JPH1040351A - Icメモリカード - Google Patents
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- JPH1040351A JPH1040351A JP8195869A JP19586996A JPH1040351A JP H1040351 A JPH1040351 A JP H1040351A JP 8195869 A JP8195869 A JP 8195869A JP 19586996 A JP19586996 A JP 19586996A JP H1040351 A JPH1040351 A JP H1040351A
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- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
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- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/0701—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for power management
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電池によって内蔵する揮発性メモリの記憶内
容を保持するICメモリカードにおいて、この電池によ
る記憶内容保持の信頼性向上と省電力化を目的とする。 【解決手段】 外部機器2と接続された接続部1、メモ
リ部3、電池4、供給電源を切り換え制御する電源制御
部5、メモリ部3を制御する制御部6、分圧回路11
と、電池4の端子電圧を分圧回路11へ供給するスイッ
チ回路12と、分圧回路11の出力電圧を検出する第1
の電圧検出回路13と、第1の電圧検出回路13の出力
信号を受けて接続部1に供給する出力回路14とで構成
された電池電圧検出部7とを備えており、これにより第
1の電圧検出回路13の誤動作もなく、電池4の高寿命
化を計ることができるICメモリカードを提供できる。
容を保持するICメモリカードにおいて、この電池によ
る記憶内容保持の信頼性向上と省電力化を目的とする。 【解決手段】 外部機器2と接続された接続部1、メモ
リ部3、電池4、供給電源を切り換え制御する電源制御
部5、メモリ部3を制御する制御部6、分圧回路11
と、電池4の端子電圧を分圧回路11へ供給するスイッ
チ回路12と、分圧回路11の出力電圧を検出する第1
の電圧検出回路13と、第1の電圧検出回路13の出力
信号を受けて接続部1に供給する出力回路14とで構成
された電池電圧検出部7とを備えており、これにより第
1の電圧検出回路13の誤動作もなく、電池4の高寿命
化を計ることができるICメモリカードを提供できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記憶保持のために
電池を内蔵したICメモリカードに関するものである。
電池を内蔵したICメモリカードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ICメモリカードは、RAM、R
OMなどのメモリLSIを内蔵した携帯記憶媒体とし
て、多方面で利用されている。
OMなどのメモリLSIを内蔵した携帯記憶媒体とし
て、多方面で利用されている。
【0003】この際、揮発性メモリを内蔵したICメモ
リカードでは、記憶保持のために電池を用いてバックア
ップする必要があり、その信頼性を高めるために、電池
の端子電圧を検出して電池の放電状態を常に監視し、放
電容量の低下に伴う記憶内容の消失を防止する必要があ
った。
リカードでは、記憶保持のために電池を用いてバックア
ップする必要があり、その信頼性を高めるために、電池
の端子電圧を検出して電池の放電状態を常に監視し、放
電容量の低下に伴う記憶内容の消失を防止する必要があ
った。
【0004】以下図面を参照しながら、従来のICメモ
リカードの記憶内容保護の仕組みについて説明する。
リカードの記憶内容保護の仕組みについて説明する。
【0005】図4において15は接続部であり、外部機
器16から電源供給され、信号の授受を行う。17はメ
モリLSIからなるメモリ部で、データの読み出し書き
込みをする揮発性メモリであるスタティックRAMやダ
イナミックRAMを少なくとも1つ含んでいる。18は
電池で、外部機器16から接続部15を介して電源が供
給されていない時にメモリ部17の揮発性メモリの記憶
内容を保持するバックアップ用電源である。19は電源
制御部で、メモリ部17への電源供給源を外部機器16
から電池18に、もしくは電池18から外部機器16に
切り換え制御する。20はメモリ制御部で、接続部15
を介して外部機器16からの信号によりメモリ部17を
制御する。21は電池電圧検出部であり、電池18の端
子電圧を検出し、検出結果を接続部15に供給して、外
部機器16がその情報を受けて電池18の状態を把握す
ることによって、ICメモリカードの記憶内容を保護す
るための各信号を出力する。
器16から電源供給され、信号の授受を行う。17はメ
モリLSIからなるメモリ部で、データの読み出し書き
込みをする揮発性メモリであるスタティックRAMやダ
イナミックRAMを少なくとも1つ含んでいる。18は
電池で、外部機器16から接続部15を介して電源が供
給されていない時にメモリ部17の揮発性メモリの記憶
内容を保持するバックアップ用電源である。19は電源
制御部で、メモリ部17への電源供給源を外部機器16
から電池18に、もしくは電池18から外部機器16に
切り換え制御する。20はメモリ制御部で、接続部15
を介して外部機器16からの信号によりメモリ部17を
制御する。21は電池電圧検出部であり、電池18の端
子電圧を検出し、検出結果を接続部15に供給して、外
部機器16がその情報を受けて電池18の状態を把握す
ることによって、ICメモリカードの記憶内容を保護す
るための各信号を出力する。
【0006】図5に示す電池電圧検出部21の回路図に
おいて、21Aは基準電圧発生器で、21B、21C、
21D、21Eはいずれも抵抗器で、21Fと21Gは
電圧比較器である。電圧比較器21Fと21Gの出力信
号が共にハイレベルの時は、電池18の端子電圧は正常
であってメモリ部17のデータは、記憶保持されている
ことを示す信号を接続部15に出力し、この信号を受け
て外部機器16は使用者に電池電圧は正常であることを
伝達している。電池18の使用に伴い電池電圧が低下
し、電圧比較器21Fの出力信号のみがローレベルにな
ると、電池18の端子電圧が低下しており、電池18を
交換もしくは充電する必要が生じたことを示す。この
際、電池18によりメモリ部17はまだ記憶保持されて
おり、この情報も正常時と同様の方法で外部機器16か
ら使用者に伝達している。そして電圧比較器21Fと2
1Gの出力信号が共にローレベルになると、電池18の
端子電圧がさらに低下し、電池18を交換もしくは充電
する必要が生じていると共に、メモリ部17は既に記憶
保持できていないこととを示す信号を正常時と同様の方
法で、外部機器16から使用者に伝達している。
おいて、21Aは基準電圧発生器で、21B、21C、
21D、21Eはいずれも抵抗器で、21Fと21Gは
電圧比較器である。電圧比較器21Fと21Gの出力信
号が共にハイレベルの時は、電池18の端子電圧は正常
であってメモリ部17のデータは、記憶保持されている
ことを示す信号を接続部15に出力し、この信号を受け
て外部機器16は使用者に電池電圧は正常であることを
伝達している。電池18の使用に伴い電池電圧が低下
し、電圧比較器21Fの出力信号のみがローレベルにな
ると、電池18の端子電圧が低下しており、電池18を
交換もしくは充電する必要が生じたことを示す。この
際、電池18によりメモリ部17はまだ記憶保持されて
おり、この情報も正常時と同様の方法で外部機器16か
ら使用者に伝達している。そして電圧比較器21Fと2
1Gの出力信号が共にローレベルになると、電池18の
端子電圧がさらに低下し、電池18を交換もしくは充電
する必要が生じていると共に、メモリ部17は既に記憶
保持できていないこととを示す信号を正常時と同様の方
法で、外部機器16から使用者に伝達している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、図5に示す記憶保持動作に関連しない抵抗
器21Eによる電力消費が生じてしまう。これにより、
限られた電池の電気容量を有効に活用できず、電池寿命
の短命化につながる。例えば、128KバイトSRAM
カードでは、低消費電力タイプの1MビットSRAMの
バックアップ電流を1μAとし、抵抗器21Eに1MΩ
を用い、電池の端子電圧を3Vとすると、抵抗器21E
への電池の放電電流は3μAとなって抵抗器21Eが存
在しない場合と比較して電池寿命は1/4程度に低下し
てしまう。
の構成では、図5に示す記憶保持動作に関連しない抵抗
器21Eによる電力消費が生じてしまう。これにより、
限られた電池の電気容量を有効に活用できず、電池寿命
の短命化につながる。例えば、128KバイトSRAM
カードでは、低消費電力タイプの1MビットSRAMの
バックアップ電流を1μAとし、抵抗器21Eに1MΩ
を用い、電池の端子電圧を3Vとすると、抵抗器21E
への電池の放電電流は3μAとなって抵抗器21Eが存
在しない場合と比較して電池寿命は1/4程度に低下し
てしまう。
【0008】しかし、単に抵抗器21Eの抵抗値を小さ
くするもしくは抵抗器21Eを削除するだけでは、電池
を装着していない場合に電圧比較器21Fと21Gの入
力端子が開放状態となって、入力バイアス電流の影響
や、ハイインピーダンス入力を開放状態にすることによ
るノイズの影響等で、誤動作を生じ、電圧比較器21F
と21Gの出力信号がハイレベルになり、電池を装着し
ていないにもかかわらず、前記外部機器では電池の端子
電圧は正常であって、メモリ部のデータは正常に記憶保
持されると判断してしまう場合があった。
くするもしくは抵抗器21Eを削除するだけでは、電池
を装着していない場合に電圧比較器21Fと21Gの入
力端子が開放状態となって、入力バイアス電流の影響
や、ハイインピーダンス入力を開放状態にすることによ
るノイズの影響等で、誤動作を生じ、電圧比較器21F
と21Gの出力信号がハイレベルになり、電池を装着し
ていないにもかかわらず、前記外部機器では電池の端子
電圧は正常であって、メモリ部のデータは正常に記憶保
持されると判断してしまう場合があった。
【0009】本発明はこのような従来の問題点を解決す
るためのものであり、電池寿命を延ばし、電池を装着し
ていない場合においても誤動作を生じない電池電圧検出
部を実現することができる信頼性の高いICメモリカー
ドを提供することを目的とする。
るためのものであり、電池寿命を延ばし、電池を装着し
ていない場合においても誤動作を生じない電池電圧検出
部を実現することができる信頼性の高いICメモリカー
ドを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、外部機器から電源の供給を受けると共に信
号の授受を行う接続部と、少なくとも1つの揮発性メモ
リを含むメモリ部と、前記外部機器からの信号により前
記メモリ部を制御するメモリ制御部と、前記メモリ部の
揮発性メモリの記憶保持を行う電池と、前記外部機器と
前記電池からの電源供給を切り換え制御する電源制御部
と、前記電池の端子電圧を検出する電池電圧検出部とを
備え、前記電池電圧検出部が、分圧回路、前記電池の端
子電圧を前記分圧回路へ供給するスイッチ回路、前記分
圧回路の出力電圧を検出する第1の電圧検出回路および
前記第1の電圧検出回路の出力信号を受けて前記接続部
に信号を供給する出力回路から構成されており、これに
より電力消費を抑えられ、電池未装着時には、前記分圧
回路により前記電圧検出回路の入力端子の開放を防止す
るものであり、この構成によって電池の高寿命化を計る
ことができると共に、電池を装着していない場合におい
ても誤動作を防止することができる。
に本発明は、外部機器から電源の供給を受けると共に信
号の授受を行う接続部と、少なくとも1つの揮発性メモ
リを含むメモリ部と、前記外部機器からの信号により前
記メモリ部を制御するメモリ制御部と、前記メモリ部の
揮発性メモリの記憶保持を行う電池と、前記外部機器と
前記電池からの電源供給を切り換え制御する電源制御部
と、前記電池の端子電圧を検出する電池電圧検出部とを
備え、前記電池電圧検出部が、分圧回路、前記電池の端
子電圧を前記分圧回路へ供給するスイッチ回路、前記分
圧回路の出力電圧を検出する第1の電圧検出回路および
前記第1の電圧検出回路の出力信号を受けて前記接続部
に信号を供給する出力回路から構成されており、これに
より電力消費を抑えられ、電池未装着時には、前記分圧
回路により前記電圧検出回路の入力端子の開放を防止す
るものであり、この構成によって電池の高寿命化を計る
ことができると共に、電池を装着していない場合におい
ても誤動作を防止することができる。
【0011】また上記発明において、電源制御部は、外
部機器から供給される電源電圧を検出する第2の電圧検
出回路、前記第2の電圧検出回路の出力信号によりリセ
ットパルスを発生するパルス回路、前記外部機器と電池
からの電源供給を切り換え制御する切り換え回路とから
構成することにより、リセットパルスでメモリ制御部を
介して前記メモリ部を制御し、電源電圧の変動時のノイ
ズによるメモリ部のデータの記憶内容破壊を防止するこ
とができる。
部機器から供給される電源電圧を検出する第2の電圧検
出回路、前記第2の電圧検出回路の出力信号によりリセ
ットパルスを発生するパルス回路、前記外部機器と電池
からの電源供給を切り換え制御する切り換え回路とから
構成することにより、リセットパルスでメモリ制御部を
介して前記メモリ部を制御し、電源電圧の変動時のノイ
ズによるメモリ部のデータの記憶内容破壊を防止するこ
とができる。
【0012】さらに上記発明において、外部機器の電源
がオフ状態からオン状態に切り換えられた際のみに、電
池電圧検出部は前記電池の電圧検出を行い、接続部を介
して前記外部機器へ検出結果を送出し、前記外部機器の
電源が再度オフ状態とされるまで出力回路が前記検出結
果を保持する構成とすると、外部機器がオンとなってい
る際は消耗することのない電池の不要な電圧検出を防止
することができ、かつ外部機器がこの検出結果を用いて
メモリ部のデータの記憶内容が有効か無効か、また新た
なデータの記憶が可能か否かを常時判断することができ
る。
がオフ状態からオン状態に切り換えられた際のみに、電
池電圧検出部は前記電池の電圧検出を行い、接続部を介
して前記外部機器へ検出結果を送出し、前記外部機器の
電源が再度オフ状態とされるまで出力回路が前記検出結
果を保持する構成とすると、外部機器がオンとなってい
る際は消耗することのない電池の不要な電圧検出を防止
することができ、かつ外部機器がこの検出結果を用いて
メモリ部のデータの記憶内容が有効か無効か、また新た
なデータの記憶が可能か否かを常時判断することができ
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0014】図1において、1は接続部であり、外部機
器2からの電源の供給を受けると共に、信号の授受を行
う。3はメモリLSIからなるメモリ部であり、外部機
器2から接続部1を介してデータの読み出し書き込みを
する揮発性メモリであるスタティックRAMやダイナミ
ックRAMを少なくとも1つ含んでいる。4は電池であ
り、外部機器2から接続部1を介して電源が供給されて
いない時にメモリ部3の揮発性メモリの記憶内容を保持
するバックアップ用電源である。5は電源制御部であ
り、メモリ部3の記憶内容保持のための電源供給源を、
外部機器2から電池4に、もしくは電池4から外部機器
2に切り換え制御する。6はメモリ制御部であり、接続
部1を介して外部機器2からの信号を受けてメモリ部3
を制御する。7は電池電圧検出部であり、電池4の端子
電圧を検出する。検出結果は接続部1を介して、外部機
器2に送出される。外部機器2は、この情報を受けて電
池4の状態を把握し、ICメモリカードの記憶内容を保
護するための各信号を出力していた。
器2からの電源の供給を受けると共に、信号の授受を行
う。3はメモリLSIからなるメモリ部であり、外部機
器2から接続部1を介してデータの読み出し書き込みを
する揮発性メモリであるスタティックRAMやダイナミ
ックRAMを少なくとも1つ含んでいる。4は電池であ
り、外部機器2から接続部1を介して電源が供給されて
いない時にメモリ部3の揮発性メモリの記憶内容を保持
するバックアップ用電源である。5は電源制御部であ
り、メモリ部3の記憶内容保持のための電源供給源を、
外部機器2から電池4に、もしくは電池4から外部機器
2に切り換え制御する。6はメモリ制御部であり、接続
部1を介して外部機器2からの信号を受けてメモリ部3
を制御する。7は電池電圧検出部であり、電池4の端子
電圧を検出する。検出結果は接続部1を介して、外部機
器2に送出される。外部機器2は、この情報を受けて電
池4の状態を把握し、ICメモリカードの記憶内容を保
護するための各信号を出力していた。
【0015】電池電圧検出部7は、分圧回路11と、電
池4の端子電圧を分圧回路11へ供給するスイッチ回路
12と、分圧回路11の出力電圧を検出する第1の電圧
検出回路13と、第1の電圧検出回路13の出力信号を
受けて接続部1に供給する出力回路14とから構成さ
れ、電源制御部5からの信号によりスイッチ回路12を
作動させる。
池4の端子電圧を分圧回路11へ供給するスイッチ回路
12と、分圧回路11の出力電圧を検出する第1の電圧
検出回路13と、第1の電圧検出回路13の出力信号を
受けて接続部1に供給する出力回路14とから構成さ
れ、電源制御部5からの信号によりスイッチ回路12を
作動させる。
【0016】一方電源制御部5は、外部機器2からの電
源電圧を検出する第2の電圧検出回路8と、第2の電圧
検出回路8の出力信号によりリセットパルスを発生する
パルス回路9と、第2の電圧検出回路8の出力信号によ
り外部機器2と電池4からの電源供給源を切り換え制御
する切り換え回路10とで構成されている。
源電圧を検出する第2の電圧検出回路8と、第2の電圧
検出回路8の出力信号によりリセットパルスを発生する
パルス回路9と、第2の電圧検出回路8の出力信号によ
り外部機器2と電池4からの電源供給源を切り換え制御
する切り換え回路10とで構成されている。
【0017】図2において、分圧回路11を構成する1
1Aと11Bは抵抗器、そして12はスイッチ回路であ
る。本実施の形態においてはこのスイッチ回路12にF
ETを用いているが他のスイッチング素子でもよい。
1Aと11Bは抵抗器、そして12はスイッチ回路であ
る。本実施の形態においてはこのスイッチ回路12にF
ETを用いているが他のスイッチング素子でもよい。
【0018】図3において、13Aは基準電圧発生器で
あり、13Bと13Cと13Dは抵抗器であり、13E
と13Fは電圧比較器である。電圧比較器13Eと13
Fの出力信号が共にハイレベルにある時、電池4の端子
電圧は正常範囲であって、メモリ部3のデータは記憶保
持されていることを示す信号を接続部1に出力する。こ
の信号を受けて外部機器2は使用者に電池電圧は正常で
あることを伝達している。電圧比較器13Eの出力信号
のみがローレベルになると、電池4の端子電圧が低下し
ており、電池4を交換もしくは充電する必要が生じたこ
とを示している。この際、電池4によりメモリ部3はま
だ記憶保持されており、この情報も正常時と同様の方法
で外部機器2から使用者に伝達している。電圧比較器1
3Eと13Fの出力信号が共にローレベルになると、電
池4の端子電圧がさらに低下し、電池4を交換もしくは
充電する必要があると共に、メモリ部3のデータは既に
記憶保持できていないこととを示す信号を外部機器2か
ら使用者に伝達している。
あり、13Bと13Cと13Dは抵抗器であり、13E
と13Fは電圧比較器である。電圧比較器13Eと13
Fの出力信号が共にハイレベルにある時、電池4の端子
電圧は正常範囲であって、メモリ部3のデータは記憶保
持されていることを示す信号を接続部1に出力する。こ
の信号を受けて外部機器2は使用者に電池電圧は正常で
あることを伝達している。電圧比較器13Eの出力信号
のみがローレベルになると、電池4の端子電圧が低下し
ており、電池4を交換もしくは充電する必要が生じたこ
とを示している。この際、電池4によりメモリ部3はま
だ記憶保持されており、この情報も正常時と同様の方法
で外部機器2から使用者に伝達している。電圧比較器1
3Eと13Fの出力信号が共にローレベルになると、電
池4の端子電圧がさらに低下し、電池4を交換もしくは
充電する必要があると共に、メモリ部3のデータは既に
記憶保持できていないこととを示す信号を外部機器2か
ら使用者に伝達している。
【0019】以上のように構成された本発明のICメモ
リカードについて、その保護動作を説明する。
リカードについて、その保護動作を説明する。
【0020】まず、接続部1を介して外部機器2にIC
メモリカードを接続した状態で、外部機器2の電源をオ
ンにすると、外部機器2よりICメモリカードは電源供
給を受ける。電源制御部5は第2の電圧検出回路8で外
部機器2から供給される電源電圧を検出し、第2の電圧
検出回路8の出力信号によりパルス回路9でリセットパ
ルスを発生する。このリセットパルスはスイッチ回路1
2を作動させ、電池4の端子電圧が分圧回路11で分圧
され、第1の電圧検出回路13へ供給される。出力回路
14は、第1の電圧検出回路13の出力信号を受け、接
続部1に信号を供給する。これにより外部機器2は、接
続部1を介して電池4の端子電圧を測定した結果を知る
ことができ、これに基づいてICメモリカードの記憶内
容を保護するための各信号を出力している。
メモリカードを接続した状態で、外部機器2の電源をオ
ンにすると、外部機器2よりICメモリカードは電源供
給を受ける。電源制御部5は第2の電圧検出回路8で外
部機器2から供給される電源電圧を検出し、第2の電圧
検出回路8の出力信号によりパルス回路9でリセットパ
ルスを発生する。このリセットパルスはスイッチ回路1
2を作動させ、電池4の端子電圧が分圧回路11で分圧
され、第1の電圧検出回路13へ供給される。出力回路
14は、第1の電圧検出回路13の出力信号を受け、接
続部1に信号を供給する。これにより外部機器2は、接
続部1を介して電池4の端子電圧を測定した結果を知る
ことができ、これに基づいてICメモリカードの記憶内
容を保護するための各信号を出力している。
【0021】この構成によると、図3に示すように電圧
検出回路13に従来例(図5)の21Eに相当する抵抗
を設けなくとも良いため、電圧検出回路13で不要な電
力消費をなくせ、電池4の寿命を数倍に引き延ばすこと
ができる。
検出回路13に従来例(図5)の21Eに相当する抵抗
を設けなくとも良いため、電圧検出回路13で不要な電
力消費をなくせ、電池4の寿命を数倍に引き延ばすこと
ができる。
【0022】この電池4の端子電圧のチェック時には、
第1の電圧検出回路13の入力に分圧回路11の抵抗器
11Bが接続されるため、従来例の課題である電池4を
装着していない場合に、電圧比較器13Fと13Gの入
力端子が開放状態となって、入力バイアス電流の影響や
ハイインピーダンス入力を開放状態にすることによるノ
イズの影響等で誤動作を生じ、電圧比較器13Fと13
Gの出力信号がハイレベルになり、電池4を装着してい
ないにもかかわらず、外部機器2では電池4の端子電圧
は正常であって、メモリ部3は記憶保持されていると判
断してしまうという不利益も生じない。
第1の電圧検出回路13の入力に分圧回路11の抵抗器
11Bが接続されるため、従来例の課題である電池4を
装着していない場合に、電圧比較器13Fと13Gの入
力端子が開放状態となって、入力バイアス電流の影響や
ハイインピーダンス入力を開放状態にすることによるノ
イズの影響等で誤動作を生じ、電圧比較器13Fと13
Gの出力信号がハイレベルになり、電池4を装着してい
ないにもかかわらず、外部機器2では電池4の端子電圧
は正常であって、メモリ部3は記憶保持されていると判
断してしまうという不利益も生じない。
【0023】この際、電源制御部5の働きとしては、外
部機器2に接続されていない時、切り換え回路10によ
ってメモリ部3への電源供給源を電池4に切り換え、メ
モリ部3のデータの記憶内容保持を引き続き円滑に行っ
ている。また、外部機器2の電源投入、切断時等には、
外部機器2からの電源電圧を監視している第2の電圧検
出回路8によって、パルス回路9でリセットパルスを発
生させ、前記リセットパルスによる信号でメモリ部3を
制御して、電源電圧上昇・下降の過渡期のノイズによる
メモリ部3の記憶内容破壊を防止している。
部機器2に接続されていない時、切り換え回路10によ
ってメモリ部3への電源供給源を電池4に切り換え、メ
モリ部3のデータの記憶内容保持を引き続き円滑に行っ
ている。また、外部機器2の電源投入、切断時等には、
外部機器2からの電源電圧を監視している第2の電圧検
出回路8によって、パルス回路9でリセットパルスを発
生させ、前記リセットパルスによる信号でメモリ部3を
制御して、電源電圧上昇・下降の過渡期のノイズによる
メモリ部3の記憶内容破壊を防止している。
【0024】次に、内蔵している電池4の端子電圧チェ
ックについて説明する。接続部1が外部機器2に接続さ
れている時は、外部機器2より電源供給を受け、電池4
からは電源供給しないため、電池4は消耗しておらず、
電池4の端子電圧を定期的に繰り返し測定しても意味を
なさない。外部機器2に接続されていない時、あるいは
外部機器2の電源がオフされて外部機器2より電源供給
されない時には、電池4より電源供給されており、電池
4の消耗が進んでいる。そこで、内蔵している電池4の
端子電圧チェックは、接続部1が外部機器2に接続され
ており、外部機器2より新たに電源が供給された時のみ
行い、その後はパルス回路9でリセットパルスを発生さ
せ、スイッチ回路12をオフ状態としておくことによ
り、接続部1が外部機器2に接続されている間は電池4
の端子電圧チェックを行わないので、電池4の省電力化
が計れる。
ックについて説明する。接続部1が外部機器2に接続さ
れている時は、外部機器2より電源供給を受け、電池4
からは電源供給しないため、電池4は消耗しておらず、
電池4の端子電圧を定期的に繰り返し測定しても意味を
なさない。外部機器2に接続されていない時、あるいは
外部機器2の電源がオフされて外部機器2より電源供給
されない時には、電池4より電源供給されており、電池
4の消耗が進んでいる。そこで、内蔵している電池4の
端子電圧チェックは、接続部1が外部機器2に接続され
ており、外部機器2より新たに電源が供給された時のみ
行い、その後はパルス回路9でリセットパルスを発生さ
せ、スイッチ回路12をオフ状態としておくことによ
り、接続部1が外部機器2に接続されている間は電池4
の端子電圧チェックを行わないので、電池4の省電力化
が計れる。
【0025】また電池4の端子電圧をチェックした結果
は、出力回路14によって、外部機器2の電源がオフさ
れない限り保持する構成としておくことにより、それま
での電池4の消耗状態がチェックでき、メモリ部3の記
憶内容が有効であるか否か判断することができる。ま
た、その後新たなデータの記憶が可能か否か等も同様に
判断することができる。
は、出力回路14によって、外部機器2の電源がオフさ
れない限り保持する構成としておくことにより、それま
での電池4の消耗状態がチェックでき、メモリ部3の記
憶内容が有効であるか否か判断することができる。ま
た、その後新たなデータの記憶が可能か否か等も同様に
判断することができる。
【0026】なお、電池4により電源供給されている場
合は、電池4は消耗しているので、従来の場合と同様に
適宜電池4の端子電圧チェックを行う必要があることは
いうまでもない。
合は、電池4は消耗しているので、従来の場合と同様に
適宜電池4の端子電圧チェックを行う必要があることは
いうまでもない。
【0027】
【発明の効果】このように本発明によれば、電圧検出回
路に入力端子を解放状態とすることを防止するための従
来例の21Eにあたる抵抗を設けなくとも良いため、電
池使用時には電圧検出回路による電力消費を減じ、また
電池未装着時等においても分圧回路に設けた抵抗器を設
けたため前記電圧検出回路が開放状態となるのを防止す
ることができる。これにより電圧検出回路の誤動作もな
く、電池の高寿命化を計ることができるICメモリカー
ドを提供できる。
路に入力端子を解放状態とすることを防止するための従
来例の21Eにあたる抵抗を設けなくとも良いため、電
池使用時には電圧検出回路による電力消費を減じ、また
電池未装着時等においても分圧回路に設けた抵抗器を設
けたため前記電圧検出回路が開放状態となるのを防止す
ることができる。これにより電圧検出回路の誤動作もな
く、電池の高寿命化を計ることができるICメモリカー
ドを提供できる。
【0028】またパルス回路から発生するリセットパル
スによる信号でメモリ部を制御することにより、電源電
圧の変動時等のノイズによるメモリ部の記憶内容破壊を
防止することができるICメモリカードを提供できる。
スによる信号でメモリ部を制御することにより、電源電
圧の変動時等のノイズによるメモリ部の記憶内容破壊を
防止することができるICメモリカードを提供できる。
【0029】さらに外部機器の電源が新たにオンとなっ
た際のみ、電池電圧検出部において電池電圧の検出を行
い、接続部を介して前記外部機器へ検出結果を提供する
構成とすると、不要な検出を防止することができ、かつ
外部機器がこの検出結果を用いてメモリ部の記憶内容が
有効か無効か、また新たなデータの記憶が可能か否か等
を判断することができるICメモリカードを提供でき
る。
た際のみ、電池電圧検出部において電池電圧の検出を行
い、接続部を介して前記外部機器へ検出結果を提供する
構成とすると、不要な検出を防止することができ、かつ
外部機器がこの検出結果を用いてメモリ部の記憶内容が
有効か無効か、また新たなデータの記憶が可能か否か等
を判断することができるICメモリカードを提供でき
る。
【図1】本発明の一実施の形態におけるICメモリカー
ドのブロック図
ドのブロック図
【図2】本発明の一実施の形態における分圧・スイッチ
回路図
回路図
【図3】本発明の一実施の形態における第1の電圧検出
回路図
回路図
【図4】従来のICメモリカードを示すブロック図
【図5】従来のICメモリカードの要部回路図
1 接続部 2 外部機器 3 メモリ部 4 電池 5 電源制御部 6 メモリ制御部 7 電池電圧検出部 8 第2の電圧検出回路 9 パルス回路 10 切り換え回路 11 分圧回路 12 スイッチ回路 13 第1の電圧検出回路 14 出力回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G06F 12/16 340 G06K 17/00 E G06K 17/00 G06F 1/00 330E 333D 335C
Claims (3)
- 【請求項1】 外部機器が接続され、記憶保持動作を行
うICメモリカードであって、 外部機器から電源の供給を受けると共に信号の授受を行
う接続部と、少なくとも1つの揮発性メモリを含むメモ
リ部と、前記外部機器からの信号により前記メモリ部を
制御するメモリ制御部と、前記メモリ部の揮発性メモリ
の記憶保持を行う電池と、前記外部機器と前記電池から
の電源供給を切り換え制御する電源制御部と、前記電池
の端子電圧を検出する電池電圧検出部とを備え、 前記電池電圧検出部が、分圧回路、前記電池の端子電圧
を前記分圧回路へ供給するスイッチ回路、前記分圧回路
の出力電圧を検出する第1の電圧検出回路および前記第
1の電圧検出回路の出力信号を受けて前記接続部に信号
を供給する出力回路から構成されたことを特徴とするI
Cメモリカード。 - 【請求項2】 電源制御部は、外部機器から供給される
電源電圧を検出する第2の電圧検出回路、前記第2の電
圧検出回路の出力信号によりリセットパルスを発生する
パルス回路、前記外部機器と電池からの電源供給を切り
換え制御する切り換え回路とから構成された請求項1記
載のICメモリカード。 - 【請求項3】 外部機器の電源がオフ状態からオン状態
に切り換えられた際のみに、電池電圧検出部は前記電池
の電圧検出を行い、接続部を介して前記外部機器へ検出
結果を送出し、前記外部機器の電源が再度オフ状態とさ
れるまで出力回路が前記検出結果を保持する請求項1ま
たは請求項2記載のICメモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8195869A JPH1040351A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Icメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8195869A JPH1040351A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Icメモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1040351A true JPH1040351A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16348349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8195869A Pending JPH1040351A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Icメモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1040351A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4782211A (en) * | 1985-12-09 | 1988-11-01 | Weld Mold Company | Method of welding and product obtained therefrom |
| JP2011253413A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体集積回路、半導体集積回路の動作方法およびデバッグシステム |
| WO2013105261A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 三菱電機株式会社 | Sramメモリカード及び電圧監視回路 |
| CN107861053A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-03-30 | 深圳市锐能微科技有限公司 | 一种检测分压电路的电路参数的检测电路及电量计量芯片 |
-
1996
- 1996-07-25 JP JP8195869A patent/JPH1040351A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4782211A (en) * | 1985-12-09 | 1988-11-01 | Weld Mold Company | Method of welding and product obtained therefrom |
| JP2011253413A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体集積回路、半導体集積回路の動作方法およびデバッグシステム |
| WO2013105261A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 三菱電機株式会社 | Sramメモリカード及び電圧監視回路 |
| JP5562496B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2014-07-30 | 三菱電機株式会社 | Sramメモリカード及び電圧監視回路 |
| US9117551B2 (en) | 2012-01-13 | 2015-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | SRAM memory card and voltage monitoring circuit |
| CN107861053A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-03-30 | 深圳市锐能微科技有限公司 | 一种检测分压电路的电路参数的检测电路及电量计量芯片 |
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