JPH10335361A - 樹脂封止用金型並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止用金型並びに半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH10335361A JPH10335361A JP9139996A JP13999697A JPH10335361A JP H10335361 A JPH10335361 A JP H10335361A JP 9139996 A JP9139996 A JP 9139996A JP 13999697 A JP13999697 A JP 13999697A JP H10335361 A JPH10335361 A JP H10335361A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒートスプレッダーが位置ずれを起こす為、放
熱性が低下し、内部リードとのショートが発生する。 【解決手段】キャビティ２を有する下金１Ａと上金型１
Ｂとからなり、下金型のキャビティ内にヒートスプレッ
ダー４Ａをおき、半導体チップ６が固着されたリードフ
レームのアイランド５をこのヒートスプレッダー４Ａ上
に載せ、リードフレームの外部リード７を前記下金型と
上金型とではさみ樹脂１０を導入する樹脂封止用金型に
おいて、下金型のキャビティの底面部にヒートスプレッ
ダー４Ａの最下面を固定するための溝３Ａを設ける。
熱性が低下し、内部リードとのショートが発生する。 【解決手段】キャビティ２を有する下金１Ａと上金型１
Ｂとからなり、下金型のキャビティ内にヒートスプレッ
ダー４Ａをおき、半導体チップ６が固着されたリードフ
レームのアイランド５をこのヒートスプレッダー４Ａ上
に載せ、リードフレームの外部リード７を前記下金型と
上金型とではさみ樹脂１０を導入する樹脂封止用金型に
おいて、下金型のキャビティの底面部にヒートスプレッ
ダー４Ａの最下面を固定するための溝３Ａを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止用金型並
びに半導体装置及びその製造方法に関する。
びに半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】封止樹脂によるパッケージを用いヒート
スプレッダーを備えた半導体装置の製造方法について図
６及び図７を用いて説明する。
スプレッダーを備えた半導体装置の製造方法について図
６及び図７を用いて説明する。
【０００３】まず図６に示すように、キャビティー２Ａ
を有する下金型１Ａ内に、パッケージの放熱性を向上さ
せるためのヒートスプレッダー４を置き、この上に半導
体チップ６が固着されたリードフレームのアイランド５
を載せ、リードフレームの内部リード８と一体的に形成
された外部リード７を下金型１Ａと上金型１Ｂとではさ
み、次いで樹脂１０をキャビティー内に導入し封止す
る。
を有する下金型１Ａ内に、パッケージの放熱性を向上さ
せるためのヒートスプレッダー４を置き、この上に半導
体チップ６が固着されたリードフレームのアイランド５
を載せ、リードフレームの内部リード８と一体的に形成
された外部リード７を下金型１Ａと上金型１Ｂとではさ
み、次いで樹脂１０をキャビティー内に導入し封止す
る。
【０００４】次に図７に示すように、パッケージを金型
からはずし外部リード７にメッキを施し所望の形状に切
断し成形する。この半導体装置は実装基板１１に搭載さ
れ、外部リード７は実装基板上の配線１２に接続され
る。尚、図６、図７において９はワイヤーである。
からはずし外部リード７にメッキを施し所望の形状に切
断し成形する。この半導体装置は実装基板１１に搭載さ
れ、外部リード７は実装基板上の配線１２に接続され
る。尚、図６、図７において９はワイヤーである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、パッ
ケージの放熱性が悪化することである。
ケージの放熱性が悪化することである。
【０００６】その理由は、パッケージに内蔵されるヒー
トスプレッダー４のパッケージ内での位置ずれが発生し
やすくなるからである。この位置ずれにより、半導体チ
ップ６上で発生した熱の放散が悪化し、あるいはその位
置ずれのバラツキにより、放熱性のバラツキが大きくな
ってしまう。この位置ずれの原因としては、まず樹脂封
止前にヒートスプレッダー４が下金型１Ａ内に設置され
るときの位置精度、ヒートスプレッダー４が金型内に設
置されている間の金型の熱による変形、樹脂封止中の樹
脂の流動による位置ずれ等が考えられる。
トスプレッダー４のパッケージ内での位置ずれが発生し
やすくなるからである。この位置ずれにより、半導体チ
ップ６上で発生した熱の放散が悪化し、あるいはその位
置ずれのバラツキにより、放熱性のバラツキが大きくな
ってしまう。この位置ずれの原因としては、まず樹脂封
止前にヒートスプレッダー４が下金型１Ａ内に設置され
るときの位置精度、ヒートスプレッダー４が金型内に設
置されている間の金型の熱による変形、樹脂封止中の樹
脂の流動による位置ずれ等が考えられる。
【０００７】第２の問題点は、パッケージの内部配線が
ショートすることである。
ショートすることである。
【０００８】その理由は、樹脂封止中の樹脂流動により
ヒートスプレッダー４の位置ずれが発生するからであ
る。通常ヒートスプレッダー付きの樹脂封止型半導体装
置においては、放熱性を考慮してヒートスプレッダー４
はアイランド５よりも大きく形成されており、樹脂の流
動でパッケージ上方への位置ずれが発生した時には、ヒ
ートスプレッダーは容易に内部リード８と接触してしま
う。
ヒートスプレッダー４の位置ずれが発生するからであ
る。通常ヒートスプレッダー付きの樹脂封止型半導体装
置においては、放熱性を考慮してヒートスプレッダー４
はアイランド５よりも大きく形成されており、樹脂の流
動でパッケージ上方への位置ずれが発生した時には、ヒ
ートスプレッダーは容易に内部リード８と接触してしま
う。
【０００９】本発明の第１の目的は、樹脂封止工程にお
いて金型内に設置されたヒートスプレッダーを保持し、
パッケージに内蔵された時のヒートスプレッダーの位置
ずれを抑制できる樹脂封止用金型を提供することにあ
る。
いて金型内に設置されたヒートスプレッダーを保持し、
パッケージに内蔵された時のヒートスプレッダーの位置
ずれを抑制できる樹脂封止用金型を提供することにあ
る。
【００１０】本発明の第２の目的は、パッケージに内蔵
されるヒートスプレッダーの位置ずれをなくし、均一で
安定した放熱性を有する半導体装置及びその製造方法を
提供することにある。
されるヒートスプレッダーの位置ずれをなくし、均一で
安定した放熱性を有する半導体装置及びその製造方法を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明の樹脂封止型
用金型は、キャビティを有する下金型と上金型とからな
り、下金型のキャビティ内にヒートスプレッダーをお
き、半導体チップが固着されたリードフレームのアイラ
ンドをこのヒートスプレッダー上に載せ、リードフレー
ムの外部リードを前記下金型と上金型とではさみ樹脂を
導入する樹脂封止用金型において、前記下金型のキャビ
ティの底面部に前記ヒートスプレッダーの最下面部を固
定するための溝を設けたことを特徴とするものである。
用金型は、キャビティを有する下金型と上金型とからな
り、下金型のキャビティ内にヒートスプレッダーをお
き、半導体チップが固着されたリードフレームのアイラ
ンドをこのヒートスプレッダー上に載せ、リードフレー
ムの外部リードを前記下金型と上金型とではさみ樹脂を
導入する樹脂封止用金型において、前記下金型のキャビ
ティの底面部に前記ヒートスプレッダーの最下面部を固
定するための溝を設けたことを特徴とするものである。
【００１２】第２の発明の半導体装置は、ヒートスプレ
ッダー上にアイランドを介して固着された半導体チップ
と、前記アイランドの周辺部に設けられ外部リードと一
体的に形成された内部リードと、この内部リードと前記
半導体チップとを接続するワイヤーと、前記ヒートスプ
レッダーと前記半導体チップと前記内部リードと前記ワ
イヤーとを封止する樹脂とを有する半導体装置に於い
て、前記ヒートスプレッダーの最下面部は露出し封止樹
脂面より突出していることを特徴とするものである。
ッダー上にアイランドを介して固着された半導体チップ
と、前記アイランドの周辺部に設けられ外部リードと一
体的に形成された内部リードと、この内部リードと前記
半導体チップとを接続するワイヤーと、前記ヒートスプ
レッダーと前記半導体チップと前記内部リードと前記ワ
イヤーとを封止する樹脂とを有する半導体装置に於い
て、前記ヒートスプレッダーの最下面部は露出し封止樹
脂面より突出していることを特徴とするものである。
【００１３】第３の発明の半導体装置の製造方法は、下
金型のキャビティ内に設けられた溝内にヒートスプレッ
ダーの支持部を固定し、半導体チップが固着されたリー
ドフレームのアイランドをこのヒートスプレッダー上に
載せ、リードフレームの外部リードを前記下金型と上金
型とではさみ樹脂を導入し封止することを特徴とするも
のである。
金型のキャビティ内に設けられた溝内にヒートスプレッ
ダーの支持部を固定し、半導体チップが固着されたリー
ドフレームのアイランドをこのヒートスプレッダー上に
載せ、リードフレームの外部リードを前記下金型と上金
型とではさみ樹脂を導入し封止することを特徴とするも
のである。
【００１４】樹脂封止工程において、下金型内にヒート
スプレッダーを設置する際、下金型内のヒートスプレッ
ダーの設置部に、ヒートスプレッダーの最下面の形状に
添う溝を形成しておき、その溝にあわせて設置すること
により、ヒートスプレッダーが溝により固定され、樹脂
封止工程中にヒートスプレッダーが位置ずれを起こすこ
とがなくなる。
スプレッダーを設置する際、下金型内のヒートスプレッ
ダーの設置部に、ヒートスプレッダーの最下面の形状に
添う溝を形成しておき、その溝にあわせて設置すること
により、ヒートスプレッダーが溝により固定され、樹脂
封止工程中にヒートスプレッダーが位置ずれを起こすこ
とがなくなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為の半導体チップが固着されたリードフレームをセッ
トした場合の樹脂封止用金型の断面図である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為の半導体チップが固着されたリードフレームをセッ
トした場合の樹脂封止用金型の断面図である。
【００１６】第１の実施の形態の樹脂封止用金型は、キ
ャビティ２Ａを有する下金型１Ａとキャビティ２Ｂを有
する上金型１Ｂとから構成されているが、特に下金型の
１Ａのキャビティ２Ａの底面部には、熱的特性を考慮し
銅系の金属からなるヒートスプレッダー４Ａの支持部
（最下面）１４を固定するための溝３Ａが設けてある。
次にこの金型を用いて半導体チップを樹脂封止する場合
について説明する。
ャビティ２Ａを有する下金型１Ａとキャビティ２Ｂを有
する上金型１Ｂとから構成されているが、特に下金型の
１Ａのキャビティ２Ａの底面部には、熱的特性を考慮し
銅系の金属からなるヒートスプレッダー４Ａの支持部
（最下面）１４を固定するための溝３Ａが設けてある。
次にこの金型を用いて半導体チップを樹脂封止する場合
について説明する。
【００１７】まず下金型１Ａのキャビティ２Ａ内に設け
られた溝３Ａ内にヒートスプレッダー４Ａの支持部１４
を固定し、次いで半導体チップ６が固定されたリードフ
レームのアイランド５をこのヒートスプレッダー４Ａ上
に載せ、リードフレームの内部リード８と一体的に形成
された外部リード７を下金型１Ａと上金型１Ｂではさ
み、樹脂１０を導入し封止する。半導体チップ６を搭載
し外部との電気的接続を行うリードフレーム及び樹脂か
らなるパッケージの放熱効果を向上させるヒートスプレ
ッダー４Ａは、熱的特性を考慮し銅系の金属を用いる。
リードフレーム及びヒートスプレッダー４Ａは、所定の
形状にエッチング又はプレス加工により形成されてい
る。ヒートスプレッダー４Ａに関して、まずその大きさ
は、熱特性を考慮すれば出来るだけ大きくした方が良い
が、大きくし過ぎた場合膨張係数差により生じる封止樹
脂との剥離が懸念されるため、例えば□２８ｍｍのパッ
ケージであればヒートスプレッダー４Ａの大きさは□２
０〜２４ｍｍ程度が望ましい。
られた溝３Ａ内にヒートスプレッダー４Ａの支持部１４
を固定し、次いで半導体チップ６が固定されたリードフ
レームのアイランド５をこのヒートスプレッダー４Ａ上
に載せ、リードフレームの内部リード８と一体的に形成
された外部リード７を下金型１Ａと上金型１Ｂではさ
み、樹脂１０を導入し封止する。半導体チップ６を搭載
し外部との電気的接続を行うリードフレーム及び樹脂か
らなるパッケージの放熱効果を向上させるヒートスプレ
ッダー４Ａは、熱的特性を考慮し銅系の金属を用いる。
リードフレーム及びヒートスプレッダー４Ａは、所定の
形状にエッチング又はプレス加工により形成されてい
る。ヒートスプレッダー４Ａに関して、まずその大きさ
は、熱特性を考慮すれば出来るだけ大きくした方が良い
が、大きくし過ぎた場合膨張係数差により生じる封止樹
脂との剥離が懸念されるため、例えば□２８ｍｍのパッ
ケージであればヒートスプレッダー４Ａの大きさは□２
０〜２４ｍｍ程度が望ましい。
【００１８】またヒートスプレッダーの支持部１４は、
ヒートスプレッダー４Ａを支持し、樹脂封止工程時に下
金型に設置される時に保持され、かつパッケージ外部に
突出し成形された外部リードと同一平面になるような形
状を有しており、例えばその形状はＬ字型（ガルウィン
グ）に加工が施されている、。一方、樹脂封止工程で使
用される下金型１Ａの底面には、ヒートスプレッダー４
Ａの支持部１４を保持するべく、支持部に適合した所定
の溝、例えば図５（ａ）に示すような４個の溝３Ａ又は
図５（ｂ）に示すような円状の溝（又は楕円状）３Ｂが
機械加工等により施されている。
ヒートスプレッダー４Ａを支持し、樹脂封止工程時に下
金型に設置される時に保持され、かつパッケージ外部に
突出し成形された外部リードと同一平面になるような形
状を有しており、例えばその形状はＬ字型（ガルウィン
グ）に加工が施されている、。一方、樹脂封止工程で使
用される下金型１Ａの底面には、ヒートスプレッダー４
Ａの支持部１４を保持するべく、支持部に適合した所定
の溝、例えば図５（ａ）に示すような４個の溝３Ａ又は
図５（ｂ）に示すような円状の溝（又は楕円状）３Ｂが
機械加工等により施されている。
【００１９】次に第２の実施の形態としてこの金型を用
いた半導体装置の製造方法について説明する。
いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００２０】まず半導体チップ６がリードフレームのア
イランド５上に接着剤を介して搭載され、所定の半導体
チップ６上の電極パッドとリードフレームの内部リード
８のメッキを施された先端部とがＡｕ等の金属配線を介
して接続される。次の樹脂封止工程において、図１に示
したように、まずヒートスプレッダー４Ａの支持部１４
の形状に合わせて溝３Ａが形成された下金型１Ａの底面
上に、ヒートスプレッダー４Ａを溝３Ａに合わせて設置
し、続いて半導体チップ６が搭載され内部リードと接続
された状態のリードフレームの外部リード７を上下の金
型ではさみ、次いで樹脂１０を供給し封止成形を行う。
その後パッケージの外部リード７にメッキを施し、所望
の形状に切断成形する。このとき、下金型１Ａの溝３Ａ
内部に埋設されていたヒートスプレッダーの支持部１４
は、パッケージの外部に突出した構造となっている。こ
うして本発明の樹脂封止型の半導体装置が得られる。
イランド５上に接着剤を介して搭載され、所定の半導体
チップ６上の電極パッドとリードフレームの内部リード
８のメッキを施された先端部とがＡｕ等の金属配線を介
して接続される。次の樹脂封止工程において、図１に示
したように、まずヒートスプレッダー４Ａの支持部１４
の形状に合わせて溝３Ａが形成された下金型１Ａの底面
上に、ヒートスプレッダー４Ａを溝３Ａに合わせて設置
し、続いて半導体チップ６が搭載され内部リードと接続
された状態のリードフレームの外部リード７を上下の金
型ではさみ、次いで樹脂１０を供給し封止成形を行う。
その後パッケージの外部リード７にメッキを施し、所望
の形状に切断成形する。このとき、下金型１Ａの溝３Ａ
内部に埋設されていたヒートスプレッダーの支持部１４
は、パッケージの外部に突出した構造となっている。こ
うして本発明の樹脂封止型の半導体装置が得られる。
【００２１】このようにして製造された半導体装置は、
図２に示すように、実装基板１１に実装される。この時
外部リード７は実装基板１１上の配線１２に接続され
る。さらにパッケージより露出した支持部１４を実装基
板１１上の放熱用パターン１３Ａに接続できる為、放熱
性は向上したものとなる。
図２に示すように、実装基板１１に実装される。この時
外部リード７は実装基板１１上の配線１２に接続され
る。さらにパッケージより露出した支持部１４を実装基
板１１上の放熱用パターン１３Ａに接続できる為、放熱
性は向上したものとなる。
【００２２】このように本発明の金型を用いて半導体装
置を製造する場合、図１に示したように、樹脂封止工程
において、下金型１Ａ内にヒートスプレッダー４Ａを設
置する際に、ヒートスプレッダー４Ａの支持部１４は下
金型内に設けられた所定の溝３Ａにはめ込まれるように
設置され保持されている為、まずヒートスプレッダー４
Ａを供給するときの位置ずれ及びバラツキがなくなる。
また樹脂封止中に樹脂の流動によりヒートスプレッダー
４Ａがスライドしたり、上方へ持ち上げられてしまうこ
とはなくなる為、樹脂１０が硬化したときには、パッケ
ージに対するヒートスプレッダー４Ａの位置ずれはなく
なり、当初設計された正規の位置に配置することが可能
となる。これにより、パッケージ内の半導体チップの熱
に対して、安定した放熱性を確保することが可能とな
る。、またヒートスプレッダーの位置ずれにより発生す
る、内部リードとの接触といった不具合も発生しなくな
る。さらには、ヒートスプレッダー４Ａの支持部１４が
パッケージ外部へ突出すること、またその突出した部分
を実装基板１１に直接接合することにより、従来のパッ
ケージに内蔵された構造に比べ、□２８ｍｍパッケージ
で約１０％程度の熱抵抗の低減を図れることが可能とな
った。
置を製造する場合、図１に示したように、樹脂封止工程
において、下金型１Ａ内にヒートスプレッダー４Ａを設
置する際に、ヒートスプレッダー４Ａの支持部１４は下
金型内に設けられた所定の溝３Ａにはめ込まれるように
設置され保持されている為、まずヒートスプレッダー４
Ａを供給するときの位置ずれ及びバラツキがなくなる。
また樹脂封止中に樹脂の流動によりヒートスプレッダー
４Ａがスライドしたり、上方へ持ち上げられてしまうこ
とはなくなる為、樹脂１０が硬化したときには、パッケ
ージに対するヒートスプレッダー４Ａの位置ずれはなく
なり、当初設計された正規の位置に配置することが可能
となる。これにより、パッケージ内の半導体チップの熱
に対して、安定した放熱性を確保することが可能とな
る。、またヒートスプレッダーの位置ずれにより発生す
る、内部リードとの接触といった不具合も発生しなくな
る。さらには、ヒートスプレッダー４Ａの支持部１４が
パッケージ外部へ突出すること、またその突出した部分
を実装基板１１に直接接合することにより、従来のパッ
ケージに内蔵された構造に比べ、□２８ｍｍパッケージ
で約１０％程度の熱抵抗の低減を図れることが可能とな
った。
【００２３】図３は、本発明の第３の実施の形態の半導
体装置の断面図である。この第３の実施の形態では、ヒ
ートスプレッダー４Ｂの平面がパッケージ１０の表面に
露出するような形状のものを用いる。すなわち半導体装
置の下半分の樹脂厚分の厚みを有するヒートスプレッダ
ー４Ｂを用いる。この場合も図５（ｃ）に示すように、
図１に示した実施の形態と同様に、パッケージの表面に
露出する形状に合わせた形状の溝３Ｃ（彫り込み）を下
金型１Ａ表面のヒートスプレッダー４Ｂを設置する部分
に形成しておく。
体装置の断面図である。この第３の実施の形態では、ヒ
ートスプレッダー４Ｂの平面がパッケージ１０の表面に
露出するような形状のものを用いる。すなわち半導体装
置の下半分の樹脂厚分の厚みを有するヒートスプレッダ
ー４Ｂを用いる。この場合も図５（ｃ）に示すように、
図１に示した実施の形態と同様に、パッケージの表面に
露出する形状に合わせた形状の溝３Ｃ（彫り込み）を下
金型１Ａ表面のヒートスプレッダー４Ｂを設置する部分
に形成しておく。
【００２４】これらを用い、第２の実施の形態と同様な
製造方法により得られる半導体装置の場合、第２の実施
の形態と同様に露出したヒートスプレッダー４Ｂを実装
基板１１に接合する構造に加え、例えば図４に示す第４
の実施の形態のように、パッケージをキャビティダウン
構造にして、ヒートスプレッダー４Ｂ部をパッケージ表
面（上面）に露出し突出させ、この露出面にヒートシン
ク１５を取り付けることで、さらなる低熱抵抗化が実現
できる。このようなパッケージ表面にヒートスプレッダ
ー４Ｂを露出し突出させた場合、従来の内蔵した構造に
比べ、約１５〜２０％の熱抵抗の低減が図られる。
製造方法により得られる半導体装置の場合、第２の実施
の形態と同様に露出したヒートスプレッダー４Ｂを実装
基板１１に接合する構造に加え、例えば図４に示す第４
の実施の形態のように、パッケージをキャビティダウン
構造にして、ヒートスプレッダー４Ｂ部をパッケージ表
面（上面）に露出し突出させ、この露出面にヒートシン
ク１５を取り付けることで、さらなる低熱抵抗化が実現
できる。このようなパッケージ表面にヒートスプレッダ
ー４Ｂを露出し突出させた場合、従来の内蔵した構造に
比べ、約１５〜２０％の熱抵抗の低減が図られる。
【００２５】この他にも、円形のヒートスプレッダーを
使用する場合には、図５（ｂ）に示したような円形状の
溝３Ｂを形成しておけば、常に一定な位置にヒートスプ
レッダーを設置することが可能となる。
使用する場合には、図５（ｂ）に示したような円形状の
溝３Ｂを形成しておけば、常に一定な位置にヒートスプ
レッダーを設置することが可能となる。
【００２６】
【発明の効果】第１の効果は、半導体装置において安定
した放熱性が得られ、かつヒートスプレッダーの位置ず
れにより発生する配線ショート等の不具合が抑止される
ことである。
した放熱性が得られ、かつヒートスプレッダーの位置ず
れにより発生する配線ショート等の不具合が抑止される
ことである。
【００２７】その理由は、ヒートスプレッダーが下金型
に設けられた溝で保持されている為、パッケージ内で常
に安定した位置にヒートスプレッダーが設置されるから
である。
に設けられた溝で保持されている為、パッケージ内で常
に安定した位置にヒートスプレッダーが設置されるから
である。
【００２８】第２の効果は、放熱性が向上することであ
る。
る。
【００２９】その理由は、ヒートスプレッダーが半導体
装置のパッケージの外部に露出し、実装基板及びヒート
シンク等の放熱部材に接続されることで、パッケージ内
で発生した熱が逃げ易くなるためである。
装置のパッケージの外部に露出し、実装基板及びヒート
シンク等の放熱部材に接続されることで、パッケージ内
で発生した熱が逃げ易くなるためである。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為の金型
の断面図。
の断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。
体装置の断面図。
【図３】本発明の第３の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。
体装置の断面図。
【図４】本発明の第４の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。
体装置の断面図。
【図５】本発明の下金型に形成する溝の形状を示す上図
面。
面。
【図６】従来の金型を説明する為の断面図。
【図７】従来の半導体装置の一例の断面図。
１Ａ 下金型 １Ａ 上金型 ２Ａ，２Ｂ キャビティ ３Ａ〜３Ｃ 溝 ４，４Ａ，４Ｂ ヒートスプレッダー ５ アイランド ６ 半導体チップ ７ 外部リード ８ 内部リード ９ ワイヤー １０樹脂 １１ 実装基板 １２ 配線 １３Ａ，１３Ｂ 放熱用パターン １４ 支持部 １５ ヒートシンク
【手続補正書】
【提出日】平成１０年８月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明の樹脂封止用
金型は、キャビティを有する下金型と上金型とからな
り、下金型のキャビティ内にヒートスプレッダーをお
き、半導体チップが固着されたリードフレームのアイラ
ンドをこのヒートスプレッダー上に載せ、リードフレー
ムの外部リードを前記下金型と上金型とではさみ樹脂を
導入する樹脂封止用金型において、前記下金型のキャビ
ティの底面部に前記ヒートスプレッダーの支持部を固定
するための溝を設けたことを特徴とするものである。
金型は、キャビティを有する下金型と上金型とからな
り、下金型のキャビティ内にヒートスプレッダーをお
き、半導体チップが固着されたリードフレームのアイラ
ンドをこのヒートスプレッダー上に載せ、リードフレー
ムの外部リードを前記下金型と上金型とではさみ樹脂を
導入する樹脂封止用金型において、前記下金型のキャビ
ティの底面部に前記ヒートスプレッダーの支持部を固定
するための溝を設けたことを特徴とするものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ 23/36 23/36 Ｄ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (8)
- 【請求項１】 キャビティを有する下金型と上金型とか
らなり、下金型のキャビティ内にヒートスプレッダーを
おき、半導体チップが固着されたリードフレームのアイ
ランドをこのヒートスプレッダー上に載せ、リードフレ
ームの外部リードを前記下金型と上金型とではさみ樹脂
を導入する樹脂封止用金型において、前記下金型のキャ
ビティの底面部に前記ヒートスプレッダーの最下面部を
固定するための溝を設けたことを特徴とする樹脂封止用
金型。 - 【請求項２】 溝は複数個設けられている請求項１記載
の樹脂封止用金型。 - 【請求項３】 溝は矩形状に設けられている請求項１記
載の樹脂封止用金型。 - 【請求項４】 溝は円状または楕円状に設けられている
請求項１記載の樹脂封止用金型。 - 【請求項５】 ヒートスプレッダー上にアイランドを介
して固着された半導体チップと、前記アイランドの周辺
部に設けられ外部リードと一体的に形成された内部リー
ドと、この内部リードと前記半導体チップとを接続する
ワイヤーと、前記ヒートスプレッダーと前記半導体チッ
プと前記内部リードと前記ワイヤーとを封止する樹脂と
を有する半導体装置に於いて、前記ヒートスプレッダー
の最下面部は露出し封止樹脂面より突出していることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 最下面部は矩形状に形成されている請求
項５記載の半導体装置。 - 【請求項７】 ヒートスプレッダーの露出面にヒートシ
ンクが接続されている請求項５または請求項６記載の半
導体装置。 - 【請求項８】 下金型のキャビティ内に設けられた溝内
にヒートスプレッダーの支持部を固定し、半導体チップ
が固着されたリードフレームのアイランドをこのヒート
スプレッダー上に載せ、リードフレームの外部リードを
前記下金型と上金型とではさみ樹脂を導入し封止するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9139996A JPH10335361A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 樹脂封止用金型並びに半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9139996A JPH10335361A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 樹脂封止用金型並びに半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335361A true JPH10335361A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15258513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9139996A Pending JPH10335361A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 樹脂封止用金型並びに半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2012066925A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-05-12 | 日本電産サンキョー株式会社 | 電子機器 |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP9139996A patent/JPH10335361A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2012066925A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-05-12 | 日本電産サンキョー株式会社 | 電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990727 |