JPH10335389A - 半導体装置およびそれに用いるシート状封止材料 - Google Patents
半導体装置およびそれに用いるシート状封止材料Info
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- JPH10335389A JPH10335389A JP10058618A JP5861898A JPH10335389A JP H10335389 A JPH10335389 A JP H10335389A JP 10058618 A JP10058618 A JP 10058618A JP 5861898 A JP5861898 A JP 5861898A JP H10335389 A JPH10335389 A JP H10335389A
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極に
生ずる応力の緩和効果に優れ高信頼性を有する半導体装
置を提供する。 【解決手段】配線回路基板１上に、複数の接続用電極部
２，３を介して半導体素子４が搭載され、上記配線回路
基板１と半導体素子４との間の空隙が封止樹脂層５によ
って封止された半導体装置である。そして、上記封止樹
脂層５が、下記の硬化物特性（Ｘ）を備えている。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
生ずる応力の緩和効果に優れ高信頼性を有する半導体装
置を提供する。 【解決手段】配線回路基板１上に、複数の接続用電極部
２，３を介して半導体素子４が搭載され、上記配線回路
基板１と半導体素子４との間の空隙が封止樹脂層５によ
って封止された半導体装置である。そして、上記封止樹
脂層５が、下記の硬化物特性（Ｘ）を備えている。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をフェ
ースダウン構造でマザーボード、あるいはドーターボー
ド等の配線回路基板上に実装する方式による半導体装置
およびそれに用いるシート状封止材料に関するものであ
る。
ースダウン構造でマザーボード、あるいはドーターボー
ド等の配線回路基板上に実装する方式による半導体装置
およびそれに用いるシート状封止材料に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体デバイスの性能向上に伴う
要求として、半導体素子をフェースダウン構造で、配線
回路が形成されたマザーボード、あるいはドーターボー
ド等の配線回路基板に実装される方法（フリップチップ
方式、ダイレクトチップアタッチ方式等）が注目されて
いる。これは、従来から用いられている方式、例えば、
半導体素子から金ワイヤーでリードフレーム上にコンタ
クトをとりパッケージングされた形態でマザーボード、
あるいはドーターボード等の配線回路基板に実装する方
法では、配線による情報伝達の遅れ、クロストークによ
る情報伝達エラー等が生ずるという問題が発生している
ことに起因する。
要求として、半導体素子をフェースダウン構造で、配線
回路が形成されたマザーボード、あるいはドーターボー
ド等の配線回路基板に実装される方法（フリップチップ
方式、ダイレクトチップアタッチ方式等）が注目されて
いる。これは、従来から用いられている方式、例えば、
半導体素子から金ワイヤーでリードフレーム上にコンタ
クトをとりパッケージングされた形態でマザーボード、
あるいはドーターボード等の配線回路基板に実装する方
法では、配線による情報伝達の遅れ、クロストークによ
る情報伝達エラー等が生ずるという問題が発生している
ことに起因する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、上記フリップチ
ップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式においては、
互いの線膨脹係数が異なる半導体素子と上記配線回路基
板をダイレクトに電気接続を行うことから、接続部分の
信頼性が問題となっている。この対策としては、半導体
素子と上記配線回路基板との空隙に液状樹脂材料を注入
し硬化させて樹脂硬化体を形成し、電気接続部に集中す
る応力を上記樹脂硬化体にも分散させることにより接続
信頼性を向上させる方法が採られている。しかしなが
ら、上記液状樹脂材料による半導体素子と配線回路基板
の間の空隙への充填は、液状樹脂材料の毛細管効果を利
用することによって行われるものであるため、液状樹脂
材料の粘度を低い値に設定する必要がある。したがっ
て、低粘度の材料を得るために、材料選定の幅が狭ま
り、低応力効果の高いゴム成分や、信頼性の高いフェノ
ール樹脂等の使用が困難な状況であった。その結果、応
力緩和効果の高い樹脂封止を行うことが難しく高信頼性
の高いものが得られ難かった。さらに、上記液状樹脂材
料は、超低温（−４０℃）での保管が必要であることに
加えて、上記半導体素子と配線回路基板との空隙への注
入においては注射器で行う必要があり、注入ポジショ
ン、注入量コントロールが困難である等の問題を抱えて
いる。
ップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式においては、
互いの線膨脹係数が異なる半導体素子と上記配線回路基
板をダイレクトに電気接続を行うことから、接続部分の
信頼性が問題となっている。この対策としては、半導体
素子と上記配線回路基板との空隙に液状樹脂材料を注入
し硬化させて樹脂硬化体を形成し、電気接続部に集中す
る応力を上記樹脂硬化体にも分散させることにより接続
信頼性を向上させる方法が採られている。しかしなが
ら、上記液状樹脂材料による半導体素子と配線回路基板
の間の空隙への充填は、液状樹脂材料の毛細管効果を利
用することによって行われるものであるため、液状樹脂
材料の粘度を低い値に設定する必要がある。したがっ
て、低粘度の材料を得るために、材料選定の幅が狭ま
り、低応力効果の高いゴム成分や、信頼性の高いフェノ
ール樹脂等の使用が困難な状況であった。その結果、応
力緩和効果の高い樹脂封止を行うことが難しく高信頼性
の高いものが得られ難かった。さらに、上記液状樹脂材
料は、超低温（−４０℃）での保管が必要であることに
加えて、上記半導体素子と配線回路基板との空隙への注
入においては注射器で行う必要があり、注入ポジショ
ン、注入量コントロールが困難である等の問題を抱えて
いる。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、上記半導体素子と配線回路基板および接続用電
極に生ずる応力の緩和効果に優れ高信頼性を有する半導
体装置と、上記半導体素子と配線回路基板との空隙に容
易に封止樹脂層を形成することができるシート状封止材
料の提供をその目的とする。
もので、上記半導体素子と配線回路基板および接続用電
極に生ずる応力の緩和効果に優れ高信頼性を有する半導
体装置と、上記半導体素子と配線回路基板との空隙に容
易に封止樹脂層を形成することができるシート状封止材
料の提供をその目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、配線回路基板上に、複数の接続用電極部
を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半
導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されて
なる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の硬
化物特性（Ｘ）を備えている半導体装置を第１の要旨と
する。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
め、本発明は、配線回路基板上に、複数の接続用電極部
を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半
導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されて
なる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の硬
化物特性（Ｘ）を備えている半導体装置を第１の要旨と
する。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
【０００６】また、上記半導体装置の封止樹脂層を形成
する際に用いられるシート状封止材料であって、このシ
ート状封止材料が、下記の硬化物特性（Ｘ）を備えてい
ることを第２の要旨とする。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
する際に用いられるシート状封止材料であって、このシ
ート状封止材料が、下記の硬化物特性（Ｘ）を備えてい
ることを第２の要旨とする。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
【０００７】すなわち、本発明では、複数の接続用電極
部を介在して接続された、配線回路基板と半導体素子と
の間の空隙に封止樹脂層が形成された半導体装置におい
て、上記封止樹脂層自身の有する硬化物特性（Ｘ）とし
て上記特定範囲の引張弾性率を備えるようにすると、信
頼性が高まり、特に半導体素子と配線回路基板との電気
的接続が冷熱サイクル下において安定した半導体装置と
なる。
部を介在して接続された、配線回路基板と半導体素子と
の間の空隙に封止樹脂層が形成された半導体装置におい
て、上記封止樹脂層自身の有する硬化物特性（Ｘ）とし
て上記特定範囲の引張弾性率を備えるようにすると、信
頼性が高まり、特に半導体素子と配線回路基板との電気
的接続が冷熱サイクル下において安定した半導体装置と
なる。
【０００８】さらに、本発明者らは、本発明の見出す過
程において、上記特定の硬化物特性（Ｘ）を有する封止
樹脂層を形成する材料として、ビフェニル型エポキシ樹
脂とアクリロニトリル−ブタジエン系共重合体とを含有
し、場合によりさらに特定のフェノール樹脂を用いたエ
ポキシ樹脂組成物を用いると、低吸湿性や高接着性にお
いてより優れた封止樹脂層が形成され、結果、吸湿後の
ベーパーフェーズソルダリング（ＶＰＳ）等のストレス
試験に対してさらに安定した電気的接続の付与がなされ
ることを突き止めた。
程において、上記特定の硬化物特性（Ｘ）を有する封止
樹脂層を形成する材料として、ビフェニル型エポキシ樹
脂とアクリロニトリル−ブタジエン系共重合体とを含有
し、場合によりさらに特定のフェノール樹脂を用いたエ
ポキシ樹脂組成物を用いると、低吸湿性や高接着性にお
いてより優れた封止樹脂層が形成され、結果、吸湿後の
ベーパーフェーズソルダリング（ＶＰＳ）等のストレス
試験に対してさらに安定した電気的接続の付与がなされ
ることを突き止めた。
【０００９】そして、上記封止樹脂層の形成材料とし
て、上記硬化物特性（Ｘ）を有するシート状封止材料、
特に、上記エポキシ樹脂組成物からなるシート状封止材
料が好適に用いられる。
て、上記硬化物特性（Ｘ）を有するシート状封止材料、
特に、上記エポキシ樹脂組成物からなるシート状封止材
料が好適に用いられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。
しく説明する。
【００１１】本発明の半導体装置は、図１に示すよう
に、配線回路基板１の片面に、複数の接続用電極部２お
よび接続用電極部３を介して半導体素子４が搭載された
フェイスダウン構造をとる。そして、上記配線回路基板
１と半導体素子４との間に封止樹脂層５が形成されてい
る。
に、配線回路基板１の片面に、複数の接続用電極部２お
よび接続用電極部３を介して半導体素子４が搭載された
フェイスダウン構造をとる。そして、上記配線回路基板
１と半導体素子４との間に封止樹脂層５が形成されてい
る。
【００１２】本発明において、接続用電極部とは、周知
の電極のみでもよいが、電極とジョイントボール，ジョ
イントバンプ等の電極に配備される導電体を含む概念で
ある。したがって、一般的に配線回路基板の接続用電極
部と半導体素子の接続用電極部とは、両者とも電極のみ
で連絡されていてもよいが、通常、少なくとも一方が電
極とジョイントボール（あるいはジョイントバンプ）か
らなる電極部であるようにして両者の電極部が連絡され
る。
の電極のみでもよいが、電極とジョイントボール，ジョ
イントバンプ等の電極に配備される導電体を含む概念で
ある。したがって、一般的に配線回路基板の接続用電極
部と半導体素子の接続用電極部とは、両者とも電極のみ
で連絡されていてもよいが、通常、少なくとも一方が電
極とジョイントボール（あるいはジョイントバンプ）か
らなる電極部であるようにして両者の電極部が連絡され
る。
【００１３】したがって、通常の形態では上記配線回路
基板１と半導体素子４とを電気的に接続する上記複数の
接続用電極部２，３は、予め配線回路基板１面にジョイ
ントボール等が配設されていてもよいし、半導体素子４
面にジョイントボール等が配設されていてもよい。さら
には、予め配線回路基板１面および半導体素子４面の双
方にそれぞれジョイントボール等が配設されていてもよ
く、また、両者の電極部は電極のみであってもよい。
基板１と半導体素子４とを電気的に接続する上記複数の
接続用電極部２，３は、予め配線回路基板１面にジョイ
ントボール等が配設されていてもよいし、半導体素子４
面にジョイントボール等が配設されていてもよい。さら
には、予め配線回路基板１面および半導体素子４面の双
方にそれぞれジョイントボール等が配設されていてもよ
く、また、両者の電極部は電極のみであってもよい。
【００１４】上記複数の接続用電極部２，３の材質とし
ては、特に限定するものではないが、例えば、金、銀、
銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、錫、鉛、インジ
ウム、半田およびこれらの合金が使用できる。また、上
記接続用電極部の形状としては特に限定されるものでは
ないが、配線回路基板１、半導体素子４の双方の電極部
２，３間の封止樹脂を押し出す効果の高いものが望まし
く、電極部表面に凹部の少ないものが好ましい。
ては、特に限定するものではないが、例えば、金、銀、
銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、錫、鉛、インジ
ウム、半田およびこれらの合金が使用できる。また、上
記接続用電極部の形状としては特に限定されるものでは
ないが、配線回路基板１、半導体素子４の双方の電極部
２，３間の封止樹脂を押し出す効果の高いものが望まし
く、電極部表面に凹部の少ないものが好ましい。
【００１５】また、上記配線回路基板１の材質として
は、特に限定するものではないが、大別してセラミック
基板、プラスチック基板があり、上記プラスチック基板
としては、例えば、エポキシガラス基板、ビスマレイミ
ドトリアジン基板、ポリフェニレンエーテル基板等があ
げられる。
は、特に限定するものではないが、大別してセラミック
基板、プラスチック基板があり、上記プラスチック基板
としては、例えば、エポキシガラス基板、ビスマレイミ
ドトリアジン基板、ポリフェニレンエーテル基板等があ
げられる。
【００１６】つぎに、本発明の半導体装置の配線回路基
板１と半導体素子４との空隙に形成される上記封止樹脂
層５について説明する。
板１と半導体素子４との空隙に形成される上記封止樹脂
層５について説明する。
【００１７】本発明において、上記封止樹脂層５形成材
料としては、特定の物性を有するシート状封止材料が用
いられ、例えば、その成形材料にはエポキシ樹脂組成物
が用いられる。
料としては、特定の物性を有するシート状封止材料が用
いられ、例えば、その成形材料にはエポキシ樹脂組成物
が用いられる。
【００１８】上記エポキシ樹脂組成物は、特定のエポキ
シ樹脂（Ａ成分）と、アクリロニトリル−ブタジエン系
共重合体（Ｂ成分）を用いて得られるものである。
シ樹脂（Ａ成分）と、アクリロニトリル−ブタジエン系
共重合体（Ｂ成分）を用いて得られるものである。
【００１９】上記特定のエポキシ樹脂（Ａ成分）は、下
記の一般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂
であって、このビフェニル型エポキシ樹脂は、グリシジ
ル基を有するフェニル環に、下記のＲ1 〜Ｒ4 で表され
る炭素数１〜４のアルキル基が付加されたものである。
そのため、このビフェニル型エポキシ樹脂を含有するエ
ポキシ樹脂組成物によって得られるシート状封止材料
は、半導体素子の封止用途において、撥水性および低吸
湿性を発揮することができる。
記の一般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂
であって、このビフェニル型エポキシ樹脂は、グリシジ
ル基を有するフェニル環に、下記のＲ1 〜Ｒ4 で表され
る炭素数１〜４のアルキル基が付加されたものである。
そのため、このビフェニル型エポキシ樹脂を含有するエ
ポキシ樹脂組成物によって得られるシート状封止材料
は、半導体素子の封止用途において、撥水性および低吸
湿性を発揮することができる。
【００２０】
【化５】
【００２１】上記一般式（１）中のＲ1 〜Ｒ4 で表され
る炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直
鎖状または分岐状の低級アルキル基があげられ、特にメ
チル基が好ましく、上記Ｒ1 〜Ｒ4 は互いに同一であっ
ても異なっていてもよい。なかでも、上記Ｒ1 〜Ｒ4 が
全てメチル基である下記の式（３）で表されるビフェニ
ル型エポキシ樹脂を用いることが特に好適である。
る炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直
鎖状または分岐状の低級アルキル基があげられ、特にメ
チル基が好ましく、上記Ｒ1 〜Ｒ4 は互いに同一であっ
ても異なっていてもよい。なかでも、上記Ｒ1 〜Ｒ4 が
全てメチル基である下記の式（３）で表されるビフェニ
ル型エポキシ樹脂を用いることが特に好適である。
【００２２】
【化６】
【００２３】上記一般式（１）で表されるビフェニル型
エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が１７７〜２４０
ｇ／ｅｑで、軟化点が８０〜１３０℃のものを用いるこ
とが好ましく、なかでも、エポキシ当量が１７７〜２２
０ｇ／ｅｑで、軟化点が８０〜１２０℃のものを用いる
こと特に好ましい。
エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が１７７〜２４０
ｇ／ｅｑで、軟化点が８０〜１３０℃のものを用いるこ
とが好ましく、なかでも、エポキシ当量が１７７〜２２
０ｇ／ｅｑで、軟化点が８０〜１２０℃のものを用いる
こと特に好ましい。
【００２４】本発明のシート状封止材料の形成材料であ
るエポキシ樹脂組成物の全有機成分中における上記ビフ
ェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）の配合割合は、特に１
０〜９６重量％（以下「％」と略す）の範囲が好まし
く、なかでも２０〜９４％の範囲が好適である。すなわ
ち、上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）の配合割
合が１０％未満であれば、半導体素子の封止用途におい
て、撥水性および低吸湿性が発揮され難く、逆に、９６
％を超えると得られるシート状封止材料自身が脆くな
り、取り扱いが容易でなくなるからである。
るエポキシ樹脂組成物の全有機成分中における上記ビフ
ェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）の配合割合は、特に１
０〜９６重量％（以下「％」と略す）の範囲が好まし
く、なかでも２０〜９４％の範囲が好適である。すなわ
ち、上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）の配合割
合が１０％未満であれば、半導体素子の封止用途におい
て、撥水性および低吸湿性が発揮され難く、逆に、９６
％を超えると得られるシート状封止材料自身が脆くな
り、取り扱いが容易でなくなるからである。
【００２５】本発明のシート状封止材料の形成材料にお
いては、上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）に、
これ以外の他のエポキシ樹脂、例えば、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等のエポキシ
樹脂を、単独でもしくは２種以上併せて用いることもで
きる。なお、このように他のエポキシ樹脂を併用する場
合には、上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）の配
合量を、エポキシ樹脂成分全体の２０％以上となるよう
に設定することが好ましく、なかでも、５０％以上とな
るように設定することがより好ましい。
いては、上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）に、
これ以外の他のエポキシ樹脂、例えば、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等のエポキシ
樹脂を、単独でもしくは２種以上併せて用いることもで
きる。なお、このように他のエポキシ樹脂を併用する場
合には、上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）の配
合量を、エポキシ樹脂成分全体の２０％以上となるよう
に設定することが好ましく、なかでも、５０％以上とな
るように設定することがより好ましい。
【００２６】また、上記エポキシ樹脂組成物には、必要
によりエポキシ樹脂の硬化剤を配合することができる。
このような硬化剤としては、特に限定するものではなく
通常用いられている各種硬化剤、例えば、フェノール樹
脂、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等の酸無水物、ア
ミン化合物等があげられ、信頼性の点から、特にフェノ
ール樹脂が好適に用いられる。なかでも、接着性等の点
から、ノボラック型フェノール樹脂を用いることがより
好ましい。そして、より一層良好な接着力、吸湿性等の
点から、特に下記の一般式（２）で表されるフェノール
樹脂を用いることが好適である。
によりエポキシ樹脂の硬化剤を配合することができる。
このような硬化剤としては、特に限定するものではなく
通常用いられている各種硬化剤、例えば、フェノール樹
脂、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等の酸無水物、ア
ミン化合物等があげられ、信頼性の点から、特にフェノ
ール樹脂が好適に用いられる。なかでも、接着性等の点
から、ノボラック型フェノール樹脂を用いることがより
好ましい。そして、より一層良好な接着力、吸湿性等の
点から、特に下記の一般式（２）で表されるフェノール
樹脂を用いることが好適である。
【００２７】
【化７】
【００２８】上記一般式（２）中の繰り返し数ｍは、０
または正の整数を示すが、特にｍは０〜１０の整数であ
ることが好ましく、なかでもｍは０〜８の整数であるこ
とがより好適である。
または正の整数を示すが、特にｍは０〜１０の整数であ
ることが好ましく、なかでもｍは０〜８の整数であるこ
とがより好適である。
【００２９】上記一般式（２）で表されるフェノール樹
脂は、例えば、アラルキルエーテルとフェノールとを、
フリーデルクラフツ触媒で反応させることにより得られ
る。
脂は、例えば、アラルキルエーテルとフェノールとを、
フリーデルクラフツ触媒で反応させることにより得られ
る。
【００３０】上記フェノール樹脂としては、特に、水酸
基当量が１４７〜２５０ｇ／ｅｑ、軟化点が６０〜１２
０℃のものが好ましく、なかでも、水酸基当量が１４７
〜２２０ｇ／ｅｑ、軟化点が６０〜１１０℃のものが好
適である。
基当量が１４７〜２５０ｇ／ｅｑ、軟化点が６０〜１２
０℃のものが好ましく、なかでも、水酸基当量が１４７
〜２２０ｇ／ｅｑ、軟化点が６０〜１１０℃のものが好
適である。
【００３１】上記フェノール樹脂（Ｃ成分）のビフェニ
ル型エポキシ樹脂（Ａ成分）に対する配合割合は、ビフ
ェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量
当たり、上記フェノール樹脂（Ｃ成分）中の水酸基が
０．７〜１．３当量となるように配合することが好適で
あり、なかでも０．９〜１．１当量となるように配合す
ることがより好適である。
ル型エポキシ樹脂（Ａ成分）に対する配合割合は、ビフ
ェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量
当たり、上記フェノール樹脂（Ｃ成分）中の水酸基が
０．７〜１．３当量となるように配合することが好適で
あり、なかでも０．９〜１．１当量となるように配合す
ることがより好適である。
【００３２】本発明のシート状封止材料の形成材料であ
るエポキシ樹脂組成物には、上記エポキシ樹脂の硬化剤
の他に、さらに硬化促進剤を配合することもできる。こ
のような硬化促進剤としては、従来からエポキシ樹脂の
硬化促進剤として知られている種々の硬化促進剤が使用
可能であり、例えば、アミン系、リン系、ホウ素系、リ
ン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。なかでも、
トリフェニルホスフィン、ジアザビシクロウンデセン等
が好適である。これらは単独でもしくは２種以上併せて
用いられる。
るエポキシ樹脂組成物には、上記エポキシ樹脂の硬化剤
の他に、さらに硬化促進剤を配合することもできる。こ
のような硬化促進剤としては、従来からエポキシ樹脂の
硬化促進剤として知られている種々の硬化促進剤が使用
可能であり、例えば、アミン系、リン系、ホウ素系、リ
ン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。なかでも、
トリフェニルホスフィン、ジアザビシクロウンデセン等
が好適である。これらは単独でもしくは２種以上併せて
用いられる。
【００３３】上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）
とともに用いられるアクリロニトリル−ブタジエン系共
重合体（Ｂ成分）としては、アクリロニトリル共重合体
（ＮＢＲ）の含有量が１００％である場合のみならず、
このＮＢＲに他の共重合成分が含まれている場合をも含
む広い意味での共重合体をいう。他の共重合成分として
は、例えば、水添アクリロニトリル−ブタジエンゴム、
アクリル酸、アクリル酸エステル、スチレン、メタクリ
ル酸等があげられ、なかでも、金属、プラスチックとの
接着力に優れる等の点で、アクリル酸、メタクリル酸が
好適である。すなわち、アクリロニトリル−ブタジエン
−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエ
ン−アクリル酸共重合体が好適に用いられる。また、上
記ＮＢＲにおけるアクリロニトリルの結合量は、特に、
１０〜５０％が好ましく、なかでも、１５〜４０％のも
のが特に好適である。
とともに用いられるアクリロニトリル−ブタジエン系共
重合体（Ｂ成分）としては、アクリロニトリル共重合体
（ＮＢＲ）の含有量が１００％である場合のみならず、
このＮＢＲに他の共重合成分が含まれている場合をも含
む広い意味での共重合体をいう。他の共重合成分として
は、例えば、水添アクリロニトリル−ブタジエンゴム、
アクリル酸、アクリル酸エステル、スチレン、メタクリ
ル酸等があげられ、なかでも、金属、プラスチックとの
接着力に優れる等の点で、アクリル酸、メタクリル酸が
好適である。すなわち、アクリロニトリル−ブタジエン
−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエ
ン−アクリル酸共重合体が好適に用いられる。また、上
記ＮＢＲにおけるアクリロニトリルの結合量は、特に、
１０〜５０％が好ましく、なかでも、１５〜４０％のも
のが特に好適である。
【００３４】本発明のシート状封止材料の形成材料であ
るエポキシ樹脂組成物の全有機成分中における上記アク
リロニトリル−ブタジエン系共重合体（Ｂ成分）の配合
割合は、特に２〜６０％の範囲が好ましく、なかでも３
〜５０％の範囲が好適である。すなわち、上記アクリロ
ニトリル−ブタジエン系共重合体（Ｂ成分）の配合割合
が２％未満であれば、半導体素子の封止用途において、
冷熱サイクル下、高温高湿下の各ストレス試験におい
て、優れた耐久性を発揮することが困難であり、逆に、
６０％を超えると高温下での固着力が低下する傾向がみ
られるからである。
るエポキシ樹脂組成物の全有機成分中における上記アク
リロニトリル−ブタジエン系共重合体（Ｂ成分）の配合
割合は、特に２〜６０％の範囲が好ましく、なかでも３
〜５０％の範囲が好適である。すなわち、上記アクリロ
ニトリル−ブタジエン系共重合体（Ｂ成分）の配合割合
が２％未満であれば、半導体素子の封止用途において、
冷熱サイクル下、高温高湿下の各ストレス試験におい
て、優れた耐久性を発揮することが困難であり、逆に、
６０％を超えると高温下での固着力が低下する傾向がみ
られるからである。
【００３５】本発明のシート状封止材料の形成材料であ
るエポキシ樹脂組成物には、上記Ａ成分、硬化剤、Ｂ成
分とともに、必要に応じて他の材料（有機材料、無機材
料）を適宜配合することもできる。上記有機材料として
は、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、表
面調整剤、酸化防止剤等があげられ、無機材料として
は、アルミナ、シリカ、窒化珪素等の各種無機質充填
剤、銅、銀、アルミニウム、ニッケル、半田等の金属粒
子、その他、顔料、染料等があげられる。上記無機材料
の配合割合は、特に限定されるものではないが、全配合
物（エポキシ樹脂組成物全体）中の８５％以下に設定す
ることが好ましく、より好ましくは８０％以下である。
すなわち、上記配合割合を超えて多量に配合すると、半
導体素子の電極と配線回路基板の電極との電気的接合が
良好に行われなくなり不都合が生じ易くなるからであ
る。
るエポキシ樹脂組成物には、上記Ａ成分、硬化剤、Ｂ成
分とともに、必要に応じて他の材料（有機材料、無機材
料）を適宜配合することもできる。上記有機材料として
は、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、表
面調整剤、酸化防止剤等があげられ、無機材料として
は、アルミナ、シリカ、窒化珪素等の各種無機質充填
剤、銅、銀、アルミニウム、ニッケル、半田等の金属粒
子、その他、顔料、染料等があげられる。上記無機材料
の配合割合は、特に限定されるものではないが、全配合
物（エポキシ樹脂組成物全体）中の８５％以下に設定す
ることが好ましく、より好ましくは８０％以下である。
すなわち、上記配合割合を超えて多量に配合すると、半
導体素子の電極と配線回路基板の電極との電気的接合が
良好に行われなくなり不都合が生じ易くなるからであ
る。
【００３６】本発明のシート状封止材料は、例えば、つ
ぎのようにして製造することができる。まず、上記ビフ
ェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）、アクリロニトリル−
ブタジエン系共重合体（Ｂ成分）の各成分を所定量配合
し、これに必要に応じて各種成分、例えば、硬化剤、硬
化促進剤、各種充填剤等を所定量配合したエポキシ樹脂
組成物を調製する。そして、このエポキシ樹脂組成物
を、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等の溶
剤に混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエス
テルフィルム等の基材フィルム上に塗布する。つぎに、
この塗布した基材フィルムを５０〜１６０℃で乾燥さ
せ、トルエン等の溶剤を除去することにより、上記基材
フィルム上に目的とするシート状封止材料を製造するこ
とができる。また、他の方法として、トルエン等の溶剤
を用いることなく加熱溶融押し出しすることによって
も、目的とするシート状封止材料を製造することができ
る。このような封止材料は、通常、ゴム成分等のチクソ
トロピー付与剤を封止材料中に混合しておき、加熱硬化
時の熱時流動性を抑制しておくよう工夫されるのが一般
的である。
ぎのようにして製造することができる。まず、上記ビフ
ェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）、アクリロニトリル−
ブタジエン系共重合体（Ｂ成分）の各成分を所定量配合
し、これに必要に応じて各種成分、例えば、硬化剤、硬
化促進剤、各種充填剤等を所定量配合したエポキシ樹脂
組成物を調製する。そして、このエポキシ樹脂組成物
を、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等の溶
剤に混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエス
テルフィルム等の基材フィルム上に塗布する。つぎに、
この塗布した基材フィルムを５０〜１６０℃で乾燥さ
せ、トルエン等の溶剤を除去することにより、上記基材
フィルム上に目的とするシート状封止材料を製造するこ
とができる。また、他の方法として、トルエン等の溶剤
を用いることなく加熱溶融押し出しすることによって
も、目的とするシート状封止材料を製造することができ
る。このような封止材料は、通常、ゴム成分等のチクソ
トロピー付与剤を封止材料中に混合しておき、加熱硬化
時の熱時流動性を抑制しておくよう工夫されるのが一般
的である。
【００３７】このようにして得られたシート状封止材料
としては、つぎのような特性、すなわち、ゲルタイムが
１７５℃で１０〜１２０秒である特性を有することが好
ましい。なお、上記ゲルタイムは１７５℃の熱板上にて
測定した値である。
としては、つぎのような特性、すなわち、ゲルタイムが
１７５℃で１０〜１２０秒である特性を有することが好
ましい。なお、上記ゲルタイムは１７５℃の熱板上にて
測定した値である。
【００３８】このようにして得られる本発明のシート状
封止材料を硬化してなる硬化物は、例えば、つぎのよう
にして製造することができる。すなわち、上記方法によ
り得られたシート状封止材料を１００〜２２５℃、好ま
しくは１２０〜２００℃で、３〜３００分間、好ましく
は５〜１８０分間加熱硬化することにより、目的とする
硬化物を製造することができる。なお、上記硬化条件
は、後述の半導体装置の製法における封止樹脂層の形成
時の加熱硬化条件と同様である。
封止材料を硬化してなる硬化物は、例えば、つぎのよう
にして製造することができる。すなわち、上記方法によ
り得られたシート状封止材料を１００〜２２５℃、好ま
しくは１２０〜２００℃で、３〜３００分間、好ましく
は５〜１８０分間加熱硬化することにより、目的とする
硬化物を製造することができる。なお、上記硬化条件
は、後述の半導体装置の製法における封止樹脂層の形成
時の加熱硬化条件と同様である。
【００３９】そして、得られた硬化物は、つぎのような
硬化物特性（Ｘ）を備えていなければならない。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
硬化物特性（Ｘ）を備えていなければならない。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
【００４０】より好ましくは２５℃における引張弾性率
が５００〜１２０００ＭＰａ、特に好ましくは１０００
〜１００００ＭＰａである。このような範囲に設定する
ことにより、冷熱サイクル下において、半導体素子、配
線回路基板、接続用電極部にかかる応力をバランスよく
緩和することができる。すなわち、２５℃における引張
弾性率が３００ＭＰａ未満では、接続用電極部にクラッ
クが発生し易くなり、２５℃における引張弾性率が１５
０００ＭＰａを超えると、半導体素子にクラックが発生
し易くなるからである。
が５００〜１２０００ＭＰａ、特に好ましくは１０００
〜１００００ＭＰａである。このような範囲に設定する
ことにより、冷熱サイクル下において、半導体素子、配
線回路基板、接続用電極部にかかる応力をバランスよく
緩和することができる。すなわち、２５℃における引張
弾性率が３００ＭＰａ未満では、接続用電極部にクラッ
クが発生し易くなり、２５℃における引張弾性率が１５
０００ＭＰａを超えると、半導体素子にクラックが発生
し易くなるからである。
【００４１】なお、上記２５℃における引張弾性率は、
ＪＩＳ Ｋ ６９００に準じて測定される値であって、
具体的には、万能引張試験機（オートグラフ、島津製作
所社製）によって測定される。
ＪＩＳ Ｋ ６９００に準じて測定される値であって、
具体的には、万能引張試験機（オートグラフ、島津製作
所社製）によって測定される。
【００４２】本発明の半導体装置は、先に述べたよう
に、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半
導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子と
の間の空隙が封止樹脂層によって封止されたフェイスダ
ウン構造を有するものであって、このような半導体装置
の製法の一例を以下に説明するが、これに限定するもの
ではない。
に、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半
導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子と
の間の空隙が封止樹脂層によって封止されたフェイスダ
ウン構造を有するものであって、このような半導体装置
の製法の一例を以下に説明するが、これに限定するもの
ではない。
【００４３】まず、図２に示すように、複数の球状の接
続用電極部２が設けられた配線回路基板１上に、上記接
続用電極部２を介して固形のシート状封止材料１０を載
置する。ついで、図３に示すように、上記シート状封止
材料１０上の所定位置に、接続用電極部３が設けられた
半導体素子４を配置し、加熱および加圧することによっ
て、上記両接続用電極部２，３間の電気接続およびシー
ト状封止材料１０の硬化を行い、配線回路基板１と半導
体素子４の電気的接続および固着を完了する。
続用電極部２が設けられた配線回路基板１上に、上記接
続用電極部２を介して固形のシート状封止材料１０を載
置する。ついで、図３に示すように、上記シート状封止
材料１０上の所定位置に、接続用電極部３が設けられた
半導体素子４を配置し、加熱および加圧することによっ
て、上記両接続用電極部２，３間の電気接続およびシー
ト状封止材料１０の硬化を行い、配線回路基板１と半導
体素子４の電気的接続および固着を完了する。
【００４４】上記シート状封止材料１０の大きさとして
は、上記搭載される半導体素子４の大きさ（面積）によ
り適宜に設定され、通常、半導体素子４の大きさ（面
積）とほぼ同じに設定することが好ましい。
は、上記搭載される半導体素子４の大きさ（面積）によ
り適宜に設定され、通常、半導体素子４の大きさ（面
積）とほぼ同じに設定することが好ましい。
【００４５】また、上記シート状封止材料１０の厚み
は、特に限定されるものではないが、半導体素子４と配
線回路基板１との空隙を充填し、かつ、接続用電極部
２，３間の電気的接続を妨げないように適宜に設定する
ことができ、通常、５〜２００μｍ、好ましくは１０〜
１２０μｍに設定される。
は、特に限定されるものではないが、半導体素子４と配
線回路基板１との空隙を充填し、かつ、接続用電極部
２，３間の電気的接続を妨げないように適宜に設定する
ことができ、通常、５〜２００μｍ、好ましくは１０〜
１２０μｍに設定される。
【００４６】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記シート状封止材料１０を加熱溶融して溶融状態
とする際の加熱温度としては、半導体素子４および配線
回路基板１の耐熱性および接続用電極部２，３の融点、
さらに、シート状封止材料１０の軟化点、耐熱性等を考
慮して適宜に設定されるものである。そして、加熱方法
としては、赤外線リフロー炉、乾燥機、温風機、熱板等
があげられる。
て、上記シート状封止材料１０を加熱溶融して溶融状態
とする際の加熱温度としては、半導体素子４および配線
回路基板１の耐熱性および接続用電極部２，３の融点、
さらに、シート状封止材料１０の軟化点、耐熱性等を考
慮して適宜に設定されるものである。そして、加熱方法
としては、赤外線リフロー炉、乾燥機、温風機、熱板等
があげられる。
【００４７】さらに、上記溶融状態とした封止材料を上
記半導体素子４と上記配線回路基板１との間の空隙内に
充填する際には、上記のように加圧することが好まし
く、その加圧条件としては、接続用電極部２，３の材質
および個数等や、温度によって適宜に設定されるが、具
体的には０．０１〜０．５ｋｇｆ／個の範囲に設定さ
れ、好ましくは０．０２〜０．３ｋｇｆ／個の範囲に設
定される。
記半導体素子４と上記配線回路基板１との間の空隙内に
充填する際には、上記のように加圧することが好まし
く、その加圧条件としては、接続用電極部２，３の材質
および個数等や、温度によって適宜に設定されるが、具
体的には０．０１〜０．５ｋｇｆ／個の範囲に設定さ
れ、好ましくは０．０２〜０．３ｋｇｆ／個の範囲に設
定される。
【００４８】そして、上記のようにして製造された半導
体装置において、半導体素子４の大きさは、通常、幅２
〜２０ｍｍ×長さ２〜３０ｍｍ×厚み０．１〜２ｍｍに
設定される。また、半導体素子４を搭載する配線回路が
形成された配線回路基板１の大きさは、通常、幅１０〜
７０ｍｍ×長さ１０〜７０ｍｍ×厚み０．０５〜３．０
ｍｍに設定される。そして、溶融した封止用樹脂が充填
される、半導体素子４と配線回路基板１の空隙の両者間
の距離は、通常、５〜２００μｍである。
体装置において、半導体素子４の大きさは、通常、幅２
〜２０ｍｍ×長さ２〜３０ｍｍ×厚み０．１〜２ｍｍに
設定される。また、半導体素子４を搭載する配線回路が
形成された配線回路基板１の大きさは、通常、幅１０〜
７０ｍｍ×長さ１０〜７０ｍｍ×厚み０．０５〜３．０
ｍｍに設定される。そして、溶融した封止用樹脂が充填
される、半導体素子４と配線回路基板１の空隙の両者間
の距離は、通常、５〜２００μｍである。
【００４９】上記シート状封止材料を用いて封止するこ
とにより形成された封止樹脂層５は、先に述べたよう
に、下記の硬化物特性（Ｘ）を備えていなければならな
い。より好ましくは２５℃における引張弾性率が５００
〜１２０００ＭＰａ、特に好ましくは１０００〜１００
００ＭＰａである。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
とにより形成された封止樹脂層５は、先に述べたよう
に、下記の硬化物特性（Ｘ）を備えていなければならな
い。より好ましくは２５℃における引張弾性率が５００
〜１２０００ＭＰａ、特に好ましくは１０００〜１００
００ＭＰａである。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。
【００５０】さらに、上記硬化物特性に加えて、上記封
止樹脂層５としては、吸水率が１．５％以下であること
が好ましい。より好ましくは吸水率が１．２％以下であ
る。また、上記封止樹脂層５に含まれるイオン性不純分
（例えば、Ｎａ+ ，Ｋ+ ，ＮＨ3 + ，Ｃｌ- ，Ｓ
Ｏ4 2-）が各５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。上
記吸水率の測定は、その硬化物を８５℃×８５％ＲＨで
１６８時間放置した後、微量水分測定器（平沼水分測定
装置ＡＱ−５、平沼産業社製）にて行った。また、上記
イオン性不純分の測定は、硬化物を粉砕し、１２１℃の
純水にて２４時間抽出し、イオンクロマトグラフィーに
よって測定した。
止樹脂層５としては、吸水率が１．５％以下であること
が好ましい。より好ましくは吸水率が１．２％以下であ
る。また、上記封止樹脂層５に含まれるイオン性不純分
（例えば、Ｎａ+ ，Ｋ+ ，ＮＨ3 + ，Ｃｌ- ，Ｓ
Ｏ4 2-）が各５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。上
記吸水率の測定は、その硬化物を８５℃×８５％ＲＨで
１６８時間放置した後、微量水分測定器（平沼水分測定
装置ＡＱ−５、平沼産業社製）にて行った。また、上記
イオン性不純分の測定は、硬化物を粉砕し、１２１℃の
純水にて２４時間抽出し、イオンクロマトグラフィーに
よって測定した。
【００５１】本発明の半導体装置において、シート状封
止材料を介して、半導体素子と配線回路基板の両電極部
を当接させ、上記シートを加熱して、好ましくは加熱と
ともに加圧して硬化させることは前述のとおりである。
止材料を介して、半導体素子と配線回路基板の両電極部
を当接させ、上記シートを加熱して、好ましくは加熱と
ともに加圧して硬化させることは前述のとおりである。
【００５２】上記加圧は、好ましくは半田等の接続用電
極部を偏平化しつつ、または偏平化した後、封止用樹脂
を硬化させる。
極部を偏平化しつつ、または偏平化した後、封止用樹脂
を硬化させる。
【００５３】このとき、一般的には、上記接続用電極部
を構成する材料としては、熱時流動可能な材料、例え
ば、半田により形成される。そして、封止用樹脂である
シート状封止材料硬化後は、好ましくは接続用電極部を
構成する半田を溶融させるために、上記半導体素子と配
線回路基板の接着体は２１５℃程度に加温され、本発明
の半導体装置とするのが一般的である。上記シート状封
止材料硬化後に、接続用電極部を構成する半田等の材料
をこのように溶融させる工程は、先に述べた製法におい
て述べていないが、本願においては通常行われるもので
ある。
を構成する材料としては、熱時流動可能な材料、例え
ば、半田により形成される。そして、封止用樹脂である
シート状封止材料硬化後は、好ましくは接続用電極部を
構成する半田を溶融させるために、上記半導体素子と配
線回路基板の接着体は２１５℃程度に加温され、本発明
の半導体装置とするのが一般的である。上記シート状封
止材料硬化後に、接続用電極部を構成する半田等の材料
をこのように溶融させる工程は、先に述べた製法におい
て述べていないが、本願においては通常行われるもので
ある。
【００５４】本発明によるシート状封止材料を用いた封
止では、たいていの場合、つぎに示すことが言える。
止では、たいていの場合、つぎに示すことが言える。
【００５５】すなわち、接続用電極部として半田を用い
た場合には、フラックスが無くても、前記の半導体素子
電極部と配線回路基板電極部（ランド部）の両者の溶融
・結合が好適に行われるのが一般的である。
た場合には、フラックスが無くても、前記の半導体素子
電極部と配線回路基板電極部（ランド部）の両者の溶融
・結合が好適に行われるのが一般的である。
【００５６】上記理由は明らかではないが、前記半導体
素子と配線回路基板の接合体が得られた段階では、接続
用電極部である半田の周りは、たいていの場合、硬化樹
脂で覆われて酸素と遮断された状態となっていること、
および電極部の圧力による前記の偏平化時に半田表面に
クラックが生じて半田の地肌表面（酸化されていない
面）が露出しているためではないかと考えられる。ま
た、極微量の塩素成分および有機酸成分の少なくとも一
方を含有するシート状封止材料、例えば、エポキシ樹脂
組成物よりなるシートを用いた場合には、これら塩素成
分および有機酸成分の少なくとも一方が半田製の接続用
電極部表面に形成する酸化膜除去に効果があり、この酸
化膜が除去されるためではないかと考えられる。つい
で、このような環境下で、２１５℃程度に加温すること
により、上述の半導体素子電極部および配線回路基板電
極部の両電極部が溶融する。
素子と配線回路基板の接合体が得られた段階では、接続
用電極部である半田の周りは、たいていの場合、硬化樹
脂で覆われて酸素と遮断された状態となっていること、
および電極部の圧力による前記の偏平化時に半田表面に
クラックが生じて半田の地肌表面（酸化されていない
面）が露出しているためではないかと考えられる。ま
た、極微量の塩素成分および有機酸成分の少なくとも一
方を含有するシート状封止材料、例えば、エポキシ樹脂
組成物よりなるシートを用いた場合には、これら塩素成
分および有機酸成分の少なくとも一方が半田製の接続用
電極部表面に形成する酸化膜除去に効果があり、この酸
化膜が除去されるためではないかと考えられる。つい
で、このような環境下で、２１５℃程度に加温すること
により、上述の半導体素子電極部および配線回路基板電
極部の両電極部が溶融する。
【００５７】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００５８】まず、実施例に先立って、下記に示す各成
分を準備した。
分を準備した。
【００５９】〔エポキシ樹脂ａ１〕下記の構造式で表さ
れるビフェニル型エポキシ樹脂
れるビフェニル型エポキシ樹脂
【００６０】
【化８】
【００６１】〔エポキシ樹脂ａ２〕クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９５ｇ／ｅｑ、融
点：８０℃）
ク型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９５ｇ／ｅｑ、融
点：８０℃）
【００６２】〔アクリロニトリル−ブタジエン系共重合
体ｂ１〕アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸
共重合体〔ムーニー粘度：５０、結合アクリロニトリル
含量：３０％、結合カルボキシル基量：０．０５ｅｐｈ
ｒ（ゴム１００ｇ当たりのモル数）〕
体ｂ１〕アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸
共重合体〔ムーニー粘度：５０、結合アクリロニトリル
含量：３０％、結合カルボキシル基量：０．０５ｅｐｈ
ｒ（ゴム１００ｇ当たりのモル数）〕
【００６３】〔アクリロニトリル−ブタジエン系共重合
体ｂ２〕アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共
重合体（ムーニー粘度：８０、結合アクリロニトリル含
量：２０％、結合カルボキシル基量：０．０２ｅｐｈ
ｒ）
体ｂ２〕アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共
重合体（ムーニー粘度：８０、結合アクリロニトリル含
量：２０％、結合カルボキシル基量：０．０２ｅｐｈ
ｒ）
【００６４】〔硬化剤ｃ１〕下記の構造式で表されるフ
ェノール樹脂（水酸基当量：１７５ｇ／ｅｑ、軟化点７
５℃）
ェノール樹脂（水酸基当量：１７５ｇ／ｅｑ、軟化点７
５℃）
【００６５】
【化９】
【００６６】〔硬化剤ｃ２〕フェノールノボラック樹脂
（水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、軟化点６０℃）
（水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、軟化点６０℃）
【００６７】〔硬化促進剤〕トリフェニルホスフィン
【００６８】〔無機質充填剤〕球状シリカ（平均粒径：
３μｍ、最大粒径：３０μｍ）
３μｍ、最大粒径：３０μｍ）
【００６９】
【実施例１〜１０、比較例１〜７】下記の表１〜表３に
示す各成分を、同表に示す割合で配合しエポキシ樹脂組
成物を調製した。このエポキシ樹脂組成物をトルエンに
混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエステル
フィルム上に塗布した。つぎに、上記混合溶液を塗布し
たポリエステルフィルムを１２０℃で乾燥させ、トルエ
ンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上
に目的とする厚み１００μｍのシート状封止材料を作製
した。
示す各成分を、同表に示す割合で配合しエポキシ樹脂組
成物を調製した。このエポキシ樹脂組成物をトルエンに
混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエステル
フィルム上に塗布した。つぎに、上記混合溶液を塗布し
たポリエステルフィルムを１２０℃で乾燥させ、トルエ
ンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上
に目的とする厚み１００μｍのシート状封止材料を作製
した。
【００７０】
【表１】
【００７１】
【表２】
【００７２】
【表３】
【００７３】このようにして得られた各実施例および比
較例のシート状封止材料を用い、前述の半導体装置の製
法に従って半導体装置を製造した。すなわち、図２に示
すように、接続用電極部２（材質：半田、融点：１８３
℃、形状：直径１５０μｍ×高さ３０μｍの円柱形）が
設けられた配線回路基板１（厚み１ｍｍのガラスエポキ
シ基板）上に、上記シート状封止材料１０を載置した
後、図３に示すように、上記シート状封止材料１０上の
所定の位置に、接続用電極部３（材質：半田、融点：２
９９℃、形状：直径１２０μｍ×高さ９０μｍの球形）
が設けられた半導体素子４（厚み：３５０μｍ、大き
さ：１３ｍｍ×９ｍｍ）を載置した。その後、加熱温度
１５０℃×荷重０．１ｋｇｆ×電極個数×１分の条件で
シート状封止材料を加熱溶融して、配線回路基板１と半
導体素子４との空隙内に溶融状態の樹脂を充填して仮固
着するとともに、双方の接続用電極部２，３を電気接続
した。その後、上記樹脂を熱硬化（条件：１５０℃×６
０分）および接続用電極部２を溶融（条件：２５０℃×
３０秒）させることにより、図１に示すように、上記空
隙が封止樹脂層５で樹脂封止された半導体装置を各例８
個ずつ作製した。
較例のシート状封止材料を用い、前述の半導体装置の製
法に従って半導体装置を製造した。すなわち、図２に示
すように、接続用電極部２（材質：半田、融点：１８３
℃、形状：直径１５０μｍ×高さ３０μｍの円柱形）が
設けられた配線回路基板１（厚み１ｍｍのガラスエポキ
シ基板）上に、上記シート状封止材料１０を載置した
後、図３に示すように、上記シート状封止材料１０上の
所定の位置に、接続用電極部３（材質：半田、融点：２
９９℃、形状：直径１２０μｍ×高さ９０μｍの球形）
が設けられた半導体素子４（厚み：３５０μｍ、大き
さ：１３ｍｍ×９ｍｍ）を載置した。その後、加熱温度
１５０℃×荷重０．１ｋｇｆ×電極個数×１分の条件で
シート状封止材料を加熱溶融して、配線回路基板１と半
導体素子４との空隙内に溶融状態の樹脂を充填して仮固
着するとともに、双方の接続用電極部２，３を電気接続
した。その後、上記樹脂を熱硬化（条件：１５０℃×６
０分）および接続用電極部２を溶融（条件：２５０℃×
３０秒）させることにより、図１に示すように、上記空
隙が封止樹脂層５で樹脂封止された半導体装置を各例８
個ずつ作製した。
【００７４】得られた半導体装置について、初期の通電
試験を行い、さらに、その半導体装置を各例４個ずつ用
いて、サーマルショックテスト〔ＴＳＴ試験（条件：−
５５℃×５分⇔１２５℃×５分）５００サイクルを行っ
た（各例４個ずつ）後に、通電試験および半導体素子の
クラックの有無検査を行い、その結果を下記の表４〜表
６に示した。
試験を行い、さらに、その半導体装置を各例４個ずつ用
いて、サーマルショックテスト〔ＴＳＴ試験（条件：−
５５℃×５分⇔１２５℃×５分）５００サイクルを行っ
た（各例４個ずつ）後に、通電試験および半導体素子の
クラックの有無検査を行い、その結果を下記の表４〜表
６に示した。
【００７５】また、上記ＴＳＴ試験を行わなかった各例
４個のサンプルについて、３０℃×６０％ＲＨの環境下
で１６８時間吸湿させた後、ＶＰＳ（vapor phase sold
ering)（２１５℃×９０秒）を行った後、通電試験を行
った。その結果を下記の表４〜表６に併せて示した。
４個のサンプルについて、３０℃×６０％ＲＨの環境下
で１６８時間吸湿させた後、ＶＰＳ（vapor phase sold
ering)（２１５℃×９０秒）を行った後、通電試験を行
った。その結果を下記の表４〜表６に併せて示した。
【００７６】一方、上記各実施例および比較例で得られ
たシート状封止材料のみを１５０℃×６０分の条件で加
熱し、シート状硬化物を得た。この各シート状硬化物の
２５℃における引張弾性率を、万能引張試験機（オート
グラフ、島津製作所社製）を用いて測定した。これらの
結果を下記の表４〜表６に併せて示した。
たシート状封止材料のみを１５０℃×６０分の条件で加
熱し、シート状硬化物を得た。この各シート状硬化物の
２５℃における引張弾性率を、万能引張試験機（オート
グラフ、島津製作所社製）を用いて測定した。これらの
結果を下記の表４〜表６に併せて示した。
【００７７】
【表４】
【００７８】
【表５】
【００７９】
【表６】
【００８０】上記表４〜表６の結果、実施例品に関して
は、初期の通電チェックおよび、ＴＳＴ試験後の通電試
験、ＴＳＴ試験後の半導体チップクラック状態、吸湿Ｖ
ＰＳ後の通電試験の各試験の全てにおいて不良が全く発
生しなかったことが確認された。これに対して、比較例
品は、上記いずれかの試験において、不良が発生してい
ることが確認された。このことから、実施例品は比較例
品に対して、初期通電や、ＴＳＴ試験および吸湿ＶＰＳ
等のストレス試験に対して安定した通電を確保している
ことが明らかである。
は、初期の通電チェックおよび、ＴＳＴ試験後の通電試
験、ＴＳＴ試験後の半導体チップクラック状態、吸湿Ｖ
ＰＳ後の通電試験の各試験の全てにおいて不良が全く発
生しなかったことが確認された。これに対して、比較例
品は、上記いずれかの試験において、不良が発生してい
ることが確認された。このことから、実施例品は比較例
品に対して、初期通電や、ＴＳＴ試験および吸湿ＶＰＳ
等のストレス試験に対して安定した通電を確保している
ことが明らかである。
【００８１】
【発明の効果】以上のように、本発明は、複数の接続用
電極部を介在して接続された、配線回路基板と半導体素
子との間の空隙に封止樹脂層が形成された半導体装置に
おいて、前記特定範囲の引張弾性率を有する硬化物特性
（Ｘ）を備えた封止樹脂層が形成されている。このた
め、上記配線回路基板と半導体素子および上記接続用電
極部に生じる応力が緩和され接続信頼性の高いものが得
られ、特に半導体素子と配線回路基板との電気的接続が
冷熱サイクル下において安定化する。
電極部を介在して接続された、配線回路基板と半導体素
子との間の空隙に封止樹脂層が形成された半導体装置に
おいて、前記特定範囲の引張弾性率を有する硬化物特性
（Ｘ）を備えた封止樹脂層が形成されている。このた
め、上記配線回路基板と半導体素子および上記接続用電
極部に生じる応力が緩和され接続信頼性の高いものが得
られ、特に半導体素子と配線回路基板との電気的接続が
冷熱サイクル下において安定化する。
【００８２】そして、上記特定の硬化物特性（Ｘ）を有
する封止樹脂層を形成する材料として、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂とアクリロニトリル−ブタジエン系共重合体
とを含有し、場合によりさらに特定のフェノール樹脂を
用いたエポキシ樹脂組成物を用いると、低吸湿性や高接
着性においてより優れた封止樹脂層が形成され、結果、
吸湿後のベーパーフェーズソルダリング（ＶＰＳ）等の
ストレス試験に対してさらに安定した電気的接続の付与
がなされる。
する封止樹脂層を形成する材料として、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂とアクリロニトリル−ブタジエン系共重合体
とを含有し、場合によりさらに特定のフェノール樹脂を
用いたエポキシ樹脂組成物を用いると、低吸湿性や高接
着性においてより優れた封止樹脂層が形成され、結果、
吸湿後のベーパーフェーズソルダリング（ＶＰＳ）等の
ストレス試験に対してさらに安定した電気的接続の付与
がなされる。
【００８３】上記封止樹脂層の形成材料として、上記硬
化物特性（Ｘ）を有するシート状封止材料、特に、上記
エポキシ樹脂組成物からなるシート状封止材料を用いる
ことが、上記空言部分の樹脂封止を容易にして、半導体
装置の製造効率が著しく向上するため、好適に用いられ
る。
化物特性（Ｘ）を有するシート状封止材料、特に、上記
エポキシ樹脂組成物からなるシート状封止材料を用いる
ことが、上記空言部分の樹脂封止を容易にして、半導体
装置の製造効率が著しく向上するため、好適に用いられ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】半導体装置の製造工程を示す説明断面図であ
る。
る。
【図３】半導体装置の製造工程を示す説明断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 配線回路基板 ２ 接続用電極部 ３ 接続用電極部 ４ 半導体素子 ５ 封止樹脂層 １０ シート状封止材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野呂 弘司 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 配線回路基板上に、複数の接続用電極部
を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半
導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されて
なる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の硬
化物特性（Ｘ）を備えていることを特徴とする半導体装
置。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。 - 【請求項２】 上記封止樹脂層が、下記の（Ａ）および
（Ｂ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物によって形成
されたものである請求項１記載の半導体装置。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるビフェニル型エポ
キシ樹脂。 【化１】 （Ｂ）アクリロニトリル−ブタジエン系共重合体。 - 【請求項３】 上記（Ｂ）成分であるアクリロニトリル
−ブタジエン系共重合体が、アクリロニトリル−ブタジ
エン−メタクリル酸共重合体である請求項２記載の半導
体装置。 - 【請求項４】 上記（Ｂ）成分であるアクリロニトリル
−ブタジエン系共重合体が、アクリロニトリル−ブタジ
エン−アクリル酸共重合体である請求項２記載の半導体
装置。 - 【請求項５】 上記エポキシ樹脂組成物が（Ａ）成分お
よび（Ｂ）成分とともに、下記の（Ｃ）成分を含有する
エポキシ樹脂組成物である請求項２〜４のいずれか一項
に記載の半導体装置。 （Ｃ）下記の一般式（２）で表されるフェノール樹脂。 【化２】 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半
導体装置の封止樹脂層を形成する際に用いられるシート
状封止材料であって、上記シート状封止材料が、下記の
硬化物特性（Ｘ）を備えていることを特徴とするシート
状封止材料。 （Ｘ）２５℃における引張弾性率が３００〜１５０００
ＭＰａである。 - 【請求項７】 上記シート状封止材料が、下記の（Ａ）
および（Ｂ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用い
てシート状に形成されたものである請求項６記載のシー
ト状封止材料。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるビフェニル型エポ
キシ樹脂。 【化３】 （Ｂ）アクリロニトリル−ブタジエン系共重合体。 - 【請求項８】 上記（Ｂ）成分であるアクリロニトリル
−ブタジエン系共重合体が、アクリロニトリル−ブタジ
エン−メタクリル酸共重合体である請求項７記載のシー
ト状封止材料。 - 【請求項９】 上記（Ｂ）成分であるアクリロニトリル
−ブタジエン系共重合体が、アクリロニトリル−ブタジ
エン−アクリル酸共重合体である請求項７記載のシート
状封止材料。 - 【請求項１０】 上記エポキシ樹脂組成物が（Ａ）成分
および（Ｂ）成分とともに、下記の（Ｃ）成分を含有す
るエポキシ樹脂組成物である請求項７〜９のいずれか一
項に記載のシート状封止材料。 （Ｃ）下記の一般式（２）で表されるフェノール樹脂。 【化４】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05861898A JP3947296B2 (ja) | 1997-04-02 | 1998-03-10 | シート状封止材料およびそれを用いた半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-83496 | 1997-04-02 | ||
| JP8349697 | 1997-04-02 | ||
| JP05861898A JP3947296B2 (ja) | 1997-04-02 | 1998-03-10 | シート状封止材料およびそれを用いた半導体装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335389A true JPH10335389A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3947296B2 JP3947296B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=26399647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05861898A Expired - Lifetime JP3947296B2 (ja) | 1997-04-02 | 1998-03-10 | シート状封止材料およびそれを用いた半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3947296B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117075A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-01-22 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JP2000286298A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2000286297A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| US6210811B1 (en) | 1998-09-25 | 2001-04-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device |
| JP2001288445A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-16 | Nagase Chemtex Corp | 電気的接続可能な半導体用接着剤 |
| US6383659B1 (en) | 1999-04-14 | 2002-05-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device |
| US6512031B1 (en) | 1999-04-15 | 2003-01-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device |
| US6645632B2 (en) | 2000-03-15 | 2003-11-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Film-type adhesive for electronic components, and electronic components bonded therewith |
| JP2004156051A (ja) * | 1999-09-17 | 2004-06-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2006312720A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-11-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2007503517A (ja) * | 2003-05-15 | 2007-02-22 | ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー | 架橋剤としてのｈｘｎｂｒゴム |
| WO2007122821A1 (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 半導体装置 |
| JP2007288228A (ja) * | 1999-01-29 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2007317943A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 基板および半導体装置 |
| US7683482B2 (en) | 1999-01-29 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Electronic component unit |
| JP2011089072A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Namics Corp | チップ抵抗器または圧電発音体の保護膜用樹脂組成物 |
| WO2014003044A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 太陽ホールディングス株式会社 | 熱硬化型樹脂組成物および熱硬化型樹脂フィルム |
-
1998
- 1998-03-10 JP JP05861898A patent/JP3947296B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117075A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-01-22 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| US6210811B1 (en) | 1998-09-25 | 2001-04-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device |
| JP2007288228A (ja) * | 1999-01-29 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2000286298A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2000286297A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| US8007627B2 (en) | 1999-01-29 | 2011-08-30 | Panasonic Corporation | Electronic component mounting method and apparatus |
| US7683482B2 (en) | 1999-01-29 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Electronic component unit |
| US6383659B1 (en) | 1999-04-14 | 2002-05-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device |
| US6512031B1 (en) | 1999-04-15 | 2003-01-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device |
| JP2004156051A (ja) * | 1999-09-17 | 2004-06-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| US6645632B2 (en) | 2000-03-15 | 2003-11-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Film-type adhesive for electronic components, and electronic components bonded therewith |
| JP2001288445A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-16 | Nagase Chemtex Corp | 電気的接続可能な半導体用接着剤 |
| JP2007503517A (ja) * | 2003-05-15 | 2007-02-22 | ランクセス・ドイチュランド・ゲーエムベーハー | 架橋剤としてのｈｘｎｂｒゴム |
| JP2006312720A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-11-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2007122821A1 (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 半導体装置 |
| US8629556B2 (en) | 2006-04-20 | 2014-01-14 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2007317943A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 基板および半導体装置 |
| JP2011089072A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Namics Corp | チップ抵抗器または圧電発音体の保護膜用樹脂組成物 |
| WO2014003044A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 太陽ホールディングス株式会社 | 熱硬化型樹脂組成物および熱硬化型樹脂フィルム |
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