JPH10340624A - 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 - Google Patents
導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置Info
- Publication number
- JPH10340624A JPH10340624A JP9147754A JP14775497A JPH10340624A JP H10340624 A JPH10340624 A JP H10340624A JP 9147754 A JP9147754 A JP 9147754A JP 14775497 A JP14775497 A JP 14775497A JP H10340624 A JPH10340624 A JP H10340624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin paste
- conductive resin
- weight
- silver powder
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性に優れ、更に熱放散性にも優れる導電
性樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 球状ニッケル粉、シアン酸エステル及び
／又はそのプレポリマー、銀粉、を必須成分として、該
成分中に球状ニッケル粉が１０〜９０重量％、銀粉が５
〜８５重量％、なおかつ球状ニッケル粉と銀粉を合わせ
て８０〜９５重量％含まれていることを特徴とする半導
体素子接着用樹脂ペースト。
性樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 球状ニッケル粉、シアン酸エステル及び
／又はそのプレポリマー、銀粉、を必須成分として、該
成分中に球状ニッケル粉が１０〜９０重量％、銀粉が５
〜８５重量％、なおかつ球状ニッケル粉と銀粉を合わせ
て８０〜９５重量％含まれていることを特徴とする半導
体素子接着用樹脂ペースト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペーストに関するものである。
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立において、半導体素子
を金属フレームに接着させる工程、いわゆるダイボンデ
ィング工程において用いられる接合方式は、これまで金
−シリコン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストと推移し
てきた。現在では主にＩＣ，ＬＳＩの組立においては導
電性樹脂ペーストを、トランジスタ、ダイオードなどの
ディスクリートにおいては通常半田を使用している。
を金属フレームに接着させる工程、いわゆるダイボンデ
ィング工程において用いられる接合方式は、これまで金
−シリコン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストと推移し
てきた。現在では主にＩＣ，ＬＳＩの組立においては導
電性樹脂ペーストを、トランジスタ、ダイオードなどの
ディスクリートにおいては通常半田を使用している。
【０００３】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置においてはそ
の半導体素子の面積が大きいことから半田に対してより
低応力性が高い樹脂ペーストを使用する方法が行われて
いる。この樹脂ペーストはエポキシ樹脂中にフレーク状
の銀粉が分散されている。しかし導電性樹脂ペーストを
用いる方法では近年の半導体装置において半導体素子と
金属フレームの間の導電性に関する要求は低くなってき
ている。なぜならば近年の半導体装置では半導体素子や
半導体装置のデザインの進歩に伴い、アースを取るため
に半導体素子の裏面から金属フレームに電気を流す構造
が必ずしも必要とされていない。また導電性樹脂ペース
トを通して電気を流すにしてもＩＣ，ＬＳＩでは電流が
２〜３ｍＡ程度の微弱な電流である。この程度の電流で
は樹脂中に金属粉が分散している従来の導電性樹脂ペー
ストでも充分に対応が可能である。
の半導体素子の面積が大きいことから半田に対してより
低応力性が高い樹脂ペーストを使用する方法が行われて
いる。この樹脂ペーストはエポキシ樹脂中にフレーク状
の銀粉が分散されている。しかし導電性樹脂ペーストを
用いる方法では近年の半導体装置において半導体素子と
金属フレームの間の導電性に関する要求は低くなってき
ている。なぜならば近年の半導体装置では半導体素子や
半導体装置のデザインの進歩に伴い、アースを取るため
に半導体素子の裏面から金属フレームに電気を流す構造
が必ずしも必要とされていない。また導電性樹脂ペース
トを通して電気を流すにしてもＩＣ，ＬＳＩでは電流が
２〜３ｍＡ程度の微弱な電流である。この程度の電流で
は樹脂中に金属粉が分散している従来の導電性樹脂ペー
ストでも充分に対応が可能である。
【０００４】導電性樹脂ペースト対し半田は導電性や接
着性に優れ、価格も安価である。この半田を主に使用し
ているダイオード、トランジスタ等のディスクリートで
はその製品の構造上半導体素子と金属フレームの間で電
気を流す必要がある。ところが近年の環境問題から半田
に使用している鉛を使わない方向に各半導体メーカーが
動いており、更に半田を使用する際には必要なフラック
スの洗浄工程が減らすことによるコスト削減の意味から
ＩＣ，ＬＳＩに使用している導電性樹脂ペーストをディ
スクリート用に開発しているが、半導体装置に流れる電
流が２〜３Ａ程度の大電流が流れる製品もあり、従来の
導電性樹脂ペーストでは満足する導電性を得ることがで
きなかった。この点に関しては金属皮膜を施したフィラ
ー（例えばカーボン、シリカ、ガラスビーズ、ポリマ
ー、その他無機フィラー）を配合することにより、大電
流をが流れる半導体製品においても満足な導電性を得る
ことは可能であった。
着性に優れ、価格も安価である。この半田を主に使用し
ているダイオード、トランジスタ等のディスクリートで
はその製品の構造上半導体素子と金属フレームの間で電
気を流す必要がある。ところが近年の環境問題から半田
に使用している鉛を使わない方向に各半導体メーカーが
動いており、更に半田を使用する際には必要なフラック
スの洗浄工程が減らすことによるコスト削減の意味から
ＩＣ，ＬＳＩに使用している導電性樹脂ペーストをディ
スクリート用に開発しているが、半導体装置に流れる電
流が２〜３Ａ程度の大電流が流れる製品もあり、従来の
導電性樹脂ペーストでは満足する導電性を得ることがで
きなかった。この点に関しては金属皮膜を施したフィラ
ー（例えばカーボン、シリカ、ガラスビーズ、ポリマ
ー、その他無機フィラー）を配合することにより、大電
流をが流れる半導体製品においても満足な導電性を得る
ことは可能であった。
【０００５】しかし大電流を流す半導体製品ではこの電
流により、多量の熱を発生し、この発熱が生じることで
導電性樹脂ペーストの温度が高くなる。その場合熱抵抗
により電流が流れにくくなり、半導体製品としての信頼
性を低下させるという結果を招いている。従ってこの様
な導電性には優れるが、熱放散性に劣る導電性樹脂ペー
ストを使用する場合には充分な冷却機構を持った半導体
製品でなければならなかったが、コストアップにつなが
り実用的ではなかった。
流により、多量の熱を発生し、この発熱が生じることで
導電性樹脂ペーストの温度が高くなる。その場合熱抵抗
により電流が流れにくくなり、半導体製品としての信頼
性を低下させるという結果を招いている。従ってこの様
な導電性には優れるが、熱放散性に劣る導電性樹脂ペー
ストを使用する場合には充分な冷却機構を持った半導体
製品でなければならなかったが、コストアップにつなが
り実用的ではなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は導電性に優
れ、更に熱放散性にも優れる導電性樹脂ペーストを提供
するものである。
れ、更に熱放散性にも優れる導電性樹脂ペーストを提供
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は（Ａ）平均粒径
が５〜３０μｍの球状ニッケル粉、（Ｂ）平均粒径が
０．５〜１５μｍの銀粉、（Ｃ）一般式（１）で示され
るシアン酸エステル及び／又はそのプレポリマーを必須
成分として、該成分中に球状ニッケル粉（Ａ）が１０〜
９０重量％、銀粉（Ｂ）が５〜８５重量％含まれてお
り、尚かつ（Ａ）＋（Ｂ）が８０〜９７重量％であるこ
とを特徴とする導電性樹脂ペースト及び上記の導電性樹
脂ペーストを用いて製造された半導体装置に関するもの
である。
が５〜３０μｍの球状ニッケル粉、（Ｂ）平均粒径が
０．５〜１５μｍの銀粉、（Ｃ）一般式（１）で示され
るシアン酸エステル及び／又はそのプレポリマーを必須
成分として、該成分中に球状ニッケル粉（Ａ）が１０〜
９０重量％、銀粉（Ｂ）が５〜８５重量％含まれてお
り、尚かつ（Ａ）＋（Ｂ）が８０〜９７重量％であるこ
とを特徴とする導電性樹脂ペースト及び上記の導電性樹
脂ペーストを用いて製造された半導体装置に関するもの
である。
【０００８】
【化１】 （式中、Ｒ1は芳香族環を含む２価の有機基である）
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の様な半導体用導電性樹脂
ペーストは導電性を付与するために通常フィラーに銀粉
を用いるが、本発明では銀粉だけではなくニッケル粉が
必須である。銀粉にニッケル粉を併用した理由はより導
電性、熱放散性を向上させる場合、当然金属の比率を上
昇させるのが常套手段である。しかし銀粉のみでこの様
な高充填の導電性樹脂ペーストを作製しようとすると作
製時に使用する三本ロールにおけるロールの回転による
機械的な力で銀粉がつぶれてしまい、結果として銀粉が
造粒してしまうため十分に分散されず、導電性、熱放散
性、作業性を著しく低下させてしまう。そこで銀粉にく
らべ機械的に強いニッケル粉を添加することにより銀粉
のつぶれを防ぐものである。しかしつぶれやすい銀粉の
粒径がニッケル粉の粒径より大きいとロールによりつぶ
れる可能性が大きい。そこで本発明では銀粉の粒径はニ
ッケル粉の粒径よりも小さいものが好ましい。一方、ニ
ッケル粉だけで導電性を得ようとすると半導体製品での
信頼性試験における吸湿によりニッケル表面に酸化膜的
な絶縁層が生じるため抵抗が大きくなる。従ってニッケ
ルより化学的な銀を併用し、導電性を維持することが本
発明のポイントである。
ペーストは導電性を付与するために通常フィラーに銀粉
を用いるが、本発明では銀粉だけではなくニッケル粉が
必須である。銀粉にニッケル粉を併用した理由はより導
電性、熱放散性を向上させる場合、当然金属の比率を上
昇させるのが常套手段である。しかし銀粉のみでこの様
な高充填の導電性樹脂ペーストを作製しようとすると作
製時に使用する三本ロールにおけるロールの回転による
機械的な力で銀粉がつぶれてしまい、結果として銀粉が
造粒してしまうため十分に分散されず、導電性、熱放散
性、作業性を著しく低下させてしまう。そこで銀粉にく
らべ機械的に強いニッケル粉を添加することにより銀粉
のつぶれを防ぐものである。しかしつぶれやすい銀粉の
粒径がニッケル粉の粒径より大きいとロールによりつぶ
れる可能性が大きい。そこで本発明では銀粉の粒径はニ
ッケル粉の粒径よりも小さいものが好ましい。一方、ニ
ッケル粉だけで導電性を得ようとすると半導体製品での
信頼性試験における吸湿によりニッケル表面に酸化膜的
な絶縁層が生じるため抵抗が大きくなる。従ってニッケ
ルより化学的な銀を併用し、導電性を維持することが本
発明のポイントである。
【００１０】本発明ではニッケル粉と銀粉の併せた量が
８０〜９７重量％で無ければならない。ニッケル粉と銀
粉を併せた量が８０重量％より少ないと導電性と熱放散
性に劣る。また９７重量％より多いと粘度が高くなり過
ぎ塗布作業性が著しく低下する。球状ニッケル粉が１０
〜９０重量％、銀粉が５〜８５重量％であるのが望まし
い。球状ニッケル粉が１０重量％を下回ると銀粉の造粒
が激しく分散性が著しく低下するため導電性が低下す
る。球状ニッケル粉が９０重量％を越えると吸水後の導
電性が低下するので好ましくない。
８０〜９７重量％で無ければならない。ニッケル粉と銀
粉を併せた量が８０重量％より少ないと導電性と熱放散
性に劣る。また９７重量％より多いと粘度が高くなり過
ぎ塗布作業性が著しく低下する。球状ニッケル粉が１０
〜９０重量％、銀粉が５〜８５重量％であるのが望まし
い。球状ニッケル粉が１０重量％を下回ると銀粉の造粒
が激しく分散性が著しく低下するため導電性が低下す
る。球状ニッケル粉が９０重量％を越えると吸水後の導
電性が低下するので好ましくない。
【００１１】本発明で用いるニッケル粉は球状が望まし
い。本発明の様に高充填にする場合、粒子の形状は球状
の方が比表面積が小さくタップ密度が小さいためより多
くの粒子を充填することができるので好ましい。ニッケ
ル粉の平均粒径は５〜３０μｍが望ましい。粒径がこれ
より小さいと粘度が高くなり金属粉の高充填化は困難に
なる。またこれより大きいと塗布した場合のペースト厚
みが大きくなるため導電性が劣る。
い。本発明の様に高充填にする場合、粒子の形状は球状
の方が比表面積が小さくタップ密度が小さいためより多
くの粒子を充填することができるので好ましい。ニッケ
ル粉の平均粒径は５〜３０μｍが望ましい。粒径がこれ
より小さいと粘度が高くなり金属粉の高充填化は困難に
なる。またこれより大きいと塗布した場合のペースト厚
みが大きくなるため導電性が劣る。
【００１２】本発明に用いる銀粉の平均粒径は０．５〜
１５μｍが望ましい。形状は球状の方がより高充填化が
可能ではあるが、本発明の様な比較的粒径の大きい球状
ニッケル粉を添加により粘度が低下するためフレーク状
の銀粉であっても良好な作業性が得られるため特に限定
するものではない。平均粒径が０．５μｍより小さいと
球状ニッケル粉の添加でもロール混練が不可能、もしく
は混練が可能な場合でも粘度が高過ぎてディスペンスは
おろかスクリーン印刷による塗布も出来ない高い粘度に
なってしまう。逆に平均粒径が１５μｍより大きい粒径
を使用すると粒度分布が非常に狭くなり、流動性が低下
するため、塗れ広がり性が著しく低下するので好ましく
ない。
１５μｍが望ましい。形状は球状の方がより高充填化が
可能ではあるが、本発明の様な比較的粒径の大きい球状
ニッケル粉を添加により粘度が低下するためフレーク状
の銀粉であっても良好な作業性が得られるため特に限定
するものではない。平均粒径が０．５μｍより小さいと
球状ニッケル粉の添加でもロール混練が不可能、もしく
は混練が可能な場合でも粘度が高過ぎてディスペンスは
おろかスクリーン印刷による塗布も出来ない高い粘度に
なってしまう。逆に平均粒径が１５μｍより大きい粒径
を使用すると粒度分布が非常に狭くなり、流動性が低下
するため、塗れ広がり性が著しく低下するので好ましく
ない。
【００１３】本発明に用いられるシアン酸エステル及び
／又はそのプレポリマーは特に限定されるものではない
が芳香族環を骨格に含むことが耐熱性の点から好まし
い。その例を挙げると３，３’，５，５’−テトラメチ
ル−４，４’−ジシアナートジフェニルメタン、２，２
−ビス（４−シアナートフェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−シアナートフェニル）エタン等の化合物とこ
れらを適当な金属触媒の存在下で加熱し、シアン酸エス
テルを３量化してトリアジン環を一部形成したプレポリ
マー等がある。
／又はそのプレポリマーは特に限定されるものではない
が芳香族環を骨格に含むことが耐熱性の点から好まし
い。その例を挙げると３，３’，５，５’−テトラメチ
ル−４，４’−ジシアナートジフェニルメタン、２，２
−ビス（４−シアナートフェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−シアナートフェニル）エタン等の化合物とこ
れらを適当な金属触媒の存在下で加熱し、シアン酸エス
テルを３量化してトリアジン環を一部形成したプレポリ
マー等がある。
【００１４】更に本発明の樹脂組成物には必要に応じて
エポキシ樹脂などの他の熱硬化性樹脂やシランカップリ
ング剤、顔料、消泡剤などの添加剤を用いることができ
る。本発明の製造方法は例えば各成分を予備混練した
後、三本ロールを用いて混練し、ペーストを得て真空下
脱泡することなどがある。
エポキシ樹脂などの他の熱硬化性樹脂やシランカップリ
ング剤、顔料、消泡剤などの添加剤を用いることができ
る。本発明の製造方法は例えば各成分を予備混練した
後、三本ロールを用いて混練し、ペーストを得て真空下
脱泡することなどがある。
【００１５】
【実施例】以下に本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１〜８ シアン酸エステル及び／又はそのプレポリマーとして、
2,2-ビス(4-シアナートフェニル)プロパンのシアナート
基１０％反応物プレポリマー（Ｌ−１０）、3,3',5,5'-
テトラメチル-4,4'-ジシアナートジフェニルメタン（Ｍ
−０）、3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ジシアナートジ
フェニルメタンのシアナート基２０％反応物プレポリマ
ー（Ｍ−２０）、エポキシ樹脂としてビスＡ型エポキシ
（ビスＡ）、ビスＦ型エポキシ（ビスＦ）、シアナート
樹脂の反応触媒としてコバルトアセチルアセトナート
（ＣｏＡＡ）、更に平均粒径６．２８μｍの球状ニッケ
ル粉及び平均粒径１．１３μｍの球状銀粉を表１及び表
２に示す割合で配合し、３本ロールで混練して導電性樹
脂ペーストを得た。この導電性樹脂ペーストを真空チャ
ンバーにて２ｍｍＨｇで３０分脱泡後、以下に示す方法
により各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
2,2-ビス(4-シアナートフェニル)プロパンのシアナート
基１０％反応物プレポリマー（Ｌ−１０）、3,3',5,5'-
テトラメチル-4,4'-ジシアナートジフェニルメタン（Ｍ
−０）、3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ジシアナートジ
フェニルメタンのシアナート基２０％反応物プレポリマ
ー（Ｍ−２０）、エポキシ樹脂としてビスＡ型エポキシ
（ビスＡ）、ビスＦ型エポキシ（ビスＦ）、シアナート
樹脂の反応触媒としてコバルトアセチルアセトナート
（ＣｏＡＡ）、更に平均粒径６．２８μｍの球状ニッケ
ル粉及び平均粒径１．１３μｍの球状銀粉を表１及び表
２に示す割合で配合し、３本ロールで混練して導電性樹
脂ペーストを得た。この導電性樹脂ペーストを真空チャ
ンバーにて２ｍｍＨｇで３０分脱泡後、以下に示す方法
により各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い、
２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ、
厚み３０μｍに塗布し、１２０℃オーブン中で６０分間
硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。 垂直体積抵抗率：銅フレーム上にペーストをペースト塗
布し、２Ｘ２ｍｍの銅板を１２０℃オーブン中で６０分
間硬化した後の銅板表面と銅フレームの間の電圧を求
め、そこから硬化物の垂直体積抵抗率を算出した。又温
度８５℃、湿度８５％の恒温糟に１６８時間放置した後
の垂直体積抵抗率も測定した。 ３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップをペ
ーストを用いて銅フレームにマウントし１８０℃オーブ
ン中で６０分間硬化した。硬化後、プッシュプルゲージ
を用い３５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 拡がり性：銅フレームにペーストを塗布し、室温に１時
間放置してシリコンチップをマウントした時にチップの
端までペーストが広がるか評価した。 総合評価：粘度、体積抵抗率及び熱時接着強度の全てを
良好なものを○、１つでも不満足なものを×とした。
２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ、
厚み３０μｍに塗布し、１２０℃オーブン中で６０分間
硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。 垂直体積抵抗率：銅フレーム上にペーストをペースト塗
布し、２Ｘ２ｍｍの銅板を１２０℃オーブン中で６０分
間硬化した後の銅板表面と銅フレームの間の電圧を求
め、そこから硬化物の垂直体積抵抗率を算出した。又温
度８５℃、湿度８５％の恒温糟に１６８時間放置した後
の垂直体積抵抗率も測定した。 ３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップをペ
ーストを用いて銅フレームにマウントし１８０℃オーブ
ン中で６０分間硬化した。硬化後、プッシュプルゲージ
を用い３５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 拡がり性：銅フレームにペーストを塗布し、室温に１時
間放置してシリコンチップをマウントした時にチップの
端までペーストが広がるか評価した。 総合評価：粘度、体積抵抗率及び熱時接着強度の全てを
良好なものを○、１つでも不満足なものを×とした。
【００１８】比較例１〜９ 表２に示す配合割合で実施例と全く同様にして導電性樹
脂ペーストを作製した。
脂ペーストを作製した。
【００１９】
【表２】
【００２０】表１及び表２の結果から明らかなように本
発明に従えば導電性に優れる樹脂ペーストを得ることが
できる。
発明に従えば導電性に優れる樹脂ペーストを得ることが
できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の導電性樹脂ペーストは半導体素
子と金属フレーム間の導電性が良好で、尚かつダイボン
ディング時のペーストの濡れ拡がり性が良好で、銅、４
２合金等の金属フレーム、セラミック基板、ガラスエポ
キシ等の有機基板へのＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接
着に用いることができる。
子と金属フレーム間の導電性が良好で、尚かつダイボン
ディング時のペーストの濡れ拡がり性が良好で、銅、４
２合金等の金属フレーム、セラミック基板、ガラスエポ
キシ等の有機基板へのＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接
着に用いることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 163/00 Ｃ０９Ｊ 163/00 175/00 175/00 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）平均粒径が５〜３０μｍの球状ニ
ッケル粉、（Ｂ）平均粒径が０．５〜１５μｍの銀粉、
（Ｃ）一般式（１）で示されるシアン酸エステル及び／
又はそのプレポリマーを必須成分として、該成分中に球
状ニッケル粉（Ａ）が１０〜９０重量％、銀粉（Ｂ）が
５〜８５重量％含まれており、尚かつ（Ａ）＋（Ｂ）が
８０〜９７重量％であることを特徴とする導電性樹脂ペ
ースト。 【化１】 （式中、Ｒ1は芳香族環を含む２価の有機基である） - 【請求項２】 請求項１記載の導電性樹脂ペーストを用
いて製造された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9147754A JPH10340624A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9147754A JPH10340624A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340624A true JPH10340624A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15437403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9147754A Withdrawn JPH10340624A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340624A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000239627A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト |
| JP2000265144A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト |
| JP2005079251A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
| JP2018538381A (ja) * | 2015-10-15 | 2018-12-27 | ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 接着剤配合物中の伝導性充填材としてのニッケル及びニッケル含有合金の使用 |
| CN109135657A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-04 | 深圳广恒威科技有限公司 | 一种应用于大尺寸芯片封装导电固晶粘结胶及其制备方法和应用 |
-
1997
- 1997-06-05 JP JP9147754A patent/JPH10340624A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000239627A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト |
| JP2000265144A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト |
| JP2005079251A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
| JP2018538381A (ja) * | 2015-10-15 | 2018-12-27 | ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 接着剤配合物中の伝導性充填材としてのニッケル及びニッケル含有合金の使用 |
| CN109135657A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-04 | 深圳广恒威科技有限公司 | 一种应用于大尺寸芯片封装导电固晶粘结胶及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI480326B (zh) | 用於含低ｋ介電質之半導體裝置中作為底填密封劑之可固化樹脂組合物 | |
| JPH1166953A (ja) | 導電性接着剤およびその使用方法 | |
| JP3254626B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3283451B2 (ja) | 液状注入封止アンダーフィル材 | |
| JP4174088B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 | |
| JP2000053733A (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH10340624A (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 | |
| JP4064090B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2003129017A (ja) | 導電性接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3365725B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3469432B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 | |
| JP3526183B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 | |
| JP3254625B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3250793B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH07161740A (ja) | 半導体用導電性樹脂ペースト | |
| JP3456911B2 (ja) | 液状封止樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH10237409A (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 | |
| JP3759383B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP3418515B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 | |
| JPH10121012A (ja) | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 | |
| JP2000174044A (ja) | 半導体素子の組立方法 | |
| JP2006073812A (ja) | ダイボンディングペースト | |
| JP4940486B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10130469A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2003147316A (ja) | 接着用樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051219 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060210 |