JPH10326911A - ｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法 - Google Patents

ｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法

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JPH10326911A
JPH10326911A JP13540697A JP13540697A JPH10326911A JP H10326911 A JPH10326911 A JP H10326911A JP 13540697 A JP13540697 A JP 13540697A JP 13540697 A JP13540697 A JP 13540697A JP H10326911 A JPH10326911 A JP H10326911A
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庸紀 朝妻
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克典 簗嶋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶性および電気伝導性を向上させると共
に、結晶の成長面内における組成比やｐ型不純物濃度を
均一とする。 【解決手段】 ＡｌＧａＮ混晶よりなる厚さ１〜１００
ｎｍ程度の第１の層１１と、Ｍｇが添加されたｐ型Ｇａ
Ｎよりなる厚さ１〜１００ｎｍ程度の第２の層１２とを
交互に複数積層する。各層１１，１２はそれぞれ薄いの
で、第１の層１１がＭｇを含まず第２の層１２がＡｌを
含まなくても全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての
性質を有する。積層に際してはＡｌの原料とＭｇの原料
とを時間的に分離して供給するので、良好な結晶の成長
を妨害するＡｌの原料とＭｇの原料との反応を防止でき
る。よって、良好な結晶を成長させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガリウム（Ｇ
ａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびイン
ジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩ
ＩＩ族元素と、窒素（Ｎ）と、マグネシウム（Ｍｇ），
亜鉛（Ｚｎ）および炭素（Ｃ）からなる群のうちの少な
くとも１種のｐ型不純物とを含むｐ型ＩＩＩ族ナイトラ
イド化合物半導体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、短波長光源素子，耐環境素子また
は高周波電子素子などの分野では、これらを構成する材
料としてＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶，ＩｎＧａＮ混晶また
はＢＡｌＧａＩｎＮ混晶などのＩＩＩ族ナイトライド化
合物半導体が有望視されている。特に最近、このＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体を用いた発光ダイオード
（ＬＥＤ）が実用化され注目を集めている。また、半導
体レーザ（ＬＤ）の達成も報告され、光ディスクを初め
とした応用が期待されている。
【０００３】このような素子の実用化を図る際には、デ
バイスとして使用し得る程度の高品質なＩＩＩ族ナイト
ライド化合物半導体を効率よく作製することが重要であ
る。特に、光デバイスにおいては、光や電子を正孔に閉
じ込めかつ効率よく電流を流すために、高品質のｐ型お
よびｎ型のＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を作製す
ることが望まれる。
【０００４】ちなみに、ＩＩＩ族ナイトライド化合物半
導体を作製する方法としては、有機金属気相成長（Meta
l Organic Chemical Vapor Deposition ；ＭＯＣＶＤ）
法や分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy；Ｍ
ＢＥ）などがある。例えばＭＯＣＶＤ法では、ゲルマニ
ウム，アルミニウムおよびインジウムなどのＩＩＩ族元
素の原料ガス（有機金属ガス）を窒素の原料ガス（例え
ばアンモニア（ＮＨ3）ガス）と共に加熱した基板の上
に供給して反応させ、ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導
体を基板の上にエピタキシャル成長させる。また、ＭＢ
Ｅ法では、ＩＩＩ族元素および窒素の粒子線を基板に照
射して、ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を基板の上
にエピタキシャル成長させる。
【０００５】その際、ｎ型の半導体を作製するのであれ
ば、珪素（Ｓｉ）などのｎ型不純物の原料ガスあるいは
粒子線をＩＩＩ族元素および窒素の原料ガスあるいは粒
子線と共に供給する。これにより、容易に高い結晶性お
よび電気伝導性を有するｎ型のＩＩＩ族ナイトライド化
合物半導体を作製することができる。一方、ｐ型の半導
体を作製するのであれば、マグネシウム，亜鉛あるいは
炭素などのｐ型不純物の原料ガスあるいは粒子線をＩＩ
Ｉ族元素および窒素の原料ガスあるいは粒子線と共に供
給して結晶を成長させたのち、必要に応じて低速電子線
照射や熱アニールなどによりキャリアを活性化させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ｎ型の
ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体は容易に作製するこ
とができるのに対し、ｐ型のＩＩＩ族ナイトライド化合
物半導体は作製が困難であり、結晶性および電気伝導性
が低く、また結晶の成長面内（基板の表面と平行な面
内）において組成比やｐ型不純物濃度が不均一になって
しまうという問題があった。これは、ＩＩＩ族元素の原
料ガスあるいは粒子線とｐ型不純物の原料ガスあるいは
粒子線とが基板に到達する前に反応してしまうためであ
ると考えられる。
【０００７】特に、ｐ型不純物としてマグネシウムを添
加したｐ型ＡｌＧａＮ混晶の作製は困難であり、母体結
晶であるＡｌＧａＮ混晶のアルミニウム組成がマグネシ
ウムを添加しない場合に比べて著しく低くなってしまう
と共に、ｐ型としての電気的特性も同程度のマグネシウ
ムを添加したＧａＮに比べて著しく劣ってしまう。すな
わち、ＩＩＩ族元素のうち特にアルミニウムとｐ型不純
物のマグネシウムとが反応しやすいものと考えられる。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、結晶性および電気伝導性が高く、か
つ結晶の成長面内における組成比やｐ型不純物濃度が均
一のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体およびその
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のｐ型ＩＩＩ族ナ
イトライド化合物半導体は、ガリウム，アルミニウム，
ホウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも
１種のＩＩＩ族元素と、窒素と、マグネシウム，亜鉛お
よび炭素からなる群のうちの少なくとも１種のｐ型不純
物とを含むものであって、組成あるいは含有するＩＩＩ
族元素の種類とｐ型不純物濃度とが互いに異なる第１の
層と第２の層とを交互に複数層それぞれ備えたものであ
る。
【００１０】本発明のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物
半導体の製造方法は、ガリウム，アルミニウム，ホウ素
およびインジウムからなる群のうちの少なくとも１種の
ＩＩＩ族元素と、窒素と、マグネシウム，亜鉛および炭
素からなる群のうちの少なくとも１種のｐ型不純物とを
含むｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を製造する
ものであって、ＩＩＩ族元素のうちの少なくとも１種を
第１の層および第２の層のうちの第１の層のみに含みか
つｐ型不純物のうちの少なくとも１種を第１の層および
第２の層のうちの第２の層のみに含む第１の層と第２の
層とを交互にそれぞれ複数積層する積層工程を含むもの
である。
【００１１】このｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導
体では、組成あるいは含有するＩＩＩ族元素の種類とｐ
型不純物濃度とが互いに異なる第１の層と第２の層とが
交互に複数層それぞれ積層されており、全体で１つのｐ
型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体としての性質を有
している。
【００１２】このｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導
体の製造方法では、積層工程により、ＩＩＩ族元素のう
ちの少なくとも１種を第１の層および第２の層のうちの
第１の層のみに含みかつｐ型不純物のうちの少なくとも
１種を第１の層および第２の層のうちの第２の層のみに
含む第１の層と第２の層とを交互にそれぞれ複数積層す
る。これにより、共に含まれると良好な結晶を成長させ
ることができないＩＩＩ族元素とｐ型不純物とを、第１
の層と第２の層とに分けて形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明の一実施の形態に係るｐ型Ｉ
ＩＩ族ナイトライド化合物半導体の構成を表すものであ
る。このｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体は、Ｉ
ＩＩ族元素であるアルミニウムおよびガリウムと窒素と
からなる母体結晶にｐ型不純物としてマグネシウムが添
加されたものである。但し、このｐ型ＩＩＩ族ナイトラ
イド化合物半導体は、組成あるいは含有するＩＩＩ族元
素の種類およびｐ型不純物濃度が全体にわたって均一な
わけではなく、それらが互いに異なる第１の層１１と第
２の層１２とを交互に複数層それぞれ備えている。
【００１５】例えば、図１において括弧書きにより例示
したように、第１の層１１はＡｌＧａＮ混晶により構成
され、第２の層１２はｐ型不純物としてマグネシウムを
含むｐ型ＧａＮにより構成される。すなわち、このｐ型
ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体は、構成元素である
ＩＩＩ族元素のアルミニウとｐ型不純物のマグネシウム
とのうち、アルミニウムを含みマグネシウムを含まない
第１の層１１とマグネシウムを含みアルミニウムを含ま
ない第２の層１２とを交互に積層したものである。
【００１６】また、図１においては例示してないが、第
１の層１１は第２の層１２よりもｐ型不純物濃度が低く
ＩＩＩ族元素のアルミニウム組成比が高いマグネシウム
含有ｐ型ＡｌＧａＮ混晶により構成され、第２の層１２
は第１の層１１よりもｐ型不純物濃度が高くアルミニウ
ム組成比が低いマグネシウム含有ｐ型ＡｌＧａＮ混晶に
より構成される場合もある。すなわち、このｐ型ＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体は、第２の層１２よりもア
ルミニウムを多く含む第１の層１１と、第１の層１１よ
りもマグネシウムを多く含む第２の層１２とを交互に積
層したものである。
【００１７】なお、第１の層１１および第２の層１２の
厚さは、例えばそれぞれ１〜１００ｎｍ程度である。こ
のように、本実施の形態に係るｐ型ＩＩＩ族ナイトライ
ド化合物半導体は第１の層１１および第２の層１２の厚
さがそれぞれ薄いので、マグネシウムを含まない第１の
層１１とアルミニウムを含まない第２の層１２とを積層
したものであっても、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶
としての性質を持つことができる。また、マグネシウム
の濃度およびアルミニウムの組成比が異なる第１の層１
１と第２の層とを積層したものであっても、全体として
は１つのｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つことが
できる。ちなみに、第１の層１１と第２の層１２の厚さ
は同一でも同一でなくてもよい。
【００１８】このような構成を有するｐ型ＩＩＩ族ナイ
トライド化合物半導体は次のようにして製造することが
できる。
【００１９】まず、適宜な基板（例えばサファイア基
板）を用意し、適宜な炉内においてＭＯＣＶＤ法あるい
はＭＢＥ法などにより、第１の層１１としてマグネシウ
ムを添加しないＡｌＧａＮ混晶層と、第２の層１２とし
てマグネシウムを添加したｐ型ＧａＮ層とを交互に積層
する（積層工程）。
【００２０】例えば、ＭＯＣＶＤ法であれば、基板を適
宜に加熱（例えば８００〜１０００℃）しながら適宜な
原料ガスをキャリアガスと共に選択的に炉内に供給し、
基板の上に各結晶層を成長させる。例えば、アルミニウ
ムの原料ガスとしてはトリメチルアルミニウムガス
（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ），ガリウムの原料ガスとしてはト
リメチルガリウムガス（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ），窒素の原
料ガスとしてはアンモニアガス，マグネシウムの原料ガ
スとしてはビス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシ
ウムガス（ＭｅＣｐ2 Ｍｇ）やビス＝シクロペンタジエ
ニルマグネシウムガス（Ｃｐ2 Ｍｇ）を用いる。キャリ
アガスとしては、水素ガス（Ｈ2 ）や窒素ガス（Ｎ2 ）
などを用いる。なお、ＡｌＧａＮ混晶層を成長させる時
には原料ガスのうちアルミニウム，ガリウムおよび窒素
の原料ガスを選択的に供給し、ｐ型ＧａＮ層を成長させ
る時にはマグネシウム，ガリウムおよび窒素の原料ガス
を選択的に供給する。
【００２１】また、ＭＢＥ法であれば、アルミニウム，
ガリウム，窒素およびマグネシウムの各粒子線を基板に
対して選択的に照射し、各結晶層を成長させる。
【００２２】このようにして第１の層１１と第２の層１
２とを成長させたのち、必要に応じて熱処理を行う。こ
れにより、第１の層１１（ＡｌＧａＮ混晶層）のアルミ
ニウムと第２の層１２（ｐ型ＧａＮ層）のマグネシウム
とが一部において互いに拡散する。よって、この熱処理
を行った場合、第１の層１１はマグネシウムの濃度が低
くアルミニウムの組成比が高いｐ型ＡｌＧａＮ混晶層と
なり、第２の層１２はマグネシウムの濃度が高くアルミ
ニウムの組成比が低いｐ型ＡｌＧａＮ混晶層となる。以
上により、本実施の形態に係るｐ型ＩＩＩ族ナイトライ
ド化合物半導体が形成される。
【００２３】このように本実施の形態に係るｐ型ＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体によれば、ＡｌＧａＮ混晶
よりなる第１の層１１とｐ型不純物としてマグネシウム
を含むｐ型ＧａＮよりなる第２の層１２とを交互に複数
層それぞれ備えるようにしたので、あるいはわずかにマ
グネシウムを含むｐ型ＡｌＧａＮ混晶よりなる第１の層
１１とわずかにアルミニウムを含むｐ型ＡｌＧａＮ混晶
よりなる第２の層１２とを交互に複数層それぞれ備える
ようにしたので、第１の層１１および第２の層１２の結
晶性などをそれぞれ容易に高めることができる。よっ
て、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持
たせつつ、結晶性および電気伝導性を向上させることが
できると共に、成長面内における組成およびｐ型不純物
濃度の均一性も向上させることができる。
【００２４】また、本実施の形態に係るｐ型ＩＩＩ族ナ
イトライド化合物半導体の製造方法によれば、第１の層
１１としてのＡｌＧａＮ混晶層と第２の層１２としての
ｐ型ＧａＮ層とを交互に積層するようにしたので、同時
に供給すると良好な結晶を成長させることができないア
ルミニウムの原料とマグネシウムの原料とを時間的に分
離して供給することができ、結晶性または電気伝導性が
高く成長面内における組成またはｐ型不純物濃度が均一
の第１の層１１および第２の層１２をそれぞれ形成する
ことができる。従って、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混
晶としての性質を持つ良好なｐ型ＩＩＩ族ナイトライド
化合物半導体を容易に製造することができる。
【００２５】
【実施例】更に、具体的な実施例を挙げて本発明を説明
する。
【００２６】本実施例では、まず、図２に示したよう
に、サファイアよりなる基板２１の上に厚さ約２０ｎｍ
のＧａＮよりなるバッファ層２２および厚さ約１μｍの
ＧａＮ層２３を形成し、その上に厚さ１０ｎｍのＡｌＧ
ａＮ混晶よりなる第１の層１１と厚さ１０ｎｍのマグネ
シウムを添加したｐ型ＧａＮよりなる第２の層１２とを
交互に２０層づつ積層した。
【００２７】なお、これらの各層は図３に示したように
してＭＯＣＶＤ法により形成した。すなわち、適宜な反
応炉３１の内部に設けられた載置台３２の上に基板２１
を載置し、原料ガスをキャリアガスと共に基板２１の表
面（すなわち成長面）に対して平行に流した。また、基
板２１を載置台３２に設けた図示しない加熱装置によっ
て１０００℃に加熱した。
【００２８】ちなみに、アルミニウムの原料ガスにはト
リメチルアルミニウムガスを、ガリウムの原料ガスには
トリメチルガリウムガスを、窒素の原料ガスにはアンモ
ニアガスを、マグネシウムの原料ガスにはビス＝メチル
シクロペンタジエニルマグネシウムガスをそれぞれ用
い、成長させる層に応じて選択的に炉内に供給した。す
なわち、第１の層１１を成長させる際にはトリメチルア
ルミニウムガスとトリメチルガリウムガスとアンモニア
ガスとをそれぞれ供給し、第２の層１２を成長させる際
にはビス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシウムガ
スとトリメチルガリウムガスとアンモニアガスとをそれ
ぞれ供給した。また、キャリアガスには水素ガスと窒素
ガスを用いた。
【００２９】次いで、キャリアを活性化するための熱処
理を行った。以上により、本実施例の試料を作製した。
【００３０】そののち、この作製した試料に関し、第１
の層１１と第２の層１２について積層方向全体を平均し
たアルミニウムの組成比をＸ線回折により分析した。分
析は試料の成長面内における複数の位置（中心と上流側
と下流側の３点）について行った。その分析結果を従来
例と比較して図４に示す。なお、従来例は、本実施例の
第１の層１１および第２の層１２に代えて、アルミニウ
ムとガリウムと窒素とマグネシウムの各原料ガスを同時
にそれぞれ供給してｐ型ＡｌＧａＮ混晶層を形成したこ
とを除き、本実施例と同様にして作製した。
【００３１】図４からわかるように、従来例はアルミニ
ウムの組成比が原料ガスの上流側で大きく、中央から下
流側にかけては急速に小さくなっていた。これは、アル
ミニウムとマグネシウムの原料ガスが上流側で反応して
しまい、成長面内におけるアルミニウムの組成比が不均
一になってしまったものと考えられる。これに対して、
本実施例は試料の位置によるアルミニウムの組成比の差
が小さく、平均的にアルミニウムの組成比が高くなって
いた。すなわち、本実施例によれば従来例に比べて結晶
性および成長面内における組成の均一性が向上すること
がわかった。
【００３２】また、この作製した試料に関し、キャリア
濃度を測定したところ１〜３×１０17ｃｍ-3であった。
従来例についてもキャリア濃度を測定しようとしたが、
抵抗が高く電極を設置してもオーミックコンタクトを取
ることができず、測定不能であった。すなわち、本実施
例によれば従来例に比べて電気伝導性も向上することが
わかった。
【００３３】以上、実施の形態および実施例を挙げて本
発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態および
実施例に限定されるものではなく、その均等の範囲で種
々変形可能である。例えば、上記実施の形態および上記
実施例においては、ＩＩＩ族元素であるアルミニウムお
よびガリウムと窒素とからなる母体結晶にｐ型不純物と
してマグネシウムを添加したｐ型ＩＩＩ族ナイトライド
化合物半導体について説明したが、本発明は、ガリウ
ム，アルミニウム，ホウ素およびインジウムからなる群
のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒素と、マ
グネシウム，亜鉛および炭素からなる群のうちの少なく
とも１種のｐ型不純物とを含むｐ型ＩＩＩ族ナイトライ
ド化合物半導体について広く適用することができる。
【００３４】なお、その製造に際しては、積層工程にお
いて、ＩＩＩ族元素のうちの少なくとも１種を第１の層
および第２の層のうちの第１の層のみに含み、かつｐ型
不純物のうちの少なくとも１種を第１の層および第２の
層のうちの第２の層のみに含む第１の層と第２の層とを
交互にそれぞれ複数積層すればよい。
【００３５】また、上記実施の形態においては、ｐ型Ｉ
ＩＩ族ナイトライド化合物半導体を第１の層１１と第２
の層１２とにより構成するようにしたが、本発明は、第
１の層１１および第２の層１２に加えて他の層を備えて
いてもよい。例えば、上記実施の形態において熱処理に
より第１の層１１（ＡｌＧａＮ混晶層）のアルミニウム
と第２の層１２（ｐ型ＧａＮ層）のマグネシウムとがご
く狭い範囲で拡散した場合など、ＡｌＧａＮ混晶よりな
る第１の層１１とｐ型ＧａＮよりなる第２の層１２との
間にｐ型ＡｌＧａＮ混晶よりなる第３の層をそれぞれ備
えていてもよい。
【００３６】更に、上記実施の形態および上記実施例に
おいては、ＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法を用いて本発
明のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を製造する
場合について説明したが、本発明は、他の方法を用いて
製造する場合についても広く適用することができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明のｐ型ＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体によれば、組成あるいは含
有するＩＩＩ族元素の種類とｐ型不純物濃度とが互いに
異なる第１の層と第２の層とを交互に複数層それぞれ備
えるようにしたので、第１の層および第２の層の結晶性
などをそれぞれ容易に高めることができる。よって、全
体の結晶性および電気伝導性を向上させることができる
と共に、成長面内における組成およびｐ型不純物濃度の
均一性も向上させることができる。従って、このｐ型Ｉ
ＩＩ族ナイトライド化合物半導体を用いて短波長光源素
子や耐環境素子や高周波電子素子などを構成すれば、そ
の品質を改善することができるという効果を奏する。
【００３８】また、本発明のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド
化合物半導体の製造方法によれば、ＩＩＩ族元素のうち
の少なくとも１種を第１の層および第２の層のうちの第
１の層のみに含みかつｐ型不純物のうちの少なくとも１
種を第１の層および第２の層のうちの第２の層のみに含
む第１の層と第２の層とを交互に積層するようにしたの
で、同時に供給すると良好な結晶を成長させることがで
きないＩＩＩ族元素の原料とｐ型不純物の原料を時間的
に分離して供給することができる。よって、結晶性また
は電気伝導性が高く成長面内における組成またはｐ型不
純物濃度が均一の第１の層と第２の層とをそれぞれ形成
することができる。従って、全体としてはｐ型ＡｌＧａ
Ｎ混晶としての性質を持つ良好なｐ型ＩＩＩ族ナイトラ
イド化合物半導体を容易に製造することができるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るｐ型ＩＩＩ族ナイ
トライド化合物半導体の構成図である。
【図２】本発明の一実施例においてＭＯＣＶＤ法により
成長させた試料の構成図である。
【図３】図２に示した試料をＭＯＣＶＤ法により成長さ
せる際の説明図である。
【図４】本発明の実施例で作製した試料の成長面内にお
ける位置とアルミニウムの組成比との関係を表す特性図
である。
【符号の説明】
１１…第１の層、１２…第２の層、２１…基板、２２…
バッファ層、２３…ＧａＮ層、３１…反応炉、３２…載
置台

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガリウム，アルミニウム，ホウ素および
    インジウムからなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ
    族元素と、窒素と、マグネシウム，亜鉛および炭素から
    なる群のうちの少なくとも１種のｐ型不純物とを含むｐ
    型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体であって、 組成あるいは含有するＩＩＩ族元素の種類とｐ型不純物
    濃度とが互いに異なる第１の層と第２の層とを交互に複
    数層それぞれ備えたことを特徴とするｐ型ＩＩＩ族ナイ
    トライド化合物半導体。
  2. 【請求項２】 ＩＩＩ族元素のうちの少なくとも１種を
    前記第１の層および前記第２の層のうちの前記第１の層
    のみに含み、かつｐ型不純物のうちの少なくとも１種を
    前記第１の層および前記第２の層のうちの第２の層のみ
    に含むことを特徴とする請求項１記載のｐ型ＩＩＩ族ナ
    イトライド化合物半導体。
  3. 【請求項３】 ＩＩＩ族元素として少なくともアルミニ
    ウムを含むと共にｐ型不純物として少なくともマグネシ
    ウムを含むｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体であ
    って、 アルミニウムを前記第１の層および前記第２の層のうち
    の前記第１の層のみにあるいは前記第１の層の方に多く
    含み、かつマグネシウムを前記第１の層および前記第２
    の層のうちの第２の層のみにあるいは前記第２の層の方
    に多く含むことを特徴とする請求項１記載のｐ型ＩＩＩ
    族ナイトライド化合物半導体。
  4. 【請求項４】 ガリウム，アルミニウム，ホウ素および
    インジウムからなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ
    族元素と、窒素と、マグネシウム，亜鉛および炭素から
    なる群のうちの少なくとも１種のｐ型不純物とを含むｐ
    型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を製造する方法で
    あって、 ＩＩＩ族元素のうちの少なくとも１種を第１の層および
    第２の層のうちの第１の層のみに含みかつｐ型不純物の
    うちの少なくとも１種を第１の層および第２の層のうち
    の第２の層のみに含む第１の層と第２の層とを交互にそ
    れぞれ複数積層する積層工程を含むことを特徴とするｐ
    型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体の製造方法。
  5. 【請求項５】 ＩＩＩ族元素として少なくともアルミニ
    ウムを含むと共にｐ型不純物として少なくともマグネシ
    ウムを含むｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を製
    造する方法であって、 前記積層工程では、アルミニウムを第１の層および第２
    の層のうちの第１の層のみに含みかつマグネシウムを第
    １の層および第２の層のうちの第２の層のみに含む第１
    の層と第２の層とを積層することを特徴とする請求項４
    記載のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体の製造方
    法。
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