JPH10339638A - 角速度センサ - Google Patents
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- JPH10339638A JPH10339638A JP9149450A JP14945097A JPH10339638A JP H10339638 A JPH10339638 A JP H10339638A JP 9149450 A JP9149450 A JP 9149450A JP 14945097 A JP14945097 A JP 14945097A JP H10339638 A JPH10339638 A JP H10339638A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】駆動振動部の圧電体の厚みを検出振動部の圧電
体の厚みより薄く形成することにより、駆動振動部の駆
動変位を大きくし、かつ、検出振動部の検出電圧を高く
して、検出感度を向上させる。 【解決手段】基体1から伸びる片持梁振動体の根元側
に、共通電極4a、厚手の酸化亜鉛層5aおよび一対の
検出電極6a、7aよりなる一対の検出振動部6、7を
形成する。また、片持梁振動体2の先端側に、共通電極
4b、薄手の酸化亜鉛層5bおよび駆動電極8aよりな
る駆動振動部8を形成する。そして、駆動振動部8の酸
化亜鉛層5bの厚みt2を検出振動部6、7の酸化亜鉛
層5aの厚みt1より薄く形成する。
体の厚みより薄く形成することにより、駆動振動部の駆
動変位を大きくし、かつ、検出振動部の検出電圧を高く
して、検出感度を向上させる。 【解決手段】基体1から伸びる片持梁振動体の根元側
に、共通電極4a、厚手の酸化亜鉛層5aおよび一対の
検出電極6a、7aよりなる一対の検出振動部6、7を
形成する。また、片持梁振動体2の先端側に、共通電極
4b、薄手の酸化亜鉛層5bおよび駆動電極8aよりな
る駆動振動部8を形成する。そして、駆動振動部8の酸
化亜鉛層5bの厚みt2を検出振動部6、7の酸化亜鉛
層5aの厚みt1より薄く形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車などの移動
体に搭載して、その回転角速度を検出する圧電型の角速
度センサに関する。
体に搭載して、その回転角速度を検出する圧電型の角速
度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】この種の従来の角速度センサとして、特
開平7−113643号公報に開示されている片持梁振
動体よりなる構造を図11に示す。シリコン基板31か
ら一方に伸びる片持梁振動体32を形成する。この片持
梁振動体32の上には酸化シリコン層33が形成され、
この酸化シリコン層33の上に3つの細長い分割電極3
6a、37a、38aが、長手方向に形成されている。
これらの分割電極36a、37a、38aなどの上に
は、圧電体34が形成されている。また、この圧電体3
4の上には共通電極35が形成されている。そして、圧
電体34を介在して、共通電極35と分割電極36a、
37a、38aとにより、それぞれ検出振動部36、駆
動振動部37、検出振動部38が構成される。
開平7−113643号公報に開示されている片持梁振
動体よりなる構造を図11に示す。シリコン基板31か
ら一方に伸びる片持梁振動体32を形成する。この片持
梁振動体32の上には酸化シリコン層33が形成され、
この酸化シリコン層33の上に3つの細長い分割電極3
6a、37a、38aが、長手方向に形成されている。
これらの分割電極36a、37a、38aなどの上に
は、圧電体34が形成されている。また、この圧電体3
4の上には共通電極35が形成されている。そして、圧
電体34を介在して、共通電極35と分割電極36a、
37a、38aとにより、それぞれ検出振動部36、駆
動振動部37、検出振動部38が構成される。
【0003】従来の角速度センサは以上のような構造よ
りなり、つぎに動作について説明する。中央の駆動振動
部37の下部の分割電極37aと上部の共通電極35と
の間に交流電圧を印加して、片持梁振動体32をZ軸方
向に振動させる。このように片持梁振動体32が振動し
ているときに、角速度センサ(片持梁振動体32)がX
軸回りに回転すると、コリオリ力により片持梁振動体3
2はY軸方向にも振動するようになる。そして、両側の
検出振動部36と38に、圧縮応力と引っ張り応力が交
互に発生して、検出振動部36と38には、それぞれ逆
極性の電圧が発生する。この発生電圧を差動増幅するこ
とにより、回転角速度を求めるものである。
りなり、つぎに動作について説明する。中央の駆動振動
部37の下部の分割電極37aと上部の共通電極35と
の間に交流電圧を印加して、片持梁振動体32をZ軸方
向に振動させる。このように片持梁振動体32が振動し
ているときに、角速度センサ(片持梁振動体32)がX
軸回りに回転すると、コリオリ力により片持梁振動体3
2はY軸方向にも振動するようになる。そして、両側の
検出振動部36と38に、圧縮応力と引っ張り応力が交
互に発生して、検出振動部36と38には、それぞれ逆
極性の電圧が発生する。この発生電圧を差動増幅するこ
とにより、回転角速度を求めるものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図11
に示す従来の角速度センサは、片持梁振動体32の圧電
体34が全体として薄い場合は、片持梁振動体32の駆
動振動部37による駆動変位は大きくなるが、検出振動
部36、38の検出電圧は低くなる。一方、片持梁振動
体32の圧電体34が全体として厚い場合は、片持梁振
動体32の駆動振動部37による駆動変位は小さくなる
が、検出振動部36、38の検出電圧は高くなる。
に示す従来の角速度センサは、片持梁振動体32の圧電
体34が全体として薄い場合は、片持梁振動体32の駆
動振動部37による駆動変位は大きくなるが、検出振動
部36、38の検出電圧は低くなる。一方、片持梁振動
体32の圧電体34が全体として厚い場合は、片持梁振
動体32の駆動振動部37による駆動変位は小さくなる
が、検出振動部36、38の検出電圧は高くなる。
【0005】いずれの場合も、駆動振動部37と検出駆
動部36、38との出力特性を見てみると、一方がよけ
れば他方が悪く、他方がよければ一方が悪くなって、角
速度センサの検出感度(1゜/sに対する出力電圧)を
低下させていた。
動部36、38との出力特性を見てみると、一方がよけ
れば他方が悪く、他方がよければ一方が悪くなって、角
速度センサの検出感度(1゜/sに対する出力電圧)を
低下させていた。
【0006】そこで、本発明は、圧電振動部の圧電体の
厚みを検出振動部の圧電体の厚みより薄く形成すること
により、検出感度を向上させた角速度センサを提供する
ことを目的とする。
厚みを検出振動部の圧電体の厚みより薄く形成すること
により、検出感度を向上させた角速度センサを提供する
ことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基体から伸びる片持梁振動体上に、該片持梁振動体
の根元部から中央部にかけて梁幅方向に2分割された一
対の検出電極、圧電体および共通電極の層からなる一対
の検出振動部が形成され、かつ、前記片持梁振動体の中
央部から先端部にかけて、駆動電極、圧電体および共通
電極の層からなる駆動振動部が形成され、前記一対の検
出電極から配線パターンが前記基体の圧電体上に形成し
た一対の検出用パッドにそれぞれ導出され、前記駆動電
極から配線パターンが前記一対の検出電極の間を通して
前記基体の圧電体上に形成した駆動用パッドに導出さ
れ、前記駆動電極と共通電極との間に介在する圧電体の
厚みが、前記一対の検出電極と共通電極との間に介在す
る圧電体の厚みより薄く形成されているものである。
は、基体から伸びる片持梁振動体上に、該片持梁振動体
の根元部から中央部にかけて梁幅方向に2分割された一
対の検出電極、圧電体および共通電極の層からなる一対
の検出振動部が形成され、かつ、前記片持梁振動体の中
央部から先端部にかけて、駆動電極、圧電体および共通
電極の層からなる駆動振動部が形成され、前記一対の検
出電極から配線パターンが前記基体の圧電体上に形成し
た一対の検出用パッドにそれぞれ導出され、前記駆動電
極から配線パターンが前記一対の検出電極の間を通して
前記基体の圧電体上に形成した駆動用パッドに導出さ
れ、前記駆動電極と共通電極との間に介在する圧電体の
厚みが、前記一対の検出電極と共通電極との間に介在す
る圧電体の厚みより薄く形成されているものである。
【0008】この発明は、駆動用パッド(駆動電極)と
共通電極との間に、例えば、5〜50kHzの交流電圧
を印加する。そして、圧電体の面積振動により片持梁振
動体を上下方向に屈曲振動させる。このように、片持梁
振動体が屈曲振動しているときに、角速度センサがその
片持梁振動体の軸回りに回転したとすると、片持梁振動
体はコリオリ力により水平方向にも振動するようにな
る。この水平方向の振動により、一対の検出振動部の検
出電極には、それぞれ逆極性の電圧が発生する。この逆
極性の電圧を、差動増幅することにより、コリオリ力に
基づく回転角速度を検出することができる。
共通電極との間に、例えば、5〜50kHzの交流電圧
を印加する。そして、圧電体の面積振動により片持梁振
動体を上下方向に屈曲振動させる。このように、片持梁
振動体が屈曲振動しているときに、角速度センサがその
片持梁振動体の軸回りに回転したとすると、片持梁振動
体はコリオリ力により水平方向にも振動するようにな
る。この水平方向の振動により、一対の検出振動部の検
出電極には、それぞれ逆極性の電圧が発生する。この逆
極性の電圧を、差動増幅することにより、コリオリ力に
基づく回転角速度を検出することができる。
【0009】特に、この発明においては、駆動振動部の
圧電体の厚みを、検出振動部の圧電体の厚みより1/2
以下に薄く形成すると共に、支持梁の厚みの1/10〜
1/20の値に選定して、片持梁振動体の駆動振幅を大
きくしている。また、検出振動部の検出電圧は、圧電体
の厚みが厚くなった分だけ高くなる。これにより、角速
度センサの検出感度が向上する。
圧電体の厚みを、検出振動部の圧電体の厚みより1/2
以下に薄く形成すると共に、支持梁の厚みの1/10〜
1/20の値に選定して、片持梁振動体の駆動振幅を大
きくしている。また、検出振動部の検出電圧は、圧電体
の厚みが厚くなった分だけ高くなる。これにより、角速
度センサの検出感度が向上する。
【0010】請求項2に記載の発明は、4つの支持梁に
より屈曲振動の2つの節部を支持された両持梁振動体上
の該節間に、梁幅方向に2分割された一対の検出電極、
圧電体および共通電極の層からなる一対の検出振動部が
形成され、かつ、前記両持梁振動体上の2つの節部の外
側に、それぞれ駆動電極、圧電体および共通電極の層か
らなる駆動振動部が形成され、前記一対の検出電極およ
び2つの駆動電極からは、前記支持梁を通して配線パタ
ーンが外部に導出され、前記2つの駆動電極と共通電極
との間に介在する圧電体の厚みが、前記一対の検出電極
と共通電極との間に介在する圧電体の厚みより薄く形成
されているものである。
より屈曲振動の2つの節部を支持された両持梁振動体上
の該節間に、梁幅方向に2分割された一対の検出電極、
圧電体および共通電極の層からなる一対の検出振動部が
形成され、かつ、前記両持梁振動体上の2つの節部の外
側に、それぞれ駆動電極、圧電体および共通電極の層か
らなる駆動振動部が形成され、前記一対の検出電極およ
び2つの駆動電極からは、前記支持梁を通して配線パタ
ーンが外部に導出され、前記2つの駆動電極と共通電極
との間に介在する圧電体の厚みが、前記一対の検出電極
と共通電極との間に介在する圧電体の厚みより薄く形成
されているものである。
【0011】この発明は、2つの駆動電極と共通電極と
の間に、例えば、5〜50kHzの交流電圧を印加す
る。そして、両持梁振動体を圧電体の面積振動により2
つの節を支点にして上下方向に屈曲振動させる。このよ
うに、両持梁振動体が屈曲振動しているときに、角速度
センサがその両持梁振動体の軸回りに回転したとする
と、両持梁振動体はコリオリ力により水平方向にも屈曲
振動するようになる。この水平方向の屈曲振動により、
一対の検出振動部の検出電極には、それぞれ逆極性の電
圧が発生する。この逆極性の電圧を、差動増幅すること
により、コリオリ力に基づく回転角速度を検出すること
ができる。
の間に、例えば、5〜50kHzの交流電圧を印加す
る。そして、両持梁振動体を圧電体の面積振動により2
つの節を支点にして上下方向に屈曲振動させる。このよ
うに、両持梁振動体が屈曲振動しているときに、角速度
センサがその両持梁振動体の軸回りに回転したとする
と、両持梁振動体はコリオリ力により水平方向にも屈曲
振動するようになる。この水平方向の屈曲振動により、
一対の検出振動部の検出電極には、それぞれ逆極性の電
圧が発生する。この逆極性の電圧を、差動増幅すること
により、コリオリ力に基づく回転角速度を検出すること
ができる。
【0012】また、この発明は、請求項1に記載の発明
と同様に、駆動振動部の圧電体の厚みを検出振動部の圧
電体の厚みより薄く形成しており、その作用についても
請求項1に記載の発明と同様となる。
と同様に、駆動振動部の圧電体の厚みを検出振動部の圧
電体の厚みより薄く形成しており、その作用についても
請求項1に記載の発明と同様となる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、図1を参照して、本発明
の第1実施例として片持梁振動体の構造よりなる圧電型
の角速度センサ10について説明する。1はシリコンな
どの基体で、この基体1の一部からシリコンの片持梁振
動体2が直角方向に伸びている。そして、基体1の表裏
面と片持梁振動体2の上には、絶縁膜、例えばシリコン
酸化膜3が形成される。
の第1実施例として片持梁振動体の構造よりなる圧電型
の角速度センサ10について説明する。1はシリコンな
どの基体で、この基体1の一部からシリコンの片持梁振
動体2が直角方向に伸びている。そして、基体1の表裏
面と片持梁振動体2の上には、絶縁膜、例えばシリコン
酸化膜3が形成される。
【0014】基体1および片持梁振動体2の根元から中
央部のシリコン酸化膜3上には、後述する一対の検出振
動部の下部電極となる共通電極4aが形成される。そし
て、この共通電極4aと片持梁振動体2の先端側のシリ
コン酸化膜3上には、圧電体、例えば酸化亜鉛層(Zn
O)5が形成される。片持梁振動体2の先端側におい
て、圧電体5の底面から1/2以上の上層部には、後述
する駆動振動部の下部電極となる共通電極4bが埋設さ
れる。そして、共通電極4aと4bとは、片持梁振動体
2の中央部で、例えばバイアホール4cなどで接続され
る。なお、圧電体としては、PZT(チタン酸ジルコン
酸鉛)系材料も使用可能である。
央部のシリコン酸化膜3上には、後述する一対の検出振
動部の下部電極となる共通電極4aが形成される。そし
て、この共通電極4aと片持梁振動体2の先端側のシリ
コン酸化膜3上には、圧電体、例えば酸化亜鉛層(Zn
O)5が形成される。片持梁振動体2の先端側におい
て、圧電体5の底面から1/2以上の上層部には、後述
する駆動振動部の下部電極となる共通電極4bが埋設さ
れる。そして、共通電極4aと4bとは、片持梁振動体
2の中央部で、例えばバイアホール4cなどで接続され
る。なお、圧電体としては、PZT(チタン酸ジルコン
酸鉛)系材料も使用可能である。
【0015】片持梁振動体2の根元部から中央部にかけ
て、圧電体5の上には、梁幅方向に2分割されて梁軸方
向に長い、共通電極4aに対抗する一対の検出電極6
a、7aが形成される。これらの一対の検出電極6a、
7aは、基体1の上に形成された圧電体5上に設けたパ
ッド6b、7bまで配線パターンにより導出される。そ
して、これらの一対の検出電極6a、7a、圧電体5お
よび下部電極4aからなる層は、一対の検出振動部6、
7を構成する。
て、圧電体5の上には、梁幅方向に2分割されて梁軸方
向に長い、共通電極4aに対抗する一対の検出電極6
a、7aが形成される。これらの一対の検出電極6a、
7aは、基体1の上に形成された圧電体5上に設けたパ
ッド6b、7bまで配線パターンにより導出される。そ
して、これらの一対の検出電極6a、7a、圧電体5お
よび下部電極4aからなる層は、一対の検出振動部6、
7を構成する。
【0016】また、片持梁振動体2の中央部から先端部
にかけて、圧電体5の上には、共通電極4bに対抗する
駆動電極8aが形成される。この駆動電極8aは、一対
の検出電極6a、7aの間隙に形成された配線パターン
8bを経由して、基体1の圧電体5b上に設けたパッド
8cに導出される。そして、駆動電極8a、圧電体5お
よび共通電極4bからなる層は駆動振動部8を構成す
る。
にかけて、圧電体5の上には、共通電極4bに対抗する
駆動電極8aが形成される。この駆動電極8aは、一対
の検出電極6a、7aの間隙に形成された配線パターン
8bを経由して、基体1の圧電体5b上に設けたパッド
8cに導出される。そして、駆動電極8a、圧電体5お
よび共通電極4bからなる層は駆動振動部8を構成す
る。
【0017】ここに、一対の検出振動部6、7の圧電体
5の厚みt1は3〜8μmに形成され、駆動振動部5の
圧電体5の厚みt2は、圧電体5の厚みt1に対し、1
〜3μmと薄く形成される。
5の厚みt1は3〜8μmに形成され、駆動振動部5の
圧電体5の厚みt2は、圧電体5の厚みt1に対し、1
〜3μmと薄く形成される。
【0018】つぎに、図1に示す角速度センサ10の動
作について説明する。パッド8c(駆動電極8a)と共
通電極4b(4a)との間に5〜50kHzの交流電圧
を印加する。すると、駆動振動部8は、その薄手の圧電
体5の厚みが伸縮すると同時に面積が縮小拡大して片持
梁振動体2の根元を支点として片持梁振動体2をZ軸方
向に振動させる。このように、片持梁振動体2が振動し
ているときに、角速度センサ10がY軸回りに回転する
と、支持梁2はコリオリ力により、X軸方向にも振動す
るようになる。すると、一対の検出振動部6、7は引っ
張り応力と圧縮応力を交互に受けて、検出電極6a、7
aには逆極性の電圧がそれぞれ発生し、これらの逆極性
の電圧を差動増幅することによりコリオリ力に基づく回
転角速度を検出することができる。
作について説明する。パッド8c(駆動電極8a)と共
通電極4b(4a)との間に5〜50kHzの交流電圧
を印加する。すると、駆動振動部8は、その薄手の圧電
体5の厚みが伸縮すると同時に面積が縮小拡大して片持
梁振動体2の根元を支点として片持梁振動体2をZ軸方
向に振動させる。このように、片持梁振動体2が振動し
ているときに、角速度センサ10がY軸回りに回転する
と、支持梁2はコリオリ力により、X軸方向にも振動す
るようになる。すると、一対の検出振動部6、7は引っ
張り応力と圧縮応力を交互に受けて、検出電極6a、7
aには逆極性の電圧がそれぞれ発生し、これらの逆極性
の電圧を差動増幅することによりコリオリ力に基づく回
転角速度を検出することができる。
【0019】つぎに、図2を参照して、本発明の第2実
施例として両持梁振動体の構造よりなる圧電型の角速度
センサ20について説明する。11はシリコンなどより
なる両持梁振動体で、その屈曲振動の一つの節n1を支
持梁11a、11bにより、もう一つの節n2を支持梁
11c、11dによりそれぞれ支持される。4つの支持
梁11a〜11dの端面は、図示しない基体の凹部側壁
にそれぞれ結合している。これらの両持梁振動体11と
4つの支持梁11a〜11d上には、絶縁膜、例えばシ
リコン酸化膜12が形成される。
施例として両持梁振動体の構造よりなる圧電型の角速度
センサ20について説明する。11はシリコンなどより
なる両持梁振動体で、その屈曲振動の一つの節n1を支
持梁11a、11bにより、もう一つの節n2を支持梁
11c、11dによりそれぞれ支持される。4つの支持
梁11a〜11dの端面は、図示しない基体の凹部側壁
にそれぞれ結合している。これらの両持梁振動体11と
4つの支持梁11a〜11d上には、絶縁膜、例えばシ
リコン酸化膜12が形成される。
【0020】両持梁振動体11の節n1とn2間におい
て、シリコン酸化膜12の上には、共通電極13が形成
される。この共通電極13は配線パターン13aによ
り、例えば一つの支持梁11aに導出される。
て、シリコン酸化膜12の上には、共通電極13が形成
される。この共通電極13は配線パターン13aによ
り、例えば一つの支持梁11aに導出される。
【0021】この共通電極13を含むシリコン酸化膜1
2の上には、酸化亜鉛層(ZnO)14が形成される。
両持梁振動体11の節n1とn2間において、酸化亜鉛
層14の上には、梁幅方向に2分割され梁軸方向に長い
一対の検出電極15a、16aが形成される。そして、
この一対の検出電極15a、16a、酸化亜鉛層14お
よび共通電極13とにより、一対の検出振動部15、1
6が構成される。
2の上には、酸化亜鉛層(ZnO)14が形成される。
両持梁振動体11の節n1とn2間において、酸化亜鉛
層14の上には、梁幅方向に2分割され梁軸方向に長い
一対の検出電極15a、16aが形成される。そして、
この一対の検出電極15a、16a、酸化亜鉛層14お
よび共通電極13とにより、一対の検出振動部15、1
6が構成される。
【0022】また、両持梁振動体11の節n1、n2の
外側において、酸化亜鉛層14の厚みの1/2以上の上
層部には、それぞれ共通電極17a、7bが埋設され
る。この共通電極17a、17bは、図1に示すような
態様で、共通電極13とバイヤホールなどにより接続さ
れる。また、この共通電極17a、7bの上部の酸化亜
鉛層14の上には、共通電極17a、17bに対抗する
駆動電極18a、19aがそれぞれ形成される。そし
て、駆動電極18a、酸化亜鉛層14および共通電極1
7aにより、駆動振動部18が構成される。また、駆動
電極19a、酸化亜鉛層14および共通電極17bによ
り、駆動振動部19が構成される。
外側において、酸化亜鉛層14の厚みの1/2以上の上
層部には、それぞれ共通電極17a、7bが埋設され
る。この共通電極17a、17bは、図1に示すような
態様で、共通電極13とバイヤホールなどにより接続さ
れる。また、この共通電極17a、7bの上部の酸化亜
鉛層14の上には、共通電極17a、17bに対抗する
駆動電極18a、19aがそれぞれ形成される。そし
て、駆動電極18a、酸化亜鉛層14および共通電極1
7aにより、駆動振動部18が構成される。また、駆動
電極19a、酸化亜鉛層14および共通電極17bによ
り、駆動振動部19が構成される。
【0023】ここに、一対の検出振動部15、16の酸
化亜鉛層14の厚みt1は3〜8μmに形成され、駆動
振動部18、19の酸化亜鉛層14の厚みt2は、酸化
亜鉛層14の厚みt1に対し、1〜3μmと薄く形成さ
れる。
化亜鉛層14の厚みt1は3〜8μmに形成され、駆動
振動部18、19の酸化亜鉛層14の厚みt2は、酸化
亜鉛層14の厚みt1に対し、1〜3μmと薄く形成さ
れる。
【0024】また、駆動電極18a、19a、一対の検
出電極15a、16aは、最寄りの支持梁11a〜11
d上に形成した配線パターンを介して外部に導出され
る。
出電極15a、16aは、最寄りの支持梁11a〜11
d上に形成した配線パターンを介して外部に導出され
る。
【0025】つぎに、図2に示す角速度センサ20の動
作について説明する。共通電極13(17a、17b)
と駆動電極18a、19aとの間に5〜50kHzの交
流電圧を印加する。すると、駆動振動部18、19は、
その薄手の圧電体14の厚みが伸縮すると同時に面積が
縮小拡大して両持梁振動体11の2つの節n1、n2を
支点にして両持梁振動体11をZ軸方向に屈曲振動させ
る。このように、両持梁振動体11が屈曲振動している
ときに、角速度センサ20がY軸回りに回転すると、両
持梁振動体11はコリオリ力により、X軸方向にも屈曲
振動するようになる。すると、一対の検出振動部15、
16は引っ張り応力と圧縮応力を交互に受けて、検出電
極15a、16aには逆極性の電圧がそれぞれ発生し、
これらの逆極性の電圧を差動増幅することによりコリオ
リ力に基づく回転角速度を検出することができる。
作について説明する。共通電極13(17a、17b)
と駆動電極18a、19aとの間に5〜50kHzの交
流電圧を印加する。すると、駆動振動部18、19は、
その薄手の圧電体14の厚みが伸縮すると同時に面積が
縮小拡大して両持梁振動体11の2つの節n1、n2を
支点にして両持梁振動体11をZ軸方向に屈曲振動させ
る。このように、両持梁振動体11が屈曲振動している
ときに、角速度センサ20がY軸回りに回転すると、両
持梁振動体11はコリオリ力により、X軸方向にも屈曲
振動するようになる。すると、一対の検出振動部15、
16は引っ張り応力と圧縮応力を交互に受けて、検出電
極15a、16aには逆極性の電圧がそれぞれ発生し、
これらの逆極性の電圧を差動増幅することによりコリオ
リ力に基づく回転角速度を検出することができる。
【0026】つぎに、図1に示す角速度センサの製造方
法について図3〜図10を参照して説明する。図3にお
いて、シリコン基板1の両面に、熱酸化、スパッタ、C
VD(化学気相成長)などにより、シリコン酸化膜3
a、3bをそれぞれ形成する。
法について図3〜図10を参照して説明する。図3にお
いて、シリコン基板1の両面に、熱酸化、スパッタ、C
VD(化学気相成長)などにより、シリコン酸化膜3
a、3bをそれぞれ形成する。
【0027】図4において、フォトリソグラフィ技術を
用いて、酸化膜3a、3bの上にフォトレジストを塗布
し、表面の酸化膜3aの全面にレジストマスクm1を形
成し、裏面の酸化膜3bの4辺にレジストマスクm2を
形成する。
用いて、酸化膜3a、3bの上にフォトレジストを塗布
し、表面の酸化膜3aの全面にレジストマスクm1を形
成し、裏面の酸化膜3bの4辺にレジストマスクm2を
形成する。
【0028】そして、レジストマスクm1、m2を用
い、BHF(バファ・フッ酸)のエッチング液にシリコ
ン基板1を浸漬して、シリコン基板1の裏面中央部の酸
化膜3bをエッチングして除去する。
い、BHF(バファ・フッ酸)のエッチング液にシリコ
ン基板1を浸漬して、シリコン基板1の裏面中央部の酸
化膜3bをエッチングして除去する。
【0029】図5において、レジストマスクm1、m2
を剥離して、シリコン基板1をTMAH(テトラ・メチル・アンモニ
ウム・ハイト゛ロオキサイト゛)のエッチング液に浸漬し、シリコン酸
化膜3a、3bをマスクとして、シリコン基板1の裏面
中央部をエッチング除去して、厚みが50〜100μm
のメンブレン2aを形成する。
を剥離して、シリコン基板1をTMAH(テトラ・メチル・アンモニ
ウム・ハイト゛ロオキサイト゛)のエッチング液に浸漬し、シリコン酸
化膜3a、3bをマスクとして、シリコン基板1の裏面
中央部をエッチング除去して、厚みが50〜100μm
のメンブレン2aを形成する。
【0030】図6において、フォトリソグラフィ技術を
用い、シリコン基板1をBHFのエッチング液に浸漬し
て、表面のシリコン酸化膜3aを図1に示す平面形状に
パターニングしてシリコン酸化膜3とする。そして、全
面にアルミニウム(Al)、金(Au)/クロム(C
r)等の金属を蒸着し、共通電極4aの対応箇所にレジ
ストマスクを形成する。ついで、このレジストマスクを
用いて、Auを王水で、Crをクロムエッチャントで、
Alを50℃の温リン酸でそれぞれウエットエッチング
して共通電極4aを形成する。
用い、シリコン基板1をBHFのエッチング液に浸漬し
て、表面のシリコン酸化膜3aを図1に示す平面形状に
パターニングしてシリコン酸化膜3とする。そして、全
面にアルミニウム(Al)、金(Au)/クロム(C
r)等の金属を蒸着し、共通電極4aの対応箇所にレジ
ストマスクを形成する。ついで、このレジストマスクを
用いて、Auを王水で、Crをクロムエッチャントで、
Alを50℃の温リン酸でそれぞれウエットエッチング
して共通電極4aを形成する。
【0031】図7において、共通電極4aを含むシリコ
ン酸化膜3aなどの全面に、厚みが2〜5μmの酸化亜
鉛層5aをRFマグネトロンスパッタ法を用いて形成す
る。そして、塩酸、硝酸などの酸性水などによるウエッ
トエッチングまたはドライエッチングを用いて酸化亜鉛
層5aをシリコン酸化膜3の形状にパターニングすると
共に、共通電極4aの先端部に至るバイアホール用の開
口5aを酸化亜鉛層5aに形成する。
ン酸化膜3aなどの全面に、厚みが2〜5μmの酸化亜
鉛層5aをRFマグネトロンスパッタ法を用いて形成す
る。そして、塩酸、硝酸などの酸性水などによるウエッ
トエッチングまたはドライエッチングを用いて酸化亜鉛
層5aをシリコン酸化膜3の形状にパターニングすると
共に、共通電極4aの先端部に至るバイアホール用の開
口5aを酸化亜鉛層5aに形成する。
【0032】図8において、酸化亜鉛層5aなどの上
に、アルミニウム(Al)、金(Au)/クロム(C
r)等の金属を蒸着し、レジストマスクを用いて、共通
電極4aに接続する共通電極4bを形成する。そして、
図7と同様な工程により、厚みが1〜3μmの酸化亜鉛
層5bを全体に成膜する。
に、アルミニウム(Al)、金(Au)/クロム(C
r)等の金属を蒸着し、レジストマスクを用いて、共通
電極4aに接続する共通電極4bを形成する。そして、
図7と同様な工程により、厚みが1〜3μmの酸化亜鉛
層5bを全体に成膜する。
【0033】図9において、酸化亜鉛層5b上に、アル
ミニウム(Al)、金(Au)/クロム(Cr)等の金
属を蒸着し、レジストマスクを用いて、図1に示すよう
に、一対の検出電極6a、7a、駆動電極8a、配線パ
ターン8b、パッド6b、7b、8cを形成する。
ミニウム(Al)、金(Au)/クロム(Cr)等の金
属を蒸着し、レジストマスクを用いて、図1に示すよう
に、一対の検出電極6a、7a、駆動電極8a、配線パ
ターン8b、パッド6b、7b、8cを形成する。
【0034】図10において、電極8aなどを含む酸化
亜鉛層5bの上に、図1に示す平面形状のレジストマス
クを形成し、このマスクを用いて、シリコン基板1のメ
ンブレン2aをドライエッチングにより垂直加工して、
不要部分を除去し、図1に示す角速度センサ10を製造
する。
亜鉛層5bの上に、図1に示す平面形状のレジストマス
クを形成し、このマスクを用いて、シリコン基板1のメ
ンブレン2aをドライエッチングにより垂直加工して、
不要部分を除去し、図1に示す角速度センサ10を製造
する。
【0035】
【発明の効果】請求項1に記載の発明は、片持梁振動体
の構造よりなる角速度センサにおいて、駆動振動部の圧
電体の厚みを検出振動部の圧電体の厚みよりも薄く形成
しているので、駆動振動部の駆動変位が大きくなり、か
つ、検出振動部の検出電圧が高くなって、両方あいまっ
て検出感度を向上させることができる。
の構造よりなる角速度センサにおいて、駆動振動部の圧
電体の厚みを検出振動部の圧電体の厚みよりも薄く形成
しているので、駆動振動部の駆動変位が大きくなり、か
つ、検出振動部の検出電圧が高くなって、両方あいまっ
て検出感度を向上させることができる。
【0036】また、発生する応力の大きい片持梁振動体
の根元側に一対の検出振動部を形成するので、微小なコ
リオリ力に基づく変位を検出することができ、検出感度
を向上させることができる。
の根元側に一対の検出振動部を形成するので、微小なコ
リオリ力に基づく変位を検出することができ、検出感度
を向上させることができる。
【0037】請求項2に記載の発明は、両持梁振動体の
構造よりなる角速度センサにおいて、請求項1に記載の
発明と同様に、駆動振動部の圧電体の厚みを検出振動部
の圧電体の厚みよりも薄く形成しているので、駆動振動
部の駆動変位が大きくなり、かつ、検出振動部の検出電
圧が高くなって、両方あいまって検出感度を向上させる
ことができる。
構造よりなる角速度センサにおいて、請求項1に記載の
発明と同様に、駆動振動部の圧電体の厚みを検出振動部
の圧電体の厚みよりも薄く形成しているので、駆動振動
部の駆動変位が大きくなり、かつ、検出振動部の検出電
圧が高くなって、両方あいまって検出感度を向上させる
ことができる。
【図1】 本発明の角速度センサの第1実施例の斜視図
【図2】 本発明の角速度センサの第2実施例の斜視図
図
図
【図3】 図1に示す本発明の第1実施例に係る角速度
センサの製造方法を示すもので、シリコン基板の両面に
酸化膜を形成する工程図
センサの製造方法を示すもので、シリコン基板の両面に
酸化膜を形成する工程図
【図4】 シリコン基板の裏面のシリコン酸化膜をエッ
チング除去する工程図
チング除去する工程図
【図5】 シリコン基板の裏面中央部をエッチングして
メンブレンを形成する工程図
メンブレンを形成する工程図
【図6】 シリコン基板の表面のシリコン酸化膜をパタ
ーニングし、かつ、共通電極を形成する工程図
ーニングし、かつ、共通電極を形成する工程図
【図7】 酸化亜鉛層をスパッタリングしてパターニン
グする工程図
グする工程図
【図8】 共通電極用の金属を蒸着してパターニんグ
し、かつ、酸化亜鉛層をスパッタリングする工程図
し、かつ、酸化亜鉛層をスパッタリングする工程図
【図9】 金属を蒸着して検出電極、駆動電極などを形
成する工程図
成する工程図
【図10】 シリコン基板をエッチングして不要部分を
除去する工程図
除去する工程図
【図11】 従来の角速度センサの斜視図
1、11 基板 2 片持梁振動体 2a メンブレン 3、12 シリコン酸化
膜 4a、4b、13、17a、17b 共通電極 5、14 酸化亜鉛層 5a 第一層酸化亜鉛層 5b 第2層酸化亜鉛層 6、7、15、16 検出振動部 6a、7a、15a、16a 検出電極 8、18、19 駆動振動部 8a、18a、19a 駆動電極 10、20 角速度センサ 11a〜11d 支持梁
膜 4a、4b、13、17a、17b 共通電極 5、14 酸化亜鉛層 5a 第一層酸化亜鉛層 5b 第2層酸化亜鉛層 6、7、15、16 検出振動部 6a、7a、15a、16a 検出電極 8、18、19 駆動振動部 8a、18a、19a 駆動電極 10、20 角速度センサ 11a〜11d 支持梁
Claims (2)
- 【請求項1】 基体から伸びる片持梁振動体上に、該片
持梁振動体の根元部から中央部にかけて梁幅方向に2分
割された一対の検出電極、圧電体および共通電極の層か
らなる一対の検出振動部が形成され、かつ、前記片持梁
振動体の中央部から先端部にかけて、駆動電極、圧電体
および共通電極の層からなる駆動振動部が形成され、 前記一対の検出電極から配線パターンが前記基体の圧電
体上に形成した一対の検出用パッドにそれぞれ導出さ
れ、前記駆動電極から配線パターンが前記一対の検出電
極の間を通して前記基体の圧電体上に形成した駆動用パ
ッドに導出され、 前記駆動電極と共通電極との間に介在する圧電体の厚み
が、前記一対の検出電極と共通電極との間に介在する圧
電体の厚みより薄く形成されている角速度センサ。 - 【請求項2】 4つの支持梁により屈曲振動の2つの節
部を支持された両持梁振動体上の該節間に、梁幅方向に
2分割された一対の検出電極、圧電体および共通電極の
層からなる一対の検出振動部が形成され、かつ、前記両
持梁振動体上の2つの節部の外側に、それぞれ駆動電
極、圧電体および共通電極の層からなる駆動振動部が形
成され、 前記一対の検出電極および2つの駆動電極からは、前記
支持梁を通して配線パターンが外部に導出され、 前記2つの駆動電極と共通電極との間に介在する圧電体
の厚みが、前記一対の検出電極と共通電極との間に介在
する圧電体の厚みより薄く形成されている角速度セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9149450A JPH10339638A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 角速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9149450A JPH10339638A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 角速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10339638A true JPH10339638A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15475393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9149450A Pending JPH10339638A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 角速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10339638A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329899A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sony Corp | 圧電薄膜素子およびその製造方法 |
| JP2006234443A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電振動型慣性センサ及びその製造方法 |
| JP2006250583A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ |
| JP2007024861A (ja) * | 2005-02-28 | 2007-02-01 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ及び振動素子の製造方法 |
| KR101119257B1 (ko) | 2004-03-31 | 2012-03-15 | 소니 주식회사 | 진동형 자이로 센서 소자 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP9149450A patent/JPH10339638A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329899A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sony Corp | 圧電薄膜素子およびその製造方法 |
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| JP2006234443A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電振動型慣性センサ及びその製造方法 |
| JP2007024861A (ja) * | 2005-02-28 | 2007-02-01 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ及び振動素子の製造方法 |
| JP2006250583A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ |
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