JPH1034797A - 透明導電性積層体およびその製造方法 - Google Patents
透明導電性積層体およびその製造方法Info
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- JPH1034797A JPH1034797A JP8198656A JP19865696A JPH1034797A JP H1034797 A JPH1034797 A JP H1034797A JP 8198656 A JP8198656 A JP 8198656A JP 19865696 A JP19865696 A JP 19865696A JP H1034797 A JPH1034797 A JP H1034797A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐環境性に優れたエレクトロルミネッセンス用
透明電極に適した透明導電性積層体およびその製造方法
の提供。 【解決手段】透明高分子基体の一方の主面に、少なくと
も、主として酸化インジウムからなる透明導電膜層と、
銅からなる金属薄膜層とを、別工程で成膜し積層する。
透明電極に適した透明導電性積層体およびその製造方法
の提供。 【解決手段】透明高分子基体の一方の主面に、少なくと
も、主として酸化インジウムからなる透明導電膜層と、
銅からなる金属薄膜層とを、別工程で成膜し積層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性積層体お
よびその製造方法に関する。より詳しくは本発明はエレ
クトロルミネッセンスディスプレイの透明電極として好
適に使用できる、耐環境性に優れた透明導電性積層体お
よびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関する。より詳しくは本発明はエレ
クトロルミネッセンスディスプレイの透明電極として好
適に使用できる、耐環境性に優れた透明導電性積層体お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電性積層体は、液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレクト
ロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、電磁
波シールドの電磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネル
などの入力装置の電極として利用されている。従来の公
知の透明導電性積層体としては、金、パラジウム、白金
などの金属薄膜と酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛な
どの酸化物薄膜の積層体が知られている。
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレクト
ロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、電磁
波シールドの電磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネル
などの入力装置の電極として利用されている。従来の公
知の透明導電性積層体としては、金、パラジウム、白金
などの金属薄膜と酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛な
どの酸化物薄膜の積層体が知られている。
【０００３】エレクトロルミネッセンスディスプレイは
透明基体上に透明導電膜を形成した透明導電性基体をベ
ースに、上記透明導電膜上に発光体層、絶縁層および背
面電極を順次形成し、更に全体を透明防湿層で被覆した
構造のものがよく知られている。発光体層には硫化亜
鉛、硫化カドミウム、セレン化亜鉛などが用いられ、絶
縁層には誘電率の高い酸化イットリウム、窒化シリコ
ン、酸化タリウムなどが用いられ、背面電極にはアルミ
ニウムが用いられている。
透明基体上に透明導電膜を形成した透明導電性基体をベ
ースに、上記透明導電膜上に発光体層、絶縁層および背
面電極を順次形成し、更に全体を透明防湿層で被覆した
構造のものがよく知られている。発光体層には硫化亜
鉛、硫化カドミウム、セレン化亜鉛などが用いられ、絶
縁層には誘電率の高い酸化イットリウム、窒化シリコ
ン、酸化タリウムなどが用いられ、背面電極にはアルミ
ニウムが用いられている。
【０００４】上記透明導電性基体には、発光体層で発光
した可視光を無駄なく外部に放出させるために透明性に
優れている事、長時間の使用に耐えられる事が要求され
る。
した可視光を無駄なく外部に放出させるために透明性に
優れている事、長時間の使用に耐えられる事が要求され
る。
【０００５】従来の透明導電性基体は、ガラス基体にし
たものが主流で、基体を高温に加熱する事により化学的
に安定な透明導電膜層を形成し、透明性および耐環境性
に優れた透明導電性基体が容易に得られていた。しかし
ながら、ガラス基体では割れる、重い、厚いといった問
題があり、これを解決できる高分子基体での透明電極が
強く求められてきた。
たものが主流で、基体を高温に加熱する事により化学的
に安定な透明導電膜層を形成し、透明性および耐環境性
に優れた透明導電性基体が容易に得られていた。しかし
ながら、ガラス基体では割れる、重い、厚いといった問
題があり、これを解決できる高分子基体での透明電極が
強く求められてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、透明高分子基
体を使用すると、透明導電膜層を形成する際、基体温度
は高分子基体の耐熱温度に制限されるため、形成温度を
低温化せざるを得ない。そのため、耐環境性に優れた透
明導電膜層を形成するのは容易ではない。
体を使用すると、透明導電膜層を形成する際、基体温度
は高分子基体の耐熱温度に制限されるため、形成温度を
低温化せざるを得ない。そのため、耐環境性に優れた透
明導電膜層を形成するのは容易ではない。
【０００７】エレクトロルミネッセンス用透明導電性基
体としては、少なくとも可視光７５％以上、表面抵抗１
０００Ω／□以下が要求される。主として酸化インジウ
ムからなる透明導電膜層を１０ｎｍ以上形成すれば、可
視光および表面抵抗は満足するが、これをエレクトロル
ミネッセンスディスプレイ用透明電極として使用する
と、発光体層と透明導電膜層とが直接接触するため、電
圧を印加して長時間使用すると界面が劣化し発光輝度が
早期減退するという問題があった。
体としては、少なくとも可視光７５％以上、表面抵抗１
０００Ω／□以下が要求される。主として酸化インジウ
ムからなる透明導電膜層を１０ｎｍ以上形成すれば、可
視光および表面抵抗は満足するが、これをエレクトロル
ミネッセンスディスプレイ用透明電極として使用する
と、発光体層と透明導電膜層とが直接接触するため、電
圧を印加して長時間使用すると界面が劣化し発光輝度が
早期減退するという問題があった。
【０００８】この界面の劣化を抑制する方法として、透
明導電膜層上にパラジウム薄膜の積層法（特開昭６２−
１８２５４号公報）が開発されたが、高価な材料なため
業界からは安価でかつ耐環境性に優れたエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイ用透明導電性基体の開発を強く
求められた。
明導電膜層上にパラジウム薄膜の積層法（特開昭６２−
１８２５４号公報）が開発されたが、高価な材料なため
業界からは安価でかつ耐環境性に優れたエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイ用透明導電性基体の開発を強く
求められた。
【０００９】これに対し、本発明者らは、透明高分子基
体（Ａ）の一方の主面に、少なくとも主として酸化イン
ジウムからなる透明導電膜層（Ｂ）と銅からなる金属薄
膜層（Ｃ）を形成する事により、耐環境性に優れたエレ
クトロルミネッセンスディスプレイ用透明導電性基体を
安価に提供できる事を見いだした。ところが、驚くべき
事に、ロールツーロール型の多極式スパッタリング装置
を用いて、高分子基体上（Ａ）に主として酸化インジウ
ムからなる透明導電膜層（Ｂ）と銅からなる金属薄膜層
（Ｃ）を連続形成したところ、耐環境性が低下しやすい
ことが判明した。
体（Ａ）の一方の主面に、少なくとも主として酸化イン
ジウムからなる透明導電膜層（Ｂ）と銅からなる金属薄
膜層（Ｃ）を形成する事により、耐環境性に優れたエレ
クトロルミネッセンスディスプレイ用透明導電性基体を
安価に提供できる事を見いだした。ところが、驚くべき
事に、ロールツーロール型の多極式スパッタリング装置
を用いて、高分子基体上（Ａ）に主として酸化インジウ
ムからなる透明導電膜層（Ｂ）と銅からなる金属薄膜層
（Ｃ）を連続形成したところ、耐環境性が低下しやすい
ことが判明した。
【００１０】この原因について本発明者らは、鋭意検討
した結果、透明導電膜層中のインジウム成分と金属薄膜
層の銅成分との間での反応により、インジウムと銅の複
合酸化物が形成され、その結果、エレクトロルミネッセ
ンス発光層である硫化亜鉛あるいは硫化カドミウムとの
界面での劣化が生じ、発光輝度が早期減衰してしまう事
を見いだした。さらに、透明導電膜層を完全に安定させ
た後、金属薄膜層を形成する、即ち、透明導電膜層を形
成後、５秒以上経過した後、金属薄膜層を積層するか、
もしくは透明導電膜層を形成後、一度大気雰囲気にさら
した後、金属薄膜層を積層する事により、耐環境性が著
しく向上することを見いだした。
した結果、透明導電膜層中のインジウム成分と金属薄膜
層の銅成分との間での反応により、インジウムと銅の複
合酸化物が形成され、その結果、エレクトロルミネッセ
ンス発光層である硫化亜鉛あるいは硫化カドミウムとの
界面での劣化が生じ、発光輝度が早期減衰してしまう事
を見いだした。さらに、透明導電膜層を完全に安定させ
た後、金属薄膜層を形成する、即ち、透明導電膜層を形
成後、５秒以上経過した後、金属薄膜層を積層するか、
もしくは透明導電膜層を形成後、一度大気雰囲気にさら
した後、金属薄膜層を積層する事により、耐環境性が著
しく向上することを見いだした。
【００１１】本発明の目的は、従来の技術で解決できな
かった問題を解消し、すなわち、安価な金属薄膜の積層
体の製造方法を確立させる事により、耐環境性を改善
し、かつ可視光７５％以上、表面抵抗１０００Ω／□以
下の透明導電性積層体を製造する事である。
かった問題を解消し、すなわち、安価な金属薄膜の積層
体の製造方法を確立させる事により、耐環境性を改善
し、かつ可視光７５％以上、表面抵抗１０００Ω／□以
下の透明導電性積層体を製造する事である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の問
題を解消するため、鋭意検討を重ねた結果、透明高分子
基体（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、主として酸化
インジウムからなる透明導電膜層（Ｂ）と、銅からなる
金属薄膜層（Ｃ）とを、ＡＢＣなる構成で積層する際、
透明導電膜層を形成後、５秒以上経過した後もしくは一
度大気雰囲気にさらした後、金属薄膜層を積層するとい
う製造方法で、安価な金属で耐環境性に優れた透明導電
性積層体になる事を見いだし本発明を完成させた。
題を解消するため、鋭意検討を重ねた結果、透明高分子
基体（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、主として酸化
インジウムからなる透明導電膜層（Ｂ）と、銅からなる
金属薄膜層（Ｃ）とを、ＡＢＣなる構成で積層する際、
透明導電膜層を形成後、５秒以上経過した後もしくは一
度大気雰囲気にさらした後、金属薄膜層を積層するとい
う製造方法で、安価な金属で耐環境性に優れた透明導電
性積層体になる事を見いだし本発明を完成させた。
【００１３】本発明の第一の要旨は、透明高分子基体
（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、主として酸化イン
ジウムからなる透明導電膜層（Ｂ）を積層し、該透明導
電膜層（Ｂ）の上に銅からなる金属薄膜層（Ｃ）を積層
するに際して、該透明導電膜層（Ｂ）を形成後、５秒以
上経過した後または一度大気雰囲気にさらした後、該金
属薄膜層（Ｃ）を積層することを特徴とする透明導電性
積層体の製造方法であり、第二の要旨は、上記した方法
によって得られた透明導電性積層体、特にエレクトロル
ミネッセンスディスプレイの透明電極用透明導電性積層
体であり、第三の要旨は、透明高分子基体（Ａ）の一方
の主面に、少なくとも、主として酸化インジウムからな
る透明導電膜層（Ｂ）を積層し、該透明導電膜層（Ｂ）
上に銅からなる金属薄膜層（Ｃ）を積層してなり、かつ
Ｘ線回折分析法において結晶ピークが現れないことを特
徴とする透明導電性積層体である。
（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、主として酸化イン
ジウムからなる透明導電膜層（Ｂ）を積層し、該透明導
電膜層（Ｂ）の上に銅からなる金属薄膜層（Ｃ）を積層
するに際して、該透明導電膜層（Ｂ）を形成後、５秒以
上経過した後または一度大気雰囲気にさらした後、該金
属薄膜層（Ｃ）を積層することを特徴とする透明導電性
積層体の製造方法であり、第二の要旨は、上記した方法
によって得られた透明導電性積層体、特にエレクトロル
ミネッセンスディスプレイの透明電極用透明導電性積層
体であり、第三の要旨は、透明高分子基体（Ａ）の一方
の主面に、少なくとも、主として酸化インジウムからな
る透明導電膜層（Ｂ）を積層し、該透明導電膜層（Ｂ）
上に銅からなる金属薄膜層（Ｃ）を積層してなり、かつ
Ｘ線回折分析法において結晶ピークが現れないことを特
徴とする透明導電性積層体である。
【００１４】
【発明の実施の形態】高分子基体としては、特に限定は
ないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
ーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリアクリレー
ト、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリフッ化ビニル等のホモポリマ
ー、およびこれら樹脂のモノマーと共重合可能なモノマ
ーとのコポリマー等から成る高分子基体が挙げられる。
これら高分子基体は未延伸、一軸延伸、二軸延伸の何れ
でも良い。また、高分子基体中もしくは表面上に公知の
添加剤、例えば易滑剤、帯電防止剤、ハードコート剤、
防湿コート剤、ガスバリアコート剤、腐食剤などがそれ
ぞれ添加もしくは積層されていても良い。また、高分子
基体に公知の表面処理、例えばコロナ処理、粗面化処
理、アンカーコートなどが施されていても良い。高分子
基体の厚みは特に限定はないが、作業上通常１０〜２５
０μｍが好ましい。
ないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
ーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリアクリレー
ト、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリフッ化ビニル等のホモポリマ
ー、およびこれら樹脂のモノマーと共重合可能なモノマ
ーとのコポリマー等から成る高分子基体が挙げられる。
これら高分子基体は未延伸、一軸延伸、二軸延伸の何れ
でも良い。また、高分子基体中もしくは表面上に公知の
添加剤、例えば易滑剤、帯電防止剤、ハードコート剤、
防湿コート剤、ガスバリアコート剤、腐食剤などがそれ
ぞれ添加もしくは積層されていても良い。また、高分子
基体に公知の表面処理、例えばコロナ処理、粗面化処
理、アンカーコートなどが施されていても良い。高分子
基体の厚みは特に限定はないが、作業上通常１０〜２５
０μｍが好ましい。
【００１５】透明導電膜層は主として酸化インジウムか
ら形成されるが、抵抗率の低下や膜質改善のために錫を
３〜５０重量％含有しても良い。また、膜厚は通常１０
〜２００ｎｍが好ましい。この厚みは表面抵抗および可
視光線透過率に影響するため、要求される表面抵抗と可
視光線透過率によって厚みが決定する。
ら形成されるが、抵抗率の低下や膜質改善のために錫を
３〜５０重量％含有しても良い。また、膜厚は通常１０
〜２００ｎｍが好ましい。この厚みは表面抵抗および可
視光線透過率に影響するため、要求される表面抵抗と可
視光線透過率によって厚みが決定する。
【００１６】透明導電膜層の成膜方法としては、真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法とい
った従来の公知技術のいずれも採用できる。スパッタリ
ング法においては、ターゲットに酸化インジウムあるい
は錫を含有した酸化インジウムを使用しても、インジウ
ムあるいはインジウム錫合金を使用しても良い。
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法とい
った従来の公知技術のいずれも採用できる。スパッタリ
ング法においては、ターゲットに酸化インジウムあるい
は錫を含有した酸化インジウムを使用しても、インジウ
ムあるいはインジウム錫合金を使用しても良い。
【００１７】銅からなる金属薄膜層の成膜方法において
も、上記した成膜方法が利用できる。また、膜厚は通常
１〜２０ｎｍが好ましい。１ｎｍより薄いものは耐環境
性の効果が少なく、２０ｎｍよりも厚いものは透明性が
損なわれる。すなわち、厚みは耐環境性を損なわない範
囲で経済性を考慮しなるべく薄い方が好ましい。
も、上記した成膜方法が利用できる。また、膜厚は通常
１〜２０ｎｍが好ましい。１ｎｍより薄いものは耐環境
性の効果が少なく、２０ｎｍよりも厚いものは透明性が
損なわれる。すなわち、厚みは耐環境性を損なわない範
囲で経済性を考慮しなるべく薄い方が好ましい。
【００１８】透明導電膜層（Ｂ）の形成後、金属薄膜層
（Ｃ）を形成するまでの時間は５秒以上が好ましい。５
秒未満ではインジウムと銅の複合酸化物が形成されるた
め好ましくない。該複合酸化物の存在はＸ線回折分析に
おいて、インジウムや銅のピーク以外の第三の結晶ピー
クの検出によって推定できる。また、一度大気雰囲気に
さらす場合は、大気圧に戻せばよく、直後に真空引きを
行って、金属薄膜層を積層して良い。
（Ｃ）を形成するまでの時間は５秒以上が好ましい。５
秒未満ではインジウムと銅の複合酸化物が形成されるた
め好ましくない。該複合酸化物の存在はＸ線回折分析に
おいて、インジウムや銅のピーク以外の第三の結晶ピー
クの検出によって推定できる。また、一度大気雰囲気に
さらす場合は、大気圧に戻せばよく、直後に真空引きを
行って、金属薄膜層を積層して良い。
【００１９】上記の方法により得られた透明導電性積層
体は、耐環境性を更に向上させるために、熱処理を施し
ても良い。熱処理温度は、通常２００℃以下である。
体は、耐環境性を更に向上させるために、熱処理を施し
ても良い。熱処理温度は、通常２００℃以下である。
【００２０】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。 実施例１ １２５μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの
一方の面に、第一層として、インジウム錫酸化物を３０
ｎｍ形成した（使用ターゲットは２０重量％錫が含有し
たインジウム錫合金で、反応ガスはアルゴンガスと酸素
ガスを１０：４の割合で導入し、０．４Ｐａ雰囲気下で
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜）。その
５秒後に、インジウム錫酸化物形成時に使用したガスを
遮断し、真空度は保ったまま、第二層として、銅を２ｎ
ｍ積層させ（反応ガスはアルゴンガスのみを導入し、
０．４Ｐａ雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング
法により成膜）２層構造の透明導電性積層体を作製し
た。
る。 実施例１ １２５μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの
一方の面に、第一層として、インジウム錫酸化物を３０
ｎｍ形成した（使用ターゲットは２０重量％錫が含有し
たインジウム錫合金で、反応ガスはアルゴンガスと酸素
ガスを１０：４の割合で導入し、０．４Ｐａ雰囲気下で
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜）。その
５秒後に、インジウム錫酸化物形成時に使用したガスを
遮断し、真空度は保ったまま、第二層として、銅を２ｎ
ｍ積層させ（反応ガスはアルゴンガスのみを導入し、
０．４Ｐａ雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング
法により成膜）２層構造の透明導電性積層体を作製し
た。
【００２１】実施例２ 実施例１の第１層目形成後、一度大気に曝してから再度
真空に引いて、第二層目の銅を形成した以外は実施例１
と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
真空に引いて、第二層目の銅を形成した以外は実施例１
と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
【００２２】実施例３ 実施例１の第二層目の銅の膜厚を１ｎｍとした以外は実
施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
【００２３】実施例４ 実施例１の第二層目の銅の膜厚を５ｎｍとした以外は実
施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
【００２４】実施例５ 実施例１の第二層目の銅の膜厚を１０ｎｍとした以外は
実施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
実施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
【００２５】実施例６ 実施例１の第一層のインジウム錫酸化物の膜厚を１０ｎ
ｍとした以外は実施例１と同じ条件で透明導電性積層体
を作製した。
ｍとした以外は実施例１と同じ条件で透明導電性積層体
を作製した。
【００２６】比較例１ 実施例１の第１層目と第二層目を連続製造した以外は実
施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
【００２７】比較例２ 実施例１の第二層目を形成しない以外は実施例１と同じ
条件で１層構造の透明導電性積層体を作製した。
条件で１層構造の透明導電性積層体を作製した。
【００２８】比較例３ 実施例１の第二層目の銅の膜厚を２５ｎｍとした以外は
実施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
実施例１と同じ条件で透明導電性積層体を作製した。
【００２９】比較例４ 実施例１の第一層のインジウム錫酸化物の膜厚を５ｎｍ
とした以外は実施例１と同じ条件で透明導電性積層体を
作製した。
とした以外は実施例１と同じ条件で透明導電性積層体を
作製した。
【００３０】比較例５ 実施例１の第一層のインジウム錫酸化物の膜厚を３００
ｎｍとした以外は実施例１と同じ条件で透明導電性積層
体を作製した。
ｎｍとした以外は実施例１と同じ条件で透明導電性積層
体を作製した。
【００３１】以上のようにして作製した透明導電性積層
体の表面抵抗および可視光線透過率、耐環境性は以下の
手法で評価した。 ・表面抵抗（Ｒ、Ω／□）：４端子法により測定 ・可視光線透過率（Ｔvis ％）：日立製作所（株）
製、分光光度計Ｕ−３５００により測定 ・耐環境性：以下の工程でエレクトロルミネッセンス発
光体層を作製し、５０℃６０％ＲＨの雰囲気下で、交流
１００Ｖ（周波数１ｋＨｚ）の電圧を印加し発光させ、
その時の初期輝度と３００時間後の輝度の変化率で評価
した。輝度計はミノルタ（株）製、ＬＳ−１１０を使用 エレクトロルミネッセンス発光体の作製の場合は、透明
導電性積層体上に、硫化亜鉛粉末をアセトン溶液中に分
散させた液を塗布し、その後６０℃で２時間、更に１２
０℃で２分間加熱処理を行う事により発光層を形成し
た。その後、更にチタン酸バリウム粉末をアセトン溶液
中に分散させた液を塗布し、その後６０℃で２時間加熱
処理を行う事により誘電体層を形成した。更にその上か
ら厚さ０．２ｍｍのアルミニウムを重ね１５０℃で２分
間加熱処理した。これを防湿フィルム２枚で挟み込みエ
レクトロルミネッセンス発光体を得た。以上の評価結果
を表１に示す。
体の表面抵抗および可視光線透過率、耐環境性は以下の
手法で評価した。 ・表面抵抗（Ｒ、Ω／□）：４端子法により測定 ・可視光線透過率（Ｔvis ％）：日立製作所（株）
製、分光光度計Ｕ−３５００により測定 ・耐環境性：以下の工程でエレクトロルミネッセンス発
光体層を作製し、５０℃６０％ＲＨの雰囲気下で、交流
１００Ｖ（周波数１ｋＨｚ）の電圧を印加し発光させ、
その時の初期輝度と３００時間後の輝度の変化率で評価
した。輝度計はミノルタ（株）製、ＬＳ−１１０を使用 エレクトロルミネッセンス発光体の作製の場合は、透明
導電性積層体上に、硫化亜鉛粉末をアセトン溶液中に分
散させた液を塗布し、その後６０℃で２時間、更に１２
０℃で２分間加熱処理を行う事により発光層を形成し
た。その後、更にチタン酸バリウム粉末をアセトン溶液
中に分散させた液を塗布し、その後６０℃で２時間加熱
処理を行う事により誘電体層を形成した。更にその上か
ら厚さ０．２ｍｍのアルミニウムを重ね１５０℃で２分
間加熱処理した。これを防湿フィルム２枚で挟み込みエ
レクトロルミネッセンス発光体を得た。以上の評価結果
を表１に示す。
【００３２】
【表１】 Ｘ線回折分析において実施例１乃至実施例６、比較例２
では第三の結晶ピークは認められなかった。比較例１、
比較例３乃至比較例５では第三の結晶ピークが認めら
れ、インジウムと銅の複合酸化物の存在が推定された。
では第三の結晶ピークは認められなかった。比較例１、
比較例３乃至比較例５では第三の結晶ピークが認めら
れ、インジウムと銅の複合酸化物の存在が推定された。
【００３３】
【発明の効果】本発明の透明高分子基体の一方の主面
に、第一層として主として酸化インジウムからなる透明
導電膜層を形成し、別工程で第二層として銅からなる金
属薄膜層を形成する事により、耐環境性に優れたエレク
トロルミネッセンス用透明電極に適した透明導電性積層
体を提供する事ができる。
に、第一層として主として酸化インジウムからなる透明
導電膜層を形成し、別工程で第二層として銅からなる金
属薄膜層を形成する事により、耐環境性に優れたエレク
トロルミネッセンス用透明電極に適した透明導電性積層
体を提供する事ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 祐一郎 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 鈴木 彰 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、
少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電
膜層（Ｂ）を積層し、該透明導電膜層（Ｂ）の上に銅か
らなる金属薄膜層（Ｃ）を積層するに際して、該透明導
電膜層（Ｂ）を形成後、５秒以上経過した後または一度
大気雰囲気にさらした後、該金属薄膜層（Ｃ）を積層す
ることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。 - 【請求項２】 該透明導電膜層（Ｂ）の厚さが１０〜２
００ｎｍ、該金属薄膜層（Ｃ）の厚さが１〜２０ｎｍで
あることを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載または請求項２記載の方法
によって得られた透明導電性積層体。 - 【請求項４】 請求項１記載または請求項２記載の方法
によって得られたエレクトロルミネッセンスディスプレ
イの透明電極用透明導電性積層体。 - 【請求項５】 透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、
少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電
膜層（Ｂ）を積層し、該透明導電膜層（Ｂ）上に銅から
なる金属薄膜層（Ｃ）を積層してなり、かつＸ線回折分
析法において結晶ピークが現れないことを特徴とする透
明導電性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198656A JPH1034797A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 透明導電性積層体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198656A JPH1034797A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 透明導電性積層体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1034797A true JPH1034797A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16394861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8198656A Pending JPH1034797A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 透明導電性積層体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1034797A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103632753A (zh) * | 2010-11-05 | 2014-03-12 | 日东电工株式会社 | 透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板 |
| WO2024004405A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
| WO2024004404A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
| JP2024098656A (ja) * | 2023-01-11 | 2024-07-24 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
| JP2024098655A (ja) * | 2023-01-11 | 2024-07-24 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP8198656A patent/JPH1034797A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103632753A (zh) * | 2010-11-05 | 2014-03-12 | 日东电工株式会社 | 透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板 |
| US9475235B2 (en) | 2010-11-05 | 2016-10-25 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and touch panel therewith |
| US9636877B2 (en) | 2010-11-05 | 2017-05-02 | Nitto Denko Corporation | Method for production of transparent conductive film |
| WO2024004405A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
| WO2024004404A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
| JP2024098656A (ja) * | 2023-01-11 | 2024-07-24 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
| JP2024098655A (ja) * | 2023-01-11 | 2024-07-24 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
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