JPH10332780A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
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- JPH10332780A JPH10332780A JP9136689A JP13668997A JPH10332780A JP H10332780 A JPH10332780 A JP H10332780A JP 9136689 A JP9136689 A JP 9136689A JP 13668997 A JP13668997 A JP 13668997A JP H10332780 A JPH10332780 A JP H10332780A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 長時間に渡る連続測定を高信頼度で行うこと
が可能な半導体測定装置を提供する。 【解決手段】 ３軸動作が可能な基体１０１と、適度な
弾性と剛性を有する導電性のプローブ１０２と、このプ
ローブ１０２と測定機器１１０との電気的接続のための
端子１０３と、プローブ１０２を過熱するためのヒータ
ー１０４と、このヒーター１０４に電源制御部１０８を
介して電源１０７に接続する端子１０５と、プローブ１
０２の温度を検出するための温度センサー１０６と、こ
の温度センサー１０６のアナログ出力信号をデジタル信
号に変換するＡ／Ｄ変換器１０９とを備え、電源制御部
１０８、Ａ／Ｄ変換器１０９、測定機器１１０はそれぞ
れ電子制御装置１１１へと接続されている。そこで、プ
ローブ１０２の先端を被測定半導体素子１２１の測定用
パッド１２２に接触させて、その電気的特性を測定す
る。
が可能な半導体測定装置を提供する。 【解決手段】 ３軸動作が可能な基体１０１と、適度な
弾性と剛性を有する導電性のプローブ１０２と、このプ
ローブ１０２と測定機器１１０との電気的接続のための
端子１０３と、プローブ１０２を過熱するためのヒータ
ー１０４と、このヒーター１０４に電源制御部１０８を
介して電源１０７に接続する端子１０５と、プローブ１
０２の温度を検出するための温度センサー１０６と、こ
の温度センサー１０６のアナログ出力信号をデジタル信
号に変換するＡ／Ｄ変換器１０９とを備え、電源制御部
１０８、Ａ／Ｄ変換器１０９、測定機器１１０はそれぞ
れ電子制御装置１１１へと接続されている。そこで、プ
ローブ１０２の先端を被測定半導体素子１２１の測定用
パッド１２２に接触させて、その電気的特性を測定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体測定装置に
係り、特に、高温下の半導体素子の特性測定に用いるマ
ニピュレータの構造に関するものである。
係り、特に、高温下の半導体素子の特性測定に用いるマ
ニピュレータの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。図５はかかる
従来の半導体素子の特性測定に用いるマニピュレータの
概略構成図である。
例えば、以下に示すようなものがあった。図５はかかる
従来の半導体素子の特性測定に用いるマニピュレータの
概略構成図である。
【０００３】この図において、半導体素子の特性測定に
用いるマニピュレータは、３軸（Ｘ軸：紙面の左右方
向、Ｙ軸：紙面の前後方向、Ｚ軸：紙面の上下方向）動
作が可能な基体５０１、適度な弾性と剛性を有する導電
性のプローブ５０２、プローブ５０２と測定機器（図示
なし）との電気的接続のための端子５０３から構成され
ている。
用いるマニピュレータは、３軸（Ｘ軸：紙面の左右方
向、Ｙ軸：紙面の前後方向、Ｚ軸：紙面の上下方向）動
作が可能な基体５０１、適度な弾性と剛性を有する導電
性のプローブ５０２、プローブ５０２と測定機器（図示
なし）との電気的接続のための端子５０３から構成され
ている。
【０００４】図示していないが、プローブ５０２の先端
を、被測定半導体素子の測定用パッドに接触させて、そ
の電気的特性を測定するようにしていた。
を、被測定半導体素子の測定用パッドに接触させて、そ
の電気的特性を測定するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たマニピュレータにおいては、プローブ５０２が弾性と
導電性を有している必要があるため、金属製である。そ
のために高温下での半導体素子の特性を測定する際にプ
ローブ５０２が熱膨張し、長時間の特性変動を測定しよ
うとすると、プローブ５０２の先端が被測定半導体素子
の測定用パッドから外れてしまうことから、測定途中に
プローブ５０２を接触させ直す操作が必要となり、その
ためには、印加されている電圧を一旦オフにする必要が
あり、信頼性評価等、連続的に電圧を印加する必要のあ
る測定の障害となっていた。
たマニピュレータにおいては、プローブ５０２が弾性と
導電性を有している必要があるため、金属製である。そ
のために高温下での半導体素子の特性を測定する際にプ
ローブ５０２が熱膨張し、長時間の特性変動を測定しよ
うとすると、プローブ５０２の先端が被測定半導体素子
の測定用パッドから外れてしまうことから、測定途中に
プローブ５０２を接触させ直す操作が必要となり、その
ためには、印加されている電圧を一旦オフにする必要が
あり、信頼性評価等、連続的に電圧を印加する必要のあ
る測定の障害となっていた。
【０００６】本発明は、以上述べた従来のプローブの熱
膨張の問題を除去し、長時間に渡る連続測定を高信頼度
で行うことが可能な半導体測定装置を提供することを目
的とする。
膨張の問題を除去し、長時間に渡る連続測定を高信頼度
で行うことが可能な半導体測定装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体測定装置において、３軸動作が可能な基体
と、この基体に取り付けられる導電性のプローブと、こ
の導電性のプローブに接続される測定機器と、前記導電
性のプローブの温度調節機構とを設けるようにしたもの
である。
成するために、 〔１〕半導体測定装置において、３軸動作が可能な基体
と、この基体に取り付けられる導電性のプローブと、こ
の導電性のプローブに接続される測定機器と、前記導電
性のプローブの温度調節機構とを設けるようにしたもの
である。
【０００８】〔２〕半導体測定装置において、３軸動作
が可能な基体と、この基体に取り付けられる導電性のプ
ローブと、この導電性のプローブに接続される測定機器
と、前記導電性のプローブを過熱するためのヒーター
と、このヒーターに接続される電源と、前記導電性のプ
ローブの温度を検出するための温度センサーとを設ける
ようにしたものである。
が可能な基体と、この基体に取り付けられる導電性のプ
ローブと、この導電性のプローブに接続される測定機器
と、前記導電性のプローブを過熱するためのヒーター
と、このヒーターに接続される電源と、前記導電性のプ
ローブの温度を検出するための温度センサーとを設ける
ようにしたものである。
【０００９】〔３〕半導体測定装置において、３軸動作
が可能な基体と、この基体に取り付けられる導電性のプ
ローブと、この導電性のプローブに接続される測定機器
と、前記導電性のプローブを覆うように設けられたチュ
ーブと、このチューブへの冷却用ガス導入手段とを設け
るようにしたものである。 〔４〕半導体測定装置において、３軸動作が可能な基体
と、この基体に取り付けられる導電性のプローブと、こ
の導電性のプローブに接続される測定機器と、前記導電
性のプローブを覆うように設けられ、先端に上方に向か
って開口部を有するチューブと、このチューブへの冷却
用ガス導入手段とを設けるようにしたものである。
が可能な基体と、この基体に取り付けられる導電性のプ
ローブと、この導電性のプローブに接続される測定機器
と、前記導電性のプローブを覆うように設けられたチュ
ーブと、このチューブへの冷却用ガス導入手段とを設け
るようにしたものである。 〔４〕半導体測定装置において、３軸動作が可能な基体
と、この基体に取り付けられる導電性のプローブと、こ
の導電性のプローブに接続される測定機器と、前記導電
性のプローブを覆うように設けられ、先端に上方に向か
って開口部を有するチューブと、このチューブへの冷却
用ガス導入手段とを設けるようにしたものである。
【００１０】〔５〕半導体測定装置において、３軸動作
が可能な基体と、この基体に取り付けられる導電性のプ
ローブと、この導電性のプローブに接続される測定機器
と、前記導電性のプローブを覆うように設けられ、か
つ、絶縁性の支持体によって前記導電性のプローブと等
距離を保つ導電性のチューブと、このチューブへの冷却
用ガス導入手段とを設けるようにしたものである。
が可能な基体と、この基体に取り付けられる導電性のプ
ローブと、この導電性のプローブに接続される測定機器
と、前記導電性のプローブを覆うように設けられ、か
つ、絶縁性の支持体によって前記導電性のプローブと等
距離を保つ導電性のチューブと、このチューブへの冷却
用ガス導入手段とを設けるようにしたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示す半導体測定装置の構成図である。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示す半導体測定装置の構成図である。
【００１２】この実施例の半導体測定装置は、３軸（Ｘ
軸：紙面の左右方向、Ｙ軸：紙面の前後方向、Ｚ軸：紙
面の上下方向）動作が可能な基体１０１と、適度な弾性
と剛性を有する導電性のプローブ１０２と、このプロー
ブ１０２と測定機器１１０との電気的接続のための端子
１０３と、前記プローブ１０２を過熱するためのヒータ
ー１０４と、このヒーター１０４に電源制御部１０８を
介して電源１０７に接続する端子１０５と、前記プロー
ブ１０２の温度を検出するための温度センサー１０６
と、この温度センサー１０６のアナログ出力信号をデジ
タル信号に変換するＡ／Ｄ変換器１０９とを備え、電源
制御部１０８、Ａ／Ｄ変換器１０９、測定機器１１０は
それぞれ電子制御装置１１１へと接続されている。
軸：紙面の左右方向、Ｙ軸：紙面の前後方向、Ｚ軸：紙
面の上下方向）動作が可能な基体１０１と、適度な弾性
と剛性を有する導電性のプローブ１０２と、このプロー
ブ１０２と測定機器１１０との電気的接続のための端子
１０３と、前記プローブ１０２を過熱するためのヒータ
ー１０４と、このヒーター１０４に電源制御部１０８を
介して電源１０７に接続する端子１０５と、前記プロー
ブ１０２の温度を検出するための温度センサー１０６
と、この温度センサー１０６のアナログ出力信号をデジ
タル信号に変換するＡ／Ｄ変換器１０９とを備え、電源
制御部１０８、Ａ／Ｄ変換器１０９、測定機器１１０は
それぞれ電子制御装置１１１へと接続されている。
【００１３】そこで、プローブ１０２の先端を、被測定
半導体素子１２１の測定用パッド１２２に接触させて、
その電気的特性を測定する。このように、第１実施例に
よれば、プローブ１０２を過熱するためのヒーター１０
４を設けるようにしたので、被測定半導体素子１２１の
高温下での特性変動を測定する場合には、予めプローブ
１０２をヒーター１０４で被測定半導体素子１２１と同
一温度に過熱し、その温度は温度センサー１０６、例え
ば、熱電対等を用いて、アナログ信号を引き出し、Ａ／
Ｄ変換器１０９を介して、電子制御装置１１１へ取り込
み、制御可能にしておくことによって、特性測定中のプ
ローブ１０２の熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することが可能となる。
半導体素子１２１の測定用パッド１２２に接触させて、
その電気的特性を測定する。このように、第１実施例に
よれば、プローブ１０２を過熱するためのヒーター１０
４を設けるようにしたので、被測定半導体素子１２１の
高温下での特性変動を測定する場合には、予めプローブ
１０２をヒーター１０４で被測定半導体素子１２１と同
一温度に過熱し、その温度は温度センサー１０６、例え
ば、熱電対等を用いて、アナログ信号を引き出し、Ａ／
Ｄ変換器１０９を介して、電子制御装置１１１へ取り込
み、制御可能にしておくことによって、特性測定中のプ
ローブ１０２の熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することが可能となる。
【００１４】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図２は本発明の第２実施例を示す半導体測定装置の
構成図である。なお、第１実施例と同様の測定機器、被
測定半導体素子などは省略されている。この実施例の半
導体測定装置は、３軸（Ｘ軸：紙面の左右方向、Ｙ軸：
紙面の前後方向、Ｚ軸：紙面の上下方向）動作が可能な
基体２０１と、適度な弾性と剛性を有する導電性のプロ
ーブ２０２と、このプローブ２０２と測定機器との電気
的接続のための端子２０３と、前記プローブ２０２を覆
うように設けられ、柔軟性を有するチューブ２０４と、
このチューブ２０４へのガス導入口２０５とから構成さ
れている。
る。図２は本発明の第２実施例を示す半導体測定装置の
構成図である。なお、第１実施例と同様の測定機器、被
測定半導体素子などは省略されている。この実施例の半
導体測定装置は、３軸（Ｘ軸：紙面の左右方向、Ｙ軸：
紙面の前後方向、Ｚ軸：紙面の上下方向）動作が可能な
基体２０１と、適度な弾性と剛性を有する導電性のプロ
ーブ２０２と、このプローブ２０２と測定機器との電気
的接続のための端子２０３と、前記プローブ２０２を覆
うように設けられ、柔軟性を有するチューブ２０４と、
このチューブ２０４へのガス導入口２０５とから構成さ
れている。
【００１５】このように、第２実施例によれば、プロー
ブ２０２を覆うチューブ２０４のガス導入口２０５から
冷却ガスを導入するようにしたので、被測定素子として
の半導体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特
性測定中のプローブ２０２の熱膨張がなくなり、長時間
に渡って安定に温度特性を測定することができる。ま
た、第２実施例によれば、冷却ガスを柔軟性を有するチ
ューブ２０４に導入するようにしたので、プローブ２０
２の被測定半導体素子の測定用パッドへの接触圧力の微
調整が可能となり、測定用パッドの寸法が小さい場合
や、Ａｕなど柔らかい金属で形成されている場合、また
は金属膜が薄い場合等に、測定用パッドを損傷すること
なく測定が可能となる。
ブ２０２を覆うチューブ２０４のガス導入口２０５から
冷却ガスを導入するようにしたので、被測定素子として
の半導体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特
性測定中のプローブ２０２の熱膨張がなくなり、長時間
に渡って安定に温度特性を測定することができる。ま
た、第２実施例によれば、冷却ガスを柔軟性を有するチ
ューブ２０４に導入するようにしたので、プローブ２０
２の被測定半導体素子の測定用パッドへの接触圧力の微
調整が可能となり、測定用パッドの寸法が小さい場合
や、Ａｕなど柔らかい金属で形成されている場合、また
は金属膜が薄い場合等に、測定用パッドを損傷すること
なく測定が可能となる。
【００１６】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図３は本発明の第３実施例を示す半導体測定装置の
構成図である。なお、第１実施例と同様の測定機器、被
測定半導体素子などの図示は省略されている。この実施
例の半導体測定装置は、３軸（Ｘ軸：紙面の左右方向、
Ｙ軸：紙面の前後方向、Ｚ軸：紙面の上下方向）動作が
可能な基体３０１と、適度な弾性と剛性を有する導電性
のプローブ３０２と、このプローブ３０２と測定機器と
の電気的接続のための端子３０３と、前記プローブ３０
２を覆うように設けられ、先端に上方に向かって開口部
３０６を有するチューブ３０４と、このチューブ３０４
へのガス導入口３０５とから構成されている。
る。図３は本発明の第３実施例を示す半導体測定装置の
構成図である。なお、第１実施例と同様の測定機器、被
測定半導体素子などの図示は省略されている。この実施
例の半導体測定装置は、３軸（Ｘ軸：紙面の左右方向、
Ｙ軸：紙面の前後方向、Ｚ軸：紙面の上下方向）動作が
可能な基体３０１と、適度な弾性と剛性を有する導電性
のプローブ３０２と、このプローブ３０２と測定機器と
の電気的接続のための端子３０３と、前記プローブ３０
２を覆うように設けられ、先端に上方に向かって開口部
３０６を有するチューブ３０４と、このチューブ３０４
へのガス導入口３０５とから構成されている。
【００１７】このように、第３実施例によれば、プロー
ブ３０２を覆うチューブ３０４のガス導入口３０５から
冷却ガスを導入するようにしたので、被測定半導体素子
の高温下での特性変動を測定する際に、特性測定中のプ
ローブ３０２の熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することができる。 また、第３実施
例によれば、チューブ３０４に導入された冷却ガスを上
方に向けた開口部３０６から放出するようにしたので、
冷却ガスによる被測定半導体素子の温度低下を防止する
ことができ、第２実施例よりも更に精度の高い温度特性
の測定が可能となる。
ブ３０２を覆うチューブ３０４のガス導入口３０５から
冷却ガスを導入するようにしたので、被測定半導体素子
の高温下での特性変動を測定する際に、特性測定中のプ
ローブ３０２の熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することができる。 また、第３実施
例によれば、チューブ３０４に導入された冷却ガスを上
方に向けた開口部３０６から放出するようにしたので、
冷却ガスによる被測定半導体素子の温度低下を防止する
ことができ、第２実施例よりも更に精度の高い温度特性
の測定が可能となる。
【００１８】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。図４は本発明の第４実施例を示す半導体測定装置の
構成図であり、図４（ａ）はその半導体測定装置の全体
構成図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ′線断面図で
ある。なお、第１実施例と同様の測定機器、被測定半導
体素子などの図示は省略されている。
る。図４は本発明の第４実施例を示す半導体測定装置の
構成図であり、図４（ａ）はその半導体測定装置の全体
構成図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ′線断面図で
ある。なお、第１実施例と同様の測定機器、被測定半導
体素子などの図示は省略されている。
【００１９】この実施例の半導体測定装置は、３軸（Ｘ
軸：紙面の左右方向、Ｙ軸：紙面の前後方向、Ｚ軸：紙
面の上下方向）動作が可能な基体４０１と、適度な弾性
と剛性を有する導電性のプローブ４０２と、このプロー
ブ４０２と測定機器との電気的接続のための端子４０３
と、前記プローブ４０２を覆うように設けられ、かつ、
絶縁性の支持体４０６によってプローブ４０２と等距離
を保つ導電性のチューブ４０４と、チューブ４０４への
ガス導入口４０５とから構成されている。
軸：紙面の左右方向、Ｙ軸：紙面の前後方向、Ｚ軸：紙
面の上下方向）動作が可能な基体４０１と、適度な弾性
と剛性を有する導電性のプローブ４０２と、このプロー
ブ４０２と測定機器との電気的接続のための端子４０３
と、前記プローブ４０２を覆うように設けられ、かつ、
絶縁性の支持体４０６によってプローブ４０２と等距離
を保つ導電性のチューブ４０４と、チューブ４０４への
ガス導入口４０５とから構成されている。
【００２０】このように、第４実施例によれば、プロー
ブ４０２を覆うチューブ４０４のガス導入口４０５から
冷却ガスを導入するようにしたので、被測定素子として
の半導体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特
性測定中のプローブ４０２の熱膨張がなくなり、長時間
に渡って安定に温度特性を測定することができる。ま
た、第４実施例によれば、冷却ガスを導入するチューブ
４０４を導電性材料とし、絶縁性の支持体４０６によっ
て、プローブ４０２から等距離を保つようにしたので、
等価的に同軸構造となり、特性インピーダンスを測定系
と整合することによって、高周波測定が可能となる。
ブ４０２を覆うチューブ４０４のガス導入口４０５から
冷却ガスを導入するようにしたので、被測定素子として
の半導体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特
性測定中のプローブ４０２の熱膨張がなくなり、長時間
に渡って安定に温度特性を測定することができる。ま
た、第４実施例によれば、冷却ガスを導入するチューブ
４０４を導電性材料とし、絶縁性の支持体４０６によっ
て、プローブ４０２から等距離を保つようにしたので、
等価的に同軸構造となり、特性インピーダンスを測定系
と整合することによって、高周波測定が可能となる。
【００２１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）プローブを過熱するためのヒーターを設けるよう
にしたので、半導体素子の高温下での特性変動を測定す
る際には、予めプローブを被測定素子としての半導体素
子と同一温度に過熱しておくことによって、特性測定中
のプローブの熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定に
温度特性を測定することが可能となる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）プローブを過熱するためのヒーターを設けるよう
にしたので、半導体素子の高温下での特性変動を測定す
る際には、予めプローブを被測定素子としての半導体素
子と同一温度に過熱しておくことによって、特性測定中
のプローブの熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定に
温度特性を測定することが可能となる。
【００２３】（Ｂ）プローブを覆うようなチューブにガ
ス導入口から冷却ガスを導入するようにしたので、半導
体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特性測定
中のプローブの熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することができる。また、冷却ガスを
柔軟性を有するチューブに導入するようにしたので、プ
ローブの被測定半導体素子の測定用パッドへの接触圧力
の微調整が可能となり、前記測定用パッドの寸法が小さ
い場合や、Ａｕなど柔らかい金属で形成されている場
合、または金属膜が薄い場合等に、測定用パッドを損傷
することなく測定が可能となる。
ス導入口から冷却ガスを導入するようにしたので、半導
体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特性測定
中のプローブの熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することができる。また、冷却ガスを
柔軟性を有するチューブに導入するようにしたので、プ
ローブの被測定半導体素子の測定用パッドへの接触圧力
の微調整が可能となり、前記測定用パッドの寸法が小さ
い場合や、Ａｕなど柔らかい金属で形成されている場
合、または金属膜が薄い場合等に、測定用パッドを損傷
することなく測定が可能となる。
【００２４】（Ｃ）プローブを覆うようなチューブにガ
ス導入口から冷却ガスを導入するようにしたので、半導
体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特性測定
中のプローブの熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することができる。また、チューブに
導入された冷却ガスを上方に向けた開口部から放出する
ようにしたので、冷却ガスによる被測定半導体素子の温
度低下を防止することができ、精度の高い温度特性の測
定が可能となる。
ス導入口から冷却ガスを導入するようにしたので、半導
体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特性測定
中のプローブの熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することができる。また、チューブに
導入された冷却ガスを上方に向けた開口部から放出する
ようにしたので、冷却ガスによる被測定半導体素子の温
度低下を防止することができ、精度の高い温度特性の測
定が可能となる。
【００２５】（Ｄ）プローブを覆うようなチューブにガ
ス導入口から冷却ガスを導入するようにしたので、半導
体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特性測定
中のプローブの熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することができる。また、冷却ガスを
導入するチューブを導電性材料とし、絶縁性の支持体に
よって、プローブから等距離を保つようにしたので、等
価的に同軸構造となり、特性インピーダンスを測定系と
整合することによって、高周波測定が可能となる。
ス導入口から冷却ガスを導入するようにしたので、半導
体素子の高温下での特性変動を測定する際に、特性測定
中のプローブの熱膨張がなくなり、長時間に渡って安定
に温度特性を測定することができる。また、冷却ガスを
導入するチューブを導電性材料とし、絶縁性の支持体に
よって、プローブから等距離を保つようにしたので、等
価的に同軸構造となり、特性インピーダンスを測定系と
整合することによって、高周波測定が可能となる。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体測定装置の構
成図である。
成図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す半導体測定装置の構
成図である。
成図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す半導体測定装置の構
成図である。
成図である。
【図４】本発明の第４実施例を示す半導体測定装置の構
成図である。
成図である。
【図５】従来の半導体素子の特性測定に用いるマニピュ
レータの概略構成図である。
レータの概略構成図である。
１０１，２０１，３０１，４０１ ３軸動作が可能な
基体 １０２，２０２，３０２，４０２ 適度な弾性と剛性
を有する導電性のプローブ １０３，１０５，２０３，３０３，４０３ 端子 １０４ ヒーター １０６ 温度センサー １０７ 電源 １０８ 電源制御部 １０９ Ａ／Ｄ変換器 １１０ 測定機器 １１１ 電子制御装置 １２１ 被測定半導体素子 １２２ 測定用パッド ２０４ 柔軟性を有するチューブ ２０５，３０５，４０５ ガス導入口 ３０４ チューブ ３０６ 開口部 ４０４ プローブと等距離を保つ導電性のチューブ ４０６ 絶縁性の支持体
基体 １０２，２０２，３０２，４０２ 適度な弾性と剛性
を有する導電性のプローブ １０３，１０５，２０３，３０３，４０３ 端子 １０４ ヒーター １０６ 温度センサー １０７ 電源 １０８ 電源制御部 １０９ Ａ／Ｄ変換器 １１０ 測定機器 １１１ 電子制御装置 １２１ 被測定半導体素子 １２２ 測定用パッド ２０４ 柔軟性を有するチューブ ２０５，３０５，４０５ ガス導入口 ３０４ チューブ ３０６ 開口部 ４０４ プローブと等距離を保つ導電性のチューブ ４０６ 絶縁性の支持体
Claims (5)
- 【請求項１】（ａ）３軸動作が可能な基体と、（ｂ）該
基体に取り付けられる導電性のプローブと、（ｃ）該導
電性のプローブに接続される測定機器と、（ｄ）前記導
電性のプローブの温度調節機構とを具備することを特徴
とする半導体測定装置。 - 【請求項２】（ａ）３軸動作が可能な基体と、（ｂ）該
基体に取り付けられる導電性のプローブと、（ｃ）該導
電性のプローブに接続される測定機器と、（ｄ）前記導
電性のプローブを過熱するためのヒーターと、（ｅ）該
ヒーターに接続される電源と、（ｆ）前記導電性のプロ
ーブの温度を検出するための温度センサーとを具備する
ことを特徴とする半導体測定装置。 - 【請求項３】（ａ）３軸動作が可能な基体と、（ｂ）該
基体に取り付けられる導電性のプローブと、（ｃ）該導
電性のプローブに接続される測定機器と、（ｄ）前記導
電性のプローブを覆うように設けられたチューブと、
（ｅ）該チューブへの冷却用ガス導入手段とを具備する
ことを特徴とする半導体測定装置。 - 【請求項４】（ａ）３軸動作が可能な基体と、（ｂ）該
基体に取り付けられる導電性のプローブと、（ｃ）該導
電性のプローブに接続される測定機器と、（ｄ）前記導
電性のプローブを覆うように設けられ、先端に上方に向
かって開口部を有するチューブと、（ｅ）該チューブへ
の冷却用ガス導入手段とを具備することを特徴とする半
導体測定装置。 - 【請求項５】（ａ）３軸動作が可能な基体と、（ｂ）該
基体に取り付けられる導電性のプローブと、（ｃ）該導
電性のプローブに接続される測定機器と、（ｄ）前記導
電性のプローブを覆うように設けられ、かつ、絶縁性の
支持体によって前記導電性のプローブと等距離を保つ導
電性のチューブと、（ｅ）該チューブへの冷却用ガス導
入手段とを具備することを特徴とする半導体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9136689A JPH10332780A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9136689A JPH10332780A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10332780A true JPH10332780A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15181180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9136689A Withdrawn JPH10332780A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10332780A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009192309A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体検査装置 |
| JP2011501403A (ja) * | 2007-10-10 | 2011-01-06 | カスケード・マイクロテク・ドレスデン・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 所定の温度条件下で試験基板を検査する方法及び温度条件を設定可能な検査装置 |
| JP2021089276A (ja) * | 2019-11-15 | 2021-06-10 | テクトロニクス・インコーポレイテッドＴｅｋｔｒｏｎｉｘ，Ｉｎｃ． | 温度管理システム及び温度管理方法 |
| US12332277B1 (en) | 2019-11-15 | 2025-06-17 | Tektronix, Inc. | Thermal management system for a test-and-measurement probe |
-
1997
- 1997-05-27 JP JP9136689A patent/JPH10332780A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011501403A (ja) * | 2007-10-10 | 2011-01-06 | カスケード・マイクロテク・ドレスデン・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 所定の温度条件下で試験基板を検査する方法及び温度条件を設定可能な検査装置 |
| KR101492408B1 (ko) * | 2007-10-10 | 2015-02-12 | 캐스캐이드 마이크로텍 드레스덴 게엠베하 | 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기 |
| JP2009192309A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体検査装置 |
| JP2021089276A (ja) * | 2019-11-15 | 2021-06-10 | テクトロニクス・インコーポレイテッドＴｅｋｔｒｏｎｉｘ，Ｉｎｃ． | 温度管理システム及び温度管理方法 |
| US12332277B1 (en) | 2019-11-15 | 2025-06-17 | Tektronix, Inc. | Thermal management system for a test-and-measurement probe |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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