JPH1034798A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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- JPH1034798A JPH1034798A JP8198657A JP19865796A JPH1034798A JP H1034798 A JPH1034798 A JP H1034798A JP 8198657 A JP8198657 A JP 8198657A JP 19865796 A JP19865796 A JP 19865796A JP H1034798 A JPH1034798 A JP H1034798A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の透明導電性フィルムに対して、透明性が
高く、しかも基材である透明プラスチックフィルムと透
明導電層との密着力の高い曲げ加工などの後加工に適し
た透明導電性フィルムを提供する。 【解決手段】プラスチックフィルムの片面に酸窒化珪
素、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミ
ニウム、酸窒化錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムの群か
ら選ばれる金属酸窒化物薄膜層を形成した後に該金属酸
窒化物薄膜層上に透明導電層を形成した透明導電性フィ
ルムを得る。ただし該金属酸窒化物の構成はＭＯ
X ＮY 、Ｍは金属原子、Ｘは０．０５〜３．５、Ｙは、
０．０３〜２．６かつ、Ｘ＋１．５Ｙ≦３．５で、その
厚みは０．１〜１９ｎｍとする。
高く、しかも基材である透明プラスチックフィルムと透
明導電層との密着力の高い曲げ加工などの後加工に適し
た透明導電性フィルムを提供する。 【解決手段】プラスチックフィルムの片面に酸窒化珪
素、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミ
ニウム、酸窒化錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムの群か
ら選ばれる金属酸窒化物薄膜層を形成した後に該金属酸
窒化物薄膜層上に透明導電層を形成した透明導電性フィ
ルムを得る。ただし該金属酸窒化物の構成はＭＯ
X ＮY 、Ｍは金属原子、Ｘは０．０５〜３．５、Ｙは、
０．０３〜２．６かつ、Ｘ＋１．５Ｙ≦３．５で、その
厚みは０．１〜１９ｎｍとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性フィルム
に関する。詳しくは、本発明は、プラスチックフィルム
からなる基材と透明導電層との密着性に優れた透明導電
性フィルムに関する。
に関する。詳しくは、本発明は、プラスチックフィルム
からなる基材と透明導電層との密着性に優れた透明導電
性フィルムに関する。
【０００２】本発明にかかる透明導電性フィルムは、透
明導電層と基材との密着性が必要な液晶表示素子用電
極、エレクトロルミネッセンス素子（電界発光素子、以
下ＥＬ素子という）用電極、タッチパネル用電極に用い
ることが出来る。
明導電層と基材との密着性が必要な液晶表示素子用電
極、エレクトロルミネッセンス素子（電界発光素子、以
下ＥＬ素子という）用電極、タッチパネル用電極に用い
ることが出来る。
【０００３】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、あらゆる分野で
使用されるようになってきており、特に、ワードプロセ
ッサやパーソナルコンピュータ、液晶表示型テレビ、電
子手帳、携帯電話、携帯型情報端末機等の電子産業分野
で数多く使用されている。このように使用分野の広がり
とともに液晶表示素子には、カラー化、大型化、軽量化
等の様々な特性が求められるようになった。このために
用いる透明導電性フィルムにも、１）軽量化出来るこ
と、２）薄型化出来ること、３）大面積化出来ること、
４）耐破損性があること、５）優れた加工性を有するこ
と、６）形状の多様化が可能であること、７）透明性が
高いことが求めれている。
使用されるようになってきており、特に、ワードプロセ
ッサやパーソナルコンピュータ、液晶表示型テレビ、電
子手帳、携帯電話、携帯型情報端末機等の電子産業分野
で数多く使用されている。このように使用分野の広がり
とともに液晶表示素子には、カラー化、大型化、軽量化
等の様々な特性が求められるようになった。このために
用いる透明導電性フィルムにも、１）軽量化出来るこ
と、２）薄型化出来ること、３）大面積化出来ること、
４）耐破損性があること、５）優れた加工性を有するこ
と、６）形状の多様化が可能であること、７）透明性が
高いことが求めれている。
【０００４】従来、透明導電膜の基材としては、ガラス
が多く用いられてきたが、上記１）〜６）の条件を満た
すことが困難であるために最近ではプラスチックフィル
ムが多く用いられるようになった。また、プラスチック
フィルムを基材として用いた透明導電性フィルムは、上
記１）〜７）の特性を満たすほか、製造工程での取扱い
が容易なこと、打ち抜き加工等も可能であり、更にフィ
ルム状素材から連続生産が可能であるという特徴を有し
ている。
が多く用いられてきたが、上記１）〜６）の条件を満た
すことが困難であるために最近ではプラスチックフィル
ムが多く用いられるようになった。また、プラスチック
フィルムを基材として用いた透明導電性フィルムは、上
記１）〜７）の特性を満たすほか、製造工程での取扱い
が容易なこと、打ち抜き加工等も可能であり、更にフィ
ルム状素材から連続生産が可能であるという特徴を有し
ている。
【０００５】通常の透明導電性フィルムの要求性能とし
ては、透明性が良いこと、導電性が良いことなどが挙げ
られる。更に液晶表示素子用電極として用いる場合、ピ
ッチ間隔を狭くした場合でも加工中に透明導電層の剥離
が生じないこと、加熱処理を行っても変化が起こらない
ことが要求される。
ては、透明性が良いこと、導電性が良いことなどが挙げ
られる。更に液晶表示素子用電極として用いる場合、ピ
ッチ間隔を狭くした場合でも加工中に透明導電層の剥離
が生じないこと、加熱処理を行っても変化が起こらない
ことが要求される。
【０００６】通常透明導電層としてインジウム−錫酸化
物（以下ＩＴＯとする）を用いるが、単に透明導電層を
プラスチックフィルム上に積層するだけでは透明導電層
とプラスチックフィルムの密着性が良好でなく、しか
も、プラスチックフィルムとして、ポリエチレンテレフ
タレート（以下ＰＥＴとする）を用いた場合、加熱処理
を行うとＰＥＴフィルムからオリゴマーが発生し、フィ
ルム全体が白濁するという欠点があった。
物（以下ＩＴＯとする）を用いるが、単に透明導電層を
プラスチックフィルム上に積層するだけでは透明導電層
とプラスチックフィルムの密着性が良好でなく、しか
も、プラスチックフィルムとして、ポリエチレンテレフ
タレート（以下ＰＥＴとする）を用いた場合、加熱処理
を行うとＰＥＴフィルムからオリゴマーが発生し、フィ
ルム全体が白濁するという欠点があった。
【０００７】そこで、密着性を改善するため、オリゴマ
ーの発生を抑制するためにプラスチックフィルムと透明
導電層の界面に中間層を設ける方法が検討されてきた。
そこで、特開昭６０−１４６４０９号には、ポリエーテ
ルサルフォンフィルムとインジウムを主成分とする金属
酸化物層との界面にアクリル系紫外線硬化型樹脂層を設
ける方法が、特開昭６３−３１９３５５号には高分子フ
ィルムと導電性層との間に水性ポリウレタン樹脂層を設
ける方法が、特開昭６１−１４６５３３号には、高分子
フィルムと酸化インジウムを含む透明導電層の界面にイ
ンジウム以外の金属酸化物層を中間層として用いる方法
が提案されている。
ーの発生を抑制するためにプラスチックフィルムと透明
導電層の界面に中間層を設ける方法が検討されてきた。
そこで、特開昭６０−１４６４０９号には、ポリエーテ
ルサルフォンフィルムとインジウムを主成分とする金属
酸化物層との界面にアクリル系紫外線硬化型樹脂層を設
ける方法が、特開昭６３−３１９３５５号には高分子フ
ィルムと導電性層との間に水性ポリウレタン樹脂層を設
ける方法が、特開昭６１−１４６５３３号には、高分子
フィルムと酸化インジウムを含む透明導電層の界面にイ
ンジウム以外の金属酸化物層を中間層として用いる方法
が提案されている。
【０００８】しかしながら、中間層にアクリル系紫外線
硬化型樹脂層、水性ポリウレタン樹脂層などの有機物層
を用いる場合には用いない場合に比べて、初期の密着性
が飛躍的に向上するものの、加熱処理を行うとこれらの
中間層の熱劣化により密着性が低下するという問題点が
あった。また、金属酸化物を中間層に用いた場合は、密
着性は向上し、加熱による熱劣化は認められないものの
これらの金属酸化物は一般的に屈折率が高いために金属
酸化物層とプラスチックフィルム界面での反射が増える
ために光線透過率が低くなり、しかもこれら金属酸化物
は硬いためにクラック、ピンホール等の欠陥が生じやす
いという問題点があり、かかる要請に応える事は困難で
あった。
硬化型樹脂層、水性ポリウレタン樹脂層などの有機物層
を用いる場合には用いない場合に比べて、初期の密着性
が飛躍的に向上するものの、加熱処理を行うとこれらの
中間層の熱劣化により密着性が低下するという問題点が
あった。また、金属酸化物を中間層に用いた場合は、密
着性は向上し、加熱による熱劣化は認められないものの
これらの金属酸化物は一般的に屈折率が高いために金属
酸化物層とプラスチックフィルム界面での反射が増える
ために光線透過率が低くなり、しかもこれら金属酸化物
は硬いためにクラック、ピンホール等の欠陥が生じやす
いという問題点があり、かかる要請に応える事は困難で
あった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、これ
らの問題点を解決し、従来の透明導電性フィルムに比べ
て透明導電層とプラスチックフィルムとの密着性が大幅
に向上し、しかも光線透過率が高く、加熱による劣化も
認められない透明導電性フィルムを提供することにあ
る。
らの問題点を解決し、従来の透明導電性フィルムに比べ
て透明導電層とプラスチックフィルムとの密着性が大幅
に向上し、しかも光線透過率が高く、加熱による劣化も
認められない透明導電性フィルムを提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らはこれらの問
題を解決するために鋭意検討した結果、透明導電層とプ
ラスチックフィルムとの間の中間層に上記の金属酸窒化
物を用いると透明導電層とプラスチックフィルムとの密
着性が飛躍的に向上し、しかも薄膜の屈折率がプラスチ
ックフィルムの屈折率に近いためにプラスチックフィル
ム上に積層した場合に透明性が高くなることを見いだし
た。また、金属酸窒化物中の酸素と窒素の原子数の割合
が０．１〜１０．０の範囲にある場合、薄膜中での金属
−酸素、金属−窒素の結合が適当に分散されるために薄
膜が柔らかく、加工性が大幅に向上することを見いだし
た。
題を解決するために鋭意検討した結果、透明導電層とプ
ラスチックフィルムとの間の中間層に上記の金属酸窒化
物を用いると透明導電層とプラスチックフィルムとの密
着性が飛躍的に向上し、しかも薄膜の屈折率がプラスチ
ックフィルムの屈折率に近いためにプラスチックフィル
ム上に積層した場合に透明性が高くなることを見いだし
た。また、金属酸窒化物中の酸素と窒素の原子数の割合
が０．１〜１０．０の範囲にある場合、薄膜中での金属
−酸素、金属−窒素の結合が適当に分散されるために薄
膜が柔らかく、加工性が大幅に向上することを見いだし
た。
【００１１】即ち、本発明の第一の要旨はプラスチック
フィルムからなる基材上に透明導電層を積層した透明導
電性フィルムにおいて、基材と透明導電層との間に金属
酸窒化物（ＭＯX ＮY ：ただし、Ｍは金属原子、Ｘは
０．０５〜３．５、Ｙは、０．０３〜２．６かつ、Ｘ＋
Ｙ≦３．５）からなる中間層を設け、かつその中間層の
厚みが０．１〜１９ｎｍであることを特徴とする透明導
電性フィルムである。
フィルムからなる基材上に透明導電層を積層した透明導
電性フィルムにおいて、基材と透明導電層との間に金属
酸窒化物（ＭＯX ＮY ：ただし、Ｍは金属原子、Ｘは
０．０５〜３．５、Ｙは、０．０３〜２．６かつ、Ｘ＋
Ｙ≦３．５）からなる中間層を設け、かつその中間層の
厚みが０．１〜１９ｎｍであることを特徴とする透明導
電性フィルムである。
【００１２】また、本発明の第二の要旨は、中間層が酸
窒化珪素、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化
アルミニウム、酸窒化錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロム
の群から選ばれる金属酸窒化物単層もしくは２種類以上
の単層の積層体であることを特徴とし、第三の要旨は金
属酸窒化物における酸素と窒素の割合（Ｘ／Ｙ）が、
０．１〜１０．０（原子比）であることを特徴とする。
窒化珪素、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化
アルミニウム、酸窒化錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロム
の群から選ばれる金属酸窒化物単層もしくは２種類以上
の単層の積層体であることを特徴とし、第三の要旨は金
属酸窒化物における酸素と窒素の割合（Ｘ／Ｙ）が、
０．１〜１０．０（原子比）であることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明で使用するプラスチックフ
ィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルサルフォン、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、ポリアミド、及びポリ塩化
ビニールなどのホモポリマー、またはこれらの樹脂のモ
ノマーとの共重合可能なモノマーとのコポリマー等から
なるフィルムが挙げられ、これらの中から適宜選択して
使用することが出きる。好ましくはポリエチレンテレフ
タレート、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネー
ト、ポリアリレートである。また、該フィルムの厚みと
しては特に制限はしないが、フィルムの強度、ハンドリ
ング性から２５〜２５０μｍが好ましい。
ィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルサルフォン、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、ポリアミド、及びポリ塩化
ビニールなどのホモポリマー、またはこれらの樹脂のモ
ノマーとの共重合可能なモノマーとのコポリマー等から
なるフィルムが挙げられ、これらの中から適宜選択して
使用することが出きる。好ましくはポリエチレンテレフ
タレート、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネー
ト、ポリアリレートである。また、該フィルムの厚みと
しては特に制限はしないが、フィルムの強度、ハンドリ
ング性から２５〜２５０μｍが好ましい。
【００１４】透明導電層としては従来公知の、１）金、
銀、銅、アルミニウム、パラジウム等の金属及びこれら
の合金の単層、積層体、２）酸化錫、酸化インジウム、
酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、ヨウ化銅等
化合物半導体及びそれらの混合物の単層、積層体、３）
前記１）、２）を組み合わせた積層膜を使用することが
出来る。
銀、銅、アルミニウム、パラジウム等の金属及びこれら
の合金の単層、積層体、２）酸化錫、酸化インジウム、
酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、ヨウ化銅等
化合物半導体及びそれらの混合物の単層、積層体、３）
前記１）、２）を組み合わせた積層膜を使用することが
出来る。
【００１５】透明導電層の具体的な形成方法を例示する
ならば、スプレー法、金属溶射法、金属メッキ法、真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、
分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、ＣＶＤ法、プラズマ
ＣＶＤ法などの方法が挙げられる。
ならば、スプレー法、金属溶射法、金属メッキ法、真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、
分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、ＣＶＤ法、プラズマ
ＣＶＤ法などの方法が挙げられる。
【００１６】透明導電層の厚みは通常５ｎｍ〜７００ｎ
ｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍであり、更
に好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍである。厚みが上記
の範囲内にある場合には透明性、導電性ともに優れた膜
となる。一方厚みが５ｎｍより薄い場合には透明性は高
いが導電性が悪くなり、一方、７００ｎｍより厚いと導
電性はよいが透明性が悪くなる。
ｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍであり、更
に好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍである。厚みが上記
の範囲内にある場合には透明性、導電性ともに優れた膜
となる。一方厚みが５ｎｍより薄い場合には透明性は高
いが導電性が悪くなり、一方、７００ｎｍより厚いと導
電性はよいが透明性が悪くなる。
【００１７】また、透明導電層とプラスチックフィルム
の界面（中間層）に金属酸窒化物層を形成する。金属酸
窒化物は有機物質であるプラスチックフィルム、無機物
質である透明導電層ともに密着性が良好であるために中
間層に用いると透明導電層の密着性が大幅に向上する。
の界面（中間層）に金属酸窒化物層を形成する。金属酸
窒化物は有機物質であるプラスチックフィルム、無機物
質である透明導電層ともに密着性が良好であるために中
間層に用いると透明導電層の密着性が大幅に向上する。
【００１８】金属酸窒化物としては、光線透過率が高
く、プラスチックフィルム、透明導電層と密着性の高い
ものが好ましい。具体的には酸窒化珪素、酸窒化インジ
ウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化
錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムが好ましい。
く、プラスチックフィルム、透明導電層と密着性の高い
ものが好ましい。具体的には酸窒化珪素、酸窒化インジ
ウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化
錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムが好ましい。
【００１９】金属酸窒化物の形成法としては、例えば、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング
法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、ＣＶＤ法、ＭＯ
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の真空中において形成す
る方法が挙げられる。例えば、スパッタリング法では、
減圧下でアルゴンガス、酸素などの酸素発生物質、窒
素、アンモニア等の窒素発生物質を導入しながら、シリ
コン、インジウム、ガリウム、アルミニウム、錫、ほう
素またはクロムからなるターゲットを用いてプラスチッ
クフィルム上に金属酸窒化物の薄膜を形成する。
真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング
法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、ＣＶＤ法、ＭＯ
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の真空中において形成す
る方法が挙げられる。例えば、スパッタリング法では、
減圧下でアルゴンガス、酸素などの酸素発生物質、窒
素、アンモニア等の窒素発生物質を導入しながら、シリ
コン、インジウム、ガリウム、アルミニウム、錫、ほう
素またはクロムからなるターゲットを用いてプラスチッ
クフィルム上に金属酸窒化物の薄膜を形成する。
【００２０】金属酸窒化物は、ＭＯX ＮY （ただし、Ｍ
は金属原子、Ｘは０．０５〜３．５、Ｙは０．０３〜
２．６かつ、Ｘ＋Ｙ≦３．５である。）の構成である。
また、金属酸窒化物中の酸素と窒素の割合（Ｘ／Ｙ）
は、０．１〜１０．０（原子比）が好ましく、さらには
１．０〜５．０（原子比）がより好ましい。金属酸窒化
物中の酸素と窒素の割合が上記の範囲内にある薄膜は薄
膜自身が柔軟性に富むためにピンホールなどの欠陥が生
じ難く、また、後工程として曲げ加工などを行った場合
や使用時にフィルムにストレスがかかった場合でもフィ
ルムにクラックなどの欠陥が生じにくいという特徴も有
している。また、金属酸窒化物は屈折率が比較的低いた
めに金属酸窒化物層からなる薄膜層とプラスチックフィ
ルム間での光の反射が少なくなるために光線透過率の高
い透明導電性フィルムとなり得る。酸素の割合が上記の
範囲より大きいとその薄膜は金属酸化物と同じで硬くな
り、クラックなどの欠陥が入りやすいという欠点を有
し、さらに屈折率が高くなるために光線透過率が低下す
るという欠点を有するようになる。また、窒素の割合が
上記の範囲より大きくなると、金属窒化物と同じで薄膜
の形成速度が遅くなり、しかも透明性が悪くなるという
欠点を有するようになる。金属酸窒化物層の厚みとして
は０．１〜１９ｎｍが好ましく、０．１〜１２ｎｍがさ
らに好ましく、０．１〜５ｎｍが最も好ましい。
は金属原子、Ｘは０．０５〜３．５、Ｙは０．０３〜
２．６かつ、Ｘ＋Ｙ≦３．５である。）の構成である。
また、金属酸窒化物中の酸素と窒素の割合（Ｘ／Ｙ）
は、０．１〜１０．０（原子比）が好ましく、さらには
１．０〜５．０（原子比）がより好ましい。金属酸窒化
物中の酸素と窒素の割合が上記の範囲内にある薄膜は薄
膜自身が柔軟性に富むためにピンホールなどの欠陥が生
じ難く、また、後工程として曲げ加工などを行った場合
や使用時にフィルムにストレスがかかった場合でもフィ
ルムにクラックなどの欠陥が生じにくいという特徴も有
している。また、金属酸窒化物は屈折率が比較的低いた
めに金属酸窒化物層からなる薄膜層とプラスチックフィ
ルム間での光の反射が少なくなるために光線透過率の高
い透明導電性フィルムとなり得る。酸素の割合が上記の
範囲より大きいとその薄膜は金属酸化物と同じで硬くな
り、クラックなどの欠陥が入りやすいという欠点を有
し、さらに屈折率が高くなるために光線透過率が低下す
るという欠点を有するようになる。また、窒素の割合が
上記の範囲より大きくなると、金属窒化物と同じで薄膜
の形成速度が遅くなり、しかも透明性が悪くなるという
欠点を有するようになる。金属酸窒化物層の厚みとして
は０．１〜１９ｎｍが好ましく、０．１〜１２ｎｍがさ
らに好ましく、０．１〜５ｎｍが最も好ましい。
【００２１】金属酸窒化物が上記の厚みの範囲内にある
場合透明導電膜とプラスチックフィルムの密着性が良好
となり、しかも薄膜自体に柔軟性があるためにピンホー
ル・クラックなどの欠陥が生じにくい為に良好な透明導
電性フィルムとなる。金属酸窒化物の厚みが上記の範囲
より小さい場合には金属酸窒化物層の厚みが十分でない
ために透明導電層とプラスチックフィルムとの密着性が
悪くなる。また、上記の範囲より大きい場合、薄膜の可
撓性が失われ、フィルムにストレスが加わった場合にク
ラック等の欠陥が起こりやすくなり、また、薄膜自身に
よる光の吸収・反射が問題となり好ましくない。
場合透明導電膜とプラスチックフィルムの密着性が良好
となり、しかも薄膜自体に柔軟性があるためにピンホー
ル・クラックなどの欠陥が生じにくい為に良好な透明導
電性フィルムとなる。金属酸窒化物の厚みが上記の範囲
より小さい場合には金属酸窒化物層の厚みが十分でない
ために透明導電層とプラスチックフィルムとの密着性が
悪くなる。また、上記の範囲より大きい場合、薄膜の可
撓性が失われ、フィルムにストレスが加わった場合にク
ラック等の欠陥が起こりやすくなり、また、薄膜自身に
よる光の吸収・反射が問題となり好ましくない。
【００２２】また、上記の範囲内において異種の金属酸
窒化物を積層しても、金属酸窒化物または金属酸化物と
金属窒化物の混合層と、金属酸化物または金属窒化物と
を積層しても構わない。
窒化物を積層しても、金属酸窒化物または金属酸化物と
金属窒化物の混合層と、金属酸化物または金属窒化物と
を積層しても構わない。
【００２３】
実施例１ 厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（以下Ｐ
ＥＴと略す）フィルム（帝人（株）製ＨＳＡ）の片面に
酸窒化珪素（ＳｉＯX ＮY ）から成る透明薄膜層をＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により２ｎｍの厚みで形
成した。更に詳しく説明すると、空気が充満している真
空槽を１×１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガ
スを圧力３×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が
４×１０ -3Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、更
に全圧が５×１０-3Ｔｏｒｒになるように窒素ガスを導
入し、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により該ＰＥＴフィルムの片面に２
ｎｍの厚みの酸窒化珪素層を形成した。
ＥＴと略す）フィルム（帝人（株）製ＨＳＡ）の片面に
酸窒化珪素（ＳｉＯX ＮY ）から成る透明薄膜層をＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により２ｎｍの厚みで形
成した。更に詳しく説明すると、空気が充満している真
空槽を１×１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガ
スを圧力３×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が
４×１０ -3Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、更
に全圧が５×１０-3Ｔｏｒｒになるように窒素ガスを導
入し、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により該ＰＥＴフィルムの片面に２
ｎｍの厚みの酸窒化珪素層を形成した。
【００２４】得られた酸窒化珪素薄膜層上に酸化インジ
ウム錫（以下ＩＴＯと略す）層を真空槽を１×１０-3Ｔ
ｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３×１０-3
Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3Ｔｏｒｒ
になるように酸素ガスを導入し、インジウム−錫合金タ
ーゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より１００ｎｍの厚みの透明導電層を設け、透明導電性
フィルムを得た。
ウム錫（以下ＩＴＯと略す）層を真空槽を１×１０-3Ｔ
ｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３×１０-3
Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3Ｔｏｒｒ
になるように酸素ガスを導入し、インジウム−錫合金タ
ーゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より１００ｎｍの厚みの透明導電層を設け、透明導電性
フィルムを得た。
【００２５】得られた透明導電性フィルムの全光線透過
率を日本電色（株）製ＮＤＨ３００Ａを用いて測定し
た。また、得られた透明導電性フィルム耐屈曲性を以下
の方法で測定した。まず、サンプルを１０ｃｍ×１０ｃ
ｍの大きさに切り出し、任意の方向にそれぞれ幅が１ｃ
ｍ×長さ１０ｃｍの形状の電極を銀ペーストを塗布する
ことにより間隔８ｃｍで平行に形成した。電極間の抵抗
値の初期値を測定（Ｒ0）した後、電極間の中心部に置
いた、直径１０ｍｍのロッドの周りに透明導電層が形成
されている部分が交互に凹面、凸面になるように該透明
導電性フィルムをそれぞれ１００回１８０゜折曲げ、電
極間の抵抗値（Ｒ）を測定した。折り曲げてテスト前後
の抵抗変化値（Ｒ／Ｒ0 ）を用いて耐屈曲性を評価し
た。
率を日本電色（株）製ＮＤＨ３００Ａを用いて測定し
た。また、得られた透明導電性フィルム耐屈曲性を以下
の方法で測定した。まず、サンプルを１０ｃｍ×１０ｃ
ｍの大きさに切り出し、任意の方向にそれぞれ幅が１ｃ
ｍ×長さ１０ｃｍの形状の電極を銀ペーストを塗布する
ことにより間隔８ｃｍで平行に形成した。電極間の抵抗
値の初期値を測定（Ｒ0）した後、電極間の中心部に置
いた、直径１０ｍｍのロッドの周りに透明導電層が形成
されている部分が交互に凹面、凸面になるように該透明
導電性フィルムをそれぞれ１００回１８０゜折曲げ、電
極間の抵抗値（Ｒ）を測定した。折り曲げてテスト前後
の抵抗変化値（Ｒ／Ｒ0 ）を用いて耐屈曲性を評価し
た。
【００２６】また、光学顕微鏡を用いて４００倍に拡大
した際の表面の欠陥（ピンホール、クラック等）の評価
を目視にて行い、評価値は○、×、△を用いて行った。
薄膜中の酸素と窒素の含有量、ＸおよびＹの割合（原子
比）は、アルバック−ファイ（株）製オージェ電子分光
測定装置を用いて測定した。上記の評価結果は表１に併
せて示す。
した際の表面の欠陥（ピンホール、クラック等）の評価
を目視にて行い、評価値は○、×、△を用いて行った。
薄膜中の酸素と窒素の含有量、ＸおよびＹの割合（原子
比）は、アルバック−ファイ（株）製オージェ電子分光
測定装置を用いて測定した。上記の評価結果は表１に併
せて示す。
【００２７】実施例２ 実施例１にて用いたＰＥＴフィルムの片面に酸窒化イン
ジウム（ＩｎＯX ＮY）からなる薄膜層をＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により３ｎｍの厚みで形成した。
更に詳しく説明すると、空気が充満している真空槽を１
×１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力
３×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４．５×
１０-3Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、更に全
圧が５．５×１０-3Ｔｏｒｒになるようにして窒素ガス
を導入し、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマグネ
トロンスパッタリング法により該ＰＥＴフィルムの片面
に３ｎｍの厚みの酸窒化インジウム層を形成した。
ジウム（ＩｎＯX ＮY）からなる薄膜層をＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により３ｎｍの厚みで形成した。
更に詳しく説明すると、空気が充満している真空槽を１
×１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力
３×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４．５×
１０-3Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、更に全
圧が５．５×１０-3Ｔｏｒｒになるようにして窒素ガス
を導入し、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマグネ
トロンスパッタリング法により該ＰＥＴフィルムの片面
に３ｎｍの厚みの酸窒化インジウム層を形成した。
【００２８】得られた酸窒化インジウム薄膜層上に実施
例１と同様にしてＩＴＯ薄膜層を形成して透明導電性フ
ィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの光線透過
率、耐屈曲性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１
と同様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
例１と同様にしてＩＴＯ薄膜層を形成して透明導電性フ
ィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの光線透過
率、耐屈曲性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１
と同様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
【００２９】実施例３ 酸窒化珪素層の厚みを１５ｎｍとなるように形成した以
外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、
表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測
定した。結果を表１に併せて示す。
外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、
表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測
定した。結果を表１に併せて示す。
【００３０】実施例４ 実施例１において作成した酸窒化珪素上に実施例２と同
じ条件で酸窒化インジウム層を形成した。得られた酸窒
化インジウム薄膜層上に実施例１と同様にしてＩＴＯ薄
膜層を形成して透明導電性フィルムを得た。得られた透
明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、表面状態、
酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測定した。結
果を表１に併せて示す。
じ条件で酸窒化インジウム層を形成した。得られた酸窒
化インジウム薄膜層上に実施例１と同様にしてＩＴＯ薄
膜層を形成して透明導電性フィルムを得た。得られた透
明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、表面状態、
酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測定した。結
果を表１に併せて示す。
【００３１】実施例５ 実施例１において酸窒化珪素層を形成する際に酸素を全
圧が４．５×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し、更に
窒素を全圧が５×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入した
以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得
た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲
性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にし
て測定した。結果を表１に併せて示す。
圧が４．５×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し、更に
窒素を全圧が５×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入した
以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得
た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲
性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にし
て測定した。結果を表１に併せて示す。
【００３２】実施例６ 実施例１にて用いたＰＥＴフィルムの片面に酸窒化クロ
ム（ＣｒＯX ＮY ）からなる薄膜層をＤＣマグネトロン
スパッタリング法により３ｎｍの厚みで形成した。更に
詳しく説明すると、空気が充満している真空槽を１×１
０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３×
１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４．５×１０
-3Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、更に全圧が
５．５×１０-3Ｔｏｒｒになるようにして窒素ガスを導
入し、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により該ＰＥＴフィルムの片面に３
ｎｍの厚みの酸窒化クロム層を形成した。得られた酸窒
化クロム薄膜層上に実施例１と同様にしてＩＴＯ薄膜層
を形成して透明導電性フィルムを得た。得られた透明導
電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、表面状態、酸素
と窒素の割合を実施例１と同様にして測定した。結果を
表１に併せて示す。
ム（ＣｒＯX ＮY ）からなる薄膜層をＤＣマグネトロン
スパッタリング法により３ｎｍの厚みで形成した。更に
詳しく説明すると、空気が充満している真空槽を１×１
０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３×
１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４．５×１０
-3Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、更に全圧が
５．５×１０-3Ｔｏｒｒになるようにして窒素ガスを導
入し、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により該ＰＥＴフィルムの片面に３
ｎｍの厚みの酸窒化クロム層を形成した。得られた酸窒
化クロム薄膜層上に実施例１と同様にしてＩＴＯ薄膜層
を形成して透明導電性フィルムを得た。得られた透明導
電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、表面状態、酸素
と窒素の割合を実施例１と同様にして測定した。結果を
表１に併せて示す。
【００３３】実施例７ 実施例６において酸窒化クロム層を形成する際に酸素を
全圧が４．８×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し、更
に窒素を全圧が５×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し
た以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得
た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲
性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にし
て測定した。結果を表１に併せて示す。
全圧が４．８×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し、更
に窒素を全圧が５×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し
た以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得
た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲
性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にし
て測定した。結果を表１に併せて示す。
【００３４】実施例８ 実施例６において酸窒化クロム層を形成する際に酸素を
全圧が４．２×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し、更
に窒素を全圧が５×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し
た以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得
た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲
性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にし
て測定した。結果を表１に併せて示す。
全圧が４．２×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し、更
に窒素を全圧が５×１０-3Ｔｏｒｒになるように導入し
た以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得
た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲
性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にし
て測定した。結果を表１に併せて示す。
【００３５】比較例１ 実施例１において用いたＰＥＴフィルムの片面に、酸化
珪素（ＳｉＯX ）からなる透明薄膜層をＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により２ｎｍの厚みで形成した。更
に詳しく説明すると、空気が充満している真空槽を１×
１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３
×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3
Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、金属シリコン
ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法
により該ＰＥＴフィルムの片面に２ｎｍの厚みの酸化珪
素層を形成した。得られた酸化珪素薄膜層上に実施例１
と同様にしてＩＴＯ薄膜層を形成して透明導電性フィル
ムを得た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、
耐屈曲性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
珪素（ＳｉＯX ）からなる透明薄膜層をＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により２ｎｍの厚みで形成した。更
に詳しく説明すると、空気が充満している真空槽を１×
１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３
×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3
Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、金属シリコン
ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法
により該ＰＥＴフィルムの片面に２ｎｍの厚みの酸化珪
素層を形成した。得られた酸化珪素薄膜層上に実施例１
と同様にしてＩＴＯ薄膜層を形成して透明導電性フィル
ムを得た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、
耐屈曲性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
【００３６】比較例２ 実施例１において用いたＰＥＴフィルムの片面に、窒化
珪素（ＳｉＮX ）からなる透明薄膜層をＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により２ｎｍの厚みで形成した。更
に詳しく説明すると、空気が充満している真空槽を１×
１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３
×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3
Ｔｏｒｒになるように窒素ガスを導入し、金属シリコン
ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法
により該ＰＥＴフィルムの片面に２ｎｍの厚みの窒化珪
素層を形成した。得られた窒化珪素薄膜層上に実施例１
と同様にしてＩＴＯ薄膜層を形成して透明導電性フィル
ムを得た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、
耐屈曲性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
珪素（ＳｉＮX ）からなる透明薄膜層をＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により２ｎｍの厚みで形成した。更
に詳しく説明すると、空気が充満している真空槽を１×
１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３
×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3
Ｔｏｒｒになるように窒素ガスを導入し、金属シリコン
ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法
により該ＰＥＴフィルムの片面に２ｎｍの厚みの窒化珪
素層を形成した。得られた窒化珪素薄膜層上に実施例１
と同様にしてＩＴＯ薄膜層を形成して透明導電性フィル
ムを得た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、
耐屈曲性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
【００３７】比較例３ 実施例１において用いたＰＥＴフィルム上に実施例１と
同様にしてＩＴＯ層を設け透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、
表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測
定した。
同様にしてＩＴＯ層を設け透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、
表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測
定した。
【００３８】比較例４ 酸窒化珪素層の厚みを０．０５ｎｍとなるように形成し
た以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得
た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲
性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にし
て測定した。結果を表１に併せて示す。
た以外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得
た。得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲
性、表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にし
て測定した。結果を表１に併せて示す。
【００３９】比較例５ 酸窒化珪素層の厚みを３０ｎｍとなるように形成した以
外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、
表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測
定した。結果を表１に併せて示す。
外は実施例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの光線透過率、耐屈曲性、
表面状態、酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測
定した。結果を表１に併せて示す。
【００４０】
【表１】 ○ ： 顕微鏡で見てクラック、ピンホールがない。 △ ： 顕微鏡で見てクラック、ピンホールが少し有る。 × ： 顕微鏡で見てクラック、ピンホールが沢山有る。
【００４１】
【発明の効果】透明プラスチックフィルムと透明導電層
の界面に金属酸窒化物からなる薄膜層を形成すると透明
プラスチックフィルムと透明導電層との密着性が飛躍的
に向上し、曲げ加工などの後加工に適した、しかも透明
性の高い透明導電性フィルムが得られる。
の界面に金属酸窒化物からなる薄膜層を形成すると透明
プラスチックフィルムと透明導電層との密着性が飛躍的
に向上し、曲げ加工などの後加工に適した、しかも透明
性の高い透明導電性フィルムが得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 祐一郎 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 坂井 ▲祥▼浩 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 鈴木 彰 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 プラスチックフィルムからなる基材上に
透明導電層を積層した透明導電性フィルムにおいて、基
材と透明導電層との間に金属酸窒化物（ＭＯ X ＮY ：た
だし、Ｍは金属原子、Ｘは０．０５〜３．５、Ｙは、
０．０３〜２．６かつ、Ｘ＋１．５Ｙ≦３．５）層から
なる中間層を設け、かつその中間層の厚みが０．１〜１
９ｎｍであることを特徴とする透明導電性フィルム。 - 【請求項２】 中間層が酸窒化珪素、酸窒化インジウ
ム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化錫、
酸窒化ほう素、酸窒化クロムの群から選ばれる金属酸窒
化物単層もしくは２種類以上の単層の積層体であること
を特徴とする請求項１記載の透明導電性フィルム。 - 【請求項３】 金属酸窒化物における酸素と窒素の割合
（Ｘ／Ｙ）が、０．１〜１０．０（原子比）であること
を特徴とする請求項１記載の透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198657A JPH1034798A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198657A JPH1034798A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 透明導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1034798A true JPH1034798A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16394879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8198657A Pending JPH1034798A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1034798A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002264245A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Toppan Printing Co Ltd | 積層体 |
| WO2011108552A1 (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 |
| CN102560392A (zh) * | 2010-12-24 | 2012-07-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 铝及铝合金表面防腐处理方法及其制品 |
| WO2013073280A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 東海ゴム工業株式会社 | フィルム部材およびその製造方法 |
| WO2015159804A1 (ja) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | 旭硝子株式会社 | 積層体、導電性積層体、および電子機器 |
| US9506142B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-11-29 | Sumitomo Riko Company Limited | High density microwave plasma generation apparatus, and magnetron sputtering deposition system using the same |
| KR20160136109A (ko) * | 2015-05-19 | 2016-11-29 | 한국과학기술연구원 | 주석질산화물 단결정박막 및 그 제조방법 |
| CN114000104A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-02-01 | 深圳市恒鼎新材料有限公司 | 一种高分子材料镀膜工艺 |
| CN118671170A (zh) * | 2024-08-20 | 2024-09-20 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 基于dna的pet纳米通道的生物信息分子检测方法及系统 |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP8198657A patent/JPH1034798A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002264245A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Toppan Printing Co Ltd | 積層体 |
| WO2011108552A1 (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 |
| JP2011201301A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 |
| US20120325310A1 (en) * | 2010-03-02 | 2012-12-27 | Shigefusa Chichibu | Laminate, method for producing same, and functional element using same |
| EP2543507A4 (en) * | 2010-03-02 | 2017-05-17 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Laminate, method for producing same, and functional element using same |
| TWI484662B (zh) * | 2010-03-02 | 2015-05-11 | Sumitomo Metal Mining Co | A laminated body and a method for manufacturing the same, and a semiconductor light-emitting element and a solar battery using the same |
| US9045821B2 (en) | 2010-03-02 | 2015-06-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Laminate, method for producing same, and functional element using same |
| CN102560392A (zh) * | 2010-12-24 | 2012-07-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 铝及铝合金表面防腐处理方法及其制品 |
| US9506142B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-11-29 | Sumitomo Riko Company Limited | High density microwave plasma generation apparatus, and magnetron sputtering deposition system using the same |
| JP2013108118A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Tokai Rubber Ind Ltd | フィルム部材およびその製造方法 |
| WO2013073280A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 東海ゴム工業株式会社 | フィルム部材およびその製造方法 |
| WO2015159804A1 (ja) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | 旭硝子株式会社 | 積層体、導電性積層体、および電子機器 |
| KR20160136109A (ko) * | 2015-05-19 | 2016-11-29 | 한국과학기술연구원 | 주석질산화물 단결정박막 및 그 제조방법 |
| CN114000104A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-02-01 | 深圳市恒鼎新材料有限公司 | 一种高分子材料镀膜工艺 |
| CN118671170A (zh) * | 2024-08-20 | 2024-09-20 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 基于dna的pet纳米通道的生物信息分子检测方法及系统 |
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