JPH10328873A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH10328873A JPH10328873A JP9160634A JP16063497A JPH10328873A JP H10328873 A JPH10328873 A JP H10328873A JP 9160634 A JP9160634 A JP 9160634A JP 16063497 A JP16063497 A JP 16063497A JP H10328873 A JPH10328873 A JP H10328873A
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- JP
- Japan
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- laser
- processing
- interval
- laser light
- processing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイス中のヒューズを能率よく切断
できるよう改良を加えたレーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 本レーザ加工装置は、独立かつ任意のタ
イミングで発振しうる複数のレーザ光源１Ａ、１Ｂと、
レーザ光をウエハ８に複数のスポットビーム５Ａ、５Ｂ
として集光する集光光学系４を備える。また、ウエハ８
を走査するステージ６と、ビームの相互の間隔を調整す
る機構１２を備える。このビーム間隔調整機構１２の可
動ミラー３Ｂを移動させることにより、ビーム５Ａ、５
Ｂの相互の間隔を調整する。
できるよう改良を加えたレーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 本レーザ加工装置は、独立かつ任意のタ
イミングで発振しうる複数のレーザ光源１Ａ、１Ｂと、
レーザ光をウエハ８に複数のスポットビーム５Ａ、５Ｂ
として集光する集光光学系４を備える。また、ウエハ８
を走査するステージ６と、ビームの相互の間隔を調整す
る機構１２を備える。このビーム間隔調整機構１２の可
動ミラー３Ｂを移動させることにより、ビーム５Ａ、５
Ｂの相互の間隔を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を被加工
物に当てて加工を行うレーザ加工装置に関する。特に
は、半導体デバイス中のヒューズを能率よく切断できる
よう改良を加えたレーザ加工装置に関する。
物に当てて加工を行うレーザ加工装置に関する。特に
は、半導体デバイス中のヒューズを能率よく切断できる
よう改良を加えたレーザ加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスにおけるヒューズ加工を
例にとって説明する。半導体デバイスにおいては、ヒュ
ーズと呼ばれるレーザ光切断を予定した配線部分が設け
られることがある。例えばＤＲＡＭにおいては、設計・
製造時に各メモリセル列にヒューズを付設しておくとと
もに予備のメモリセル列を配置しておき、検査時に不良
が判明したメモリセル列のヒューズを切断することによ
り該セル列をデバイス中で隔離するとともに、予備のメ
モリセル列を不良列のアドレスに指定するためのヒュー
ズを切断することにより予備列に代替させ、ＤＲＡＭの
歩留り向上を図っている（特開平１−２２４１８９号参
照）。また、ゲートアレイにおいては、プログラムリン
クと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し一部を選
択的に残すことにより、特定のプログラムをデバイス中
に造り込むことが行われている。前者をレーザリペア、
後者をレーザトリミングと呼ぶ。
例にとって説明する。半導体デバイスにおいては、ヒュ
ーズと呼ばれるレーザ光切断を予定した配線部分が設け
られることがある。例えばＤＲＡＭにおいては、設計・
製造時に各メモリセル列にヒューズを付設しておくとと
もに予備のメモリセル列を配置しておき、検査時に不良
が判明したメモリセル列のヒューズを切断することによ
り該セル列をデバイス中で隔離するとともに、予備のメ
モリセル列を不良列のアドレスに指定するためのヒュー
ズを切断することにより予備列に代替させ、ＤＲＡＭの
歩留り向上を図っている（特開平１−２２４１８９号参
照）。また、ゲートアレイにおいては、プログラムリン
クと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し一部を選
択的に残すことにより、特定のプログラムをデバイス中
に造り込むことが行われている。前者をレーザリペア、
後者をレーザトリミングと呼ぶ。
【０００３】このような半導体デバイス中のヒューズ
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線（幅０．８〜１．５μm 、厚０．３〜１．０μm 、
切断部長さ３〜１０μm ）である。このヒューズにＹＡ
Ｇレーザ等の加工レーザ光源からのレーザ光を集光させ
て照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによっ
て昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断す
る。なお、ヒューズは、通常、透明なＳｉＯ2 膜（０．
２〜０．５μm ）の下に形成されている。切断すべきヒ
ューズの位置データについては、不良部分を検査する別
装置であるテスターからのデータが、オンライン通信や
ＦＤなどのメディアを介してレーザリペア装置に入力さ
れる。レーザリペア装置では、ウェハをＸ−Ｙテーブル
上に載置して位置決めし、切断すべきヒューズの位置を
レーザ光の集光点に自動的に位置合わせしながらヒュー
ズを順次切断する。
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線（幅０．８〜１．５μm 、厚０．３〜１．０μm 、
切断部長さ３〜１０μm ）である。このヒューズにＹＡ
Ｇレーザ等の加工レーザ光源からのレーザ光を集光させ
て照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによっ
て昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断す
る。なお、ヒューズは、通常、透明なＳｉＯ2 膜（０．
２〜０．５μm ）の下に形成されている。切断すべきヒ
ューズの位置データについては、不良部分を検査する別
装置であるテスターからのデータが、オンライン通信や
ＦＤなどのメディアを介してレーザリペア装置に入力さ
れる。レーザリペア装置では、ウェハをＸ−Ｙテーブル
上に載置して位置決めし、切断すべきヒューズの位置を
レーザ光の集光点に自動的に位置合わせしながらヒュー
ズを順次切断する。
【０００４】図７は、従来のレーザ加工装置を用いて半
導体デバイス中のヒューズを切断する様子を模式的に示
す平面図である。図中において、縦に左右２列に、ヒュ
ーズ２０の列が示されている。各ヒューズ２０は、図の
横方向に線状に延びており、２本の縦の線２３、２３′
に沿って配列されている。両線２３、２３′は平行であ
る。図中でＸがついているヒューズが切断されるべき
（又はされた）ものである。レーザビーム２１は、切断
されるヒューズ２０の中央部に集光照射される。なおレ
ーザビーム２１の径は一例として３〜５μm である。ヒ
ューズ列の間隔Ｌは、一般に同一のデバイス中では一定
であり、数十〜数百μm である。
導体デバイス中のヒューズを切断する様子を模式的に示
す平面図である。図中において、縦に左右２列に、ヒュ
ーズ２０の列が示されている。各ヒューズ２０は、図の
横方向に線状に延びており、２本の縦の線２３、２３′
に沿って配列されている。両線２３、２３′は平行であ
る。図中でＸがついているヒューズが切断されるべき
（又はされた）ものである。レーザビーム２１は、切断
されるヒューズ２０の中央部に集光照射される。なおレ
ーザビーム２１の径は一例として３〜５μm である。ヒ
ューズ列の間隔Ｌは、一般に同一のデバイス中では一定
であり、数十〜数百μm である。
【０００５】各レーザビーム２０の中心線２３をレーザ
ビームの集光点下に走らせるようにウエハステージを駆
動して、切断すべきヒューズ２０がちょうど集光点に来
た時にレーザを発振させてそのヒューズ２０を切断す
る。線２３に沿ったヒューズ列を加工し終えたら、ステ
ージを間隔Ｌだけ送って次は線２３′に沿ったヒューズ
列を加工する。この際の加工経路を白抜き矢印２２で示
す。
ビームの集光点下に走らせるようにウエハステージを駆
動して、切断すべきヒューズ２０がちょうど集光点に来
た時にレーザを発振させてそのヒューズ２０を切断す
る。線２３に沿ったヒューズ列を加工し終えたら、ステ
ージを間隔Ｌだけ送って次は線２３′に沿ったヒューズ
列を加工する。この際の加工経路を白抜き矢印２２で示
す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年メモリの高集積化
に伴い、メモリセル救済用のヒューズ本数は激増し、加
工すべきヒューズ本数も膨大となる。また、高集積化の
ために救済用ヒューズの占める面積を縮小する要請もあ
り、ヒューズピッチが狭まる傾向である。しかし加工に
必要なエネルギを維持しながら加工レーザの発振周波数
（約数kHz)を上げることには限界がある。したがって、
同周波数によって規定されるヒューズ間の移動速度を現
状以上に上げることが困難であるため、レーザリペア装
置の切断処理能力にも自ずと限界が出てくる。
に伴い、メモリセル救済用のヒューズ本数は激増し、加
工すべきヒューズ本数も膨大となる。また、高集積化の
ために救済用ヒューズの占める面積を縮小する要請もあ
り、ヒューズピッチが狭まる傾向である。しかし加工に
必要なエネルギを維持しながら加工レーザの発振周波数
（約数kHz)を上げることには限界がある。したがって、
同周波数によって規定されるヒューズ間の移動速度を現
状以上に上げることが困難であるため、レーザリペア装
置の切断処理能力にも自ずと限界が出てくる。
【０００７】一方、特開平３−２９７５８８号には、複
数のレーザ光源を有し、同時に複数の被加工部位に各々
レーザビームを当てて加工可能なレーザ加工装置が提案
されている。そして、複数のレーザビーム（光軸）の間
隔を調整するような提案もなされている。しかし、この
提案は漠としたものであって、具体的なビーム間隔調整
機構の開示はない。
数のレーザ光源を有し、同時に複数の被加工部位に各々
レーザビームを当てて加工可能なレーザ加工装置が提案
されている。そして、複数のレーザビーム（光軸）の間
隔を調整するような提案もなされている。しかし、この
提案は漠としたものであって、具体的なビーム間隔調整
機構の開示はない。
【０００８】本発明は、半導体デバイス中のヒューズを
能率よく切断できるよう改良を加えたレーザ加工装置で
あって、今後の半導体デバイスの一層の高集積化にも対
応できる高処理能力のレーザ加工装置を提供することを
目的とする。
能率よく切断できるよう改良を加えたレーザ加工装置で
あって、今後の半導体デバイスの一層の高集積化にも対
応できる高処理能力のレーザ加工装置を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１態様のレーザ加工装置は、 複数の加
工レーザ光源と、 該複数の加工レーザ光源を独立にか
つ任意のタイミングで発振しうる電源と、 これらの加
工レーザ光源から出射される各々のレーザ光を被加工物
に複数のスポットビームとして集光する集光光学系と、
被加工物と上記スポットビームとを相対的に走査する
走査機構と、 上記複数のスポットビームの相互の間隔
を調整するビーム間隔調整機構と、 を具備し； 上記
ビーム間隔調整機構が可動ミラーを含み、該ミラーが上
記加工レーザ光源から出射されるレーザ光のうちの少な
くとも一方を受けてこれを反射し、該ミラーを移動させ
ることにより上記複数のスポットビームの相互の間隔を
調整することを特徴とする。このように構成することに
より、確実かつ容易にビーム間隔を調整でき、複数のヒ
ューズ列を複数の加工レーザで一度に、かつ所望のヒュ
ーズを選択的に加工できるので、加工時におけるステー
ジ移動量が減少し、スループットを上げることができ
る。
め、本発明の第１態様のレーザ加工装置は、 複数の加
工レーザ光源と、 該複数の加工レーザ光源を独立にか
つ任意のタイミングで発振しうる電源と、 これらの加
工レーザ光源から出射される各々のレーザ光を被加工物
に複数のスポットビームとして集光する集光光学系と、
被加工物と上記スポットビームとを相対的に走査する
走査機構と、 上記複数のスポットビームの相互の間隔
を調整するビーム間隔調整機構と、 を具備し； 上記
ビーム間隔調整機構が可動ミラーを含み、該ミラーが上
記加工レーザ光源から出射されるレーザ光のうちの少な
くとも一方を受けてこれを反射し、該ミラーを移動させ
ることにより上記複数のスポットビームの相互の間隔を
調整することを特徴とする。このように構成することに
より、確実かつ容易にビーム間隔を調整でき、複数のヒ
ューズ列を複数の加工レーザで一度に、かつ所望のヒュ
ーズを選択的に加工できるので、加工時におけるステー
ジ移動量が減少し、スループットを上げることができ
る。
【００１０】また、本発明の第２態様のレーザ加工装置
は、 複数の加工レーザ光源と、該複数の加工レーザ光
源を独立にかつ任意のタイミングで発振しうる電源と、
これらの加工レーザ光源から出射される各々のレーザ光
を被加工物に複数のスポットビームとして集光する集光
光学系と、 被加工物と上記スポットビームとを相対的
に走査する走査機構と、 上記複数のスポットビームの
相互の間隔を調整するビーム間隔調整機構と、 を具備
し； 上記加工レーザ光源から被加工物に至るレーザ光
の光路長が、上記ビーム間隔調整機構の作動によっても
変化しないことを特徴とする。したがって、ビーム間隔
調整機構部におけるレーザ光が平行光でなくても、ビー
ム間隔変化時に結像関係は変化しない。そのため、ビー
ム間隔調整機構の配置に自由度ができレーザ加工装置の
設計・製作が楽になる。
は、 複数の加工レーザ光源と、該複数の加工レーザ光
源を独立にかつ任意のタイミングで発振しうる電源と、
これらの加工レーザ光源から出射される各々のレーザ光
を被加工物に複数のスポットビームとして集光する集光
光学系と、 被加工物と上記スポットビームとを相対的
に走査する走査機構と、 上記複数のスポットビームの
相互の間隔を調整するビーム間隔調整機構と、 を具備
し； 上記加工レーザ光源から被加工物に至るレーザ光
の光路長が、上記ビーム間隔調整機構の作動によっても
変化しないことを特徴とする。したがって、ビーム間隔
調整機構部におけるレーザ光が平行光でなくても、ビー
ム間隔変化時に結像関係は変化しない。そのため、ビー
ム間隔調整機構の配置に自由度ができレーザ加工装置の
設計・製作が楽になる。
【００１１】さらに、本発明の第３態様のレーザ加工装
置は、 複数の加工レーザ光源と、該複数の加工レーザ
光源を独立にかつ任意のタイミングで発振しうる電源
と、これらの加工レーザ光源から出射される各々のレー
ザ光を被加工物に複数のスポットビームとして集光する
集光光学系と、 被加工物と上記スポットビームとを相
対的に走査する走査機構と、 上記複数のスポットビー
ムの相互の間隔を調整するビーム間隔調整機構と、 を
具備し； 上記ビーム間隔調整機構が、上記可動ミラー
に振れが生じた場合にも上記ビーム間隔調整機構に入射
するレーザ光主光線とビーム間隔調整機構から出射する
レーザ光主光線の相対的な角度が変化しない自動調芯機
能を有することを特徴とする。この場合、可動ミラーの
振れによってもレーザビームの位置はあまり変化せず精
度の良いビーム間隔調整を行うことができる。
置は、 複数の加工レーザ光源と、該複数の加工レーザ
光源を独立にかつ任意のタイミングで発振しうる電源
と、これらの加工レーザ光源から出射される各々のレー
ザ光を被加工物に複数のスポットビームとして集光する
集光光学系と、 被加工物と上記スポットビームとを相
対的に走査する走査機構と、 上記複数のスポットビー
ムの相互の間隔を調整するビーム間隔調整機構と、 を
具備し； 上記ビーム間隔調整機構が、上記可動ミラー
に振れが生じた場合にも上記ビーム間隔調整機構に入射
するレーザ光主光線とビーム間隔調整機構から出射する
レーザ光主光線の相対的な角度が変化しない自動調芯機
能を有することを特徴とする。この場合、可動ミラーの
振れによってもレーザビームの位置はあまり変化せず精
度の良いビーム間隔調整を行うことができる。
【００１２】また、本発明の第４態様のレーザ加工装置
は、 ある間隔（加工線間隔）を隔てて並行する複数の
線上に配置されている被加工部位にレーザ光を集光して
該被加工部位の加工を行うレーザ加工装置であって；
複数の加工レーザ光源と、該複数の加工レーザ光源を独
立にかつ任意のタイミングで発振しうる電源と、これら
の加工レーザ光源から出射される各々のレーザ光を被加
工物に複数のスポットビームとして集光する集光光学系
と、 被加工物と上記スポットビームとを相対的に走査
する走査機構と、 上記複数のスポットビームの相互の
間隔を調整するビーム間隔調整機構と、 を具備し；
ビーム間隔を自動的に認識する手段と、 上記ビーム間
隔を上記加工線間隔に合わせるように上記ビーム間隔調
整機構を駆動するビーム間隔制御部と、 を具備するこ
とを特徴とする。この場合、現実のビーム間隔を測定し
てビーム間隔をフィードバック制御できる。
は、 ある間隔（加工線間隔）を隔てて並行する複数の
線上に配置されている被加工部位にレーザ光を集光して
該被加工部位の加工を行うレーザ加工装置であって；
複数の加工レーザ光源と、該複数の加工レーザ光源を独
立にかつ任意のタイミングで発振しうる電源と、これら
の加工レーザ光源から出射される各々のレーザ光を被加
工物に複数のスポットビームとして集光する集光光学系
と、 被加工物と上記スポットビームとを相対的に走査
する走査機構と、 上記複数のスポットビームの相互の
間隔を調整するビーム間隔調整機構と、 を具備し；
ビーム間隔を自動的に認識する手段と、 上記ビーム間
隔を上記加工線間隔に合わせるように上記ビーム間隔調
整機構を駆動するビーム間隔制御部と、 を具備するこ
とを特徴とする。この場合、現実のビーム間隔を測定し
てビーム間隔をフィードバック制御できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図１は、本発明の１実施例に係るレーザ加工装置の
全体構成を模式的に示すブロック図である。このレーザ
加工装置は、２台のＹＡＧレーザ等のレーザ光源１Ａ、
１Ｂを有する。これらのレーザ光源は、制御部１１から
の指令により、それぞれ独立に任意のタイミングでレー
ザ発振される。なお、レーザの電源は図示を省略してあ
る。
る。図１は、本発明の１実施例に係るレーザ加工装置の
全体構成を模式的に示すブロック図である。このレーザ
加工装置は、２台のＹＡＧレーザ等のレーザ光源１Ａ、
１Ｂを有する。これらのレーザ光源は、制御部１１から
の指令により、それぞれ独立に任意のタイミングでレー
ザ発振される。なお、レーザの電源は図示を省略してあ
る。
【００１４】レーザ光源１Ａから出射されたレーザ光２
Ａは、全反射ミラー３Ａに当って下方に全反射される。
レーザ光源１Ｂから出射されたレーザ光２Ｂは、ビーム
間隔調整機構１２の可動ミラー３Ｂに当って下方に全反
射される。ここで、各レーザ光２Ａ、２Ｂの光軸は平行
であり、両ミラー３Ａ、３Ｂは平行に配置されている。
したがって、ミラー３Ａ、３Ｂから反射された両レーザ
光の光軸も平行である。可動ミラー３Ｂは図の左右にそ
の位置を変えることができ、ミラー３Ａと３Ｂにより下
方に反射されたレーザ光光軸の間隔Ｌ′は可変である。
ビーム間隔調整機構の具体的な構造例については後述す
る。
Ａは、全反射ミラー３Ａに当って下方に全反射される。
レーザ光源１Ｂから出射されたレーザ光２Ｂは、ビーム
間隔調整機構１２の可動ミラー３Ｂに当って下方に全反
射される。ここで、各レーザ光２Ａ、２Ｂの光軸は平行
であり、両ミラー３Ａ、３Ｂは平行に配置されている。
したがって、ミラー３Ａ、３Ｂから反射された両レーザ
光の光軸も平行である。可動ミラー３Ｂは図の左右にそ
の位置を変えることができ、ミラー３Ａと３Ｂにより下
方に反射されたレーザ光光軸の間隔Ｌ′は可変である。
ビーム間隔調整機構の具体的な構造例については後述す
る。
【００１５】ミラー３Ａ、３Ｂによって反射されたレー
ザ光は、ミラーの下方に配置されている共通の（１台
の）対物レンズ４を通過して集光されスポットビーム５
Ａ、５Ｂとなり、被加工物（ウエハ８）表面の被加工部
位に照射される。両スポットビーム５Ａ、５Ｂの光軸間
隔Ｌは、対物レンズ前の光軸間隔Ｌ′の数十分の１であ
る。なお、両スポットビーム５Ａ、５Ｂのビーム径は５
μm 程度である。
ザ光は、ミラーの下方に配置されている共通の（１台
の）対物レンズ４を通過して集光されスポットビーム５
Ａ、５Ｂとなり、被加工物（ウエハ８）表面の被加工部
位に照射される。両スポットビーム５Ａ、５Ｂの光軸間
隔Ｌは、対物レンズ前の光軸間隔Ｌ′の数十分の１であ
る。なお、両スポットビーム５Ａ、５Ｂのビーム径は５
μm 程度である。
【００１６】ウエハ８は、図示せぬチャックを介してウ
エハステージ６上に載置されている。ウエハステージ６
は、光軸方向（Ｚ方向）及び光軸垂直方向（Ｘ、Ｙ、θ
方向等）において走査される。ステージの位置は、干渉
計１０を中心として構成されている位置計測システムに
よって精確にモニターされる（分解能数十nm）。ステー
ジ６上にはビーム位置計測マーク７が配置されている。
このマーク７は、高反射率の物質の微細な線からなる。
ステージ６を走査して、マーク７にビーム５Ａ、５Ｂが
当たると、レベルの高い反射光が出、これを対物レンズ
４の側方に配置されている検出器９で検出する。これに
より、各ビーム５Ａ、５Ｂとステージ６との相対的な位
置関係を把握することができる。その結果、両ビーム５
Ａと５Ｂの間隔Ｌを制御部１１で算出して、ビーム間隔
を制御部１１が認識する。制御部１１は、予め与えられ
ているヒューズ列の間隔とビーム間隔とが一致するよう
ビーム間隔調整機構１２を調整する。
エハステージ６上に載置されている。ウエハステージ６
は、光軸方向（Ｚ方向）及び光軸垂直方向（Ｘ、Ｙ、θ
方向等）において走査される。ステージの位置は、干渉
計１０を中心として構成されている位置計測システムに
よって精確にモニターされる（分解能数十nm）。ステー
ジ６上にはビーム位置計測マーク７が配置されている。
このマーク７は、高反射率の物質の微細な線からなる。
ステージ６を走査して、マーク７にビーム５Ａ、５Ｂが
当たると、レベルの高い反射光が出、これを対物レンズ
４の側方に配置されている検出器９で検出する。これに
より、各ビーム５Ａ、５Ｂとステージ６との相対的な位
置関係を把握することができる。その結果、両ビーム５
Ａと５Ｂの間隔Ｌを制御部１１で算出して、ビーム間隔
を制御部１１が認識する。制御部１１は、予め与えられ
ているヒューズ列の間隔とビーム間隔とが一致するよう
ビーム間隔調整機構１２を調整する。
【００１７】図２は、ビーム間隔調整機構の機構の一例
を示す斜視図である。水平に対して４５°に傾斜した全
反射ミラー３Ｂが、ガイド溝（図示されず）内を摺動自
在に配置されているとともに、可動ミラー３Ｂには、ア
クチュエータ１２Ｘが連結されており、ミラーに入射す
るレーザ光２Ｂの光軸方向に可動となっている。このア
クチュエータ１２Ｘとしては、ステッピングモータと送
りネジの組み合わせやピエゾアクチュエータを用いるこ
とができる。アクチュエータ１２Ｘのストロークは５〜
１０mm（スポットビーム間隔換算で２５０〜５００μ
m）程度、位置決め精度は±１μm （スポットビーム間
隔換算で±０．０５μm ）程度が好ましい。
を示す斜視図である。水平に対して４５°に傾斜した全
反射ミラー３Ｂが、ガイド溝（図示されず）内を摺動自
在に配置されているとともに、可動ミラー３Ｂには、ア
クチュエータ１２Ｘが連結されており、ミラーに入射す
るレーザ光２Ｂの光軸方向に可動となっている。このア
クチュエータ１２Ｘとしては、ステッピングモータと送
りネジの組み合わせやピエゾアクチュエータを用いるこ
とができる。アクチュエータ１２Ｘのストロークは５〜
１０mm（スポットビーム間隔換算で２５０〜５００μ
m）程度、位置決め精度は±１μm （スポットビーム間
隔換算で±０．０５μm ）程度が好ましい。
【００１８】このように駆動部１２Ｘが駆動することに
よって、全反射ミラー３Ｂが点線で示す位置まで移動
し、加工レーザ光２Ｂの反射位置が変化し、対物レンズ
４への入射位置も対応して変化する。その結果として図
１での加工レーザ光５Ｂが点線のように移動し、加工レ
ーザ光５Ａ、５Ｂの間隔Ｌを変更することができる。し
たがって、加工レーザ光５Ａ、５Ｂの間隔Ｌは前記の位
置計測マークを用いた方法で測定できるので、所望のヒ
ューズ間隔Ｌになるように制御部１１を介して、加工レ
ーザ光５Ａ、５Ｂの間隔Ｌを調整することができる。
よって、全反射ミラー３Ｂが点線で示す位置まで移動
し、加工レーザ光２Ｂの反射位置が変化し、対物レンズ
４への入射位置も対応して変化する。その結果として図
１での加工レーザ光５Ｂが点線のように移動し、加工レ
ーザ光５Ａ、５Ｂの間隔Ｌを変更することができる。し
たがって、加工レーザ光５Ａ、５Ｂの間隔Ｌは前記の位
置計測マークを用いた方法で測定できるので、所望のヒ
ューズ間隔Ｌになるように制御部１１を介して、加工レ
ーザ光５Ａ、５Ｂの間隔Ｌを調整することができる。
【００１９】図３は、ビーム間隔調整機構の他の例を示
す模式的側面図である。このビーム間隔調整機構１２′
は、２つの反射面５１Ａと５１Ｂが直角に交わる直角可
動ミラー５１と、該２つの反射面の一方５１Ｂと平行に
対向する反射面５３Ａを有する固定ミラー５３を有す
る。すなわち、直角可動ミラー５１は、直角に交わる反
射面５１Ａと５１Ｂを有し、一方の面５１Ａは、水平方
向の入射光５５に対して４５°傾いており、この入射光
５５を下方に反射する。面５１Ａで反射した光は、次
に、他方の面５１Ｂに当って水平右向きに反射する（反
射光５７）。反射光５７は、次に、反射面５１Ｂと平行
に配置されている固定ミラー５３に当って下方に反射さ
れる。
す模式的側面図である。このビーム間隔調整機構１２′
は、２つの反射面５１Ａと５１Ｂが直角に交わる直角可
動ミラー５１と、該２つの反射面の一方５１Ｂと平行に
対向する反射面５３Ａを有する固定ミラー５３を有す
る。すなわち、直角可動ミラー５１は、直角に交わる反
射面５１Ａと５１Ｂを有し、一方の面５１Ａは、水平方
向の入射光５５に対して４５°傾いており、この入射光
５５を下方に反射する。面５１Ａで反射した光は、次
に、他方の面５１Ｂに当って水平右向きに反射する（反
射光５７）。反射光５７は、次に、反射面５１Ｂと平行
に配置されている固定ミラー５３に当って下方に反射さ
れる。
【００２０】ここで、直角可動ミラー５１が、その姿勢
を保ったままで下方にＳだけ移動した状態が、二点鎖線
で描いた状態である。入射光５５は、Ｓだけ下がった反
射面５１Ａ′で下方に反射されるが、その反射位置は、
Ｓだけ右に行った点である。下方に反射された光は次に
面５１Ｂ′で反射されて水平に右に向かう（反射光５
９）。この反射光５９は、元の反射光５７よりも２Ｓだ
け下に下がっている。そして、反射光５９は固定ミラー
５３に当って下方に反射されるが、その位置は、元の位
置から２Ｓだけ右に移動している。
を保ったままで下方にＳだけ移動した状態が、二点鎖線
で描いた状態である。入射光５５は、Ｓだけ下がった反
射面５１Ａ′で下方に反射されるが、その反射位置は、
Ｓだけ右に行った点である。下方に反射された光は次に
面５１Ｂ′で反射されて水平に右に向かう（反射光５
９）。この反射光５９は、元の反射光５７よりも２Ｓだ
け下に下がっている。そして、反射光５９は固定ミラー
５３に当って下方に反射されるが、その位置は、元の位
置から２Ｓだけ右に移動している。
【００２１】ここで、可動ミラー５１の移動前後におけ
るビーム間隔調整機構１２′を通過するレーザ光の光路
長を検討する。図の上下方向では両光の光路長は変化し
ていないのは一目瞭然である。そこで、図の左右に見る
と、光が面５１Ａ又は５１Ａ′で反射する時点では二点
鎖線の反射光５９の方がＳだけ光路長が短いが、次に面
５１Ｂ又は５１Ｂ′から面５３に至る光路長は、反射光
５９の方がＳだけ長い。したがって、ビーム間隔調整機
構１２′を通過するレーザ光の光路長は可動ミラー５１
の移動前後で変化していない。
るビーム間隔調整機構１２′を通過するレーザ光の光路
長を検討する。図の上下方向では両光の光路長は変化し
ていないのは一目瞭然である。そこで、図の左右に見る
と、光が面５１Ａ又は５１Ａ′で反射する時点では二点
鎖線の反射光５９の方がＳだけ光路長が短いが、次に面
５１Ｂ又は５１Ｂ′から面５３に至る光路長は、反射光
５９の方がＳだけ長い。したがって、ビーム間隔調整機
構１２′を通過するレーザ光の光路長は可動ミラー５１
の移動前後で変化していない。
【００２２】このため、ビーム間隔調整機構部における
レーザ光が平行光でなくても、ビーム間隔変化時に結像
関係は変化しないので、ビーム間隔調整機構の配置に自
由度ができレーザ加工装置の設計・製作が楽になる。な
お、図２のようなビーム間隔調整機構１２では、レーザ
光源１Ｂとビーム間隔調整機構１２間にコリメータレン
ズを入れて可動ミラー３Ｂに当るレーザ光を平行光とす
る必要がある。しかし、単純にコリメータレンズを入れ
て平行光にした場合、ヒューズの切断に必要なエネルギ
を確保しようとするとレーザのエネルギ密度が高くな
り、ミラーに損傷を与える可能性がある。本実施例では
光路長が変化しないので、レーザ光を広げて、エネルギ
密度をミラーが損傷しない程度まで下げるように容易に
設計することができる。
レーザ光が平行光でなくても、ビーム間隔変化時に結像
関係は変化しないので、ビーム間隔調整機構の配置に自
由度ができレーザ加工装置の設計・製作が楽になる。な
お、図２のようなビーム間隔調整機構１２では、レーザ
光源１Ｂとビーム間隔調整機構１２間にコリメータレン
ズを入れて可動ミラー３Ｂに当るレーザ光を平行光とす
る必要がある。しかし、単純にコリメータレンズを入れ
て平行光にした場合、ヒューズの切断に必要なエネルギ
を確保しようとするとレーザのエネルギ密度が高くな
り、ミラーに損傷を与える可能性がある。本実施例では
光路長が変化しないので、レーザ光を広げて、エネルギ
密度をミラーが損傷しない程度まで下げるように容易に
設計することができる。
【００２３】本例のビーム間隔調整機構は、図４に示す
ように、可動ミラー５１に振れが生じた場合にも、ビー
ム間隔調整機構１２′に入射するレーザ光主光線５５と
ビーム間隔調整機構から出射するレーザ光主光線５９の
相対的な角度が変化しない自動調芯機能を有するという
特性も持っている。図４は、図３のビーム間隔調整機構
で直角可動ミラーの姿勢が上下に振れた状態を示す側面
図である。図４で、直角可動ミラー５１が、入射光５５
の光軸に垂直でかつ水平な軸回りにθだけ下に向くよう
に振れて二点鎖線で示す５１′のような姿勢になったと
する。この時、入射光５５が面５１Ａ′に当る角度はθ
だけ浅くなる。そして面５１Ａ′で反射した光は、面５
１Ｂ′に当る角度はθだけ深くなる。ところが、面５１
Ｂ′は、元の面５１Ｂよりもθだけ下に回転しているの
で、反射光を受ける角度がθだけ浅くなっており、結局
面５１Ｂ′からの反射光５９は元の反射光５７と平行と
なる。そのため、固定ミラー５３から下方に反射される
光も平行である。
ように、可動ミラー５１に振れが生じた場合にも、ビー
ム間隔調整機構１２′に入射するレーザ光主光線５５と
ビーム間隔調整機構から出射するレーザ光主光線５９の
相対的な角度が変化しない自動調芯機能を有するという
特性も持っている。図４は、図３のビーム間隔調整機構
で直角可動ミラーの姿勢が上下に振れた状態を示す側面
図である。図４で、直角可動ミラー５１が、入射光５５
の光軸に垂直でかつ水平な軸回りにθだけ下に向くよう
に振れて二点鎖線で示す５１′のような姿勢になったと
する。この時、入射光５５が面５１Ａ′に当る角度はθ
だけ浅くなる。そして面５１Ａ′で反射した光は、面５
１Ｂ′に当る角度はθだけ深くなる。ところが、面５１
Ｂ′は、元の面５１Ｂよりもθだけ下に回転しているの
で、反射光を受ける角度がθだけ浅くなっており、結局
面５１Ｂ′からの反射光５９は元の反射光５７と平行と
なる。そのため、固定ミラー５３から下方に反射される
光も平行である。
【００２４】つまり、上述の可動ミラー５１の振れによ
って、ビーム間隔調整機構１２′から下方に向かう光の
位置はズレるが、角度は変らない。位置がズレたとして
も２本のビーム間隔は測定することができ、その結果を
フィードバックすることで所望のビーム間隔にすること
ができるので大きな問題とはならない。一方角度が変わ
ると、テレセンが崩れ、特に厚いヒューズを加工した場
合加工形状が崩れてしまい好ましくない。したがって、
本実施例のように可動ミラー５１が振れてもビーム間隔
調整機構から出射されるレーザ光の角度が変らないよう
な自動調芯機能を有する機構が望ましいこととなる。
って、ビーム間隔調整機構１２′から下方に向かう光の
位置はズレるが、角度は変らない。位置がズレたとして
も２本のビーム間隔は測定することができ、その結果を
フィードバックすることで所望のビーム間隔にすること
ができるので大きな問題とはならない。一方角度が変わ
ると、テレセンが崩れ、特に厚いヒューズを加工した場
合加工形状が崩れてしまい好ましくない。したがって、
本実施例のように可動ミラー５１が振れてもビーム間隔
調整機構から出射されるレーザ光の角度が変らないよう
な自動調芯機能を有する機構が望ましいこととなる。
【００２５】なお、例えば、ウエハ上でのビーム５Ａ、
５Ｂの設定分解能を０．０５μｍとし、光軸調整機構１
２までの倍率を数十倍とすると、可動する全反射ミラー
３Ｂに要求される分解能は１μｍ程度で済むことにな
り、エンコーダを用いれば容易に機構を設計することが
できる。
５Ｂの設定分解能を０．０５μｍとし、光軸調整機構１
２までの倍率を数十倍とすると、可動する全反射ミラー
３Ｂに要求される分解能は１μｍ程度で済むことにな
り、エンコーダを用いれば容易に機構を設計することが
できる。
【００２６】次に、図５を参照しつつ、本実施例のレー
ザ加工装置を使用して半導体デバイスのヒューズを切断
する動作例を説明する。図５には、左右２本のヒューズ
３０の列が示されている。各ヒューズ３０は、図で横方
向に線状に延びており、２本の縦の線３３、３３′に沿
って配列されている。両線３３、３３′は平行である。
図中でＸがついているヒューズは切断されるべき（又は
された）ものである。
ザ加工装置を使用して半導体デバイスのヒューズを切断
する動作例を説明する。図５には、左右２本のヒューズ
３０の列が示されている。各ヒューズ３０は、図で横方
向に線状に延びており、２本の縦の線３３、３３′に沿
って配列されている。両線３３、３３′は平行である。
図中でＸがついているヒューズは切断されるべき（又は
された）ものである。
【００２７】本実施例では左側のヒューズ列３３と右側
のヒューズ列３３′とを２本のレーザビームを使って一
度に加工する。すなわち、図１におけるスポットビーム
５Ａ、５Ｂの間隔を、ヒューズ列３３、３３′との間隔
Ｌに合わせて、左側のヒューズ列３３をスポットビーム
５Ａの集光点下で送り、右側のヒューズ列３３′をスポ
ットビーム５Ｂの集光点下で並列に送る。そして、切断
すべきヒューズ３０（×印の付いているもの）が各集光
点の下に来たときに、制御部の指令によってレーザ光源
を発振させてヒューズ３０にスポットビームを当てて順
次切断して行く。左右のスポットビームのＯＮ−ＯＦＦ
は、前述のように独立であるので、左右に並んだヒュー
ズのうちのいずれか片方のみを切断することも当然でき
る。この際の加工経路を白抜き矢印３２示す。
のヒューズ列３３′とを２本のレーザビームを使って一
度に加工する。すなわち、図１におけるスポットビーム
５Ａ、５Ｂの間隔を、ヒューズ列３３、３３′との間隔
Ｌに合わせて、左側のヒューズ列３３をスポットビーム
５Ａの集光点下で送り、右側のヒューズ列３３′をスポ
ットビーム５Ｂの集光点下で並列に送る。そして、切断
すべきヒューズ３０（×印の付いているもの）が各集光
点の下に来たときに、制御部の指令によってレーザ光源
を発振させてヒューズ３０にスポットビームを当てて順
次切断して行く。左右のスポットビームのＯＮ−ＯＦＦ
は、前述のように独立であるので、左右に並んだヒュー
ズのうちのいずれか片方のみを切断することも当然でき
る。この際の加工経路を白抜き矢印３２示す。
【００２８】さて一枚のウエハ上に形成されたチップ内
のヒューズ間隔は同一であるので、ビーム間隔の調整
は、加工開始に先立ち１回調整すればよく、またデバイ
ス毎にヒューズ間隔は同一であるので同一デバイスを処
理する場合は再調整は不要である。このようにレーザ光
源を２台有する本実施例では、ステージ移動距離が従来
の半分で済むことになり処理能力が増加する。
のヒューズ間隔は同一であるので、ビーム間隔の調整
は、加工開始に先立ち１回調整すればよく、またデバイ
ス毎にヒューズ間隔は同一であるので同一デバイスを処
理する場合は再調整は不要である。このようにレーザ光
源を２台有する本実施例では、ステージ移動距離が従来
の半分で済むことになり処理能力が増加する。
【００２９】次に本発明の他の１実施例に係るレーザ加
工装置について説明する。図６は、本発明の他の１実施
例に係るレーザ加工装置の全体構成を模式的に示すブロ
ック図である。この実施例のレーザ加工装置では、加工
用レーザ光源１Ａ、１Ｂの他に、アライメント用のヘリ
ウム−ネオンレーザ光源１３Ａ、１３Ｂを別に備えてい
る。レーザ光源１３Ａ、１３Ｂから出射されたアライメ
ント用レーザ光１４Ａ、１４Ｂは、それぞれダイクロイ
ックミラー３Ａ′、３Ｂ′において、基本的には各々加
工レーザ光２Ａ、２Ｂと同軸に合波され、対物レンズ４
を通ってウエハ８上に投射される。
工装置について説明する。図６は、本発明の他の１実施
例に係るレーザ加工装置の全体構成を模式的に示すブロ
ック図である。この実施例のレーザ加工装置では、加工
用レーザ光源１Ａ、１Ｂの他に、アライメント用のヘリ
ウム−ネオンレーザ光源１３Ａ、１３Ｂを別に備えてい
る。レーザ光源１３Ａ、１３Ｂから出射されたアライメ
ント用レーザ光１４Ａ、１４Ｂは、それぞれダイクロイ
ックミラー３Ａ′、３Ｂ′において、基本的には各々加
工レーザ光２Ａ、２Ｂと同軸に合波され、対物レンズ４
を通ってウエハ８上に投射される。
【００３０】前記実施例と同様の方法により、ビーム位
置計測マーク７を用いて、加工レーザ光５Ａとアライメ
ントレーザ光１５Ａの誤差間隔ＤA 、及び、加工レーザ
光５Ｂとアライメントレーザ光１５Ｂの誤差間隔ＤB を
求めておき、その後のヒューズ間隔Ｌの調整はアライメ
ントレーザ光１５Ａ、１５Ｂの間隔からＤA 、ＤB の間
隔を補正した値で光軸調整機構１２にて行い、加工レー
ザ光５Ａ、５Ｂの間隔がヒューズ間隔Ｌと等しくなるよ
うに調整すればよい。つまり、アライメントレーザはウ
エハ内のチップ相互間の位置を計測するもので、アライ
メントレーザと加工レーザのオフセットを測定し、アラ
イメントレーザから得られた位置情報と前記オフセット
を補正して加工を行うものである。その後のヒューズ加
工については前記実施例と同様である。
置計測マーク７を用いて、加工レーザ光５Ａとアライメ
ントレーザ光１５Ａの誤差間隔ＤA 、及び、加工レーザ
光５Ｂとアライメントレーザ光１５Ｂの誤差間隔ＤB を
求めておき、その後のヒューズ間隔Ｌの調整はアライメ
ントレーザ光１５Ａ、１５Ｂの間隔からＤA 、ＤB の間
隔を補正した値で光軸調整機構１２にて行い、加工レー
ザ光５Ａ、５Ｂの間隔がヒューズ間隔Ｌと等しくなるよ
うに調整すればよい。つまり、アライメントレーザはウ
エハ内のチップ相互間の位置を計測するもので、アライ
メントレーザと加工レーザのオフセットを測定し、アラ
イメントレーザから得られた位置情報と前記オフセット
を補正して加工を行うものである。その後のヒューズ加
工については前記実施例と同様である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、複数のヒューズ（非加工部位）の配列間隔に
あわせて複数の加工ビームを予め調整し、独立に加工ビ
ームを発振することで所望のヒューズ加工ができるの
で、ステージ移動量が減少し、加工装置の処理能力を上
げることができる。したがって、今後の半導体デバイス
の一層の高集積化にも対応できる高処理能力のレーザ加
工装置を提供することができる。
によれば、複数のヒューズ（非加工部位）の配列間隔に
あわせて複数の加工ビームを予め調整し、独立に加工ビ
ームを発振することで所望のヒューズ加工ができるの
で、ステージ移動量が減少し、加工装置の処理能力を上
げることができる。したがって、今後の半導体デバイス
の一層の高集積化にも対応できる高処理能力のレーザ加
工装置を提供することができる。
【図１】本発明の１実施例に係るレーザ加工装置の全体
構成を模式的に示すブロック図である。
構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】ビーム間隔調整機構の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】ビーム間隔調整機構の他の例を示す模式的側面
図である。
図である。
【図４】図３のビーム間隔調整機構で直角可動ミラーの
姿勢が上下に振れた状態を示す側面図である。
姿勢が上下に振れた状態を示す側面図である。
【図５】本実施例のレーザ加工装置を使用して半導体デ
バイスのヒューズを切断する動作例を説明する。
バイスのヒューズを切断する動作例を説明する。
【図６】本発明の他の１実施例に係るレーザ加工装置の
全体構成を模式的に示すブロック図である。
全体構成を模式的に示すブロック図である。
【図７】従来のレーザ加工装置を用いて半導体デバイス
中のヒューズを切断する様子を模式的に示す平面図であ
る。
中のヒューズを切断する様子を模式的に示す平面図であ
る。
１ レーザ光源 ２ レーザ光 ３ ミラー ４ 対物レンズ ５ スポットビーム ６ ステージ ７ 位置計測マーク ８ ウエハ ９ 検出器 １０ 干渉計 １１ 制御部 １２ ビーム間隔
調整機構 １３ アライメント用レーザ光源 １４ レーザ １５ アライメントレーザ光 ２０、３０ ヒュ
ーズ ２１ レーザビーム ２２ 経路 ２３ 中心線 ５１ 直角可動ミ
ラー ５３ 固定ミラー ５５ 入射光 ５７、
５９ 反射光
調整機構 １３ アライメント用レーザ光源 １４ レーザ １５ アライメントレーザ光 ２０、３０ ヒュ
ーズ ２１ レーザビーム ２２ 経路 ２３ 中心線 ５１ 直角可動ミ
ラー ５３ 固定ミラー ５５ 入射光 ５７、
５９ 反射光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/82 Ｈ０１Ｌ 21/82 Ｆ
Claims (7)
- 【請求項１】 複数の加工レーザ光源と、該複数の加工
レーザ光源を、独立にかつ任意のタイミングで発振しう
る電源と、 これらの加工レーザ光源から出射される各々のレーザ光
を被加工物に複数のスポットビームとして集光する集光
光学系と、 被加工物と上記スポットビームとを相対的に走査する走
査機構と、 上記複数のスポットビーム相互の間隔を調整するビーム
間隔調整機構と、 を具備し；上記ビーム間隔調整機構が可動ミラーを含
み、該ミラーが上記加工レーザ光源から出射されるレー
ザ光のうちの一方を受けてこれを反射し、該ミラーを移
動させることにより上記複数のスポットビーム相互の間
隔を調整することを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 複数の加工レーザ光源と、 該複数の加工レーザ光源を、独立にかつ任意のタイミン
グで発振しうる電源と、 これらの加工レーザ光源から出射される各々のレーザ光
を被加工物に複数のスポットビームとして集光する集光
光学系と、 被加工物と上記スポットビームとを相対的に走査する走
査機構と、 上記複数のスポットビーム相互の間隔を調整するビーム
間隔調整機構と、 を具備し；上記加工レーザ光源から被加工物に至るレー
ザ光の光路長が、上記ビーム間隔調整機構の作動によっ
ても変化しないことを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項３】 上記加工レーザ光源から被加工物に至る
レーザ光の光路長が、上記ビーム間隔調整機構の作動に
よっても変化しないことを特徴とする請求項１記載のレ
ーザ加工装置。 - 【請求項４】 上記ビーム間隔調整機構が、上記可動ミ
ラーに振れが生じた場合にも、該機構に入射するレーザ
光主光線と該機構から出射するレーザ光主光線の相対的
な角度が変化しない自動調芯機能を有することを特徴と
する請求項１記載のレーザ加工装置。 - 【請求項５】 上記ビーム間隔調整機構が、２つの反射
面が直角に交わる直角可動ミラーと、該２つの反射面の
一方と平行に対向する反射面を有する固定ミラーと、を
有する請求項１、２、３又は４記載のレーザ加工装置。 - 【請求項６】 ある間隔（加工線間隔）を隔てて並行す
る複数の線上に配列されている多数の被加工部位にレー
ザ光を集光して該被加工部位の加工を行うレーザ加工装
置であって；複数の加工レーザ光源と、 該複数の加工レーザ光源を、独立にかつ任意のタイミン
グで発振しうる電源と、 これらの加工レーザ光源から出射される各々のレーザ光
を被加工物に複数のスポットビームとして集光する集光
光学系と、 被加工物と上記スポットビームとを相対的に走査する走
査機構と、 上記複数のスポットビーム相互の間隔を調整するビーム
間隔調整機構と、 を具備し；ビーム間隔を自動的に認識する手段と、 上記ビーム間隔を上記加工線間隔に合わせるように上記
ビーム間隔調整機構を駆動するビーム間隔制御部と、 を具備することを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項７】 上記被加工部位が、半導体デバイス上に
既知の配列で配置されているヒューズである請求項６記
載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9160634A JPH10328873A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9160634A JPH10328873A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10328873A true JPH10328873A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15719177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9160634A Pending JPH10328873A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10328873A (ja) |
Cited By (20)
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| US20080121627A1 (en) * | 2004-06-18 | 2008-05-29 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots |
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| JP2009501088A (ja) * | 2005-07-15 | 2009-01-15 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザリンク処理システムの加工レーザビームの歪みを抑制する方法 |
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-
1997
- 1997-06-04 JP JP9160634A patent/JPH10328873A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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