JPH0862590A - 透明電極用基板 - Google Patents
透明電極用基板Info
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- JPH0862590A JPH0862590A JP20083494A JP20083494A JPH0862590A JP H0862590 A JPH0862590 A JP H0862590A JP 20083494 A JP20083494 A JP 20083494A JP 20083494 A JP20083494 A JP 20083494A JP H0862590 A JPH0862590 A JP H0862590A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】従来の透明ガスバリアフィルムに対して、透明
性が高く、ガスバリア能も良好で、しかも、ピンホール
等の欠陥がない、優れた透明ガスバリアフィルム上に透
明導電性の薄膜を形成した透明電極用基板を供給する。 【構成】プラスチックフィルムの少なくとも一の面に、
酸窒化珪素、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒
化アルミニウム、酸窒化錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロ
ムの群から選ばれる金属酸窒化物のガスバリア層を積層
して透明ガスバリアフィルムを得る。該透明ガスバリア
フィルムの少なくとも一の面に透明導電性薄膜を形成し
て透明電極用基板とする。
性が高く、ガスバリア能も良好で、しかも、ピンホール
等の欠陥がない、優れた透明ガスバリアフィルム上に透
明導電性の薄膜を形成した透明電極用基板を供給する。 【構成】プラスチックフィルムの少なくとも一の面に、
酸窒化珪素、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒
化アルミニウム、酸窒化錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロ
ムの群から選ばれる金属酸窒化物のガスバリア層を積層
して透明ガスバリアフィルムを得る。該透明ガスバリア
フィルムの少なくとも一の面に透明導電性薄膜を形成し
て透明電極用基板とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明電極用基板に関す
る。詳しくは本発明は、プラスチックフィルムを基材と
した防湿性及びガスバリア性に優れた透明ガスバリアフ
ィルムからなる透明電極基板に関する。さらに詳しくは
本発明は、可視領域における透明性を有し、かつ酸素及
び、水蒸気の透過率が小さく、かつ、優れた耐候性、耐
薬品性ならびに耐摩耗性を有す透明ガスバリアフィルム
からなる透明電極用基板に関するものである。
る。詳しくは本発明は、プラスチックフィルムを基材と
した防湿性及びガスバリア性に優れた透明ガスバリアフ
ィルムからなる透明電極基板に関する。さらに詳しくは
本発明は、可視領域における透明性を有し、かつ酸素及
び、水蒸気の透過率が小さく、かつ、優れた耐候性、耐
薬品性ならびに耐摩耗性を有す透明ガスバリアフィルム
からなる透明電極用基板に関するものである。
【０００２】本発明にかかる透明ガスバリアフィルムは
水蒸気や酸素、その他有害な気体を避けなければならな
い液晶表示素子や、エレクトロルミネッセンス（電界発
光素子、以下ＥＬという）素子等への応用に適してい
る。
水蒸気や酸素、その他有害な気体を避けなければならな
い液晶表示素子や、エレクトロルミネッセンス（電界発
光素子、以下ＥＬという）素子等への応用に適してい
る。
【０００３】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、あらゆる分野で
使用されてきており、特にワードプロセッサーやパーソ
ナルコンピューター等の電子産業分野で数多く使用され
ている。この液晶表示装置は、現在液晶表示面のカラー
化、大型化へ移行しつつあり、これらのために、液晶表
示用透明導電体の基材が、１）軽量化出来ること、２）
薄膜化出来ること、３）大面積化が可能であること、
４）耐破損性があること、５）優れた加工性を有するこ
と、６）形状の多様化が可能であること７）少しでも透
明性が高いことが求められている。
使用されてきており、特にワードプロセッサーやパーソ
ナルコンピューター等の電子産業分野で数多く使用され
ている。この液晶表示装置は、現在液晶表示面のカラー
化、大型化へ移行しつつあり、これらのために、液晶表
示用透明導電体の基材が、１）軽量化出来ること、２）
薄膜化出来ること、３）大面積化が可能であること、
４）耐破損性があること、５）優れた加工性を有するこ
と、６）形状の多様化が可能であること７）少しでも透
明性が高いことが求められている。
【０００４】従来、液晶表示用透明導電体の基材として
はガラスが用いられてきたが、上記１）〜６）の条件を
満たすことが困難であるために最近ではプラスチックフ
ィルムが用いられるようになってきた。しかしながら、
プラスチックフィルムを基材とした液晶表示用透明導電
体では、フィルムを透過する酸素や水蒸気が液晶表示装
置の劣化を招くことがわかってきた。このような問題を
解決するために、プラスチックフィルム基材に気体に対
するバリア性を付与する必要があり、様々な提案がなさ
れた。
はガラスが用いられてきたが、上記１）〜６）の条件を
満たすことが困難であるために最近ではプラスチックフ
ィルムが用いられるようになってきた。しかしながら、
プラスチックフィルムを基材とした液晶表示用透明導電
体では、フィルムを透過する酸素や水蒸気が液晶表示装
置の劣化を招くことがわかってきた。このような問題を
解決するために、プラスチックフィルム基材に気体に対
するバリア性を付与する必要があり、様々な提案がなさ
れた。
【０００５】しかしながら、有効な解決策は見いだされ
ていないのが現状である。例えば、特開昭５９−２０４
５４５号には高分子フィルムに酸化物層を設け、その少
なくとも片面に酸化インジウムを主成分とする被膜を形
成した透明導電性フィルムが記載されているが、これら
酸化物の被膜は硬いためにクラックが入りやすい等の欠
点があり、そのために水蒸気のバリア性が十分でないと
いう欠点があった。
ていないのが現状である。例えば、特開昭５９−２０４
５４５号には高分子フィルムに酸化物層を設け、その少
なくとも片面に酸化インジウムを主成分とする被膜を形
成した透明導電性フィルムが記載されているが、これら
酸化物の被膜は硬いためにクラックが入りやすい等の欠
点があり、そのために水蒸気のバリア性が十分でないと
いう欠点があった。
【０００６】また、特開平１−１３０４０７号には高分
子フィルムの少なくとも片面に窒化物及び／または炭化
物層からなるガスバリア層を設けた透明導電性フィルム
が記載されているがこれらの窒化物、炭化物は、薄膜の
形成速度が遅いために十分なガスバリア性を有する厚さ
まで薄膜を形成する事が難しく、また、屈折率が高いた
めに酸化物に比べると透明性が悪いという欠点があっ
た。
子フィルムの少なくとも片面に窒化物及び／または炭化
物層からなるガスバリア層を設けた透明導電性フィルム
が記載されているがこれらの窒化物、炭化物は、薄膜の
形成速度が遅いために十分なガスバリア性を有する厚さ
まで薄膜を形成する事が難しく、また、屈折率が高いた
めに酸化物に比べると透明性が悪いという欠点があっ
た。
【０００７】また、特開平２−２６５７３８号にはピン
ホールを防ぐためにインジウム及び錫の金属酸化物にフ
ッ素を混入したガスバリア層を有する透明導電性フィル
ムが記載されているが、フッ素量の制御が難しく、ま
た、フッ素量が多すぎると基板とフッ素を含む金属酸化
物層との密着性が悪くなるという欠点があった。
ホールを防ぐためにインジウム及び錫の金属酸化物にフ
ッ素を混入したガスバリア層を有する透明導電性フィル
ムが記載されているが、フッ素量の制御が難しく、ま
た、フッ素量が多すぎると基板とフッ素を含む金属酸化
物層との密着性が悪くなるという欠点があった。
【０００８】また、特開昭６０−１９０３４２号には高
分子フィルムにポリビニルアルコール、エチレン−ビニ
ルアルコール共重合体を積層した透明導電性フィルムが
記載されているが、これら有機物のガスバリア層は高湿
度下でのガスバリア性が悪く、耐久性（特に高温下での
耐久性）が悪いという欠点があり、共にかかる要請に応
えるには不十分であった。
分子フィルムにポリビニルアルコール、エチレン−ビニ
ルアルコール共重合体を積層した透明導電性フィルムが
記載されているが、これら有機物のガスバリア層は高湿
度下でのガスバリア性が悪く、耐久性（特に高温下での
耐久性）が悪いという欠点があり、共にかかる要請に応
えるには不十分であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、これ
らの問題を解決し、従来の透明ガスバリアフィルムに比
べて、ガスバリア能が高くしかも透明性が高く、クラッ
ク、ピンホール等の欠陥が存在しない耐久性の優れた透
明ガスバリアフィルムを提供することにある。
らの問題を解決し、従来の透明ガスバリアフィルムに比
べて、ガスバリア能が高くしかも透明性が高く、クラッ
ク、ピンホール等の欠陥が存在しない耐久性の優れた透
明ガスバリアフィルムを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らはこれらの問
題を解決するために鋭意検討した結果、ガスバリア層に
上記の金属酸窒化物を用いると金属酸化物と比べて、ミ
クロな化学結合や網目間の結合が強いため網目間を透過
する分子が少なくなり、耐水性、耐酸性、耐アルカリ性
のような化学的性質が飛躍的に向上することによりガス
バリア能の高さが高く、薄膜層の柔軟性があるためにク
ラック、ピンホール等の欠陥が存在せず、しかも薄膜層
の屈折率がプラスチックフィルムの屈折率に近いために
プラスチックフィルム上に積層した場合に透明性が高く
なることを見いだした。また、金属酸窒化物中の酸素と
窒素の割合が０．１〜１０の範囲にあると薄膜中での金
属−酸素、金属−窒素の結合が適当に分散されるために
さらに薄膜が柔らかく、しかもガスバリア性が高いとい
う特徴が発揮されるということを見いだして本発明を完
成した。
題を解決するために鋭意検討した結果、ガスバリア層に
上記の金属酸窒化物を用いると金属酸化物と比べて、ミ
クロな化学結合や網目間の結合が強いため網目間を透過
する分子が少なくなり、耐水性、耐酸性、耐アルカリ性
のような化学的性質が飛躍的に向上することによりガス
バリア能の高さが高く、薄膜層の柔軟性があるためにク
ラック、ピンホール等の欠陥が存在せず、しかも薄膜層
の屈折率がプラスチックフィルムの屈折率に近いために
プラスチックフィルム上に積層した場合に透明性が高く
なることを見いだした。また、金属酸窒化物中の酸素と
窒素の割合が０．１〜１０の範囲にあると薄膜中での金
属−酸素、金属−窒素の結合が適当に分散されるために
さらに薄膜が柔らかく、しかもガスバリア性が高いとい
う特徴が発揮されるということを見いだして本発明を完
成した。
【００１１】即ち、本発明は、少なくとも片面にガスバ
リア層を有するプラスチック基体からなる透明ガスバリ
アフィルムにおいて、そのガスバリア層が金属酸窒化物
（ＭＯX ＮY ：ただし、Ｍは金属、Ｘは０．０５〜３．
５、Ｙは０．０３〜２．６である。）であり、その少な
くとも片面に透明電極層を持つことを特徴とする透明電
極用基板である。
リア層を有するプラスチック基体からなる透明ガスバリ
アフィルムにおいて、そのガスバリア層が金属酸窒化物
（ＭＯX ＮY ：ただし、Ｍは金属、Ｘは０．０５〜３．
５、Ｙは０．０３〜２．６である。）であり、その少な
くとも片面に透明電極層を持つことを特徴とする透明電
極用基板である。
【００１２】また、本発明の透明ガスバリアフィルムの
実施態様は、金属酸窒化物が酸窒化珪素、酸窒化インジ
ウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化
錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムの群から選ばれる単層
もしくは２種類以上の単層の積層体であること、および
その金属酸窒化物中における酸素と窒素の割合が０．１
〜１０．０であることを特徴とする。
実施態様は、金属酸窒化物が酸窒化珪素、酸窒化インジ
ウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化
錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムの群から選ばれる単層
もしくは２種類以上の単層の積層体であること、および
その金属酸窒化物中における酸素と窒素の割合が０．１
〜１０．０であることを特徴とする。
【００１３】本発明で使用するプラスチック基体として
は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテ
ルサルフォン、ポリエステル、ポリ（メタ）アクリレー
ト、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド及
びポリ塩化ビニール等のホモポリマー、またはこれらの
樹脂のモノマーと共重合可能なモノマーとのコポリマー
等からなるフィルムが挙げられ、これらの中から適宜選
択して使用することができる。好ましくはポリエチレン
テレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリアリレートである。また、該フィルムの厚
みとしては特に制限はしないが、フィルムの強度、ハン
ドリング性などから２５〜２５０μｍが好ましい。
は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテ
ルサルフォン、ポリエステル、ポリ（メタ）アクリレー
ト、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド及
びポリ塩化ビニール等のホモポリマー、またはこれらの
樹脂のモノマーと共重合可能なモノマーとのコポリマー
等からなるフィルムが挙げられ、これらの中から適宜選
択して使用することができる。好ましくはポリエチレン
テレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリアリレートである。また、該フィルムの厚
みとしては特に制限はしないが、フィルムの強度、ハン
ドリング性などから２５〜２５０μｍが好ましい。
【００１４】また、ガスバリア層としては、金属酸窒化
物が好ましい。金属酸窒化物は薄膜自身が柔軟性に富む
ためにピンホール等の欠陥が生じ難く、また、後工程と
して曲げ加工を行った場合や使用時にフィルムにストレ
スがかかってもフィルムにクラック等の欠陥が生じにく
い為に、良質のガスバリア層と成り得る。また、金属酸
窒化物は屈折率が比較的低いために金属酸化物からなる
薄膜層とプラスチックフィルム層間での光の反射が少な
いために光線透過率の高いガスバリアフィルムとなり得
る。金属酸窒化物としては透明性が高く、ガスバリア能
が良好なものが好ましく、具体的には酸窒化珪素、酸窒
化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミニウム、
酸窒化錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムが好ましい。
物が好ましい。金属酸窒化物は薄膜自身が柔軟性に富む
ためにピンホール等の欠陥が生じ難く、また、後工程と
して曲げ加工を行った場合や使用時にフィルムにストレ
スがかかってもフィルムにクラック等の欠陥が生じにく
い為に、良質のガスバリア層と成り得る。また、金属酸
窒化物は屈折率が比較的低いために金属酸化物からなる
薄膜層とプラスチックフィルム層間での光の反射が少な
いために光線透過率の高いガスバリアフィルムとなり得
る。金属酸窒化物としては透明性が高く、ガスバリア能
が良好なものが好ましく、具体的には酸窒化珪素、酸窒
化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミニウム、
酸窒化錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムが好ましい。
【００１５】金属酸窒化物の形成法としては、例えば、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング
法、分子線エピタクシー法（ＭＢＥ）、ＣＶＤ法、ＭＯ
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の真空中において形成す
る方法が挙げられる。
真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング
法、分子線エピタクシー法（ＭＢＥ）、ＣＶＤ法、ＭＯ
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の真空中において形成す
る方法が挙げられる。
【００１６】例えば、スパッタリング法では、減圧下に
アルゴンガス、酸素などの酸素発生物質、窒素、アンモ
ニアなどの窒素発生物質を導入しながら、シリコン、イ
ンジウム、ガリウム、アルミニウム、錫、ほう素または
クロムからなるターゲットを用いて、フィルム上に金属
酸化物の膜を形成する。
アルゴンガス、酸素などの酸素発生物質、窒素、アンモ
ニアなどの窒素発生物質を導入しながら、シリコン、イ
ンジウム、ガリウム、アルミニウム、錫、ほう素または
クロムからなるターゲットを用いて、フィルム上に金属
酸化物の膜を形成する。
【００１７】金属酸窒化物はＭＯX ＮY （ただし、Ｍは
金属、Ｘは０．０５〜３．５、Ｙは０．０３〜２．６で
ある。）の形状である。また、金属酸窒化物中の酸素と
窒素の割合（Ｘ／Ｙ）は、０．１〜１０．０（原子比）
が好ましく、さらには、１．０〜５．０（原子比）が好
ましい。金属酸窒化物中の酸素と窒素の割合が上記の範
囲にある薄膜は、金属酸化物の長所と金属酸窒化物の長
所を兼ね備えたガスバリア性が高く、しかも透明性が高
いという長所を有する。酸素の割合が上記の範囲より大
きいとその薄膜は金属酸化物と同じで硬くなり、クラッ
ク等の欠陥欠陥が入りやすいという欠点を有することに
なる。また、窒素の割合が上記の範囲より大きくなる
と、金属窒化物と同じで薄膜の形成速度が遅くなり、し
かも透明性が悪くなるという欠点を有するようになる。
金属酸窒化物の厚みとしては５〜５０００ｎｍが好まし
く２０〜１０００ｎｍが更に好ましく、最も好ましくは
５０〜５００ｎｍである。
金属、Ｘは０．０５〜３．５、Ｙは０．０３〜２．６で
ある。）の形状である。また、金属酸窒化物中の酸素と
窒素の割合（Ｘ／Ｙ）は、０．１〜１０．０（原子比）
が好ましく、さらには、１．０〜５．０（原子比）が好
ましい。金属酸窒化物中の酸素と窒素の割合が上記の範
囲にある薄膜は、金属酸化物の長所と金属酸窒化物の長
所を兼ね備えたガスバリア性が高く、しかも透明性が高
いという長所を有する。酸素の割合が上記の範囲より大
きいとその薄膜は金属酸化物と同じで硬くなり、クラッ
ク等の欠陥欠陥が入りやすいという欠点を有することに
なる。また、窒素の割合が上記の範囲より大きくなる
と、金属窒化物と同じで薄膜の形成速度が遅くなり、し
かも透明性が悪くなるという欠点を有するようになる。
金属酸窒化物の厚みとしては５〜５０００ｎｍが好まし
く２０〜１０００ｎｍが更に好ましく、最も好ましくは
５０〜５００ｎｍである。
【００１８】金属酸窒化物の厚みが上記の範囲にある場
合にはガスバリア性が充分に高く、薄膜自体にある程度
の柔軟性があるためにピンホール、クラック等の欠陥が
生じ難い為に良好なガスバリア層となり得る。金属酸窒
化物の厚みが上記の範囲より小さい場合には薄膜層の厚
みが充分でない。従って薄膜を透過するガスが出てくる
ためにガスバリア能が充分でない。また、上記の範囲よ
り大きい場合には薄膜の可撓性が損なわれ、フィルムに
ストレスが加わった場合にクラック等の欠陥が入りやす
く、また、光の吸収により光線透過率が悪くなる。
合にはガスバリア性が充分に高く、薄膜自体にある程度
の柔軟性があるためにピンホール、クラック等の欠陥が
生じ難い為に良好なガスバリア層となり得る。金属酸窒
化物の厚みが上記の範囲より小さい場合には薄膜層の厚
みが充分でない。従って薄膜を透過するガスが出てくる
ためにガスバリア能が充分でない。また、上記の範囲よ
り大きい場合には薄膜の可撓性が損なわれ、フィルムに
ストレスが加わった場合にクラック等の欠陥が入りやす
く、また、光の吸収により光線透過率が悪くなる。
【００１９】また、異種の金属酸窒化物を積層して用い
ても構わない。金属酸窒化物または金属酸化物と金属窒
化物の混合層と、金属酸化物または金属窒化物とを積層
して用いても構わない。金属酸窒化物と例えばポリビニ
ルアルコール、ポリ塩化ビニリデン、エチレン−ビニル
アルコール共重合体に代表される良ガスバリア性の有機
物とをコーティングしても良いし、有機物をコートした
フィルムとラミネートして用いても構わない。また、金
属酸窒化物層を形成したフィルム同志をラミネートして
用いても構わないし、金属酸窒化物層を形成したフィル
ムと金属酸化物および／または金属窒化物層を形成した
フィルムとラミネートして用いても構わない。
ても構わない。金属酸窒化物または金属酸化物と金属窒
化物の混合層と、金属酸化物または金属窒化物とを積層
して用いても構わない。金属酸窒化物と例えばポリビニ
ルアルコール、ポリ塩化ビニリデン、エチレン−ビニル
アルコール共重合体に代表される良ガスバリア性の有機
物とをコーティングしても良いし、有機物をコートした
フィルムとラミネートして用いても構わない。また、金
属酸窒化物層を形成したフィルム同志をラミネートして
用いても構わないし、金属酸窒化物層を形成したフィル
ムと金属酸化物および／または金属窒化物層を形成した
フィルムとラミネートして用いても構わない。
【００２０】また、上記のガスバリア性フィルムの少な
くとも片面に、透明電極層を設けることにより透明電極
用基板として用いることができる。透明電極層としては
透明で導電性のものなら構わないが、例えばインジウム
酸錫（ＩＴＯ）が挙げられる。 また、透明電極層の形
成方法としては例えば、インジウム酸錫の場合には例え
ば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、分子線エピ．キー法（ＭＢＥ）、ＣＶＤ法、Ｍ
ＯＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の真空中の形成方法が
挙げられる。
くとも片面に、透明電極層を設けることにより透明電極
用基板として用いることができる。透明電極層としては
透明で導電性のものなら構わないが、例えばインジウム
酸錫（ＩＴＯ）が挙げられる。 また、透明電極層の形
成方法としては例えば、インジウム酸錫の場合には例え
ば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、分子線エピ．キー法（ＭＢＥ）、ＣＶＤ法、Ｍ
ＯＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の真空中の形成方法が
挙げられる。
【００２１】透明電極層の厚みとしては透明性を損なわ
ず、しかも導電性が確保されていれば制限はないが、例
えば、インジウム酸錫を用いる場合には１０ｎｍ〜５０
０ｎｍが一般的である。
ず、しかも導電性が確保されていれば制限はないが、例
えば、インジウム酸錫を用いる場合には１０ｎｍ〜５０
０ｎｍが一般的である。
【００２２】
実施例１ 厚み５０μｍのポリエーテルサルフォン（以下ＰＥＳと
略す）フィルム（三井東圧化学（株）製商品名ＴＡＬＰ
Ａ）の片面に、酸窒化珪素（ＳｉＯX ＮY ）からなる透
明ガスバリア層をＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より１００ｎｍの厚みで形成し、透明ガスバリアフィル
ムを得た。。更に詳しく説明すると、真空槽を１×１０
-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３×１
０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3Ｔｏ
ｒｒになるように酸素ガスを導入し、更に全圧が５×１
０-3Ｔｏｒｒになるように窒素ガスを導入して、金属シ
リコンターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により、該ＰＥＳフィルムの片面に１００ｎｍの
厚みの酸窒化珪素層を形成した。
略す）フィルム（三井東圧化学（株）製商品名ＴＡＬＰ
Ａ）の片面に、酸窒化珪素（ＳｉＯX ＮY ）からなる透
明ガスバリア層をＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より１００ｎｍの厚みで形成し、透明ガスバリアフィル
ムを得た。。更に詳しく説明すると、真空槽を１×１０
-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３×１
０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3Ｔｏ
ｒｒになるように酸素ガスを導入し、更に全圧が５×１
０-3Ｔｏｒｒになるように窒素ガスを導入して、金属シ
リコンターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により、該ＰＥＳフィルムの片面に１００ｎｍの
厚みの酸窒化珪素層を形成した。
【００２３】得られた透明ガスバリアフィルムの片面に
インジウム酸錫（以下ＩＴＯと略す）層を真空槽を１×
１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３
×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3
Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、インジウム−
錫合金ターゲットを用いて１００ｎｍの厚みで形成する
ことにより透明導電性電極用基板を得た。得られた透明
導電性電極用基板の全透過率、およびヘーズを日本電色
（株）製ＮＤＨ３００Ａを用いて測定した。また、得ら
れた透明ガスバリアフィルムの酸素透過率を、モダンコ
ントロール（株）製ＯＸ−ＴＲＡＮ１００型酸素透過率
測定装置を用いて温度２３℃、総体湿度１００％および
温度２３℃相対湿度０％で測定した。また、得られた透
明ガスバリアフィルムの水蒸気透過率をモダンコントロ
ール（株）製水蒸気透過率測定装置を用いて温度２３℃
で測定した。
インジウム酸錫（以下ＩＴＯと略す）層を真空槽を１×
１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後にアルゴンガスを圧力３
×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続いて全圧が４×１０-3
Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを導入し、インジウム−
錫合金ターゲットを用いて１００ｎｍの厚みで形成する
ことにより透明導電性電極用基板を得た。得られた透明
導電性電極用基板の全透過率、およびヘーズを日本電色
（株）製ＮＤＨ３００Ａを用いて測定した。また、得ら
れた透明ガスバリアフィルムの酸素透過率を、モダンコ
ントロール（株）製ＯＸ−ＴＲＡＮ１００型酸素透過率
測定装置を用いて温度２３℃、総体湿度１００％および
温度２３℃相対湿度０％で測定した。また、得られた透
明ガスバリアフィルムの水蒸気透過率をモダンコントロ
ール（株）製水蒸気透過率測定装置を用いて温度２３℃
で測定した。
【００２４】また、光学顕微鏡を用いて４００倍に拡大
した際の表面の欠陥（クラック、ピンホール等）の評価
を目視にて行い、評価値は、○、△、×を用いて行っ
た。薄膜中の酸素と窒素の含有量、ＸおよびＹの割合
は、アルバック−ファイ（株）製積層構造測定装置を用
いて測定した。上記の測定結果は表１に併せて示す
した際の表面の欠陥（クラック、ピンホール等）の評価
を目視にて行い、評価値は、○、△、×を用いて行っ
た。薄膜中の酸素と窒素の含有量、ＸおよびＹの割合
は、アルバック−ファイ（株）製積層構造測定装置を用
いて測定した。上記の測定結果は表１に併せて示す
【００２５】実施例２ 実施例１にて用いたＰＥＳフィルムの片面に、酸窒化イ
ンジウム（ＩｎＯX Ｎ Y ）からなる透明ガスバリア層を
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により１５０ｎｍの
厚みで形成し、透明ガスバリアフィルムを得た。。更に
詳しく説明すると、真空槽を１×１０-3Ｔｏｒｒまで排
気した後にアルゴンガスを圧力３×１０ -3Ｔｏｒｒまで
導入し、続いて全圧が４．５×１０-3Ｔｏｒｒになるよ
うに酸素ガスを導入し、更に全圧が５．５×１０-3Ｔｏ
ｒｒになるように窒素ガスを導入して、金属インジウム
ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法
により、該ＰＥＳフィルムの片面に１００ｎｍの厚みの
酸窒化インジウム層を形成した。得られた透明ガスバリ
アフィルムの片面に実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を形
成して透明導電性電極用基板を得た。得られた透明導電
性電極用基板の光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸
気透過率、表面状態および酸素と窒素の割合を実施例１
と同様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
ンジウム（ＩｎＯX Ｎ Y ）からなる透明ガスバリア層を
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により１５０ｎｍの
厚みで形成し、透明ガスバリアフィルムを得た。。更に
詳しく説明すると、真空槽を１×１０-3Ｔｏｒｒまで排
気した後にアルゴンガスを圧力３×１０ -3Ｔｏｒｒまで
導入し、続いて全圧が４．５×１０-3Ｔｏｒｒになるよ
うに酸素ガスを導入し、更に全圧が５．５×１０-3Ｔｏ
ｒｒになるように窒素ガスを導入して、金属インジウム
ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法
により、該ＰＥＳフィルムの片面に１００ｎｍの厚みの
酸窒化インジウム層を形成した。得られた透明ガスバリ
アフィルムの片面に実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を形
成して透明導電性電極用基板を得た。得られた透明導電
性電極用基板の光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸
気透過率、表面状態および酸素と窒素の割合を実施例１
と同様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
【００２６】実施例３ 酸窒化珪素層の厚みを２５０ｎｍとなるように形成した
以外は実施例１と同様にして透明導電性電極用基板を得
た。得られた透明導電性電極用基板の光線透過率、ヘー
ズ、酸素透過率、水蒸気透過率、表面状態および酸素と
窒素の割合を実施例１と同様にして測定した。結果を表
１に併せて示す。
以外は実施例１と同様にして透明導電性電極用基板を得
た。得られた透明導電性電極用基板の光線透過率、ヘー
ズ、酸素透過率、水蒸気透過率、表面状態および酸素と
窒素の割合を実施例１と同様にして測定した。結果を表
１に併せて示す。
【００２７】実施例４ 実施例１において作成した酸窒化珪素層の上に実施例２
と同じ条件で酸窒化インジウム層を形成して透明ガスバ
リアフィルムを得た。得られた透明ガスバリアフィルム
の片面に実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を形成し、透明
導電性電極用基板を得た。この透明導電性電極用基板の
光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透過率、表面
状態および酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測
定した。結果を表１に併せて示す。
と同じ条件で酸窒化インジウム層を形成して透明ガスバ
リアフィルムを得た。得られた透明ガスバリアフィルム
の片面に実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を形成し、透明
導電性電極用基板を得た。この透明導電性電極用基板の
光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透過率、表面
状態および酸素と窒素の割合を実施例１と同様にして測
定した。結果を表１に併せて示す。
【００２８】実施例５ 実施例１において酸素を全圧が４．５×１０-3Ｔｏｒｒ
になるように導入し、さらに窒素を全圧が５×１０-3Ｔ
ｏｒｒになるように導入した以外は実施例１と同様にし
て透明導電性電極用基板を得た。得られた透明導電性電
極用基板の光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透
過率、表面状態および酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
になるように導入し、さらに窒素を全圧が５×１０-3Ｔ
ｏｒｒになるように導入した以外は実施例１と同様にし
て透明導電性電極用基板を得た。得られた透明導電性電
極用基板の光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透
過率、表面状態および酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
【００２９】比較例１ 実施例１にて用いたＰＥＳフィルムの片面に、酸化珪素
（ＳｉＯX ）からなる透明ガスバリア層をＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により１００ｎｍの厚みで形成
し、透明ガスバリアフィルムを得た。。更に詳しく説明
すると、真空槽を１×１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後に
アルゴンガスを圧力３×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続
いて全圧が４×１０-3Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを
導入して、シリコンターゲットを用いてＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により、該ＰＥＳフィルムの片面に
１００ｎｍの厚みの酸化珪素層を形成した。得られたフ
ィルムの光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透過
率、表面状態を実施例１と同様にして測定した。結果を
表１に併せて示す。
（ＳｉＯX ）からなる透明ガスバリア層をＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により１００ｎｍの厚みで形成
し、透明ガスバリアフィルムを得た。。更に詳しく説明
すると、真空槽を１×１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後に
アルゴンガスを圧力３×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続
いて全圧が４×１０-3Ｔｏｒｒになるように酸素ガスを
導入して、シリコンターゲットを用いてＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により、該ＰＥＳフィルムの片面に
１００ｎｍの厚みの酸化珪素層を形成した。得られたフ
ィルムの光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透過
率、表面状態を実施例１と同様にして測定した。結果を
表１に併せて示す。
【００３０】比較例２ 実施例１にて用いたＰＥＳフィルムの片面に、窒化珪素
（ＳｉＮX ）からなる透明ガスバリア層をＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により１００ｎｍの厚みで形成
し、透明ガスバリアフィルムを得た。。更に詳しく説明
すると、真空槽を１×１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後に
アルゴンガスを圧力３×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続
いて全圧が４×１０-3Ｔｏｒｒになるように窒素ガスを
導入して、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマグネ
トロンスパッタリング法により、該ＰＥＳフィルムの片
面に１００ｎｍの厚みの窒化珪素層を形成した。得られ
たフィルムの光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気
透過率、表面状態を実施例１と同様にして測定した。結
果を表１に併せて示す。
（ＳｉＮX ）からなる透明ガスバリア層をＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により１００ｎｍの厚みで形成
し、透明ガスバリアフィルムを得た。。更に詳しく説明
すると、真空槽を１×１０-3Ｔｏｒｒまで排気した後に
アルゴンガスを圧力３×１０-3Ｔｏｒｒまで導入し、続
いて全圧が４×１０-3Ｔｏｒｒになるように窒素ガスを
導入して、金属シリコンターゲットを用いてＤＣマグネ
トロンスパッタリング法により、該ＰＥＳフィルムの片
面に１００ｎｍの厚みの窒化珪素層を形成した。得られ
たフィルムの光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気
透過率、表面状態を実施例１と同様にして測定した。結
果を表１に併せて示す。
【００３１】比較例３ 実施例１において酸素を全圧が３．１×１０-3Ｔｏｒｒ
になるように導入し、さらに窒素を全圧が８×１０-3Ｔ
ｏｒｒになるように導入した以外は実施例１と同様にし
て透明導電性電極用基板を得た。得られた透明導電性電
極用基板の光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透
過率、表面状態および酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
になるように導入し、さらに窒素を全圧が８×１０-3Ｔ
ｏｒｒになるように導入した以外は実施例１と同様にし
て透明導電性電極用基板を得た。得られた透明導電性電
極用基板の光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透
過率、表面状態および酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
【００３２】比較例４ 実施例１において酸素を全圧が８×１０-3Ｔｏｒｒにな
るように導入し、さらに窒素を全圧が８．１×１０-3Ｔ
ｏｒｒになるように導入した以外は実施例１と同様にし
て透明導電性電極用基板を得た。得られた透明導電性電
極用基板の光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透
過率、表面状態および酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
るように導入し、さらに窒素を全圧が８．１×１０-3Ｔ
ｏｒｒになるように導入した以外は実施例１と同様にし
て透明導電性電極用基板を得た。得られた透明導電性電
極用基板の光線透過率、ヘーズ、酸素透過率、水蒸気透
過率、表面状態および酸素と窒素の割合を実施例１と同
様にして測定した。結果を表１に併せて示す。
【００３３】比較例５ 実施例１において用いたＰＥＳフィルムを透明ガスバリ
アフィルムとして用いた場合の光線透過率、酸素透過
率、水蒸気透過率を実施例１と同様にして測定した。結
果を表１に併せて示す。
アフィルムとして用いた場合の光線透過率、酸素透過
率、水蒸気透過率を実施例１と同様にして測定した。結
果を表１に併せて示す。
【００３４】
【表１】 酸素透過率の単位はｃｃ／ｍ2 ／２４ｈｒ ０％Ｒ．Ｈ． ：相対湿度０％ １００％Ｒ．Ｈ． ：相対湿度１００％ 水蒸気透過率の単位はｇ／ｍ2 ／２４ｎｒ ○：顕微鏡で見てクラック、ピンホールがない。 △：顕微鏡で見てクラック、ピンホールが少しある。 ×：顕微鏡で見てクラック、ピンホールが沢山ある。
【００３５】
【発明の効果】金属酸窒化物をガスバリア層として積層
すれば、従来の透明ガスバリアフィルムに比べて、ガス
バリア能が高く、しかも透明性が高く、クラック、ピン
ホール等の欠陥が存在しない耐久性の優れた透明ガスバ
リアフィルムが得られる。
すれば、従来の透明ガスバリアフィルムに比べて、ガス
バリア能が高く、しかも透明性が高く、クラック、ピン
ホール等の欠陥が存在しない耐久性の優れた透明ガスバ
リアフィルムが得られる。
フロントページの続き (72)発明者 小山 正人 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 原田 祐一郎 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 坂井 祥浩 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも片面にガスバリア層を有する
プラスチック基体からなる透明ガスバリアフィルムにお
いて、そのガスバリア層が金属酸窒化物（ＭＯX ＮY ：
ただし、Ｍは金属、Ｘは０．０５〜３．５、Ｙは０．０
３〜２．６である。）であること、およびその少なくと
も片面に透明電極層を持つことを特徴とする透明電極用
基板。 - 【請求項２】 金属酸窒化物が酸窒化珪素、酸窒化イン
ジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化
錫、酸窒化ほう素、酸窒化クロムの群から選ばれる単層
もしくは２種類以上の単層の積層体であることを特徴と
する請求項１記載の透明電極用基板。 - 【請求項３】 金属酸窒化物における酸素と窒素の割合
（Ｘ／Ｙ）が０．１〜１０．０であることを特徴とする
請求項１記載の透明電極用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20083494A JPH0862590A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 透明電極用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20083494A JPH0862590A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 透明電極用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862590A true JPH0862590A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16430986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20083494A Pending JPH0862590A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 透明電極用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862590A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19649761A1 (de) * | 1996-11-30 | 1998-06-10 | Ernst Lueder | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristall-Displays auf Kunststoff-Folien unter Verwendung von bistabilen Flüssigkristallen |
| JP2003115388A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器、及び有機偏光フィルム |
| JP2004202906A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | バリアフィルムとこれを用いた積層材、包装用容器、画像表示媒体およびバリアフィルムの製造方法 |
| JP2005131863A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Toyobo Co Ltd | ガスバリア性フィルム |
| JP2006512482A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-13 | エーブリー デニソン コーポレイション | 複合バリアフィルムおよび方法 |
| US7465482B2 (en) | 2001-10-10 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film, packaging material, container, lens, window, spectacles, recording medium, and deposition apparatus |
| JP2013512797A (ja) * | 2009-12-03 | 2013-04-18 | エルジー・ケム・リミテッド | バリアフィルム及びこれを含む電子装置 |
| WO2013073280A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 東海ゴム工業株式会社 | フィルム部材およびその製造方法 |
| US9506142B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-11-29 | Sumitomo Riko Company Limited | High density microwave plasma generation apparatus, and magnetron sputtering deposition system using the same |
-
1994
- 1994-08-25 JP JP20083494A patent/JPH0862590A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19649761C2 (de) * | 1996-11-30 | 2003-04-03 | Univ Stuttgart | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristall-Displays auf Kunststoff-Folien unter Verwendung von bistabilen Flüssigkristallen |
| DE19649761A1 (de) * | 1996-11-30 | 1998-06-10 | Ernst Lueder | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristall-Displays auf Kunststoff-Folien unter Verwendung von bistabilen Flüssigkristallen |
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| US7800099B2 (en) | 2001-10-01 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and organic polarizing film |
| US7465482B2 (en) | 2001-10-10 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film, packaging material, container, lens, window, spectacles, recording medium, and deposition apparatus |
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| US11283049B2 (en) | 2009-12-03 | 2022-03-22 | Lg Chem, Ltd. | Barrier film and an electronic device comprising the same |
| US9506142B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-11-29 | Sumitomo Riko Company Limited | High density microwave plasma generation apparatus, and magnetron sputtering deposition system using the same |
| WO2013073280A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 東海ゴム工業株式会社 | フィルム部材およびその製造方法 |
| JP2013108118A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Tokai Rubber Ind Ltd | フィルム部材およびその製造方法 |
| CN103958726A (zh) * | 2011-11-18 | 2014-07-30 | 东海橡塑工业株式会社 | 膜构件及其制造方法 |
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