JPH1036166A - 低温焼成磁器組成物 - Google Patents
低温焼成磁器組成物Info
- Publication number
- JPH1036166A JPH1036166A JP8192477A JP19247796A JPH1036166A JP H1036166 A JPH1036166 A JP H1036166A JP 8192477 A JP8192477 A JP 8192477A JP 19247796 A JP19247796 A JP 19247796A JP H1036166 A JPH1036166 A JP H1036166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low
- porcelain composition
- glass
- temperature
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波域における比誘電率が５以下であって２
００ＭＰａ以上の抗折強度を有し、かつ９００〜１００
０℃で焼成可能であり、同時焼成でＣｕ、Ａｇ、Ａｕを
配線導体とした多層化が可能な高周波用のアンテナ用基
板材料又は各種配線基板材料に好適な低温焼成磁器組成
物を得る。 【解決手段】９００〜１０００℃の焼成温度で緻密化す
る焼結体で、その組成が５〜２０重量％のＢ2 Ｏ3 −Ｚ
ｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスと、酸
化物換算で１〜１０重量％のＬｉと、７９〜９０重量％
のＳｉＯ2 から成り、９００〜１０００℃の焼成温度で
緻密化する焼結体で、その比誘電率が５以下で、抗折強
度が２００ＭＰａ以上である。
００ＭＰａ以上の抗折強度を有し、かつ９００〜１００
０℃で焼成可能であり、同時焼成でＣｕ、Ａｇ、Ａｕを
配線導体とした多層化が可能な高周波用のアンテナ用基
板材料又は各種配線基板材料に好適な低温焼成磁器組成
物を得る。 【解決手段】９００〜１０００℃の焼成温度で緻密化す
る焼結体で、その組成が５〜２０重量％のＢ2 Ｏ3 −Ｚ
ｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスと、酸
化物換算で１〜１０重量％のＬｉと、７９〜９０重量％
のＳｉＯ2 から成り、９００〜１０００℃の焼成温度で
緻密化する焼結体で、その比誘電率が５以下で、抗折強
度が２００ＭＰａ以上である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低抵抗の銅（Ｃ
ｕ）や銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）等と同時焼成が
可能な低温焼成磁器組成物に関するもので、とりわけ比
誘電率と誘電正接が小さい程、優れた放射特性を示すア
ンテナ用材料や、信号の伝搬遅延時間及び伝送損失を小
さくすることが可能な高周波多層配線基板用材料等に好
適な低温焼成磁器組成物に関するものである。
ｕ）や銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）等と同時焼成が
可能な低温焼成磁器組成物に関するもので、とりわけ比
誘電率と誘電正接が小さい程、優れた放射特性を示すア
ンテナ用材料や、信号の伝搬遅延時間及び伝送損失を小
さくすることが可能な高周波多層配線基板用材料等に好
適な低温焼成磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より各種アンテナ用材料としては、
比誘電率が２〜３と小さく加工性に優れたテフロンや、
比誘電率は９〜１０、あるいは１２〜１３と前記テフロ
ンよりはそれぞれ大きいものの、特に高周波の信号を中
間周波の信号に変換して送受信する回路（ＲＦ／ＩＦ回
路）を有するアンテナでは、配線基板との比誘電率が同
程度であり前記回路との一体化に優れるアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等や、前記テフロ
ンとＡｌ2 Ｏ3 やＧａＡｓの中間の特性を有する比誘電
率が４〜５を示す石英等が用いられている。
比誘電率が２〜３と小さく加工性に優れたテフロンや、
比誘電率は９〜１０、あるいは１２〜１３と前記テフロ
ンよりはそれぞれ大きいものの、特に高周波の信号を中
間周波の信号に変換して送受信する回路（ＲＦ／ＩＦ回
路）を有するアンテナでは、配線基板との比誘電率が同
程度であり前記回路との一体化に優れるアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等や、前記テフロ
ンとＡｌ2 Ｏ3 やＧａＡｓの中間の特性を有する比誘電
率が４〜５を示す石英等が用いられている。
【０００３】前記アンテナ用材料の特性に影響するもの
としては、誘電体損や導体損、放射損等の各種損失があ
り、とりわけ前記導体損を低減するためには導体抵抗を
小さくするとともに、前記誘電体損を低減するために比
誘電率と誘電正接が小さいことが望ましい。
としては、誘電体損や導体損、放射損等の各種損失があ
り、とりわけ前記導体損を低減するためには導体抵抗を
小さくするとともに、前記誘電体損を低減するために比
誘電率と誘電正接が小さいことが望ましい。
【０００４】そこで、導体抵抗の小さい材料としてＣｕ
やＡｇ、Ａｕ等を用い、前記テフロンやＡｌ2 Ｏ3 、Ｇ
ａＡｓ等の絶縁基体に配線パターンを形成することが考
えられるが、これら絶縁基体に前記低抵抗導体で所定の
配線パターンを形成するには、一般に銅箔貼付法やスパ
ッタリング法、フォトリソグラフ法等を採用しなければ
ならない。
やＡｇ、Ａｕ等を用い、前記テフロンやＡｌ2 Ｏ3 、Ｇ
ａＡｓ等の絶縁基体に配線パターンを形成することが考
えられるが、これら絶縁基体に前記低抵抗導体で所定の
配線パターンを形成するには、一般に銅箔貼付法やスパ
ッタリング法、フォトリソグラフ法等を採用しなければ
ならない。
【０００５】しかしながら、アンテナ材料としては前記
銅箔貼付法では一層当たりの厚さが厚くなること、また
スパッタリング法では単板にしか適用できないこと、フ
ォトリソグラフ法では所定の厚さ範囲内で多数の積層は
可能ではあるものの、多くの工程を必要とし、製造コス
トの増加を招くこと等から、前記低抵抗導体で配線パタ
ーンを形成しても積層数が制限されるか、積層すること
自体が困難であるという問題があった。
銅箔貼付法では一層当たりの厚さが厚くなること、また
スパッタリング法では単板にしか適用できないこと、フ
ォトリソグラフ法では所定の厚さ範囲内で多数の積層は
可能ではあるものの、多くの工程を必要とし、製造コス
トの増加を招くこと等から、前記低抵抗導体で配線パタ
ーンを形成しても積層数が制限されるか、積層すること
自体が困難であるという問題があった。
【０００６】一方、高周波多層配線基板用材料として
は、従来から配線基板用として多用されてきたアルミナ
セラミックスでは、焼成温度が１５００〜１６００℃と
高いことから、同時焼成可能な配線導体としては導体抵
抗が高いタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の
高融点金属を使用しなければならず、そのために高周波
域においては高い導体抵抗が信号の伝送損失を大きくし
てしまうという問題があった。
は、従来から配線基板用として多用されてきたアルミナ
セラミックスでは、焼成温度が１５００〜１６００℃と
高いことから、同時焼成可能な配線導体としては導体抵
抗が高いタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の
高融点金属を使用しなければならず、そのために高周波
域においては高い導体抵抗が信号の伝送損失を大きくし
てしまうという問題があった。
【０００７】その上、近年の高度情報化時代にあって
は、情報伝達はより高速化、高周波化が進み、搭載され
る半導体素子もより高速化、高集積化され、更に実装の
より高密度化が要求されるようになっており、従来のア
ルミナセラミックスでは比誘電率が３ＧＨｚの周波数域
で９〜９．５程度とかなり大きいことから、アルミナセ
ラミックス自体が昨今の高周波用の配線基板材料として
は不適当であると言われている。
は、情報伝達はより高速化、高周波化が進み、搭載され
る半導体素子もより高速化、高集積化され、更に実装の
より高密度化が要求されるようになっており、従来のア
ルミナセラミックスでは比誘電率が３ＧＨｚの周波数域
で９〜９．５程度とかなり大きいことから、アルミナセ
ラミックス自体が昨今の高周波用の配線基板材料として
は不適当であると言われている。
【０００８】そこで、前記低抵抗のＣｕやＡｇ、Ａｕ等
から成る配線導体を簡便なスクリーン印刷法で形成で
き、積層も容易かつ同時焼成可能な低温焼成磁器組成物
として、例えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ等を主
成分とするガラス組成物とセラミックスの混合物から成
るガラスセラミックスが提案されているが、機械的強度
の更なる向上、及び演算処理の高速化の要求は更に高ま
り、高強度でより低い比誘電率を有するガラスセラミッ
クスの開発が望まれている。
から成る配線導体を簡便なスクリーン印刷法で形成で
き、積層も容易かつ同時焼成可能な低温焼成磁器組成物
として、例えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ等を主
成分とするガラス組成物とセラミックスの混合物から成
るガラスセラミックスが提案されているが、機械的強度
の更なる向上、及び演算処理の高速化の要求は更に高ま
り、高強度でより低い比誘電率を有するガラスセラミッ
クスの開発が望まれている。
【０００９】その結果、１０００℃以下の低温焼成が可
能で、十分な機械的強度が確保でき、高速演算処理に十
分対応可能なより低い比誘電率を有する配線基板材料と
して、ホウケイ酸ガラスとコージェライト、及びアルミ
ナから成るガラスセラミックスが提案されている（特開
平４−２３８８３８号公報参照）。
能で、十分な機械的強度が確保でき、高速演算処理に十
分対応可能なより低い比誘電率を有する配線基板材料と
して、ホウケイ酸ガラスとコージェライト、及びアルミ
ナから成るガラスセラミックスが提案されている（特開
平４−２３８８３８号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記提
案のガラスセラミックスは、比誘電率を４〜５程度とす
ることは可能なものの、抗折強度が１００〜１５０ＭＰ
ａ程度と低く、アンテナ用や高周波用の各種材料として
要求される比誘電率、及び機械的強度等の諸特性全てを
必ずしも満足するものではないという課題があった。
案のガラスセラミックスは、比誘電率を４〜５程度とす
ることは可能なものの、抗折強度が１００〜１５０ＭＰ
ａ程度と低く、アンテナ用や高周波用の各種材料として
要求される比誘電率、及び機械的強度等の諸特性全てを
必ずしも満足するものではないという課題があった。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、前記課題を解消せんとして成
されたもので、その目的は、高周波域における比誘電率
が５以下であって２００ＭＰａ以上の抗折強度を有し、
かつ９００〜１０００℃の温度で焼成可能であり、同時
焼成でＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等の低抵抗材料を配線導体とし
た多層化が可能な高周波用のアンテナ用基板材料あるい
は各種配線基板材料に好適な低温焼成磁器組成物を提供
することにある。
されたもので、その目的は、高周波域における比誘電率
が５以下であって２００ＭＰａ以上の抗折強度を有し、
かつ９００〜１０００℃の温度で焼成可能であり、同時
焼成でＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等の低抵抗材料を配線導体とし
た多層化が可能な高周波用のアンテナ用基板材料あるい
は各種配線基板材料に好適な低温焼成磁器組成物を提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を鋭意検討した結果、軟化点が約５６０℃であるＢ2Ｏ
3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラス
と、比誘電率が約３．７のＳｉＯ2 、及びＬｉの酸化物
から成るフィラーを用い、前記ガラスに対するそれらフ
ィラーの組成比を大とすることにより、焼成温度を１０
００℃以下と低くすることが可能となるとともに、比誘
電率及び誘電正接をも低くすることが可能となり、かつ
十分な強度も確保できることを知見し、本発明に至っ
た。
を鋭意検討した結果、軟化点が約５６０℃であるＢ2Ｏ
3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラス
と、比誘電率が約３．７のＳｉＯ2 、及びＬｉの酸化物
から成るフィラーを用い、前記ガラスに対するそれらフ
ィラーの組成比を大とすることにより、焼成温度を１０
００℃以下と低くすることが可能となるとともに、比誘
電率及び誘電正接をも低くすることが可能となり、かつ
十分な強度も確保できることを知見し、本発明に至っ
た。
【００１３】即ち、本発明の低温焼成磁器組成物は、９
００〜１０００℃の焼成温度で緻密化する焼結体で、そ
の組成が５〜２０重量％の軟化点が約５６０℃であるＢ
2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガ
ラスと、酸化物換算で１〜１０重量％のＬｉと、７９〜
９０重量％のＳｉＯ2 から成り、得られた焼結体の比誘
電率が５以下で、抗折強度が２００ＭＰａ以上であるこ
とを特徴とするものである。
００〜１０００℃の焼成温度で緻密化する焼結体で、そ
の組成が５〜２０重量％の軟化点が約５６０℃であるＢ
2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガ
ラスと、酸化物換算で１〜１０重量％のＬｉと、７９〜
９０重量％のＳｉＯ2 から成り、得られた焼結体の比誘
電率が５以下で、抗折強度が２００ＭＰａ以上であるこ
とを特徴とするものである。
【００１４】また、前記Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −
Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスが８〜１６重量％と、Ｌ
ｉが酸化物換算で４〜８重量％と、ＳｉＯ2 が８０〜８
７重量％から成るものがより望ましい。
Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスが８〜１６重量％と、Ｌ
ｉが酸化物換算で４〜８重量％と、ＳｉＯ2 が８０〜８
７重量％から成るものがより望ましい。
【００１５】
【作用】本発明の低温焼成磁器組成物によれば、Ｂ2 Ｏ
3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラス
を用いることにより、Ｌｉ及びＳｉＯ2 より成るフィラ
ー粒子中に分散させた前記ガラスは、低温で流動してフ
ィラーを濡らし、少量でフィラー間の空隙を充填するこ
とができる。
3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラス
を用いることにより、Ｌｉ及びＳｉＯ2 より成るフィラ
ー粒子中に分散させた前記ガラスは、低温で流動してフ
ィラーを濡らし、少量でフィラー間の空隙を充填するこ
とができる。
【００１６】また、フィラー成分として用いるＬｉは、
前記ガラスの軟化点を更に低下するように作用し、同じ
くＳｉＯ2 はそれ自体、比誘電率が３〜４と低く、前記
ガラスとＳｉＯ2 から成るガラスセラミックスのガラス
は結晶化していないことから、比誘電率が４〜５程度と
なる。
前記ガラスの軟化点を更に低下するように作用し、同じ
くＳｉＯ2 はそれ自体、比誘電率が３〜４と低く、前記
ガラスとＳｉＯ2 から成るガラスセラミックスのガラス
は結晶化していないことから、比誘電率が４〜５程度と
なる。
【００１７】一方、前記ＳｉＯ2 は誘電正接が約０．０
００８と小さいことから、ガラスセラミックス中の組成
比を大きくすることにより、その誘電正接も小さくで
き、高周波用に最適な低い比誘電率と誘電正接を得るこ
とができる。
００８と小さいことから、ガラスセラミックス中の組成
比を大きくすることにより、その誘電正接も小さくで
き、高周波用に最適な低い比誘電率と誘電正接を得るこ
とができる。
【００１８】更に、前記ガラスとＳｉＯ2 だけでは、緻
密な焼結体が得られない場合もあるが、Ｌｉを含有させ
ることで前記ガラスの軟化点が低下することから緻密化
が可能となると考えられ、得られた焼結体の強度は高く
なる。
密な焼結体が得られない場合もあるが、Ｌｉを含有させ
ることで前記ガラスの軟化点が低下することから緻密化
が可能となると考えられ、得られた焼結体の強度は高く
なる。
【００１９】更に、本発明の低温焼成磁器組成物は、９
００〜１０００℃の低温度でＣｕ、Ａｇ、Ａｕの配線導
体と同時に焼成できることから、これらの配線導体を具
備した多層配線基板等の微細配線化が容易に達成できる
ことになる。
００〜１０００℃の低温度でＣｕ、Ａｇ、Ａｕの配線導
体と同時に焼成できることから、これらの配線導体を具
備した多層配線基板等の微細配線化が容易に達成できる
ことになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の低温焼成磁器組成物中の
Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系
ガラスが５重量％未満の場合、他のフィラーの量が所定
範囲内であっても、フィラー粒子間の空隙が充填され
ず、焼結不良となり、緻密な焼結体が得られず、逆に２
０重量％を越えると過焼結となり、ボイドが発生して同
様に緻密な焼結体が得られなくなる。
Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系
ガラスが５重量％未満の場合、他のフィラーの量が所定
範囲内であっても、フィラー粒子間の空隙が充填され
ず、焼結不良となり、緻密な焼結体が得られず、逆に２
０重量％を越えると過焼結となり、ボイドが発生して同
様に緻密な焼結体が得られなくなる。
【００２１】従って、前記ガラスの量は５〜２０重量％
に特定され、特に強度を大とし誘電正接を小さくすると
いう点からは、８〜１６重量％がより望ましい。
に特定され、特に強度を大とし誘電正接を小さくすると
いう点からは、８〜１６重量％がより望ましい。
【００２２】また、前記ガラスとＳｉＯ2 の量はそれぞ
れ限定範囲内であってもＬｉの含有量が１重量％未満の
場合には、前記ガラスの軟化点が下がらないことから緻
密な焼結体が得られず、１０重量％を越えると過焼結と
なり、ボイドが発生して焼結不良となる。
れ限定範囲内であってもＬｉの含有量が１重量％未満の
場合には、前記ガラスの軟化点が下がらないことから緻
密な焼結体が得られず、１０重量％を越えると過焼結と
なり、ボイドが発生して焼結不良となる。
【００２３】従って、前記Ｌｉの量は酸化物換算で１〜
１０重量％となり、より望ましくは４〜８重量％とな
る。
１０重量％となり、より望ましくは４〜８重量％とな
る。
【００２４】一方、ＳｉＯ2 の量が７９重量％未満の場
合、ガラス量が多く成り過ぎて過焼結となり、９０重量
％を越えると逆にガラス量が少な過ぎて焼結不良とな
り、いずれの場合も誘電正接が大となる。
合、ガラス量が多く成り過ぎて過焼結となり、９０重量
％を越えると逆にガラス量が少な過ぎて焼結不良とな
り、いずれの場合も誘電正接が大となる。
【００２５】従って、ＳｉＯ2 の量は、７９〜９０重量
％に特定され、誘電正接の点からは、８０〜８７重量％
がより好適である。
％に特定され、誘電正接の点からは、８０〜８７重量％
がより好適である。
【００２６】次に、焼成温度が９００℃未満の場合に
は、原料の配合量がそれぞれ所定の量であっても焼結不
良となるものがあり、得られる焼結体は強度が低く、誘
電正接が大となり、逆に１０００℃を越えると過焼結と
なるものが多く、焼結不良の場合と同じく得られた焼結
体は強度が低く、誘電正接が大となる他、ＣｕやＡｇ、
Ａｕの導体を用いて同時焼成することができなくなる。
は、原料の配合量がそれぞれ所定の量であっても焼結不
良となるものがあり、得られる焼結体は強度が低く、誘
電正接が大となり、逆に１０００℃を越えると過焼結と
なるものが多く、焼結不良の場合と同じく得られた焼結
体は強度が低く、誘電正接が大となる他、ＣｕやＡｇ、
Ａｕの導体を用いて同時焼成することができなくなる。
【００２７】また、かかる低温焼成磁器組成物を用いて
配線基板を作製する場合には、例えば、原料粉末の混合
物を公知のテープ成形法、即ちドクターブレード法や圧
延法等に従い、絶縁層形成用のグリーンシートを成形し
た後、そのシート表面に配線層用のメタライズとして、
ＣｕやＡｇ、Ａｕの粉末、特にＣｕ粉末を含む金属ペー
ストを用いて配線パターンをスクリーン印刷、グラビア
印刷、オフセット印刷等の手段により形成するととも
に、必要に応じてシートにスルーホールを形成して該ス
ルーホール内に前記ペーストを充填し、次いで複数のシ
ートを積層圧着した後、Ｎ2 やＡｒガス等の非酸化性雰
囲気中、前記焼成温度で焼成することにより、配線層と
絶縁層とを同時に焼成することができる。
配線基板を作製する場合には、例えば、原料粉末の混合
物を公知のテープ成形法、即ちドクターブレード法や圧
延法等に従い、絶縁層形成用のグリーンシートを成形し
た後、そのシート表面に配線層用のメタライズとして、
ＣｕやＡｇ、Ａｕの粉末、特にＣｕ粉末を含む金属ペー
ストを用いて配線パターンをスクリーン印刷、グラビア
印刷、オフセット印刷等の手段により形成するととも
に、必要に応じてシートにスルーホールを形成して該ス
ルーホール内に前記ペーストを充填し、次いで複数のシ
ートを積層圧着した後、Ｎ2 やＡｒガス等の非酸化性雰
囲気中、前記焼成温度で焼成することにより、配線層と
絶縁層とを同時に焼成することができる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の低温焼成磁器組成物について
具体的に詳述する。先ず、平均粒径が５μｍ以下のＢ2
Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラ
スと、平均粒径が１０μｍ以下のＬｉの炭酸塩、及び平
均粒径が５μｍ以下のＳｉＯ2 を表１の組成に従って混
合した。
具体的に詳述する。先ず、平均粒径が５μｍ以下のＢ2
Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラ
スと、平均粒径が１０μｍ以下のＬｉの炭酸塩、及び平
均粒径が５μｍ以下のＳｉＯ2 を表１の組成に従って混
合した。
【００２９】そして、前記混合物に有機バインダー、可
塑剤、有機溶媒を添加して泥漿を調製し、該泥漿を乾燥
してメッシュパスすることにより、成形用粉末を作製し
た後、該成形用粉末をプレス成形して厚さが６．５ｍｍ
の円柱状と、厚さが４．５ｍｍの平板状の２種類の成形
体を得た。
塑剤、有機溶媒を添加して泥漿を調製し、該泥漿を乾燥
してメッシュパスすることにより、成形用粉末を作製し
た後、該成形用粉末をプレス成形して厚さが６．５ｍｍ
の円柱状と、厚さが４．５ｍｍの平板状の２種類の成形
体を得た。
【００３０】かくして得られた成形体を、大気中、４５
０℃の温度で脱バインダーした後、表１に示す条件にて
焼成して低温焼成磁器組成物の焼結体を得た。
０℃の温度で脱バインダーした後、表１に示す条件にて
焼成して低温焼成磁器組成物の焼結体を得た。
【００３１】尚、ホウケイ酸ガラスとコージェライトか
ら成るガラスセラミックスを比較例とし、平均粒径が５
μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＭｇＯ系ガラス９０重量％に、平均粒径が５μｍ以下の
コージェライトを１０重量％添加したものを、前記同様
にして焼結体を作製した。
ら成るガラスセラミックスを比較例とし、平均粒径が５
μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＭｇＯ系ガラス９０重量％に、平均粒径が５μｍ以下の
コージェライトを１０重量％添加したものを、前記同様
にして焼結体を作製した。
【００３２】
【表１】
【００３３】前記評価用の焼結体を用いて焼結性及び比
誘電率、誘電正接、抗折強度をそれぞれ以下の方法で測
定評価した。
誘電率、誘電正接、抗折強度をそれぞれ以下の方法で測
定評価した。
【００３４】先ず、前記評価用の焼結体を浸透探傷液に
浸漬して該液の浸透の有無を目視検査し、浸透が認めら
れなかったものを焼結性が良であると判定した。
浸漬して該液の浸透の有無を目視検査し、浸透が認めら
れなかったものを焼結性が良であると判定した。
【００３５】一方、比誘電率及び誘電正接は、前記円柱
状の焼結体から直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍの試料を切り
出し、１０〜３０ＧＨｚにてネットワークアナライザ
ー、シンセサイズドスイーパーを用いて円柱共振器法に
より測定した。
状の焼結体から直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍの試料を切り
出し、１０〜３０ＧＨｚにてネットワークアナライザ
ー、シンセサイズドスイーパーを用いて円柱共振器法に
より測定した。
【００３６】具体的には、直径５０ｍｍの銅板治具の間
に前記試料を挟んで測定し、共振器のＴＥ０１１モード
の共振特性から比誘電率、誘電正接を算出した。
に前記試料を挟んで測定し、共振器のＴＥ０１１モード
の共振特性から比誘電率、誘電正接を算出した。
【００３７】次に、抗折強度は前記平板状の焼結体から
ＪＩＳＲ１６０１の規格に準じて４点曲げ試験片を切り
出し、上スパン１０ｍｍ、下スパン３０ｍｍで４点曲げ
試験を行い抗折強度を算出した。
ＪＩＳＲ１６０１の規格に準じて４点曲げ試験片を切り
出し、上スパン１０ｍｍ、下スパン３０ｍｍで４点曲げ
試験を行い抗折強度を算出した。
【００３８】
【表２】
【００３９】表の結果から明らかなように、本発明の請
求範囲外の試料番号１、１０、１１、１７、１８、２
４、２５では、焼結性が悪く、抗折強度も２００ＭＰａ
未満と低く、同じく焼成温度が１０００℃を越える試料
番号３４では、焼結性は良いものの抗折強度が２００Ｍ
Ｐａ未満と低く、またガラスの種類が異なる試料番号３
５及び３６は焼結性が悪い上、誘電特性が測定できず、
抗折強度も２００ＭＰａ未満と低いものとなっており、
比較例の試料番号３７では焼結性は良いものの、抗折強
度が２００ＭＰａ未満と低くなっている。
求範囲外の試料番号１、１０、１１、１７、１８、２
４、２５では、焼結性が悪く、抗折強度も２００ＭＰａ
未満と低く、同じく焼成温度が１０００℃を越える試料
番号３４では、焼結性は良いものの抗折強度が２００Ｍ
Ｐａ未満と低く、またガラスの種類が異なる試料番号３
５及び３６は焼結性が悪い上、誘電特性が測定できず、
抗折強度も２００ＭＰａ未満と低いものとなっており、
比較例の試料番号３７では焼結性は良いものの、抗折強
度が２００ＭＰａ未満と低くなっている。
【００４０】それに対して、本発明のものはいずれも焼
結性が良く、抗折強度も２００ＭＰａ以上を示し、誘電
特性も満足すべきものであることが分かる。
結性が良く、抗折強度も２００ＭＰａ以上を示し、誘電
特性も満足すべきものであることが分かる。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の低温焼成磁
器組成物は、比誘電率が低いことからアンテナ用材料と
しては、空中に電磁波を放射する際の反射が小さく放射
効率の良好なアンテナを製造することが可能となり、ま
た、誘電正接が小さいことから誘電体損失が小さく、配
線導体としてＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等の低抵抗材料を用いる
ことが可能であるため導体損が小さく、アンテナ給電線
の伝送損失を小さくできる。
器組成物は、比誘電率が低いことからアンテナ用材料と
しては、空中に電磁波を放射する際の反射が小さく放射
効率の良好なアンテナを製造することが可能となり、ま
た、誘電正接が小さいことから誘電体損失が小さく、配
線導体としてＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等の低抵抗材料を用いる
ことが可能であるため導体損が小さく、アンテナ給電線
の伝送損失を小さくできる。
【００４２】しかも、高強度のためチップコンデンサや
チップ抵抗等の実装時のリフロー作業、あるいはＭＭＩ
Ｃ等の半導体素子の実装時のダイボンド作業等に対して
も何ら問題なく、特別な補強を要することなく単体で用
いることができ、アンテナと同一基板上に回路を形成す
ることも可能であり、緻密な焼結体が得られるので、製
造工程における耐薬品性に優れたアンテナが得られる。
チップ抵抗等の実装時のリフロー作業、あるいはＭＭＩ
Ｃ等の半導体素子の実装時のダイボンド作業等に対して
も何ら問題なく、特別な補強を要することなく単体で用
いることができ、アンテナと同一基板上に回路を形成す
ることも可能であり、緻密な焼結体が得られるので、製
造工程における耐薬品性に優れたアンテナが得られる。
【００４３】また、高周波用途のマイクロ波用基板材料
としても最適であり、高速信号伝送が可能な上、小型化
も実現でき、更に高強度化により入出力端子部でのリー
ドの接合や、アンテナ用材料の場合と同様、実装におけ
る基板の信頼性を向上できる上、９００〜１０００℃の
低温度で焼成可能なため、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等による配
線を同時焼成により形成することができ、各種高周波用
の多層配線基板や半導体素子収納用パッケージの基板と
して好適である。
としても最適であり、高速信号伝送が可能な上、小型化
も実現でき、更に高強度化により入出力端子部でのリー
ドの接合や、アンテナ用材料の場合と同様、実装におけ
る基板の信頼性を向上できる上、９００〜１０００℃の
低温度で焼成可能なため、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等による配
線を同時焼成により形成することができ、各種高周波用
の多層配線基板や半導体素子収納用パッケージの基板と
して好適である。
Claims (2)
- 【請求項１】ホウケイ酸亜鉛系（Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系）ガラスが５〜２０重
量％と、リチウム（Ｌｉ）が酸化物換算で１〜１０重量
％と、シリカ（ＳｉＯ2 ）が７９〜９０重量％から成
り、９００〜１０００℃の焼成温度で緻密化する焼結体
であって、該焼結体の比誘電率が３〜５であり、抗折強
度が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする低温焼成
磁器組成物。 - 【請求項２】前記ホウケイ酸亜鉛系（Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
−ＳｉＯ2 −Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系）ガラスが８〜１
６重量％と、リチウム（Ｌｉ）が酸化物換算で４〜８重
量％と、シリカ（ＳｉＯ2 ）が８０〜８７重量％から成
ることを特徴とする請求項１記載の低温焼成磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19247796A JP3323069B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 低温焼成磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19247796A JP3323069B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 低温焼成磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036166A true JPH1036166A (ja) | 1998-02-10 |
| JP3323069B2 JP3323069B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=16291950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19247796A Expired - Fee Related JP3323069B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 低温焼成磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3323069B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368531A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 表面実装型アンテナとその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374957A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-05 | 日本電気株式会社 | 低温焼結性低誘電率無機組成物 |
| JPH01226751A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-09-11 | E I Du Pont De Nemours & Co | 誘電性組成物 |
-
1996
- 1996-07-22 JP JP19247796A patent/JP3323069B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374957A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-05 | 日本電気株式会社 | 低温焼結性低誘電率無機組成物 |
| JPH01226751A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-09-11 | E I Du Pont De Nemours & Co | 誘電性組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368531A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 表面実装型アンテナとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3323069B2 (ja) | 2002-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6759740B2 (en) | Composite ceramic board, method of producing the same, optical/electronic-mounted circuit substrate using said board, and mounted board equipped with said circuit substrate | |
| JPH09124358A (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
| CN112194373B (zh) | 玻璃陶瓷烧结体及配线基板 | |
| CN107635940A (zh) | 玻璃陶瓷烧结的压坯及布线板 | |
| JP3517062B2 (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
| JP2001287984A (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JP2000128628A (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| CN112194374B (zh) | 玻璃陶瓷烧结体及配线基板 | |
| CN102753502B (zh) | 陶瓷烧结体及其制造方法 | |
| JP3588224B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP3793559B2 (ja) | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器 | |
| JP3323069B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
| JP3166850B2 (ja) | 低温焼成ガラスセラミックスとその製造方法 | |
| JP2002053368A (ja) | 高周波特性に優れた磁器及びその製造方法 | |
| JP3527818B2 (ja) | 低温焼成磁器およびその製造方法 | |
| JP3377898B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
| JPH10297960A (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 | |
| JP3314130B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
| JP3441924B2 (ja) | 配線基板およびその実装構造 | |
| JP3628146B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器 | |
| JP3401147B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
| JPH11186727A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP3944839B2 (ja) | 複合セラミック部品及びその製造方法 | |
| JP3363297B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
| JP3833340B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器および低温焼成磁器の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090628 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090628 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100628 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110628 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |