JPH10335214A - 半導体装置の製造ライン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学増幅型レジストを用いる場合、塗布〜露
光迄、露光〜現像迄を所定時間内に行う必要性から、塗
布、露光、現像の各装置が１台ずつで構成されたフォト
リソグラフィーラインでは、いずれかの装置が停止した
場合にライン全体が停止することになり、生産量の確保
が困難であった。 【解決手段】 ウエハにレジストを塗布してレジスト膜
を形成する塗布装置１１，１２と、塗布したレジスト膜
に露光を行う露光装置４１と、露光したレジスト膜を現
像する現像装置２１，２２とで構成される半導体装置の
製造ラインであって、例えば２台の塗布装置１１，１
２、および２台の現像装置２１，２２が配置されている
もので、塗布、露光、現像の各装置のうち、例えば故障
し易い装置が複数台配置されているものであり、好まし
くは各装置が複数台ずつ配置されている製造ラインであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
ラインに関し、詳しくはフォトリソグラフィー工程を行
う半導体装置の製造ラインに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のフォトリソグラフィー工程を行う
半導体装置の製造ラインでは、ウエハ表面にレジストを
供給してレジスト膜を形成する１台の塗布装置と、塗布
装置でウエハに形成したレジスト膜に露光を行う１台の
露光装置（例えばステッパ）と、露光装置で露光された
レジスト膜を現像する１台の現像装置とで１ユニットを
構成していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の半導体装置の製造ラインでは、塗布装置、露光装
置、現像装置のうち、例えば現像装置が停止すると、１
ユニット分の製造ラインが停止することになり、半導体
装置の製造が出来なくなる。このように、製造ラインの
一部の装置が停止しただけで製造ラインの１ユニット全
体が停止することになる。しかも、近年のフォトリソグ
ラフィーラインでは、レジストに化学増幅型レジストを
用いているため、塗布装置によりウエハ表面にレジスト
膜を形成してから、そのレジスト膜を露光装置により露
光する迄の時間が所定時間内でないと、現像後のレジス
トパターン寸法がウエハ毎に異なるという課題があっ
た。また、露光装置によりレジスト膜を露光してから、
そのレジスト膜を現像装置により現像する迄の時間が所
定時間内でないと、現像後のレジストパターン寸法がウ
エハ毎に異なるという課題もあった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた半導体装置の製造ラインである。
すなわち、ウエハにレジストを塗布してレジスト膜を形
成する塗布装置と、該ウエハのレジスト膜を露光する露
光装置と、露光したレジスト膜を現像する現像装置とで
構成される半導体装置の製造ラインであって、塗布装
置、露光装置および現像装置のうち、少なくとも１種類
の装置は複数台配置されている製造ラインである。

【０００５】上記製造ラインでは、塗布装置、露光装置
および現像装置のうち、少なくとも１種類の装置は複数
台配置されていることから、例えば塗布装置が複数台配
置されている構成の製造ラインでは、１台の塗布装置が
故障やメンテナンス等で停止しても他の塗布装置によっ
てレジスト膜の形成が可能になるので、製造ラインの停
止が防止される。同様に、例えば露光装置が複数台配置
されている構成の製造ラインでは、１台の露光装置が故
障やメンテナンス等で停止しても他の露光装置によって
レジスト膜の露光が可能になるので、製造ラインの停止
が防止される。同様に、例えば現像装置が複数台配置さ
れている構成の製造ラインでは、１台の現像装置が故障
やメンテナンス等で停止しても他の現像装置によってレ
ジスト膜の現像が可能になるので、製造ラインの停止が
防止される。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の半導体装置の製造ライン
に係わる第１実施形態の一例を、図１の概略構成図によ
って説明する。図１では、半導体装置の製造ラインとし
て、フォトリソグラフィーラインを示す。

【０００７】図１に示すように、１台の塗布装置１１と
１台の現像装置２１との組み合わせで１ユニットの第１
レジストライン３１を構成する。同様に、１台の塗布装
置１２と１台の現像装置２２との組み合わせで１ユニッ
トの第２レジストライン３２を構成する。そして１台の
露光装置（例えばステッパ）４１に対して、ウエハ搬送
部５１を介して、２ユニットの上記第１レジストライン
３１と第２レジストライン３２とを設けることで、フォ
トリソグラフィーライン１を構成する。

【０００８】上記塗布装置１１，１２は、図示はしない
が、例えば、ローダ、ウエハにレジストを塗布する塗布
部、ウエハを加熱することによって塗布したレジストを
硬化させるベーキング部、加熱されたウエハを冷却する
冷却部、アンローダ、装置内ウエハ搬送部等からなる。
また現像装置２１，２２は、図示はしないが、例えば、
ローダ、露光されたレジスト膜を現像する現像部（ウエ
ハに付着した現像液を洗い流すリンス部も含む）、現像
したウエハを加熱するベーキング部、加熱されたウエハ
を冷却する冷却部、アンローダ、装置内ウエハ搬送部等
からなる。

【０００９】また上記塗布装置１１，１２には、例え
ば、上記ローダ、塗布部、ベーキング部、冷却部、アン
ローダ、装置内ウエハ搬送部等の各部の動作異常を検出
する異常検出部（図示省略）が備えられている。また、
上記現像装置２１，２２には、例えば、上記ローダ、現
像部、ベーキング部、冷却部、アンローダ、装置内ウエ
ハ搬送部等の各部の動作異常を検出する異常検出部（図
示省略）が備えられている。さらに各異常検出部で検出
した異常信号を受けて、ウエハ（図示省略）の搬送、各
装置の稼働、停止等を制御する制御部８１が設置されて
いる。すなわち、上記制御部８１は、２台の塗布装置１
１，１２のうち、稼働可能な塗布装置を検出して該当す
る塗布装置にウエハ処理を指令し、２台の現像装置２
１，２２のうち、稼働可能な現像装置を検出して該当す
る現像装置にウエハ処理を指令するものであり、それと
ともに異常検出部によって検出した異常を来している装
置を把握して、その装置の稼働を停止させ、稼働可能な
装置にウエハ処理を指令するものである。なお、上記制
御部８１は、ウエハ搬送部５１に対して稼働可能な装置
へウエハを搬送する指令も行う。

【００１０】例えば一方の塗布装置１１に異常が生じた
場合には、その塗布装置１１の異常は異常検出部によっ
て検出され、異常信号が制御部８１に送られる。そして
制御部８１は、ウエハ搬送部５１または図示しない外部
搬送装置に指令してウエハ搬送部５１（または外部搬送
装置）によって異常を生じていない他方の塗布装置１２
にウエハを搬送するように指令し、かつその塗布装置１
２でウエハを処理するように指令する。それによって、
塗布装置１２でウエハが処理される。その際、制御部８
１から塗布装置１１には稼働停止の指令がなされる。そ
してオペレータには、稼働停止を例えばアラームによっ
て知らせるようにしてもよい。逆に塗布装置１２に異常
が生じている場合には、塗布装置１１によってウエハが
処理されるように指令される。

【００１１】例えば一方の現像装置２１に異常が生じた
場合には、その現像装置２１の異常検出部によって異常
が検出され、異常信号が制御部８１に送られる。そして
制御部８１は、ウエハ搬送部５１に指令してウエハ搬送
部５１によって異常を生じていない他方の現像装置２２
にウエハを搬送するように指令し、かつその現像装置２
２でウエハを処理するように指令する。それによって、
現像装置２２でウエハが処理される。その際、制御部８
１から現像装置２１には稼働停止の指令がなされる。そ
してオペレータには、稼働停止を例えばアラームによっ
て知らせるようにしてもよい。逆に現像装置２２に異常
が生じている場合には、現像装置２１によってウエハが
処理されるように指令される。

【００１２】上記第１実施形態で説明したフォトリソグ
ラフィーライン１では、通常時には第１レジストライン
３１の塗布装置１１でウエハ表面にレジスト（例えば化
学増幅型レジスト）を塗布してレジスト膜を形成する。
そしてそのウエハをウエハ搬送部５１により露光装置４
１に移送（図面では矢印アで移送経路を示す）させ、レ
ジスト膜を露光する。その後、露光したウエハをウエハ
搬送部４１により第１レジストライン３１の現像装置２
１に移送（図面では矢印イで移送経路を示す）させて、
現像を行う。

【００１３】いま、図２に示すように、例えば、第１レ
ジストライン３１の現像装置２１が何らかの理由により
停止した場合には、その異常を異常検出部が検知し、そ
の異常信号が制御部８１に送られる。異常信号を受けた
制御部８１は他方の現像装置２２にウエハ（図示省略）
を搬送して処理するように指令を行う。そのため、第１
レジストライン３１の塗布装置１１でレジスト膜を形成
し、そのウエハをウエハ搬送部５１により露光装置４１
に移送（図面では矢印カで移送経路を示す）させ、レジ
スト膜を露光する。そして露光したウエハをウエハ搬送
部５１により第２レジストライン３２の現像装置２２に
移送（図面では矢印キで移送経路を示す）して、この現
像装置２２で露光したレジスト膜の現像を行う。その
際、現像装置２１には稼働停止の指令がなされる。そし
てオペレータには、稼働停止を例えばアラームによって
知らせる。また、レジストラインそれぞれの空き状態
（例えばウエハの処理待機状態）を知らせる信号を制御
部８１に送ることでも、空いたレジストラインへ効率的
にウエハを搬送し処理することができる。

【００１４】したがって、ウエハ上に化学増幅型レジス
トを塗布してから露光装置４１で露光する迄の時間を所
定時間内に行うことができ、露光装置４１で露光してか
ら現像する迄の時間を所定時間内に行うことができる。
よって、安定した現像後のレジストパターン寸法を得る
ことができる。

【００１５】一方、図示はしないが、第１レジストライ
ン３１の塗布装置１１が何らかの理由により停止した場
合には、その異常を異常検出部が検知し、その異常信号
が制御部８１に送られる。異常信号を受けた制御部８１
は他方の塗布装置１２にウエハを搬送して処理するよう
に指令を行う。そのため、第２レジストライン３２の塗
布装置１２でレジスト膜を形成し、そのウエハをウエハ
搬送部５１により露光装置４１に移送させ、レジスト膜
を露光する。そして露光したウエハをウエハ搬送部５１
により第１レジストライン３１の現像装置２１に移送し
て、この現像装置２１で露光したレジスト膜の現像を行
う。そのため、ウエハ上に化学増幅型レジストを塗布し
てから露光装置４１で露光する迄の時間を所定時間内に
行うことができ、露光装置４１で露光してから現像する
迄の時間を所定時間内に行うことができる。よって、安
定した現像後のレジストパターン寸法を得ることができ
る。

【００１６】次に第２実施形態の一例を、図３の概略構
成図によって説明する。図３では、半導体装置の製造ラ
インとして、フォトリソグラフィーラインを示す。な
お、図３では、前記図１によって説明した構成部品と同
様のものには同一符号を付す。

【００１７】図３に示すように、１台の塗布装置１１と
１台の現像装置２１との組み合わせで１ユニットの第１
レジストライン３１を構成する。同様に、１台の塗布装
置１２と１台の現像装置２２との組み合わせで１ユニッ
トの第２レジストライン３２を構成し、さらに１台の塗
布装置１３と１台の現像装置２３との組み合わせで１ユ
ニットの第３レジストライン３３を構成する。そして複
数台（図面では２台）の露光装置（例えばステッパ）、
すなわち、第１露光装置４１と第２露光装置４２と、複
数ユニット（図面では３ユニット）の上記第１〜第３レ
ジストライン３１〜３３を交互に設け、第１，第２露光
装置４１，４２と第１〜第３レジストライン３１〜３３
とをウエハ搬送部５１で接続することで、フォトリソグ
ラフィーライン２を構成する。すなわち、上記フォトリ
ソグラフィーライン２では、第１レジストライン３１、
第１露光装置４１、第２レジストライン３２、第２露光
装置４２、第３レジストライン３３の順に配置され、第
１，第２露光装置４１，４２および第１〜第３レジスト
ライン３１〜３３を上記ウエハ搬送部５１が接続してい
る。

【００１８】また、上記塗布装置１１〜１３、上記現像
装置２１〜２３の各構成は、第１実施形態で説明したの
と同様の構成をなしている。

【００１９】また上記塗布装置１１〜１３には、図示は
しないが、例えば、上記ローダ、塗布部、ベーキング
部、冷却部、アンローダ、装置内ウエハ搬送部等の各部
の動作異常を検出する異常検出部が備えられている。ま
た、上記現像装置２１〜２３には、図示はしないが、例
えば、上記ローダ、現像部、ベーキング部、冷却部、ア
ンローダ、装置内ウエハ搬送部等の各部の動作異常を検
出する異常検出部（図示省略）が備えられている。さら
に各異常検出部で検出した異常信号を受けて、ウエハの
搬送、各装置の稼働、停止等を制御する制御部８１が設
置されている。すなわち、上記制御部８１は、３台の塗
布装置１１〜１３のうち、稼働可能な塗布装置を検出し
て該当する塗布装置にウエハ処理を指令し、２台の露光
装置４１，４２のうち、稼働可能な露光装置を検出して
該当する露光装置にウエハ処理を指令し、３台の現像装
置２１〜２３のうち、稼働可能な現像装置を検出して該
当する現像装置にウエハ処理を指令するものであり、そ
れとともに異常検出部によって検出した異常を来してい
る装置を把握して、その装置の稼働を停止させるもので
ある。なお、上記制御部８１は、ウエハ搬送部５１に対
して稼働可能な装置へウエハを搬送する指令も行う。

【００２０】例えば一方の塗布装置１１に異常が生じた
場合には、その塗布装置１１の異常検出部によって異常
が検出され、異常信号が制御部８１に送られる。そして
制御部８１は、ウエハ搬送部５１または図示しない外部
搬送装置に指令してウエハ搬送部５１（または外部搬送
装置）によって異常を生じていない例えば別の塗布装置
１２にウエハを搬送するように指令し、かつその塗布装
置１２でウエハを処理するように指令する。それによっ
て、塗布装置１２でウエハが処理される。また塗布装置
１２が稼働中または故障中である場合には、異常を生じ
ていない別の塗布装置１３にウエハを搬送するように指
令し、その塗布装置１３でウエハを処理するように指令
する。それによって、塗布装置１３でウエハが処理され
る。その際、異常信号を発した装置には制御部８１から
稼働停止の指令がなされる。そしてオペレータには、稼
働停止を例えばアラームによって知らせるようにしても
よい。

【００２１】例えば一方の現像装置２１に異常が生じた
場合には、その現像装置２１の異常検出部によって異常
が検出され、異常信号が制御部８１に送られる。そして
制御部８１は、ウエハ搬送部５１に指令してウエハ搬送
部５１によって異常を生じていない他方の現像装置２２
にウエハを搬送するように指令し、その現像装置２２で
ウエハを処理するように指令する。それによって、現像
装置２２でウエハが処理される。また現像装置２２が稼
働中または故障中である場合には、異常を生じていない
別の現像装置２３にウエハを搬送するように指令し、そ
の現像装置２３でウエハを処理するように指令する。そ
れによって、現像装置２３でウエハが処理される。その
際、異常信号を発した装置には制御部８１から稼働停止
の指令がなされる。そしてオペレータには、稼働停止を
例えばアラームによって知らせるようにしてもよい。

【００２２】また、各装置の操作性を高めるために、第
１，第２露光装置４１，４２をオペレータが操作するた
めの操作部６１，６２および第１〜第３レジストライン
３１〜３３をオペレータが操作するための操作部７１〜
７３は同一方向側に設置されている。

【００２３】上記第２実施形態で説明したフォトリソグ
ラフィーライン２では、通常時には第１レジストライン
３１の塗布装置１１でウエハ表面にレジスト（例えば化
学増幅型レジスト）を塗布してレジスト膜を形成する。
そしてそのウエハをウエハ搬送部５１により第１露光装
置４１に移送させ、レジスト膜を露光する。その後、露
光したウエハをウエハ搬送部５１により現像装置２１に
移送させて、現像を行う。それとともに、第２レジスト
ライン３２の塗布装置１２でウエハ表面にレジスト（例
えば化学増幅型レジスト）を塗布してレジスト膜を形成
する。そしてそのウエハをウエハ搬送部５１により第２
露光装置４２に移送させ、レジスト膜を露光する。その
後、露光したウエハをウエハ搬送部５１により第２レジ
ストライン３２現像装置２２に移送させて、現像を行
う。

【００２４】いま、第１レジストライン３１の塗布装置
１１または現像装置２１が何らかの理由により停止した
場合、例えば塗布装置１１が停止した場合には、その異
常を異常検出部が検知し、その異常信号が制御部８１に
送られる。異常信号を受けた制御部８１は稼働していな
い第３レジストライン３３の塗布装置１３にウエハを搬
送して処理するように指令を行う。したがって、塗布装
置１３でレジスト膜を形成し、そのウエハをウエハ搬送
部５１により第１露光装置４１に移送させ、レジスト膜
を露光する。

【００２５】また、例えば第１レジストライン３１の現
像装置２１が停止した場合には、その異常を異常検出部
が検知し、その異常信号が制御部８１に送られる。異常
信号を受けた制御部８１は稼働していない第３レジスト
ライン３３の現像装置２３にウエハを搬送して処理する
ように指令を行う。したがって、露光されたレジスト膜
は現像装置２３で現像される。また第２レジストライン
３２の塗布装置１２または現像装置２２が何らかの理由
により停止した場合も第３レジストライン３３の塗布装
置１３または現像装置２３を用いてウエハ処理を行えば
よい。

【００２６】さらに、第１レジストライン３１の現像装
置２１（または塗布装置１１）と第２レジストライン３
２の現像装置２２（または塗布装置１２）が何らかの理
由により停止した場合、例えば第１，第２レジストライ
ン３１，３２の各現像装置２１，２２が停止した場合に
は、その異常を異常検出部が検知し、その異常信号が制
御部８１に送られる。異常信号を受けた制御部８１は稼
働していない第３レジストライン３３の現像装置２３に
ウエハを搬送して処理するように指令を行う。したがっ
て、露光されたレジスト膜は現像装置２３で現像され
る。例えば、ウエハ１枚当たりの露光時間に対してウエ
ハ１枚当たりの現像時間が半分程度であるとする。この
場合には、第１，第２露光装置４１，４２の稼働タイミ
ングを調節しながら、第３レジストライン３３の現像装
置２３で第１，第２露光装置４１，４２で露光したレジ
スト膜の現像を行えばよい。

【００２７】また、例えば第１，第２レジストライン３
１，３２の各塗布装置１１，１２が停止した場合には、
第３レジストライン３３の塗布装置１３でウエハ表面に
レジスト膜を形成する。例えば、ウエハ１枚当たりの露
光時間に対してウエハ１枚当たりのレジスト膜形成時間
は半分程度であるとする。この場合には、第１，第２露
光装置４１，４２の稼働タイミングを調節しながら、第
３レジストライン３３の塗布装置１３でレジスト膜の形
成を行えばよい。すなわち、第３レジストライン３３の
塗布装置１３で複数のウエハに順次休みなくレジスト膜
を形成すればよい。

【００２８】したがって、ウエハ上に化学増幅型レジス
トを塗布してから第１，第２露光装置４１，４２で露光
する迄の時間を所定時間内に行うことができる。さらに
第１，第２露光装置４１，４２で露光してから現像する
迄の時間を所定時間内に行うことができる。したがっ
て、安定した現像後のレジストパターン寸法を得ること
ができる。また、上記フォトリソグラフィーライン２で
は、第１〜第３レジストライン３１〜３３の各操作部６
１〜６３および第１，第２露光装置４１，４２の各操作
部７１，７２は同一方向側に設置されていることから、
各装置の操作性が向上される。そのため、オペレータの
移動時間が短縮され、作業性の向上が図れる。

【００２９】なお、上記第１実施形態では２台の塗布装
置と１台の露光装置と２台の現像装置の組み合わせで製
造ラインを構成し、上記第２実施形態では３台の塗布装
置と２台の露光装置と３台の現像装置の組み合わせで製
造ラインを構成したが、製造ラインを構成する各装置の
組み合わせは、塗布装置と露光装置と現像装置とが含ま
れていれば、いずれの装置が複数台であってもよいが、
故障し易い装置は複数台設ける必要がある。

【００３０】したがって、各装置の台数の組み合わせ
は、塗布装置が複数台、露光、現像装置が各１台とい
う組み合わせ、塗布、現像装置が各１台、露光装置が
複数台という組み合わせ、塗布、露光装置が各１台、
現像装置が複数台という組み合わせ、塗布、露光装置
が各複数台、現像装置が１台という組み合わせ、第１
実施形態のように塗布、現像装置が各複数台、露光装置
が１台という組み合わせ、塗布装置が１台、露光、現
像装置が各複数台という組み合わせ、第２実施形態の
ように塗布、露光、現像装置ともに各複数台という組み
合わせがある。そして、例えば、塗布、現像装置が故障
し易いとすれば、それらを複数台設けることが好まし
い。

【００３１】上記製造ラインのスループットは、通常、
露光装置のスループットに依存して決まる。例えば、ウ
エハ１枚当たり塗布工程にかかる時間は１分半〜２分半
程度であり、露光工程にかかる時間はショット数にもよ
るが３分〜６分程度である。また現像工程にかかる時間
は２分〜３分程度である。このように、各装置における
ウエハ１枚当たりの処理時間が異なるため、例えば露光
装置２台〜３台に対して塗布装置および現像装置が各１
台〜２台の配置とすることが好ましい。今、故障が生じ
やすい装置が例えば塗布装置および現像装置であるとす
ると、塗布装置および現像装置を複数台とすることが好
ましい。そこで、効率よく塗布、露光、現像の各工程を
行うには、例えば、３台の露光装置と２台の塗布装置と
２台の現像装置とで製造ラインを構成することである。

【００３２】なお、上記最適な組み合わせは、ウエハに
対して施される工程の種類によって、塗布、露光、現像
の各処理時間等が変わってくるため、上記各装置の組み
合わせ以外にも、塗布、露光、現像の各処理時間等によ
って各装置の最適な組み合わせは存在する。

【００３３】次に第３実施形態の一例を、図４の概略構
成図によって説明する。図４では、半導体装置の製造ラ
インとして、フォトリソグラフィーラインを示す。な
お、図４では、前記図３によって説明した構成部品と同
様のものには同一符号を付す。

【００３４】図４に示すように、複数台（図面では４
台）の第１〜第４塗布装置１１〜１４）と複数台（図面
では４台）の第１〜第４現像装置２１〜２４）とをウエ
ハ搬送部５１〜５８を介して、露光装置（例えばステッ
パ）４１の周りに、交互に設けることで、フォトリソグ
ラフィーライン３を構成する。すなわち、上記フォトリ
ソグラフィーライン３では、中央部に露光装置４１を配
置し、その周りに、第１〜第４塗布装置１１〜１４と第
１〜第４現像装置２１〜２４とを交互に配置したもので
あり、第１〜第４塗布装置１１〜１４および第１〜第４
現像装置２１〜２４にはそれぞれにウエハ搬送部５１〜
５８が接続されている。このウエハ搬送部５１〜５８
は、例えば搬送アーム（図示省略）を備えたアーム搬送
方式によりウエハ（図示省略）を搬送する構成のもので
ある。さらに上記第１〜第４塗布装置１１〜１４と第１
〜第４現像装置２１〜２４とには外部工程よりウエハを
搬送するまたは外部工程へウエハを搬送する外部搬送装
置９１が設けられている。なお、上記露光装置４１は複
数台の露光装置で構成することも可能である。

【００３５】さらに上記塗布装置１１〜１４、上記現像
装置２１〜２４の各構成は、第１実施形態で説明した塗
布装置、現像装置と同様の構成をなしている。また上記
塗布装置１１〜１４には、図示はしないが、例えば、上
記ローダ、塗布部、ベーキング部、冷却部、アンロー
ダ、装置内ウエハ搬送部等の各部の動作異常を検出する
異常検出部（図示省略）が備えられている。また、上記
現像装置２１〜２４には、図示はしないが、例えば、上
記ローダ、現像部、ベーキング部、冷却部、アンロー
ダ、装置内ウエハ搬送部等の各部の動作異常を検出する
異常検出部（図示省略）が備えられている。さらに各異
常検出部で検出した異常信号を受けて、ウエハの搬送、
各装置の稼働、停止等を制御する制御部８１が設置され
ている。なお、図面では代表して塗布装置１１、現像装
置２１および露光装置４１との接続を図示し、制御部８
１と塗布装置１２〜１４、現像装置２２〜２４との接続
の図示は省略した。すなわち、上記制御部８１は、４台
の塗布装置１１〜１４のうち、稼働可能な塗布装置を検
出して該当する塗布装置にウエハ処理を指令し、４台の
現像装置２１〜２４のうち、稼働可能な現像装置を検出
して該当する現像装置にウエハ処理を指令するものであ
り、それとともに異常検出部によって検出した異常を来
している装置を把握して、その装置の稼働を停止させる
ものである。なお、上記制御部８１は、ウエハ搬送部５
１〜５８および外部搬送装置９１に対して稼働可能な装
置へウエハを搬送する指令も行う。また図面では代表し
て制御部８１とウエハ搬送部５１，５２および外部搬送
装置９１との接続を図示し、制御部８１とウエハ搬送部
５３〜５８との接続の図示は省略した。

【００３６】例えば塗布装置１１に異常が生じた場合に
は、その塗布装置１１の異常検出部によって異常が検出
され、異常信号が制御部８１に送られる。そして制御部
８１は、停止中でかつ異常を生じていない例えば別の塗
布装置、例えば塗布装置１２にウエハを搬送するように
外部搬送装置９１に指令し、その塗布装置１２でウエハ
を処理するように指令する。それによって、塗布装置１
２でウエハが処理される。また塗布装置１２が稼働中ま
たは故障中である場合には、異常を生じていない別の塗
布装置１３にウエハを搬送するように指令し、その塗布
装置１３でウエハを処理するように指令する。それによ
って、塗布装置１３でウエハが処理される。さらに塗布
装置１３が稼働中または故障中である場合には、異常を
生じていない別の塗布装置１４にウエハを搬送するよう
に指令し、その塗布装置１４でウエハを処理するように
指令する。それによって、塗布装置１４でウエハが処理
される。その際、異常信号を発した装置には制御部８１
から稼働停止の指令がなされる。そしてオペレータに
は、稼働停止を例えばアラームによって知らせるように
してもよい。

【００３７】また、例えば現像装置２１に異常が生じた
場合には、その現像装置２１の異常検出部によって異常
が検出され、異常信号が制御部８１に送られる。そして
制御部８１は、停止中でかつ異常を生じていない例えば
別の現像装置２２にウエハを搬送するようにウエハ搬送
部５２に指令し、かつその現像装置２２でウエハを処理
するように指令する。それによって、現像装置２２でウ
エハが処理される。また現像装置２２が稼働中または故
障中である場合には、異常を生じていない別の現像装置
２３にウエハを搬送するようにウエハ搬送部５３に指令
し、かつその現像装置２３でウエハを処理するように指
令する。それによって、現像装置２３でウエハが処理さ
れる。さらに現像装置２３が稼働中または故障中である
場合には、異常を生じていない別の現像装置２４にウエ
ハを搬送するようにウエハ搬送部５４に指令し、かつそ
の現像装置２４でウエハを処理するように指令する。そ
れによって、現像装置２４でウエハが処理される。その
際、異常信号を発した装置には制御部８１から稼働停止
の指令がなされる。そしてオペレータには、稼働停止を
例えばアラームによって知らせるようにしてもよい。

【００３８】上記説明したように、制御部８１は、順
次、稼働可能な装置を検索して抽出し、稼働可能な装置
でウエハ処理を行うように指令するものである。そし
て、稼働可能な装置が内場合には、タイミングを見計ら
って塗布の開始時間を調整して、露光、現像が円滑に進
行するように時間調整を行うことも可能とする。

【００３９】上記第３実施形態で説明したフォトリソグ
ラフィーライン３では、図示されていない搬送ラインよ
りウエハが搬送されてくると、稼働していない塗布装
置、例えば第１塗布装置１１を選択して、その第１塗布
装置１１にウエハを移送する。そしてこの第１塗布装置
１１でウエハ表面にレジスト（例えば化学増幅型レジス
ト）を塗布してレジスト膜を形成する。そしてそのウエ
ハを第１塗布装置１１に接続されているウエハ搬送部５
１により露光装置４１に移送させ、レジスト膜を露光す
る。その後、露光したウエハを稼働していない現像装
置、例えば第１現像装置２１を選択して、その第１現像
装置２１に接続されているウエハ搬送部５２によって第
１現像装置２１にウエハを移送する。そして第１現像装
置２１によりレジスト膜の現像を行う。

【００４０】搬送ラインよりウエハが搬送されてきたと
き、第１塗布装置１１が稼働中であれば、例えば第２塗
布装置１２にウエハを搬送してレジスト膜を形成する。
このように、順次、稼働していない塗布装置にウエハを
搬送してレジスト膜の形成を行う。同様に、露光装置４
１によってレジスト膜の露光が終了したとき、第１現像
装置２１が稼働中であれば、例えば第２現像装置２１に
ウエハを搬送してレジスト膜を現像する。このように、
順次、稼働していない現像装置にウエハを搬送してレジ
スト膜の現像を行う。

【００４１】いま、１台の塗布装置または現像装置が何
らかの理由により停止した場合には、例えば第１塗布装
置１１が停止した場合には、残りの第２〜第４塗布装置
１２〜１４のうちの稼働していない塗布装置が選択され
てウエハが移送される。同様に、例えば第１現像装置２
１が停止した場合には、残りの第２〜第４現像装置２２
〜２４のうちの稼働していない現像装置が選択されてウ
エハが移送される。

【００４２】したがって、ウエハ上に化学増幅型レジス
トを塗布してから露光装置４１で露光する迄の時間を所
定時間内に行うことができる。さらに露光装置４１で露
光してから現像する迄の時間を所定時間内に行うことが
できる。したがって、安定した現像後のレジストパター
ン寸法を得ることができる。また、上記フォトリソグラ
フィーライン３では、露光装置４１と第１〜第４塗布装
置１１〜１４および第１〜第４現像装置２１〜２４との
間の個々に対応してウエハ搬送部５１〜５８が接続され
ていることから、ウエハ搬送時間が短縮され、作業性の
向上が図れる。

【００４３】なお、上記第２，第３実施形態では、制御
部８１によって露光装置４１，４２の制御は行っていな
いが、制御部８１によって露光装置４１，４２の稼働、
停止等の制御を行うことも可能である。その場合には各
露光装置４１，４２に異常検出部（図示省略）を設置
し、その異常検出部で検出された異常信号が制御部８１
に送られるように構成する。例えばある露光装置（例え
ば露光装置４１）に異常が検出されたら、制御部８１に
よって異常を発生していない別の露光装置（例えば露光
装置４２）によって露光が行えるように制御するもので
ある。

【００４４】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
塗布装置、露光装置および現像装置のうち、少なくとも
１種類の装置は複数台配置されているので、複数台配置
されている装置の１台が故障やメンテナンス等で停止し
ても複数台配置されている他の装置によって処理が可能
になる。そのため、製造ラインの停止が防止できる。よ
って、塗布装置、露光装置および現像装置の各装置が複
数台配置されている製造ラインでは、レジスト塗布後、
常時直ぐに露光することができるのでレジスト塗布後か
ら露光迄の待ち時間がなくなる。また露光後、常時直ぐ
に現像することが出来るので露光後から現像迄の待ち時
間がなくなる。その結果、化学増幅型レジストのような
経時変化し易いレジストを用いても、現像後のレジスト
パターン寸法がウエハ間で大きく異なることがなくなる
ので、製品の品質の向上、歩留りの向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造ラインに係わる第１
実施形態の概略構成図である。

【図２】第１実施形態の動作の説明図である。

【図３】半導体装置の製造ラインに係わる第２実施形態
の概略構成図である。

【図４】半導体装置の製造ラインに係わる第３実施形態
の概略構成図である。

【符号の説明】

１１，１２ 塗布装置 ２１，２２ 現像装置 ４１ 露光装置

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハにレジストを塗布してレジスト膜
   を形成する塗布装置と、該ウエハのレジスト膜を露光す
   る露光装置と、露光したレジスト膜を現像する現像装置
   とで構成される半導体装置の製造ラインであって、 前記露光装置に対して前記塗布装置は少なくとも複数台
   配置されていることを特徴とする半導体装置の製造ライ
   ン。
2. 【請求項２】 ウエハにレジストを塗布してレジスト膜
   を形成する塗布装置と、該ウエハのレジスト膜を露光す
   る露光装置と、露光したレジスト膜を現像する現像装置
   とで構成される半導体装置の製造ラインであって、 前記露光装置は少なくとも複数台配置されていることを
   特徴とする半導体装置の製造ライン。
3. 【請求項３】 ウエハにレジストを塗布してレジスト膜
   を形成する塗布装置と、該ウエハのレジスト膜を露光す
   る露光装置と、露光したレジスト膜を現像する現像装置
   とで構成される半導体装置の製造ラインであって、 前記露光装置に対して前記現像装置は少なくとも複数台
   配置されていることを特徴とする半導体装置の製造ライ
   ン。
4. 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造ライン
   において、 前記露光装置に対して前記現像装置は少なくとも複数台
   配置されていることを特徴とする半導体装置の製造ライ
   ン。
5. 【請求項５】 請求項１、請求項３または請求項４記載
   の半導体装置の製造ラインにおいて、 前記露光装置は少なくとも複数台配置されていることを
   特徴とする半導体装置の製造ライン。
6. 【請求項６】 請求項１〜請求項５のうちの１項に記載
   の半導体装置の製造ラインにおいて、 複数台の塗布装置が配置されている製造ラインでは、稼
   働可能な塗布装置を検出して該当する塗布装置にウエハ
   処理を指令し、 かつ複数台の露光装置が配置されている製造ラインで
   は、稼働可能な露光装置を検出して該当する露光装置に
   ウエハ処理を指令し、 かつ複数台の現像装置が配置されている製造ラインで
   は、稼働可能な現像装置を検出して該当する現像装置に
   ウエハ処理を指令する制御部を備えたことを特徴とする
   半導体装置の製造ライン。
7. 【請求項７】 請求項１〜請求項６のうちの１項に記載
   の半導体装置の製造ラインにおいて、 前記各装置は並列配置され、かつ各装置の操作部は同一
   方向側に配置されていることを特徴とする半導体装置の
   製造ライン。
8. 【請求項８】 請求項１〜請求項６のうちの１項に記載
   の半導体装置の製造ラインにおいて、 前記各塗布装置と前記各現像装置は前記露光装置を中心
   にしてその露光装置の周囲に配置されていることを特徴
   とする半導体装置の製造ライン。