JPH10340682A - マグネトロン装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 組立精度を容易に向上して、安定した動作を
行うことができるマグネトロン装置及びその製造方法を
提供すること。 【解決手段】 円筒状の陽極筒体１と、陽極筒体１内で
その中心軸の周りに放射状に配列され、かつ陽極筒体１
の中心部分に圧入されるピン４０により陽極筒体１の内
周面に圧接されてその遠端側の端面が内周面に固定され
た複数の板状の陽極ベイン１５を備え、陽極ベイン１５
がピン４０に接する内側端面の中央部分に凹部２２を設
ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子レンジなどに
用いられるマグネトロン装置及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】マグネトロン装置は、例えば２，４５０
ＭＨｚの基本周波数で動作するマイクロ波発振管であ
り、マイクロ波加熱器あるいはマイクロ波放電ランプな
どのマイクロ波を用いた電気機器において高周波源とし
て使用されている。このようなマグネトロン装置は、陰
極と陽極とを同軸円筒状に配置した構成が一般的なもの
である。より具体的に言えば、マグネトロン装置は、コ
イル状の陰極、当該陰極を中心軸として配置した円筒状
の陽極筒体、及び前記陽極筒体の内部空間に中心軸の周
りに放射状に配列され共振空洞を形成するための複数の
陽極ベインを備えている。さらに、マグネトロン装置に
は、陽極筒体の上側及び下側の開口端部に設けられ、円
環状の永久磁石に磁気的に接続された一対の磁極片、陽
極ベインを電気的に相互に接続するための複数の均圧
環、及び一端がいずれか一つの陽極ベインに接続され、
マイクロ波を放射するためのアンテナを備えている。上
記のようなマグネトロン装置では、陽極筒体、陽極ベイ
ン、アンテナ、均圧環、及び磁極片を陽極構体として一
体的に組み立てた後、該陽極構体の中心部分に陰極を配
置していた。マグネトロン装置では、周知のように、構
成部材の組立精度が当該装置の性能に大きく影響するも
のであり、特に所望の共振空洞を陽極筒体内に形成する
ための複数の陽極ベインの配置が重要なものであった。
従って、マグネトロン装置では、陰極と所定の距離をお
いて、かつ陽極筒体の内周面に等間隔で複数の各陽極ベ
インを精度よく同軸放射状に固定することが技術的な課
題であった。

【０００３】従来のマグネトロン装置の製造方法には、
例えば特公昭５７−１８８２３号公報に開示されたよう
に、仮組立用ピンを用いて陽極ベインを陽極筒体の内周
面に圧接し、ろう材により全ての陽極ベインを内周面に
一挙に固定する圧接ろう付け方法が知られている。

【０００４】以下、この従来のマグネトロン装置及びそ
の製造方法について、図１６、及び図１７を参照して具
体的に説明する。図１６は従来のマグネトロン装置のろ
う材を溶解する前の陽極構体の主要部の構成を示す一部
切り欠き斜視図であり、図１７は従来のマグネトロン装
置のろう材を溶解した後での陽極構体の主要部の構成を
示す断面図である。図１６、及び図１７に示すように、
円筒状の陽極筒体５１の内部には、複数の陽極ベイン５
２（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，−−−）が同軸
放射状に配列されている。具体的に言えば、例えば１０
枚の陽極ベイン５２が、陽極筒体５１内で等間隔に配置
されている。各陽極ベイン５２は、例えば縦寸法９.５
ｍｍ及び横寸法１３ｍｍの実質的に矩形に形成され、短
辺側の一端面が陽極筒体５１の内周面に固定されてい
る。これらの陽極ベイン５２は、図の一点鎖線で示した
仮組立用ピン４０によって陽極筒体５１の内周面に圧接
され、線状のろう材５６（図１６）を溶解することによ
って上記一端面が陽極筒体５１の内周面に固定される。
また、図示しないコイル状の陰極を陽極筒体５１の中心
軸に沿って配置したとき、陽極ベイン５２の配列中心側
端面、つまり上記一端面に対向する各陽極ベイン５２の
端面（以下、”内側端面”という）は陰極と所定の距離
をおいて配置され、陽極筒体５１内に所望の共振空洞が
形成される。各陽極ベイン５２の長辺側の相対向する端
面には、２対の均圧環５４（５４ａ，５４ｂ）及び５５
（５５ａ，５５ｂ）をろう付けするための均圧環用溝５
３ａ，５３ｂがそれぞれ設けられている。各陽極ベイン
５２の均圧環用溝５３ａを設けた端面には、図示しない
アンテナの一端を接続するための端子用溝５３ｃが設け
られている。

【０００５】均圧環５４ｂ，５５ａは一つおきの陽極ベ
イン５２ａ，５２ｃ，−−−にろう付けされ、均圧環５
４ａ，５５ｂは残りの陽極ベイン５２ｂ，５２ｄ，−−
−にろう付けされている。尚、均圧環５４，５５の表面
にはろう材５６のめっき層（図示せず）が形成されてお
り、ろう材５６を溶解して陽極筒体５１の内周面に陽極
ベイン５２の一端面を固定するとき、めっき層もまた溶
解して均圧環５４，５５を対応する陽極ベイン５２に固
定する。上述の陽極筒体５１、陽極ベイン５２、均圧環
５４，５５、及びアンテナ（図示せず）は、例えば無酸
素銅により構成されている。また、仮組立用ピン４０は
窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）により構成され、各陽極ベイン５
２の内側端面に接する円柱状部分の表面は鏡面仕上げ状
態で平滑に加工されている。ろう材５６は銀と銅との合
金により構成され、又均圧環５４，５５及びアンテナ
（図示せず）はその表面に銀のめっき層をもつ銅により
構成されている。

【０００６】このような従来のマグネトロン装置の製造
方法では、まず図示しない仮組立用治具を用いて、複数
の陽極ベイン５２、及び均圧環５４，５５を陽極筒体５
１内の所定位置に配置する。そして、仮組立用ピン４０
を陽極筒体５１の中心軸方向に動かして、各陽極ベイン
５２の内側端面に接しつつ、図１６の矢印”Ｙ”で示す
ように仮組立用ピン４０を陽極ベイン５２の配列中心部
分（陽極筒体５１の中心部分）に下方から圧入する。こ
れにより、陽極構体は、仮組立用ピン４０によって陽極
筒体５１の内周面に各陽極ベイン５２の一端面を圧接し
た仮組立状態で維持される。その後、上記仮組立用治具
だけを取り外して、図１６に示すように、ろう材５６を
陽極筒体５１の内周面に接して陽極ベイン５２の長辺側
の端面上に配置し陽極筒体５１の上側の開口端部に磁極
片（図示せず）を圧入した後、図示しないアンテナの一
端を一つの陽極ベイン５２に固定している。次に、図示
しない炉内で所定の温度（例えば、８００〜９００℃）
に仮組立状態の陽極構体を加熱する。これにより、ろう
材５６は溶解して、膨張によって生じた陽極筒体５１の
内周面と各陽極ベイン５２の一端面との隙間に溶け込
む。このとき、均圧環５４，５５及び図示しないアンテ
ナのめっき層もまた溶解する。その後、この仮組立状態
を保って陽極構体を炉外に取り出して冷却することによ
り、陽極筒体５１の内周面と各陽極ベイン５２の一端
面、均圧環用溝５３ａ，５３ｂと均圧環５４，５５、及
び陽極ベイン５２とアンテナ（図示せず）とがそれぞれ
固定される。続いて、仮組立用ピン４０を下方に抜き取
った後、磁極片（図示せず）を陽極筒体５１の下側の開
口端部に取り付けて、陽極構体の組立を終了する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のマ
グネトロン装置及びその製造方法では、仮組立用ピン４
０を中心軸方向に動かして圧入しまたは抜き取るさい、
当該仮組立用ピン４０が各陽極ベイン５２の内側端面の
中心軸方向での全面に渡って接触して互いにこすれあっ
た。すなわち、従来のマグネトロン装置及びその製造方
法では、仮組立用ピン４０と各陽極ベイン５２との接触
面は、上記内側端面の中心軸方向での長さ寸法に等しく
なり、長い接触長（図１６の”Ａ”にて図示）をもつよ
う構成された。このため、従来のマグネトロン装置及び
その製造方法では、仮組立用ピン４０を圧入しまたは抜
き取るさい、上述の接触面を介して陽極ベイン５２に作
用する（接触）圧力が大きくなり、その陽極ベイン５２
に変形を生じやすかった。このような変形が陽極ベイン
５２に生じた場合、溶解したろう材５６が陽極ベイン５
２の一端面の全面に溶着せずに陽極ベイン５２のろう接
外れを生じた。さらに、陽極ベイン５２が変形すること
により、その均圧環用溝５３ａ，５３ｂの形状が変わっ
て均圧環５４，５５の変形や均圧環５４，５５が均圧環
用溝５３ａ，５３ｂに固定されない均圧環５４，５５の
ろう接外れを生じた。

【０００８】また、複数の陽極ベイン５２などの構成部
材を量産したとき、これらの外形寸法を均一に形成する
ことは困難なものであり、外形寸法のばらつきの発生を
完全に防止することは不可能であった。このため、従来
のマグネトロン装置及びその製造方法では、外形寸法の
ばらつきによって、陽極と陰極とが短絡する場合があっ
た。具体的に言えば、陽極ベイン５２が所定の外形寸法
より大きく、あるいは陽極筒体５１の内周面が所定の外
形寸法より小さく形成された場合、仮組立用ピン４０を
下方から圧入したとき、陽極ベイン５２の内側端面が仮
組立用ピン４０の圧入の応力により仮組立用ピン４０の
移動方向に引き延ばされ、図１８に例示するような銅箔
のバリ５７が内側端面の上端部に生じた。その結果、陽
極構体（陽極筒体５１）の中心軸に沿って陰極を配置し
たとき、バリ５７が陰極に接触して短絡を発生する事故
がしばしば生じた。さらに、上記のように、陽極筒体５
１あるいは陽極ベイン５２が所定の外形寸法と異なる寸
法に形成された場合、仮組立用ピン４０を圧入しまたは
抜き取るときより大きな力を必要とし、仮組立用ピン４
０にも傷や凹みなどが生じて、仮組立用ピン４０を新し
いものに交換することが要求された。

【０００９】さらに、各陽極ベイン５２には、上述した
ように、その長辺側の一方の端面にには均圧環用溝５３
ａ及び端子用溝５３ｃが設けられ、他方の端面には均圧
環用溝５３ｂが設けられている。このため、従来のマグ
ネトロン装置及びその製造方法では、陽極ベイン５２の
内側端面に接して仮組立用ピン４０を圧入したとき、各
陽極ベイン５２が仮組立用ピン４０と陽極筒体５１の内
周面から受ける圧接力は中心軸方向において均一なもの
でなかった。詳細に言えば、陽極ベイン５２を中心軸方
向に３つの領域、例えば図１７に示すように、上側領域
Ｖａ、中央領域Ｖｂ、及び下側領域Ｖｃに分けた場合、
中央領域Ｖｂには上述の溝５３ａ，５３ｂ，５３ｃが設
けられていない。このため、中央領域Ｖｂに作用する圧
接力は上側領域Ｖａ、及び下側領域Ｖｃのものに比べて
大きくなった。また、仮組立状態の陽極構体を加熱した
とき、陽極ベイン５２が膨張し、かつろう材５６が陽極
筒体５１と陽極ベイン５２との隙間に溶け込むため、上
側領域Ｖａ、及び下側領域Ｖｃでの仮組立用ピン４０か
ら受ける圧接力は、中央領域Ｖｂのものに比べて小さく
なった。このように、陽極ベイン５２に作用する圧接力
が中心軸方向において均一なものでない状態となると、
仮組立用ピン４０が鏡面仕上げ状態で平滑なことも相ま
って、陽極ベイン５２は内周面上を滑って、陽極ベイン
５２の一端面が中心軸方向から傾いて陽極筒体５１の内
周面に固定された。その結果、従来のマグネトロン装置
及びその製造方法では、隣り合う２つの陽極ベイン５２
の間隔寸法、すなわちピッチ寸法が、図１９のＰ１，Ｐ
２，Ｐ３で例示するよう互いに異なる値となり、複数の
陽極ベイン５２が陽極筒体５１内で等間隔に配置されな
かった。

【００１０】以上のように、従来のマグネトロン装置及
びその製造方法では、陽極ベイン５２、及び均圧環５
４，５５の変形やろう接外れを生じやすく、さらにバリ
５７あるいは複数の陽極ベイン５２のピッチ寸法にずれ
を発生した。このため、従来のマグネトロン装置及びそ
の製造方法では、陽極筒体５１内に所望の共振空洞を形
成することができず、基本周波数のマイクロ波を安定し
て発振することができなかった。さらに、マグネトロン
効率の低下や著しい高周波ノイズの発生を招いた。

【００１１】仮組立用ピン４０と陽極ベイン５２との接
触圧力を低減しようとした従来のマグネトロン装置とし
て、例えば特開昭６４−５２３６５号公報に開示された
ものがある。この従来のマグネトロン装置では、仮組立
用ピン４０の円柱状部分を陽極ベイン５２の内側端面の
５０〜７０％の寸法となるよう短く構成して、仮組立用
ピン４０を圧入しまたは抜き取るときに生じる接触圧力
を低減しようとしていた。しかしながら、この従来のマ
グネトロン装置では、陽極ベイン５２を陽極筒体５１の
内周面に圧接するとき、陽極ベイン５２の内側端面にお
いて、仮組立用ピン４０の円柱状部分と接触して押圧さ
れる領域と円柱状部分に接触せず押圧されない領域とを
生じた。このため、この従来のマグネトロン装置では、
陽極ベイン５２が受ける圧接力は中心軸方向においてア
ンバランスなものとなり、上述の陽極ベインが等間隔に
配置されないという問題点だけでなく、複数の陽極ベイ
ン５２の内側端面により構成される内接円の径が中心軸
方向（上下方向）でばらつくという新たな問題点を生じ
て、実用化には至らなかった。

【００１２】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、組立精度を容易に向上し
て、安定した動作を行うことができるマグネトロン装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。また、
この発明は、従来から使用してきた既存の組立治具を変
更することなくそのまま用いることができ、かつ不良品
の発生率を低減することができるマグネトロン装置及び
その製造方法を提供すること目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明のマグネトロン装
置は、円筒状の陽極筒体と、前記陽極筒体内でその中心
軸の周りに放射状に配列され、かつ前記陽極筒体の中心
部分に圧入されるピンにより前記陽極筒体の内周面に圧
接されてその遠端側の端面が前記内周面に固定された複
数の板状の陽極ベインを備え、前記陽極ベインが前記ピ
ンに接する内側端面の中央部分に凹部を設けた。このよ
うに構成することにより、従来から使用してきた既存の
組立治具を変更することなくそのまま用いることがで
き、さらにマグネトロン装置の組立精度を容易に向上し
て、安定した動作を行うことができる。

【００１４】別の観点による発明のマグネトロン装置
は、前記凹部の中心軸方向の長さが、前記内側端面の中
心軸方向の長さの２０〜５０％となるよう構成した。こ
のように構成することにより、マグネトロン効率の低下
を抑えることができる。

【００１５】別の観点による発明のマグネトロン装置
は、前記内側端面の中心軸方向での少なくとも一の角部
に面取り部を設けた。このように構成することにより、
さらに組立精度の高いマグネトロン装置を得ることがで
きる。

【００１６】本発明のマグネトロン装置の製造方法は、
円筒状の陽極筒体と、前記陽極筒体内でその中心軸の周
りに放射状に配列され、かつ前記陽極筒体の中心部分に
圧入されるピンにより前記陽極筒体の内周面に圧接され
てその遠端側の端面が前記内周面に固定された複数の板
状の陽極ベインを有するマグネトロン装置の製造方法で
あって、前記陽極ベインの前記ピンに接する内側端面の
中央部分に凹部を設ける工程、及び前記陽極筒体の中心
部分に前記ピンを圧入して、前記遠端側の端面を前記陽
極筒体の内周面に圧接して固定する工程を備えている。
このように構成することにより、従来から使用してきた
既存の組立治具を変更することなくそのまま用いること
ができ、さらにマグネトロン装置の組立精度を容易に向
上して、安定した動作を行うことができる。

【００１７】別の観点による発明のマグネトロン装置の
製造方法は、前記凹部の中心軸方向の長さが前記内側端
面の中心軸方向の長さの２０〜５０％となるよう構成す
る工程を備えている。このように構成することにより、
組立用部材による陽極ベインへの圧力を充分に低減で
き、組立精度の高いマグネトロン装置を得ることができ
る。

【００１８】別の観点による発明のマグネトロン装置の
製造方法は、前記内側端面の中心軸方向での少なくとも
一の角部に面取り部を設ける工程を備えている。このよ
うに構成することにより、陽極筒体の中心部分への組立
用部材の挿入圧力をさらに低減することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明のマグネトロン装置
及びその製造方法を示す好ましい実施形態について、図
面を参照しながら説明する。

【００２０】《第１の実施形態》 ［構成］図１は、本発明の第１の実施形態であるマグネ
トロン装置の構成を示す断面図である。図２は、図１に
示したマグネトロン装置のろう材を溶解する前の陽極構
体の主要部の構成を示す一部切り欠き斜視図である。図
３は、図１に示したマグネトロン装置のろう材を溶解し
た後での陽極構体の主要部の構成を示す断面図である。
図１において、本発明のマグネトロン装置は、円筒状の
陽極筒体１と、陽極筒体の１の上側、及び下側の開口端
部にそれぞれ取り付けられた第１、及び第２の磁極片
２，３と、第１、及び第２の磁極片２，３にそれぞれ装
着されたはと目状の第１、及び第２の金属筒体４，５を
備えている。第１の磁極片２の外端面は第１の金属筒体
４の一方の端部に設けられたフランジ部４ａによって覆
われ、さらにフランジ部４ａの外周縁が陽極筒体１の上
側の開口端部に固定されている。第１の金属筒体４の他
方の端部には、マイクロ波出力端子７が絶縁環６を介し
て封着されている。同様に、第２の磁極片３の外端面は
第２の金属筒体５の一方の端部に設けられたフランジ部
５ａによって覆われ、さらにフランジ部５ａの外周縁が
陽極筒体１の下側の開口端部に固定されている。第２の
金属筒体５の他方の端部には、陰極端子導出用のステム
８が封着されている。

【００２１】陽極筒体１の外周面上には、陽極筒体１の
内部で生じた熱を放熱するために、複数のフィン９が多
段に取り付けられている。第１の磁極片２の外周端面上
には、円環状の第１の永久磁石１０がフランジ部４ａの
上に同軸的に置かれ、一方の磁極面１０ａと第１の磁極
片２とが磁気的に結合している。同様に、第２の磁極片
３の外周端面上には、円環状の第２の永久磁石１１がフ
ランジ部５ａの上に同軸的に置かれ、一方の磁極面１１
ａと第２の磁極片３とが磁気的に結合している。第１、
及び第２の永久磁石１０，１１の他方の磁極面１０ｂ，
１１ｂは、フィン９を包囲している枠状継鉄１２によっ
て相互に磁気的に結合されている。この枠状継鉄１２の
下部には、高周波ノイズの漏洩を防止するために、上述
のステム８や既知のＬＣフィルター回路部材（図示せ
ず）などを内蔵した金属製のシールドケース１３が取り
付けられている。陽極筒体１の内部には、その中心軸に
沿って配置されたコイル状の陰極１４、及び陰極１４の
周りに同軸放射状に配置され、共振空洞を形成するため
の複数の陽極ベイン１５が設けられている。陰極１４
は、陽極筒体１の内部で一対の陰極端子１４ａ，１４ｂ
に接続されている。一対の陰極端子１４ａ，１４ｂは、
ステム８を介して陽極筒体１の内部から引き出されて、
図示しない高周波電源に接続される。陽極筒体１の内部
では、マイクロ波出力端子７に一端が接続されたアンテ
ナ１６がいずれか一つの陽極ベイン１５に接続されてい
る。これにより、マグネトロン装置は、例えば２，４５
０ＭＨｚの基本周波数を有するマイクロ波をマイクロ波
出力端子７から放射する。

【００２２】ここで、本実施形態のマグネトロン装置の
陽極構体について、図１乃至図３を参照してさらに詳細
に説明する。図１乃至図３において、陽極構体は、マグ
ネトロン装置の製造時での組立単位の一つであり、陽極
筒体１、第１、及び第２の磁極片２，３、複数の陽極ベ
イン１５、アンテナ１６、及び陽極筒体１の内部で複数
の陽極ベイン１５を相互に接続するための２対の均圧環
１７（１７ａ，１７ｂ）及び１８（１８ａ，１８ｂ）を
一体的に組み立てたものである。このような陽極構体を
構成することにより、マグネトロン装置の組立精度を向
上することが可能となる。陽極筒体１、陽極ベイン１
５、及び均圧環１７，１８は、同一の金属材料、例えば
無酸素銅により構成され、銀と銅の合金からなるろう材
を用いた圧接ろう付け方法により固定されている。ま
た、アンテナ１６は例えば無酸素銅により構成され、第
１、及び第２の磁極片１７，１８は鉄などの磁性材料に
より構成されている。

【００２３】陽極筒体１の内部では、複数、例えば１０
枚の陽極ベイン１５（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５
ｄ，−−−）が等間隔に配置されている。各陽極ベイン
１５は、例えば縦寸法９.５ｍｍ、横寸法１３ｍｍ、及
び厚さ寸法２ｍｍの板状に形成されている。これらの陽
極ベイン１５は、図の一点鎖線で示した仮組立用ピン４
０によって陽極筒体１の内周面に圧接され、線状のろう
材１９（図２）を溶解することにより、短辺側の一端面
が陽極筒体１の内周面に固定されている。各陽極ベイン
１５の長辺側の相対向する端面には、２対の均圧環１７
（１７ａ，１７ｂ）及び１８（１８ａ，１８ｂ）をろう
付けするための均圧環用溝２０ａ，２０ｂがそれぞれ設
けられている。各陽極ベイン１５の均圧環用溝２０ａを
設けた端面には、アンテナ１６の一端を接続するための
端子用溝２０ｃが設けられている。均圧環１７ｂ，１８
ａは一つおきの陽極ベイン１５ａ，１５ｃ，−−−にろ
う付けされ、均圧環１７ａ，１８ｂは残りの陽極ベイン
１５ｂ，１５ｄ，−−−にろう付けされている。尚、均
圧環１７，１８の表面にはろう材１９のめっき層（図示
せず）が形成されており、ろう材１９を溶解して陽極筒
体１の内周面に陽極ベイン１５の一端面を固定すると
き、めっき層もまた溶解して均圧環１７，１８を対応す
る陽極ベイン１５に固定する。

【００２４】陽極ベイン１５の配列中心側端面、すなわ
ち上記短辺側の一端面に対向し仮組立用ピン４０に接触
する内側端面２１には、陽極筒体１の中心軸方向（図の
矢印”Ｆ”にて図示）における中央部分に、矩形状の開
口形状を有する凹部２２が設けられている。尚、ここで
いう開口形状とは、陽極ベイン１５の厚さ方向でみたと
きの凹部２２の形状をいう。また、この凹部２２は、図
３に示すように、中心軸方向に長さＨｂ、及び陽極筒体
１の半径方向に深さＤとなるよう内側端面２１を切り欠
くことにより形成されている。さらに、この凹部２２の
中心軸方向の長さＨｂは、内側端面２１の中心軸方向の
長さＨａの２０〜５０％となるよう選択されている。
尚、内側端面２１において、中心軸方向での少なくとも
一方の角部２１ａ，２１ｂに面取り加工を施した面取り
部を設けてもよい。以上のように構成することにより、
本実施形態のマグネトロン装置では、陽極ベイン１５と
仮組立用ピン４０との接触面積を小さくすることがで
き、仮組立用ピン４０から陽極ベイン１５に作用する圧
力を低減することができる。その結果、本実施形態のマ
グネトロン装置では、上記で説明した従来のマグネトロ
ン装置での陽極ベインの変形やろう接外れ、図１８に示
したバリの発生等の問題点を解決することができ、発振
不良を生じることなく基本周波数のマイクロ波を安定し
て発振することができる。さらに、本実施形態のマグネ
トロン装置では、従来から使用してきた仮組立用ピン４
０などの既存の組立治具を変更することなく用いること
ができ、製造設備の変更などによる製造コストの上昇を
防止できる。尚、仮組立用ピン４０は、窒化珪素（Ｓｉ
₃Ｎ₄）を含んだ高価なセラミック部材により構成された
ものであり、内側端面２１に接する円柱状部分の表面は
鏡面仕上げ状態で平滑に加工されている。円柱状部分の
外周径は、同軸放射状に配列された複数の陽極ベイン１
５によって構成される内周円の径がマグネトロン装置の
動作理論で決定される値となるように設定されている。

【００２５】次に、上記凹部２２の作用、効果について
具体的に説明する。尚、以下の説明では、図３に示すよ
うに、陽極ベイン１５を中心軸方向に３つの領域、すな
わち凹部２２を有する中央領域Ｖｙと、その上側及び下
側の上側領域Ｖｘ及び下側領域Ｖｚに分けて説明する。
本実施形態の陽極ベイン１５では、凹部２２の部分を除
いて、上側領域Ｖｘの内側端面２１及び下側領域Ｖｚの
内側端面２１の２箇所の部分で仮組立用ピン４０と接触
する。このため、仮組立用ピン４０から受ける圧力は上
側領域Ｖｘ及び下側領域Ｖｚだけに作用し、かつ仮組立
用ピン４０との接触面積を小さくすることができる。そ
の結果、本実施形態のマグネトロン装置では、仮組立用
ピン４０に対して中心軸方向で２つに分けられた上下２
箇所の部分で陽極ベイン１５をバランス良く支持するこ
とができ、マグネトロン装置の組立精度を容易に向上す
ることができる。また、仮組立用ピン４０との接触面積
を小さくしたことにより、仮組立用ピン４０と接触する
接触面の平面度もまた容易に向上することができ、陽極
ベイン１５の配列中心部分への仮組立用ピン４０の挿入
圧力も小さくできる。さらに、陽極ベイン１５の長辺側
の端面には、均圧環用溝２０ａ，２０ｂが設けられてい
る。このため、仮組立用ピン４０から上側領域Ｖｘ及び
下側領域Ｖｚに作用する圧力が低減され、陽極ベイン１
５の配列中心部分への仮組立用ピン４０の挿入圧力をさ
らに小さくすることができる。また、仮に上側領域Ｖｘ
と下側領域Ｖｚにおいて、仮組立用ピン４０から受ける
圧力にアンバランスが生じたとしても、このアンバラン
スを均圧環用溝２０ａ，２０ｂの部分で吸収することが
できる。このように、本実施形態のマグネトロン装置で
は、凹部２２を内側端面２１の中心軸方向での中央部分
に設けることにより、仮組立用ピン４０から陽極ベイン
１５に作用する圧力の減少、及び圧力の均一化を行うこ
とができる。このため、本実施形態のマグネトロン装置
では、組立時に生じる陽極ベイン、及び均圧環の変形や
ろう接外れ、図１８に示したバリの発生、及び図１９に
示したピッチ寸法が異なる等の従来のマグネトロン装置
での問題点を解決することができる。その結果、本実施
形態のマグネトロン装置は、在来の組立治具をそのまま
用いて、所定周波数の発振不良等のない安定な動作を行
うことができる。

【００２６】これに対して、従来のマグネトロン装置で
は、上記で図１７を参照して説明したように、仮組立用
ピン４０を陽極ベインの配列中心部分に圧入したとき、
陽極ベインの中心軸方向において、中央領域Ｖｂに作用
する圧接力は上側領域Ｖａ、及び下側領域Ｖｃのものに
比べて大きくなった。このため、従来のマグネトロン装
置では、図１９に例示したように、陽極ベインのピッチ
寸法にずれを生じて、複数の陽極ベインが等間隔に配置
されなかった。

【００２７】次に、上述の凹部２２の深さＤ、及び長さ
Ｈｂについて、詳細に説明する。凹部２２の深さＤは、
陽極ベイン１５を陽極筒体１に固定したとき、陽極ベイ
ン１５の内側端面２１から陽極筒体１の内周面へ向かう
方向での距離（半径方向の距離）を定義するものであ
る。また、上述の仮組立用ピン４０から陽極ベイン１５
に作用する圧力の減少、及び圧力の均一化の効果は、陽
極ベイン１５に凹部２２を設けることによって、凹部２
２の部分と仮組立用ピン４０とを非接触な状態に保つこ
とで必ず得られるものである。それ故、凹部２２の深さ
Ｄは、常に上記非接触な状態を保つことができる寸法で
あればよい。従って、陽極ベイン１５の膨張時での変形
を考慮すると、凹部２２の深さＤとしては約０.１ｍｍ
以上が必要となり、量産的には陽極ベイン１５の寸法公
差およびプレス製造工法によるばらつき等を考慮すると
０.２ｍｍ以上必要である。

【００２８】凹部２２の長さＨｂは、陽極ベイン１５を
陽極筒体１に固定したとき、中心軸方向での長さを定義
するものである。この長さＨｂは、仮組立用ピン４０に
よる陽極ベイン１５への圧力を低減、及び均一化して陽
極構体の組立精度を向上するために、陽極ベイン１５の
中心軸方向での長さ、すなわち内側端面２１の長さＨａ
に対する比率が最低でも２０％以上必要であることが発
明者らの検討により判明した。さらに、仮組立用ピン４
０から受ける圧力を陽極ベイン１５で吸収することを鑑
みて、均圧環用溝２０ａ，２０ｂと対向しない陽極ベイ
ン１５の中心軸方向での中央部分の全てに凹部２２を設
けることが最も望ましいと考えられる。すなわち、図３
に示したように、均圧環用溝２０ａ，２０ｂの長さＨｃ
とすると、Ｈｂ＝Ｈａ−２×Ｈｃなる関係を有するよう
に、凹部２２を構成することが最も望ましい。一般的な
マグネトロン装置の陽極ベイン１５においては、長さＨ
ｃは長さＨａの１０〜３０％であるので、長さＨｂの長
さＨａに対する割合は、４０〜８０％程度となる。

【００２９】一方、マグネトロン装置において、陽極ベ
イン１５の内側端面２１に凹部２２を設けた場合、マグ
ネトロン装置の動作時に配列中心部分に配置された陰極
１４との間隔が凹部２２の部分で広がってしまう。この
ため、該マグネトロン装置のマグネトロン効率が低下す
ることが問題となる。従って、マグネトロン効率の点か
ら考えると、凹部２２の長さＨｂはなるべく小さいこと
が望ましいことになる。

【００３０】ここで、発明者等の実験により得られたマ
グネトロン効率と凹部２２の深さＤ、及び長さＨｂとの
関係について、図４を参照して説明する。図４は、マグ
ネトロン効率と長さＨａに対する長さＨｂの割合との関
係を示すグラフである。尚、図４に示すグラフ３１，３
２，３３は、凹部２２の深さＤをそれぞれ０.２ｍｍ、
０.３ｍｍ、０.４ｍｍとした場合の実験結果である。図
４のグラフ３１，３２，３３から明らかなように、内側
端面２１の長さＨａに対する凹部２２の長さＨｂの割合
が大きくなればなるほど、マグネトロン効率は低下し、
また、凹部２２の深さＤが大きくなるほどマグネトロン
効率の低下が著しい。マグネトロン装置では、周知のよ
うに、約７０％以上のマグネトロン効率が実用上要求さ
れるので、凹部２２の深さＤを量産時における寸法公差
等を考慮して０.２ｍｍとすると、凹部２２の長さＨｂ
は内側端面２１の長さＨａの５０％未満に設定すること
が望ましい。

【００３１】以上の検討結果により、内側端面２１の長
さＨａに対する凹部２２の長さＨｂの割合は、２０〜５
０％に選択、設定することが望ましいことがわかる。さ
らに、発明者等の実験によれば、例えば、出力５００Ｗ
〜１０００Ｗの電子レンジ用のマグネトロン装置におい
て、内側端面２１の長さＨａを９.５ｍｍ、均圧環用溝
２０ａ，２０ｂの深さＨｃを２.６ｍｍ、凹部２２の深
さＤを０.２ｍｍ、及び凹部２２の長さＨｂを４.０ｍｍ
（Ｈｂ／Ｈａ＝４２％）とした陽極ベイン１５を有する
マグネトロン装置（以下、実験品１という）を製作し
た。この実験品１では、十分な組み立て精度で、かつ、
マグネトロン効率が約７１％という実用上十分な結果を
得ることができた。

【００３２】尚、以上の説明では、陽極ベイン１５の凹
部２２の開口形状を矩形状に構成した例について説明し
たが、陽極ベイン１５の中心軸方向での中央部分に所定
の空間距離を有すればよく、図５、及び図６にそれぞれ
示すようなテーパー形状や円弧形状の開口形状を持つ凹
部を構成してもよい。このとき深さＤは、凹部２２での
内側端面２１から最も深い位置での距離であり、長さＨ
ｂは凹部２２の最も広い部分、すなわち、陽極ベイン１
５の内側端面２１上での凹部２２の大きさとなる。ま
た、複数の内側端面２１に接する円柱状部分をもつ仮組
立用ピン４０によって陽極ベイン１５を陽極筒体１の内
周面に圧接する構成について説明したが、円柱状の形状
に何等限定されるものでなく、陽極ベイン１５の内側端
面２１に接するよう構成された組立用部材であればよ
い。

【００３３】［製造方法］本実施形態のマグネトロン装
置の製造方法では、まず図示しない仮組立用治具を用い
て、複数の陽極ベイン１５、及び均圧環１７，１８を陽
極筒体１内の所定位置に配置する。そして、仮組立用ピ
ン４０を陽極筒体１の中心軸方向に動かして、各陽極ベ
イン１５の内側端面２１に接しつつ、図２の矢印”Ｙ”
で示すように仮組立用ピン４０を陽極ベイン１５の配列
中心部分（陽極筒体１の中心部分）に下方から圧入す
る。これにより、陽極構体は、仮組立用ピン４０によっ
て陽極筒体１の内周面に各陽極ベイン１５の一端面を圧
接した仮組立状態で維持される。その後、上記仮組立用
治具だけを取り外して、図２に示すように、ろう材１９
を陽極筒体１の内周面に接して陽極ベイン１５の長辺側
の端面上に配置し陽極筒体１の上側の開口端部に磁極片
２を圧入した後、アンテナ１６の一端を一つの陽極ベイ
ン１５に固定している。次に、図示しない炉内で所定の
温度（例えば、８００〜９００℃）に仮組立状態の陽極
構体を加熱する。これにより、ろう材１９は溶解して、
膨張によって生じた陽極筒体１の内周面と各陽極ベイン
１５の一端面との隙間に溶け込む。このとき、均圧環１
７，１８及びアンテナ１６のめっき層もまた溶解する。
その後、この仮組立状態を保って陽極構体を炉外に取り
出して冷却することにより、陽極筒体１の内周面と各陽
極ベイン１５の一端面、均圧環用溝２０ａ，２０ｂと均
圧環１７，１８、及びアンテナ１６と陽極ベイン１５と
がそれぞれ固定される。続いて、仮組立用ピン４０を下
方に抜き取った後、磁極片３を陽極筒体１の下側の開口
端部に取り付けて、陽極構体の組立を終了する。

【００３４】本実施形態のマグネトロン装置の製造方法
では、各陽極ベイン１５の内側端面２１の中央部分に設
けた凹部２２により、内側端面２１と仮組立用ピン４０
との接触面積が従来のものに比べて減少して、仮組立用
ピン４０から陽極ベイン１５に作用する圧力が低減す
る。このため、陽極ベイン１５の中心軸方向での上下端
部に位置する２対の均圧環１７，１８に作用する圧力も
従来のものに比べて低減し、ろう付けの精度を向上する
とともに、仮組立用ピン４０の圧入、及び抜き取り時
に、均圧環１７，１８の変形やろう接外れの発生を防止
できる。さらに、陽極ベイン１５が仮組立用ピン４０か
ら受ける圧力は、凹部２２が中心軸方向の中心部分に設
けられているので、中心軸方向での上側領域Ｖｘ、及び
下側領域Ｖｚに分散均等化される。さらに、上側領域Ｖ
ｘ、及び下側領域Ｖｚには、均圧環用溝２０ａ，２０ｂ
が設けられているので、ろう付けする際の温度上昇によ
り陽極ベイン１５が膨張してもこの膨張分が均圧環用溝
２０ａ，２０ｂで吸収され、かかる圧力が均等に作用す
る。特に、陽極ベイン１５の中央領域Ｖｙでは、凹部２
２の深さＤによる空間距離を仮組立用ピン４０との間に
有しているため、陽極ベイン１５の外形寸法のばらつき
や膨張が生じたとしても、仮組立用ピン４０から中央領
域Ｖｙに圧力が作用することはない。したがって、加熱
された陽極ベイン１５が膨張しても、上側領域Ｖｘ、及
び下側領域Ｖｚに作用する圧力は同程度となる。その結
果、上側領域Ｖｘ、及び下側領域Ｖｚの両端部の２箇所
において、各陽極ベイン１５は常に安定した状態で仮組
立用ピン４０と圧接することができるため、仮組立用ピ
ン４０が鏡面仕上げ状態で平滑な表面を有するものであ
っても図１９に例示したようなピッチ寸法にずれを生じ
ない。つまり、本実施形態のマグネトロン装置の製造方
法では、複数の陽極ベイン１５を陽極筒体１に等間隔に
配置することができ、安定した動作を行うマグネトロン
装置を得ることができる。

【００３５】以上のように、本発明のマグネトロンの製
造方法によれば、既存の組立治具を変更することなくそ
のまま使用して仮組立からろう付けまでの工程を何等変
更することなく、陽極構体の組立精度を容易に向上でき
る。特に、高耐熱性で耐磨耗性の高いものが要求される
ため高価な仮組立用ピン４０を、従来のものから変更す
ることなくそのまま使用できるので、製造コストの大幅
な上昇を防ぐことができる。

【００３６】《第２の実施形態》図７は、本発明の第２
の実施形態であるマグネトロン装置の陽極構体の主要部
の構成を示す断面図である。この実施形態では、マグネ
トロン装置の構成において、陽極ベインの内側端面の少
なくとも一の角部に面取り加工を施した面取り部を設け
た。それ以外の各部については、第１の実施形態のもの
と同様であるのでそれらの重複した説明は省略する。図
７に示すように、本実施形態のマグネトロン装置では、
テーパー形状の面取り部２６が陽極ベイン２５，２５’
の内側端面２１の一の角部に設けられ、面取り部２６が
中心軸方向の上側に配置されるように、陽極ベイン２
５，２５’が陽極筒体１の内周面に固定されている。つ
まり、陽極ベイン２５では、面取り部２６は内側端面２
１と均圧環用溝２０ａを設けた端面との交叉部分である
角部に面取り加工を施すことにより形成され、陽極ベイ
ン２５’では、面取り部２６は内側端面２１と均圧環用
溝２０ｂを設けた端面との交叉部分である角部に面取り
加工を施すことにより形成されている。このような面取
り部２６を設けることにより、本実施形態のマグネトロ
ン装置では、第１の実施形態のものに比べて仮組立用ピ
ン４０と陽極ベイン２５，２５’との接触面積を低減す
ることができ、仮組立用ピン４０から陽極ベイン２５，
２５’に作用する圧力を小さくすることができる。

【００３７】また、図８に示すように、面取り部２６が
中心軸方向での下側に配置されるように、上記陽極ベイ
ン２５，２５’を陽極筒体１の内周面に固定する構成で
もよい。さらに、図９、及び図１０に示すように、上記
２種類の陽極ベイン２５，２５’のうち、いずれか１種
類の陽極ベイン２５，２５’だけを陽極筒体１の内周面
に固定する構成でもよい。また、図１１に示すように、
内側端面２１の中心軸方向での上下端の両方の角部に面
取り部２６を設けた陽極ベイン２７を陽極筒体１の内周
面に固定する構成でもよい。図７乃至図１０に示した陽
極構体では、ほぼ同じ程度の接触面積を低減する効果を
得ることができた。図８及び図１１に示した陽極構体で
は、仮組立用ピン４０の挿入側に面取り部２６が配置さ
れているため、他のものに比べて仮組立用ピン４０をさ
らに挿入しやすくなるという効果が得られた。また、在
来のマグネトロン装置の陽極構体では、一般に同一形状
の陽極ベインを上下反転して隣り合わせに配置している
が、図７及び図８に示した陽極ベイン２５，２５’を用
いた場合、それらの陽極ベイン２５，２５’を選択して
交互に配置しなくてはならない。ところが、図１１に示
した陽極ベイン２７を用いた場合、面取り部２６が内側
端面２１の上下端の両方の角部に設けられているので、
陽極ベインを選択する必要がなく、陽極構体の組立時間
を最も短縮することが可能である。さらに、上記接触面
積を最も低減することができ、かつ仮組立用ピン４０の
挿入も容易なものとなり、最も実用に適したものであ
る。発明者等の実験によれば、例えば出力５００Ｗ〜１
０００Ｗの電子レンジ用のマグネトロン装置に使用する
陽極ベイン２７では、内側端面２１の上下端にＣ＝０.
２〜０.６ｍｍの面取り部２６を設けた場合、マグネト
ロン装置を動作したときの第５高調波のノイズレベルを
低減することができた。

【００３８】以上のように、本実施形態のマグネトロン
装置では、面取り部２６を内側端面２１の少なくとも一
の角部に設けた。このため、第１の実施形態のものに比
べて、陽極ベインと仮組立用ピン４０との接触面積を小
さくでき、上述の陽極ベイン、及び均圧環１７，１８の
変形やろう接外れ、及び構成部品のばらつき等によるバ
リの発生等を更に低減することができる。

【００３９】尚、上述の説明では、仮組立用ピン４０に
面する内側端面２１にテーパー形状の面取り部２６を設
けた構成について説明したが、仮組立用ピン４０に面す
る内側端面２１の中心軸方向での寸法を短くできる構成
であれば何等テーパー形状に限定されるものでなく、例
えば円弧状の面取り部を設けた構成でもよい。さらに、
内側端面２１の中心軸方向での上下端の少なくとも一方
に面取り部２６を設けた構成について説明したが、内側
端面２１の凹部２２に面する角部に面取り部を設けた構
成でもよい。

【００４０】次に、図１２乃至図１５を参照して、本発
明のマグネトロン装置のノイズ特性に関する試験結果に
ついて説明する。図１２は、第５高調波でのノイズレベ
ルの測定結果を示すグラフである。図１３は図１６に示
した従来のマグネトロン装置での第５高調波の近傍での
ノイズ特性を示す測定結果であり、図１４は第１の実施
形態のマグネトロン装置での第５高調波の近傍でのノイ
ズ特性を示す測定結果である。図１５は第２の実施形態
のマグネトロン装置での第５高調波の近傍でのノイズ特
性を示す測定結果である。この試験では、第１の実施形
態の上述の実験品１と、実験品１の陽極ベインにＣ＝
０.５ｍｍの面取り部２６を設けた第２の実施形態の実
験品２と、図１６に示した従来品との３種類のマグネト
ロン装置を２，４５０ＭＨｚの基本周波数で動作し、そ
の第５高調波である１２.２５ＧＨｚとその近傍の周波
数でのノイズレベルを測定した。それというのは、この
ようなマグネトロン装置の第５高調波が、近年特に厳し
く規制されている衛星放送帯域の周波数範囲（１１.７
〜１２.７ＧＨｚ）内にあるからであり、この試験では
ＣＩＳＰＲ（国際無線障害特別委員会）の規格を満たし
ているかどうかについて検証した。具体的には、半波長
ダイポールアンテナを基準として、１１.７〜１２.７Ｇ
Ｈｚの周波数範囲における電磁波の実効放射電力を測定
し、測定結果が上記規格により定められた電波放射妨害
波の電力許容値５７ｄＢ以下であるかどうかについて調
べた。その結果、実験品１、及び実験品２では、図１２
のＢ、及びＥにそれぞれ示すように、第５高調波のノイ
ズレベルの測定結果は４７〜５１ｄＢ、及び４３〜４８
ｄＢであり、ともに許容値の５７ｄＢを下回ってＣＩＳ
ＰＲ規格を満足できた。また、実験品１に比べ面取り部
２６を設けた陽極ベイン２７を有する実験品２の方が第
５高調波のノイズレベルの低減に効果があることがわか
った。これに対して、図１２のＡに示すように、従来品
の測定結果は５５〜５８ｄＢであり、ＣＩＳＰＲ規格を
満足できなかった。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、本発明のマグネトロン装
置及びその製造方法によれば、陽極筒体内に組立用部材
（ピン）により圧接して同軸放射状に配列、固定される
複数の各陽極ベインにおいて、陽極筒体に固定される端
面に対向する内側端面の中央部分に所定寸法を有する凹
部を設けた。このように構成することにより、本発明の
マグネトロン装置及びその製造方法では、陽極ベインと
組立用部品との接触面積を低減し組立用部品から陽極ベ
インに作用する圧力もまた低減することができる。この
ことにより、本発明のマグネトロン装置及びその製造方
法では、既存の製造設備や組立用治具を変更することな
く、陽極ベイン、及び均圧環の変形やろう接外れ、構成
部品のばらつき等によるバリの発生、及びピッチ寸法の
ずれの発生を低減することができ、組立精度の高い陽極
構体を容易に得ることができる。その結果、本発明のマ
グネトロン装置及びその製造方法では、所定周波数のマ
イクロ波を安定して発振でき、しかも近年、特に規格の
厳しい衛星放送帯域の第５高調波でのノイズレベルを低
減できる。また、本発明のマグネトロン装置及びその製
造方法は、陽極ベインの内側端面に設けた凹部の中心軸
方向での長さが前記内側端面の中心軸方向での長さの２
０〜５０％に選択、設定されている。これにより、陽極
構体の組立精度をさらに向上すると共に、マグネトロン
効率の低下を抑えることができる。さらに、本発明のマ
グネトロン装置及びその製造方法は、陽極ベインの内側
端面における中心軸方向での少なくとも一の角部に面取
り部を設けた。これにより、陽極構体の組立精度を向上
すると共に、不良品の発生率を大幅に低減できる。さら
に、所定周波数のマイクロ波を安定して発振できる共
に、第５高調波でのノイズレベルをさらに低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態であるマグネトロン装
置の構成を示す断面図

【図２】図１に示したマグネトロン装置のろう材を溶解
する前の陽極構体の主要部の構成を示す一部切り欠き斜
視図

【図３】図１に示したマグネトロン装置のろう材を溶解
した後での陽極構体の主要部の構成を示す断面図

【図４】マグネトロン効率と長さＨａに対する長さＨｂ
の割合との関係を示すグラフ

【図５】図３に示した陽極ベインの変形例の構成を示す
構造図

【図６】図３に示した陽極ベインの別の変形例の構成を
示す構造図

【図７】本発明の第２の実施形態であるマグネトロン装
置の陽極構体の主要部の構成を示す断面図

【図８】図７に示した陽極構体の変形例の構成を示す構
造図

【図９】図７に示した陽極構体の別の変形例の構成を示
す構造図

【図１０】図７に示した陽極構体の別の変形例の構成を
示す構造図

【図１１】図７に示した陽極構体の別の変形例の構成を
示す構造図

【図１２】第５高調波でのノイズレベルの測定結果を示
すグラフ

【図１３】図１６に示した従来のマグネトロン装置での
第５高調波の近傍でのノイズ特性を示す測定結果

【図１４】第１の実施形態のマグネトロン装置での第５
高調波の近傍でのノイズ特性を示す測定結果

【図１５】第２の実施形態のマグネトロン装置での第５
高調波の近傍でのノイズ特性を示す測定結果

【図１６】従来のマグネトロン装置のろう材を溶解する
前の陽極構体の主要部の構成を示す一部切り欠き斜視図

【図１７】従来のマグネトロン装置のろう材を溶解した
後での陽極構体の主要部の構成を示す断面図

【図１８】従来のマグネトロン装置でのバリの発生を示
す説明図

【図１９】従来のマグネトロン装置での陽極ベインのピ
ッチ寸法のずれを示す説明図

【符号の説明】

１ 陽極筒体 １５，２５，２５’２７ 陽極ベイン ２１ 内側端面 ２２ 凹部 ２６ 面取り部 ４０ 仮組立用ピン

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円筒状の陽極筒体と、前記陽極筒体内で
   その中心軸の周りに放射状に配列され、かつ前記陽極筒
   体の中心部分に圧入されるピンにより前記陽極筒体の内
   周面に圧接されてその遠端側の端面が前記内周面に固定
   された複数の板状の陽極ベインを備え、 前記陽極ベインが前記ピンに接する内側端面の中央部分
   に凹部を有することを特徴とするマグネトロン装置。
2. 【請求項２】 前記凹部の前記中心軸方向の長さが、前
   記内側端面の前記中心軸方向の長さの２０〜５０％とな
   るよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載
   のマグネトロン装置。
3. 【請求項３】 前記内側端面の前記中心軸方向での少な
   くとも一の角部に面取り部を設けたことを特徴とする請
   求項１または請求項２に記載のマグネトロン装置。
4. 【請求項４】 円筒状の陽極筒体と、前記陽極筒体内で
   その中心軸の周りに放射状に配列され、かつ前記陽極筒
   体の中心部分に圧入されるピンにより前記陽極筒体の内
   周面に圧接されてその遠端側の端面が前記内周面に固定
   された複数の板状の陽極ベインを有するマグネトロン装
   置の製造方法であって、 前記陽極ベインの前記ピンに接する内側端面の中央部分
   に凹部を設ける工程、及び前記陽極筒体の中心部分に前
   記ピンを圧入して、前記遠端側の端面を前記陽極筒体の
   内周面に圧接して固定する工程を備えたことを特徴とす
   るマグネトロン装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記凹部の中心軸方向の長さが前記内側
   端面の中心軸方向の長さの２０〜５０％となるよう構成
   する工程を備えたことを特徴とする請求項４に記載のマ
   グネトロン装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記内側端面の中心軸方向での少なくと
   も一の角部に面取り部を設ける工程を備えたことを特徴
   とする請求項４または請求項５に記載のマグネトロン装
   置の製造方法。