JPH10329014A - 断熱機構付きウェーハ研磨装置 - Google Patents
断熱機構付きウェーハ研磨装置Info
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- JPH10329014A JPH10329014A JP13545197A JP13545197A JPH10329014A JP H10329014 A JPH10329014 A JP H10329014A JP 13545197 A JP13545197 A JP 13545197A JP 13545197 A JP13545197 A JP 13545197A JP H10329014 A JPH10329014 A JP H10329014A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェーハ研磨量を誤差なく計測することができ
る断熱機構付きウェーハ研磨装置を提供する。 【解決手段】本発明は、ウェーハ保持ヘッド１４を構成
するテーブル２８に多孔質板５４を取り付け、この多孔
質板５４を介してウェーハ５２をテーブルに取り付けて
いる。また、多孔質板５４に冷却用エアを供給するポン
プ４２を設け、ポンプ４２から多孔質板５４に冷却用エ
アを供給することにより、ウェーハ加工熱がウェーハ５
２からテーブル２８に伝導するのを防止する。これによ
り、本発明は、テーブル２８の熱膨張を阻止することが
できるので、ウェーハ５２の研磨量を正確に計測するこ
とができる。
る断熱機構付きウェーハ研磨装置を提供する。 【解決手段】本発明は、ウェーハ保持ヘッド１４を構成
するテーブル２８に多孔質板５４を取り付け、この多孔
質板５４を介してウェーハ５２をテーブルに取り付けて
いる。また、多孔質板５４に冷却用エアを供給するポン
プ４２を設け、ポンプ４２から多孔質板５４に冷却用エ
アを供給することにより、ウェーハ加工熱がウェーハ５
２からテーブル２８に伝導するのを防止する。これによ
り、本発明は、テーブル２８の熱膨張を阻止することが
できるので、ウェーハ５２の研磨量を正確に計測するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ研磨装置に
係り、特にウェーハの研磨中にウェーハの研磨量を計測
することができる断熱機構付きウェーハ研磨装置に関す
る。
係り、特にウェーハの研磨中にウェーハの研磨量を計測
することができる断熱機構付きウェーハ研磨装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体デバイスの高密度化、多層
化に伴い、その製作過程においてウェーハを高い精度で
平坦化することが要求されている。ウェーハを平坦化す
る方法としては、ウェーハを回転する研磨定盤に押し付
け、その接触面にスラリを供給すると共に研磨量をリア
ルタイムで計測しながら研磨する方法がある。
化に伴い、その製作過程においてウェーハを高い精度で
平坦化することが要求されている。ウェーハを平坦化す
る方法としては、ウェーハを回転する研磨定盤に押し付
け、その接触面にスラリを供給すると共に研磨量をリア
ルタイムで計測しながら研磨する方法がある。
【０００３】前記研磨量の計測は、ウエハ保持ヘッドに
センサを設けることにより行われている。即ち、ウエハ
保持ヘッドを、ウェーハが取り付けられるテーブルと、
このテーブルを付勢部材を介して支持するケーシングと
から構成すると共に、テーブルとケーシングとの間に前
記センサを設け、このセンサからのテーブル変動量を示
す情報に基づいてウェーハの研磨量を計測する。
センサを設けることにより行われている。即ち、ウエハ
保持ヘッドを、ウェーハが取り付けられるテーブルと、
このテーブルを付勢部材を介して支持するケーシングと
から構成すると共に、テーブルとケーシングとの間に前
記センサを設け、このセンサからのテーブル変動量を示
す情報に基づいてウェーハの研磨量を計測する。
【０００４】一方、従来の研磨装置には、ウェーハの周
縁を包囲するリテーナリングをケーシングに設け、この
リテーナリングとウェーハとを回転する研磨定盤に押し
付けて、ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置が採用さ
れている。この研磨装置によれば、研磨定盤からのウェ
ーハ縁部への応力集中を防ぐことができるので、ウェー
ハ研磨面全域を均一に研磨することができる。
縁を包囲するリテーナリングをケーシングに設け、この
リテーナリングとウェーハとを回転する研磨定盤に押し
付けて、ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置が採用さ
れている。この研磨装置によれば、研磨定盤からのウェ
ーハ縁部への応力集中を防ぐことができるので、ウェー
ハ研磨面全域を均一に研磨することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ウェーハ研磨装置は、ウェーハの研磨中に発生した加工
熱がウェーハからテーブルに伝導してテーブルが熱膨張
してしまうので、テーブルの正確な変動量を検出するこ
とができず、ウェーハ研磨量に計測誤差がでるという欠
点がある。
ウェーハ研磨装置は、ウェーハの研磨中に発生した加工
熱がウェーハからテーブルに伝導してテーブルが熱膨張
してしまうので、テーブルの正確な変動量を検出するこ
とができず、ウェーハ研磨量に計測誤差がでるという欠
点がある。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ウェーハ研磨量を誤差なく計測することができ
る断熱機構付きウェーハ研磨装置を提供することを目的
とする。
もので、ウェーハ研磨量を誤差なく計測することができ
る断熱機構付きウェーハ研磨装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、ウェーハが取り付けられたテーブルをケー
シングに付勢手段を介して支持すると共に、該付勢手段
の付勢力で前記ウェーハを研磨定盤に押し付けて研磨
し、該研磨中において、テーブルとケーシングとの間に
設けられたセンサからのテーブル変動量を示す情報に基
づいてウェーハの研磨量を得るようにしたウェーハ研磨
装置において、前記ウェーハを多孔質部材を介して前記
テーブルに取り付けると共に、前記多孔質部材に冷却用
流体を供給する流体供給手段を設け、該流体供給手段か
ら多孔質部材に冷却用流体を供給することにより、ウェ
ーハ研磨加工熱がウェーハからテーブルに伝導するのを
防止したことを特徴としている。
するために、ウェーハが取り付けられたテーブルをケー
シングに付勢手段を介して支持すると共に、該付勢手段
の付勢力で前記ウェーハを研磨定盤に押し付けて研磨
し、該研磨中において、テーブルとケーシングとの間に
設けられたセンサからのテーブル変動量を示す情報に基
づいてウェーハの研磨量を得るようにしたウェーハ研磨
装置において、前記ウェーハを多孔質部材を介して前記
テーブルに取り付けると共に、前記多孔質部材に冷却用
流体を供給する流体供給手段を設け、該流体供給手段か
ら多孔質部材に冷却用流体を供給することにより、ウェ
ーハ研磨加工熱がウェーハからテーブルに伝導するのを
防止したことを特徴としている。
【０００８】請求項１記載の発明によれば、流体供給手
段から多孔質部材に冷却用流体を供給すると、ウェーハ
研磨加工熱はウェーハからテーブルに伝導する前に断熱
されるので、テーブルの熱膨張を防止することができ
る。したがって、本発明は、ウェーハ研磨量を誤差なく
計測することができる。請求項２記載の発明は、リテー
ナリング付きウェーハ研磨装置を対象とし、リテーナリ
ングとケーシングとの間に多孔質部材を設け、この多孔
質部材に流体供給手段から冷却用流体を供給して、リテ
ーナリングからの熱がケーシングに伝導するのを阻止
し、ケーシングの熱膨張を防止したものである。したが
って、本発明は、ウェーハ研磨量を誤差なく計測するこ
とができるリテーナリング付きウェーハ研磨装置を提供
できる。
段から多孔質部材に冷却用流体を供給すると、ウェーハ
研磨加工熱はウェーハからテーブルに伝導する前に断熱
されるので、テーブルの熱膨張を防止することができ
る。したがって、本発明は、ウェーハ研磨量を誤差なく
計測することができる。請求項２記載の発明は、リテー
ナリング付きウェーハ研磨装置を対象とし、リテーナリ
ングとケーシングとの間に多孔質部材を設け、この多孔
質部材に流体供給手段から冷却用流体を供給して、リテ
ーナリングからの熱がケーシングに伝導するのを阻止
し、ケーシングの熱膨張を防止したものである。したが
って、本発明は、ウェーハ研磨量を誤差なく計測するこ
とができるリテーナリング付きウェーハ研磨装置を提供
できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る断熱機構付きウェーハ研磨装置の好ましい実施の形態
について詳説する。図１は、本発明の断熱機構付きウェ
ーハ研磨装置が適用されたウェーハ研磨装置の全体構成
図である。同図に示すように、前記ウェーハ研磨装置１
０は、研磨定盤１２とウェーハ保持ヘッド１４とを備え
ている。研磨定盤１２は円盤状に形成されており、その
上面には研磨布１６が貼付されている。また、研磨定盤
１２の下部には、スピンドル１８が連結され、スピンド
ル１８はモータ２０の図示しない出力軸に連結されてい
る。前記研磨定盤１２は、前記モータ２０を駆動すると
矢印Ａ方向に回転し、その回転する研磨定盤１２の研磨
布１６上に図２に示すノズル２２からスラリ２４が供給
される。
る断熱機構付きウェーハ研磨装置の好ましい実施の形態
について詳説する。図１は、本発明の断熱機構付きウェ
ーハ研磨装置が適用されたウェーハ研磨装置の全体構成
図である。同図に示すように、前記ウェーハ研磨装置１
０は、研磨定盤１２とウェーハ保持ヘッド１４とを備え
ている。研磨定盤１２は円盤状に形成されており、その
上面には研磨布１６が貼付されている。また、研磨定盤
１２の下部には、スピンドル１８が連結され、スピンド
ル１８はモータ２０の図示しない出力軸に連結されてい
る。前記研磨定盤１２は、前記モータ２０を駆動すると
矢印Ａ方向に回転し、その回転する研磨定盤１２の研磨
布１６上に図２に示すノズル２２からスラリ２４が供給
される。
【００１０】図２は前記ウェーハ保持ヘッド１４の縦断
面図である。同図に示すウェーハ保持ヘッド１４は、ケ
ーシング２６及びテーブル２８等から構成される。前記
ケーシング２６は下部が開放されたカップ状に形成さ
れ、その上面にはケーシング２６を矢印Ｂ方向に回転さ
せる回転軸３０が固着されている。また、ケーシング２
６には、エア供給路３２、３４が形成されており、これ
らのエア供給路３２、３４は前記回転軸３０に形成され
たエア供給路３６、３８に連通されている。また、エア
供給路３６、３８には、バルブ４０と圧縮エアを供給す
るポンプ４２とが連結されている。
面図である。同図に示すウェーハ保持ヘッド１４は、ケ
ーシング２６及びテーブル２８等から構成される。前記
ケーシング２６は下部が開放されたカップ状に形成さ
れ、その上面にはケーシング２６を矢印Ｂ方向に回転さ
せる回転軸３０が固着されている。また、ケーシング２
６には、エア供給路３２、３４が形成されており、これ
らのエア供給路３２、３４は前記回転軸３０に形成され
たエア供給路３６、３８に連通されている。また、エア
供給路３６、３８には、バルブ４０と圧縮エアを供給す
るポンプ４２とが連結されている。
【００１１】前記テーブル２８は、ケーシング２６内に
収納されると共に、スプリング（付勢手段）４４、４４
を介してケーシング２６に上下移動自在に支持されてい
る。また、テーブル２８はその上面縁部が、ケーシング
２６に固着された弾性部材４６、４６に当接支持され
て、ケーシング２６に対する上方向の移動可能位置が規
制されている。また、テーブル２８は、前記弾性部材４
６、４６を介してケーシング２６からの回転力が伝達さ
れる。
収納されると共に、スプリング（付勢手段）４４、４４
を介してケーシング２６に上下移動自在に支持されてい
る。また、テーブル２８はその上面縁部が、ケーシング
２６に固着された弾性部材４６、４６に当接支持され
て、ケーシング２６に対する上方向の移動可能位置が規
制されている。また、テーブル２８は、前記弾性部材４
６、４６を介してケーシング２６からの回転力が伝達さ
れる。
【００１２】ところで、ケーシング２６とテーブル２８
との間には、差動変圧器式電気マイクロメータ（セン
サ）５１が設けられる。この電気マイクロメータ５１
は、コア４８とボビン５０から構成され、コア４８はケ
ーシング２６側に下向きに固定され、ボビン５０はテー
ブル２８側に上向きに固定されている。この電気マイク
ロメータ５１によって、ケーシング２６に対するテーブ
ル２８の上下方向変動量が検出され、この検出結果に基
づいてウェーハ５２の研磨量が計測される。
との間には、差動変圧器式電気マイクロメータ（セン
サ）５１が設けられる。この電気マイクロメータ５１
は、コア４８とボビン５０から構成され、コア４８はケ
ーシング２６側に下向きに固定され、ボビン５０はテー
ブル２８側に上向きに固定されている。この電気マイク
ロメータ５１によって、ケーシング２６に対するテーブ
ル２８の上下方向変動量が検出され、この検出結果に基
づいてウェーハ５２の研磨量が計測される。
【００１３】前記テーブル２８の下面には、多孔質板５
４が固着されている。この多孔質板５４は、内部に多数
の通気路を有するものであり、例えば、セラミック材料
の焼結体よりなるものが用いられる。前記多孔質板５４
には、テーブル２８に形成されたエア供給路５６を介し
て、ケーシング２６側のエア供給路３２に連通されてい
る。したがって、ポンプ４２からの圧縮エアは、エア供
給路３６、３２、５６を介して前記多孔質板５４に供給
された後、多孔質板５４の下面から下方に噴き出され
る。これにより、前記多孔質板５４が空冷されるので、
ウェーハ５２からテーブル２８に伝導するウェーハ加工
熱が多孔質板５４によって断熱される。また、ウェーハ
５２は多孔質板５４の下面から噴き出される前記エアに
よりフローティング支持されて、圧力流体層Ｌを介して
研磨布１６に押し付けられる。したがって、ウェーハ加
工熱は、多孔質板５４の他に圧力流体層Ｌによっても断
熱される。
４が固着されている。この多孔質板５４は、内部に多数
の通気路を有するものであり、例えば、セラミック材料
の焼結体よりなるものが用いられる。前記多孔質板５４
には、テーブル２８に形成されたエア供給路５６を介し
て、ケーシング２６側のエア供給路３２に連通されてい
る。したがって、ポンプ４２からの圧縮エアは、エア供
給路３６、３２、５６を介して前記多孔質板５４に供給
された後、多孔質板５４の下面から下方に噴き出され
る。これにより、前記多孔質板５４が空冷されるので、
ウェーハ５２からテーブル２８に伝導するウェーハ加工
熱が多孔質板５４によって断熱される。また、ウェーハ
５２は多孔質板５４の下面から噴き出される前記エアに
よりフローティング支持されて、圧力流体層Ｌを介して
研磨布１６に押し付けられる。したがって、ウェーハ加
工熱は、多孔質板５４の他に圧力流体層Ｌによっても断
熱される。
【００１４】一方、前記多孔質板５４には、複数のセン
サ５８、５８…が埋設されている。前記センサ５８は、
渦電流センサ等の非接触センサであり、その検出面５８
Ａが多孔質板５４の下面と面一に配置されている。この
センサ５８は、半導体ウェーハ５２の上面との距離を測
定することにより、圧力流体層Ｌの層厚の変動量を検出
する。
サ５８、５８…が埋設されている。前記センサ５８は、
渦電流センサ等の非接触センサであり、その検出面５８
Ａが多孔質板５４の下面と面一に配置されている。この
センサ５８は、半導体ウェーハ５２の上面との距離を測
定することにより、圧力流体層Ｌの層厚の変動量を検出
する。
【００１５】ウェーハ５２の研磨量を計測するＣＰＵ
（図示せず）は、前述した電気マイクロメータ５１で検
出されたテーブル２８の変動量から、センサ５８で検出
された圧力流体層Ｌの層厚の変動量を加算することでウ
ェーハ５２の研磨量を算出する。即ち、ＣＰＵは、電気
マイクロメータ５１で検出された変動量がＴ１で、セン
サ５８で検出された変動量がＴ２であると、その時のウ
ェーハ５２の研磨量はＴ１＋Ｔ２で算出する。また、電
気マイクロメータ５１からの変動量がＴ１で、センサ５
８からの変動量がＯであると、その時のウェーハ５２は
研磨量はＴ１と算出する。更に、電気マイクロメータ５
１からの変動量がＴ１で、センサ５８からの変動量が−
Ｔ２であると、その時のウェーハ５２の研磨量はＴ１−
Ｔ２で算出する。
（図示せず）は、前述した電気マイクロメータ５１で検
出されたテーブル２８の変動量から、センサ５８で検出
された圧力流体層Ｌの層厚の変動量を加算することでウ
ェーハ５２の研磨量を算出する。即ち、ＣＰＵは、電気
マイクロメータ５１で検出された変動量がＴ１で、セン
サ５８で検出された変動量がＴ２であると、その時のウ
ェーハ５２の研磨量はＴ１＋Ｔ２で算出する。また、電
気マイクロメータ５１からの変動量がＴ１で、センサ５
８からの変動量がＯであると、その時のウェーハ５２は
研磨量はＴ１と算出する。更に、電気マイクロメータ５
１からの変動量がＴ１で、センサ５８からの変動量が−
Ｔ２であると、その時のウェーハ５２の研磨量はＴ１−
Ｔ２で算出する。
【００１６】ところで、前記ケーシング２６の下面に
は、リング状に形成されたリテーナリング６０が、同じ
くリング状に形成された多孔質板６２を介して固着され
ている。前記リテーナリング６０は、ウェーハ５２の周
縁を包囲しウェーハ５２と共に研磨布１６に押し付けら
れるものであり、本実施の形態では金属よりも熱膨張係
数の小さいセラミックが使用されている。また、リテー
ナリング６０の研磨布１６との接触面６０Ａは、ダイヤ
モンドコーティングされて耐久性が向上されている。
は、リング状に形成されたリテーナリング６０が、同じ
くリング状に形成された多孔質板６２を介して固着され
ている。前記リテーナリング６０は、ウェーハ５２の周
縁を包囲しウェーハ５２と共に研磨布１６に押し付けら
れるものであり、本実施の形態では金属よりも熱膨張係
数の小さいセラミックが使用されている。また、リテー
ナリング６０の研磨布１６との接触面６０Ａは、ダイヤ
モンドコーティングされて耐久性が向上されている。
【００１７】前記多孔質板６２は、テーブル２８に設け
た多孔質板５４と同様に、内部に多数の通気路を有する
もので、例えばセラミック材料の焼結体よりなるものが
用いられている。前記多孔質板６２には、ケーシング２
６に形成されたエア供給路３４が連通されている。した
がって、ポンプ４２からの圧縮エアは、エア供給路３
８、３４を介して前記多孔質板６２に供給された後、多
孔質板６２の周面から外部に噴き出される。これによ
り、多孔質板６２は前記圧縮エアによって空冷されるの
で、ウェーハ５２の研磨中に発生したリテーナリング６
２の加工熱は、多孔質板６２によって断熱されて、ケー
シング２６側に伝導しない。
た多孔質板５４と同様に、内部に多数の通気路を有する
もので、例えばセラミック材料の焼結体よりなるものが
用いられている。前記多孔質板６２には、ケーシング２
６に形成されたエア供給路３４が連通されている。した
がって、ポンプ４２からの圧縮エアは、エア供給路３
８、３４を介して前記多孔質板６２に供給された後、多
孔質板６２の周面から外部に噴き出される。これによ
り、多孔質板６２は前記圧縮エアによって空冷されるの
で、ウェーハ５２の研磨中に発生したリテーナリング６
２の加工熱は、多孔質板６２によって断熱されて、ケー
シング２６側に伝導しない。
【００１８】次に、前記の如く構成されたウェーハ研磨
装置１０のウェーハ保持ヘッド１４の作用について説明
する。まず、図２において、ウェーハ保持ヘッド１４を
回転軸３０の回転力で回転させると共に、バルブ４０を
開放してポンプ４２を駆動し、ポンプ４２からの圧縮エ
アを多孔質板５４、６２に供給する。多孔質板５４に供
給された圧縮エアは、多孔質板５４を通過中に多孔質板
５４を冷却し、そして、多孔質板５４の下面から下方に
噴き出される。そして、ウェーハ５２は、多孔質板５４
から噴き出された前記エアによって圧力流体層Ｌを介し
て研磨布１６に押し付けられて研磨される。
装置１０のウェーハ保持ヘッド１４の作用について説明
する。まず、図２において、ウェーハ保持ヘッド１４を
回転軸３０の回転力で回転させると共に、バルブ４０を
開放してポンプ４２を駆動し、ポンプ４２からの圧縮エ
アを多孔質板５４、６２に供給する。多孔質板５４に供
給された圧縮エアは、多孔質板５４を通過中に多孔質板
５４を冷却し、そして、多孔質板５４の下面から下方に
噴き出される。そして、ウェーハ５２は、多孔質板５４
から噴き出された前記エアによって圧力流体層Ｌを介し
て研磨布１６に押し付けられて研磨される。
【００１９】これにより、ウェーハ加工熱は、圧力流体
層Ｌと多孔質板５４とによって断熱されるので、テーブ
ル２８がウェーハ加工熱で熱膨張するのを阻止すること
ができる。したがって、本実施の形態では、電気マイク
ロメータ５１とセンサ５８、５８…とによるウェーハ研
磨量計測を正確に実施することができる。一方、ポンプ
４２からの圧縮エアは、リテーナリング６０側の多孔質
板６２にも供給されているので、リテーナリング６０か
らの熱はケーシング２６に伝導されない。したがって、
本実施の形態は、ケーシング２６がリテーナリングから
の熱で熱膨張するのを阻止することができるので、電気
マイクロメータ５１とセンサ５８、５８…とによるウェ
ーハ研磨量計測を更に正確に実施することができる。
層Ｌと多孔質板５４とによって断熱されるので、テーブ
ル２８がウェーハ加工熱で熱膨張するのを阻止すること
ができる。したがって、本実施の形態では、電気マイク
ロメータ５１とセンサ５８、５８…とによるウェーハ研
磨量計測を正確に実施することができる。一方、ポンプ
４２からの圧縮エアは、リテーナリング６０側の多孔質
板６２にも供給されているので、リテーナリング６０か
らの熱はケーシング２６に伝導されない。したがって、
本実施の形態は、ケーシング２６がリテーナリングから
の熱で熱膨張するのを阻止することができるので、電気
マイクロメータ５１とセンサ５８、５８…とによるウェ
ーハ研磨量計測を更に正確に実施することができる。
【００２０】本実施の形態では、リテーナリング６０付
きウェーハ保持ヘッド１４について説明したが、これに
限られるものではなく、リテーナリング６０がなく、ウ
ェーハ５２をテーブルに吸着固定するタイプのウェーハ
保持ヘッドにも適用することができる。このタイプで
は、リテーナリング６０がないので、リテーナリング６
０を空冷するための多孔質板６２は不要である。
きウェーハ保持ヘッド１４について説明したが、これに
限られるものではなく、リテーナリング６０がなく、ウ
ェーハ５２をテーブルに吸着固定するタイプのウェーハ
保持ヘッドにも適用することができる。このタイプで
は、リテーナリング６０がないので、リテーナリング６
０を空冷するための多孔質板６２は不要である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る断熱機
構付きウェーハ研磨装置によれば、ウェーハを多孔質部
材を介してテーブルに取り付け、この多孔質部材に流体
供給手段から冷却用流体を供給することにより、加工熱
によるテーブルの熱膨張を防止したので、ウェーハ研磨
量を誤差なく計測することができる。
構付きウェーハ研磨装置によれば、ウェーハを多孔質部
材を介してテーブルに取り付け、この多孔質部材に流体
供給手段から冷却用流体を供給することにより、加工熱
によるテーブルの熱膨張を防止したので、ウェーハ研磨
量を誤差なく計測することができる。
【００２２】また、本発明は、リテーナリングとケーシ
ングとの間に多孔質部材を設け、この多孔質部材に流体
供給手段から冷却用流体を供給することにより、リテー
ナリングからの熱によるケーシングの熱膨張を防止した
ので、ウェーハ研磨量を誤差なく計測することができる
リテーナリング付きウェーハ研磨装置を提供できる。
ングとの間に多孔質部材を設け、この多孔質部材に流体
供給手段から冷却用流体を供給することにより、リテー
ナリングからの熱によるケーシングの熱膨張を防止した
ので、ウェーハ研磨量を誤差なく計測することができる
リテーナリング付きウェーハ研磨装置を提供できる。
【図１】本実施の形態の断熱機構付きウェーハ研磨装置
の全体構造図
の全体構造図
【図２】図１に示したウェーハ研磨装置のウェーハ保持
ヘッドの縦断面図
ヘッドの縦断面図
１０…ウェーハ研磨装置 １２…研磨定盤 １４…ウェーハ保持ヘッド １６…研磨布 ２６…ケーシング ２８…テーブル ５１…電気マイクロメータ ５２…ウェーハ ５４、６２…多孔質板 ５８…渦電流センサ ６０…リテーナリング
Claims (2)
- 【請求項１】ウェーハが取り付けられたテーブルをケー
シングに付勢手段を介して支持すると共に、該付勢手段
の付勢力で前記ウェーハを研磨定盤に押し付けて研磨
し、該研磨中において、テーブルとケーシングとの間に
設けられたセンサからのテーブル変動量を示す情報に基
づいてウェーハの研磨量を得るようにしたウェーハ研磨
装置において、 前記ウェーハを多孔質部材を介して前記テーブルに取り
付けると共に、前記多孔質部材に冷却用流体を供給する
流体供給手段を設け、該流体供給手段から多孔質部材に
冷却用流体を供給することにより、ウェーハ研磨加工熱
がウェーハからテーブルに伝導するのを防止したことを
特徴とする断熱機構付きウェーハ研磨装置。 - 【請求項２】前記ケーシングには、前記ウェーハの周縁
を包囲するリテーナリングが多孔質部材を介して設けら
れると共に、該多孔質部材に冷却用流体を供給する流体
供給手段が設けられ、該流体供給手段から多孔質部材に
冷却用流体を供給することにより、リテーナリングから
の熱がケーシングに伝導するのを防止したことを特徴と
する請求項１記載の断熱機構付きウェーハ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13545197A JPH10329014A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 断熱機構付きウェーハ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13545197A JPH10329014A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 断熱機構付きウェーハ研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10329014A true JPH10329014A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15152029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13545197A Pending JPH10329014A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 断熱機構付きウェーハ研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10329014A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2380700A (en) * | 1998-10-16 | 2003-04-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
| US7883394B2 (en) | 2002-12-27 | 2011-02-08 | Ebara Corporation | Substrate holding mechanism, substrate polishing apparatus and substrate polishing method |
| JP2013082069A (ja) * | 2008-02-13 | 2013-05-09 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| CN116000784A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-25 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP13545197A patent/JPH10329014A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2380700A (en) * | 1998-10-16 | 2003-04-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
| GB2380700B (en) * | 1998-10-16 | 2003-05-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
| US7883394B2 (en) | 2002-12-27 | 2011-02-08 | Ebara Corporation | Substrate holding mechanism, substrate polishing apparatus and substrate polishing method |
| US8292694B2 (en) | 2002-12-27 | 2012-10-23 | Ebara Corporation | Substrate holding mechanism, substrate polishing apparatus and substrate polishing method |
| JP2013082069A (ja) * | 2008-02-13 | 2013-05-09 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| CN116000784A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-25 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置 |
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