JPH10335207A - 結像特性の測定装置、露光装置及びそれらの方法 - Google Patents

結像特性の測定装置、露光装置及びそれらの方法

Info

Publication number
JPH10335207A
JPH10335207A JP9140064A JP14006497A JPH10335207A JP H10335207 A JPH10335207 A JP H10335207A JP 9140064 A JP9140064 A JP 9140064A JP 14006497 A JP14006497 A JP 14006497A JP H10335207 A JPH10335207 A JP H10335207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
projection optical
measuring
imaging
characteristic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9140064A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3392708B2 (ja
Inventor
Kazuo Tawarayama
和雄 俵山
Takashi Sato
隆 佐藤
Tatsuhiko Touki
達彦 東木
Keita Asanuma
慶太 浅沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP14006497A priority Critical patent/JP3392708B2/ja
Publication of JPH10335207A publication Critical patent/JPH10335207A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3392708B2 publication Critical patent/JP3392708B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、投影光学系の結像特性を簡易かつ
高精度に測定することができる。 【解決手段】 光源1からの照明光を照明光学系3を介
してマスク4に照射するとともに、マスクのパターンの
像を投影光学系6により結像する光学系の結像特性の測
定装置において、マスク4には、微小の開口11が複数
設けられており、微小の開口に対応し、かつ投影光学系
により結像される像の光強度を測定する光強度測定手段
32を備えた結像特性の測定装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は結像特性の測定装
置、露光装置及び方法、特に半導体素子等の製造に用い
られる露光装置の結像特性測定に適した結像特性の測定
装置、露光装置及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示板の製造において
は、リソグラフィー工程等に用いられるステッパ等の露
光装置が不可欠である。露光装置では、照明系からレチ
クル等のマスクに対してケーラ照明が行われ、このレチ
クルを透過した光がさらに投影光学系を通過して、ウェ
ハ面にレチクル像が露光されるようになっている。
【0003】かかる露光装置では、レチクル像等をウェ
ハ上の微小領域に高精度に投影露光する必要があるた
め、その投影光学系が如何なる結像特性を有するかを調
べることはきわめて重要である。
【0004】従来、このような測定は、ステージ上に感
光性材料を塗布した測定板を載置し、そのステージ高さ
位置を変更して得られる円形状の感光部分の直径を調べ
ることで行っている。
【0005】結像特性としては、投影光学系の開口数
(NA)と、コヒーレンスファクタ(σ)の測定が行わ
れる。この種の投影系では、瞳の有効径内に2次光源面
の像が包含されるような大きさで結像されている。ここ
で、投影光学系の開口数(NA)は、ステージに載置さ
れるウェハ上の物体面から投影光学系の瞳に対する開口
数を意味しており、NA=n・sinθ(ここで、nは
媒質の屈折率、θは瞳の半径に対して張る角度(最大錐
角θ)である)で与えられる。
【0006】一方、コヒーレンスファクタσは、レクチ
ルRがない状態で投影光学系の瞳上に形成される2次光
源面の像の直径(Si)と、当該瞳の有効直径(Sp)
との比(Si/Sp)、すなわちレチクルに対する照明
系の開口数と上記投影光学系の開口数の比である。
【0007】コヒーレンスファクタσは、照明条件の1
つのファクターとして扱われている。σ値が限りなく零
に近いときのことをコヒーレンス照明と呼び、σ値が1
のときをインコヒーレント照明と呼び、そしてその間の
値のときはパーシャルコヒーレントと呼ぶ。このσ値を
設定するためには、図中の照明系絞りの開口寸法を変更
する方法が最も簡便な方法である。
【0008】さて、感光性材料を塗布した測定板を用い
て、開口数NA及びコヒーレンスファクタσを測定する
には、まず、レチクルの位置に拡散板をおいてやれば、
投影光学系の瞳の有効系全体に上記拡散板に拡散された
光が到達し、当該瞳に対応する照射光が上記測定板に到
達する。したがって、ウェハの高さ位置を変えて感光部
分半径を調べれば、上記錐角θが求まり、NAが算出で
きる。
【0009】一方、レチクル位置に拡散板をおかなけれ
ば、照明系の瞳に対応する像が投影光学系の瞳上に得ら
れることとなり、この像により上記測定板上に到達する
光は、照明系の瞳に対応するものである。したがって、
投影光学系の開口数NAの場合と同様にして照明系の開
口数NAを測定することができ、コヒーレンスファクタ
σが求まる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の結像特性測定方法では、以下のような問題点が
ある。まず、投影光学系の開口数NAの測定を行うため
には測定板に対する感光作業を行う必要があるが、これ
は煩雑な作業である。さらに、コヒーレンスファクタσ
の測定には照明系の開口数を求める必要があるためさら
に同様な感光作業が必要となる。このように、従来の方
法では、一連の結像特性の測定をするのにあたり少なく
とも2回の感光が必要なり、しかも各作業において測定
板の入替、拡散板の挿脱等が必要であり、さらに測定後
の感光部分の測定作業も必要である。また、感光性材料
を用いた場合には、材料の光感度に対する入射光強さの
調整等も必要であり、これを行うには、何度も感光させ
て試行錯誤を繰り返さなければならない。
【0011】このように、従来の方法では、レチクル上
の1点に対応する投影光学系の結像特性の測定を行うだ
けでも煩雑な作業を繰り返す必要があった。また、近年
デバイスの更なる微細化に伴い、露光領域に対応する露
光可能領域内における結像特性の分布をも考慮する必要
が生じてきている。具体的には、露光光学系の開口数N
A及びコヒーレンスファクタσが光学系の収差の影響に
より露光領域内の任意の点で異なる場合がある。このと
き、露光されるデバイスパターン寸法が露光領域内の位
置によって異なるという問題が無視できなくなってき
た。したがって、投影光学系による露光可能領域の1点
に対応する結像特性のみならず、露光可能領域の各位置
に対応する結像特性を調べなければならない。
【0012】しかし、従来の方法では、上述するように
1点の結像特性の測定を行うだけでもきわめて煩雑な作
業を行わなければならず、複数点の結像特性の分布を高
精度かつ効率的に調べること事実上不可能に近い。
【0013】本発明は、このような実情を考慮してなさ
れたもので、その第1の目的は、投影光学系の結像特性
を簡易かつ高精度に測定することを可能とした結像特性
の測定装置及び方法を提供することにある。
【0014】第2の目的は、露光可能領域の複数点の投
影光学系の結像特性の分布を簡易かつ高精度に、さらに
効率的に測定することを可能とした結像特性の測定装置
及び方法を提供することにある。
【0015】第3の目的は、結像特性を自動的にかつ最
適あるいは所望の値となるように調整することを可能と
した露光装置及びその結像特性調整方法を提供すること
になる。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、マスク
面上にピンホールを作成し照明し、結像関係にあるマス
ク・ウェハ面の位置からマスク位置もしくはウェハ面位
置を光軸方向にずらしてピンホール像を観察すると、ピ
ンホールにおける照明光の回折により、ピンホール像の
光強度分布が2段階に分割されたような分布となるの
で、各々の分布の直径方向の大きさを測定することで、
露光装置の投影光学系の開口数(NA)やコヒーレンス
ファクタ(σ)等を高精度にかつ定量的にできることに
ある。
【0017】また、上記課題の解決は、より具体的に
は、以下のような解決手段により実現される。まず、請
求項1に対応する発明は、光源からの照明光を照明光学
系を介してマスクに照射するとともに、マスクのパター
ンの像を投影光学系により結像する光学系の結像特性の
測定装置において、マスクには、微小の開口が複数設け
られており、微小の開口に対応し、かつ投影光学系によ
り結像される像の光強度を測定する光強度測定手段を備
えた結像特性の測定装置である。
【0018】本発明ではこのような手段を設けたので、
露光可能領域の複数点の光学系の結像特性の分布を簡易
かつ高精度に測定することができ、また、一度の測定で
複数開口に対応する各結像特性が一度に測定できること
から効率的な測定とするができる。
【0019】さらに、請求項2に対応する発明は、請求
項1に対応する発明において、結像される像において、
微小の開口を通過する直接的な照明光と、微小の開口に
て発生しかつ投影光学系を通過する回折光と,に対応し
たそれぞれの光強度分布に基づき、結像特性として投影
光学系の開口数及びコヒーレンスファクタを各微小の開
口に対応して算出する結像特性の測定装置である。
【0020】本発明ではこのような手段を設けたので、
結像特性として投影光学系の開口数及びコヒーレンスフ
ァクタを得ることができる。また、一度の測定でNA、
σの両方の測定を行うことができ、効率的な測定とする
ことができる。
【0021】さらにまた、請求項3に対応する発明は、
請求項1又は2に対応する発明において、光強度測定手
段は、光を電気信号に変換する測定手段である結像特性
の測定装置である。
【0022】本発明ではこのような手段を設けたので、
光強度分布の検出において、そのゲインやレベル調整に
よる調整作業が簡単であり、また、光強度測定時やその
測定後に調整を行うこともできるので、感光性材料を用
いた場合に比べ測定における調整労力を著しく低減させ
ることができる。
【0023】また、請求項4に対応する発明は、請求項
1〜3に対応する発明において、投影光学系による結像
面の任意の位置を、光強度測定手段により測定可能とな
るように結像対象を移動可能とした移動機構を備えた結
像特性の測定装置である。
【0024】本発明ではこのように、結像特性の測定を
行う手段が露光領域内の任意の位置で測定できる移動機
構を有することを特徴とする。かかる機構により、露光
領域内の任意の位置での開口数及びコヒーレントファク
タの測定が可能となる。
【0025】次に、請求項5に対応する発明は、請求項
1〜4のうちいずれか1つに対応する結像特性の測定装
置と、等方形状あるいは非等方形状に絞りを変形し、及
び又は絞りを拡大縮小することにより、投影光学系の結
像特性を変更する絞り機構と、結像特性の測定装置によ
り得られる結像特性が所定範囲になるように、あるいは
有限回の結像特性変更のうち最適な結像特性となるよう
に、絞り機構を制御して投影光学系の結像特性を調整す
る絞調整手段とを備えた露光装置である。
【0026】本発明ではこのような手段を設けたので、
結像特性を自動的にかつ最適あるいは所望の値となるよ
うに調整することができる。また、絞り形状を等方形状
あるいは非等方形状に絞りを変形できるので、測定され
た結像特性がその結像面内で非等方的に分布する場合で
あっても絞り形状の変形により、結像面内で非等方的に
分布を矯正して面内で均一な結像特性となるように調整
することができる。
【0027】また、請求項6に対応する発明は、光源か
らの照明光を照明光学系を介してマスクに照射するとと
もに、マスクのパターンの像を投影光学系により結像す
る光学系の結像特性の測定方法において、マスクには、
微小の開口が複数設けられており、この微小の開口に対
応し、かつ投影光学系により結像される像の光強度を測
定することで光学系の結像特性を測定する結像特性の測
定方法である。
【0028】本発明ではこのような手段を設けたので、
請求項1に対応する発明と同様な作用効果を得ることが
できる。さらに、請求項7に対応する発明は、請求項5
に対応する発明において、結像される像において、微小
の開口を通過する直接的な照明光と、微小の開口にて発
生しかつ投影光学系を通過する回折光と,に対応したそ
れぞれの光強度分布に基づき、結像特性として投影光学
系の開口数及びコヒーレンスファクタを各微小の開口に
対応して算出する結像特性の測定方法である。
【0029】本発明ではこのような手段を設けたので、
請求項2に対応する発明と同様な作用効果を得ることが
できる。さらにまた、請求項8に対応する発明は、請求
項6又は7に対応する発明において、光強度を、光を電
気信号に変換する手段により測定する結像特性の測定方
法である。
【0030】本発明ではこのような手段を設けたので、
請求項3に対応する発明と同様な作用効果を得ることが
できる。次に、請求項9に対応する発明は、請求項6〜
8に対応する発明において、像の光強度は、投影光学系
による結像面の任意の位置について測定可能とする結像
特性の測定方法である。
【0031】本発明ではこのような手段を設けたので、
結像面の任意の位置について結像特性を測定することが
可能となる。一方、請求項10に対応する発明は、請求
項6〜9のうちいずれかに記載の結像特性の測定方法に
よって得られた結像特性が所定範囲にない場合には、投
影光学系の結像特性を変更する特性変更ステップと、こ
の変更後の投影光学系の新たな結像特性を、請求項6〜
9のうちいずれかに記載の結像特性の測定方法によって
測定する特性測定ステップと、特性変更ステップ及び特
性測定ステップを繰り返し、最終的には、結像特性が所
定範囲となる状態に、あるいはこの繰り返しを有限回行
う中の最適な結像特性となる状態に、投影光学系の結像
特性を調整する特性調整ステップとからなる露光装置の
結像特性調整方法である。本発明ではこのような手段を
設けたので、露光装置の結像特性を自動的にかつ最適あ
るいは所望の値となるように調整することができる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 (発明の第1の実施の形態)図1は本発明の第1の実施
の形態に係る結像特性の測定装置を適用する投影型露光
装置の一例を示す概略構成図である。
【0033】この投影型露光装置(ステッパ)において
は、水銀ランプやエキシマレーザ光を光源1とする露光
光が、照明系絞り2等の光量調整部や照度均一化手段等
からなる照明光学系3を通り、レチクル4を均一な照度
でケーラ照明するようになっている。
【0034】レチクル4には、その一方の面にクロム層
や位相シフト層でパターン5が形成されており、このパ
ターン5を通過した光は両テレセントリックな投影光学
系6に入射し、投影光学系6内で投影光学系絞り7を通
過し、ウェハ8上にレチクル4のパターン像を形成する
ようになっている。
【0035】ウェハ8上には、図示しない感光性材料が
設けられており、照射された光に対応してその部分が感
光する測定板となっている。また、ウェハ8を載置する
ステージ9はステージ駆動装置10によって上下方向及
び水平方向に移動可能となっており、例えば距離L移動
させる等し、複数の高さ位置において照射光の強度分布
が測定できる。
【0036】本実施形態で使用するレチクル4には、投
影光学系6の結像特性を調べるために、ピンホール11
が設けられており、また、パターン5は、ピンホール1
1の部分以外の部分において、照明光学系3を通過した
光が遮光されるようなパターンとなっている。
【0037】また、投影光学系6は、複数のレンズから
なる投影レンズ(対物レンズ)を有している。また、図
1には図示しないが、物体面であるウェハ8に対応して
瞳(投影レンズの瞳)が存在する。
【0038】ここで、照明系の瞳と投影レンズの瞳との
関係について説明する。本実施形態では、上記したよう
に投影レンズの瞳に2次光源面の像が空中像として結像
するケーラ照明法を採用している。投影レンズの瞳は有
限の直径をもつので、この瞳を通った光だけがウェハ8
へ結像光束となって達する。そのため、投影レンズの瞳
の有効径がその投影レンズのNA(開口数)を決めるこ
とになる。
【0039】一方、投影レンズの瞳に空中像として結像
される2次光源面の像は、照明系の瞳に対応するもので
ある。したがって、投影レンズの瞳における上記像の大
きさに対応してウェハ8上で照明系のNA(開口数)を
測定することが可能となる。この関係について図2を用
いてさらに詳しく説明する。
【0040】図2は本実施形態の結像特性の測定装置の
測定原理を説明する図である。同図にしめすように、照
明系の瞳面21からの照明光は、ピンホール11により
最大錐角θ1´の広がりをもってレチクル4を通過す
る。このピンホール11を直接通過した光は明度の高い
光であって、便宜上、直接照明光22と呼ぶこととす
る。
【0041】また、照明光はピンホール11を通過する
際、回折を起こすため明度の低い回折光が投影光学系6
に入射される。この回折光のうち、投影光学系6から射
出する最外位置になる光は、投影光学系の瞳面24の最
外周を通過する光である。以下、上記回折光のうち、投
影光学系の瞳面24の最外周より内側を通過する光を回
折光23という。
【0042】したがって、ウェハ8に照射される光は、
明度の高い上記直接照明光22と、明度の低い上記回折
光23とからなる。ここで、図2に示すように、直接照
明光22は、ウェハ面に対し最大錐角θ1で入射し、回
折光23は、同ウェハ面に対し最大錐角θ2に入射す
る。これらに対応するウェハ8上のスポット径が同図に
示す直径r1、r2である。
【0043】図3は本実施形態における照射光のウェハ
面上の像強度分布を示す図である。同図の照射による像
強度分布は、レクチル4とウェハ8とが互いに結像関係
にあるときに、ウェハ位置8aを距離Lだけずらしてウ
ェハ位置8bとしたときのものである。この分布曲線に
おいては、上記回折光23と、上記直接照明光22とか
ら形成される光強度が示されている。
【0044】同図内に示される直径r1及びr2を測定
すれば、sinθ1=r1/(2L)、sinθ2=r
2/(2L)より、最大錐角θ1及θ2が求まる。ここ
で、回折光23による強度分布曲線の外側が投影光学系
のNAを表しているので、NA=n・sinθ2より、
投影光学系のNAが求まる。一方、強度分布曲線の内側
の明部が照明系のNAを示している。実際には、照明系
のNAは、n・sinθ1´で表わされるが、投影光学
系の特性よりθ1とθ1´の関係がわかるので、投影光
学系の場合と同様にして、照明系のNAが求まることに
なる。コヒーレントファクタσは照明系NAと投影光学
系NAの比であるから、これらより求めることができ
る。
【0045】実際には、両者に対応する適当な閾値レベ
ルを設けることにより、測定板上に感光した各部,内側
の明部及び外部の暗部の大きさを得ることができる。な
お、図2、図3に示した場合は、例示説明のため、レチ
クル4からの光がその中心軸に沿って対象に投射される
場合で説明しているが、本実施形態においては投影光学
系6が両テレセントリックに構成されているので、投影
光学系6内で光軸が上記中心軸からずれるような場合で
も、投影光学系6の結像特性NA,σの算出について、
上記と同様に考えることができる。
【0046】上述したように、本発明の実施の形態に係
る結像特性の測定装置及び方法は、レチクル4にピンホ
ール11を設け、ピンホール11を通過する直接的な照
明光と、ピンホール11にて発生しかつ投影光学系6を
通過する回折光と,に対応したそれぞれの光強度分布に
基づき、結像特性を算出するようにしたので、投影光学
系の結像特性を簡易かつ高精度に測定することができ
る。具体的には、従来測定困難であった投影光学系の開
口数及びコヒーレンスファクタを容易に計測することが
できる。
【0047】また、一度の測定でNA、σの両方の測定
を行うことができ、効率的な測定とすることができる。 (発明の第2の実施の形態)本実施形態は、ウェハを水
平方向に移動させることで露光可能領域内の複数点にお
ける結像特性を効率よく調べるとともに、感光材料によ
る測定でなく、光を電気信号に変換する手段により、結
像特性測定を行う場合について説明する。
【0048】図4は本発明の第2の実施の形態に係る結
像特性の測定装置を適用する投影型露光装置の一例を示
す概略構成図であり、図1、図2と同一部分には同一符
号を付して説明を省略し、ここでは異なる部分について
のみ述べる。
【0049】本実施形態の結像特性の測定装置では、レ
チクル4上に設けるピンホール11を複数とし、図2の
ウェハ位置8bにおける光強度分布を感光性材料でな
く、光を電気信号に変換する測定手段を用いた点を除
き、第1の実施形態の場合と同様に構成されている。
【0050】この結像特性の測定装置においては、ウェ
ハ8条に折り返しミラー31が設けられ、投影光学系6
からの照射光を該ミラー31で折り返して強度分布測定
素子32により測定するようになっている。
【0051】この強度分布測定素子32としては、例え
ばCCDカメラやラインセンサカメラが使用可能である
が、本実施形態の場合には、露光可能領域内の2次元的
な結像特性分布を求めようとしているので、CCDカメ
ラが用いられている。
【0052】強度分布測定素子32からの出力は、結像
特性演算部33に入力され、強度分布測定素子32によ
って、レチクル4の各ピンホール11に対応して投影光
学系6の結像特性NA,σが算出される。
【0053】また、本実施形態では、ウェハ8上の折り
返しミラー31及び測定素子32はウェハ8と平行な方
向に任意に移動できる水平移動機構を備えている。この
移動機構は、具体的には図1に示されるステージ9及び
そのステージ駆動装置10からなっている。このステー
ジのXY移動により、露光領域内すべての位置で露光光
学系のNA,σが求まることとなる。
【0054】この結像特性NA,σに算出するにあた
り、レクチル4と強度分布測定素子32の受光面とが互
いに結像関係なる位置からウェハ8をずらした場合の各
ピンホール11に対応する光強度分布は、図3に示す場
合と同様になる。したがって、この光強度分布の出力に
閾値#1及び閾値#2を設けてぞれぞれ直径r1及びr
2を測定すれば、以下、第1実施形態の場合と同様にし
て投影光学系のNA、σが算出できる。
【0055】図5は本実施形態における直接照明光によ
る明部及び回折光23による暗部が強度分布測定素子3
2の受光面上に生じる様子を模式的に示す図である。同
図に示すように、レチクル4上のピンホール11を2次
元平面上に分布させることで、これに対応する明部34
及び暗部35も2次元的に分布し、各々から投影光学系
のNA、σが算出され、露光可能領域内における投影光
学系の2次元的な結像特性分布が一度の測定で容易に求
まることとなる。
【0056】上述したように、本発明の実施の形態に係
る結像特性の測定装置及び方法は、第1の実施形態と同
様な構成を設けた他、レチクル4上のピンホール11を
複数としたので、第1の実施形態と同様な効果が得られ
る他、露光可能領域の複数点の光学系の結像特性の分布
を簡易かつ高精度に測定することができる。
【0057】また、水平移動機構により測定素子を任意
の位置に移動できるため、複数ピンホール11に対応す
る各結像特性が一度に測定できる。また、光強度分布の
計測にCCD素子のような電気的に光強度を表せる強度
分布測定素子32を使用するようにしたので、ゲインや
レベル調整による調整作業が簡単であり、また、光強度
測定時やその測定後に調整を行うこともでき、感光性材
料を用いた場合に比べ測定における調整労力を著しく低
減させることができる。したがって、高精度、定量的か
つ再現性よく結像特性を計測することができる。 (発明の第3の実施の形態)上記各実施形態では、ウェ
ハ8を載置するステージ9を上下に動作させることで、
レクチル4とウェハ8とが互いに結像関係なる位置から
距離Lずらすようにしたが、このような光学的な位置ず
らしは、レチクル4を上下動作させることによっても可
能である。本実施形態では、レチクル4を上下動作させ
ることで、投影光学系のNA、σを算出する場合につい
て説明する。
【0058】図6は本発明の第3の実施の形態に係る結
像特性の測定装置におけるレチクル位置を上下動させる
様子を例示する図であり、図1、図2、図4と同一部分
には同一符号を付して説明を省略し、ここでは異なる部
分についてのみ述べる。
【0059】同図は、駆動装置41を設けて、レチクル
4を載せる台42を上下に駆動できるようにしたもので
ある。投影光学系のNA、σを算出は、第1または第2
実施形態と同様な考え方で行われる。
【0060】図7は駆動手段によらずレチクル上下位置
を変更する方法について例示する図である。図7(a)
は、通常のレチクル4は位置状態を示している。このと
き、レチクル4のパターン5は下側、すなわち投影光学
系6側となっている。
【0061】図7(b)は、レチクル4をひっくり返
し、パターン5を上側、すなわち照明光学系3側とした
場合である。図7(a)のときに、レクチル4とウェハ
8とが互いに結像関係なる位置に調整されていれば、こ
のようにレチクル4をひっくり返すことで、その厚み分
だけ光学的位置をずらすことができる。
【0062】図7(c)は、レチクル4と台42との間
にスペーサ43を入れた場合である。このようなスペー
サ43を用いることで、その厚み分だけ光学的位置をず
らすことができる。
【0063】なお、本実施形態の場合も投影光学系6が
両テレセントリックであるので、複数ピンホール11を
有するレチクル4を上下させても結像特性の測定に特に
問題は生じない。
【0064】上述したように、本発明の実施の形態に係
る結像特性の測定装置及び方法は、第1又は第2の実施
形態と同様な構成を設けた他、レチクル4と測定位置と
の光学的位置をレチクルの位置を変更することでずらす
ようにしたので、第1又は第2の実施形態と同様な効果
が得られる他、図1のステージ9動作と異なる手段によ
り、結像特性の測定のための光学的位置を変更すること
ができる。 (発明の第4の実施の形態)本実施形態においては、第
1〜第3の実施形態で説明した結像特性の測定装置を利
用した露光装置について説明する。
【0065】すなわち本実施形態の露光装置は、図4に
示す光を電気信号に変換する手段により測定される結像
特性NA,σの結果をフィードバックさせつつ、露光装
置の光学特性調整を同時に実行するものであり、また、
この測定されたNA,σ値から最適なNA,σを求める
ものである。
【0066】本実施形態の露光装置は、図1に示す照明
光学系3及び投影光学系6を含む露光装置本体に、第2
又は第3の実施形態の結像特性の測定装置が設けられた
システムとして構成される。
【0067】露光装置本体には、照明光学系3及び又は
投影光学系6、あるいはこれらの光学系3,6とは別途
に、結像特性NA,σを調整するための絞り機構が設け
られている。
【0068】また、この絞り機構は図4の結像特性演算
部33の結像特性NA,σに基づいて絞りの度合いが絞
調整装置によって制御されるようになっている。また、
絞り機構は、その絞りを拡大縮小するのみならず、非等
方的な変形(例えば円形〜楕円形間での変形)をも行え
るようになっている。
【0069】図8は本発明の第4の実施の形態における
露光装置の絞り機構により絞りが拡大縮小、変形される
様子を示す図である。同図では、絞りの変形パターンと
して円形と楕円形を示しているが、絞り機構は、その他
の形状にも変形可能である。このように非等方的な変形
を行うことでNA,σの面内分布におけるXY差も補正
できるようになっている。
【0070】また、絞調整装置は、結像特性演算部33
によるNA,σの面内測定結果に基づき、所定のルール
で絞りを拡大縮小あるいは変形するようになっている。
すなわち各NA,σについて統計的な処理を行ってN
A,σの面内測定結果全体の評価を行い、上記絞りの拡
大縮小あるいは変形を施して、新たなNA,σの評価を
行う。
【0071】これを繰り返し、新たなNA,σの評価が
高くなる方向へ向けて順次調整を行う。そして、設定範
囲のNA,σ値になるか、所定のパターンの絞り調整を
すべて実行評価したところで、あるいは所定回数の絞り
拡大縮小あるいは変形及び評価を繰り返したところで、
評価作業を終了する。
【0072】絞調整装置は、最終的に結像特性を評価し
た中で、最もよいNA,σ値となる絞り状態に絞り機構
を調整する。上述したように、本発明の実施の形態に係
る露光装置及びその結像特性調整方法は、第2又は第3
の実施形態と同様な構成を設けた他、露光装置本体に絞
り機構及びこの絞り機構を制御する絞り調整部を設け、
結像特性演算部33によるNA,σの面内測定結果に基
づき絞り調整を行うようにしたので、露光装置の結像特
性を自動的にかつ最適あるいは所望の値となるように調
整することができる。
【0073】また、絞り形状を等方形状あるいは非等方
形状に絞りを変形できるので、測定された結像特性がそ
の結像面内で非等方的に分布する場合であっても絞り形
状の変形によって、結像面内で非等方的に分布を矯正し
て面内で均一な結像特性となるように調整することがで
きる。なお、本発明は、上記各実施の形態に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変形す
ることが可能である。
【0074】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、投
影光学系の結像特性を簡易かつ高精度に測定することを
可能とした結像特性の測定装置及び方法を提供すること
ができる。
【0075】また、本発明によれば、露光可能領域の複
数点の投影光学系の結像特性の分布を簡易かつ高精度
に、さらに効率的に測定することを可能とした結像特性
の測定装置及び方法を提供することができる。
【0076】さらに、本発明によれば、結像特性を自動
的にかつ最適あるいは所望の値となるように調整するこ
とができる露光装置及びその結像特性調整方法を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る結像特性の測
定装置を適用する投影型露光装置の一例を示す概略構成
図。
【図2】同実施形態の結像特性の測定装置の測定原理を
説明する図。
【図3】同実施形態における照射光のウェハ面上の像強
度分布を示す図。
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る結像特性の測
定装置を適用する投影型露光装置の一例を示す概略構成
図。
【図5】同実施形態における直接照明光による明部及び
回折光による暗部が強度分布測定素子の受光面上に生じ
る様子を模式的に示す図。
【図6】本発明の第3の実施の形態に係る結像特性の測
定装置におけるレチクル位置を上下動させる様子を例示
する図。
【図7】駆動手段によらずレチクル上下位置を変更する
方法について例示する図。
【図8】本発明の第4の実施の形態の露光装置における
絞り機構により絞りが拡大縮小、変形される様子を示す
図。
【符号の説明】
1…光源 2…照明系絞り 3…照明光学系 4…レチクル 5…パターン 6…投影光学系 7…投影光学系絞り 8…ウェハ 9…ステージ 10…ステージ駆動装置 11…ピンホール 31…折り返しミラー 32…強度分布測定素子 33…結像特性演算部 41…駆動装置 42…台 43…スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅沼 慶太 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源からの照明光を照明光学系を介して
    マスクに照射するとともに、前記マスクのパターンの像
    を投影光学系により結像する光学系の結像特性の測定装
    置において、 前記マスクには、微小の開口が複数設けられており、 前記微小の開口に対応し、かつ前記投影光学系により結
    像される像の光強度を測定する光強度測定手段を備えた
    ことを特徴とする結像特性の測定装置。
  2. 【請求項2】 前記結像される像において、前記微小の
    開口を通過する直接的な照明光と、前記微小の開口にて
    発生しかつ前記投影光学系を通過する回折光と,に対応
    したそれぞれの光強度分布に基づき、前記結像特性とし
    て前記投影光学系の開口数及びコヒーレンスファクタを
    各微小の開口に対応して算出することを特徴とする請求
    項1記載の結像特性の測定装置。
  3. 【請求項3】 前記光強度測定手段は、光を電気信号に
    変換する測定手段であることを特徴とする請求項1又は
    2記載の結像特性の測定装置。
  4. 【請求項4】 前記投影光学系による結像面の任意の位
    置を、前記光強度測定手段により測定可能となるように
    結像対象を移動可能とした移動機構を備えたことを特徴
    とする請求項1乃至3のうちいずれか1項記載の結像特
    性の測定装置。
  5. 【請求項5】 前記請求項1乃至4のうちいずれか1項
    記載の結像特性の測定装置と、 等方形状あるいは非等方形状に絞りを変形し、及び又は
    絞りを拡大縮小することにより、前記投影光学系の結像
    特性を変更する絞り機構と、 前記結像特性の測定装置により得られる結像特性が所定
    範囲になるように、あるいは有限回の結像特性変更のう
    ち最適な結像特性となるように、前記絞り機構を制御し
    て前記投影光学系の結像特性を調整する絞調整手段とを
    備えたことを特徴とする露光装置。
  6. 【請求項6】 光源からの照明光を照明光学系を介して
    マスクに照射するとともに、前記マスクのパターンの像
    を投影光学系により結像する光学系の結像特性の測定方
    法において、 前記マスクには、微小の開口が複数設けられており、こ
    の微小の開口に対応し、かつ前記投影光学系により結像
    される像の光強度を測定することで前記光学系の結像特
    性を測定することを特徴とする結像特性の測定方法。
  7. 【請求項7】 前記結像される像において、前記微小の
    開口を通過する直接的な照明光と、前記微小の開口にて
    発生しかつ前記投影光学系を通過する回折光と,に対応
    したそれぞれの光強度分布に基づき、前記結像特性とし
    て前記投影光学系の開口数及びコヒーレンスファクタを
    各微小の開口に対応して算出することを特徴とする請求
    項6記載の結像特性の測定方法。
  8. 【請求項8】 前記光強度を、光を電気信号に変換する
    手段により測定することを特徴とする請求項6又は7記
    載の結像特性の測定方法。
  9. 【請求項9】 前記像の光強度は、前記投影光学系によ
    る結像面の任意の位置について測定可能とすることを特
    徴とする請求項6乃至8のうちいずれか1項記載の結像
    特性の測定方法。
  10. 【請求項10】 前記請求項6乃至9のうちいずれか1
    項記載の結像特性の測定方法によって得られた前記結像
    特性が所定範囲にない場合には、前記投影光学系の結像
    特性を変更する特性変更ステップと、 この変更後の投影光学系の新たな結像特性を、前記請求
    項6乃至9のうちいずれか1項記載の結像特性の測定方
    法によって測定する特性測定ステップと、 前記特性変更ステップ及び前記特性測定ステップを繰り
    返し、最終的には、前記結像特性が所定範囲となる状態
    に、あるいはこの繰り返しを有限回行う中の最適な結像
    特性となる状態に、前記投影光学系の結像特性を調整す
    る特性調整ステップとからなる露光装置の結像特性調整
    方法。
JP14006497A 1997-05-29 1997-05-29 結像特性の測定装置、露光装置及びそれらの方法 Expired - Fee Related JP3392708B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14006497A JP3392708B2 (ja) 1997-05-29 1997-05-29 結像特性の測定装置、露光装置及びそれらの方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14006497A JP3392708B2 (ja) 1997-05-29 1997-05-29 結像特性の測定装置、露光装置及びそれらの方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10335207A true JPH10335207A (ja) 1998-12-18
JP3392708B2 JP3392708B2 (ja) 2003-03-31

Family

ID=15260147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14006497A Expired - Fee Related JP3392708B2 (ja) 1997-05-29 1997-05-29 結像特性の測定装置、露光装置及びそれらの方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3392708B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6891603B2 (en) 2000-12-28 2005-05-10 Nikon Corporation Manufacturing method in manufacturing line, manufacturing method for exposure apparatus, and exposure apparatus
KR100510454B1 (ko) * 1998-02-10 2005-10-24 삼성전자주식회사 스텝퍼의 패턴 이미지 보정장치 및 이를 이용한 패턴 이미지 보정 방법
JP2007311794A (ja) * 2006-05-15 2007-11-29 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg 照射系およびフォトリソグラフィ装置
US7312851B2 (en) 2004-06-23 2007-12-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method in which a reflective projection optical system has a non-circular aperture stop
JP2009081221A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Nikon Corp 光学特性計測装置、光学特性計測方法、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2010109186A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100510454B1 (ko) * 1998-02-10 2005-10-24 삼성전자주식회사 스텝퍼의 패턴 이미지 보정장치 및 이를 이용한 패턴 이미지 보정 방법
US6891603B2 (en) 2000-12-28 2005-05-10 Nikon Corporation Manufacturing method in manufacturing line, manufacturing method for exposure apparatus, and exposure apparatus
US7312851B2 (en) 2004-06-23 2007-12-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method in which a reflective projection optical system has a non-circular aperture stop
US7483122B2 (en) 2004-06-23 2009-01-27 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2007311794A (ja) * 2006-05-15 2007-11-29 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg 照射系およびフォトリソグラフィ装置
JP2009081221A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Nikon Corp 光学特性計測装置、光学特性計測方法、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2010109186A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3392708B2 (ja) 2003-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4343706B2 (ja) レチクル及び光学特性計測方法
US6613483B2 (en) Mask for measuring optical aberration and method of measuring optical aberration
EP0500393B1 (en) Imaging method for manufacture of microdevices
JP4505989B2 (ja) 収差測定装置並びに測定方法及び該装置を備える投影露光装置並びに該方法を用いるデバイス製造方法、露光方法
JP3610175B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPWO2003021352A1 (ja) レチクル及び光学特性計測方法
JPH03211813A (ja) 露光装置
JPH0684757A (ja) 投影露光装置
JP2024542838A (ja) 光学測定システムによる物体の照明および結像中の光学生成システムの照明および結像特性をシミュレートするための瞳絞り形状を最適化するための方法
JP4005881B2 (ja) 露光装置の検査方法
JP3612903B2 (ja) 収差測定方法及び収差測定装置並びにそれを備えた露光装置及びデバイス製造方法
WO2006126444A1 (ja) センサの校正方法、露光方法、露光装置、デバイス製造方法、および反射型マスク
JPH0626833A (ja) 結像特性の測定方法
JPH0737774A (ja) 走査型露光装置
JP3392708B2 (ja) 結像特性の測定装置、露光装置及びそれらの方法
TW202016646A (zh) 確定用於微影光罩基材之複數個像素的位置之方法和裝置
TWI301635B (en) Measuring apparatus and exposure apparatus having the same
JPH0949781A (ja) 光学系の検査装置および該検査装置を備えた投影露光装置
JP2004163313A (ja) 輪郭検出方法及び装置、位置検出方法及び装置、並びに露光装置
JPH10284414A (ja) 結像位置検出装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2000164500A (ja) 露光装置、露光方法および露光装置の製造方法
JP2004165483A (ja) データ抽出方法及び装置、位置検出方法及び装置、並びに露光装置
JPH06267818A (ja) 投影露光装置
JPH09283421A (ja) 投影露光装置
JPH0949784A (ja) 投影光学系の検査方法及びその検査に用いられる 照明光学系

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080124

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090124

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100124

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110124

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120124

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130124

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees