JPH10340785A - Organic electroluminescence element material and organic electroluminescence element using the same - Google Patents
Organic electroluminescence element material and organic electroluminescence element using the sameInfo
- Publication number
- JPH10340785A JPH10340785A JP9150564A JP15056497A JPH10340785A JP H10340785 A JPH10340785 A JP H10340785A JP 9150564 A JP9150564 A JP 9150564A JP 15056497 A JP15056497 A JP 15056497A JP H10340785 A JPH10340785 A JP H10340785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- unsubstituted
- organic
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度・高発光効率、発光劣化が少なく信頼
性の高いエレクトロルミネッセンス素子材料、および有
機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】 一般式[1]からなる有機エレクトロル
ミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレク
トロルミネッセンス素子。
一般式[1]
【化1】
[式中R1 〜R14は水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ
基、シクロアルキル基、アリール基、複素環基、アミノ
基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基を表す。ま
た、R1 〜R14の隣接する基同士で、それぞれ互いに結
合して新たな環を形成してもよい。](57) [Problem] To provide a highly reliable electroluminescent element material and an organic electroluminescent element with high luminance, high luminous efficiency, little degradation of luminescence and high reliability. SOLUTION: An organic electroluminescence device material represented by the general formula [1] and an organic electroluminescence device using the same. General formula [1] [Wherein R 1 to R 14 represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a cycloalkyl group, an aryl group, and a heterocyclic group. , An amino group, an alkylamino group, or an arylamino group. Further, adjacent groups of R 1 to R 14 may be bonded to each other to form a new ring. ]
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は平面光源や表示に使用さ
れる有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) device used for a flat light source and a display.
【0002】[0002]
【従来の技術】有機物質を使用したEL素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。2. Description of the Related Art An EL device using an organic substance is expected to be used as an inexpensive, large-area, full-color display device of a solid light emitting type, and many developments have been made. Generally EL
Is composed of a light-emitting layer and a pair of opposed electrodes sandwiching the layer. In light emission, when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side and holes are injected from the anode side. Further, the electrons are recombined with holes in the light emitting layer, and energy is emitted as light when the energy level returns from the conduction band to the valence band.
【0003】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は100c
d/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、
実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、現在
までの有機EL素子は、構成の改善により発光強度は改
良されているが、未だ充分な発光輝度は有していない。
また、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな問題
を持っている。[0003] Conventional organic EL devices have a higher driving voltage and lower luminous brightness and luminous efficiency than inorganic EL devices.
In addition, the characteristic deterioration was remarkable, and it had not been put to practical use.
2. Description of the Related Art In recent years, an organic EL in which a thin film containing an organic compound having high fluorescence quantum efficiency that emits light at a low voltage of 10 V or less is laminated.
Devices have been reported and are of interest (see Applied Physics Letters, vol. 51, p. 913, 1987). In this method, the metal chelate complex is converted into a phosphor layer,
High brightness green light emission is obtained by using an amine compound for the hole injection layer, and the brightness is 100 c at a DC voltage of 6 to 7 V.
d / m 2 and maximum luminous efficiency of 1.5 lm / W,
Has performance close to the practical range. However, organic EL devices up to now have improved light emission intensity due to the improved structure, but do not yet have sufficient light emission luminance.
In addition, there is a major problem that the stability upon repeated use is poor.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
効率が高く、繰り返し使用時での安定性の優れた有機E
L素子の提供にある。本発明者らが鋭意検討した結果、
一般式[1]で示される化合物の有機EL素子材料を少
なくとも一層に使用した有機EL素子の発光効率が高
く、繰り返し使用時での安定性も優れていることを見い
だし本発明に至った。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic compound having high luminous efficiency and excellent stability when used repeatedly.
L element. As a result of intensive studies by the present inventors,
The present invention has been found that the organic EL device using at least one layer of the organic EL device material of the compound represented by the general formula [1] has high luminous efficiency and excellent stability upon repeated use.
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記一
般式[1]で示される有機エレクトロルミネッセンス素
子材料である。 一般式[1]That is, the present invention relates to an organic electroluminescent device material represented by the following general formula [1]. General formula [1]
【化2】 [式中R1 〜R14はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、置換もしくは未置換のアルキル基、
置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換
のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ
基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしく
は未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のシク
ロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換
もしくは未置換の複素環基、置換もしくは未置換のアミ
ノ基、置換もしくは未置換のアルキルアミノ基、置換も
しくは未置換のアリールアミノ基を表す。また、R1 〜
R14の隣接する基同士で、それぞれ互いに結合して新た
な環を形成してもよい。]Embedded image [Wherein R 1 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group,
A substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, It represents a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted alkylamino group, or a substituted or unsubstituted arylamino group. Also, R 1-
Adjacent groups of R 14 may be bonded to each other to form a new ring. ]
【0005】更に本発明は、一対の電極間に発光層を含
む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層
である有機エレクトロルミネッセンス素子である。Further, the present invention relates to an organic electroluminescent device comprising a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein at least one layer is a layer containing the above-mentioned organic electroluminescent device material. It is an electroluminescent element.
【0006】更に本発明は、一対の電極間に発光層を含
む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、発光層が上記記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子材料を含有する層である有
機エレクトロルミネッセンス素子である。Further, the present invention relates to an organic electroluminescence device in which a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer are formed between a pair of electrodes, wherein the light emitting layer is a layer containing the above organic electroluminescent device material. It is an electroluminescent element.
【0007】[0007]
【0008】本発明における一般式[1]で表される化
合物のR1 〜R14はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のア
ルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もし
くは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、
置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未
置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリー
ル基、置換もしくは未置換の複素環基、置換もしくは未
置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアルキルアミノ
基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基を表す。In the compound of the present invention represented by the general formula [1], R 1 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group. Substituted aryl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or unsubstituted alkylthio group,
Substituted or unsubstituted arylthio group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted heterocyclic group, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted alkylamino group Represents a substituted or unsubstituted arylamino group.
【0009】本発明における一般式[1]で表される化
合物のR1 〜R14のハロゲン原子の具体例としては、塩
素、臭素、ヨウ素、フッ素があり、アルキル基の具体例
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル
基、トリクロロメチル基等があり、シクロアルキルの具
体例としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環等
がある。Specific examples of the halogen atom represented by R 1 to R 14 in the compound represented by the general formula [1] in the present invention include chlorine, bromine, iodine and fluorine, and specific examples of the alkyl group include methyl. Group, ethyl group, propyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, trichloromethyl group, and the like. Specific examples of cycloalkyl include , A cyclopentane ring and a cyclohexane ring.
【0010】本発明における一般式[1]で表される化
合物のR1 〜R14のアルコキシ基の具体例としては、メ
トキシ基、エトキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブ
トキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキ
シ基、ペンタフルオロプロポキシ基、2,2,3,3−
テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3
−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基、6−(パーフル
オロエチル)ヘキシルオキシ基等があり、アリールオキ
シ基の具体例としては、フェノキシ基、p−ニトロフェ
ノキシ基、p−tert−ブチルフェノキシ基、3−フ
ルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、3−
トリフルオロメチルフェノキシ基等がある。Specific examples of the alkoxy group represented by R 1 to R 14 in the compound represented by the general formula [1] in the present invention include a methoxy group, an ethoxy group, an n-butoxy group, a tert-butoxy group and a trichloromethoxy group. , Trifluoroethoxy group, pentafluoropropoxy group, 2,2,3,3-
Tetrafluoropropoxy group, 1,1,1,3,3,3
-Hexafluoro-2-propoxy group, 6- (perfluoroethyl) hexyloxy group, and the like. Specific examples of the aryloxy group include a phenoxy group, a p-nitrophenoxy group, a p-tert-butylphenoxy group, -Fluorophenoxy group, pentafluorophenyl group, 3-
And a trifluoromethylphenoxy group.
【0011】本発明における一般式[1]で表される化
合物のR1 〜R14のアルキルチオ基の具体例とては、メ
チルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチルチオ基、
ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチル
チオ基等があり、アリールチオ基の具体例とては、フェ
ニルチオ基、p−ニトロフェニルチオ基、p−tert
−ブチルフェニルチオ基、3−フルオロフェニルチオ
基、ペンタフルオロフェニルチオ基、3−トリフルオロ
メチルフェニルチオ基等がある。Specific examples of the alkylthio group represented by R 1 to R 14 in the compound represented by the general formula [1] in the present invention include a methylthio group, an ethylthio group, a tert-butylthio group,
Examples include a hexylthio group, an octylthio group and a trifluoromethylthio group. Specific examples of the arylthio group include a phenylthio group, a p-nitrophenylthio group, and a p-tert.
-Butylphenylthio, 3-fluorophenylthio, pentafluorophenylthio, 3-trifluoromethylphenylthio, and the like.
【0012】本発明における一般式[1]で表される化
合物のR1 〜R14のアリール基としては、フェニル基、
ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基
等があり、複素環基としては、ピロール基、ピロリン
基、ピラゾール基、ピラゾリン基、イミダゾール基、ト
リアゾール基、ピリジン基、ピリダジン基、ピリミジン
基、ピラジン基、トリアジン基、インドール基、プリン
基、キノリン基、イソキノリン基、シノリン基、キノキ
サリン基、ベンゾキノリン基、フルオレノン基、カルバ
ゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、チア
ゾール基、チアジアゾール基、トリアゾール基、イミダ
ゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール
基、ベンゾトリアゾール基、ベンゾイミダゾール基、ビ
スベンゾオキサゾール基、ビスベンゾチアゾール基、ビ
スベンゾイミダゾール基、アントロン基、ジベンゾフラ
ン基、ジベンゾチオフェン基、アントラキノン基、アク
リドン基、フェノチアジン基、ピロリジン基、ジオキサ
ン基、モルフォリン基等がある。In the present invention, the aryl group represented by R 1 to R 14 in the compound represented by the general formula [1] is a phenyl group,
There are a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a fluorenyl group, a pyrenyl group, and the like.As the heterocyclic group, a pyrrole group, a pyrroline group, a pyrazole group, a pyrazoline group, an imidazole group, a triazole group, pyridine Group, pyridazine group, pyrimidine group, pyrazine group, triazine group, indole group, purine group, quinoline group, isoquinoline group, sinoline group, quinoxaline group, benzoquinoline group, fluorenone group, carbazole group, oxazole group, oxadiazole group, Thiazole group, thiadiazole group, triazole group, imidazole group, benzoxazole group, benzothiazole group, benzotriazole group, benzimidazole group, bisbenzooxazole group, bisbenzothiazole group, bisbenzimidazole , Anthrone group, dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, anthraquinone group, acridone group, a phenothiazine group, a pyrrolidine group, dioxane group, a morpholine group.
【0013】本発明における一般式[1]で表される化
合物のR1 〜R14のアミノ基の具体例としては、アミノ
基、ビス(アセトキシメチル)アミノ基、ビス(アセト
キシエチル)アミノ基、ビスアセトキシプロピル)アミ
ノ基、ビス(アセトキシブチル)アミノ基等があり、ア
ルキルアミノ基の具体例としてはエチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ
基、ベンジルアミノ基ジベンジルアミノ基等があり、ア
リールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、
(3−メチルフェニル)アミノ基、(4−メチルフェニ
ル)アミノ基等があり、フェニルアミノ基の具体例とし
ては、フェニルアミノ基、フェニルメチルアミノ基、ジ
フェニルアミノ基、ビス(3−メチルフェニル)アミノ
基、ビス(4−メチルフェニル)アミノ基、ナフチルフ
ェニルアミノ基、ビス[4−(α,α’−ジメチルベン
ジル)フェニル]アミノ基等がある。Specific examples of the amino group represented by R 1 to R 14 of the compound represented by the general formula [1] in the present invention include an amino group, a bis (acetoxymethyl) amino group, a bis (acetoxyethyl) amino group, Examples thereof include a bisacetoxypropyl) amino group and a bis (acetoxybutyl) amino group. Specific examples of the alkylamino group include an ethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, a dibutylamino group, a benzylamino group and a dibenzylamino group. There are, as specific examples of the arylamino group, a phenylamino group,
There are a (3-methylphenyl) amino group, a (4-methylphenyl) amino group and the like. Specific examples of the phenylamino group include a phenylamino group, a phenylmethylamino group, a diphenylamino group, and bis (3-methylphenyl) An amino group, a bis (4-methylphenyl) amino group, a naphthylphenylamino group, a bis [4- (α, α′-dimethylbenzyl) phenyl] amino group, and the like.
【0014】また、R1 〜R14の隣接する基同士で、そ
れぞれ互いに結合して、フェニル環、ナフチル環、アン
トリル環、ピレニル環、カルバゾール環、ベンゾピラニ
ル環、シクロヘキシル環等の飽和もしくは不飽和環を形
成してもよい。The adjacent groups R 1 to R 14 are bonded to each other to form a saturated or unsaturated ring such as a phenyl ring, a naphthyl ring, an anthryl ring, a pyrenyl ring, a carbazole ring, a benzopyranyl ring and a cyclohexyl ring. May be formed.
【0015】本発明におけるR1 〜R14で示されるアル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シクロアルキル
基、アリール基、複素環基、アミノ基、アルキルアミノ
基、アリールアミノ基に置換してもよい基の代表例とし
ては以下に示す置換基がある。The alkyl group, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, cycloalkyl group, aryl group, heterocyclic group, amino group, alkylamino group represented by R 1 to R 14 in the present invention. Representative examples of the group which may be substituted with an arylamino group include the following substituents.
【0016】ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ
素、フッ素。アルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、ter
t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等があ
り、シクロアルキルとしては、シクロペンタン環、シク
ロヘキサン環、1,3−シクロヘキサジエニル基、2−
シクロペンテン−1−イル基、2,4−シクロペンタジ
エン−1−イリデニル基等がある。The halogen atom includes chlorine, bromine, iodine and fluorine. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a ter
t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group,
There are an octyl group, a stearyl group, a trichloromethyl group and the like. As the cycloalkyl, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a 1,3-cyclohexadienyl group, a 2-
Examples thereof include a cyclopenten-1-yl group and a 2,4-cyclopentadiene-1-ylenyl group.
【0017】アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、トリ
クロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフ
ルオロプロポキシ基、2,2,3,3−テトラフルオロ
プロポキシ基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロ−2−プロポキシ基、6−(パーフルオロエチル)ヘ
キシルオキシ基等があり、アリールオキシ基としては、
フェノキシ基、p−ニトロフェノキシ基、p−tert
−ブチルフェノキシ基、3−フルオロフェノキシ基、ペ
ンタフルオロフェニル基、3−トリフルオロメチルフェ
ノキシ基等がある。Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, an n-butoxy group, a tert-butoxy group, a trichloromethoxy group, a trifluoroethoxy group, a pentafluoropropoxy group, a 2,2,3,3-tetrafluoropropoxy group. , 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propoxy group, 6- (perfluoroethyl) hexyloxy group and the like.
Phenoxy group, p-nitrophenoxy group, p-tert
-Butylphenoxy group, 3-fluorophenoxy group, pentafluorophenyl group, 3-trifluoromethylphenoxy group and the like.
【0018】アルキルチオ基とては、メチルチオ基、エ
チルチオ基、tert−ブチルチオ基、ヘキシルチオ
基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等があ
り、アリールチオ基とては、フェニルチオ基、p−ニト
ロフェニルチオ基、p−tert−ブチルフェニルチオ
基、3−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェ
ニルチオ基、3−トリフルオロメチルフェニルチオ基等
がある。The alkylthio group includes a methylthio group, an ethylthio group, a tert-butylthio group, a hexylthio group, an octylthio group, a trifluoromethylthio group and the like, and the arylthio groups include a phenylthio group, a p-nitrophenylthio group, Examples include a p-tert-butylphenylthio group, a 3-fluorophenylthio group, a pentafluorophenylthio group, and a 3-trifluoromethylphenylthio group.
【0019】アリール基としては、フェニル基、ビフェ
ニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、
フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等があ
り、複素環基としては、ピロール基、ピロリン基、ピラ
ゾール基、ピラゾリン基、イミダゾール基、トリアゾー
ル基、ピリジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、ピラ
ジン基、トリアジン基、インドール基、プリン基、キノ
リン基、イソキノリン基、シノリン基、キノキサリン
基、ベンゾキノリン基、フルオレノン基、カルバゾール
基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール
基、チアジアゾール基、トリアゾール基、イミダゾール
基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベン
ゾトリアゾール基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾ
オキサゾール基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾ
イミダゾール基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジ
ベンゾチオフェン基、アントラキノン基、アクリドン
基、フェノチアジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、
モルフォリン基等がある。Examples of the aryl group include phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, anthryl,
There are a phenanthryl group, a fluorenyl group, a pyrenyl group, and the like, and examples of the heterocyclic group include a pyrrole group, a pyrroline group, a pyrazole group, a pyrazoline group, an imidazole group, a triazole group, a pyridine group, a pyridazine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, and a triazine group. , Indole, purine, quinoline, isoquinoline, sinoline, quinoxaline, benzoquinoline, fluorenone, carbazole, oxazole, oxadiazole, thiazole, thiadiazole, triazole, imidazole, benzo Oxazole group, benzothiazole group, benzotriazole group, benzimidazole group, bisbenzooxazole group, bisbenzothiazole group, bisbenzimidazole group, anthrone group, dibenzofuran group, dibenzothiophene group Anthraquinone group, acridone group, a phenothiazine group, a pyrrolidine group, dioxane group,
There is a morpholine group and the like.
【0020】アミノ基としては、アミノ基、ビス(アセ
トキシメチル)アミノ基、ビス(アセトキシエチル)ア
ミノ基、ビスアセトキシプロピル)アミノ基、ビス(ア
セトキシブチル)アミノ基等があり、アルキルアミノ基
としてはエチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基、ベンジルアミノ基ジベ
ンジルアミノ基等があり、アリールアミノ基としては、
フェニルアミノ基、(3−メチルフェニル)アミノ基、
(4−メチルフェニル)アミノ基等があり、フェニルア
ミノ基としては、フェニルアミノ基、フェニルメチルア
ミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(3−メチルフェニ
ル)アミノ基、ビス(4−メチルフェニル)アミノ基、
ナフチルフェニルアミノ基、ビス[4−(α,α’−ジ
メチルベンジル)フェニル]アミノ基等がある。Examples of the amino group include an amino group, a bis (acetoxymethyl) amino group, a bis (acetoxyethyl) amino group, a bisacetoxypropyl) amino group and a bis (acetoxybutyl) amino group. There are an ethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, a dibutylamino group, a benzylamino group and a dibenzylamino group.
Phenylamino group, (3-methylphenyl) amino group,
(4-methylphenyl) amino group and the like. Examples of the phenylamino group include a phenylamino group, a phenylmethylamino group, a diphenylamino group, a bis (3-methylphenyl) amino group, and a bis (4-methylphenyl) amino group. ,
A naphthylphenylamino group and a bis [4- (α, α′-dimethylbenzyl) phenyl] amino group.
【0021】本発明において、一般式[1]で表される
化合物は、9−フルオレノン誘導体をマグネシウム存在
下で加熱する方法(Chem.Ber.、123巻、1
981ページ、1990年)、9−チオフルオレノン誘
導体から得る方法(Chem.Ber.、95巻、19
10ページ、1962年)等により合成することができ
る。以下に、本発明の化合物の代表例を表1に具体的に
例示するが、本発明は以下の代表例に限定されるもので
はない。In the present invention, the compound represented by the general formula [1] can be prepared by heating a 9-fluorenone derivative in the presence of magnesium (Chem. Ber., Vol. 123, No. 1).
981, p. 1990), a method for obtaining from 9-thiofluorenone derivatives (Chem. Ber., 95, 19).
10 page, 1962). Hereinafter, typical examples of the compound of the present invention are specifically illustrated in Table 1, but the present invention is not limited to the following typical examples.
【0022】[0022]
【表1】 [Table 1]
【0023】 [0023]
【0024】 [0024]
【0025】 [0025]
【0026】 [0026]
【0027】 [0027]
【0028】有機EL素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有
しても良い。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/
陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極
/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多層構成
で積層した有機EL素子がある。本発明の一般式[1]
で示される化合物は、固体状態において強い蛍光を持つ
化合物であり電界発光性に優れているので、発光材料と
して発光層内で使用することができる。また、一般式
[1]の化合物は、発光層内においてドーピング材料と
して発光層中にて最適の割合でドーピングすることによ
り、高い発光効率および発光波長の最適な選択が可能で
ある。また、一般式[1]の化合物は、正孔もしくは電
子等のキャリアを輸送することができるので、有機EL
素子の正孔注入層もしくは電子注入層に使用することも
可能である。The organic EL device is a device in which a single or multilayer organic thin film is formed between an anode and a cathode. In the case of a single layer type, a light emitting layer is provided between an anode and a cathode. The light-emitting layer contains a light-emitting material and may further contain a hole-injection material or an electron-injection material for transporting holes injected from an anode or electrons injected from a cathode to the light-emitting material. The multilayer type is (anode / hole injection layer / light emitting layer /
There is an organic EL device having a multilayer structure of (cathode), (anode / light-emitting layer / electron injection layer / cathode), and (anode / hole injection layer / light-emitting layer / electron injection layer / cathode). General formula [1] of the present invention
Are compounds having strong fluorescence in a solid state and excellent in electroluminescence, and thus can be used in a light emitting layer as a light emitting material. Further, by doping the compound of the general formula [1] as a doping material in the light emitting layer at an optimum ratio in the light emitting layer, it is possible to select a high light emitting efficiency and an optimum light emitting wavelength. Further, since the compound of the general formula [1] can transport carriers such as holes or electrons, the organic EL
It can also be used for the hole injection layer or the electron injection layer of the device.
【0029】発光層のホスト材料に、ドーピング材料
(ゲスト材料)として一般式[1]の化合物を使用し
て、発光輝度が高い有機EL素子を得ることもできる。
一般式[1]の化合物は、発光層内において、ホスト材
料に対して0.001重量%〜50重量%の範囲で含有
されていることが望ましく、更には0.01重量%〜1
0重量%の範囲が効果的である。By using a compound of the general formula [1] as a doping material (guest material) as a host material of the light emitting layer, an organic EL device having high emission luminance can be obtained.
The compound of the general formula [1] is desirably contained in the light emitting layer in a range of 0.001% by weight to 50% by weight relative to the host material, and more preferably 0.01% by weight to 1% by weight.
A range of 0% by weight is effective.
【0030】発光層には、発光材料およびドーピング材
料に加えて、必要があれば正孔注入材料や電子注入材料
を使用することもできる。In the light emitting layer, in addition to the light emitting material and the doping material, a hole injection material or an electron injection material can be used if necessary.
【0031】有機EL素子は、多層構造にすることによ
り、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことが
できる。また、必要があれば、発光材料、ドーピング材
料、キャリア注入を行う正孔注入材料や電子注入材料を
二種類以上組み合わせて使用することも出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上
の層構成により形成されても良く、正孔もしくは電子が
効率よく電極から注入され、層中で輸送される素子構造
が選択される。When the organic EL element has a multilayer structure, it is possible to prevent a decrease in luminance and life due to quenching. If necessary, a combination of two or more kinds of light emitting materials, doping materials, hole injecting materials for injecting carriers, and electron injecting materials can also be used. Also,
The hole injection layer, the light-emitting layer, and the electron injection layer may each be formed in a layer structure of two or more layers, and an element structure in which holes or electrons are efficiently injected from the electrode and transported in the layer is selected. You.
【0032】有機EL素子の陽極に使用される導電性材
料は、4eVより大きな仕事関数を持つものが好適であ
り、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、
ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等
およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板と称さ
れる酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらには
ポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用
いられる。陰極に使用される導電性材料は、4eVより
小さな仕事関数を持つものが好適であり、マグネシウ
ム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、
リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金
が用いられるが、これらに限定されるものではない。陽
極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により
形成されていても良い。The conductive material used for the anode of the organic EL device preferably has a work function of more than 4 eV, and is preferably carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, or the like.
Nickel, tungsten, silver, gold, platinum, palladium and the like and alloys thereof, ITO substrate, metal oxide such as tin oxide and indium oxide called NESA substrate, and organic conductive resin such as polythiophene and polypyrrole are used. . The conductive material used for the cathode is preferably one having a work function of less than 4 eV, such as magnesium, calcium, tin, lead, titanium, yttrium,
Lithium, ruthenium, manganese and the like and alloys thereof are used, but not limited thereto. The anode and the cathode may be formed by two or more layers if necessary.
【0033】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエ
ーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂
があげられる。In the organic EL device, it is desirable that at least one of the organic EL devices is sufficiently transparent in an emission wavelength region of the device in order to emit light efficiently. Further, it is desirable that the substrate is also transparent. The transparent electrode is set so as to secure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering using the above conductive material. The electrode on the light emitting surface desirably has a light transmittance of 10% or more. The substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strength and is transparent, but examples thereof include a transparent resin such as a glass substrate, a polyethylene plate, a polyether sulfone plate, and a polypropylene plate. .
【0034】本発明に係わる有機EL素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が好適であるが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。Each layer of the organic EL device according to the present invention can be formed by any of dry film forming methods such as vacuum evaporation and sputtering and wet film forming methods such as spin coating and dipping. The thickness is not particularly limited, but each layer needs to be set to an appropriate thickness. If the film thickness is too large, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. If the film thickness is too small, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied. Normal thickness is 5nm to 10μ
The range of m is suitable, but the range of 10 nm to 0.2 μm is more preferable.
【0035】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。このような樹脂
としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリ
レート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポ
リスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポ
リチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げるこ
とができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外
線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。In the case of the wet film forming method, a material for forming each layer is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as chloroform, tetrahydrofuran, dioxane or the like to form a thin film.
The solvent may be any. In any of the thin films, a suitable resin or additive may be used to improve film forming properties, prevent pinholes in the film, and the like. Examples of such a resin include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, and cellulose, and poly-N-.
Examples include photoconductive resins such as vinyl carbazole and polysilane, and conductive resins such as polythiophene and polypyrrole. Examples of the additive include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.
【0036】一般式[1]と併せて使用できるホスト材
料としては、キノリン金属錯体、オキサジアゾール、ベ
ンゾチアゾール金属錯体、ベンゾオキサゾール金属錯
体、ベンゾイミダゾール金属錯体、トリアゾール、イミ
ダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、スチルベ
ン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、ス
チリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフ
ェニルアミンフルオレノン、ジアミノアントラセン型ト
リフェニルアミン、ジアミノフェナントレン型トリフェ
ニルアミン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、
チアジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボ
ン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタ
ン、トリフェニレン、アントロン等とそれらの誘導体、
および、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の導電
性高分子の高分子材料等がある。以下表2に具体的に例
示するが、本発明は以下の代表例に限定されるものでは
ない。Examples of the host material usable in combination with the general formula [1] include quinoline metal complex, oxadiazole, benzothiazole metal complex, benzoxazole metal complex, benzimidazole metal complex, triazole, imidazole, oxazole and oxadiazole. , Stilbene, butadiene, benzidine triphenylamine, styrylamine triphenylamine, diamine triphenylamine fluorenone, diaminoanthracene triphenylamine, diaminophenanthrene triphenylamine, anthraquinodimethane, diphenoquinone,
Thiadiazole, tetrazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidenemethane, anthraquinodimethane, triphenylene, anthrone and derivatives thereof,
And a conductive polymer material such as polyvinyl carbazole and polysilane. The specific examples are shown in Table 2 below, but the present invention is not limited to the following representative examples.
【0037】[0037]
【表2】 [Table 2]
【0038】 [0038]
【0039】 [0039]
【0040】 [0040]
【0041】 [0041]
【0042】 [0042]
【0043】 [0043]
【0044】 [0044]
【0045】 [0045]
【0046】 [0046]
【0047】 [0047]
【0048】 [0048]
【0049】 [0049]
【0050】 [0050]
【0051】一般式[1]と共に更なるドーピング材料
を使用して発光色を変化させることも可能となる。一般
式[1]と共に使用されるドーピング材料としては、ア
ントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テ
トラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリ
レン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、
フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジ
エン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジ
アゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビスス
チリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属
錯体、アミノキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ
ダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリド
ン、ルブレン等およびそれらの誘導体があるが、これら
に限定されるものではない。The emission color can be changed by using a further doping material together with the general formula [1]. Doping materials used with the general formula [1] include anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, tetracene, coronene, chrysene, fluorescein, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perinone,
Phthaloperinone, naphthaloperinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxadiazole, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, quinoline metal complex, aminoquinoline metal complex, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole ,
Examples include, but are not limited to, pyran, thiopyran, polymethine, merocyanine, imidazole chelated oxinoid compounds, quinacridone, rubrene, and derivatives thereof.
【0052】正孔注入材料としては、正孔を注入する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。The hole injecting material has the ability to inject holes, has an excellent hole injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material, and has an electron injecting layer or electron of excitons generated in the light emitting layer. Compounds that prevent migration to the injection material and have excellent thin film forming ability are mentioned. Specifically, phthalocyanine compounds, naphthalocyanine compounds, porphyrin compounds, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, imidazolethione, pyrazoline, pyrazolone, tetrahydroimidazole, oxazole, oxadiazole, hydrazone, acylhydrazone, poly Arylalkane, stilbene, butadiene,
Benzidine-type triphenylamine, styrylamine-type triphenylamine, diamine-type triphenylamine and the like, and derivatives thereof, and polyvinyl carbazole,
Although there are polymer materials such as polysilane and conductive polymer,
It is not limited to these.
【0053】電子注入材料としては、電子を注入する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、キノリン金属錯
体、オキサジアゾール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベ
ンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯
体、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキ
ノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チア
ジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物
質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加して増感さ
せることもできる。The electron injecting material has a capability of injecting electrons, has an excellent electron injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material, and has a hole injecting layer or hole injecting of excitons generated in the light emitting layer. Compounds that prevent transfer to a material and have excellent thin film forming ability are exemplified. For example, quinoline metal complex, oxadiazole, benzothiazole metal complex, benzoxazole metal complex, benzimidazole metal complex, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyrandioxide, oxadiazole, thiadiazole, tetrazole, perylenetetracarbon Acid, fluorenylidenemethane, anthraquinodimethane,
Examples include, but are not limited to, anthrones and derivatives thereof. Alternatively, an electron accepting substance may be added to the hole injecting material, and an electron donating substance may be added to the electron injecting material for sensitization.
【0054】本発明により得られた有機EL素子の、温
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入
して素子全体を保護することも可能である。In order to improve the stability of the organic EL device obtained according to the present invention with respect to temperature, humidity, atmosphere, etc., a protective layer is provided on the surface of the device or silicon oil is sealed to protect the entire device. It is also possible.
【0055】[0055]
【実施例】化合物(1)の合成方法 9−フルオレノン30gとマグネシウム10gをビフェ
ニル100g中、環流下51時間撹拌した。その後、ト
ルエンを注ぎ、溶解しない物質をろ過し集めた。集めた
固体を加熱したニトロベンゼンに溶解し、溶解しないマ
グネシウムをろ過し取り除いた後に冷却すると、固体が
析出した。得られた固体を昇華精製することによって化
合物(1)5.6gを得た。元素分析、分子量分析、赤
外吸収スペクトル、NMRスペクトルにより化合物
(1)であることを確認した。化合物(2)の合成方法 化合物(1)1gと塩化アルミニウム0.5gを二硫化
炭素200mlに分散した。その後、tert−ブチル
クロライド0.75mlを15分かけて滴下し、環流下
6時間撹拌を行った。反応終了後、冷却すると固体が析
出した。固体を昇華精製することによって化合物(2)
0.5gを得た。元素分析、分子量分析、赤外吸収スペ
クトル、NMRスペクトルにより化合物(2)であるこ
とを確認した。化合物(3)の合成方法 化合物(1)1.0gを100mlのニトロベンゼンに
溶解した。ニトロベンゼン溶液に、硝酸1.3mlを滴
下し、熱の発生がおさまった後、2時間撹拌した。その
後、エタノールを注ぐと、固体が析出した。得られた固
体を昇華精製することによって化合物(3)0.3gを
得た。元素分析、分子量分析、赤外吸収スペクトル、N
MRスペクトルにより化合物(3)であることを確認し
た。化合物(5)の合成方法 化合物(3)1.2gと硫酸ナトリウム35gを水25
mlとエタノール200mlの混合溶媒に分散し、環流
下6時間撹拌した。その後、エタノールと水をエバポレ
ーションにより取り除き、固体を得た。得られた固体を
THFとピリジンで抽出し、溶媒を取り除いた後、化合
物(5)0.8gを得た。元素分析、分子量分析、赤外
吸収スペクトル、NMRスペクトルにより化合物(5)
であることを確認した。EXAMPLES Synthesis of compound (1) 30 g of 9-fluorenone and 10 g of magnesium were stirred in 100 g of biphenyl under reflux for 51 hours. Thereafter, toluene was poured, and undissolved substances were collected by filtration. The collected solid was dissolved in heated nitrobenzene, and the undissolved magnesium was removed by filtration, followed by cooling, followed by precipitation of the solid. The obtained solid was purified by sublimation to obtain 5.6 g of compound (1). Elemental analysis, molecular weight analysis, infrared absorption spectrum, and NMR spectrum confirmed that it was compound (1). Synthesis method of compound (2) 1 g of compound (1) and 0.5 g of aluminum chloride were dispersed in 200 ml of carbon disulfide. Thereafter, 0.75 ml of tert-butyl chloride was added dropwise over 15 minutes, and the mixture was stirred under reflux for 6 hours. After the completion of the reaction, a solid was deposited upon cooling. Compound (2) by sublimation purification of solid
0.5 g was obtained. Elemental analysis, molecular weight analysis, infrared absorption spectrum, and NMR spectrum confirmed that it was compound (2). Synthesis method of compound (3) 1.0 g of compound (1) was dissolved in 100 ml of nitrobenzene. 1.3 ml of nitric acid was added dropwise to the nitrobenzene solution, and after the generation of heat had subsided, the mixture was stirred for 2 hours. Thereafter, when ethanol was poured, a solid precipitated. The obtained solid was purified by sublimation to obtain 0.3 g of compound (3). Elemental analysis, molecular weight analysis, infrared absorption spectrum, N
It was confirmed to be Compound (3) by MR spectrum. Method for synthesizing compound (5) 1.2 g of compound (3) and 35 g of sodium sulfate were added to water 25
The mixture was dispersed in a mixed solvent of 200 ml of ethanol and 200 ml of ethanol, and stirred for 6 hours under reflux. Thereafter, ethanol and water were removed by evaporation to obtain a solid. The obtained solid was extracted with THF and pyridine, and after removing the solvent, 0.8 g of compound (5) was obtained. The compound (5) was analyzed by elemental analysis, molecular weight analysis, infrared absorption spectrum and NMR spectrum.
Was confirmed.
【0056】実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(3
―メチルフェニル)―N,N' ―ジフェニル―1,1―
ビフェニル- 4,4―ジアミン(TPD)を真空蒸着し
て、膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物
(1)を蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、トリス
(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を蒸着
し、膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、マグ
ネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100n
mの電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層お
よび発光層は10-6Torrの真空中で、基板温度室温
の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで発光輝
度130cd/m2 、最大発光輝度12000cd/m
2 、5Vの時の発光効率1.8lm/Wの発光が得られ
た。次に3mA/cm2 の電流密度で、この素子を連続
して発光させた寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上
の発光が10000時間以上保持された。Example 1 N, N '-(3) was placed on a cleaned glass plate with ITO electrodes.
-Methylphenyl) -N, N'-diphenyl-1,1-
Biphenyl-4,4-diamine (TPD) was vacuum-deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 20 nm. Next, the compound (1) was deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and a tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex was deposited to obtain an electron-injecting layer having a thickness of 30 nm. On top of that, an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 with a film thickness of 100 n
m electrodes were formed to obtain an organic EL device. The hole injection layer and the light emitting layer were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 130 cd / m 2 and a maximum light emission luminance of 12000 cd / m at a DC voltage of 5 V.
Light emission with a luminous efficiency of 1.8 lm / W at 2.5 and 5 V was obtained. Next, as a result of a life test in which the device was continuously lit at a current density of 3 mA / cm 2 , luminescence of 1 / or more of the initial luminance was maintained for 10000 hours or more.
【0057】実施例2〜7 発光層に、化合物(1)に換え、表3で示した化合物を
使用する以外は実施例1と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は表3に示す発光特性を示した。Examples 2 to 7 Organic EL devices were prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 3 were used instead of the compound (1) in the light emitting layer. This device exhibited the emission characteristics shown in Table 3.
【0058】[0058]
【表3】 [Table 3]
【0059】実施例8 洗浄したITO電極付きガラス板上に化合物(15)を
真空蒸着して膜厚100nmの発光層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚
150nmの膜厚の電極を形成して有機EL素子を得
た。発光層および陰極は、10-6Torrの真空中で基
板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5
Vで発光輝度50cd/m2 、最大発光輝度1200c
d/m2 、5Vの時の発光効率0.7lm/Wの発光が
得られた。次に3mA/cm2 の電流密度で、この素子
を連続して発光させた寿命試験の結果、初期輝度の1/
2以上の発光が5000時間以上保持された。Example 8 A compound (15) was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to form a 100 nm-thick light-emitting layer, on which an alloy obtained by mixing magnesium and silver at a ratio of 10: 1 was used. An electrode having a thickness of 150 nm was formed to obtain an organic EL device. The light emitting layer and the cathode were deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. This element has a DC voltage of 5
At 50 V, the emission luminance is 50 cd / m 2 , and the maximum emission luminance is 1200 c.
Light emission with a luminous efficiency of 0.7 lm / W at d / m 2 and 5 V was obtained. Next, at a current density of 3 mA / cm 2 , as a result of a life test in which the device was continuously emitted, 1 / l of the initial luminance was obtained.
Two or more light emissions were maintained for 5000 hours or more.
【0060】実施例9 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(7)を
蒸着し膜厚80nmの正孔注入層を作成し、次いで、ト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を蒸
着し、膜厚20nmの発光層を得た。その上に、マグネ
シウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nm
の電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層およ
び発光層は10-6Torrの真空中で、基板温度室温の
条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで発光輝度
40cd/m2 、最大発光輝度8000cd/m2 、5
Vの時の発光効率0.8lm/Wの発光が得られた。次
に3mA/cm2 の電流密度で、この素子を連続して発
光させた寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光
が3000時間以上保持された。Example 9 A compound (7) was deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm, and then a tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex was deposited. A light emitting layer having a thickness of 20 nm was obtained. On top of that, an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 to a thickness of 100 nm.
Was formed to obtain an organic EL device. The hole injection layer and the light emitting layer were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 40 cd / m 2 at a DC voltage of 5 V, a maximum light emission luminance of 8000 cd / m 2 ,
Light emission with a luminous efficiency of 0.8 lm / W at V was obtained. Next, as a result of a life test in which the device was continuously caused to emit light at a current density of 3 mA / cm 2 , light emission of 1/2 or more of the initial luminance was maintained for 3000 hours or more.
【0061】実施例10 洗浄したITO電極付きガラス板上に、TPDを蒸着し
て膜厚50nmの正孔注入層を作製し、次いで、トリス
(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を蒸着
し、膜厚20nmの発光層を得た。化合物(18)を蒸
着し膜厚60nmの電子注入層を作成し、その上に、マ
グネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100
nmの電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層
および発光層は10-6Torrの真空中で、基板温度室
温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで発光
輝度40cd/m2 、最大発光輝度7000cd/
m2 、5Vの時の発光効率0.6lm/Wの発光が得ら
れた。次に3mA/cm2 の電流密度で、この素子を連
続して発光させた寿命試験の結果、初期輝度の1/2以
上の発光が3000時間以上保持された。Example 10 TPD was deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to form a hole injection layer having a thickness of 50 nm, and then tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex was deposited. A 20 nm light emitting layer was obtained. The compound (18) is vapor-deposited to form an electron injection layer having a thickness of 60 nm, and an alloy obtained by mixing magnesium and silver at a ratio of 10: 1 to a thickness of 100 nm.
An organic EL device was obtained by forming an electrode having a thickness of 10 nm. The hole injection layer and the light emitting layer were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 40 cd / m 2 at a DC voltage of 5 V and a maximum light emission luminance of 7000 cd / m 2 .
Light emission with a light emission efficiency of 0.6 lm / W at m 2 and 5 V was obtained. Next, as a result of a life test in which the device was continuously caused to emit light at a current density of 3 mA / cm 2 , light emission of 1/2 or more of the initial luminance was maintained for 3000 hours or more.
【0062】実施例11 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(4
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンと化合物
(13)とを100:1の重量比で蒸着して、膜厚30
nmの正孔注入層を得た。次いで、トリス(8−ヒドロ
キシキノリン)アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚5
0nmの発光層を得た。その上に、マグネシウムと銀を
10:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成
して有機EL素子を得た。正孔注入層および陰極は、1
0-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着
した。この素子は直流電圧5Vで発光輝度120cd/
m2 、最大発光輝度17000cd/m2 、5Vの時の
発光効率1.6lm/Wの発光が得られた。次に3mA
/cm2 の電流密度で、この素子を連続して発光させた
寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光が100
0時間以上保持された。Example 11 N, N '-(4
-Methylphenyl) -N, N '-(4-n-butylphenyl) -phenanthrene-9,10-diamine and the compound (13) were deposited in a weight ratio of 100: 1 to form a film having a thickness of 30.
As a result, a hole injection layer having a thickness of nm was obtained. Next, a tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex was vacuum-deposited to a film thickness of 5 mm.
A light emitting layer of 0 nm was obtained. An electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon with an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. The hole injection layer and the cathode
Vapor deposition was performed at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 0 -6 Torr. This element emits light at a luminance of 120 cd /
m 2 , a maximum emission luminance of 17000 cd / m 2 , and a light emission with a luminous efficiency of 1.6 lm / W at 5 V was obtained. Then 3mA
As a result of a life test in which the device was continuously lit at a current density of / cm 2 , luminescence having a luminance of 以上 or more of the initial luminance was 100%.
It was kept for more than 0 hours.
【0063】実施例12 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N’−ジフ
ェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’
−ビフェニル−4,4’−ジアミンを真空蒸着して、膜
厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、N,N' ―
(4―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチル
フェニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンと化
合物(1)とを100:1の重量比でを蒸着し膜厚40
nmの発光層を作成し、トリス(8−ヒドロキシキノリ
ン)アルミニウム錯体を蒸着し、膜厚10nmの電子注
入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1で
混合した合金で膜厚100nmの電極を形成して有機E
L素子を得た。正孔注入層および発光層は10-6Tor
rの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この
素子は直流電圧5Vで発光輝度350cd/m2 、最大
発光輝度54000cd/m2 、5Vの時の発光効率
4.0lm/Wの発光が得られた。次に3mA/cm2
の電流密度で、この素子を連続して発光させた寿命試験
の結果、初期輝度の1/2以上の発光が10000時間
以上保持された。Example 12 N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1 ′ was placed on a washed glass plate with an ITO electrode.
-Biphenyl-4,4'-diamine was vacuum-deposited to obtain a 20-nm-thick hole injection layer. Next, N, N'-
(4-Methylphenyl) -N, N '-(4-n-butylphenyl) -phenanthrene-9,10-diamine and compound (1) were deposited at a weight ratio of 100: 1 to form a film having a thickness of 40.
A light emitting layer having a thickness of 10 nm was formed, and a tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex was deposited thereon to obtain an electron injection layer having a thickness of 10 nm. An electrode having a thickness of 100 nm is formed thereon by using an alloy in which magnesium and silver are mixed at a ratio of 10: 1.
An L element was obtained. The hole injection layer and the light emitting layer are 10 -6 Torr
The film was deposited under the condition of room temperature and substrate temperature in a vacuum of r. This device emitted light with a luminance of 350 cd / m 2 at a DC voltage of 5 V, a maximum luminance of 54000 cd / m 2 , and a luminous efficiency of 4.0 lm / W at 5 V. Next, 3 mA / cm 2
As a result of a life test in which the device was continuously lit at a current density of, light emission of 1 / or more of the initial luminance was maintained for 10000 hours or more.
【0064】実施例13〜23 発光層に、化合物(1)に換え、表4で示した化合物を
使用する以外は実施例12と同様の方法で有機EL素子
を作製した。この素子は表4に示す発光特性を示した。Examples 13 to 23 Organic EL devices were produced in the same manner as in Example 12, except that the compounds shown in Table 4 were used in place of the compound (1) in the light emitting layer. This device exhibited the emission characteristics shown in Table 4.
【0065】[0065]
【表4】 [Table 4]
【0066】実施例24 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(4
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンを真空蒸
着して、膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、ホ
スト化合物としてのトリス(8−ヒドロキシキノリン)
アルミニウム錯体とドーピング化合物としての化合物
(1)とを50:1の重量比で蒸着して、の膜厚30n
mの発光層を作成し、さらに真空蒸着法により[2−
(4−tert−ブチルフェニル)−5−(ビフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール]の膜厚20nm
の電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を1
0:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成し
て有機EL素子を得た。正孔注入層、発光層、電子注入
層および陰極は、10-6Torrの真空中で、基板温度
室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで発
光輝度330cd/m2 、最大発光輝度53000cd
/m2 、5Vの時の発光効率4.3lm/Wの発光が得
られた。次に3mA/cm2 の電流密度で、この素子を
連続して発光させた寿命試験の結果、初期輝度の1/2
以上の発光が10000時間以上保持された。Example 24 N, N ′ — (4
-Methylphenyl) -N, N '-(4-n-butylphenyl) -phenanthrene-9,10-diamine was vacuum-deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, tris (8-hydroxyquinoline) as a host compound
The aluminum complex and the compound (1) as a doping compound are deposited at a weight ratio of 50: 1 to form a film having a thickness of 30 n.
m was formed, and [2-
(4-tert-butylphenyl) -5- (biphenyl) -1,3,4-oxadiazole] with a thickness of 20 nm
Was obtained. And one more magnesium and silver
An electrode having a thickness of 150 nm was formed from an alloy mixed at 0: 1 to obtain an organic EL device. The hole injection layer, the light emitting layer, the electron injection layer and the cathode were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 330 cd / m 2 at a DC voltage of 5 V and a maximum light emission luminance of 53000 cd.
/ M 2 , light emission efficiency of 4.3 lm / W at 5 V was obtained. Next, at a current density of 3 mA / cm 2 , as a result of a life test in which the device was continuously illuminated, it was found that half of the initial luminance was obtained.
The above light emission was maintained for 10,000 hours or more.
【0067】実施例25〜34 発光層に、ホスト化合物とドーピング化合物として表5
で示した化合物を使用する以外は実施例24と同様の方
法で有機EL素子を作製した。この素子は表5に示す発
光特性を示した。Examples 25 to 34 In the light emitting layer, as a host compound and a doping compound,
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 24, except that the compound shown in. Was used. This device exhibited the emission characteristics shown in Table 5.
【0068】[0068]
【表5】 [Table 5]
【0069】実施例35 洗浄したITO電極付きガラス板上に、4、4’、4”
−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル
アミノ]トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚40
nmの正孔注入層を得た。次いで、4,4’−ビス[N
−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
を真空蒸着して、膜厚10nmの第二正孔注入層を得
た。さらに、ホスト化合物としての9,9−ビス(N,
N−ビス(3- トリル)- 4- アミノフェニル)フルオ
レンとドーピング化合物としての化合物(1)とを10
0:1の重量比で蒸着して、膜厚30nmの発光層を作
成し、さらにビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリ
ナト)(1−フェノラート)ガリウム錯体を真空蒸着し
て膜厚30nmの電子注入層を作成し、その上に、アル
ミニウムとリチウムを25:1で混合した合金で膜厚1
50nmの電極を形成して、有機EL素子を得た。正孔
注入層および発光層は10-6Torrの真空中で、基板
温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧5
Vで発光輝度260(cd/m2 )、最大発光輝度64
000(cd/m2 )、発光効率5.8(lm/W)の
発光特性が得られた。Example 35 On a washed glass plate with an ITO electrode, 4, 4 ′, 4 ″
-Tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine was vacuum deposited to a film thickness of 40
As a result, a hole injection layer having a thickness of nm was obtained. Then, 4,4′-bis [N
-(1-Naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl was vacuum-deposited to obtain a 10-nm-thick second hole injection layer. Further, 9,9-bis (N,
N-bis (3-tolyl) -4-aminophenyl) fluorene and compound (1) as a doping compound are mixed in 10
Evaporation was performed at a weight ratio of 0: 1 to form a light-emitting layer having a thickness of 30 nm. Further, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) (1-phenolate) gallium complex was vacuum-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 30 nm. An electron injection layer was formed, and an aluminum and lithium alloy mixed at a ratio of 25: 1 was formed on the electron injection layer.
An 50 nm electrode was formed to obtain an organic EL device. The hole injection layer and the light emitting layer were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This element has a DC voltage of 5
The emission luminance is 260 (cd / m 2 ) at V, and the maximum emission luminance is 64
000 (cd / m 2 ) and luminous efficiency of 5.8 (lm / W) were obtained.
【0070】実施例36〜46 発光層に、ホスト化合物とドーピング化合物として表6
で示した化合物を使用する以外は実施例35と同様の方
法で有機EL素子を作製した。この素子は表6に示す発
光特性を示した。Examples 36 to 46 In the light emitting layer, as a host compound and a doping compound,
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 35 except that the compound shown in the above was used. This device exhibited the emission characteristics shown in Table 6.
【0071】[0071]
【表6】 [Table 6]
【0072】実施例47 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(4
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンをクロロ
ホルムに溶解し、スピンコーティング法により膜厚30
nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(21)を蒸
着し膜厚40nmの発光層を作成し、さらにビス(2−
メチル−8−ヒドロキシキノリナト)(1−フェノラー
ト)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚30nmの電子注
入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1で
混合した合金で膜厚100nmの電極を形成して有機E
L素子を得た。発光層および電子注入層は実施例1と同
様な条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで発光
輝度90cd/m2 、最大発光輝度22000cd/m
2 、5Vの時の発光効率2.3lm/Wの発光が得られ
た。次に3mA/cm2 の電流密度で、この素子を連続
して発光させた寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上
の発光が5000時間以上保持された。Example 47 N, N '-(4
-Methylphenyl) -N, N '-(4-n-butylphenyl) -phenanthrene-9,10-diamine is dissolved in chloroform, and the film thickness is 30 by spin coating.
As a result, a hole injection layer having a thickness of nm was obtained. Next, the compound (21) was vapor-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm.
A methyl-8-hydroxyquinolinato) (1-phenolate) gallium complex was vacuum-deposited to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. An electrode having a thickness of 100 nm is formed thereon by using an alloy in which magnesium and silver are mixed at a ratio of 10: 1.
An L element was obtained. The light emitting layer and the electron injection layer were deposited under the same conditions as in Example 1. This device has a light emission luminance of 90 cd / m 2 and a maximum light emission luminance of 22000 cd / m at a DC voltage of 5 V.
Light emission with a luminous efficiency of 2.3 lm / W at 2.5 and 5 V was obtained. Next, as a result of a life test in which the device was continuously caused to emit light at a current density of 3 mA / cm 2 , light emission of 1/2 or more of the initial luminance was maintained for 5000 hours or more.
【0073】実施例48 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(1
4)、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム
錯体、TPD、ポリカーボネート樹脂(PC−A)を
3:2:3:8の重量比でテトラヒドロフランに溶解さ
せ、スピンコーティング法により膜厚100nmの発光
層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1で混
合した合金で膜厚150nmの電極を形成し有機EL素
子を得た。この素子は直流電圧5Vで発光輝度14cd
/m2 、最大発光輝度2300cd/m 2 、5Vの時の
発光効率0.7lm/Wの発光が得られた。次に3mA
/cm2の電流密度で、この素子を連続して発光させた
寿命試験の結果、初期輝度の1/2以上の発光が300
0時間以上保持された。Example 48 A compound (1) was placed on a washed glass plate with an ITO electrode.
4), tris (8-hydroxyquinoline) aluminum
Complex, TPD, polycarbonate resin (PC-A)
Dissolved in tetrahydrofuran in a weight ratio of 3: 2: 3: 8
100nm light emission by spin coating
Layer obtained. Further, magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1.
An electrode with a thickness of 150 nm is formed from the alloy
Got a child. This element emits 14 cd light at a DC voltage of 5 V.
/ MTwo, Maximum light emission luminance 2300 cd / m TwoAt 5V
Light emission with a light emission efficiency of 0.7 lm / W was obtained. Then 3mA
/ CmTwoThe device was continuously lit at a current density of
As a result of the life test, 300 or more luminescence of initial luminance was 300
It was kept for more than 0 hours.
【0074】実施例49 洗浄したITO電極付きガラス板上に、4,4’−ビス
[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニルを真空蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得
た。さらに、N,N,N’,N’−[4−(α,α’−
ジメチルベンジル)フェニル]−アントラニル−9,1
0−ジアミンと化合物(14)を真空蒸着して膜厚50
nmの発光層を作成し、さらにトリス(8−ヒドロキシ
キノリナト)アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚40
nmの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと
銀を10:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を
形成して、有機EL素子を得た。正孔注入層および発光
層は10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下
で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで発光輝度15
00(cd/m2 )、最大発光輝度49000(cd/
m2 )、発光効率4.2(lm/W)の発光特性が得ら
れた。Example 49 4,4′-Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode, and a hole having a thickness of 40 nm was injected. Layer obtained. Further, N, N, N ', N'-[4- (α, α'-
Dimethylbenzyl) phenyl] -anthranyl-9,1
0-diamine and compound (14) are vacuum-deposited to a film thickness of 50.
A light emitting layer having a thickness of 40 nm was formed by vacuum evaporation of a tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex.
An electron injection layer having a thickness of 150 nm was formed, and an electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon using an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. The hole injection layer and the light emitting layer were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a luminance of 15 at a DC voltage of 5 V.
00 (cd / m 2 ), maximum emission luminance 49000 (cd / m 2 )
m 2 ) and luminous efficiency of 4.2 (lm / W).
【0075】本発明の有機EL素子は発光効率、発光輝
度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使用
される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電子
注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製方
法を限定するものではない。The organic EL device of the present invention achieves improvement in luminous efficiency, luminous brightness and long life, and is used together with a luminescent material, a doping material, a hole injection material, an electron injection material, and a sensitizer. It does not limit the agent, resin, electrode material and the like, and the element manufacturing method.
【0076】[0076]
【発明の効果】本発明により、従来に比べて高発光効
率、高輝度であり、長寿命の有機EL素子を得ることが
できた。According to the present invention, it is possible to obtain an organic EL device having higher luminous efficiency, higher luminance and longer life than the conventional one.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎田 年男 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Toshio Enoda 2-3-13-1 Kyobashi, Chuo-ku, Tokyo Inside Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd.
Claims (3)
ロルミネッセンス素子材料。 一般式[1] 【化1】 [式中R1 〜R14はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のア
ルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もし
くは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、
置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未
置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリー
ル基、置換もしくは未置換の複素環基、置換もしくは未
置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアルキルアミノ
基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基を表す。ま
た、R1 〜R14の隣接する基同士で、それぞれ互いに結
合して新たな環を形成してもよい。]1. An organic electroluminescent device material represented by the following general formula [1]. General formula [1] [Wherein R 1 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, Or an unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkylthio group,
Substituted or unsubstituted arylthio group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted heterocyclic group, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted alkylamino group Represents a substituted or unsubstituted arylamino group. Further, adjacent groups of R 1 to R 14 may be bonded to each other to form a new ring. ]
化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素
子において、少なくとも一層が請求項1記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機
エレクトロルミネッセンス素子。2. An organic electroluminescence device in which a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer are formed between a pair of electrodes, wherein at least one layer is a layer containing the organic electroluminescence device material according to claim 1. Luminescent element.
化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素
子において、発光層が請求項1記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子材料を含有する層である有機エレクト
ロルミネッセンス素子。3. An organic electroluminescence device in which a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer are formed between a pair of electrodes, wherein the light emitting layer is a layer containing the organic electroluminescent device material according to claim 1. Luminescent element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15056497A JP3855372B2 (en) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | Organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15056497A JP3855372B2 (en) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | Organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340785A true JPH10340785A (en) | 1998-12-22 |
| JP3855372B2 JP3855372B2 (en) | 2006-12-06 |
Family
ID=15499646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15056497A Expired - Fee Related JP3855372B2 (en) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | Organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3855372B2 (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000319272A (en) * | 1999-03-10 | 2000-11-21 | Tosoh Corp | (Diarylamino) furans |
| WO2001023497A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| JP2005089674A (en) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device |
| JP2005320286A (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | Imido group-containing fluoranthene compound, light emitting material using the same, and organic electroluminescence device |
| WO2008140133A1 (en) | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | BENZO[a]FLUORANTHENE COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME |
| WO2011006568A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Merck Patent Gmbh | Materials for electronic devices |
| EP2162415A4 (en) * | 2007-05-16 | 2011-07-13 | Canon Kk | Benzoýa¨fluoranthene compound and organic light emitting device using the same |
| EP2160373A4 (en) * | 2007-05-16 | 2011-07-27 | Canon Kk | BENZO[a]FLUORANTHENE COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME |
| WO2011131936A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Cambridge Display Technology Limited | Organic semiconductors |
| JP2012188355A (en) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Canon Inc | Novel organic compound, and organic light-emitting device |
| JP2012234873A (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, display device, and lighting device |
| US8852756B2 (en) | 2005-05-20 | 2014-10-07 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102817172B1 (en) * | 2023-04-17 | 2025-06-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | Hardmask composition, hardmask layer and method of forming patterns |
-
1997
- 1997-06-09 JP JP15056497A patent/JP3855372B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000319272A (en) * | 1999-03-10 | 2000-11-21 | Tosoh Corp | (Diarylamino) furans |
| WO2001023497A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| EP1138745A4 (en) * | 1999-09-30 | 2005-04-20 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
| EP1757670A2 (en) * | 1999-09-30 | 2007-02-28 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent element |
| KR100842989B1 (en) * | 1999-09-30 | 2008-07-01 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | Organic electroluminescent device |
| JP4601234B2 (en) * | 1999-09-30 | 2010-12-22 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescence device |
| JP2005089674A (en) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device |
| JP2005320286A (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | Imido group-containing fluoranthene compound, light emitting material using the same, and organic electroluminescence device |
| US9461249B2 (en) | 2005-05-20 | 2016-10-04 | Merck Patent Gmbh | Compounds for organic electronic devices |
| US8852756B2 (en) | 2005-05-20 | 2014-10-07 | Merck Patent Gmbh | Materials for organic electroluminescent devices |
| EP2160373A4 (en) * | 2007-05-16 | 2011-07-27 | Canon Kk | BENZO[a]FLUORANTHENE COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME |
| US8293383B2 (en) | 2007-05-16 | 2012-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Benzo[a]fluoranthene compound and organic light emitting device using the same |
| EP2162414A4 (en) * | 2007-05-16 | 2011-07-13 | Canon Kk | BENZO[a]FLUORANTHENE COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME |
| WO2008140133A1 (en) | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | BENZO[a]FLUORANTHENE COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME |
| US8110824B2 (en) | 2007-05-16 | 2012-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Benzo[a]fluoranthene compound and organic light emitting device using the same |
| US8138668B2 (en) | 2007-05-16 | 2012-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Benzo[a]fluoranthene compound and organic light emitting device using the same |
| CN101547878B (en) | 2007-05-16 | 2012-11-14 | 佳能株式会社 | Benzo [a] fluoranthene compound and organic light emitting device using the same |
| EP2162415A4 (en) * | 2007-05-16 | 2011-07-13 | Canon Kk | Benzoýa¨fluoranthene compound and organic light emitting device using the same |
| US8759554B2 (en) | 2009-07-16 | 2014-06-24 | Merck Patent Gmbh | Materials for electronic devices |
| WO2011006568A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Merck Patent Gmbh | Materials for electronic devices |
| CN102844903A (en) * | 2010-04-23 | 2012-12-26 | 剑桥显示技术有限公司 | Organic semiconductors |
| JP2013529189A (en) * | 2010-04-23 | 2013-07-18 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | Organic semiconductor |
| US8946448B2 (en) | 2010-04-23 | 2015-02-03 | Cambridge Display Technology Limited | Organic semiconductors |
| WO2011131936A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Cambridge Display Technology Limited | Organic semiconductors |
| JP2012188355A (en) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Canon Inc | Novel organic compound, and organic light-emitting device |
| JP2012234873A (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, display device, and lighting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3855372B2 (en) | 2006-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3633236B2 (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JPH10340786A (en) | Organic electroluminecent element material and organic electroluminescent element using it | |
| JP3591226B2 (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| KR20020062940A (en) | Novel arylamine compounds and organic electroluminescent devices | |
| JPH10289786A (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JPH09157643A (en) | Light emitting material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same | |
| JPH11111458A (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JP2000068059A (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JP3890686B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP3855372B2 (en) | Organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element using the same | |
| JPH11273860A (en) | Light-emitting material for organic electroluminescence and organic electroluminescence device using the same | |
| JP2000290645A (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JP3663892B2 (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JP2000077186A (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JP2001019946A (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JP3864516B2 (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JP3777682B2 (en) | Organic electroluminescence device material and organic electroluminescence device using the same | |
| JPH1140355A (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JPH1088120A (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP2000053956A (en) | Light emitting material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same | |
| JPH1036830A (en) | Light emitting material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same | |
| JPH0913026A (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JP3656318B2 (en) | Organic electroluminescence device material and organic electroluminescence device using the same | |
| JP3465420B2 (en) | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same | |
| JPH1036828A (en) | Light emitting material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060714 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060822 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060904 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |