JPH1035008A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPH1035008A JPH1035008A JP19088696A JP19088696A JPH1035008A JP H1035008 A JPH1035008 A JP H1035008A JP 19088696 A JP19088696 A JP 19088696A JP 19088696 A JP19088696 A JP 19088696A JP H1035008 A JPH1035008 A JP H1035008A
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Landscapes
- Laser Beam Printer (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的な走査駆動系を必要とすることなく、
安定で高画質の中間調画像を得ることのできる画像形成
装置を提供する。 【解決手段】 本発明では、複数の光ビームを取り出す
ことができるように構成された半導体レーザで１画素を
構成し、これらの光ビームの内任意の数の光ビームを取
り出すことができるように構成したことを特徴とする。
安定で高画質の中間調画像を得ることのできる画像形成
装置を提供する。 【解決手段】 本発明では、複数の光ビームを取り出す
ことができるように構成された半導体レーザで１画素を
構成し、これらの光ビームの内任意の数の光ビームを取
り出すことができるように構成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型画像形成装
置に係り、特に、レーザプリンタ、レーザビーム複写機
など、感光体面上を露光走査して画像を形成する装置に
使用され、特に１画素単位で露光領域の面積を可変に
し、階調記録を可能にする走査型画像形成装置に関す
る。
置に係り、特に、レーザプリンタ、レーザビーム複写機
など、感光体面上を露光走査して画像を形成する装置に
使用され、特に１画素単位で露光領域の面積を可変に
し、階調記録を可能にする走査型画像形成装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】階調表現のなされた画像情報をディザ法
により処理し、複数のレーザ発生源からのレーザ光を感
光体面上にビームスポットとして集光することにより結
像光学系とを具備し、１画素を複数のスポットにより形
成するビーム記録を行う複写装置が提案されている（特
開昭６３ー１７３０７４号）。この装置では、図１１に
示すように複数の半導体レーザ素子を１列に配列したレ
ーザ発生源１０１と、このレーザ発生源から放射された
複数のレーザ光を集光レンズ１０２により平行ビームと
して、回転多面鏡１０３とｆθレンズ１０４により感光
体１０５上に結像させ、露光走査を行う。また、レーザ
光の一部を反射鏡１０６を用いて光検出器１０７へ導
き、露光走査のための画像書き出しタイミングを決定す
る。
により処理し、複数のレーザ発生源からのレーザ光を感
光体面上にビームスポットとして集光することにより結
像光学系とを具備し、１画素を複数のスポットにより形
成するビーム記録を行う複写装置が提案されている（特
開昭６３ー１７３０７４号）。この装置では、図１１に
示すように複数の半導体レーザ素子を１列に配列したレ
ーザ発生源１０１と、このレーザ発生源から放射された
複数のレーザ光を集光レンズ１０２により平行ビームと
して、回転多面鏡１０３とｆθレンズ１０４により感光
体１０５上に結像させ、露光走査を行う。また、レーザ
光の一部を反射鏡１０６を用いて光検出器１０７へ導
き、露光走査のための画像書き出しタイミングを決定す
る。
【０００３】このように構成された従来の走査型画像形
成装置では、複数のビームを用いて１画素の濃度を変
え、階調表現を行うから、点灯時間を変える方式（パル
ス幅変調方式）と組み合わせることで、記録スピードを
早くしても階調数をあげると共に、解像度を向上させる
ことができるとしている。
成装置では、複数のビームを用いて１画素の濃度を変
え、階調表現を行うから、点灯時間を変える方式（パル
ス幅変調方式）と組み合わせることで、記録スピードを
早くしても階調数をあげると共に、解像度を向上させる
ことができるとしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な走査型画像形成装置では、複数のビームスポットを１
画素内に閉じこめるという要請から、レーザアレイの出
射点間隔に応じて結像光学系の集光倍率を一意的に決め
る必要がある。ところがこの場合集光倍率を、画素の大
きさに合わせてあらかじめ調整しておかなければならな
い。これら３者の組み合わせによっては画素内に隙間が
出来たり、適用可能な画素密度に限界が生じたりする恐
れがある。またレーザ素子や光学系は熱、振動などによ
って経時的変化を生じるから、初期設定が半永久的に保
持される保証はない。
な走査型画像形成装置では、複数のビームスポットを１
画素内に閉じこめるという要請から、レーザアレイの出
射点間隔に応じて結像光学系の集光倍率を一意的に決め
る必要がある。ところがこの場合集光倍率を、画素の大
きさに合わせてあらかじめ調整しておかなければならな
い。これら３者の組み合わせによっては画素内に隙間が
出来たり、適用可能な画素密度に限界が生じたりする恐
れがある。またレーザ素子や光学系は熱、振動などによ
って経時的変化を生じるから、初期設定が半永久的に保
持される保証はない。
【０００５】このように従来型の走査型画像形成装置は
初期設定のマージンが小さく手間がかかることに加え、
経時的な変化によっても画質の低下が懸念され、装置実
現の大きな障害となっていた。
初期設定のマージンが小さく手間がかかることに加え、
経時的な変化によっても画質の低下が懸念され、装置実
現の大きな障害となっていた。
【０００６】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、安定で高画質の中間調画像を得ることのできる画像
形成装置を提供することを目的とする。
で、安定で高画質の中間調画像を得ることのできる画像
形成装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、複数
の光ビームを取り出すことができるように構成された半
導体レーザで１画素を構成し、これらの光ビームの内任
意の数の光ビームを取り出すことができるように構成
し、階調表現を可能にしたことを特徴とする。
の光ビームを取り出すことができるように構成された半
導体レーザで１画素を構成し、これらの光ビームの内任
意の数の光ビームを取り出すことができるように構成
し、階調表現を可能にしたことを特徴とする。
【０００８】すなわち本発明の第１の特徴は、複数の光
ビームを独立して出力することができるように構成され
た半導体レーザ素子と、画像情報に応じて前記半導体レ
ーザ素子から選択的に出力された複数の光ビームによっ
て１画素を構成するように、感光体の画像形成面まで導
く光学手段とを具備し、前記画像情報に応じて、感光体
面上に静電潜像を形成するようにしたことにある。
ビームを独立して出力することができるように構成され
た半導体レーザ素子と、画像情報に応じて前記半導体レ
ーザ素子から選択的に出力された複数の光ビームによっ
て１画素を構成するように、感光体の画像形成面まで導
く光学手段とを具備し、前記画像情報に応じて、感光体
面上に静電潜像を形成するようにしたことにある。
【０００９】本発明の第２の特徴は、複数の光ビームを
独立して出力することができるように構成された半導体
レーザ素子を多数個アレイ状に配列してなる光源部と、
画像情報に応じて前記半導体レーザ素子から選択的に出
力された複数の光ビームによって１画素を構成するよう
に、感光体の画像形成面まで導く光学手段とを具備し、
前記画像情報に応じて、感光体面上に静電潜像を形成す
るようにしたことにある。
独立して出力することができるように構成された半導体
レーザ素子を多数個アレイ状に配列してなる光源部と、
画像情報に応じて前記半導体レーザ素子から選択的に出
力された複数の光ビームによって１画素を構成するよう
に、感光体の画像形成面まで導く光学手段とを具備し、
前記画像情報に応じて、感光体面上に静電潜像を形成す
るようにしたことにある。
【００１０】上記構成によれば、画素幅に対応した光ス
ポットによって１画素単位で感光体面上の露光領域の面
積を変化させることが容易に可能となり、これによって
安定して高画質の階調表現を行うことが可能となる。
ポットによって１画素単位で感光体面上の露光領域の面
積を変化させることが容易に可能となり、これによって
安定して高画質の階調表現を行うことが可能となる。
【００１１】なお前記構成によれば、複数の光ビームの
中心間距離が最大でも１画素の幅より大きくならないよ
うに構成され、画像データに応じて前記複数本の光ビー
ムの内、任意の数の光ビームを選択することにより、露
光領域の面積を可変にすることができ、階調表現を良好
に行うようにしている。
中心間距離が最大でも１画素の幅より大きくならないよ
うに構成され、画像データに応じて前記複数本の光ビー
ムの内、任意の数の光ビームを選択することにより、露
光領域の面積を可変にすることができ、階調表現を良好
に行うようにしている。
【００１２】又、複数の半導体レーザ素子をアレイ状に
配列して光源を形成し、感光体幅分の露光領域を形成す
ることができるようにすれば、副走査方向での機械的走
査が不要となり、容易に高精度の中間調画像を形成する
ことが可能となる。又この光源は１枚の基板上に一体的
に形成され一方の電極のみを分割電極として形成するよ
うにすれば、小型で製造が容易でかつ信頼性の高い光源
を得ることが可能となる。さらにまた、複数のビームス
ポットを１画素内に導く際、元々の光源の光スポット間
隔を画素幅に合わせ、等倍率の結像光学系を用いて実現
することができ、スポット系や結像光学系の集光倍率
を、画素の大きさに合わせて調整する初期設定の手間を
大幅に簡略化することが可能となる。また機械的な走査
駆動系を用いなくてもよいため、振動などに起因する経
時的な光学系の変化に対しても、影響を受けにくく安定
で再現性の高い階調表現を行うことが可能となる。
配列して光源を形成し、感光体幅分の露光領域を形成す
ることができるようにすれば、副走査方向での機械的走
査が不要となり、容易に高精度の中間調画像を形成する
ことが可能となる。又この光源は１枚の基板上に一体的
に形成され一方の電極のみを分割電極として形成するよ
うにすれば、小型で製造が容易でかつ信頼性の高い光源
を得ることが可能となる。さらにまた、複数のビームス
ポットを１画素内に導く際、元々の光源の光スポット間
隔を画素幅に合わせ、等倍率の結像光学系を用いて実現
することができ、スポット系や結像光学系の集光倍率
を、画素の大きさに合わせて調整する初期設定の手間を
大幅に簡略化することが可能となる。また機械的な走査
駆動系を用いなくてもよいため、振動などに起因する経
時的な光学系の変化に対しても、影響を受けにくく安定
で再現性の高い階調表現を行うことが可能となる。
【００１３】なお、このような半導体レーザ素子を走査
光学系の光源として用い、半導体レーザ素子の光を走査
することにより、感光体上に静電潜像を順次形成してい
くようにしてもよい。
光学系の光源として用い、半導体レーザ素子の光を走査
することにより、感光体上に静電潜像を順次形成してい
くようにしてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面を参
照しつつ説明する。
照しつつ説明する。
【００１５】図１は本発明の第１の実施例の画像形成装
置に用いられる分割ストライプ型半導体レーザ装置を示
す断面説明図である。
置に用いられる分割ストライプ型半導体レーザ装置を示
す断面説明図である。
【００１６】この分割ストライプ型半導体レーザ装置
は、ｎ型ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１上に形成され
たｎ型のＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓからなる下部クラッド層２
と、この下部クラッド層２上に形成されたアンドープの
Ａｌ0.11Ｇａ0.89量子井戸層とアンドープのＡｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓ障壁層とからなる量子井戸活性層３と、ｐ型
のＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓからなる上部クラッド層４と、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層５が順次積層せしめられ、発光
個所を限定するためにプロトン注入により高抵抗領域６
が部分的に形成されている。そしてプロトン注入を施さ
なかった個所の下方の活性領域が発光部となる。また各
々の発光部の上方には、活性層に電流を注入するために
複数に分割形成されたＣｒ／Ａｕの２層構造からなるｐ
側電極７が形成され、裏面にはＡｕ−Ｇｅ／Ａｕの２層
構造からなるｎ側電極８が形成されている。
は、ｎ型ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１上に形成され
たｎ型のＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓからなる下部クラッド層２
と、この下部クラッド層２上に形成されたアンドープの
Ａｌ0.11Ｇａ0.89量子井戸層とアンドープのＡｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓ障壁層とからなる量子井戸活性層３と、ｐ型
のＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓからなる上部クラッド層４と、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層５が順次積層せしめられ、発光
個所を限定するためにプロトン注入により高抵抗領域６
が部分的に形成されている。そしてプロトン注入を施さ
なかった個所の下方の活性領域が発光部となる。また各
々の発光部の上方には、活性層に電流を注入するために
複数に分割形成されたＣｒ／Ａｕの２層構造からなるｐ
側電極７が形成され、裏面にはＡｕ−Ｇｅ／Ａｕの２層
構造からなるｎ側電極８が形成されている。
【００１７】ここでは、３つの発光点で１画素を形成す
るように構成されており、１画素の幅は装置に要求され
る画素密度によって決り、例えば画素密度１２００ｄｐ
ｉではこの幅が２１．１７μｍとなり、従って３つの発
光点間隔は約７μｍとする必要がある。
るように構成されており、１画素の幅は装置に要求され
る画素密度によって決り、例えば画素密度１２００ｄｐ
ｉではこの幅が２１．１７μｍとなり、従って３つの発
光点間隔は約７μｍとする必要がある。
【００１８】次に、このレーザ装置の動作について説明
する。この装置では図２に示すように３つの分割電極７
Ａ，７Ｂ，７Ｃに対応する発光点を選択することによ
り、露光領域の面積を変化させることが可能となり、４
階調を得ることができるものである。この発光点の選択
とそれによって得られる発光パターンとの関係を表１に
示す。
する。この装置では図２に示すように３つの分割電極７
Ａ，７Ｂ，７Ｃに対応する発光点を選択することによ
り、露光領域の面積を変化させることが可能となり、４
階調を得ることができるものである。この発光点の選択
とそれによって得られる発光パターンとの関係を表１に
示す。
【００１９】この電極に一定の電圧を印加することによ
って対応するレーザを駆動することができる。
って対応するレーザを駆動することができる。
【００２０】 ここでＯＮ／しきい値電流以上，ＯＦＦ／しきい値電流
以下 この図にあるパターン１からパターン３に加えていずれ
のレーザも駆動させない場合を加えて４通りの発光パタ
ーンを得ることができる。
以下 この図にあるパターン１からパターン３に加えていずれ
のレーザも駆動させない場合を加えて４通りの発光パタ
ーンを得ることができる。
【００２１】この光を結像光学系を用いて感光体面上に
導入することで露光領域の面積を変化させることが可能
となり、画像形成において４階調を得ることができるこ
とになる。
導入することで露光領域の面積を変化させることが可能
となり、画像形成において４階調を得ることができるこ
とになる。
【００２２】実際の感光ドラム２４面上での露光の状態
を図３に示す。画素区画２８には前述した４つのパター
ンでレーザスポット２７が照射され、露光がなされる。
なおこの画素区画２８は仮想的なものである。
を図３に示す。画素区画２８には前述した４つのパター
ンでレーザスポット２７が照射され、露光がなされる。
なおこの画素区画２８は仮想的なものである。
【００２３】次にこの分割ストライプ型半導体レーザ装
置の製造工程について説明する。
置の製造工程について説明する。
【００２４】まず、図４に示すように、有機金属気相成
長（ＭＯＣＶＤ）法により、ｎ型ガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）（１００）基板１上に、ｎ型のＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
からなる下部クラッド層２と、アンドープのＡｌ0.11Ｇ
ａ0.89量子井戸層とアンドープのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障
壁層とからなる量子井戸活性層３と、 ｐ型のＡｌ0.6Ｇ
ａ0.4Ａｓからなる上部クラッド層４と、 ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層５とを順次積層する。そして基板を成長室
から取出し、レジストを塗布しフォトリソグラフィ技術
により、図５に示すように、レジストマスク９を形成す
る。そしてこのレジストマスク９を介してプロトン注入
を行いｐ型の上部クラッド層４半ばまで到達するように
高抵抗領域６を形成する。この後再びフォトレジスト１
０を塗布し、一旦有機系溶剤の一種であるモノクロロベ
ンゼン中に基板を浸すことにより、レジスト１０の表面
の一部を硬化せしめ、図６に示すように硬化部分１１を
形成する。
長（ＭＯＣＶＤ）法により、ｎ型ガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）（１００）基板１上に、ｎ型のＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
からなる下部クラッド層２と、アンドープのＡｌ0.11Ｇ
ａ0.89量子井戸層とアンドープのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ障
壁層とからなる量子井戸活性層３と、 ｐ型のＡｌ0.6Ｇ
ａ0.4Ａｓからなる上部クラッド層４と、 ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層５とを順次積層する。そして基板を成長室
から取出し、レジストを塗布しフォトリソグラフィ技術
により、図５に示すように、レジストマスク９を形成す
る。そしてこのレジストマスク９を介してプロトン注入
を行いｐ型の上部クラッド層４半ばまで到達するように
高抵抗領域６を形成する。この後再びフォトレジスト１
０を塗布し、一旦有機系溶剤の一種であるモノクロロベ
ンゼン中に基板を浸すことにより、レジスト１０の表面
の一部を硬化せしめ、図６に示すように硬化部分１１を
形成する。
【００２５】そしてこの後図７に示すように、フォトリ
ソグラフィを行いレジストパターンを形成することによ
り硬化部分がエッチングされにくく、表面に傘状の部分
１２を有するレジストパターン１０が得られる。
ソグラフィを行いレジストパターンを形成することによ
り硬化部分がエッチングされにくく、表面に傘状の部分
１２を有するレジストパターン１０が得られる。
【００２６】この後、図８に示すように、この上層に電
子ビーム蒸着法により、Ｃｒ／Ａｕからなるｐ側電極７
を形成する。
子ビーム蒸着法により、Ｃｒ／Ａｕからなるｐ側電極７
を形成する。
【００２７】そしてリフトオフによりレジストパターン
１０を除去し図９に示すように表面に分割電極７Ａ、７
Ｂ、７Ｃを形成する。さらに、裏面には一体的にＡｕ−
Ｇｅ／Ａｕからなるｎ側電極８を形成する。
１０を除去し図９に示すように表面に分割電極７Ａ、７
Ｂ、７Ｃを形成する。さらに、裏面には一体的にＡｕ−
Ｇｅ／Ａｕからなるｎ側電極８を形成する。
【００２８】このようにして得られたレーザ基板をへき
開してキャビティを形成しヒートシンクモジュールなど
にダイボンディングすれば、端面発光タイプの分割スト
ライプ型半導体レーザ素子を得ることができる。
開してキャビティを形成しヒートシンクモジュールなど
にダイボンディングすれば、端面発光タイプの分割スト
ライプ型半導体レーザ素子を得ることができる。
【００２９】このようにして形成された分割ストライプ
型半導体レーザ装置を用いた走査型画像形成装置につい
て説明する。この装置は図１０(a)および(b)にそれぞれ
側面図および平面図を示すように、前述した半導体レー
ザ素子２１の出射端の先にレーザビーム２５のスポット
径を制御するスリット２２を配設し、結像レンズ２３を
介してレーザビーム２５を感光体ドラム２４に導くよう
に構成されている。
型半導体レーザ装置を用いた走査型画像形成装置につい
て説明する。この装置は図１０(a)および(b)にそれぞれ
側面図および平面図を示すように、前述した半導体レー
ザ素子２１の出射端の先にレーザビーム２５のスポット
径を制御するスリット２２を配設し、結像レンズ２３を
介してレーザビーム２５を感光体ドラム２４に導くよう
に構成されている。
【００３０】この装置では半導体レーザ素子２１は感光
体ドラム２４の横幅の長さに相当する発光領域を有する
から、結像レンズ２３の倍率は等倍でよい。また、端面
発光型レーザを用いた場合、感光体ドラム面での光スポ
ット形状は主走査方向が長手方向となる楕円になり、階
調を表現するのに必ずしも適当出ないから、スリット２
２をつかって副走査方向に長手方向を有する楕円に変換
しておくとよい。
体ドラム２４の横幅の長さに相当する発光領域を有する
から、結像レンズ２３の倍率は等倍でよい。また、端面
発光型レーザを用いた場合、感光体ドラム面での光スポ
ット形状は主走査方向が長手方向となる楕円になり、階
調を表現するのに必ずしも適当出ないから、スリット２
２をつかって副走査方向に長手方向を有する楕円に変換
しておくとよい。
【００３１】感光体ドラムの有効幅を２９７ｍｍとすれ
ば，１２００ｄｐｉの画素密度で１画素に対して３スポ
ットを対応させて書き込みを行う場合、素子全体のスポ
ット数は必ずしもすべてのスポットを同時に光らせる必
要はないから、例えば１画素のための３スポットの駆動
を走査方向へ順次移動させていくようにしてもよい。な
お、前記実施例では各半導体層は有機金属気相成長法で
形成したが、これに限定されることなく分子線エピタキ
シー（ＭＢＥ）法などによっても良い。
ば，１２００ｄｐｉの画素密度で１画素に対して３スポ
ットを対応させて書き込みを行う場合、素子全体のスポ
ット数は必ずしもすべてのスポットを同時に光らせる必
要はないから、例えば１画素のための３スポットの駆動
を走査方向へ順次移動させていくようにしてもよい。な
お、前記実施例では各半導体層は有機金属気相成長法で
形成したが、これに限定されることなく分子線エピタキ
シー（ＭＢＥ）法などによっても良い。
【００３２】また、前記実施例では、量子井戸活性層を
構成する材料としてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体を
用いたが、これに限定されることなく、例えば量子井戸
活性層にＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ系半導体を用いる
ことも可能である。画像形成のために用いられるレーザ
の波長は感光体ドラムの波長特性によって決まり、通常
は８８０ｎｍ以下の波長の光が用いられる。 また、本
発明の第２の実施例として、図１に示したような半導体
レーザ素子または半導体レーザ素子アレイを走査光学系
の光源として用い、図１１に示した構成で用いることが
可能である事はいうまでもない。
構成する材料としてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系半導体を
用いたが、これに限定されることなく、例えば量子井戸
活性層にＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ系半導体を用いる
ことも可能である。画像形成のために用いられるレーザ
の波長は感光体ドラムの波長特性によって決まり、通常
は８８０ｎｍ以下の波長の光が用いられる。 また、本
発明の第２の実施例として、図１に示したような半導体
レーザ素子または半導体レーザ素子アレイを走査光学系
の光源として用い、図１１に示した構成で用いることが
可能である事はいうまでもない。
【００３３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、高解像度で高品質の画像を得ることが可能となる。
ば、高解像度で高品質の画像を得ることが可能となる。
【図１】本発明実施例の分割ストライプ型半導体レーザ
装置を示す図
装置を示す図
【図２】同半導体レーザ装置の動作例を示す図
【図３】同半導体レーザ装置を用いて１画素を形成する
ための方法を示す説明図
ための方法を示す説明図
【図４】同半導体レーザ装置の製造工程図
【図５】同半導体レーザ装置の製造工程図
【図６】同半導体レーザ装置の製造工程図
【図７】同半導体レーザ装置の製造工程図
【図８】同半導体レーザ装置の製造工程図
【図９】同半導体レーザ装置の製造工程図
【図１０】本発明実施例の分割ストライプ型半導体レー
ザ装置を用いた画像形成装置を示す説明図
ザ装置を用いた画像形成装置を示す説明図
【図１１】画像形成装置を示す図
１ ｎ型ガリウムひ素（ＧａＡｓ）基板 ２ ｎ型下部クラッド層 ３ 量子井戸活性層 ４ ｐ型上部クラッド層 ５ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ６ 高抵抗領域 ７ ｐ側電極 ８ ｎ側電極 ９ レジストマスク １０ レジストマスク １１ 硬化部分 １２ レジストの傘部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬古 保次 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の光ビームを独立して出力すること
ができるように構成された半導体レーザ素子と、 画像情報に応じて前記半導体レーザ素子から選択的に出
力された複数の光ビームによって１画素を構成するよう
に、感光体の画像形成面まで導く光学手段とを具備し、 前記画像情報に応じて、感光体面上に静電潜像を形成す
るようにしたことを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】 複数の光ビームを独立して出力すること
ができるように構成された半導体レーザ素子を多数個ア
レイ状に配列してなる光源部と、 画像情報に応じて前記半導体レーザ素子から選択的に出
力された複数の光ビームによって１画素を構成するよう
に、感光体の画像形成面まで導く光学手段とを具備し、 前記画像情報に応じて、感光体面上に静電潜像を形成す
るようにしたことを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19088696A JPH1035008A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19088696A JPH1035008A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1035008A true JPH1035008A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16265386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19088696A Pending JPH1035008A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1035008A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7742067B2 (en) | 2007-05-14 | 2010-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus having a exposure control unit capable of changing an exposure ratio between a first exposure ratio and a second exposure ratio different from the first exposure ratio when a first exposure unit or second exposure unit exposes an image carrier on the basis of image data for forming an image with a certain density |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP19088696A patent/JPH1035008A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7742067B2 (en) | 2007-05-14 | 2010-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus having a exposure control unit capable of changing an exposure ratio between a first exposure ratio and a second exposure ratio different from the first exposure ratio when a first exposure unit or second exposure unit exposes an image carrier on the basis of image data for forming an image with a certain density |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040713 |