JPH10330715A - 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 - Google Patents
導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置Info
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- JPH10330715A JPH10330715A JP9138078A JP13807897A JPH10330715A JP H10330715 A JPH10330715 A JP H10330715A JP 9138078 A JP9138078 A JP 9138078A JP 13807897 A JP13807897 A JP 13807897A JP H10330715 A JPH10330715 A JP H10330715A
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- resin paste
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/30—Die-attach connectors
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はオーブン中低温硬化が可能で、満足
する硬化性絵、導電性、接着性が選られる導電性樹脂ペ
ーストを提供する 【解決手段】 ビフェノール、イミダゾール誘導体、室
温で液状のエポキシ樹脂、銀粉を必須成分として、該成
分中ビフェノール（Ａ）が２〜７重量％、イミダゾール
誘導体（Ｂ）が０．１〜３．５重量％、全銀含有率が６
０〜８５重量％であることを特徴とする導電性樹脂ペー
スト及び上記の導電性樹脂ペーストを用いて製造された
半導体装置。
する硬化性絵、導電性、接着性が選られる導電性樹脂ペ
ーストを提供する 【解決手段】 ビフェノール、イミダゾール誘導体、室
温で液状のエポキシ樹脂、銀粉を必須成分として、該成
分中ビフェノール（Ａ）が２〜７重量％、イミダゾール
誘導体（Ｂ）が０．１〜３．５重量％、全銀含有率が６
０〜８５重量％であることを特徴とする導電性樹脂ペー
スト及び上記の導電性樹脂ペーストを用いて製造された
半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペーストに関するものである。
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立において、半導体素子
を金属フレームに接着させる工程、いわゆるダイボンデ
ィング工程において用いられる接合方式は、これまで金
−シリコン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストと推移し
てきた。現在では主にＩＣ，ＬＳＩの組立においては導
電性樹脂ペーストを使用している。
を金属フレームに接着させる工程、いわゆるダイボンデ
ィング工程において用いられる接合方式は、これまで金
−シリコン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストと推移し
てきた。現在では主にＩＣ，ＬＳＩの組立においては導
電性樹脂ペーストを使用している。
【０００３】この導電性樹脂ぺーストを用いた方式はイ
ンライン硬化方式など一部を除いて、主にオーブンによ
るバッチ方式で半導体製品の生産が行われている。その
硬化条件は主に硬化温度が１５０〜２００℃で硬化時間
が６０〜１２０分程度である。しかし現在、半導体メー
カーにおいて、半導体製品の生産サイクルを短くするた
め、従来導電性樹脂ペーストの硬化時間が６０〜１２０
分であったがそれより短い硬化時間、例えば硬化温度が
１５０〜２００℃で、１０〜４０分で硬化が可能な導電
性樹脂ペーストが求められている。
ンライン硬化方式など一部を除いて、主にオーブンによ
るバッチ方式で半導体製品の生産が行われている。その
硬化条件は主に硬化温度が１５０〜２００℃で硬化時間
が６０〜１２０分程度である。しかし現在、半導体メー
カーにおいて、半導体製品の生産サイクルを短くするた
め、従来導電性樹脂ペーストの硬化時間が６０〜１２０
分であったがそれより短い硬化時間、例えば硬化温度が
１５０〜２００℃で、１０〜４０分で硬化が可能な導電
性樹脂ペーストが求められている。
【０００４】一方、多数ある半導体製品のなかで、従来
の１５０〜２００℃という硬化温度で硬化することが困
難な製品が開発されている。すなわち、１０×１０ｍｍ
以上の大きい半導体素子を実装する製品、金属フレーム
が銅フレームの製品、金属フレームを使用せず、ガラエ
ポ基盤の様な有機基板を使用する半導体製品である。こ
れらの製品は硬化温度が高いと熱膨張が大きくなること
により応力が高くなり製品の信頼性が低下したり、基板
そのものがその熱に耐えられないなどの理由から導電性
j樹脂ペーストの硬化における温度を下げざるえない状
況にある。こういった半導体メーカーの製品組み立てに
おける要求に対し、これまでの導電性樹脂ペーストは満
足しうる硬化性、導電性、接着性を提供するものがなか
った。
の１５０〜２００℃という硬化温度で硬化することが困
難な製品が開発されている。すなわち、１０×１０ｍｍ
以上の大きい半導体素子を実装する製品、金属フレーム
が銅フレームの製品、金属フレームを使用せず、ガラエ
ポ基盤の様な有機基板を使用する半導体製品である。こ
れらの製品は硬化温度が高いと熱膨張が大きくなること
により応力が高くなり製品の信頼性が低下したり、基板
そのものがその熱に耐えられないなどの理由から導電性
j樹脂ペーストの硬化における温度を下げざるえない状
況にある。こういった半導体メーカーの製品組み立てに
おける要求に対し、これまでの導電性樹脂ペーストは満
足しうる硬化性、導電性、接着性を提供するものがなか
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はオーブン中低
温硬化が可能で、満足する硬化性絵、導電性、接着性が
選られる導電性樹脂ペーストを提供するものである。
温硬化が可能で、満足する硬化性絵、導電性、接着性が
選られる導電性樹脂ペーストを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は（Ａ）ビフェノ
ール、（Ｂ）イミダゾール誘導体、（Ｃ）室温で液状の
エポキシ樹脂、（Ｄ）銀粉を必須成分として、該成分中
ビフェノール（Ａ）が２〜７重量％、イミダゾール誘導
体（Ｂ）が０．１〜３．５重量％、全銀含有率が６０〜
８５重量％であることを特徴とする導電性樹脂ペースト
及び上記の導電性樹脂ペーストを用いて製造された半導
体装置に関するものである。
ール、（Ｂ）イミダゾール誘導体、（Ｃ）室温で液状の
エポキシ樹脂、（Ｄ）銀粉を必須成分として、該成分中
ビフェノール（Ａ）が２〜７重量％、イミダゾール誘導
体（Ｂ）が０．１〜３．５重量％、全銀含有率が６０〜
８５重量％であることを特徴とする導電性樹脂ペースト
及び上記の導電性樹脂ペーストを用いて製造された半導
体装置に関するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は硬化剤にビフェノールを
用いる。エポキシの硬化剤には通常フェノール類、一級
アミン、ポリアミン等の活性水素を分子内に持った化合
物を使用する。しかしこれらの硬化剤では本発明にある
様な１００〜１２０℃の様な従来の硬化条件より低い温
度で硬化させると十分な導電性を得ることはできなかっ
た。そこで本発明では硬化剤にフェノール類のビフェノ
ールを使用する。ビフェノールを硬化剤として使用する
と低温での硬化温度で硬化しても従来と同様な導電性を
得ることができる。同じフェノール類でもビスフェノー
ルＡ、フェノールノボラック類などの通常エポキシの硬
化剤に使用するものは１００〜１２０℃での温度で硬化
した時、充分な接着強度は得られるものの、導電性は従
来の硬化温度である１５０〜２００℃で硬化した硬化物
に比べ著しく低下する。ビフェノールの配合量を２〜７
重量％としたのは、２重量％より少ないと十分な硬化性
をえることはできない。また７重量％より多いと粘度が
高くなり塗布作業性が著しく低下する。
用いる。エポキシの硬化剤には通常フェノール類、一級
アミン、ポリアミン等の活性水素を分子内に持った化合
物を使用する。しかしこれらの硬化剤では本発明にある
様な１００〜１２０℃の様な従来の硬化条件より低い温
度で硬化させると十分な導電性を得ることはできなかっ
た。そこで本発明では硬化剤にフェノール類のビフェノ
ールを使用する。ビフェノールを硬化剤として使用する
と低温での硬化温度で硬化しても従来と同様な導電性を
得ることができる。同じフェノール類でもビスフェノー
ルＡ、フェノールノボラック類などの通常エポキシの硬
化剤に使用するものは１００〜１２０℃での温度で硬化
した時、充分な接着強度は得られるものの、導電性は従
来の硬化温度である１５０〜２００℃で硬化した硬化物
に比べ著しく低下する。ビフェノールの配合量を２〜７
重量％としたのは、２重量％より少ないと十分な硬化性
をえることはできない。また７重量％より多いと粘度が
高くなり塗布作業性が著しく低下する。
【０００８】本発明にはビフェノール以外に硬化剤とし
てイミダゾール誘導体を用いる。このイミダゾール誘導
体は前述したビフェノールの硬化促進剤とともに自身が
非常に硬化速度の早い硬化剤として作用する。ここで用
いるイミダゾール誘導体は例えば、２−メチル−１Ｈイ
ミダゾール、２−ウンデシル−１Ｈイミダゾールなどの
２−アルキル１Ｈイミダゾール類、その１−シアノエチ
ル誘導体、２、４−ジアミノ−６−エチル−Ｓ−トリア
ジン誘導体、ヒドロキシメチル誘導体などがある。これ
らは単独で使用しても複数併用しても構わない。これら
の配合量は導電性樹脂ペースト中２〜７重量％が望まし
い。配合量が２重量％より少ないと硬化反応が遅く、１
００〜１２０℃での硬化ができない。また７重量％より
多いと保存性が著しく低下し、粘度の変化が大きく導電
性樹脂ペーストの塗布作業性を著しく悪化させる。
てイミダゾール誘導体を用いる。このイミダゾール誘導
体は前述したビフェノールの硬化促進剤とともに自身が
非常に硬化速度の早い硬化剤として作用する。ここで用
いるイミダゾール誘導体は例えば、２−メチル−１Ｈイ
ミダゾール、２−ウンデシル−１Ｈイミダゾールなどの
２−アルキル１Ｈイミダゾール類、その１−シアノエチ
ル誘導体、２、４−ジアミノ−６−エチル−Ｓ−トリア
ジン誘導体、ヒドロキシメチル誘導体などがある。これ
らは単独で使用しても複数併用しても構わない。これら
の配合量は導電性樹脂ペースト中２〜７重量％が望まし
い。配合量が２重量％より少ないと硬化反応が遅く、１
００〜１２０℃での硬化ができない。また７重量％より
多いと保存性が著しく低下し、粘度の変化が大きく導電
性樹脂ペーストの塗布作業性を著しく悪化させる。
【０００９】本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で液状
のものに限定しているが、常温で液状でないと銀粉との
混練において、溶剤をより多く必要とする。溶剤は気泡
発生の原因となり、硬化物の接着強度を低下させてしま
うので好ましくない。本発明に用いるエポキシ樹脂とし
て例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，フェノ
ールノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得られ
るポリグリシジルエーテルで常温のもの、ビニルシクロ
ヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、
アリサイクリックジエポキシ−アジペイドの様な脂環式
エポキシ、更にｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサ
ティック酸グリシジルエステル、スチレンオキサイドフ
ェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジル
エーテル、クレグリシジルエーテル、ジシクロペンタジ
エンジエポキシドの様な通常エポキシ樹脂の希釈剤とし
て用いられるものがある。
のものに限定しているが、常温で液状でないと銀粉との
混練において、溶剤をより多く必要とする。溶剤は気泡
発生の原因となり、硬化物の接着強度を低下させてしま
うので好ましくない。本発明に用いるエポキシ樹脂とし
て例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，フェノ
ールノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得られ
るポリグリシジルエーテルで常温のもの、ビニルシクロ
ヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、
アリサイクリックジエポキシ−アジペイドの様な脂環式
エポキシ、更にｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサ
ティック酸グリシジルエステル、スチレンオキサイドフ
ェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジル
エーテル、クレグリシジルエーテル、ジシクロペンタジ
エンジエポキシドの様な通常エポキシ樹脂の希釈剤とし
て用いられるものがある。
【００１０】本発明で用いる銀粉は最大粒径が３０μm
以下が望ましい。それより大きいと塗布時にニードル詰
まりをおこし、塗布作業性が著しく低下するためであ
る。また本発明で全銀含有率を６０〜８５重量％とした
のは６０重量％より少ないと充分な導電性を得ることは
できない。また８５重量％を越えると導電性は優れるも
のの粘度が高くなり、塗布作業性を著しく低下させる。
更に本発明の樹脂組成物には必要に応じて硬化促進剤、
顔料、消泡剤などの添加剤を用いることができる。本発
明の製造方法は例えば各成分を予備混練した後、三本ロ
ールを用いて混練し、ペーストを得て真空下脱泡するこ
となどがある。
以下が望ましい。それより大きいと塗布時にニードル詰
まりをおこし、塗布作業性が著しく低下するためであ
る。また本発明で全銀含有率を６０〜８５重量％とした
のは６０重量％より少ないと充分な導電性を得ることは
できない。また８５重量％を越えると導電性は優れるも
のの粘度が高くなり、塗布作業性を著しく低下させる。
更に本発明の樹脂組成物には必要に応じて硬化促進剤、
顔料、消泡剤などの添加剤を用いることができる。本発
明の製造方法は例えば各成分を予備混練した後、三本ロ
ールを用いて混練し、ペーストを得て真空下脱泡するこ
となどがある。
【００１１】
【実施例】以下に本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により
得られるジグリシジルエーテル（エポキシ当量１８０で
常温で液状、以下エポキシ樹脂）１８ｇ、希釈剤として
クレジルグリシジルエーテル（以下ＣＧＥ）８．５ｇ、
硬化剤としてビフェノール（ＢＰ）２．５ｇ、２−フェ
ニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）１ｇ、銀
粉７０ｇを配合し、３本ロールで混練して導電性樹脂ペ
ーストを得た。この導電性樹脂ペーストを真空チャンバ
ーにて２ｍｍＨｇで３０分脱泡後、以下に示す方法によ
り各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
得られるジグリシジルエーテル（エポキシ当量１８０で
常温で液状、以下エポキシ樹脂）１８ｇ、希釈剤として
クレジルグリシジルエーテル（以下ＣＧＥ）８．５ｇ、
硬化剤としてビフェノール（ＢＰ）２．５ｇ、２−フェ
ニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）１ｇ、銀
粉７０ｇを配合し、３本ロールで混練して導電性樹脂ペ
ーストを得た。この導電性樹脂ペーストを真空チャンバ
ーにて２ｍｍＨｇで３０分脱泡後、以下に示す方法によ
り各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い、
２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。 ３日後粘度：２５℃恒温糟に３日放置した後Ｅ型粘度計
を用い、２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。 チキソ比：Ｅ型粘度計を用い、２５℃での０．５ｒｐｍ
の測定値と２．５ｒｐｍの測定値の比率 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ、
厚み３０μｍに塗布し、１２０℃オーブン中で６０分間
硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。 ３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップをペ
ーストを用いて銅フレームにマウントし１８０℃オーブ
ン中で６０分間硬化した。硬化後、プッシュプルゲージ
を用い３５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 糸引き性：自動ディスペンサーで塗布した時のペースト
の糸引き具合を目視で観察した。 総合評価：粘度、体積抵抗率、糸引き性、接着強度及び
ボイドの全てを良好なものを○、１つでも不満足なもの
を×とした。
２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。 ３日後粘度：２５℃恒温糟に３日放置した後Ｅ型粘度計
を用い、２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。 チキソ比：Ｅ型粘度計を用い、２５℃での０．５ｒｐｍ
の測定値と２．５ｒｐｍの測定値の比率 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ、
厚み３０μｍに塗布し、１２０℃オーブン中で６０分間
硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。 ３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップをペ
ーストを用いて銅フレームにマウントし１８０℃オーブ
ン中で６０分間硬化した。硬化後、プッシュプルゲージ
を用い３５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 糸引き性：自動ディスペンサーで塗布した時のペースト
の糸引き具合を目視で観察した。 総合評価：粘度、体積抵抗率、糸引き性、接着強度及び
ボイドの全てを良好なものを○、１つでも不満足なもの
を×とした。
【００１４】実施例２〜１１ エポキシ樹脂、ＣＧＥ、ＢＰ、２Ｐ４ＭＺ、２―ウンデ
シルイミダゾール（Ｃ１１Ｚ）、銀粉を表１に示す割合
で配合し、実施例１と同様にして導電性樹脂ペーストを
得た。この導電性樹脂ペーストを実施例１と同様にして
各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
シルイミダゾール（Ｃ１１Ｚ）、銀粉を表１に示す割合
で配合し、実施例１と同様にして導電性樹脂ペーストを
得た。この導電性樹脂ペーストを実施例１と同様にして
各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
【００１５】比較例１〜８ 表２に示す配合割合で実施例と全く同様にして導電性樹
脂ペーストを作製した。
脂ペーストを作製した。
【００１６】
【表２】
【００１７】比較例１ 硬化剤としてビフェノールを請
求範囲より少なくすると低温で硬化した時に満足する導
電性を得られない。 比較例２ ビフェノールを請求範囲より多くすると満足
する導電性を得ることはできるが、粘度が高くなり塗布
作業性を著しく悪化させる。 比較例３、４ 硬化剤にビフェノールを使用せずフェノ
ールノボラックやビスフェノールＡの様な他のフェノー
ル系硬化剤を使用すると導電性が低下する。 比較例５ イミダゾールを添加しないと硬化性が低下す
る。 比較例６ イミダゾールを請求範囲より多く添加すると
ポットライフが低下し、保存性を著しく悪化させる。 比較例７ 銀粉の配合量を請求範囲より少なくすると満
足する導電性、及び塗布作業性を得ることはできない。 比較例８ 銀粉の配合量を請求範囲より多くすると粘度
が高くなり、塗布作業性を悪化させる。
求範囲より少なくすると低温で硬化した時に満足する導
電性を得られない。 比較例２ ビフェノールを請求範囲より多くすると満足
する導電性を得ることはできるが、粘度が高くなり塗布
作業性を著しく悪化させる。 比較例３、４ 硬化剤にビフェノールを使用せずフェノ
ールノボラックやビスフェノールＡの様な他のフェノー
ル系硬化剤を使用すると導電性が低下する。 比較例５ イミダゾールを添加しないと硬化性が低下す
る。 比較例６ イミダゾールを請求範囲より多く添加すると
ポットライフが低下し、保存性を著しく悪化させる。 比較例７ 銀粉の配合量を請求範囲より少なくすると満
足する導電性、及び塗布作業性を得ることはできない。 比較例８ 銀粉の配合量を請求範囲より多くすると粘度
が高くなり、塗布作業性を悪化させる。
【００１６】
【発明の効果】本発明の導電性樹脂ペーストはペースト
硬化時に従来より低温で硬化でき、また導電性が良好
で、塗布作業時に糸引きが少なく、更にナトリウム、塩
素などのイオン性不純物が少なく銅、４２合金等の金属
フレーム、セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機基
板へのＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接着に用いること
ができる。
硬化時に従来より低温で硬化でき、また導電性が良好
で、塗布作業時に糸引きが少なく、更にナトリウム、塩
素などのイオン性不純物が少なく銅、４２合金等の金属
フレーム、セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機基
板へのＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接着に用いること
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 9/02 Ｃ０９Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）ビフェノール、（Ｂ）イミダゾー
ル誘導体、（Ｃ）室温で液状のエポキシ樹脂、（Ｄ）銀
粉を必須成分として、該成分中ビフェノール（Ａ）が２
〜７重量％、イミダゾール誘導体（Ｂ）が０．１〜３．
５重量％、全銀含有率が６０〜８５重量％であることを
特徴とする導電性樹脂ペースト。 - 【請求項２】 請求項１記載の導電性樹脂ペーストを用
いて製造された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9138078A JPH10330715A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9138078A JPH10330715A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10330715A true JPH10330715A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15213450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9138078A Pending JPH10330715A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10330715A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006104336A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| CN102174241A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-09-07 | 东莞市阿比亚能源科技有限公司 | 一种用于光伏组件的银浆 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0384078A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-09 | Toray Ind Inc | 導電性接着剤 |
| JPH051265A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Toray Ind Inc | 導電性接着剤 |
| JPH06136341A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-05-17 | Toray Ind Inc | 接着剤 |
-
1997
- 1997-05-28 JP JP9138078A patent/JPH10330715A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0384078A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-09 | Toray Ind Inc | 導電性接着剤 |
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| JP2006104336A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| CN102174241A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-09-07 | 东莞市阿比亚能源科技有限公司 | 一种用于光伏组件的银浆 |
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