JPH1032833A

JPH1032833A - 消磁回路

Info

Publication number: JPH1032833A
Application number: JP18521996A
Authority: JP
Inventors: Takehiko Otsuki; 岳彦大月
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-07-15
Filing date: 1996-07-15
Publication date: 1998-02-03

Abstract

(57)【要約】【課題】水平偏向ヨークコイル等から発生する磁束の
影響でデガウスコイルに飛び込み電流が流れて陰極線管
のランディングに影響を与えるという現象を確実に解消
できる量産性に優れた消磁回路を提供する。【解決手段】非消磁状態において、消磁用磁界を発生
させるデガウスコイル４の両端を切換回路５を介して短
絡する。陰極線管（ＣＲＴ）を消磁する際には、切換回
路５を点線で示す切換位置に切り換え、正特性サーミス
タ３とデガウスコイル４との直列回路に交流電源２を供
給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、カラーテレビ受
像機等の陰極線管（ＣＲＴ）の消磁を行なう消磁（デガ
ウス）回路に係り、詳しくは、非消磁状態ではデガウス
コイルの両端を短絡等してデガウスコイルのインピーダ
ンスを低下させることで、偏向ヨークコイル等からの飛
び込み電流によって不要な磁界が発生するのを防止する
ようにした消磁回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図８は従来の消磁回路の回路図である。
従来の消磁回路１０１は、正特性サーミスタ１０２とデ
ガウスコイル１０３との直列回路に、消磁用スイッチ１
０４を介して交流電源１０５を供給する構成である。

【０００３】テレビ受像機等の陰極線管を備えた装置の
電源投入に連動させて消磁用スイッチ１０４を閉じる
と、正特性サーミスタ１０２を介してデガウスコイル１
０３に交流電流（消磁電流）が流れる。正特性サーミス
タ１０２は消磁電流による自己発熱によって正特性サー
ミスタ１０２の抵抗値が次第に増加する。このため、デ
ガウスコイル１０３に流れる消磁電流の電流値は次第に
小さくなる（交流電流の振幅は次第に減衰する）。この
電流値が次第に減衰する消磁電流によって、デガウスコ
イルから次第に減衰する消磁磁界が発生する。この消磁
磁界によって、陰極線管内における電子ビームの走査空
間や色選別電極等を地磁気の影響を受けない磁化状態に
磁化する。そして、陰極線管の消磁を行なった後に、消
磁用スイッチ１０４をオフして、デガウスコイル１０３
への通電を停止させる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の消磁回路１０１
は、消磁用スイッチ１０４がオフ状態にある非消磁状態
では、デガウスコイル１０３の両端は電気的に開放され
ているため、デガウスコイル１０３の高周波数でのイン
ピーダンスが高くなっている。このためデガウスコイル
１０３のインダクタンスとデガウスコイル１０３の容量
成分ならびにデガウスコイル１０３に接続される配線や
デガウスコイル１０３の取り付け構造等に伴うインピー
ダンス成分とからなる共振回路が形成される。

【０００５】このデガウスコイル１０３の共振周波数
が、水平走査周波数（例えば１５．７５ＫＨｚ）に近い
場合、および、水平走査周波数の高調波の周波数に近い
場合、デガウスコイル１０３と水平偏向ヨークコイルと
の間で共振現象が発生し、デガウスコイル１０３に飛び
込み電流が流れることがある。この飛び込み電流によっ
て生じた磁界によって、陰極線管のランディングに影響
を与える。

【０００６】図１０は水平偏向信号と飛び込み電流との
関係を示す波形図である。図１０（ａ）は水平偏向信号
の波形、図１０（ｂ）は飛び込み電流の波形を示す。水
平走査期間のほぼ前側の点Ａで飛び込み電流は正のピー
クとなり、水平走査期間のほぼ後側の点Ｂで飛び込み電
流は２回目の負のピークとなる。

【０００７】デガウスコイル１０３の特性は個々にばら
ついているため、デガウスコイル１０３の共振周波数も
ばらつく。このため飛び込み電流の電流値や電流波形等
はばらつき、この結果、陰極線管のランディングもばら
つくことになる。このため、ランディング補正コイル等
を用いたランディング補正で対処することが困難であ
る。

【０００８】そこで、図９に示すように、デガウスコイ
ル１０３に並列にコンデンサ１１１を接続して共振周波
数を下げることで、陰極線管のランディングへの影響を
抑制するようにした消磁回路１１０を本出願人は提案し
た。しかしながら、陰極線管の品種や水平走査周波数の
違い等に応じて個々の装置ごとにコンデンサの容量を調
整・選択しなければならない。このため、デガウスコイ
ル１０３にコンデンサ１１１を並列接続する回路構成
は、必ずしも量産に好適なものではなかった。

【０００９】この発明はこのような課題を解決するため
なされたもので、偏向ヨークコイル等からの飛び込み電
流によってデガウスコイルから不要な磁界が発生するの
を防止することができ、かつ、量産に適した消磁回路を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
この発明に係る消磁回路は、消磁を行なわない非消磁時
にデガウスコイルの両端を短絡する切換回路を備えて構
成される。

【００１１】また、この発明に係る消磁回路は、非消磁
時にデガウスコイルの両端を例えば抵抗等の低インピー
ダンス素子で短絡する切換回路を備えて構成される。

【００１２】さらに、この発明に係る消磁回路は、電源
トランスの２次側からデガウスコイルへ給電するととも
に、電源トランスの１次側に消磁用電源の供給を入切を
行なう消磁用電源スイッチを設けて構成される。

【００１３】非消磁時にデガウスコイルの両端を直接短
絡し、または、低インピーダンス素子を介して短絡して
閉回路を形成することで、共振現象は発生しなくなり、
デガウスコイルに飛び込み電流が流れることもない。よ
って、陰極線管のランディングに対する影響は解消され
る。

【００１４】また、デガウスコイルと電源トランスの２
次巻線とを含む閉回路を常時形成する回路構成にするこ
とで、共振現象は抑制され、陰極線管のランディングに
対する影響は解消される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて添付図面に基づいて説明する。図１〜図３は非消磁
時にデガウスコイルを短絡するようにした消磁回路の回
路図である。図１に示す消磁回路１は、交流電源２と、
正特性サーミスタ３と、デガウスコイル４と、切換回路
５とからなる。切換回路５は、非消磁時の切換位置を実
線で、消磁時の切換位置を点線で示している。切換回路
５は、消磁用の電源スイッチを兼用している。切換回路
５は、例えばトランスファ接点を有するリレーを用いて
構成してもよい。なお、切換回路５とは別に消磁用の電
源スイッチを設けるようにしてもよい。

【００１６】非消磁状態でデガウスコイル４の両端は切
換回路５を介して短絡される。消磁状態では、正特性サ
ーミスタ３とデガウスコイル４と直列回路に交流電源２
が印加される。消磁状態の回路構成は図８に示したもの
と同じであり、その動作は前述したものと同じである。

【００１７】この消磁回路１は、非消磁状態において、
デガウスコイル４の両端を短絡しているため、デガウス
コイル４が共振現象を発生することがない。飛び込み電
流が発生することはないので、陰極線管のランディング
に影響を与えることはない。なお、水平偏向コイルが発
生する磁束の変化に伴って、デガウスコイル４に誘導電
流が生ずるが、陰極線管のランディングに影響を与える
ほどではない。

【００１８】図２に示す消磁回路１１は、切換回路５を
正特性サーミスタ３とデガウスコイル４との間に介設し
たものである。

【００１９】図３は非消磁時にデガウスコイルに抵抗を
並列に接続するようにした消磁回路の回路図である。図
３に示す消磁回路２１は、非消磁状態では、切換回路５
を介して抵抗６をデガウスコイル４に並列に接続するよ
うにしている。抵抗６の抵抗値は、デガウスコイル４の
水平走査周波数におけるインピーダンスよりも充分に小
さな値としている。

【００２０】デガウスコイル４と抵抗６とからなる閉回
路のインピーダンスは、抵抗６のインピーダンスでほぼ
決定される低インピーダンスとなる。このため、デガウ
スコイル４と水平偏向コイル等との間で共振現象が発生
することがなくなる。共振現象が発生したとしても、デ
ガウスコイル４に流れる飛び込み電流の電流値は小さく
なるため、陰極線管のランディングに与える影響は小さ
くなる。

【００２１】デガウスコイル４と抵抗６とからなる閉回
路を形成し、かつ、閉回路の回路抵抗を小さくすること
で、共振現象に伴う飛び込む電流は発生しなくなる。水
平偏向ヨークコイルが発生する磁束の変化に伴って、閉
回路内に誘導電流が生ずるが、抵抗６によって誘導電流
値を制限することができる。

【００２２】なお、非消磁時に、正特性サーミスタ３と
デガウスコイル４との直列回路に、抵抗６を並列に接続
する構成としてもよい。

【００２３】図４は非消磁時にデガウスコイルに正特性
サーミスタを並列に接続するようにした消磁回路の回路
図である。図４に示す消磁回路３１は、非消磁状態にお
いて、切換回路５を介して正特性サーミスタ３をデガウ
スコイル４に並列に接続するようにしたものである。非
消磁時にデガウスコイル４に並列に接続される抵抗値を
任意に設定することはできないが、部品点数が増加しな
いというメリットがある。

【００２４】図５は非消磁時にデガウスコイルにコンデ
ンサを並列に接続するようにした消磁回路の回路図であ
る。図５に示す消磁回路４１は、非消磁状態では、切換
回路５を介してコンデンサ７をデガウスコイル４に並列
に接続するようにしている。コンデンサ７の水平走査周
波数におけるインピーダンスは、デガウスコイル４の水
平走査周波数におけるインピーダンスよりも充分に小さ
な値となるように、コンデンサ７の容量を設定してい
る。

【００２５】デガウスコイル４とコンデンサ７とからな
る閉回路のインピーダンスは、コンデンサ７のインピー
ダンスでほぼ決定される低インピーダンスとなる。この
ため、デガウスコイル４と水平偏向コイル等との間で共
振現象が発生することがなくなる。共振現象が発生した
としても、デガウスコイル４に流れる飛び込み電流の電
流値は小さくなるため、陰極線管のランディングに与え
る影響は小さくなる。

【００２６】図９に示した改良された従来の消磁回路１
１０は、コンデンサ１１１をデガウスコイル１０３に常
時並列接続する構成であるため、消磁動作に影響を与え
ないように容量値を設定する必要がある。これに対し
て、図５に示す消磁回路４１は、切換回路５を用いて非
消磁状態にのみコンデンサ７を接続する構成であるか
ら、大きな容量値のコンデンサ７を接続することができ
る。したがって、デガウスコイル４の特性にばらつき
等があったとしても、共振現象の発生を確実に防止でき
る。

【００２７】なお、非消磁時に、デガウスコイル４にコ
ンデンサ７を並列に接続し、さらにデガウスコイル４に
抵抗を並列に接続するようにしてもよい。非消磁時に、
正特性サーミスタ３とデガウスコイル４との直列回路
に、コンデンサ７を並列に接続する構成としてもよい。

【００２８】図６は電源トランスの２次側からデガウス
コイルへ給電するようにした消磁回路の回路図である。
図６に示す消磁回路５１は、電源トランス８の２次側
に、正特性サーミスタ３とデガウスコイル４との直列回
路を接続し、電源トランス８の１次側に消磁用電源スイ
ッチ９を介して交流電源２を供給するようにしたもので
ある。

【００２９】電源トランス８の２次巻線８ａと正特性サ
ーミスタ３とデガウスコイル４とで閉回路を形成してい
る。デガウスコイル４の単体のインピーダンスよりも閉
回路のインピーダンスは低くなるので、デガウスコイル
４と水平偏向ヨークコイル等との間で共振現象が発生す
るのを防止できる。水平偏向ヨークコイル等が発生する
磁束の変化に伴って、デガウスコイル４に誘導電流が生
ずるが、陰極線管のランディングに影響を与えるほどで
はない。

【００３０】図７は電源トランスの２次側からデガウス
コイルへ給電するようにした他の消磁回路の回路図であ
る。図７に示す消磁回路６１は、正特性サーミスタ３を
電源トランス８の１次側に設けたものである。消磁用電
源スイッチ９を閉じると、電源トランス８の１次巻線８
ｂと正特性サーミスタ３との直列回路に交流電源２が供
給される。正特性サーミスタ３の自己発熱によって正特
性サーミスタ３の抵抗値が増加するため、電源トランス
８の１次巻線８ｂに供給される電圧ならびに電流は時間
の経過とともに減衰する。電源トランス８の２次側から
は時間の経過とともに減衰する交流電源が得られる。

【００３１】図７に示した電源トランスを用いる回路構
成では、トランスファ接点構成の切換回路５が不要であ
る。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明に係る消磁
回路は、非消磁状態ではデガウスコイルを短絡し、また
は、デガウスコイルの両端に低インピーダンス素子を接
続する構成としたので、水平偏向ヨークコイル等から発
生する磁束の影響でデガウスコイルに飛び込み電流が流
れて陰極線管のランディングに影響を与えるという現象
を解消することができる。

【００３３】また、この発明に係る消磁回路は、デガウ
スコイルと電源トランスの２次巻線とを含む閉回路を常
時形成する回路構成としたので、水平偏向ヨークコイル
等から発生する磁束の影響でデガウスコイルに飛び込み
電流が流れて陰極線管のランディングに影響を与えると
いう現象を解消することができる。

【００３４】さらに、この発明に係る消磁回路は、デガ
ウスコイルの特性がばらついていてもデガウスコイルへ
の飛び込み電流を確実に抑制できるため、陰極線管の品
種や水平走査周波数の違い等に応じて個々に調整する必
要がなく、量産性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】非消磁時にデガウスコイルを短絡するようにし
た消磁回路の回路図である。

【図２】非消磁時にデガウスコイルを短絡するようにし
た他の消磁回路の回路図である。

【図３】非消磁時にデガウスコイルに抵抗を並列に接続
するようにした消磁回路の回路図である。

【図４】非消磁時にデガウスコイルに正特性サーミスタ
を並列に接続するようにした消磁回路の回路図である。

【図５】非消磁時にデガウスコイルにコンデンサを並列
に接続するようにした消磁回路の回路図である。

【図６】電源トランスの２次側からデガウスコイルへ給
電するようにした消磁回路の回路図である。

【図７】電源トランスの２次側からデガウスコイルへ給
電するようにした他の消磁回路の回路図である。

【図８】従来の消磁回路の回路図である。

【図９】改良された従来の消磁回路の回路図である。

【図１０】水平偏向信号と飛び込み電流との関係を示す
波形図である。

【符号の説明】

１，１１，２１，３１，４１，５１，６１消磁回路、
２交流電源、３正特性サーミスタ、４デガウスコ
イル、５切換回路、６抵抗、７コンデンサ、８
電源トランス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】デガウスコイルに消磁用の交流電流を供
給して消磁用の磁界を発生させて陰極線管を消磁する消
磁回路において、消磁を行なわない非消磁時に前記デガウスコイルの両端
間の接続状態を切り換える切換回路とを備えたことを特
徴とする消磁回路。
【請求項２】前記切換回路は、両端間を短絡すること
を特徴とする請求項１に記載する消磁回路。
【請求項３】前記切換回路は、両端間に低インピーダ
ンス回路を接続することを特徴とする請求項１に記載す
る消磁回路。
【請求項４】デガウスコイルに消磁用の交流電流を供
給して消磁用の磁界を発生させて陰極線管を消磁する消
磁回路において、電源トランスの２次側から前記デガウスコイルへ給電す
るとともに、前記電源トランスの１次側に消磁用電源の供給の入切を
行なう消磁用電源スイッチを設けたことを特徴とする消
磁回路。