JPH10326937A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10326937A JPH10326937A JP7718598A JP7718598A JPH10326937A JP H10326937 A JPH10326937 A JP H10326937A JP 7718598 A JP7718598 A JP 7718598A JP 7718598 A JP7718598 A JP 7718598A JP H10326937 A JPH10326937 A JP H10326937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- ridge
- cladding layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 AlGaInP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンタクト層と電極との接触抵抗を減少させ
るとともに、リッジ側壁部の表面酸化を防ぎ、レーザ特
性や信頼性を向上させる。 【解決手段】 基板上に第１導電型第１クラッド層、活
性層、第２導電型第１クラッド層、電流が注入されるス
トライプ領域に形成されたリッジ型の第２導電型第２ク
ラッド層及び第２導電型コンタクト層並びに該ストライ
プ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であ
って、該第２導電型第２クラッド層の実質的全面に該コ
ンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体発
光装置及び基板上に第１導電型第１クラッド層、活性層
及び第２導電型第１クラッド層を形成した後、保護膜を
用いて電流が注入されるストライプ領域にリッジ型の第
２導電型第２クラッド層を選択成長させ、更に該リッジ
型の第２導電型第２クラッド層の実質的全面にコンタク
ト層を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造
方法。
るとともに、リッジ側壁部の表面酸化を防ぎ、レーザ特
性や信頼性を向上させる。 【解決手段】 基板上に第１導電型第１クラッド層、活
性層、第２導電型第１クラッド層、電流が注入されるス
トライプ領域に形成されたリッジ型の第２導電型第２ク
ラッド層及び第２導電型コンタクト層並びに該ストライ
プ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であ
って、該第２導電型第２クラッド層の実質的全面に該コ
ンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体発
光装置及び基板上に第１導電型第１クラッド層、活性層
及び第２導電型第１クラッド層を形成した後、保護膜を
用いて電流が注入されるストライプ領域にリッジ型の第
２導電型第２クラッド層を選択成長させ、更に該リッジ
型の第２導電型第２クラッド層の実質的全面にコンタク
ト層を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基本横モードで発
振することが可能な、リッジ導波路型半導体レーザとし
て好適な構造を有する半導体発光装置及びその製造方法
に関する。
振することが可能な、リッジ導波路型半導体レーザとし
て好適な構造を有する半導体発光装置及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光装置を簡易に作製する場合
に、リッジ導波型と呼ばれる構造がよく用いられる。図
３にその構造の作製方法を示す。まず、最初に基板３０
１上にｎ型クラッド層３０２、活性層３０３、ｐ型クラ
ッド層３０４及びｐ型コンタクト層３０５を成長する。
次に、フォトリソグラフィーによるパターニングによ
り、ストライプ状のレジスト３１２をウエハー表面に形
成し、このレジストをマスクとしてｐクラッド層を所望
の厚みだけ残るようにウェットエッチングすることによ
り、ストライプ状のリッジが形成される。この後、ウエ
ハー全面に絶縁膜３０６を形成し、フォトリソグラフィ
ーによりリッジの頂部の絶縁膜を除去し、さらにｐ型電
極３０７及びｎ型電極３０８を形成する。リッジ構造に
することにより、レーザ発振において横モードの安定化
としきい値電流の低減を行うことができる。
に、リッジ導波型と呼ばれる構造がよく用いられる。図
３にその構造の作製方法を示す。まず、最初に基板３０
１上にｎ型クラッド層３０２、活性層３０３、ｐ型クラ
ッド層３０４及びｐ型コンタクト層３０５を成長する。
次に、フォトリソグラフィーによるパターニングによ
り、ストライプ状のレジスト３１２をウエハー表面に形
成し、このレジストをマスクとしてｐクラッド層を所望
の厚みだけ残るようにウェットエッチングすることによ
り、ストライプ状のリッジが形成される。この後、ウエ
ハー全面に絶縁膜３０６を形成し、フォトリソグラフィ
ーによりリッジの頂部の絶縁膜を除去し、さらにｐ型電
極３０７及びｎ型電極３０８を形成する。リッジ構造に
することにより、レーザ発振において横モードの安定化
としきい値電流の低減を行うことができる。
【０００３】しかしながら、このような従来のリッジ導
波路半導体発光装置の製造法では、リッジ部をエッチン
グにより形成するため、非リッジ部における活性層上の
クラッド層の厚みを精度よく制御することが困難であっ
た。その結果、この非リッジ部のクラッド層の厚みのわ
ずかな違いにより、この部分の実効屈折率が大きく変動
し、半導体発光装置のレーザ特性が変動し製品歩留まり
を向上させることが難しかった。
波路半導体発光装置の製造法では、リッジ部をエッチン
グにより形成するため、非リッジ部における活性層上の
クラッド層の厚みを精度よく制御することが困難であっ
た。その結果、この非リッジ部のクラッド層の厚みのわ
ずかな違いにより、この部分の実効屈折率が大きく変動
し、半導体発光装置のレーザ特性が変動し製品歩留まり
を向上させることが難しかった。
【０００４】このような問題を解決するために、非リッ
ジ部の活性層上部のクラッド層の厚みを結晶成長時の結
晶成長速度を用いて決定し、非リッジ部に保護膜を形成
して、リッジ部分を再成長する方法が提案されている
（特開平５−１２１８２２号公報等）。このようなレー
ザの作製方法と構造を図２に示す。このような作製法
で、リッジ部が形成される際、保護膜２０５をマスクと
してストライプ状の窓２０６上に選択再成長が行われ、
成長速度の面方位に対する異方性により、台形状にクラ
ッド層２０７、コンタクト層２０８が順次積層される。
このような方法では、非リッジ部の活性層上部のクラッ
ド層２０４の厚みを精密に制御することが可能となり、
実効屈折率の制御が容易になった。
ジ部の活性層上部のクラッド層の厚みを結晶成長時の結
晶成長速度を用いて決定し、非リッジ部に保護膜を形成
して、リッジ部分を再成長する方法が提案されている
（特開平５−１２１８２２号公報等）。このようなレー
ザの作製方法と構造を図２に示す。このような作製法
で、リッジ部が形成される際、保護膜２０５をマスクと
してストライプ状の窓２０６上に選択再成長が行われ、
成長速度の面方位に対する異方性により、台形状にクラ
ッド層２０７、コンタクト層２０８が順次積層される。
このような方法では、非リッジ部の活性層上部のクラッ
ド層２０４の厚みを精密に制御することが可能となり、
実効屈折率の制御が容易になった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この上
記のようなリッジ導波型レーザであっても、単一の基本
横モードを達成するために、光導波構造を製作しようと
すると、リッジ頂部のリッジ幅を１μｍ程度としなけれ
ばならず、コンタクト層と電極の接触面積が極めて小さ
くなるため、コンタクト層と電極との接触抵抗が増大
し、またリッジ側壁のクラッド層の表面の酸化により、
レーザ特性の劣化や信頼性の低下等を招いていた。その
結果、製品歩留まりを向上させることが困難であった。
記のようなリッジ導波型レーザであっても、単一の基本
横モードを達成するために、光導波構造を製作しようと
すると、リッジ頂部のリッジ幅を１μｍ程度としなけれ
ばならず、コンタクト層と電極の接触面積が極めて小さ
くなるため、コンタクト層と電極との接触抵抗が増大
し、またリッジ側壁のクラッド層の表面の酸化により、
レーザ特性の劣化や信頼性の低下等を招いていた。その
結果、製品歩留まりを向上させることが困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、再成長により形成し
たリッジ部分の頂部及び側面部を含む実質的全面にコン
タクト層を形成し、コンタクト層と電極との接触面積を
増大させることにより、接触抵抗が下がるとともに、リ
ッジ側壁のクラッド層の表面酸化も防止され、レーザ特
性や信頼性が向上することを見いだし、本発明に達し
た。
題を解決すべく鋭意検討した結果、再成長により形成し
たリッジ部分の頂部及び側面部を含む実質的全面にコン
タクト層を形成し、コンタクト層と電極との接触面積を
増大させることにより、接触抵抗が下がるとともに、リ
ッジ側壁のクラッド層の表面酸化も防止され、レーザ特
性や信頼性が向上することを見いだし、本発明に達し
た。
【０００７】即ち、本発明の要旨は、基板上に第１導電
型第１クラッド層、活性層、第２導電型第１クラッド
層、電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッ
ジ型の第２導電型第２クラッド層及び第２導電型コンタ
クト層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有
する半導体発光装置であって、該第２導電型第２クラッ
ド層の実質的全面に該コンタクト層が形成されているこ
とを特徴とする半導体発光装置及び基板上に第１導電型
第１クラッド層、活性層及び第２導電型第１クラッド層
を形成した後、保護膜を用いてリッジ型の第２導電型第
２クラッド層を選択成長させ、更に該リッジ型の第２導
電型第２クラッド層の実質的全面にコンタクト層を形成
することを特徴とする半導体発光装置の製造方法に存す
る。
型第１クラッド層、活性層、第２導電型第１クラッド
層、電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッ
ジ型の第２導電型第２クラッド層及び第２導電型コンタ
クト層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有
する半導体発光装置であって、該第２導電型第２クラッ
ド層の実質的全面に該コンタクト層が形成されているこ
とを特徴とする半導体発光装置及び基板上に第１導電型
第１クラッド層、活性層及び第２導電型第１クラッド層
を形成した後、保護膜を用いてリッジ型の第２導電型第
２クラッド層を選択成長させ、更に該リッジ型の第２導
電型第２クラッド層の実質的全面にコンタクト層を形成
することを特徴とする半導体発光装置の製造方法に存す
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の構造を作製する際の結晶
の成長方法は特に定めるものではなく、DH構造の結晶成
長には、MOCVD 法やMBE 法等の公知の成長法を用いれば
よい。基板についても、導電性や材料については特に限
定されないが、導電性があるものが好ましく、望ましく
はその上に結晶薄膜成長に適したGaAs、InP 、Si、ZnSe
等の半導体結晶基板、特に閃亜鉛鉱型構造を有する半導
体結晶基板を用いるのが良く、その場合基板の結晶成長
面は（１００）面またはそれと結晶学的に等価な面が好
ましい。なお、本願明細書において「（１００）面」と
いう場合には、必ずしも厳密に（１００）ジャストの面
のみを意味するのではなく、最大１５°程度までのオフ
アングルを有する場合まで包含するものとする。
の成長方法は特に定めるものではなく、DH構造の結晶成
長には、MOCVD 法やMBE 法等の公知の成長法を用いれば
よい。基板についても、導電性や材料については特に限
定されないが、導電性があるものが好ましく、望ましく
はその上に結晶薄膜成長に適したGaAs、InP 、Si、ZnSe
等の半導体結晶基板、特に閃亜鉛鉱型構造を有する半導
体結晶基板を用いるのが良く、その場合基板の結晶成長
面は（１００）面またはそれと結晶学的に等価な面が好
ましい。なお、本願明細書において「（１００）面」と
いう場合には、必ずしも厳密に（１００）ジャストの面
のみを意味するのではなく、最大１５°程度までのオフ
アングルを有する場合まで包含するものとする。
【０００９】クラッド層、活性層及びコンタクト層につ
いても特に限定はしないが、AlGaAs、AlGaInP 、GaInAs
P 、AlGaInN 、BeMgZnSe、CdZnSeTe等の一般的なIII-V
族、II-VI 族半導体を用いて、DH構造を作製すればよ
い。また、このとき、クラッド層は、活性層より屈折率
が小さい材料が選択され、コンタクト層としては、通
常、バンドギャップがクラッド層のそれよりも小さい材
料が選択され、金属電極とのオーミック性を取るための
低抵抗で、適当なキャリア密度、即ち、１×１０18〜５
×１０19、より好ましくは５×１０18〜２×１０19程度
のキャリア濃度を有することが好ましい。また、活性層
は、単一の層からなる場合に限定されず、量子井戸層お
よび該量子井戸層を上下から挟む光ガイド層からなる単
一量子井戸構造（ＳＱＷ）や複数の量子井戸層およびそ
れらに挟まれたバリア層ならびに最上の量子井戸層の上
および最下の量子井戸層の下に積層された光ガイド層か
らなる多量子井戸構造（ＭＱＷ）をも包含することとす
る。
いても特に限定はしないが、AlGaAs、AlGaInP 、GaInAs
P 、AlGaInN 、BeMgZnSe、CdZnSeTe等の一般的なIII-V
族、II-VI 族半導体を用いて、DH構造を作製すればよ
い。また、このとき、クラッド層は、活性層より屈折率
が小さい材料が選択され、コンタクト層としては、通
常、バンドギャップがクラッド層のそれよりも小さい材
料が選択され、金属電極とのオーミック性を取るための
低抵抗で、適当なキャリア密度、即ち、１×１０18〜５
×１０19、より好ましくは５×１０18〜２×１０19程度
のキャリア濃度を有することが好ましい。また、活性層
は、単一の層からなる場合に限定されず、量子井戸層お
よび該量子井戸層を上下から挟む光ガイド層からなる単
一量子井戸構造（ＳＱＷ）や複数の量子井戸層およびそ
れらに挟まれたバリア層ならびに最上の量子井戸層の上
および最下の量子井戸層の下に積層された光ガイド層か
らなる多量子井戸構造（ＭＱＷ）をも包含することとす
る。
【００１０】保護膜についても特に限定しないが、注入
電流のリッジ部の下の活性層の領域に電流狭窄を行うた
めに絶縁性を有する必要があり、また、活性層に水平方
向にリッジ部と非リッジ部の間で実効屈折率差をつけ、
レーザ発振の横モードの安定化を図るために、保護膜の
屈折率はクラッド層の屈折率よりも小さいことが好まし
い。しかし、実用上は、屈折率が小さすぎると活性層内
での横方向の有効屈折率段差が大きくなり易いために、
リッジ下の第１クラッド層を厚くしなければならなくな
る。一方、屈折率が大きすぎる場合、保護膜の外側へ光
が漏れやすくなるために保護膜をある程度厚くする必要
があるが、このことにより劈開性が悪くなるという問題
が生じる。これらのことを考え併せて、保護膜とクラッ
ド層との屈折率差は０．１〜２．５が好ましく、より好
ましくは０．２〜２．０である。さらに最も好ましく
は、０．７〜１．８である。また、保護膜の厚みは、絶
縁特性を充分に示すことができ、かつ保護膜の外側に光
が漏れない程度の厚さがあれば、特に問題はない。保護
膜の厚みは、１０〜５００ｎｍが好ましく、より好まし
くは５０〜３００ｎｍであり、最も好ましくは１００〜
２００ｎｍである。さらに、リッジ部を保護膜をマスク
としてMOCVD などを用いて選択再成長により形成する場
合、それに適したSix 、SiO2、Al2O3 等の誘電体が望ま
しく、かつ基板表面が（１００）面またはそれと結晶学
的に等価な面の場合、リッジ部側面に後述するコンタク
ト層が成長しやすくするためには、保護膜の開口部で定
義されるストライプ領域が［０１−１］方向またはそれ
と結晶学的に等価な方向に伸びていることが好ましい。
その場合リッジ側面の大部分が（３１１）Ａ面となるこ
とが多く、リッジを形成する第二導電型第二クラッド層
上の成長可能な実質的全面にコンタクト層を成長させる
ことができる。この傾向は第二導電型第二クラッド層が
ＡｌＧａＡｓ特にＡｌＡｓ混晶比０．２〜０．９、好ま
しくは０．３〜０．７のときに特に顕著である。なお、
本明細書において「［０１−１］方向」という場合は、
一般的なIII −Ｖ族、II−VI族半導体において、（１０
０）面と［０１−１］面との間に存在する［１１−１］
面が、それぞれＶ族またはVI族元素が現れる面であるよ
うに［０１−１］方向を定義する。また、必ずしも［０
１−１］ジャストの方向である必要はなく、［０１−
１］方向から±１０°程度方向がずれた方向までを包含
するものとする。
電流のリッジ部の下の活性層の領域に電流狭窄を行うた
めに絶縁性を有する必要があり、また、活性層に水平方
向にリッジ部と非リッジ部の間で実効屈折率差をつけ、
レーザ発振の横モードの安定化を図るために、保護膜の
屈折率はクラッド層の屈折率よりも小さいことが好まし
い。しかし、実用上は、屈折率が小さすぎると活性層内
での横方向の有効屈折率段差が大きくなり易いために、
リッジ下の第１クラッド層を厚くしなければならなくな
る。一方、屈折率が大きすぎる場合、保護膜の外側へ光
が漏れやすくなるために保護膜をある程度厚くする必要
があるが、このことにより劈開性が悪くなるという問題
が生じる。これらのことを考え併せて、保護膜とクラッ
ド層との屈折率差は０．１〜２．５が好ましく、より好
ましくは０．２〜２．０である。さらに最も好ましく
は、０．７〜１．８である。また、保護膜の厚みは、絶
縁特性を充分に示すことができ、かつ保護膜の外側に光
が漏れない程度の厚さがあれば、特に問題はない。保護
膜の厚みは、１０〜５００ｎｍが好ましく、より好まし
くは５０〜３００ｎｍであり、最も好ましくは１００〜
２００ｎｍである。さらに、リッジ部を保護膜をマスク
としてMOCVD などを用いて選択再成長により形成する場
合、それに適したSix 、SiO2、Al2O3 等の誘電体が望ま
しく、かつ基板表面が（１００）面またはそれと結晶学
的に等価な面の場合、リッジ部側面に後述するコンタク
ト層が成長しやすくするためには、保護膜の開口部で定
義されるストライプ領域が［０１−１］方向またはそれ
と結晶学的に等価な方向に伸びていることが好ましい。
その場合リッジ側面の大部分が（３１１）Ａ面となるこ
とが多く、リッジを形成する第二導電型第二クラッド層
上の成長可能な実質的全面にコンタクト層を成長させる
ことができる。この傾向は第二導電型第二クラッド層が
ＡｌＧａＡｓ特にＡｌＡｓ混晶比０．２〜０．９、好ま
しくは０．３〜０．７のときに特に顕著である。なお、
本明細書において「［０１−１］方向」という場合は、
一般的なIII −Ｖ族、II−VI族半導体において、（１０
０）面と［０１−１］面との間に存在する［１１−１］
面が、それぞれＶ族またはVI族元素が現れる面であるよ
うに［０１−１］方向を定義する。また、必ずしも［０
１−１］ジャストの方向である必要はなく、［０１−
１］方向から±１０°程度方向がずれた方向までを包含
するものとする。
【００１１】本発明の実施態様は上記のストライプ領域
が［０１−１］方向の場合に限定されない。以下に他の
実施態様を説明する。ストライプ領域が［０１１］方向
またはそれと結晶学的に等価な方向に伸びている場合、
例えば、成長条件により、成長速度に異方性をもたせる
ことができ、（１００）面では速く、（１１１）Ｂ面で
はほとんど成長しないようにすることができる。その場
合、ストライプ状の窓部（１００）面に選択的に成長を
行うと、（１１１）Ｂ面を側面とするリッジ状第二導電
型第二クラッド層が形成される。この場合も次にコンタ
クト層を形成する際、より等方性の強い成長が起こる条
件を選ぶことにより、（１００）面のリッジ頂部ととも
に（１１１）Ｂ面からなるリッジ側面にも全面的にコン
タクト層が形成される。
が［０１−１］方向の場合に限定されない。以下に他の
実施態様を説明する。ストライプ領域が［０１１］方向
またはそれと結晶学的に等価な方向に伸びている場合、
例えば、成長条件により、成長速度に異方性をもたせる
ことができ、（１００）面では速く、（１１１）Ｂ面で
はほとんど成長しないようにすることができる。その場
合、ストライプ状の窓部（１００）面に選択的に成長を
行うと、（１１１）Ｂ面を側面とするリッジ状第二導電
型第二クラッド層が形成される。この場合も次にコンタ
クト層を形成する際、より等方性の強い成長が起こる条
件を選ぶことにより、（１００）面のリッジ頂部ととも
に（１１１）Ｂ面からなるリッジ側面にも全面的にコン
タクト層が形成される。
【００１２】なお、第二導電型第二クラッド層がＡｌＧ
ａＡｓ等Ａｌを含むIII −Ｖ族化合物半導体で構成され
ている場合は、その成長可能な実質的全面をＧａＡｓ等
のＡｌを含まないIII −Ｖ族化合物半導体で覆うことに
より、表面酸化防止が可能となり好ましい。
ａＡｓ等Ａｌを含むIII −Ｖ族化合物半導体で構成され
ている場合は、その成長可能な実質的全面をＧａＡｓ等
のＡｌを含まないIII −Ｖ族化合物半導体で覆うことに
より、表面酸化防止が可能となり好ましい。
【００１３】本発明の半導体発光装置の製造方法におい
ては、基板上に、まずダブルヘテロ構造を形成後、保護
膜を用いて電流が注入されるストライプ領域にリッジ型
の第２導電型第２クラッド層を選択成長させ、更に該リ
ッジ型の第２導電型第２クラッド層の実質的全面にコン
タクト層を形成することを特徴とする。各層の具体的成
長条件等は、層の組成や成長方法等に応じて異なるが、
ＭＯＣＶＤ法を用いてIII-Ｖ族化合物半導体層を成長す
る場合、ダブルへテロ構造は、成長温度７００℃前後、
Ｖ/III比２５〜４５程度、リッジ部分は成長温度６３０
〜７００℃、Ｖ/III比４５〜５５程度で行うのが好まし
い。特に保護膜を用いて選択成長するリッジ部分がＡｌ
ＧａＡｓ等のＡｌを含むIII −Ｖ族化合物半導体である
場合、成長中に微量のＨＣｌガスを導入することによ
り、マスク上へのポリの堆積が防止され、非常に好まし
い。その場合、ＨＣｌガスの導入量が多すぎるとＡｌＧ
ａＡｓ層の成長が起こらず、逆に半導体層がエッチング
されてしまう（エッチングモード）が、最適なＨＣｌ導
入量はトリメチルアルミニウム等のＡｌを含んだIII族
原料供給モル数に大きく依存する。具体的には、ＨＣｌ
の供給モル数とＡｌを含んだIII 族原料供給モル数の比
（ＨＣｌ／III 族）は、０．０１以上５０以下、より好
ましくは０．０５以上１０以下、最も好ましくは０．１
以上５以下とするとよい。
ては、基板上に、まずダブルヘテロ構造を形成後、保護
膜を用いて電流が注入されるストライプ領域にリッジ型
の第２導電型第２クラッド層を選択成長させ、更に該リ
ッジ型の第２導電型第２クラッド層の実質的全面にコン
タクト層を形成することを特徴とする。各層の具体的成
長条件等は、層の組成や成長方法等に応じて異なるが、
ＭＯＣＶＤ法を用いてIII-Ｖ族化合物半導体層を成長す
る場合、ダブルへテロ構造は、成長温度７００℃前後、
Ｖ/III比２５〜４５程度、リッジ部分は成長温度６３０
〜７００℃、Ｖ/III比４５〜５５程度で行うのが好まし
い。特に保護膜を用いて選択成長するリッジ部分がＡｌ
ＧａＡｓ等のＡｌを含むIII −Ｖ族化合物半導体である
場合、成長中に微量のＨＣｌガスを導入することによ
り、マスク上へのポリの堆積が防止され、非常に好まし
い。その場合、ＨＣｌガスの導入量が多すぎるとＡｌＧ
ａＡｓ層の成長が起こらず、逆に半導体層がエッチング
されてしまう（エッチングモード）が、最適なＨＣｌ導
入量はトリメチルアルミニウム等のＡｌを含んだIII族
原料供給モル数に大きく依存する。具体的には、ＨＣｌ
の供給モル数とＡｌを含んだIII 族原料供給モル数の比
（ＨＣｌ／III 族）は、０．０１以上５０以下、より好
ましくは０．０５以上１０以下、最も好ましくは０．１
以上５以下とするとよい。
【００１４】また、本発明半導体装置においては、リッ
ジ型の第２導電型第２クラッド層の側面及び上面等の実
質的全面にコンタクト層が形成されていることを特徴と
し、該特徴により該第２導電型第２クラッド層とコンタ
クト層に十分な接触面積を持たせることにより装置全体
の抵抗を低く抑えることができるが、コンタクト層が形
成されたリッジの側面及び上面の一部を更に酸化防止等
の目的で保護膜で覆うことも可能である。その場合も、
リッジ側面にコンタクト層を形成せずに保護膜を形成す
るよりは装置全体の抵抗を小さく抑えることができ、そ
の限りにおいて、本発明に包含されるものである。
ジ型の第２導電型第２クラッド層の側面及び上面等の実
質的全面にコンタクト層が形成されていることを特徴と
し、該特徴により該第２導電型第２クラッド層とコンタ
クト層に十分な接触面積を持たせることにより装置全体
の抵抗を低く抑えることができるが、コンタクト層が形
成されたリッジの側面及び上面の一部を更に酸化防止等
の目的で保護膜で覆うことも可能である。その場合も、
リッジ側面にコンタクト層を形成せずに保護膜を形成す
るよりは装置全体の抵抗を小さく抑えることができ、そ
の限りにおいて、本発明に包含されるものである。
【００１５】本発明の望ましい実施様態では、第２導電
型第２クラッド層の一部が絶縁層上に形成されているこ
とを特徴としている。これにより保護膜とリッジ底部と
の境界近傍にしみ出す光分布の制御性を向上させること
ができる。本発明の更に望ましい別の実施様態では、第
２導電型第１クラッド層の屈折率が第２導電型第２クラ
ッド層の屈折率よりも大きいことを特徴としている。本
発明の更に望ましい別の実施様態では、第２導電型第１
クラッド層上のストライプ領域及びその両側に酸化防止
層を有することを特徴としている。これによりリッジ部
のクラッド層を再成長により形成する場合、再成長界面
で通過抵抗を増大させるような高抵抗層の発生を防ぐこ
とが可能になる。このように、本発明は様々なリッジ導
波型半導体発光装置に応用可能である。
型第２クラッド層の一部が絶縁層上に形成されているこ
とを特徴としている。これにより保護膜とリッジ底部と
の境界近傍にしみ出す光分布の制御性を向上させること
ができる。本発明の更に望ましい別の実施様態では、第
２導電型第１クラッド層の屈折率が第２導電型第２クラ
ッド層の屈折率よりも大きいことを特徴としている。本
発明の更に望ましい別の実施様態では、第２導電型第１
クラッド層上のストライプ領域及びその両側に酸化防止
層を有することを特徴としている。これによりリッジ部
のクラッド層を再成長により形成する場合、再成長界面
で通過抵抗を増大させるような高抵抗層の発生を防ぐこ
とが可能になる。このように、本発明は様々なリッジ導
波型半導体発光装置に応用可能である。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を越えない限り、下記実施
例により限定されるものではない。 （実施例）この実施例は図１に示すものである。厚さ３
５０μｍで表面が（１００）面であるｎ型ＧａＡｓ（ｎ
＝１×１０18ｃｍ-3）基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法に
よりSiドープAlx Ga1-x As(x=0.55 ：ｎ＝１×１０18ｃ
ｍ-3）からなる厚さ1.5 μｍのｎ型第１クラッド層１０
２、ノンドープAlx Ga1-x As(x=0.14)からなる厚さ0.06
μｍの活性層１０３、ZnドープAlx Ga1-x As(x=0.55:ｐ
＝１×１０18ｃｍ-3) からなる厚さ0.25μｍのｐ型第１
クラッド層１０４、ＺｎドープAlx Ga1-x As(x=0.2 :ｐ
＝１×１０18ｃｍ-3) からなる厚さ10ｎｍの酸化防止層
１１１を順次積層することにより、ダブルヘテロ構造を
形成した（図１（ａ））。次にこのダブルヘテロ基板の
表面に SiNx 保護膜１０５を２００nm堆積させ、フォト
リソグラフィーによりこの SiNx 保護膜に[01-1]方向に
伸びた幅2.2 μｍのストライプ状の窓１０６を多数開け
た。このストライプ状の窓１０６に、MOCVD 法を用いた
選択成長により、ZnドープAlx Ga1-x As(x=0.57:ｐ＝１
×１０18ｃｍ-3 )からなる厚さ1.25μｍのｐ型第２クラ
ッド層１０７を成長した。このZnドープｐ型AlxGa1-x A
s(x=0.57)第２クラッド層は、主に（３１１）Ａ面をフ
ァセットとするリッジ形状を呈した。次に、この上に、
ＭＯＣＶＤ法を用いた選択成長により、キャリア濃度１
×１０19ｃｍ-3のZnドープGaAsからなるｐ型コンタクト
層１０８を形成した。このZnドープGaAsコンタクト層
は、ZnドープAlx Ga1-x As(x=0.57)からなるリッジ状の
ｐ型第２クラッド層１０７上にほぼ等方的に成長し、リ
ッジ全面を覆う厚さ０．２μｍのｐ型コンタクト層１０
８が形成された（図１（ｂ））。
するが、本発明は、その要旨を越えない限り、下記実施
例により限定されるものではない。 （実施例）この実施例は図１に示すものである。厚さ３
５０μｍで表面が（１００）面であるｎ型ＧａＡｓ（ｎ
＝１×１０18ｃｍ-3）基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法に
よりSiドープAlx Ga1-x As(x=0.55 ：ｎ＝１×１０18ｃ
ｍ-3）からなる厚さ1.5 μｍのｎ型第１クラッド層１０
２、ノンドープAlx Ga1-x As(x=0.14)からなる厚さ0.06
μｍの活性層１０３、ZnドープAlx Ga1-x As(x=0.55:ｐ
＝１×１０18ｃｍ-3) からなる厚さ0.25μｍのｐ型第１
クラッド層１０４、ＺｎドープAlx Ga1-x As(x=0.2 :ｐ
＝１×１０18ｃｍ-3) からなる厚さ10ｎｍの酸化防止層
１１１を順次積層することにより、ダブルヘテロ構造を
形成した（図１（ａ））。次にこのダブルヘテロ基板の
表面に SiNx 保護膜１０５を２００nm堆積させ、フォト
リソグラフィーによりこの SiNx 保護膜に[01-1]方向に
伸びた幅2.2 μｍのストライプ状の窓１０６を多数開け
た。このストライプ状の窓１０６に、MOCVD 法を用いた
選択成長により、ZnドープAlx Ga1-x As(x=0.57:ｐ＝１
×１０18ｃｍ-3 )からなる厚さ1.25μｍのｐ型第２クラ
ッド層１０７を成長した。このZnドープｐ型AlxGa1-x A
s(x=0.57)第２クラッド層は、主に（３１１）Ａ面をフ
ァセットとするリッジ形状を呈した。次に、この上に、
ＭＯＣＶＤ法を用いた選択成長により、キャリア濃度１
×１０19ｃｍ-3のZnドープGaAsからなるｐ型コンタクト
層１０８を形成した。このZnドープGaAsコンタクト層
は、ZnドープAlx Ga1-x As(x=0.57)からなるリッジ状の
ｐ型第２クラッド層１０７上にほぼ等方的に成長し、リ
ッジ全面を覆う厚さ０．２μｍのｐ型コンタクト層１０
８が形成された（図１（ｂ））。
【００１７】上記のＭＯＣＶＤ法において、III 族原料
にはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）を、Ｖ族原料にはアルシンを、キャ
リアガスには水素を用いた。また、ｐ型ドーパントには
ジメチル亜鉛、ｎ型ドーパントにはジシランを用いた。
また、リッジの成長時にはＨＣｌガスをＨＣｌ／III族
のモル比が０．１２、特にＨＣｌ／ＴＭＡのモル比が
０．２２となる様に導入した。
にはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）を、Ｖ族原料にはアルシンを、キャ
リアガスには水素を用いた。また、ｐ型ドーパントには
ジメチル亜鉛、ｎ型ドーパントにはジシランを用いた。
また、リッジの成長時にはＨＣｌガスをＨＣｌ／III族
のモル比が０．１２、特にＨＣｌ／ＴＭＡのモル比が
０．２２となる様に導入した。
【００１８】この後、ｐ側の電極１１０を蒸着し、基板
を１００μｍまで薄くした後に、ｎ側電極１１１を蒸着
し、アロイした（図１（ｃ））。こうして作製したウエ
ハーより、劈開によりチップを切り出して、レーザ共振
器構造を形成した。このときの共振器長は２５０μｍと
した。ジャンクションアップで組立した後、２５℃で連
続通電（ＣＷ）にて電流−光出力、電流−電圧特性を測
定した。このようにして作製したレーザ素子の特性は、
図４に示す通り非常に良好な電流−電圧特性及び電流−
出力特性を示し、しきい値も１．７Ｖと活性層のバンド
ギャップに対応する低い値で、高抵抗層が存在しないこ
とが確認できた。また、直列抵抗が５〜６Ωと小さく、
ｐ型コンタクト層とｐ型電極の間の接触抵抗が極めて小
さいことが確認された。さらに、コンパクトディスク等
の読みとり用光源などに利用される低出力のセルフパル
セーション動作を行うレーザの場合には標準的なスペッ
クは表１に示す通りである。本実施例のレーザは、しき
い値電流が平均２６ｍＡ、スロープ効率が平均０．５６
ｍＷ／ｍＡである等特性が非常に良好であり、また、設
計通りの遠視野像（ビーム広がり角）が得られ、光分布
の制御が非常に良好であることが確認された。高い信頼
性も確認でき、諸特性のバッチ内およびバッチ間のばら
つきも小さく製品歩留まりも１００％近くあることが判
明した。また、ＳＥＭ観察によりZnドープAlx Ga1-x As
(x=0.57)からなるリッジ状のｐ型第２クラッド層（第２
誘電型第２クラッド層）は、図１にその断面説明図を示
す様に、ＳｉＮx からなる保護膜上に約０．４μｍ重な
って形成されていることが確認された。また、リッジ側
面に保護膜は形成されていない。
を１００μｍまで薄くした後に、ｎ側電極１１１を蒸着
し、アロイした（図１（ｃ））。こうして作製したウエ
ハーより、劈開によりチップを切り出して、レーザ共振
器構造を形成した。このときの共振器長は２５０μｍと
した。ジャンクションアップで組立した後、２５℃で連
続通電（ＣＷ）にて電流−光出力、電流−電圧特性を測
定した。このようにして作製したレーザ素子の特性は、
図４に示す通り非常に良好な電流−電圧特性及び電流−
出力特性を示し、しきい値も１．７Ｖと活性層のバンド
ギャップに対応する低い値で、高抵抗層が存在しないこ
とが確認できた。また、直列抵抗が５〜６Ωと小さく、
ｐ型コンタクト層とｐ型電極の間の接触抵抗が極めて小
さいことが確認された。さらに、コンパクトディスク等
の読みとり用光源などに利用される低出力のセルフパル
セーション動作を行うレーザの場合には標準的なスペッ
クは表１に示す通りである。本実施例のレーザは、しき
い値電流が平均２６ｍＡ、スロープ効率が平均０．５６
ｍＷ／ｍＡである等特性が非常に良好であり、また、設
計通りの遠視野像（ビーム広がり角）が得られ、光分布
の制御が非常に良好であることが確認された。高い信頼
性も確認でき、諸特性のバッチ内およびバッチ間のばら
つきも小さく製品歩留まりも１００％近くあることが判
明した。また、ＳＥＭ観察によりZnドープAlx Ga1-x As
(x=0.57)からなるリッジ状のｐ型第２クラッド層（第２
誘電型第２クラッド層）は、図１にその断面説明図を示
す様に、ＳｉＮx からなる保護膜上に約０．４μｍ重な
って形成されていることが確認された。また、リッジ側
面に保護膜は形成されていない。
【００１９】
【表１】 表１ しきい値電流Ｉth Ｉth≦３０ｍＡ しきい値電圧Ｖth Ｖth≦２．０Ｖ 動作電流Ｉop Ｉop≦３７ｍＡ 動作電圧Ｖop Ｖop≦２．３Ｖ スロープ効率ＳＥ ０．４≦ＳＥ≦０．７ 垂直ビーム広がり角θv ３０°≦θv ≦４０° 水平ビーム広がり角θh ８°≦θh ≦１４° 波長λ ７８０ｎｍ≦λ≦８１０ｎｍ コヒーレンシーγ γ≦０．９５ ＠２５℃、３ｍＷ（Ｉth、Ｖthを除く）
【００２０】（比較例）この比較例は図２に示すもので
ある。厚さ３５０μｍで表面が（１００）面であるｎ型
ＧａＡｓ（ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）基板２０１上に、Ｍ
ＯＣＶＤ法によりSiドープAlx Ga1-x As(x=0.55 ：ｎ＝
１×１０18ｃｍ-3）からなる厚さ1.5 μｍのｎ型第１ク
ラッド層２０２、ノンドープAlx Ga1-x As(x=0.14)から
なる厚さ0.06μｍの活性層２０３、ZnドープAlx Ga1-x
As(x=0.55 ：ｐ＝１×１０18ｃｍ -3 )からなる厚さ0.25
μｍのｐ型第１クラッド層２０４、ZnドープAlx Ga1-x
As(x=0.2：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3 )からなる厚さ１０ｎ
ｍの酸化防止層２１１を順次積層した（図２（ａ））。
次に SiNx 保護膜２０５を２００nm堆積させ、フォトリ
ソグラフィーによりこの SiNx 保護膜に[0-1-1］方向に
伸びた幅2.2 μｍのストライプ状の窓２０６を多数開け
た。このストライプ状の窓２０６に、MOCVD法を用いた
選択成長により、ZnドープAlx Ga1-x As(x=0.55 ：ｐ＝
１×１０18ｃｍ-3 )からなる厚さ1.25μｍのｐ型第２ク
ラッド層２０７を成長した。このZnドープAlx Ga1-x As
(x=0.55 ：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3 )ｐ型第２クラッド層
２０７は、（１００）面を頂部とし（１１１）Ｂ面を側
面とするリッジ形状を呈した。次に、この上に、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いた選択成長により、キャリア濃度１×１０
19ｃｍ-3のZnドープGaAsからなるｐ型コンタクト層２０
８を形成した。このZnドープGaAsコンタクト層２０８
は、（１１１）Ｂ面からなるリッジ側面には殆ど成長せ
ず、（１００）面からなるリッジ頂部にのみｐ型コンタ
クト層２０８が形成された（図２（ｂ））。
ある。厚さ３５０μｍで表面が（１００）面であるｎ型
ＧａＡｓ（ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）基板２０１上に、Ｍ
ＯＣＶＤ法によりSiドープAlx Ga1-x As(x=0.55 ：ｎ＝
１×１０18ｃｍ-3）からなる厚さ1.5 μｍのｎ型第１ク
ラッド層２０２、ノンドープAlx Ga1-x As(x=0.14)から
なる厚さ0.06μｍの活性層２０３、ZnドープAlx Ga1-x
As(x=0.55 ：ｐ＝１×１０18ｃｍ -3 )からなる厚さ0.25
μｍのｐ型第１クラッド層２０４、ZnドープAlx Ga1-x
As(x=0.2：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3 )からなる厚さ１０ｎ
ｍの酸化防止層２１１を順次積層した（図２（ａ））。
次に SiNx 保護膜２０５を２００nm堆積させ、フォトリ
ソグラフィーによりこの SiNx 保護膜に[0-1-1］方向に
伸びた幅2.2 μｍのストライプ状の窓２０６を多数開け
た。このストライプ状の窓２０６に、MOCVD法を用いた
選択成長により、ZnドープAlx Ga1-x As(x=0.55 ：ｐ＝
１×１０18ｃｍ-3 )からなる厚さ1.25μｍのｐ型第２ク
ラッド層２０７を成長した。このZnドープAlx Ga1-x As
(x=0.55 ：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3 )ｐ型第２クラッド層
２０７は、（１００）面を頂部とし（１１１）Ｂ面を側
面とするリッジ形状を呈した。次に、この上に、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いた選択成長により、キャリア濃度１×１０
19ｃｍ-3のZnドープGaAsからなるｐ型コンタクト層２０
８を形成した。このZnドープGaAsコンタクト層２０８
は、（１１１）Ｂ面からなるリッジ側面には殆ど成長せ
ず、（１００）面からなるリッジ頂部にのみｐ型コンタ
クト層２０８が形成された（図２（ｂ））。
【００２１】上記ＭＯＣＶＤ法は実施例と同様の条件で
行った。この後、ｐ側の電極２０９を蒸着し、基板を１
００μm まで薄くした後に、ｎ側電極２１０を蒸着し、
アロイした（図２（ｃ））。こうして作製したウエハー
より、劈開によりチップを切り出して、レーザ共振器構
造を形成した。このようにして作製したレーザ素子の特
性は、直列抵抗が１０Ω程度と大きかった。また、しき
い値電流が平均２８ｍＡしきい値電圧が平均２．３Ｖ程
度と大きく、スロープ効率は０．５ｍＷ／ｍＡ程度と小
さく、かつこれらの特性のバッチ内バッチ間のばらつき
も大きく、素子歩留まりも５０％程度しかなかった。
行った。この後、ｐ側の電極２０９を蒸着し、基板を１
００μm まで薄くした後に、ｎ側電極２１０を蒸着し、
アロイした（図２（ｃ））。こうして作製したウエハー
より、劈開によりチップを切り出して、レーザ共振器構
造を形成した。このようにして作製したレーザ素子の特
性は、直列抵抗が１０Ω程度と大きかった。また、しき
い値電流が平均２８ｍＡしきい値電圧が平均２．３Ｖ程
度と大きく、スロープ効率は０．５ｍＷ／ｍＡ程度と小
さく、かつこれらの特性のバッチ内バッチ間のばらつき
も大きく、素子歩留まりも５０％程度しかなかった。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、コンタクト層と電極と
の接触抵抗を減少させることができ、かつリッジ側壁部
の表面酸化を防ぐことができ、レーザ特性や信頼性を向
上させることができる。
の接触抵抗を減少させることができ、かつリッジ側壁部
の表面酸化を防ぐことができ、レーザ特性や信頼性を向
上させることができる。
【図１】本発明の半導体発光装置及びその製造方法を説
明する断面説明図である。
明する断面説明図である。
【図２】比較例に記載した半導体発光装置であって、リ
ッジ上部のみにコンタクト層を形成してなる半導体発光
装置及びその製造方法を説明する断面説明図である。
ッジ上部のみにコンタクト層を形成してなる半導体発光
装置及びその製造方法を説明する断面説明図である。
【図３】従来のリッジ部をエッチングにより形成してな
る半導体発光装置及びその製造方法を説明する断面説明
図である。
る半導体発光装置及びその製造方法を説明する断面説明
図である。
【図４】実施例に記載した半導体レーザの電流−電圧特
性および電流−出力特性を示すグラフである。グラフ中
横軸は電流、右側縦軸は電圧、左側縦軸は出力を表す。
性および電流−出力特性を示すグラフである。グラフ中
横軸は電流、右側縦軸は電圧、左側縦軸は出力を表す。
１０１，２０１ 基板 １０２，２０２ 第１導電型クラッド層 １０３，２０３ 活性層 １０４，２０４ 第２導電型第１クラッド層 １０５，２０５ 保護膜 １０６，２０６ ストライプ領域 １０７，２０７ 第２導電型第２クラッド層 １０８，２０８ コンタクト層 １０９，２０９ エピタキシャル側電極 １１０，２１０ 基板側電極 １１１，２１１ 酸化防止層 ３０１ 基板 ３０２ 第１導電型クラッド層 ３０３ 活性層 ３０４ 第２導電型クラッド層 ３０５ コンタクト層 ３０６ 保護膜 ３０７ エピタキシャル側電極 ３０８ 基板側電極 ３１０ リッジ部 ３１１ 非リッジ部 ３１２ レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 秀樹 茨城県牛久市東猯穴町1000番地 三菱化学 株式会社筑波事業所内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に第１導電型第１クラッド層、活
性層、第２導電型第１クラッド層、電流が注入されるス
トライプ領域に形成されたリッジ型の第２導電型第２ク
ラッド層及び第２導電型コンタクト層並びに該ストライ
プ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であ
って、該第２導電型第２クラッド層の実質的全面に該コ
ンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体発
光装置。 - 【請求項２】 該基板が、閃亜鉛鉱型結晶構造を有し、
表面が（１００）面又はそれと結晶学的に等価な面であ
って、ストライプ領域が［０１−１］方向又はそれと結
晶学的に等価な方向に伸びていることを特徴とする請求
項１記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 基板上に第１導電型第１クラッド層、活
性層及び第２導電型第１クラッド層を形成した後、保護
膜を用いて電流が注入されるストライプ領域にリッジ型
の第２導電型第２クラッド層を選択成長させ、更に該リ
ッジ型の第２導電型第２クラッド層の実質的全面にコン
タクト層を形成することを特徴とする半導体発光装置の
製造方法。 - 【請求項４】 該基板が、閃亜鉛鉱型結晶構造を有し、
表面が（１００）面又はそれと結晶学的に等価な面であ
って、ストライプ領域が［０１−１］方向又はそれと結
晶学的に等価な方向に伸びていることを特徴とする請求
項３記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7718598A JPH10326937A (ja) | 1997-03-26 | 1998-03-25 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-72933 | 1997-03-26 | ||
| JP7293397 | 1997-03-26 | ||
| JP7718598A JPH10326937A (ja) | 1997-03-26 | 1998-03-25 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326937A true JPH10326937A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=26414071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7718598A Pending JPH10326937A (ja) | 1997-03-26 | 1998-03-25 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10326937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340891A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-12-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置 |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP7718598A patent/JPH10326937A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340891A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-12-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0989643B1 (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same | |
| US7781796B2 (en) | Nitride semiconductor laser element | |
| US20090168827A1 (en) | Nitride semiconductor laser chip and method of fabricating same | |
| JP3864634B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| US7804882B2 (en) | Nitride semiconductor laser element | |
| US6639926B1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP4028158B2 (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
| JP3892637B2 (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
| JP3889910B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JP2002124738A (ja) | 半導体光デバイス装置及びその製造方法 | |
| JP2001358409A (ja) | 半導体光デバイス装置及びその製造方法 | |
| JP4163321B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| EP0867949B1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JPH10326937A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JP2002026451A (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
| US6023483A (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JP2001057458A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH10326938A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2000312053A (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
| JP3889911B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JP4240085B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JP2000312052A (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
| JP2000332359A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2001024276A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2001024281A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060104 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060418 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060615 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060623 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060714 |