図2】本発明の一実施の形態による位置合わせ方法に
用いるアライメント系の概略の構成を示す図である。
用いるアライメント系の概略の構成を示す図である。
【図3】本発明の一実施の形態で用いたアライメントマ
ークの形状を示す図である。
ークの形状を示す図である。
【図4】本発明の一実施の形態で用いたアライメントマ
ークの形状を示す図である。
ークの形状を示す図である。
【図5】CCDカメラ16で撮像されたマスク1とプレ
ート3のアライメントマーク7、8を含む画像の例を示
す図である。
ート3のアライメントマーク7、8を含む画像の例を示
す図である。
【図6】画像処理ユニット19内の記憶装置に登録した
テンプレートの形状を示す図である。
テンプレートの形状を示す図である。
【図7】画像処理ユニット19内の記憶装置に登録した
テンプレートの形状を示す図である。
テンプレートの形状を示す図である。
【図8】テンプレートマッチング方法を説明する図であ
る。
る。
【図9】[数1]で定義した類似度Rとマーク位置の検
出再現性の関係を示す図である。
出再現性の関係を示す図である。
【図10】類似度Rの大きさに対するマーク検出の際の
平均化回数の関係を表したテーブルの一例を示す図であ
る。
平均化回数の関係を表したテーブルの一例を示す図であ
る。
【図11】本発明の一実施の形態による位置合わせ方法
における処理手順を示すフローチャートである。
における処理手順を示すフローチャートである。
1 マスク 2 投影光学系 3 プレート 4 微動ステージ 5 微動アクチュエータ 6 キャリッジ 7、8、47、48 アライメントマーク 9 コンデンサーレンズ 10 視野絞り 13 対物レンズ 14 ビームスプリッタ 15 結像レンズ 16 CCDカメラ 17 AGC 18 ADC 19 画像処理ユニット 30 照明光学系 32 光ファイバ AM1、AM2、AM3、AM4 アライメント系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 525X
Claims (5)
- 【請求項1】基板に形成されたアライメントマークを検
出して、前記基板の位置合わせを行う位置合わせ方法に
おいて、 前記アライメントマークの画像を取り込むステップと、 前記取り込んだ画像に応じて、前記アライメントマーク
の画像を取り込む回数を設定するステップと、 前記設定された回数の前記アライメントマークの画像に
基づいて、前記基板の位置合わせを行うステップとを含
むことを特徴とする位置合わせ方法。 - 【請求項2】基板に形成されたアライメントマークを検
出して、前記基板の位置合わせを行う位置合わせ方法に
おいて、 前記アライメントマークの少なくとも一部をテンプレー
トとして登録するステップと、 前記アライメントマークの画像を取り込むステップと、 前記アライメントマークと前記テンプレートとの相関を
求めるステップと、 前記求めた相関に応じて、前記アライメントマークの画
像を取り込む回数を設定するステップと、 前記設定された回数の前記アライメントマークの画像に
基づいて、前記基板の位置合わせを行うステップとを含
むことを特徴とする位置合わせ方法。 - 【請求項3】請求項2記載の位置合わせ方法において、 前記相関が所定の値よりも小さい場合に、前記画像に基
づいた前記基板の位置合わせを中止することを特徴とす
る位置合わせ方法。 - 【請求項4】マスクのパターンの像をアライメントマー
クが形成された感光基板に露光する露光方法において、 前記感光基板を請求項1または2に記載の位置合わせ方
法を用いて位置決めすることを特徴とする露光方法。 - 【請求項5】請求項4記載の露光方法において、 前記マスクにはアライメントマークが形成されており、 前記マスクを請求項1または2に記載の位置合わせ方法
を用いて位置決めすることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9150031A JPH10326739A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 位置合わせ方法及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9150031A JPH10326739A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 位置合わせ方法及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326739A true JPH10326739A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15487996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9150031A Withdrawn JPH10326739A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 位置合わせ方法及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10326739A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042640A1 (en) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Nikon Corporation | Pattern matching method and device, position determining method and device, position aligning method and device, exposing method and device, and device and its production method |
| WO2005001593A3 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-05-19 | Nippon Kogaku Kk | 基準パターン抽出方法とその装置、パターンマッチング方法とその装置、位置検出方法とその装置及び露光方法とその装置 |
| JP2018036528A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法、位置検出装置、リソグラフィ装置および物品製造方法 |
| JP2019045585A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、決定方法、プログラム、情報処理装置及び物品の製造方法 |
| CN116107177A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-05-12 | 中国科学院光电技术研究所 | 标记对准方法 |
| US12282263B2 (en) | 2020-11-17 | 2025-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system and lithographic system |
| CN120065650A (zh) * | 2025-04-29 | 2025-05-30 | 新毅东(北京)科技有限公司 | 光刻设备中物镜中心偏移的测量方法及装置 |
-
1997
- 1997-05-23 JP JP9150031A patent/JPH10326739A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042640A1 (en) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Nikon Corporation | Pattern matching method and device, position determining method and device, position aligning method and device, exposing method and device, and device and its production method |
| EP1184896A4 (en) * | 1999-01-18 | 2006-05-10 | Nikon Corp | MODEL COMPARISON METHOD AND APPARATUS, POSITION IDENTIFICATION METHOD AND APPARATUS, LOCATION JUSTAGEMETHODE AND APPARATUS AND APPARATUS AND ITS MANUFACTURE |
| US7184594B1 (en) | 1999-01-18 | 2007-02-27 | Nikon Corporation | Pattern matching method and device, position determining method and device, position aligning method and device, exposing method and device, and device and its production method |
| WO2005001593A3 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-05-19 | Nippon Kogaku Kk | 基準パターン抽出方法とその装置、パターンマッチング方法とその装置、位置検出方法とその装置及び露光方法とその装置 |
| JP2018036528A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法、位置検出装置、リソグラフィ装置および物品製造方法 |
| JP2019045585A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、決定方法、プログラム、情報処理装置及び物品の製造方法 |
| US12282263B2 (en) | 2020-11-17 | 2025-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system and lithographic system |
| CN116107177A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-05-12 | 中国科学院光电技术研究所 | 标记对准方法 |
| CN120065650A (zh) * | 2025-04-29 | 2025-05-30 | 新毅东(北京)科技有限公司 | 光刻设备中物镜中心偏移的测量方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3224041B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP3269343B2 (ja) | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 | |
| TWI282115B (en) | Exposure apparatus and method | |
| JP2003151884A (ja) | 合焦方法、位置計測方法および露光方法並びにデバイス製造方法 | |
| CN102696095A (zh) | 光学特性测量方法、曝光方法及组件制造方法 | |
| JP3297545B2 (ja) | 露光条件及び投影光学系の収差測定方法 | |
| WO2005004211A1 (ja) | フォーカステストマスク、フォーカス測定方法、及び露光装置 | |
| JP6608130B2 (ja) | 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
| JPH10242041A (ja) | 位置検出方法及びその装置並びに露光装置 | |
| JPH10326739A (ja) | 位置合わせ方法及び露光方法 | |
| US11927892B2 (en) | Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses | |
| JP3551570B2 (ja) | 走査型露光装置及び露光方法 | |
| JP3125534B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 | |
| JP2002170757A (ja) | 位置計測方法及びその装置、露光方法及びその装置、デバイスの製造方法 | |
| JPH11288867A (ja) | 位置合わせ方法、アライメントマークの形成方法、露光装置及び露光方法 | |
| JP2011049400A (ja) | 位置検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JPH1140476A (ja) | 露光条件選択方法、及び該方法で使用される検査装置 | |
| JP4332891B2 (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2007142078A (ja) | 位置計測方法及び装置、露光方法及び装置、測定検査装置、並びにプログラム | |
| JP3287352B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 | |
| JP2005303043A (ja) | 位置検出方法とその装置、位置合わせ方法とその装置、露光方法とその装置、及び、位置検出プログラム | |
| JP2637412B2 (ja) | 位置あわせ方法 | |
| JP2006058149A (ja) | 位置計測装置、露光装置、位置計測方法、及び露光方法 | |
| JP3593467B2 (ja) | アライメント方法 | |
| JP3368267B2 (ja) | 投影露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |