JPH1039057A

JPH1039057A - 太陽電池

Info

Publication number: JPH1039057A
Application number: JP8214376A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Nishi; 和夫西; Makoto Hosokawa; 誠細川; Yukihiro Isobe; 幸広磯部; Hideaki Ninomiya; 英昭二宮
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; TDK Corp
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; TDK Corp
Priority date: 1996-07-24
Filing date: 1996-07-24
Publication date: 1998-02-13
Anticipated expiration: 2016-07-24
Also published as: JP3970358B2

Abstract

(57)【要約】【目的】腕時計に組み込む太陽電池を低コストで生産
する構成を提供する。また高い信頼性を得る。【構成】１０１で示される円周形状を有する太陽電池
であって、前記太陽電池は複数の扇型を有する光電変換
素子１０４、１０５、１０６、１０７から構成されてい
る。前記複数の光電変換素子には、扇型の円弧部分に他
の光電変換素子と直列接続するための電極（例えば３０
６と３０５）が配置されている。前記複数の光電変換素
子の一つ１０５には扇型の円弧部分に隣接して光照射面
とは反対面に貫通する出力取り出し電極（６０１で示さ
れる部分の裏面側に配置される）が設けられている。前
記複数の光電変換素子の他の一つ１０６には扇型の円弧
部分に隣接して光照射面とは反対面に貫通する他の出力
取り出し電極（３０１で示される部分の裏面側に配置さ
れる）が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
薄膜太陽電池の構成に関する。特に時計の文字盤に配置
する薄膜太陽電池の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、アモルファスシリコン（非晶
質珪素）膜を用いた太陽電池が知られている。

【０００３】このアモルファスシリコンを用いた太陽電
池は、高い生産性を有している。また薄く軽いものとす
ることができる。アモルファスシリコンを用いた太陽電
池は、この特徴を生かし、電卓や時計等の携帯機器の電
源として利用されている。

【０００４】このアモルファスシリコンを利用した太陽
電池は、特に腕時計に利用することが有望視されてい
る。一般に多用されているクオーツ式の腕時計は電源が
必要とされる。これまでは、小型の水銀電池やリチウム
電池を利用していた。しかし、普通の電池を利用した場
合、その交換が問題となる。

【０００５】この電池の交換の問題は、発展途上国等に
おいてクオーツ時計が普及することを妨げる大きな要因
となっている。

【０００６】このような問題を解決するためのものとし
て、腕時計に太陽電池を取り付けた構成が知られてい
る。

【０００７】しかし腕時計に単に太陽電池を取り付けた
だけのものは、デザイン上の問題がある。即ち、腕時計
としての見栄えが良くないという問題がある。また太陽
電池を配置するスペースの分だけ、形状が大型化すると
いう問題もある。

【０００８】このような問題を解決する技術として、腕
時計の文字盤に合うような形状に太陽電池の形状を加工
し、それを腕時計の文字盤にはめ込んでしまうような構
造が知られている。

【０００９】このような構造を有する時計として、日経
ビジネス1996年３月18日号の第７１頁〜第７３頁に記載
されているものが市場に出回っている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述のような太陽電池
を組み込んだ腕時計を生産する際に問題となるのは、そ
の生産コストと信頼性である。

【００１１】そこで本明細書で開示する発明は、腕時計
に組み込む太陽電池を低コストで生産する構成を提供す
ることを課題とする。また高い信頼性でもって得ること
を課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、図１にその概略の構成を示すように、１０１
で示される円周形状を有する太陽電池であって、前記太
陽電池は複数の扇型を有する光電変換素子１０４、１０
５、１０６、１０７から構成されており、前記複数の光
電変換素子には、扇型の円弧部分に他の光電変換素子と
直列接続するための電極（例えば３０６と３０５）が配
置され、前記複数の光電変換素子の一つ１０５には扇型
の円弧部分に隣接して光照射面とは反対面に貫通する出
力取り出し電極（６０１で示される部分の裏面側に配置
される）が設けられ、前記複数の光電変換素子の他の一
つ１０６には扇型の円弧部分に隣接して光照射面とは反
対面に貫通する他の出力取り出し電極（３０１で示され
る部分の裏面側に配置される）が設けられ、ていること
を特徴とする。

【００１３】上記構成において、他の光電変換素子と直
列接続するための電極と、光照射面とは反対面に貫通す
る出力取り出し電極とは、レーザー光の照射によって形
成された開溝を通して接続される。

【００１４】これは、レーザー光の照射によって図５
（Ｃ）に示されるように電極２０２と電極３０５とをコ
ンタクトさせることによって形成する。この工程はレー
ザーボンディングとして知られている。

【００１５】また上記構成において、光電変換素子は、
例えば図１及び図２に示されているように、基板２０１
と、基板上に配置された第１の電極２０２と、第１の電
極上に配置された光電変換層２０３と、光電変換層上に
配置された第２の電極２０６と、でもって構成されてお
り、図３（Ｄ）に示されるように、取り出し電極の一つ
３０８は、第２の電極３０９にコンタクトしており、前
記取り出し電極の一つ３０８は、レーザースクライブに
より形成された基板にまで達する開溝２０８及び２０９
により、第１の電極２０２と光電変換層２０３と第２の
電極２０６とが他から孤立分離された領域に形成されて
いる。

【００１６】他の発明の構成は、多角形形状を有する太
陽電池であって、前記太陽電池は複数の多角形形状を有
する光電変換素子から構成されており、前記複数の光電
変換素子には、太陽電池の外周に隣接する部分に他の光
電変換素子と直列接続するための電極が配置され、前記
複数の光電変換素子の一つには太陽電池の外周に隣接す
る部分に光照射面とは反対面に貫通する出力取り出し電
極が設けられ、前記複数の光電変換素子の他の一つには
太陽電池の外周に隣接する部分に光照射面とは反対面に
貫通する他の出力取り出し電極が設けられ、ていること
を特徴とする。

【００１７】上記構成において、他の光電変換素子と直
列接続するための電極と、光照射面とは反対面に貫通す
る出力取り出し電極とは、レーザー光の照射によって形
成された開溝を通して接続された構成を有している。

【００１８】上記構成において、光電変換素子は、基板
と、基板上に配置された第１の電極と、第１の電極上に
配置された光電変換層と、光電変換層上に配置された第
２の電極と、でもって構成されており、取り出し電極の
一つは、前記第２の電極にコンタクトしており、前記取
り出し電極の一つは、レーザースクライブにより形成さ
れた基板にまで達する開溝により、第１の電極と光電変
換層と第２の電極とが他から孤立分離された領域に形成
されていることを特徴とする。

【００１９】また他の発明の構成は、図１にその具体例
を示すように、閉じた形状を有する開溝２０８により分
離された領域内に複数の光電変換素子１０４、１０５、
１０６、１０７が配置されており、前記複数の光電変換
素子は、前記領域内に設けられた前記領域の中心で交わ
る複数の開溝１０８と１０９によって分離されており、
前記開溝はレーザースクライブにより形成されたもので
あることを特徴とする。

【００２０】

【実施例】

〔実施例１〕図１に本実施例の外観を示す。図１に示す
のは、時計の文字板に配置される太陽電池を上面から見
た状態である。図１に示す太陽電池は、基板として厚さ
７０μｍでフレキシビリティーを有した樹脂フィルムを
用いている。

【００２１】図１において、１０４、１０５、１０６、
１０７で示される４領域が光電変換素子として機能する
１つのユニットである。この光電変換素子は、基板側か
ら第１の電極、ＮＩＰと積層された光電変換層、第２の
電極と積層された構成を有している。

【００２２】これら４つの光電変換素子は、１０８と１
０９で示される線状の部分で十文字に仕切られている。
この仕切りはレーザー光を用いた切断（レーザースクラ
イブと称する）によって行われる。

【００２３】１０１で示されるのは、太陽電池の外周部
である。この太陽電池は最終工程において、レーザー光
の照射あるいは機械的な手段により、１０１で示される
円形の外周を有するものとして打ち抜かれる。

【００２４】２０８で示されるのは、光電変換素子の外
周部である。２０８と１０１との間の円環部分は、太陽
電池としては機能しない領域となる。

【００２５】２０８で示される光電変換素子の外周部も
図２（Ｄ）や図４（Ｄ）に示すようにレーザースクライ
ブにより形成される。

【００２６】２０７の点線で示されるのは、光電変換素
子の第２の電極（光入射側の透明電極）が選択的に切断
されている箇所を示すものである。この切断箇所も図２
（Ｃ）や図４（Ｃ）に示すようにレーザースクライブに
より形成される。

【００２７】２０８と２０７の切断箇所は、円形状に閉
じた軌跡を有している。即ち、切断の始まり箇所と終わ
りの箇所とが繋がったループ状の形状を有している。

【００２８】図２〜図３に図１のＡ−Ｂで切った断面の
作製工程を示す。この図２〜図３に示すのは、外部への
取り出し電極部（プラス側電極部）の作製工程である。

【００２９】また図４〜図５に図１のＣ−Ｄで切った断
面の作製工程を示す。この部分は、光電変換素子１０７
と１０４の接続箇所である。

【００３０】以下において対応する各部分の作製工程を
示す。本実施例においては、基板としてＰＥＮ（ポリエ
チレンナフタレート）フィルム２０１を用いる。

【００３１】基板としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレ
フタレート）等の工業用プラスチック材料と知られてい
る各種のものを用いることができる。

【００３２】以下に示す各種工程は、最終工程後の図１
に示す外観を有する形状となるまで、数十ｍ〜数百ｍの
長尺状の基板２０１に対して連続的に行われる。そして
最終工程において、図１に示す外観に打ち抜かれる。

【００３３】上記の連続的な工程においては、長尺状の
基板を一方のロールに巻取り、それを他方のロールに巻
き取らせる際に成膜や印刷、各種ベーク、レーザースク
ライブといった各種工程が行われる。

【００３４】まず図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示すよう
に基板２０１上にアルミ電極２０２と基板側からＮＩＰ
と積層された光電変換層２０３とを積層する。

【００３５】アルミ電極２０２の成膜はスパッタ法によ
って行う。また光電変換層２０３の形成は、各層をプラ
ズマＣＶＤ法によって成膜することによって行う。

【００３６】次に印刷法により、２０４と２０５で示さ
れる第１の樹脂層を形成する。この樹脂層の形成も大型
の版を用いて、長尺上にフィルム基板に対して連続的に
行われる。（図２（Ａ）及び図４（Ａ）参照）

【００３７】ここで、樹脂層２０４は、図１の２０８で
示される円周（後に切断用の開溝が形成される）に対応
する部分に設けられる。

【００３８】また樹脂層２０５は、図１の２０７で示さ
れる円周（後に切断用の開溝が形成される）に対応する
部分に設けられる。

【００３９】こうして図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示す
状態を得る。

【００４０】次にスパッタリング法により、ＩＴＯ電極
２０６を成膜する。このＩＴＯ膜の成膜もロールに巻き
取られた長尺状のフィルム基板に対して連続的に行われ
る。こうして図２（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示す状態を得
る。

【００４１】次にレーザー光の照射による切断を行う。
この工程はレーザースクライブ工程と称される。ここで
は、スポット径が８０μｍφのＹＡＧレーザーを走査し
ながら照射することにより、必要とする層の切断を行
う。

【００４２】ここでは、レーザースクライブにより、Ｉ
ＴＯ膜２０６の切断を行う。この工程で２０７で示され
るようにＩＴＯ膜が切断され、開溝が形成される。（図
２（Ｃ）及び図４（Ｃ）参照）

【００４３】２０７で示される切断箇所は、図１に示す
ように円周状に形成される。

【００４４】この２０７で示される切断をレーザー光の
照射で行う際、その下地として樹脂層２０５が存在して
いることが重要となる。

【００４５】樹脂層２０５が存在しないと、レーザー光
の出力のバラツキ等によって、光電変換層２０３にまで
レーザー光の照射が及んでしまう場合がある。さらに極
端な場合、アルミ電極２０２にまで開溝が形成されてし
まう場合がある。

【００４６】切断箇所２０７の下部において、光電変換
層２０３が切断されることは、問題とならない。（円周
２０７の外側の光電変換層は光電変換に寄与しない）

【００４７】しかし、レーザー光がアルミ電極２０３に
到達した場合には、透明電極２０６とアルミ電極２０２
がショートする危険が生じる。即ち、レーザー光のエネ
ルギーにより、アルミ電極２０２を構成する材料が溶融
し、それが透明電極２０６にまで延在することにより、
両電極がショートしてしまう状況が生じてしまう。

【００４８】またレーザー光の照射エネルギーが強す
ぎ、アルミニウム電極２０２が完全に切断されると、後
に光電変換素子同士を接続することができなくなるとい
う問題もある。

【００４９】即ち、図１のＣ−Ｄで示される断面部分
（図４で示される断面部分）において、アルミ電極２０
２がＩＴＯ電極２０６の切断箇所２０７の下部において
完全に切断されると、１０４と示される光電変換素子と
１０７で示される光電変換素子との接続ができなくな
る。（図５（Ｃ）参照））

【００５０】また、アルミ電極２０２がＩＴＯ電極２０
６の切断箇所２０７の下部において完全に切断されなく
ても、その部分でレーザー光の照射による損傷を受ける
と、光電変換素子同士のコンタクト不良やコンタクト抵
抗の増加の要因となる。

【００５１】本実施例に示す構成においては、樹脂層２
０５が存在することで、アルミ電極までレーザー光の照
射が及ばないものとすることができる。

【００５２】従って、透明電極２０６とアルミ電極２０
２がショートする危険を回避することができる。また、
アルミ電極２０２が切断されたり損傷してしまうことを
防ぐことができる。

【００５３】こうして図２（Ｃ）及び図４（Ｃ）に示す
状態を得る。次に２０７で示されるレーザースクライブ
を行う場合よりもレーザー光の出力を高くして、再度の
レーザースクライブを行う。

【００５４】この工程では、２０８で示される開溝と２
０９で示される開溝が形成される。（図２（Ｄ）及び図
４（Ｄ））

【００５５】図から明らかなようにこの工程は、２０８
や２０９で示される開溝の底部が基板にまで達するよう
にその照射条件を設定する。なお、２０８と２０９で示
される開溝を形成する際のレーザー光の照射条件は同じ
でよい。

【００５６】２０８で示される開溝は、２０７で示され
る開溝と同様の円周状を有したものとして形成される。

【００５７】２０９で示される開溝は、外部引出し電極
を設ける部分の周囲において、アルミ電極２０２を切断
するために形成される。この２０９で示される開溝は、
アルミ電極２０２を周囲から完全に切り取るように形成
する必要がある。即ち、２０９で示される開溝の内側に
おいて、その部分のアルミ電極２０２が周囲から孤立す
るように開溝を確実に形成することが重要となる。

【００５８】２０８と２０９で示される開溝の形成時に
おいては、第１の樹脂層２０４と２０５が存在すること
で、アルミ電極２０２とＩＴＯ電極２０６とがショート
することを防ぐことができる。

【００５９】樹脂層２０４と２０５が存在しないと、ア
ルミ電極２０２とＩＴＯ電極２０６との距離が近いこと
から、溶融したアルミ電極によって両電極がショートし
てしまうことが度々生じてしまう。

【００６０】このようにして図２（Ｄ）及び図４（Ｄ）
に示す状態を得る。

【００６１】次に図３（Ａ）に示す開溝３０１をレーザ
ー光の照射によって形成する。この開溝は、裏面まで突
き抜ける条件で行う。この開溝３０１は、図１に示す位
置に形成される。この開溝３０１は最終的に基板の裏面
側につながる引出し電極を形成する際に利用される。こ
の開溝３０１が形成された部分が外部引出し電極部とな
る。

【００６２】次に図３（Ｂ）及び図５（Ａ）に示すよう
に第２の樹脂層３０３と３０４を形成する。これらの樹
脂層は、開溝２０７や２０８、さらに開溝２０９を樹脂
材料で充填する機能を有している。また、その上に形成
されるコンタクト電極の下地となる層間絶縁膜としての
機能を有している。

【００６３】この第２の樹脂層３０３と３０４の形成も
印刷法により行われる。

【００６４】次に図３（Ｃ）及び図５（Ｂ）に示すよう
に銀ペーストによるコンタクト電極３０５、３０６、３
０７を形成する。このコンタクト電極の形成も印刷法に
より行う。各コンタクト電極位置関係は図１に示されて
いる。

【００６５】そして図５（Ｂ）に示す状態において、レ
ーザー光の照射を図の矢印で示される部分に行い、アル
ミ電極２０２とコンタクト電極３０５とのコンタクトを
形成する。この工程は、コンタクト用の開溝を形成する
のと同時に銀ぺーストとアルミ電極とを共に溶融させる
ことにより、両者を電気的に接続するコンタクトを形成
するものである。このような工程は、レーザーボンディ
ングとして知られている。

【００６６】こうして図５（Ｃ）に示すように図１のＣ
−Ｄで示される断面が完成する。この部分は、光電変換
素子１０７のアルミ電極２０２が光電変換素子１０４の
ＩＴＯ電極に接続された銀ペーストパターン３０５にレ
ーザーボンディングにより接続された状態を有してい
る。

【００６７】こうして、光電変換素子１０４と光電変換
素子１０７とが直列に接続された状態を得る。この接続
箇所は、他に３ヵ所ある。この接続構造により、１０
５、１０４、１０７、１０６で示される各光電変換素子
が順に直列に接続された構成となる。

【００６８】一方、Ａ−Ｂで示される切断面（図３参
照）では、銀ペーストによるコンタクト電極３０７が形
成された後、裏面側にコンタクト電極３０８を銀ペース
トによって形成する。このコンタクト電極３０８の形成
も印刷法によって行う。（図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）参
照）

【００６９】このコンタクト電極３０８は、コンタクト
電極３０７に開溝３０１内においてコンタクトする。そ
して、光電変換素子１０６のＩＴＯ電極３０９にコンタ
クトする構造となる。

【００７０】即ち、図１に示す側の反対側の面に形成さ
れるコンタクト電極３０８は、光電変換素子１０６（図
１参照）のＩＴＯ電極３０９（図３参照）からの引出し
電極となる。

【００７１】このＩＴＯ電極３０９は、光電変換素子１
０６の光入射側のＰ型半導体層にコンタクトしている。
従って、コンタクト電極３０８は、プラス側の電位が出
力される取り出し電極となる。

【００７２】図６に図１のＥ−Ｆ及びＧ−Ｄで示される
断面の構造を示す。ここには、光電変換素子１０５のＮ
型半導体層からの引出し電極（マイナス電位側の電極と
なる）が形成される。

【００７３】このＥ−Ｆで示される断面を図６（Ａ）に
示す。またＧ−Ｄで示される断面を図６（Ｂ）に示す。
図６（Ａ）で示されるようにアルミ電極２０２（光電変
換素子１０７のアルミ電極）にコンタクトした銀ペース
トでなる電極６０２が、基板２０１の裏面側に形成され
ている。

【００７４】またアルミ電極２０２と引出し電極６０２
とのコンタクトを確実なものとするためにＧ−Ｄで示す
断面は、図６（Ｂ）に示すような構造を有している。

【００７５】即ち、レーザーボンディングを利用するこ
とによって６０４で示される部分に６０３で示されるコ
ンタクトを形成した構成となっている。即ち、６０３で
示される部分において、アルミ電極２０２と銀ペースト
でなる電極６０１とがコンタクトした構造となってい
る。

【００７６】最後に長尺状のフィルムを基体として形成
された多数の太陽電池を機械的に打ち抜いて、個々の太
陽電池が完成する。即ち、図１にその外観を示す太陽電
池を多数個得る。

【００７７】このようにして、図１にその上面からの外
観を示す太陽電池は、光電変換素子１０６のＰ型半導体
層からの引出し電極３０８（図３参照）（開溝３０１の
裏面側表面に存在する）と、光電変換素子１０５のＮ型
半導体層からの引出し電極６０２（図６参照）（電極６
０１の裏面側に存在する）とから光起電力を取り出す構
成として完成される。

【００７８】本実施例では、全体の形状が円形で、各光
電変換素子が扇型を有する場合の例を示した。しかし、
全体の形状を四角形や六角形、さらには八角形といった
多角形状を有したものとしてもよい。

【００７９】〔実施例２〕本実施例は、実施例１に示す
構成におけるレーザースクライブの方法について示す。
レーザースクライブの方法としては、スポット状のレー
ザー光を走査して照射することにより、所定のパターン
に開溝を形成する方法が採用される。

【００８０】ここで、図１の２０８や２０７で示される
円周状の開溝を形成する際に以下に示すような問題が発
生する。

【００８１】図７（Ａ）に示すのは、７０１で示される
始点からレーザー光の照射を行い、円周上を一周し、始
点７０１に戻ってきてレーザースクライブを終了する場
合の軌跡である。

【００８２】レーザースクライブのスポット径は、数十
μｍから数百μｍ程度である。一方、実施例１に示すよ
うな長尺状のフィルムを基板として用いた連続的な工程
においては、上記スポット径程度の位置ズレを抑制する
ことは困難である。

【００８３】従って、多数の工程を連続的に実施した場
合、レーザースクライブの開始点と終了点とが完全に一
致しない状況が生じてしまう。

【００８４】また、レーザー光の照射が最初に行われる
点（レーザースクライブの開始点）と最後にレーザー光
の照射が行われる点（レーザースクライブの終了点）に
おいては、光電変換層を挟んで上下ショートが生じやす
いという問題がある。

【００８５】これらの問題を解決するために、本実施例
に示す構成においては、図７（Ｂ）に示すような軌跡で
もってレーザースクライブを行うことを特徴とする。即
ち、７０２で示されるように光電変換素子が形成される
領域７０５（スクライブされる軌跡の内部）にスクライ
ブ開始点（開始位置）７０３と終了点（終了位置）７０
４とが存在しないようにする。

【００８６】即ち、光電変換素子の円弧の外部にスクラ
イブ開始点（開始位置）７０３と終了点（終了位置）７
０４とが存在するようにする。

【００８７】こうすることで、確実にスクライブの軌跡
を閉じた形状とすることができる。また、スクライブの
開始点と終了点とが存在することによる影響を排除する
ことができる。即ち、スクライブの開始点７０３と終了
点７０２とが素子領域７０５内に存在しないので、それ
らの点で上下間ショートが生じても問題がないものとす
ることができる。

【００８８】

【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用すること
で、腕時計に組み込む太陽電池を低コストで生産する構
成を提供することができる。また高い信頼性でもって得
ることができる。

【００８９】また出力を取り出す電極部分を光照射面の
反対側に設けることができるので、出力の取り出し部の
構成を簡略化することができる。また光電変換に寄与す
る面積を最大限大きくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】太陽電池の外観を示す図。

【図２】図１のＡ−Ｂで示される部分の作製工程断面
を示す図。

【図３】図１のＡ−Ｂで示される部分の作製工程断面
を示す図。

【図４】図１のＣ−Ｄで示される部分の作製工程断面
を示す図。

【図５】図１のＣ−Ｄで示される部分の作製工程断面
を示す図。

【図６】図１のＥ−Ｆ及びＧ−Ｄで示される断面を示
す図。

【図７】レーザースクライブの軌跡を示す図。

【符号の説明】

１０１太陽電池の外周部１０４光電変換素子１０５光電変換素子１０６光電変換素子１０７光電変換素子１０８レーザースクライブ部分１０９レーザースクライブ部分２０１樹脂基板２０２アルミニウム電極（第１の電極）２０３光電変換層（ＮＩＰ型半導体層）２０４樹脂層（第１の樹脂層）２０５樹脂層（第１の樹脂層）２０６ＩＴＯ電極２０７レーザースクライブによる開溝２０８レーザースクライブによる開溝２０９レーザースクライブによる開溝３０１レーザースクライブによる開溝３０３樹脂層（第２の樹脂層）３０４樹脂層（第２の樹脂層）３０５銀ペーストによるコンタクト電極３０６銀ペーストによるコンタクト電極３０７銀ペーストによるコンタクト電極３０８銀ペーストによるコンタクト電極３０９ＩＴＯ電極６０１銀ペーストによるコンタクト電極６０２銀ペーストによるコンタクト電極６０３レーザーボンディングによるコンタクト部

フロントページの続き (72)発明者磯部幸広東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者二宮英昭東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円周形状を有する太陽電池であって、前記太陽電池は複数の扇型を有する光電変換素子から構
成されており、前記複数の光電変換素子の一つには扇型の円弧部分に隣
接して光照射面とは反対面に貫通する出力取り出し電極
が設けられ、前記複数の光電変換素子の他の一つには扇型の円弧部分
に隣接して光照射面とは反対面に貫通する他の出力取り
出し電極が設けられ、ていることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】請求項１において、他の光電変換素子と直列接続するための電極と、光照射
面とは反対面に貫通する出力取り出し電極とは、レーザ
ー光の照射によって形成された開溝を通して接続された
ものであることを特徴とする太陽電池。
【請求項３】請求項１において、光電変換素子は、基板と、基板上に配置された第１の電極と、第１の電極上に配置された光電変換層と、光電変換層上に配置された第２の電極と、でもって構成されており、取り出し電極の一つは、前記第２の電極にコンタクトし
ており、前記取り出し電極の一つは、レーザースクライブにより
形成された基板にまで達する開溝により、第１の電極と
光電変換層と第２の電極とが他から孤立分離された領域
に形成されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項４】請求項１において、太陽電池内にはレーザー光の照射により形成された円形
形状の開溝が形成されており、前記開溝の軌跡は１ヶ所において交叉していることを特
徴とする太陽電池。
【請求項５】請求項１において、各光電変換素子の円弧部分はレーザー光の照射により形
成された円形の開溝の一部で構成されており、前記開溝の軌跡は１ヶ所において交叉しており、前記軌跡の始点及び終点は円弧の外側に存在しているこ
とを特徴とする太陽電池。
【請求項６】多角形形状を有する太陽電池であって、前記太陽電池は複数の多角形形状を有する光電変換素子
から構成されており、前記複数の光電変換素子の一つには太陽電池の外周に隣
接する部分に光照射面とは反対面に貫通する出力取り出
し電極が設けられ、前記複数の光電変換素子の他の一つには太陽電池の外周
に隣接する部分に光照射面とは反対面に貫通する他の出
力取り出し電極が設けられ、ていることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】請求項６において、他の光電変換素子と直列接続するための電極と、光照射
面とは反対面に貫通する出力取り出し電極とは、レーザ
ー光の照射によって形成された開溝を通して接続された
ものであることを特徴とする太陽電池。
【請求項８】請求項６において、光電変換素子は、基板と、基板上に配置された第１の電極と、第１の電極上に配置された光電変換層と、光電変換層上に配置された第２の電極と、でもって構成されており、取り出し電極の一つは、前記第２の電極にコンタクトし
ており、前記取り出し電極の一つは、レーザースクライブにより
形成された基板にまで達する開溝により、第１の電極と
光電変換層と第２の電極とが他から孤立分離された領域
に形成されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項９】閉じた形状を有する開溝により分離された
領域内に複数の光電変換素子が配置されており、前記複数の光電変換素子は、前記領域内に設けられた前
記領域の中心で交わる複数の開溝によって分離されてお
り、前記開溝はレーザースクライブにより形成されたもので
あることを特徴とする太陽電池。