JPH10335209A - 基板熱処理装置 - Google Patents
基板熱処理装置Info
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- JPH10335209A JPH10335209A JP9140492A JP14049297A JPH10335209A JP H10335209 A JPH10335209 A JP H10335209A JP 9140492 A JP9140492 A JP 9140492A JP 14049297 A JP14049297 A JP 14049297A JP H10335209 A JPH10335209 A JP H10335209A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に対する熱処理の設定温度の変更が容易
な基板熱処理装置を提供する。 【解決手段】 基板加熱装置の加熱プレート１は、基板
を支持する基板支持プレート３１と、補助加熱部３２お
よび主加熱部３３と、冷却用のペルチェ素子３５および
水冷ジャケット３６とを備える。基板Ｗの加熱時には、
ヒータ部３３ｂを有する主加熱部３３で発生した熱をペ
ルチェ素子からなる補助加熱部３２を介して基板支持プ
レート３１に伝達して基板Ｗを加熱する。基板支持プレ
ート３１の温度を低下させる場合には、補助加熱部３２
および冷却用のペルチェ素子３５により基板支持プレー
ト３１の熱を水冷ジャケット３６に導き、冷却水により
外部へ排出する。
な基板熱処理装置を提供する。 【解決手段】 基板加熱装置の加熱プレート１は、基板
を支持する基板支持プレート３１と、補助加熱部３２お
よび主加熱部３３と、冷却用のペルチェ素子３５および
水冷ジャケット３６とを備える。基板Ｗの加熱時には、
ヒータ部３３ｂを有する主加熱部３３で発生した熱をペ
ルチェ素子からなる補助加熱部３２を介して基板支持プ
レート３１に伝達して基板Ｗを加熱する。基板支持プレ
ート３１の温度を低下させる場合には、補助加熱部３２
および冷却用のペルチェ素子３５により基板支持プレー
ト３１の熱を水冷ジャケット３６に導き、冷却水により
外部へ排出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を所定の温度
で処理する基板熱処理装置に関する。
で処理する基板熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基
板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板の処理工程では、基板熱処理装置、例えばレジスト
膜が形成された基板を所定の温度に加熱する基板加熱装
置および加熱後の基板を所定温度にまで冷却する基板冷
却装置が用いられる。
板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板の処理工程では、基板熱処理装置、例えばレジスト
膜が形成された基板を所定の温度に加熱する基板加熱装
置および加熱後の基板を所定温度にまで冷却する基板冷
却装置が用いられる。
【０００３】図７は、従来の基板加熱装置の主要部の構
成を示す模式図である。図７において、基板加熱装置は
基板Ｗを所定の温度に加熱するための加熱プレート１を
備える。加熱プレート１の内部にはマイカヒータ等の熱
源が埋め込まれている。また、加熱プレート１の上面に
は基板Ｗの下面を支持する複数の球状スペーサ５が配置
されている。
成を示す模式図である。図７において、基板加熱装置は
基板Ｗを所定の温度に加熱するための加熱プレート１を
備える。加熱プレート１の内部にはマイカヒータ等の熱
源が埋め込まれている。また、加熱プレート１の上面に
は基板Ｗの下面を支持する複数の球状スペーサ５が配置
されている。
【０００４】加熱プレート１の下方には、３本の昇降ピ
ン３およびこれらに連結された昇降フレーム６が配置さ
れている。昇降フレーム６の一端にはシリンダ７が連結
されており、シリンダ７のロッドの伸縮動作に応じて基
板Ｗが３本の昇降ピン３により昇降移動される。
ン３およびこれらに連結された昇降フレーム６が配置さ
れている。昇降フレーム６の一端にはシリンダ７が連結
されており、シリンダ７のロッドの伸縮動作に応じて基
板Ｗが３本の昇降ピン３により昇降移動される。
【０００５】上記の基板加熱装置は、例えば基板上のレ
ジスト膜に対する露光処理前の加熱処理（プリベーク処
理）、露光処理後の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure
Bake）および現像後の加熱処理（ポストベーク処理）等
に用いられる。基板加熱装置には、外部に設けられた基
板搬送装置によって基板Ｗが一定の時間間隔で順次供給
される。
ジスト膜に対する露光処理前の加熱処理（プリベーク処
理）、露光処理後の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure
Bake）および現像後の加熱処理（ポストベーク処理）等
に用いられる。基板加熱装置には、外部に設けられた基
板搬送装置によって基板Ｗが一定の時間間隔で順次供給
される。
【０００６】図８は、図７の基板加熱装置における基板
の熱履歴を示す図である。図８において、レジスト膜が
形成された基板Ｗが基板加熱装置内の加熱プレート１上
に載置されると、基板Ｗの温度が室温近傍から所定の設
定温度Ｔ１、例えば１１０℃にまで昇温される。そし
て、基板Ｗは所定の加熱処理期間中、設定温度Ｔ１に保
持され、一定の待機期間を経て外部に取り出される。
の熱履歴を示す図である。図８において、レジスト膜が
形成された基板Ｗが基板加熱装置内の加熱プレート１上
に載置されると、基板Ｗの温度が室温近傍から所定の設
定温度Ｔ１、例えば１１０℃にまで昇温される。そし
て、基板Ｗは所定の加熱処理期間中、設定温度Ｔ１に保
持され、一定の待機期間を経て外部に取り出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】最近では、基板Ｗ上に
形成されるパターンの特性に応じて種々のレジストが使
用されている。基板加熱装置における基板Ｗの加熱処理
の設定温度Ｔ１はレジストの種類により異なる。したが
って、異なる種類のレジストが塗布された基板Ｗが連続
して供給される場合、基板Ｗの設定温度Ｔ１を供給され
る基板Ｗのレジストの種類に応じて即座に変更して基板
Ｗの加熱処理を行うことが望まれる。
形成されるパターンの特性に応じて種々のレジストが使
用されている。基板加熱装置における基板Ｗの加熱処理
の設定温度Ｔ１はレジストの種類により異なる。したが
って、異なる種類のレジストが塗布された基板Ｗが連続
して供給される場合、基板Ｗの設定温度Ｔ１を供給され
る基板Ｗのレジストの種類に応じて即座に変更して基板
Ｗの加熱処理を行うことが望まれる。
【０００８】従来の基板加熱装置では、加熱プレート１
内のマイカヒータ等の熱源の出力を制御して設定温度Ｔ
１を調整している。したがって、次の処理対象の基板Ｗ
の設定温度Ｔ１が直前の処理済の基板Ｗの設定温度Ｔ１
よりも低い場合には、加熱プレート１の熱源の出力を抑
制して加熱プレート１の表面温度を低下させる必要があ
る。
内のマイカヒータ等の熱源の出力を制御して設定温度Ｔ
１を調整している。したがって、次の処理対象の基板Ｗ
の設定温度Ｔ１が直前の処理済の基板Ｗの設定温度Ｔ１
よりも低い場合には、加熱プレート１の熱源の出力を抑
制して加熱プレート１の表面温度を低下させる必要があ
る。
【０００９】しかしながら、加熱プレート１には冷却手
段が設けられていない。このため、加熱プレート１の温
度を低下させるためには自然放熱に因らざるを得ない。
ところが、基板加熱装置の内部は高温雰囲気に保たれて
おり、自然放熱による冷却効果は極めて小さい。したが
って、加熱プレート１の表面温度は容易に低下せず、そ
れゆえ、設定温度Ｔ１の異なる基板Ｗを連続して処理す
ることは困難であった。
段が設けられていない。このため、加熱プレート１の温
度を低下させるためには自然放熱に因らざるを得ない。
ところが、基板加熱装置の内部は高温雰囲気に保たれて
おり、自然放熱による冷却効果は極めて小さい。したが
って、加熱プレート１の表面温度は容易に低下せず、そ
れゆえ、設定温度Ｔ１の異なる基板Ｗを連続して処理す
ることは困難であった。
【００１０】したがって、従来では、基板Ｗの設定温度
Ｔ１の種類ごとに複数の基板加熱装置を設けて加熱処理
を行っていた。このために、多数の基板加熱装置が必要
となり、設備費が増大する。
Ｔ１の種類ごとに複数の基板加熱装置を設けて加熱処理
を行っていた。このために、多数の基板加熱装置が必要
となり、設備費が増大する。
【００１１】本発明の目的は、基板に対する熱処理の設
定温度の変更が容易な基板熱処理装置を提供することで
ある。
定温度の変更が容易な基板熱処理装置を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板熱処理装置は、基板を所定の温度で処理
する基板熱処理装置であって、基板を支持する基板支持
台と、基板支持台の下方に配置され、基板支持台上の基
板を加熱する加熱部と、加熱部の下方に配置された冷却
部と、基板支持台と加熱部との間に配置され、基板支持
台と加熱部との間の熱交換を行う第１の熱交換手段と、
加熱部と冷却部との間に配置され、加熱部と冷却部との
間の熱交換を行う第２の熱交換手段とを備えたものであ
る。
発明に係る基板熱処理装置は、基板を所定の温度で処理
する基板熱処理装置であって、基板を支持する基板支持
台と、基板支持台の下方に配置され、基板支持台上の基
板を加熱する加熱部と、加熱部の下方に配置された冷却
部と、基板支持台と加熱部との間に配置され、基板支持
台と加熱部との間の熱交換を行う第１の熱交換手段と、
加熱部と冷却部との間に配置され、加熱部と冷却部との
間の熱交換を行う第２の熱交換手段とを備えたものであ
る。
【００１３】第１の発明に係る基板熱処理装置において
は、加熱処理時に加熱部が発熱し、その熱が第１の熱交
換手段により基板支持台に伝達されて基板支持台が所定
の温度に設定される。これにより、基板支持台上に支持
された基板は、基板支持台からの輻射熱を受けて所定の
温度に保持される。第１の熱交換手段は基板支持台と加
熱部との間で熱の移動を行って基板支持台の温度が所定
の温度となるように制御する。これによって基板支持台
上の基板の温度が所定の設定温度に正確に保持される。
は、加熱処理時に加熱部が発熱し、その熱が第１の熱交
換手段により基板支持台に伝達されて基板支持台が所定
の温度に設定される。これにより、基板支持台上に支持
された基板は、基板支持台からの輻射熱を受けて所定の
温度に保持される。第１の熱交換手段は基板支持台と加
熱部との間で熱の移動を行って基板支持台の温度が所定
の温度となるように制御する。これによって基板支持台
上の基板の温度が所定の設定温度に正確に保持される。
【００１４】さらに、基板の設定温度を低い温度に変更
する場合、第１の熱交換手段により基板支持台から加熱
部側へ熱を移動させ、さらに第２の熱交換手段により加
熱部から冷却部側へ熱を移動させる。冷却部に伝えられ
た熱は外部に排出される。これにより、基板支持台の温
度を速やかに低下させることができる。したがって、加
熱時の設定温度が高い基板と低い基板とを同一の基板熱
処理装置で連続して処理することが可能となり、加熱処
理における設備の低コスト化および処理の効率化を図る
ことができる。
する場合、第１の熱交換手段により基板支持台から加熱
部側へ熱を移動させ、さらに第２の熱交換手段により加
熱部から冷却部側へ熱を移動させる。冷却部に伝えられ
た熱は外部に排出される。これにより、基板支持台の温
度を速やかに低下させることができる。したがって、加
熱時の設定温度が高い基板と低い基板とを同一の基板熱
処理装置で連続して処理することが可能となり、加熱処
理における設備の低コスト化および処理の効率化を図る
ことができる。
【００１５】第２の発明に係る基板熱処理装置は、第１
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、第１およ
び第２の熱交換手段がペルチェ素子である。
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、第１およ
び第２の熱交換手段がペルチェ素子である。
【００１６】ペルチェ素子は熱電効果により熱を移動さ
せる動作を行い、供給される電流の方向を切り換えるこ
とにより熱の移動方向を切り換えることができる。これ
により、基板支持台の温度を上昇させる場合には加熱部
の熱を基板支持台側へ移動させ、また基板支持台の温度
を低下させる場合には基板支持台加熱部へ熱を移動さ
せ、さらに加熱部から冷却部へ熱を移動させる。これに
より、基板支持台の温度を正確に設定することができ
る。
せる動作を行い、供給される電流の方向を切り換えるこ
とにより熱の移動方向を切り換えることができる。これ
により、基板支持台の温度を上昇させる場合には加熱部
の熱を基板支持台側へ移動させ、また基板支持台の温度
を低下させる場合には基板支持台加熱部へ熱を移動さ
せ、さらに加熱部から冷却部へ熱を移動させる。これに
より、基板支持台の温度を正確に設定することができ
る。
【００１７】第３の発明に係る基板熱処理装置は、第１
または第２の発明に係る基板熱処理装置の構成におい
て、冷却部が、第２の熱交換手段の下面に接して配置さ
れかつ内部に冷却水を通過させる通路が形成された冷却
部材からなるものである。
または第２の発明に係る基板熱処理装置の構成におい
て、冷却部が、第２の熱交換手段の下面に接して配置さ
れかつ内部に冷却水を通過させる通路が形成された冷却
部材からなるものである。
【００１８】この場合、冷却部材の通路内に冷却水を循
環させることにより、基板支持台から導かれた熱を冷却
水を介して外部に排出する。これによって、基板支持台
の温度を速やかに低下させることができる。
環させることにより、基板支持台から導かれた熱を冷却
水を介して外部に排出する。これによって、基板支持台
の温度を速やかに低下させることができる。
【００１９】第４の発明に係る基板熱処理装置は、基板
を所定の温度で処理する基板熱処理装置であって、基板
を支持する基板支持台と、基板支持台の下方に配置さ
れ、基板支持台上の基板を加熱する加熱部と、加熱部の
下方に配置され、加熱部を冷却する冷却部と、基板支持
台と加熱部との間に配置され、基板支持台と加熱部との
間の熱交換を行う熱交換手段とを備えたものである。
を所定の温度で処理する基板熱処理装置であって、基板
を支持する基板支持台と、基板支持台の下方に配置さ
れ、基板支持台上の基板を加熱する加熱部と、加熱部の
下方に配置され、加熱部を冷却する冷却部と、基板支持
台と加熱部との間に配置され、基板支持台と加熱部との
間の熱交換を行う熱交換手段とを備えたものである。
【００２０】第４の発明に係る基板熱処理装置において
は、加熱処理時に加熱部が発熱し、その熱が熱交換手段
により基板支持台に伝達され、基板支持台が所定の温度
に設定される。これにより、基板支持台上に支持された
基板が所定の設定温度に保持される。また、基板の設定
温度を低い温度に変更する場合には、熱交換手段が基板
支持台の熱を冷却部側に移動させる。冷却部は移動され
た熱を外部に排出する。これにより、基板支持台の温度
を速やかに低下させることができる。したがって、加熱
時の設定温度が高い基板と低い基板とを同一の基板熱処
理装置を用いて連続して処理することが可能となり、加
熱処理における設備の低コスト化を図り、処理効率を向
上することができる。
は、加熱処理時に加熱部が発熱し、その熱が熱交換手段
により基板支持台に伝達され、基板支持台が所定の温度
に設定される。これにより、基板支持台上に支持された
基板が所定の設定温度に保持される。また、基板の設定
温度を低い温度に変更する場合には、熱交換手段が基板
支持台の熱を冷却部側に移動させる。冷却部は移動され
た熱を外部に排出する。これにより、基板支持台の温度
を速やかに低下させることができる。したがって、加熱
時の設定温度が高い基板と低い基板とを同一の基板熱処
理装置を用いて連続して処理することが可能となり、加
熱処理における設備の低コスト化を図り、処理効率を向
上することができる。
【００２１】第５の発明に係る基板熱処理は、第４の発
明に係る基板熱処理装置の構成において、熱交換手段が
ペルチェ素子である。ペルチェ素子は、供給される電流
の方向を切り換えることにより加熱部の熱を基板支持台
へ移動させ、または基板支持台の熱を加熱部へ移動させ
ることができる。これにより、基板支持台の温度を所定
の温度に正確に調整することが可能となる。
明に係る基板熱処理装置の構成において、熱交換手段が
ペルチェ素子である。ペルチェ素子は、供給される電流
の方向を切り換えることにより加熱部の熱を基板支持台
へ移動させ、または基板支持台の熱を加熱部へ移動させ
ることができる。これにより、基板支持台の温度を所定
の温度に正確に調整することが可能となる。
【００２２】第６の発明に係る基板熱処理装置は、第４
または第５の発明に係る基板熱処理装置の構成におい
て、冷却部が、加熱部の下面に接しかつ内部に空気を通
過させる通路が形成された冷却部材からなるものであ
る。
または第５の発明に係る基板熱処理装置の構成におい
て、冷却部が、加熱部の下面に接しかつ内部に空気を通
過させる通路が形成された冷却部材からなるものであ
る。
【００２３】冷却部材内の通路を通過する空気は、基板
支持台から加熱部を通して伝えられる熱を受け取り、外
部に排出する。これによって、基板支持台の温度を速や
かに低下することができる。
支持台から加熱部を通して伝えられる熱を受け取り、外
部に排出する。これによって、基板支持台の温度を速や
かに低下することができる。
【００２４】第７の発明に係る基板熱処理装置は、第１
〜第６のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成に
おいて、加熱部が、ヒータとヒータの上面側および下面
側に積層された上部伝熱部材および下部伝熱部材とから
なるものである。
〜第６のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成に
おいて、加熱部が、ヒータとヒータの上面側および下面
側に積層された上部伝熱部材および下部伝熱部材とから
なるものである。
【００２５】上部および下部伝熱部材は熱を均一化して
伝達する。特に、ヒータの上面側の上部伝熱部材は、ヒ
ータからの熱を受け取り、均一化して上方の基板支持台
に伝達する。これにより、基板支持台の上面が均一に昇
温される。
伝達する。特に、ヒータの上面側の上部伝熱部材は、ヒ
ータからの熱を受け取り、均一化して上方の基板支持台
に伝達する。これにより、基板支持台の上面が均一に昇
温される。
【００２６】第８の発明に係る基板熱処理装置は、第１
〜第６のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成に
おいて、加熱部が、内部にヒータが埋設された発熱部材
からなるものである。
〜第６のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成に
おいて、加熱部が、内部にヒータが埋設された発熱部材
からなるものである。
【００２７】この場合には、内部のヒータが発熱するこ
とにより発熱部材が昇温し、さらに上方側の基板支持台
が所定の温度に昇温される。
とにより発熱部材が昇温し、さらに上方側の基板支持台
が所定の温度に昇温される。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例による基
板加熱装置の断面図である。基板加熱装置は、筐体１０
の内部に基板Ｗを加熱する加熱プレート１を備える。加
熱プレート１の上面には基板Ｗの下面を支持する３つの
球状スペーサ５が正三角形状に配置されている。さら
に、加熱プレート１には基板Ｗを昇降移動させる３本の
昇降ピン３を通過させるための３つの貫通孔４が形成さ
れている。
板加熱装置の断面図である。基板加熱装置は、筐体１０
の内部に基板Ｗを加熱する加熱プレート１を備える。加
熱プレート１の上面には基板Ｗの下面を支持する３つの
球状スペーサ５が正三角形状に配置されている。さら
に、加熱プレート１には基板Ｗを昇降移動させる３本の
昇降ピン３を通過させるための３つの貫通孔４が形成さ
れている。
【００２９】加熱プレート１の上方には加熱プレート１
の上面を覆う上部カバー２が筐体１０の上面内側に取り
付けられている。さらに、加熱プレート１の下部には、
基板Ｗの下面を支持して昇降移動する３本の昇降ピン３
およびこれに連結される昇降プレート６が配置されてい
る。昇降プレート６の一端にはシリンダ７が筐体１０の
外部において連結されている。そして、シリンダ７のロ
ッドの伸縮により昇降プレート６および昇降ピン３が昇
降移動する。昇降プレート６および昇降ピン３が上昇し
た際に、基板Ｗが加熱プレート１の上方で待機され、下
降した際に、基板Ｗが加熱プレート１上の球状スペーサ
５上に載置される。
の上面を覆う上部カバー２が筐体１０の上面内側に取り
付けられている。さらに、加熱プレート１の下部には、
基板Ｗの下面を支持して昇降移動する３本の昇降ピン３
およびこれに連結される昇降プレート６が配置されてい
る。昇降プレート６の一端にはシリンダ７が筐体１０の
外部において連結されている。そして、シリンダ７のロ
ッドの伸縮により昇降プレート６および昇降ピン３が昇
降移動する。昇降プレート６および昇降ピン３が上昇し
た際に、基板Ｗが加熱プレート１の上方で待機され、下
降した際に、基板Ｗが加熱プレート１上の球状スペーサ
５上に載置される。
【００３０】筐体１０の前面には基板給排口１１が形成
されている。基板給排口１１の内側には、シャッタ９が
配置されている。シャッタ９の下端は連動部材８により
昇降プレート６に連結されている。これにより、シリン
ダ７のロッドが伸長すると、昇降プレート６が上昇して
基板Ｗを待機位置に持ち上げるとともに、シャッタ９が
下降して基板給排口１１を開放する。また、シリンダ７
のロッドが収納されると、昇降プレート６が下降して基
板Ｗを球状スペーサ５上に載置するとともに、シャッタ
９が上昇し、基板給排口１１を閉鎖する。
されている。基板給排口１１の内側には、シャッタ９が
配置されている。シャッタ９の下端は連動部材８により
昇降プレート６に連結されている。これにより、シリン
ダ７のロッドが伸長すると、昇降プレート６が上昇して
基板Ｗを待機位置に持ち上げるとともに、シャッタ９が
下降して基板給排口１１を開放する。また、シリンダ７
のロッドが収納されると、昇降プレート６が下降して基
板Ｗを球状スペーサ５上に載置するとともに、シャッタ
９が上昇し、基板給排口１１を閉鎖する。
【００３１】ここで、加熱プレート１の構造について説
明する。図２は、第１の実施例による加熱プレートの断
面図である。加熱プレート１は基板Ｗを水平に支持する
基板支持プレート３１と、基板支持プレート３１の下面
に設けられた補助加熱部３２と、補助加熱部３２の下面
に設けられた主加熱部３３と、主加熱部３３の下面に接
し、基板支持プレート３１および主加熱部３３を冷却す
る冷却手段３４とを備える。
明する。図２は、第１の実施例による加熱プレートの断
面図である。加熱プレート１は基板Ｗを水平に支持する
基板支持プレート３１と、基板支持プレート３１の下面
に設けられた補助加熱部３２と、補助加熱部３２の下面
に設けられた主加熱部３３と、主加熱部３３の下面に接
し、基板支持プレート３１および主加熱部３３を冷却す
る冷却手段３４とを備える。
【００３２】基板支持プレート３１はアルミニウム等の
良伝熱性材料からなり、その上面に基板Ｗを支持するた
めの３つの球状スペーサ５が正三角形状に配置されてい
る。この基板支持プレート３１の表面温度が所定の温度
に制御されることにより、基板支持プレート３１の上方
に僅かな隙間をもって支持された基板Ｗの温度が所定の
設定温度に調整される。
良伝熱性材料からなり、その上面に基板Ｗを支持するた
めの３つの球状スペーサ５が正三角形状に配置されてい
る。この基板支持プレート３１の表面温度が所定の温度
に制御されることにより、基板支持プレート３１の上方
に僅かな隙間をもって支持された基板Ｗの温度が所定の
設定温度に調整される。
【００３３】補助加熱部３２は、ペルチェ素子から構成
される。ペルチェ素子は電流が供給されることにより一
面側で吸熱し、他面側で放熱する。これにより、熱を移
動させることができる。熱の移動方向は、供給する電流
の方向を切り換えることにより切り換えることができ
る。そこで、基板支持プレート３１の温度を上昇させる
場合には主加熱部３３から基板支持プレート３１側へ熱
を移動させ、また基板支持プレート３１の温度を低下さ
せる場合には、基板支持プレート３１から主加熱部３３
側へ熱を移動させる。このペルチェ素子を用いた補助加
熱部３２は基板支持プレート３１の温度を短時間で調整
することができる。
される。ペルチェ素子は電流が供給されることにより一
面側で吸熱し、他面側で放熱する。これにより、熱を移
動させることができる。熱の移動方向は、供給する電流
の方向を切り換えることにより切り換えることができ
る。そこで、基板支持プレート３１の温度を上昇させる
場合には主加熱部３３から基板支持プレート３１側へ熱
を移動させ、また基板支持プレート３１の温度を低下さ
せる場合には、基板支持プレート３１から主加熱部３３
側へ熱を移動させる。このペルチェ素子を用いた補助加
熱部３２は基板支持プレート３１の温度を短時間で調整
することができる。
【００３４】主加熱部３３は補助加熱部３２に接するよ
うに配置された中間プレート３３ａと、中間プレート３
３ａの下面に接するように設けられたヒータ部３３ｂ
と、ヒータ部３３ｂの下面に接するように配置された放
熱プレート３３ｃとを有している。ヒータ部３３ｂはマ
イカヒータにより構成されている。中間プレート３３ａ
はヒータ部３３ｂから発生した熱を均一化して基板支持
プレート３１に伝える働きをなす。また、放熱プレート
３３ｃはヒータ部３３ｂの熱を基板支持プレート３１と
反対側、すなわち下方側に排出するように設けられてい
る。
うに配置された中間プレート３３ａと、中間プレート３
３ａの下面に接するように設けられたヒータ部３３ｂ
と、ヒータ部３３ｂの下面に接するように配置された放
熱プレート３３ｃとを有している。ヒータ部３３ｂはマ
イカヒータにより構成されている。中間プレート３３ａ
はヒータ部３３ｂから発生した熱を均一化して基板支持
プレート３１に伝える働きをなす。また、放熱プレート
３３ｃはヒータ部３３ｂの熱を基板支持プレート３１と
反対側、すなわち下方側に排出するように設けられてい
る。
【００３５】冷却手段３４は、主加熱部３３を冷却する
冷却用のペルチェ素子３５と、冷却用のペルチェ素子３
５からの熱を排出するための水冷ジャケット３６とを備
える。冷却用のペルチェ素子３５は、主加熱部３３の放
熱プレート３３ｃの下面に接して設けられている。そし
て、後述する降温処理時に、放熱プレート３３ｃから吸
熱することによりヒータ部３３ｂの温度を低下させる。
冷却用のペルチェ素子３５と、冷却用のペルチェ素子３
５からの熱を排出するための水冷ジャケット３６とを備
える。冷却用のペルチェ素子３５は、主加熱部３３の放
熱プレート３３ｃの下面に接して設けられている。そし
て、後述する降温処理時に、放熱プレート３３ｃから吸
熱することによりヒータ部３３ｂの温度を低下させる。
【００３６】水冷ジャケット３６は、良伝熱性の板状部
材の内部に冷却水を循環させるための冷却水通路３７が
形成されている。冷却水通路３７は循環配管３８を介し
て外部、例えば基板加熱装置が配置される工場の冷却水
供給源５１に接続されている。
材の内部に冷却水を循環させるための冷却水通路３７が
形成されている。冷却水通路３７は循環配管３８を介し
て外部、例えば基板加熱装置が配置される工場の冷却水
供給源５１に接続されている。
【００３７】また、基板支持プレート３１には、基板Ｗ
が基板支持プレート３１上に投入されたことを検出する
基板検出センサ３９が設けられている。基板検出センサ
３９の出力はメインコントローラ４８に入力される。さ
らに、基板支持プレート３１には温度検出センサ４０が
設けられており、このセンサ出力は第１温度コントロー
ラ（Ｔ．Ｃ．）４５に入力される。
が基板支持プレート３１上に投入されたことを検出する
基板検出センサ３９が設けられている。基板検出センサ
３９の出力はメインコントローラ４８に入力される。さ
らに、基板支持プレート３１には温度検出センサ４０が
設けられており、このセンサ出力は第１温度コントロー
ラ（Ｔ．Ｃ．）４５に入力される。
【００３８】中間プレート３３ａには温度検出センサ４
１が設けられており、このセンサ出力が第２温度コント
ローラ４６に入力される。第１および第２温度コントロ
ーラ４５，４６は電源５０からそれぞれ補助加熱部３２
およびヒータ部３３ｂに供給される電流を制御する。さ
らに、第３温度コントローラ４７は電源５０から冷却用
のペルチェ素子３５に供給される電流を制御する。第１
〜第３温度コントローラ４５〜４７の動作はメインコン
トローラ４８によって制御される。
１が設けられており、このセンサ出力が第２温度コント
ローラ４６に入力される。第１および第２温度コントロ
ーラ４５，４６は電源５０からそれぞれ補助加熱部３２
およびヒータ部３３ｂに供給される電流を制御する。さ
らに、第３温度コントローラ４７は電源５０から冷却用
のペルチェ素子３５に供給される電流を制御する。第１
〜第３温度コントローラ４５〜４７の動作はメインコン
トローラ４８によって制御される。
【００３９】メインコントローラ４８はＣＰＵ（中央演
算処理装置）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモ
リ）、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）、時間計測の
ためのカウンタ等を有するマイクロコンピュータを備え
ている。さらに、メインコントローラ４８には温度制御
条件等を入力するためのキーボード等からなる入力部４
９が接続されている。
算処理装置）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモ
リ）、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）、時間計測の
ためのカウンタ等を有するマイクロコンピュータを備え
ている。さらに、メインコントローラ４８には温度制御
条件等を入力するためのキーボード等からなる入力部４
９が接続されている。
【００４０】ここで、基板支持プレート３１が本発明の
基板支持台に相当し、主加熱部３３が加熱部に相当し、
水冷ジャケット３６が冷却部および冷却部材に相当し、
補助加熱部３２が第１の熱交換手段に相当し、冷却用の
ペルチェ素子３５が第２の熱交換手段に相当する。
基板支持台に相当し、主加熱部３３が加熱部に相当し、
水冷ジャケット３６が冷却部および冷却部材に相当し、
補助加熱部３２が第１の熱交換手段に相当し、冷却用の
ペルチェ素子３５が第２の熱交換手段に相当する。
【００４１】次に、図２の加熱プレート１を備える基板
加熱装置の動作について説明する。以下では、（１）基
板支持プレートの温度設定動作、（２）基板投入時の高
速昇温動作および（３）設定温度の変更（降温）動作に
ついて説明する。
加熱装置の動作について説明する。以下では、（１）基
板支持プレートの温度設定動作、（２）基板投入時の高
速昇温動作および（３）設定温度の変更（降温）動作に
ついて説明する。
【００４２】（１）基板支持プレートの温度設定動作 図３は基板加熱装置の温度設定動作のフローチャートで
ある。ここでは、支持プレート３１の上面温度を１１０
℃に設定するものとする。
ある。ここでは、支持プレート３１の上面温度を１１０
℃に設定するものとする。
【００４３】図３に示すように、基板Ｗの搬入前に、主
加熱部３３のヒータ部３３ｂを駆動し、ステップＳ１お
よびステップＳ２の処理を行う。同時に補助加熱部３２
を駆動し、ステップＳ３およびＳ４の処理を行う。
加熱部３３のヒータ部３３ｂを駆動し、ステップＳ１お
よびステップＳ２の処理を行う。同時に補助加熱部３２
を駆動し、ステップＳ３およびＳ４の処理を行う。
【００４４】すなわち、ステップＳ１において、第２温
度コントローラ４６は電源５０からヒータ部３３ｂに供
給される電流量を制御し、ヒータ部３３ｂのヒータを発
熱させる。そして、メインコントローラ４８は温度検出
センサ４１からの出力に基づいて中間プレート３３ａの
温度を監視し、中間プレート３３ａが所定の温度（例え
ば９０℃）になったか否かを判定する（ステップＳ
２）。中間プレート３３ａが所定の温度以下の場合には
第２温度コントローラ４６によりヒータ部３３ｂに電流
を供給して発熱させ、所定の温度に達した場合には、ヒ
ータ部３３ｂへの電流の供給を遮断する。この処理を繰
り返し、中間プレート３３ａの温度を９０℃に保持す
る。
度コントローラ４６は電源５０からヒータ部３３ｂに供
給される電流量を制御し、ヒータ部３３ｂのヒータを発
熱させる。そして、メインコントローラ４８は温度検出
センサ４１からの出力に基づいて中間プレート３３ａの
温度を監視し、中間プレート３３ａが所定の温度（例え
ば９０℃）になったか否かを判定する（ステップＳ
２）。中間プレート３３ａが所定の温度以下の場合には
第２温度コントローラ４６によりヒータ部３３ｂに電流
を供給して発熱させ、所定の温度に達した場合には、ヒ
ータ部３３ｂへの電流の供給を遮断する。この処理を繰
り返し、中間プレート３３ａの温度を９０℃に保持す
る。
【００４５】また、上記動作と並行して、ステップＳ３
においては、電源５０から補助加熱部３２に電流が供給
され、ペルチェ素子の熱移動作用により基板支持プレー
ト３１が昇温される。メインコントローラ４８は基板支
持プレート３１の温度検出センサ４０からの出力に基づ
き、基板支持プレート３１の温度が所定の温度、すなわ
ち１１０℃になったか否かを判断する（ステップＳ
４）。ペルチェ素子は供給される電流の方向を切り換え
ることにより熱の移動方向を切り換えることができる。
そこで、ペルチェ素子の電流の供給方向を適宜切り換え
て、基板支持プレート３１の温度が所望の１１０℃とな
るように調整する。
においては、電源５０から補助加熱部３２に電流が供給
され、ペルチェ素子の熱移動作用により基板支持プレー
ト３１が昇温される。メインコントローラ４８は基板支
持プレート３１の温度検出センサ４０からの出力に基づ
き、基板支持プレート３１の温度が所定の温度、すなわ
ち１１０℃になったか否かを判断する（ステップＳ
４）。ペルチェ素子は供給される電流の方向を切り換え
ることにより熱の移動方向を切り換えることができる。
そこで、ペルチェ素子の電流の供給方向を適宜切り換え
て、基板支持プレート３１の温度が所望の１１０℃とな
るように調整する。
【００４６】上記の温度設定処理では、主加熱部３３の
ヒータ部３３ｂと補助加熱部３２とにより基板支持プレ
ート３１の温度設定が行われる。補助加熱部３２による
熱移動の制御は短時間でかつ正確に行うことができる。
したがって、基板支持プレート３１の温度調整をヒータ
のみで行う場合に比べ短時間でかつ正確に行うことがで
きる。
ヒータ部３３ｂと補助加熱部３２とにより基板支持プレ
ート３１の温度設定が行われる。補助加熱部３２による
熱移動の制御は短時間でかつ正確に行うことができる。
したがって、基板支持プレート３１の温度調整をヒータ
のみで行う場合に比べ短時間でかつ正確に行うことがで
きる。
【００４７】（２）基板投入時の高速昇降動作 上記の温度設定処理において所定の温度、例えば１１０
℃に設定された基板支持プレート３１上に基板Ｗが投入
されると、投入時の基板Ｗの温度が室温程度と低いため
に基板支持プレート３１の表面温度が急激に低下する。
そこで、以下の高速昇温動作を行い、基板支持プレート
３１の表面温度を補正して基板を所望の温度に設定す
る。
℃に設定された基板支持プレート３１上に基板Ｗが投入
されると、投入時の基板Ｗの温度が室温程度と低いため
に基板支持プレート３１の表面温度が急激に低下する。
そこで、以下の高速昇温動作を行い、基板支持プレート
３１の表面温度を補正して基板を所望の温度に設定す
る。
【００４８】図４は、基板の温度を１１０±０．３℃に
制御する場合の高速昇温動作のフローチャートである。
また、図５は基板の温度変化を示す図である。
制御する場合の高速昇温動作のフローチャートである。
また、図５は基板の温度変化を示す図である。
【００４９】基板支持プレート３１が１１０℃に制御さ
れている状態において、例えば室温（約２３℃）の基板
Ｗが基板支持プレート３１上に投入されると、図５に示
すように、基板支持プレート３１の温度が急激に低下す
る。そこで、まず基板支持プレート３１の温度が０．５
℃以上低下したか否かを温度検出センサ４０からの出力
によって判断する（ステップＳ１０）。
れている状態において、例えば室温（約２３℃）の基板
Ｗが基板支持プレート３１上に投入されると、図５に示
すように、基板支持プレート３１の温度が急激に低下す
る。そこで、まず基板支持プレート３１の温度が０．５
℃以上低下したか否かを温度検出センサ４０からの出力
によって判断する（ステップＳ１０）。
【００５０】０．５℃以上の温度低下を検出すると、第
１温度コントローラ４５が制御され、最大許容電流が補
助加熱部３２に供給される。これにより、いわゆるフル
パワーで基板支持プレート３１が昇温される。メインコ
ントローラ４８は基板支持プレート３１の昇温状態を監
視する。基板支持プレート３１の温度が１１０℃に到達
するまで最大許容電流を補助加熱部３２に供給する（ス
テップＳ１１）。
１温度コントローラ４５が制御され、最大許容電流が補
助加熱部３２に供給される。これにより、いわゆるフル
パワーで基板支持プレート３１が昇温される。メインコ
ントローラ４８は基板支持プレート３１の昇温状態を監
視する。基板支持プレート３１の温度が１１０℃に到達
するまで最大許容電流を補助加熱部３２に供給する（ス
テップＳ１１）。
【００５１】基板支持プレート３１の温度が１１０℃に
達すると（ステップＳ１２）、第１温度コントローラ４
５をＰＩＤ制御に切り換え、昇温動作を抑制する。そし
て、補助加熱部３２へ供給する電流の方向を制御しなが
ら昇温および降温を行い、基板支持プレート３１の温度
を１１０℃±０．３℃の範囲に制御する（ステップＳ１
３）。
達すると（ステップＳ１２）、第１温度コントローラ４
５をＰＩＤ制御に切り換え、昇温動作を抑制する。そし
て、補助加熱部３２へ供給する電流の方向を制御しなが
ら昇温および降温を行い、基板支持プレート３１の温度
を１１０℃±０．３℃の範囲に制御する（ステップＳ１
３）。
【００５２】上記のような高速昇温動作において、補助
加熱部３２がペルチェ素子により構成されているので、
フルパワーにより昇温動作を行って基板Ｗの温度がオー
バーシュートした場合でも、素早く降温処理に切り換え
ることにより短時間でかつ制御良く基板Ｗの温度を所望
の設定温度に調整することができる。
加熱部３２がペルチェ素子により構成されているので、
フルパワーにより昇温動作を行って基板Ｗの温度がオー
バーシュートした場合でも、素早く降温処理に切り換え
ることにより短時間でかつ制御良く基板Ｗの温度を所望
の設定温度に調整することができる。
【００５３】（３）設定温度の変更（降温）動作 次に、処理対象の設定温度が、直前の基板の設定温度よ
りも低い場合の動作について説明する。加熱処理が終了
した基板支持プレート３１の温度は、直前の基板の設定
温度、例えば１１０℃にほぼ等しい状態にある。同様
に、中間プレート３３ａの温度は９０℃近傍に保持され
ている。そこで、冷却用のペルチェ素子３５を駆動し
て、主加熱部３３および基板支持プレート３１の温度を
低下させる。
りも低い場合の動作について説明する。加熱処理が終了
した基板支持プレート３１の温度は、直前の基板の設定
温度、例えば１１０℃にほぼ等しい状態にある。同様
に、中間プレート３３ａの温度は９０℃近傍に保持され
ている。そこで、冷却用のペルチェ素子３５を駆動し
て、主加熱部３３および基板支持プレート３１の温度を
低下させる。
【００５４】メインコントローラ４８は第１温度コント
ローラ４５および第３温度コントローラ４７により補助
加熱部３２のペルチェ素子および冷却用のペルチェ素子
３５を駆動する。補助加熱部３２のペルチェ素子には基
板支持プレート３１の熱を主加熱部３３側へ移動させる
ように電流が供給され、冷却用のペルチェ素子３５には
主加熱部３３の熱を水冷ジャケット３６側へ移動させる
ように電流が供給される。これにより、基板支持プレー
ト３１の熱は補助加熱部３２、主加熱部３３および冷却
用のペルチェ素子３５を通り水冷ジャケット３６に伝え
られる。伝えられた熱は水冷ジャケット３６の冷却水通
路３７を循環する冷却水により外部に排出される。これ
により、基板支持プレート３１の温度が急速に低下され
る。なお、水冷ジャケット３５の冷却水は常時循環させ
ておいてもよい。
ローラ４５および第３温度コントローラ４７により補助
加熱部３２のペルチェ素子および冷却用のペルチェ素子
３５を駆動する。補助加熱部３２のペルチェ素子には基
板支持プレート３１の熱を主加熱部３３側へ移動させる
ように電流が供給され、冷却用のペルチェ素子３５には
主加熱部３３の熱を水冷ジャケット３６側へ移動させる
ように電流が供給される。これにより、基板支持プレー
ト３１の熱は補助加熱部３２、主加熱部３３および冷却
用のペルチェ素子３５を通り水冷ジャケット３６に伝え
られる。伝えられた熱は水冷ジャケット３６の冷却水通
路３７を循環する冷却水により外部に排出される。これ
により、基板支持プレート３１の温度が急速に低下され
る。なお、水冷ジャケット３５の冷却水は常時循環させ
ておいてもよい。
【００５５】このように、主加熱部３３の下面に冷却用
のペルチェ素子３５および水冷ジャケット３６を設ける
ことにより、所定温度に昇温された基板支持プレート３
１の温度を迅速に低下させることができる。これによ
り、加熱処理の設定温度が高い基板と低い基板とが連続
して供給される場合でも、基板支持プレート３１の上面
温度を素早く変化させて加熱処理を行うことができる。
のペルチェ素子３５および水冷ジャケット３６を設ける
ことにより、所定温度に昇温された基板支持プレート３
１の温度を迅速に低下させることができる。これによ
り、加熱処理の設定温度が高い基板と低い基板とが連続
して供給される場合でも、基板支持プレート３１の上面
温度を素早く変化させて加熱処理を行うことができる。
【００５６】図６は本発明の第２の実施例による加熱プ
レートの断面図である。図６の実施例による加熱プレー
ト１は、図２の加熱プレート１の構成に対し、主加熱部
３３の冷却手段の構成が異なる。すなわち、主加熱部３
３の放熱プレート３３ｃの下面には、空冷ジャケット５
３が設けられている。空冷ジャケット５３は良伝熱性の
板状部材の内部に圧縮空気を通過させる空気通路５４が
形成されている。空気通路５４は、循環管路５６を介し
て基板加熱装置が配置される工場の給気設備５２に接続
されている。循環管路５６の途中には開閉制御弁５７が
設けられている。この開閉制御弁５７の開閉動作により
空冷ジャケット５３の空気通路５４への圧縮空気の供給
が制御される。また、空冷ジャケット５３の板状部材の
下面には放熱フィン５５が設けられている。
レートの断面図である。図６の実施例による加熱プレー
ト１は、図２の加熱プレート１の構成に対し、主加熱部
３３の冷却手段の構成が異なる。すなわち、主加熱部３
３の放熱プレート３３ｃの下面には、空冷ジャケット５
３が設けられている。空冷ジャケット５３は良伝熱性の
板状部材の内部に圧縮空気を通過させる空気通路５４が
形成されている。空気通路５４は、循環管路５６を介し
て基板加熱装置が配置される工場の給気設備５２に接続
されている。循環管路５６の途中には開閉制御弁５７が
設けられている。この開閉制御弁５７の開閉動作により
空冷ジャケット５３の空気通路５４への圧縮空気の供給
が制御される。また、空冷ジャケット５３の板状部材の
下面には放熱フィン５５が設けられている。
【００５７】空冷ジャケット５３は、基板支持プレート
３１の降温動作時に動作する。基板支持プレート３１の
温度を降温する場合には、メインコントローラ４８が開
閉制御弁５７を開放し、空冷ジャケット５３の空気通路
５４に圧縮空気を供給して循環させる。基板支持プレー
ト３１の熱は主加熱部３３を通り、空冷ジャケット５３
に導かれ、圧縮空気５４によって外部に排出される。こ
れにより、基板支持プレート３１の温度が所定の温度に
まで速やかに低下される。
３１の降温動作時に動作する。基板支持プレート３１の
温度を降温する場合には、メインコントローラ４８が開
閉制御弁５７を開放し、空冷ジャケット５３の空気通路
５４に圧縮空気を供給して循環させる。基板支持プレー
ト３１の熱は主加熱部３３を通り、空冷ジャケット５３
に導かれ、圧縮空気５４によって外部に排出される。こ
れにより、基板支持プレート３１の温度が所定の温度に
まで速やかに低下される。
【００５８】なお、上記の基板加熱装置の構成におい
て、基板支持プレート３１が本発明の基板支持台に相当
し、主加熱部３３が加熱部に相当し、空冷ジャケット５
３が冷却部および冷却部材に相当し、補助加熱部３２が
熱交換手段に相当する。
て、基板支持プレート３１が本発明の基板支持台に相当
し、主加熱部３３が加熱部に相当し、空冷ジャケット５
３が冷却部および冷却部材に相当し、補助加熱部３２が
熱交換手段に相当する。
【００５９】また、上記第１および第２の実施例による
加熱プレート１の主加熱部３３は、板状の伝熱部材の内
部にヒータを埋設した発熱部材を用いたものであっても
よい。
加熱プレート１の主加熱部３３は、板状の伝熱部材の内
部にヒータを埋設した発熱部材を用いたものであっても
よい。
【図１】本発明による基板加熱装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例による加熱プレートの断
面図である。
面図である。
【図３】図２の加熱プレートの有する基板加熱装置の温
度設定動作のフローチャートである。
度設定動作のフローチャートである。
【図４】高速昇温動作のフローチャートである。
【図５】図４の高速昇温動作における基板の温度変化を
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明の第２の実施例による加熱プレートの断
面図である。
面図である。
【図７】従来の基板加熱装置の主要部の構成を示す模式
図である。
図である。
【図８】図７の基板加熱装置における基板の熱履歴を示
す図である。
す図である。
１ 加熱プレート ３１ 基板支持プレート ３２ 補助加熱部 ３３ 主加熱部 ３３ａ 中間プレート ３３ｂ ヒータ ３３ｃ 放熱プレート ３５ 冷却用のペルチェ素子 ３６ 水冷ジャケット ３７ 冷却水通路 ５３ 空冷ジャケット ５４ 空気通路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久井 章博 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 松永 実信 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 小林 寛 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板を所定の温度で処理する基板熱処理
装置であって、 基板を支持する基板支持台と、 前記基板支持台の下方に配置され、前記基板支持台上の
前記基板を加熱する加熱部と、 前記加熱部の下方に配置された冷却部と、 前記基板支持台と前記加熱部との間に配置され、前記基
板支持台と前記加熱部との間の熱交換を行う第１の熱交
換手段と、 前記加熱部と前記冷却部との間に配置され、前記加熱部
と前記冷却部との間の熱交換を行う第２の熱交換手段と
を備えたことを特徴とする基板熱処理装置。 - 【請求項２】 前記第１および第２の熱交換手段がペル
チェ素子であることを特徴とする請求項１記載の基板熱
処理装置。 - 【請求項３】 前記冷却部は、前記第２の熱交換手段の
下面に接して配置されかつ内部に冷却水を通過させる通
路が形成された冷却部材からなることを特徴とする請求
項１または２記載の基板熱処理装置。 - 【請求項４】 基板を所定の温度で処理する基板熱処理
装置であって、 基板を支持する基板支持台と、 前記基板支持台の下方に配置され、前記基板支持台上の
前記基板を加熱する加熱部と、 前記加熱部の下方に配置され、前記加熱部を冷却する冷
却部と、 前記基板支持台と前記加熱部との間に配置され、前記基
板支持台と前記加熱部との間の熱交換を行う熱交換手段
とを備えたことを特徴とする基板熱処理装置。 - 【請求項５】 前記熱交換手段がペルチェ素子であるこ
とを特徴とする請求項４記載の基板熱処理装置。 - 【請求項６】 前記冷却部は、前記加熱部の下面に接し
かつ内部に空気を通過させる通路が形成された冷却部材
からなることを特徴とする請求項４または５記載の基板
熱処理装置。 - 【請求項７】 前記加熱部は、ヒータと、前記ヒータの
上面側および下面側に積層された上部および下部伝熱部
材とからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載の基板熱処理装置。 - 【請求項８】 前記加熱部は、内部にヒータが埋設され
た発熱部材からなることを特徴とする請求項１〜６のい
ずれかに記載の基板熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14049297A JP3665826B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 基板熱処理装置 |
| KR1019980019086A KR100299418B1 (ko) | 1997-05-29 | 1998-05-26 | 기판열처리장치및방법 |
| US09/085,631 US6080969A (en) | 1997-05-29 | 1998-05-27 | Apparatus for and method of thermally processing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14049297A JP3665826B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 基板熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335209A true JPH10335209A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3665826B2 JP3665826B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=15269888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14049297A Expired - Fee Related JP3665826B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 基板熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6080969A (ja) |
| JP (1) | JP3665826B2 (ja) |
| KR (1) | KR100299418B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1140473A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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