JPH1034363A - 帯状熱源による脆性材料の割断加工方法 - Google Patents
帯状熱源による脆性材料の割断加工方法Info
- Publication number
- JPH1034363A JPH1034363A JP8196231A JP19623196A JPH1034363A JP H1034363 A JPH1034363 A JP H1034363A JP 8196231 A JP8196231 A JP 8196231A JP 19623196 A JP19623196 A JP 19623196A JP H1034363 A JPH1034363 A JP H1034363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat source
- processing
- crack
- laser beam
- cleaving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工精度の向上をはかることができ、しかも
半導体ウェハ等の加工を行う際にＬＳＩなどのデバイス
への熱的な影響が少ない割断加工方法を提供する。 【解決手段】 材料の加工始点に形成した亀裂を、レー
ザビーム等の熱源の印加により発生する照射による熱応
力で割断予定線上に沿って誘導することにより当該材料
を割断する方法において、熱源Ｂを、割断予定線Ｌに沿
う方向が長径でその直交方向が短径となるような帯状に
して材料に照射することで、熱源のパワー密度を高くす
ることなく、亀裂の先端付近に勾配が急峻な温度分布を
形成する。
半導体ウェハ等の加工を行う際にＬＳＩなどのデバイス
への熱的な影響が少ない割断加工方法を提供する。 【解決手段】 材料の加工始点に形成した亀裂を、レー
ザビーム等の熱源の印加により発生する照射による熱応
力で割断予定線上に沿って誘導することにより当該材料
を割断する方法において、熱源Ｂを、割断予定線Ｌに沿
う方向が長径でその直交方向が短径となるような帯状に
して材料に照射することで、熱源のパワー密度を高くす
ることなく、亀裂の先端付近に勾配が急峻な温度分布を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス、セラミッ
クスあるいは半導体材料等のウェハにレーザビーム等の
熱源を印加することにより発生する熱応力を利用して、
その材料を割断する方法に関する。
クスあるいは半導体材料等のウェハにレーザビーム等の
熱源を印加することにより発生する熱応力を利用して、
その材料を割断する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料等のウェハを分離加工する技
術の一つとしてレーザ切断が挙げられる。この加工法は
レーザビームを光学系により集光して加工材の表面に微
小スポットで照射し、適当なガスジェットを吹き付けな
がらレーザビームを分離予定線上に沿って走査すること
により加工材を溶解・蒸発させて分離する方法である。
術の一つとしてレーザ切断が挙げられる。この加工法は
レーザビームを光学系により集光して加工材の表面に微
小スポットで照射し、適当なガスジェットを吹き付けな
がらレーザビームを分離予定線上に沿って走査すること
により加工材を溶解・蒸発させて分離する方法である。
【０００３】しかし、このレーザ切断法では、溶解・蒸
発に伴う発塵、溶解塊ドロスの加工材への付着、分離面
の熱影響によるマイクロクラックの発生等の加工材の劣
化の問題がある。
発に伴う発塵、溶解塊ドロスの加工材への付着、分離面
の熱影響によるマイクロクラックの発生等の加工材の劣
化の問題がある。
【０００４】そこで、このような問題点を解消するた
め、最近では、加工材の任意の場所に亀裂を作成し、そ
の亀裂をレーザビームにより印加した熱応力により分離
予定線に沿う方向に誘導することで、加工材を分離する
割断加工が開発されている。
め、最近では、加工材の任意の場所に亀裂を作成し、そ
の亀裂をレーザビームにより印加した熱応力により分離
予定線に沿う方向に誘導することで、加工材を分離する
割断加工が開発されている。
【０００５】この加工法は、レーザビームを利用した溶
断に比して加工エネルギが小さく、しかも材料の損失が
ないといった利点がある。
断に比して加工エネルギが小さく、しかも材料の損失が
ないといった利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した割
断加工方法によれば、以下の問題が残されている。ま
ず、割断加工方法は、加工材に作成した亀裂先端の前方
に熱源を印加して、その熱源の中心と周辺との間に発生
する温度勾配により生じる集中応力で亀裂を進展させて
ゆく加工法であることから、熱源の印加によって発生す
る温度勾配が急峻であればあるほど、熱源の移動経路に
対する亀裂の追随性が良くなる。すなわち亀裂の進展方
向が割断予定線に対して曲がる確率が少なくて済む。
断加工方法によれば、以下の問題が残されている。ま
ず、割断加工方法は、加工材に作成した亀裂先端の前方
に熱源を印加して、その熱源の中心と周辺との間に発生
する温度勾配により生じる集中応力で亀裂を進展させて
ゆく加工法であることから、熱源の印加によって発生す
る温度勾配が急峻であればあるほど、熱源の移動経路に
対する亀裂の追随性が良くなる。すなわち亀裂の進展方
向が割断予定線に対して曲がる確率が少なくて済む。
【０００７】しかし、そのような急峻な温度勾配を得よ
うとして、熱源を細く絞ってパワー密度（単位面積当た
りの熱量）を高くすると、加工材の溶解が問題となるこ
とから、その実現が難しく、このことが加工精度の向上
をはかる上での妨げとなっている。
うとして、熱源を細く絞ってパワー密度（単位面積当た
りの熱量）を高くすると、加工材の溶解が問題となるこ
とから、その実現が難しく、このことが加工精度の向上
をはかる上での妨げとなっている。
【０００８】また、レーザビーム等の熱源を用いた割断
加工方法においては、加工材に溶解が生じない程度のパ
ワー密度で、亀裂の誘導に必要な熱応力が得られるよう
にするため、通常、熱源を細く絞らずに比較的大きなス
ポット径で加工材に照射している。このため、ＩＣやＬ
ＳＩ等のデバイスを集積したウェハの分離加工を行う場
合、加工予定線の付近のデバイスに熱源の印加による熱
影響（熱的ストレス）が及ぶ虞れがある。
加工方法においては、加工材に溶解が生じない程度のパ
ワー密度で、亀裂の誘導に必要な熱応力が得られるよう
にするため、通常、熱源を細く絞らずに比較的大きなス
ポット径で加工材に照射している。このため、ＩＣやＬ
ＳＩ等のデバイスを集積したウェハの分離加工を行う場
合、加工予定線の付近のデバイスに熱源の印加による熱
影響（熱的ストレス）が及ぶ虞れがある。
【０００９】これを回避するには、熱源のスポット径
を、デバイスに影響を与えない範囲まで絞って照射する
といった方法を採ればよいが、この場合、亀裂誘導のた
めの十分な熱応力を得ようとすると、熱源のパワー密度
を高くせざるを得ず、結局、加工材の溶解が問題とな
る。
を、デバイスに影響を与えない範囲まで絞って照射する
といった方法を採ればよいが、この場合、亀裂誘導のた
めの十分な熱応力を得ようとすると、熱源のパワー密度
を高くせざるを得ず、結局、加工材の溶解が問題とな
る。
【００１０】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、加工精度の向上をはかることができ、しかも半
導体ウェハの加工を行う際にＬＳＩ等のデバイスへの熱
的な影響が少ない割断加工方法の提供を目的とする。
もので、加工精度の向上をはかることができ、しかも半
導体ウェハの加工を行う際にＬＳＩ等のデバイスへの熱
的な影響が少ない割断加工方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、材料の加工始点に形成した亀裂を、レー
ザビーム等の熱源の印加により発生する熱応力で割断予
定線上に沿って誘導することにより当該材料を割断する
方法において、熱源を、割断予定線に沿う方向が長径で
その直交方向が短径となるような帯状にした状態で、材
料に照射して上記の亀裂の誘導を行うことによって特徴
づけられる。
め、本発明は、材料の加工始点に形成した亀裂を、レー
ザビーム等の熱源の印加により発生する熱応力で割断予
定線上に沿って誘導することにより当該材料を割断する
方法において、熱源を、割断予定線に沿う方向が長径で
その直交方向が短径となるような帯状にした状態で、材
料に照射して上記の亀裂の誘導を行うことによって特徴
づけられる。
【００１２】なお、本発明に適用する熱源としては、レ
ーザビームのほか、例えば電子ビーム、電熱ヒータまた
は火炎などが挙げられる。また、本発明においてレーザ
ビーム等の熱源を帯状にする手段としては、円柱レンズ
を１枚ないしは複数枚組み合わせたレンズ系が挙げられ
る。
ーザビームのほか、例えば電子ビーム、電熱ヒータまた
は火炎などが挙げられる。また、本発明においてレーザ
ビーム等の熱源を帯状にする手段としては、円柱レンズ
を１枚ないしは複数枚組み合わせたレンズ系が挙げられ
る。
【００１３】そして、以上のように熱源を円柱レンズ等
によって集束して、割断予定線と直交する方向の径を小
さくした帯状とし、かつ、その照射領域の面積及びパワ
ー密度を、従来の加工法（円形ビーム）と等しい大きさ
とすると、加工材料に加わる熱量の総量は変わらない
が、図１に示すように、加工材料に生じる温度分布の勾
配は熱源を帯状とした方が急峻となり、しかも、割断予
定線と直交する方向に対して熱的な影響が及ぶ範囲が狭
くなる。その結果、所期の目的を達成できる。
によって集束して、割断予定線と直交する方向の径を小
さくした帯状とし、かつ、その照射領域の面積及びパワ
ー密度を、従来の加工法（円形ビーム）と等しい大きさ
とすると、加工材料に加わる熱量の総量は変わらない
が、図１に示すように、加工材料に生じる温度分布の勾
配は熱源を帯状とした方が急峻となり、しかも、割断予
定線と直交する方向に対して熱的な影響が及ぶ範囲が狭
くなる。その結果、所期の目的を達成できる。
【００１４】ここで、本発明において帯状にする熱源の
大きさは、割断予定線に沿う方向における温度分布の勾
配等を考慮すると、長径が１０mm〜１３mmの範囲で、短
径が１mm〜１．５mmの範囲であることが適当である。
大きさは、割断予定線に沿う方向における温度分布の勾
配等を考慮すると、長径が１０mm〜１３mmの範囲で、短
径が１mm〜１．５mmの範囲であることが適当である。
【００１５】また、熱源を集束する光学系としては、円
柱レンズを組み合わせたレンズ系に代えて、他の光学素
子、例えば楕円偏光子などを用いた光学系を用いても本
発明は実施可能である。さらに、それらの光学系に代え
て、アパーチャを用いて熱源を帯状にして材料に印加す
るようにしてもよい。
柱レンズを組み合わせたレンズ系に代えて、他の光学素
子、例えば楕円偏光子などを用いた光学系を用いても本
発明は実施可能である。さらに、それらの光学系に代え
て、アパーチャを用いて熱源を帯状にして材料に印加す
るようにしてもよい。
【００１６】さらにまた、本発明において熱源を帯状に
して材料に印加する方法としては、上記したような方法
つまり出力後の熱源を光学素子等で帯状にする方法のほ
か、熱源の出力時におけるパワー分布を帯状にするとい
った方法も挙げられる。
して材料に印加する方法としては、上記したような方法
つまり出力後の熱源を光学素子等で帯状にする方法のほ
か、熱源の出力時におけるパワー分布を帯状にするとい
った方法も挙げられる。
【００１７】なお、本発明の割断加工方法において、亀
裂の進展が割断予定線の加工終点ｂ（図１参照）に近づ
いた時点で、光学系などの調整により熱源の長径寸法
（必要であれば短径寸法）を変更して、加工終点時にお
いて熱源の印加位置の前方に加わる引張応力が軽減され
るようにすれば、加工終点付近での加工曲がりを防止で
きる。
裂の進展が割断予定線の加工終点ｂ（図１参照）に近づ
いた時点で、光学系などの調整により熱源の長径寸法
（必要であれば短径寸法）を変更して、加工終点時にお
いて熱源の印加位置の前方に加わる引張応力が軽減され
るようにすれば、加工終点付近での加工曲がりを防止で
きる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、以下、図
面に基づいて説明する。まず、本発明方法の実施に使用
する装置は、図２に示すように、半導体ウェハ等の加工
材料Ｗを載置する加工テーブル（２軸移動）１と、この
テーブル１上に置かれた材料ＷにレーザビームＢを照射
するレーザ発振器２と、レーザビームＢの集光するレン
ズ系３などで構成されており、その加工テーブル１の移
動によりレーザビームＢの材料Ｗへの照射位置を割断予
定線Ｌ上に沿って移動させることができる。
面に基づいて説明する。まず、本発明方法の実施に使用
する装置は、図２に示すように、半導体ウェハ等の加工
材料Ｗを載置する加工テーブル（２軸移動）１と、この
テーブル１上に置かれた材料ＷにレーザビームＢを照射
するレーザ発振器２と、レーザビームＢの集光するレン
ズ系３などで構成されており、その加工テーブル１の移
動によりレーザビームＢの材料Ｗへの照射位置を割断予
定線Ｌ上に沿って移動させることができる。
【００１９】レンズ系３は、図３に示すように、複数枚
の円柱レンズによって構成されており、レーザ発振器２
からのレーザビームＢを、割断予定線Ｌに沿う方向が長
径でその直交方向が短径となるような帯状の形状に集光
する。また、このレンズ系３は、各円柱レンズの光軸上
の位置を調整することが可能となっており、その調整に
より加工材料Ｗに照射するレーザビームＢの長径と短径
の長さを、ある程度の範囲で任意に制御することができ
る。
の円柱レンズによって構成されており、レーザ発振器２
からのレーザビームＢを、割断予定線Ｌに沿う方向が長
径でその直交方向が短径となるような帯状の形状に集光
する。また、このレンズ系３は、各円柱レンズの光軸上
の位置を調整することが可能となっており、その調整に
より加工材料Ｗに照射するレーザビームＢの長径と短径
の長さを、ある程度の範囲で任意に制御することができ
る。
【００２０】次に、加工手順を図２を参照して説明す
る。まず、加工材料Ｗの加工始点ａに初期亀裂を作成す
る。その初期亀裂の作成には、硬質工具を使用して材料
端部に切欠きを形成する方法、あるいは加工材料の表面
に高出力のレーザビームを集光して孔を加工しこの孔か
ら亀裂を作成する方法等の公知の手法を採用する。
る。まず、加工材料Ｗの加工始点ａに初期亀裂を作成す
る。その初期亀裂の作成には、硬質工具を使用して材料
端部に切欠きを形成する方法、あるいは加工材料の表面
に高出力のレーザビームを集光して孔を加工しこの孔か
ら亀裂を作成する方法等の公知の手法を採用する。
【００２１】次いで、初期亀裂ｃの先端付近に、レーザ
ビームＢを照射するとともに、そのビーム照射位置を加
工テーブル１の移動により割断予定線Ｌに沿って移動し
て、亀裂ｃを加工始点ａから加工終点ｂに向けて誘導す
るわけであるが、この亀裂誘導の際に、レーザビームＢ
の形状を、割断加工線Ｌに沿う方向が長径となるような
長円形状とすると、先の図１に示したように、亀裂ｃの
前方側に勾配が急峻な温度分布が形成され、これにより
生じる応力分布も尖鋭な曲線となる。その結果、亀裂ｃ
の進展方向が割断予定線Ｌに対して曲がる確率が少なく
なる。
ビームＢを照射するとともに、そのビーム照射位置を加
工テーブル１の移動により割断予定線Ｌに沿って移動し
て、亀裂ｃを加工始点ａから加工終点ｂに向けて誘導す
るわけであるが、この亀裂誘導の際に、レーザビームＢ
の形状を、割断加工線Ｌに沿う方向が長径となるような
長円形状とすると、先の図１に示したように、亀裂ｃの
前方側に勾配が急峻な温度分布が形成され、これにより
生じる応力分布も尖鋭な曲線となる。その結果、亀裂ｃ
の進展方向が割断予定線Ｌに対して曲がる確率が少なく
なる。
【００２２】ここで、この種の割断加工方法において
は、加工終点ｂの近傍付近で亀裂が割断予定線Ｌからず
れて加工曲がりが発生することがある。このような加工
曲がりが生じる原因の一つとして、図４の温度分布・応
力分布曲線で示すように、亀裂の進展が加工終点ｂに近
づくと、レーザビームＢの照射位置の中心に対し前方側
の引張応力が増加する傾向がある点が挙げられる。
は、加工終点ｂの近傍付近で亀裂が割断予定線Ｌからず
れて加工曲がりが発生することがある。このような加工
曲がりが生じる原因の一つとして、図４の温度分布・応
力分布曲線で示すように、亀裂の進展が加工終点ｂに近
づくと、レーザビームＢの照射位置の中心に対し前方側
の引張応力が増加する傾向がある点が挙げられる。
【００２３】そこで、この実施の形態では、加工終点時
においてビーム照射位置の前方に加わる引張応力を軽減
するため、加工終点ｂの付近（例えば端面から２０mm）
の位置で、レンズ系３を調整してレーザビームＢの長径
を短くして割断加工を行うことにより、加工終点付近で
の加工曲がりを防止している。ただし、このときレーザ
ビームＢの照射領域内でのパワー密度は変更せずに一定
の値としておく。なお以上の調整を行う際にレーザビー
ムＢの短径寸法も同時に制御するようにしてもよい。
においてビーム照射位置の前方に加わる引張応力を軽減
するため、加工終点ｂの付近（例えば端面から２０mm）
の位置で、レンズ系３を調整してレーザビームＢの長径
を短くして割断加工を行うことにより、加工終点付近で
の加工曲がりを防止している。ただし、このときレーザ
ビームＢの照射領域内でのパワー密度は変更せずに一定
の値としておく。なお以上の調整を行う際にレーザビー
ムＢの短径寸法も同時に制御するようにしてもよい。
【００２４】また、この種の割断加工方法においては、
割断予定線を挟んだ両側の部分の熱容量が非対称である
場合、レーザビーム照射で生じる熱応力が割断予定線を
挟んだ両側で異なる分布となる。このように熱応力が不
均一になると、亀裂を誘導する際にレーザビームの移動
経路から亀裂がずれて追随することがあって加工精度が
悪くなることがある。
割断予定線を挟んだ両側の部分の熱容量が非対称である
場合、レーザビーム照射で生じる熱応力が割断予定線を
挟んだ両側で異なる分布となる。このように熱応力が不
均一になると、亀裂を誘導する際にレーザビームの移動
経路から亀裂がずれて追随することがあって加工精度が
悪くなることがある。
【００２５】例えば、半導体ウェハには、熱容量が基板
よりも大きなデバイス（例えばパワートランジスタ等）
が実装されており、そのデバイスＤの配置がチップ分割
線（割断予定線Ｌ）に対して対称となっていない場合、
図５に示すように、亀裂の進展方向が熱容量の小さい側
に曲がってしまうことがある。
よりも大きなデバイス（例えばパワートランジスタ等）
が実装されており、そのデバイスＤの配置がチップ分割
線（割断予定線Ｌ）に対して対称となっていない場合、
図５に示すように、亀裂の進展方向が熱容量の小さい側
に曲がってしまうことがある。
【００２６】このような不具合を解消する方法として
は、デバイスの設計の段階でレイアウトを工夫して、図
６(A) に示すようにデバイスＤがチップ分割線Ｌに対し
左右対称となるようにするかあるいは、そのような設計
上での対処が難しい場合には、図６(B) に示すように、
チップ分割線Ｌに対し熱容量が左右対称となるようにダ
ミーのデバイス（例えばパワートランジスタ等）ｄをウ
ェハに形成しておくといった方法が挙げられる。
は、デバイスの設計の段階でレイアウトを工夫して、図
６(A) に示すようにデバイスＤがチップ分割線Ｌに対し
左右対称となるようにするかあるいは、そのような設計
上での対処が難しい場合には、図６(B) に示すように、
チップ分割線Ｌに対し熱容量が左右対称となるようにダ
ミーのデバイス（例えばパワートランジスタ等）ｄをウ
ェハに形成しておくといった方法が挙げられる。
【００２７】
【実施例】本発明の割断加工方法を実施した例を以下に
述べる。 a.加工材料：半導体ウェハ（１５０mm×１５０mm×厚さ
０．６mm） b.照射条件：熱量１００Ｗ，ビーム形状；帯状（長径＝
１２．６mm，短径＝１．１mm）c.加工速度：４０mm／ｓ の条件で割断加工を行い、次いでレーザビームのスポッ
ト形状を円形とする以外は上記と同じ条件（通常の加工
条件）で割断加工を行った。ただし、レーザビームの材
料への照射面積及び照射領域のパワー密度はともに等し
い値とした。
述べる。 a.加工材料：半導体ウェハ（１５０mm×１５０mm×厚さ
０．６mm） b.照射条件：熱量１００Ｗ，ビーム形状；帯状（長径＝
１２．６mm，短径＝１．１mm）c.加工速度：４０mm／ｓ の条件で割断加工を行い、次いでレーザビームのスポッ
ト形状を円形とする以外は上記と同じ条件（通常の加工
条件）で割断加工を行った。ただし、レーザビームの材
料への照射面積及び照射領域のパワー密度はともに等し
い値とした。
【００２８】そして、以上の二つの条件で加工を行った
各試料について、それぞれの加工面の表面粗さを測定し
たところ、円形ビームによる加工の場合、表面粗さが２
５０μｍであったのに対し、帯状のビームによる加工の
場合、その値が１１０μｍにまで向上することが確認で
きた。
各試料について、それぞれの加工面の表面粗さを測定し
たところ、円形ビームによる加工の場合、表面粗さが２
５０μｍであったのに対し、帯状のビームによる加工の
場合、その値が１１０μｍにまで向上することが確認で
きた。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の割断加工
方法によれば、亀裂の誘導に用いるレーザビーム等の熱
源を、材料の割断予定線に沿う方向が長径でその直交方
向が短径となるような帯形状にして材料に照射するの
で、熱源のパワー密度を高くすることなく、急峻な温度
勾配を得ることができる。その結果、加工精度の高い割
断加工の実現が可能となる。しかも、加工材料の割断予
定線の直交方向に対して及ぶ熱影響の範囲が小さいの
で、半導体ウェハを分離加工するにあたり、ＬＳＩ等の
デバイスへの熱の影響も少なくて済む。
方法によれば、亀裂の誘導に用いるレーザビーム等の熱
源を、材料の割断予定線に沿う方向が長径でその直交方
向が短径となるような帯形状にして材料に照射するの
で、熱源のパワー密度を高くすることなく、急峻な温度
勾配を得ることができる。その結果、加工精度の高い割
断加工の実現が可能となる。しかも、加工材料の割断予
定線の直交方向に対して及ぶ熱影響の範囲が小さいの
で、半導体ウェハを分離加工するにあたり、ＬＳＩ等の
デバイスへの熱の影響も少なくて済む。
【図１】本発明の作用説明図
【図２】本発明の実施の形態の説明図
【図３】その実施の形態で用いるレンズ系３の構成を示
す模式図
す模式図
【図４】加工終点付近の温度分布曲線と応力分布曲線を
併記して示す図
併記して示す図
【図５】半導体ウェハに集積されたデバイスの配置を示
す図
す図
【図６】半導体ウェハを割断加工で分離する際に生じる
不具合の解消法の説明図
不具合の解消法の説明図
１ 加工テーブル ２ レーザ発振器 ３ レンズ系 Ｂ レーザビーム Ｗ 加工材料 Ｌ 割断予定線 ａ 加工始点 ｂ 加工終点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖山 俊裕 兵庫県姫路市御国野町御着1174−22 (72)発明者 白浜 秀幸 長崎県長崎市川平町199−３ (72)発明者 大仁田 英信 長崎県大村市三城町955−１ (72)発明者 末永 知宏 長崎県大村市協和町764 旭ハイツ22号 (72)発明者 木下 耕一 長崎県大村市植松１丁目189−１ ファー ストコート205号 (72)発明者 前川 俊一 兵庫県伊丹市春日丘１−15 (72)発明者 森田 英毅 長崎県西彼杵郡長与町吉無田郷1488−124
Claims (5)
- 【請求項１】 材料の加工始点に形成した亀裂を、熱源
の印加により発生する熱応力で割断予定線上に沿って誘
導することにより当該材料を割断する方法において、熱
源を、割断予定線に沿う方向が長径でその直交方向が短
径となるような帯状にした状態で、材料に印加して上記
の亀裂の誘導を行うことを特徴とする帯状熱源による脆
性材料の割断加工方法。 - 【請求項２】 請求項１の記載の方法において、円柱レ
ンズを用いた光学系で熱源を帯状に集束することを特徴
とする帯状熱源による脆性材料の割断加工方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の方法において、上記亀
裂の進展が割断予定線の加工終点に近づいた時点で、上
記光学系を調整して熱源の少なくとも長径寸法を変更す
ることを特徴する帯状熱源による脆性材料の割断加工方
法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の方法において、アパー
チャを使用して熱源を帯状にすることを特徴とする帯状
熱源による脆性材料の割断加工方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の方法において、熱源の
出力時に当該熱源のパワー分布を帯状にすることを特徴
とする帯状熱源による脆性材料の割断加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8196231A JPH1034363A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 帯状熱源による脆性材料の割断加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8196231A JPH1034363A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 帯状熱源による脆性材料の割断加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1034363A true JPH1034363A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16354388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8196231A Pending JPH1034363A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 帯状熱源による脆性材料の割断加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1034363A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072575A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び基板の分割方法 |
| JP2006024914A (ja) * | 2004-06-11 | 2006-01-26 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子ウェハーの製造方法 |
| JP2006024909A (ja) * | 2004-06-08 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の分割方法 |
| US7101797B2 (en) | 2002-09-02 | 2006-09-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device and processing method |
| CN1296021C (zh) * | 2002-01-31 | 2007-01-24 | 尤妮佳股份有限公司 | 发热叠层体 |
| JP2007136477A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| US7709768B2 (en) | 2003-02-19 | 2010-05-04 | Jp Sercel Associates Inc. | System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot |
-
1996
- 1996-07-25 JP JP8196231A patent/JPH1034363A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1296021C (zh) * | 2002-01-31 | 2007-01-24 | 尤妮佳股份有限公司 | 发热叠层体 |
| US7101797B2 (en) | 2002-09-02 | 2006-09-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device and processing method |
| US7709768B2 (en) | 2003-02-19 | 2010-05-04 | Jp Sercel Associates Inc. | System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot |
| US8502112B2 (en) | 2003-02-19 | 2013-08-06 | Ipg Microsystems Llc | System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot |
| JP2005072575A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び基板の分割方法 |
| JP2006024909A (ja) * | 2004-06-08 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の分割方法 |
| JP2006024914A (ja) * | 2004-06-11 | 2006-01-26 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子ウェハーの製造方法 |
| JP2007136477A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101242927B (zh) | 激光加工方法 | |
| US6541730B2 (en) | Method and apparatus for cutting a non-metal substrate by using a laser beam | |
| JP5639997B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| US7919395B2 (en) | Method for separating wafer using two laser beams | |
| TWI270430B (en) | Method and apparatus for cutting nonmetallic substrate | |
| KR100849696B1 (ko) | 취성재료의 스크라이브 방법 및 스크라이브 장치 | |
| US20210114925A1 (en) | Crack-free glass substrate cutting and thinning method | |
| CN117139865B (zh) | 一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法 | |
| WO2012096096A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
| CN105364322A (zh) | 激光加工方法 | |
| CN101484269A (zh) | 激光加工方法 | |
| WO2012096094A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP2700136B2 (ja) | 脆性材料の割断方法 | |
| EP3467159B1 (en) | Substrate manufacturing method | |
| WO2012096092A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP3210934B2 (ja) | 脆性材料の割断方法 | |
| JPH1034364A (ja) | 複数点熱源による脆性材料の割断加工方法 | |
| JP2017204626A (ja) | 基板加工方法および基板加工装置 | |
| JP2002100590A (ja) | 割断装置及びその方法 | |
| JPH04167985A (ja) | ウェハの割断方法 | |
| US20210125868A1 (en) | Chip production method, and, silicon chip | |
| Yamada et al. | Photoelastic observation of stress distributions in laser cleaving of glass substrates | |
| JP2004066745A (ja) | レーザー割断方法及びレーザー割断装置 | |
| JP2002178179A (ja) | 割断装置及びその方法 | |
| JPH04118190A (ja) | ウェハの割断方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20031031 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20031215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051101 |