JPH1040600A - 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体Info
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- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
Abstract
(57)【要約】
【課題】 面内磁化状態にある部分の記録磁区情報がマ
スクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する
記録ビットが入る場合においても、高い信号品質で個々
の記録ビットを分離して再生することを可能な光磁気記
録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 室温において面内磁化状態であり温度上
昇にともない垂直磁化状態となる再生層１と記録層３と
が静磁結合している。再生層１のキュリー温度は１５０
℃以上２５０℃以下である。再生時、光ビーム４の照射
により、ビームスポット１００内にある再生層１にキュ
リー温度近傍以上に加熱された領域を生成する。
スクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する
記録ビットが入る場合においても、高い信号品質で個々
の記録ビットを分離して再生することを可能な光磁気記
録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 室温において面内磁化状態であり温度上
昇にともない垂直磁化状態となる再生層１と記録層３と
が静磁結合している。再生層１のキュリー温度は１５０
℃以上２５０℃以下である。再生時、光ビーム４の照射
により、ビームスポット１００内にある再生層１にキュ
リー温度近傍以上に加熱された領域を生成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒
体に関するものである。
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点がある。
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点がある。
【０００３】このような欠点は、目的とする記録ビット
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。
【０００４】上記の欠点を解消するために、特開平６−
１５０４１８号公報において、室温において面内磁化状
態であり、温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と
記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層と
が静磁結合した構造の光磁気記録媒体が提案されてい
る。
１５０４１８号公報において、室温において面内磁化状
態であり、温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と
記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層と
が静磁結合した構造の光磁気記録媒体が提案されてい
る。
【０００５】これにより、面内磁化状態にある部分の記
録磁区情報がマスクされ、集光された光ビームのビーム
径内に隣接する記録ビットが入る場合においても、個々
の記録ビットを分離して再生することが可能となること
が示されている。
録磁区情報がマスクされ、集光された光ビームのビーム
径内に隣接する記録ビットが入る場合においても、個々
の記録ビットを分離して再生することが可能となること
が示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平６−１５０４１８号公報に記載された光磁気記録
媒体では、さらに小さい記録ビット径及びさらに小さい
記録ビット間隔で記録再生を行った場合、面内磁化によ
るマスクが不十分となり、十分な再生信号が得られなく
なるという問題のあることが確認された。
特開平６−１５０４１８号公報に記載された光磁気記録
媒体では、さらに小さい記録ビット径及びさらに小さい
記録ビット間隔で記録再生を行った場合、面内磁化によ
るマスクが不十分となり、十分な再生信号が得られなく
なるという問題のあることが確認された。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、小さい記録ビッ
ト径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行っ
た場合においても、十分な再生信号を得ることのできる
光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
めになされたものであり、その目的は、小さい記録ビッ
ト径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行っ
た場合においても、十分な再生信号を得ることのできる
光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
【０００８】
（１）請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生方法は、
室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で
垂直磁化状態となる再生層と、再生層と磁気的に結合し
た垂直磁化膜からなる記録層とを有してなる光磁気記録
媒体上に、光ビームを照射し、光記録媒体からの反射光
に基づいて記録情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生
方法において、再生時における光ビームの照射により、
再生層の光ビームが照射されている領域内に、キュリー
温度近傍の温度以上に加熱された領域を形成するもので
ある。
室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で
垂直磁化状態となる再生層と、再生層と磁気的に結合し
た垂直磁化膜からなる記録層とを有してなる光磁気記録
媒体上に、光ビームを照射し、光記録媒体からの反射光
に基づいて記録情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生
方法において、再生時における光ビームの照射により、
再生層の光ビームが照射されている領域内に、キュリー
温度近傍の温度以上に加熱された領域を形成するもので
ある。
【０００９】本再生方法によれば、ビームスポット内の
再生層には、面内磁化状態となっている領域，垂直磁化
状態となっている領域，磁化が極めて弱いあるいは磁化
が消失している領域の３つの領域が存在することにな
る。この３つの領域の内、実際に再生信号を発生するの
は垂直磁化状態となっている領域であり、他の領域はマ
スクとなる。つまり、再生層の温度上昇していない領域
（面内磁化状態の領域）によりフロントマスクが形成さ
れるとともに、再生層の温度上昇した部分（磁化が弱く
なったために、カー回転角が小さくなるか存在しなくな
った領域）によりリアマスクが形成されることになる。
このようなダブルマスクが形成されることにより、小さ
い記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録
再生を行った場合においても、十分な再生信号を得るこ
と、すなわち、分解能の大きい磁気的超解像再生が可能
となる。
再生層には、面内磁化状態となっている領域，垂直磁化
状態となっている領域，磁化が極めて弱いあるいは磁化
が消失している領域の３つの領域が存在することにな
る。この３つの領域の内、実際に再生信号を発生するの
は垂直磁化状態となっている領域であり、他の領域はマ
スクとなる。つまり、再生層の温度上昇していない領域
（面内磁化状態の領域）によりフロントマスクが形成さ
れるとともに、再生層の温度上昇した部分（磁化が弱く
なったために、カー回転角が小さくなるか存在しなくな
った領域）によりリアマスクが形成されることになる。
このようなダブルマスクが形成されることにより、小さ
い記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録
再生を行った場合においても、十分な再生信号を得るこ
と、すなわち、分解能の大きい磁気的超解像再生が可能
となる。
【００１０】（２）請求項２に記載の光磁気記録媒体の
再生方法では、請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生
方法において、光磁気記録媒体が、再生層に接して、臨
界温度近傍において磁化が減少あるいは消失するキュリ
ー温度を有する面内磁化層を有してなるものである。
再生方法では、請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生
方法において、光磁気記録媒体が、再生層に接して、臨
界温度近傍において磁化が減少あるいは消失するキュリ
ー温度を有する面内磁化層を有してなるものである。
【００１１】この構成によれば、再生層と面内磁化膜と
が交換結合することにより、再生層の面内磁化マスクを
強調することが可能となり、より良好なダブルマスクが
実現され、小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビ
ット間隔で記録再生を行った場合においても、十分な再
生信号を得ること、すなわち、分解能の大きい磁気的超
解像再生が可能となる。
が交換結合することにより、再生層の面内磁化マスクを
強調することが可能となり、より良好なダブルマスクが
実現され、小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビ
ット間隔で記録再生を行った場合においても、十分な再
生信号を得ること、すなわち、分解能の大きい磁気的超
解像再生が可能となる。
【００１２】（３）請求項３に記載の光磁気記録媒体
は、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温
度で垂直磁化状態となる再生層と、再生層と磁気的に結
合した垂直磁化膜からなる記録層とを有してなり、再生
層に光ビームが照射されることにより、記録層に記録さ
れた情報が再生される光磁気記録媒体において、再生層
が、再生時における光ビームの照射により、キュリー温
度近傍の温度以上に加熱されるよう設定されてなるもの
である。
は、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温
度で垂直磁化状態となる再生層と、再生層と磁気的に結
合した垂直磁化膜からなる記録層とを有してなり、再生
層に光ビームが照射されることにより、記録層に記録さ
れた情報が再生される光磁気記録媒体において、再生層
が、再生時における光ビームの照射により、キュリー温
度近傍の温度以上に加熱されるよう設定されてなるもの
である。
【００１３】この光磁気記録媒体によれば、再生層の温
度上昇していない部分の面内磁化マスクによりフロント
マスクが形成されるとともに、再生層の温度上昇した部
分において、カー回転角が小さくなるか存在しなくな
り、リアマスクが形成されることになる。このように、
再生層においてダブルマスクが形成されることにより、
小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で
記録再生を行った場合においても、十分な再生信号を得
ること、すなわち、分解能の大きい磁気的超解像再生を
実現できる。
度上昇していない部分の面内磁化マスクによりフロント
マスクが形成されるとともに、再生層の温度上昇した部
分において、カー回転角が小さくなるか存在しなくな
り、リアマスクが形成されることになる。このように、
再生層においてダブルマスクが形成されることにより、
小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で
記録再生を行った場合においても、十分な再生信号を得
ること、すなわち、分解能の大きい磁気的超解像再生を
実現できる。
【００１４】（４）請求項４に記載の光磁気記録媒体
は、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温
度で垂直磁化状態となる再生層と、再生層と磁気的に結
合した垂直磁化膜からなる記録層とを有してなる光磁気
記録媒体において、再生層のキュリー温度が、１５０℃
以上２５０℃以下であるものである。
は、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温
度で垂直磁化状態となる再生層と、再生層と磁気的に結
合した垂直磁化膜からなる記録層とを有してなる光磁気
記録媒体において、再生層のキュリー温度が、１５０℃
以上２５０℃以下であるものである。
【００１５】この構成では、再生層のキュリー温度が、
低く設定されているため、再生層の温度上昇していない
部分の面内磁化マスクによりフロントマスクが形成され
るとともに、再生層の温度上昇した部分において、カー
回転角が小さくなるか存在しなくなり、リアマスクが形
成されることになる。このように、再生層においてダブ
ルマスクが形成されることにより、小さい記録ビット径
及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場
合においても、十分な再生信号を得ること、すなわち、
分解能の大きい磁気的超解像再生を現実的に実行するこ
とが可能となる。
低く設定されているため、再生層の温度上昇していない
部分の面内磁化マスクによりフロントマスクが形成され
るとともに、再生層の温度上昇した部分において、カー
回転角が小さくなるか存在しなくなり、リアマスクが形
成されることになる。このように、再生層においてダブ
ルマスクが形成されることにより、小さい記録ビット径
及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場
合においても、十分な再生信号を得ること、すなわち、
分解能の大きい磁気的超解像再生を現実的に実行するこ
とが可能となる。
【００１６】（５）請求項５に記載の光磁気記録媒体
は、請求項３または請求項４に記載の光磁気記録媒体に
おいて、光磁気ディスク基板上に、透明誘電体層，再生
層，非磁性中間層，記録層，保護層が順次形成されてな
るものである。
は、請求項３または請求項４に記載の光磁気記録媒体に
おいて、光磁気ディスク基板上に、透明誘電体層，再生
層，非磁性中間層，記録層，保護層が順次形成されてな
るものである。
【００１７】上記構成によれば、上記分解能の大きい磁
気的超解像再生が可能となるとともに、非磁性中間層に
より、再生層及び面内磁化膜と記録層との交換結合を完
全に遮断し、再生層及び面内磁化膜と記録層との間に良
好な静磁結合を実現することが可能となる。
気的超解像再生が可能となるとともに、非磁性中間層に
より、再生層及び面内磁化膜と記録層との交換結合を完
全に遮断し、再生層及び面内磁化膜と記録層との間に良
好な静磁結合を実現することが可能となる。
【００１８】（６）請求項６に記載の光磁気記録媒体
は、請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の光磁気記
録媒体において、再生層が、一般式（Ｉ１）、及び、条
件（Ｉ２）を満足する組成からなるものである。
は、請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の光磁気記
録媒体において、再生層が、一般式（Ｉ１）、及び、条
件（Ｉ２）を満足する組成からなるものである。
【００１９】 （ＧｄXＦｅ1-X）YＡｌ1-Y ・・・（Ｉ１） ０．２８≦Ｘ≦０．３３ ０．７０≦Ｙ≦１．００ ・・・（Ｉ２） （７）請求項７に記載の光磁気記録媒体は、請求項３乃
至請求項６のいずれかに記載の光磁気記録媒体におい
て、再生層に接して、キュリー温度が臨界温度近傍に設
定された面内磁化層が形成されてなるものである。
至請求項６のいずれかに記載の光磁気記録媒体におい
て、再生層に接して、キュリー温度が臨界温度近傍に設
定された面内磁化層が形成されてなるものである。
【００２０】この構成によれば、再生層に接して形成さ
れた面内磁化膜が再生層と交換結合することにより、再
生層の面内磁化マスクを強調することが可能となり、よ
り良好なダブルマスクが実現され、小さい記録ビット径
及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場
合においても、十分な再生信号を得ること、すなわち、
分解能の大きい磁気的超解像再生が可能となる。
れた面内磁化膜が再生層と交換結合することにより、再
生層の面内磁化マスクを強調することが可能となり、よ
り良好なダブルマスクが実現され、小さい記録ビット径
及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場
合においても、十分な再生信号を得ること、すなわち、
分解能の大きい磁気的超解像再生が可能となる。
【００２１】（８）請求項８に記載の光磁気記録媒体
は、請求項７に記載の光磁気記録媒体において、面内磁
化層のキュリー温度が、６０℃以上１８０℃以下である
ものである。
は、請求項７に記載の光磁気記録媒体において、面内磁
化層のキュリー温度が、６０℃以上１８０℃以下である
ものである。
【００２２】この構成によれば、上記（７）に示した光
磁気記録媒体を実際に実現することが可能となる。
磁気記録媒体を実際に実現することが可能となる。
【００２３】（９）請求項９に記載の光磁気記録媒体
は、請求項７または請求項８に記載の光磁気記録媒体に
おいて、面内磁化層が、一般式（ＩＩ１）、及び、条件
（ＩＩ２）を満足する組成からなるものである。
は、請求項７または請求項８に記載の光磁気記録媒体に
おいて、面内磁化層が、一般式（ＩＩ１）、及び、条件
（ＩＩ２）を満足する組成からなるものである。
【００２４】 （ＧｄXＦｅ1-X）YＡｌ1-Y ・・・（ＩＩ１） ０≦Ｘ≦０．１８ 又は ０．３３≦Ｘ≦１．００ ０．３０≦Ｙ≦０．９０ ・・・（ＩＩ２）
【００２５】
〔実施の形態１〕以下、本発明の実施の形態１を図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
【００２６】図１に本発明の超解像再生動作原理を説明
する光磁気記録媒体の平面図と断面図を、図２に従来の
超解像再生動作原理を説明する光磁気記録媒体の平面図
と断面図を示す。
する光磁気記録媒体の平面図と断面図を、図２に従来の
超解像再生動作原理を説明する光磁気記録媒体の平面図
と断面図を示す。
【００２７】まず、従来の超解像再生動作について説明
する。従来の超解像光磁気記録媒体は図２に示すよう
に、室温で面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化
状態となる希土類金属と遷移金属との合金からなる再生
層１と、室温に補償温度を有する希土類金属と遷移金属
との合金からなる記録層３との間に非磁性中間層２が形
成され、再生層１と記録層３とが静磁結合した構成であ
る。光ビーム４が再生層側から集光照射され情報の再生
が行われる。光ビーム４の照射に伴い媒体には光ビーム
４の強度分布に対応したガウシアン分布状の温度分布が
形成される。ここで、ディスクの移動に伴い、再生層１
の温度の高い領域は後方に移動し、光ビームスポット１
００に対して等温線１０１が形成される。再生層１は、
この温度分布に対応して、第１の温度範囲（等温線１０
１の外側）で面内磁化状態となり、第２の温度範囲（等
温線１０１の内側）で垂直磁化状態となり、第１の温度
範囲がフロントマスクを形成することになる。ここで、
第２の温度範囲において、再生層１のトータル磁化の向
きが記録層３から発生する漏洩磁界の向きを向き、等温
線１０１の内側の再生層１の垂直磁化成分のみが情報と
して再生されることにより、超解像再生動作が実現す
る。ところが、この方法によると、図２に示すような高
い密度で記録磁区１０６を形成した場合、再生層１の等
温線１０１の内側の領域に、再生可能な磁区１０３が２
個存在することになり、超解像再生本来の目的を達成す
ることが困難となることがわかる。尚、図２において、
１０４は垂直磁化状態となっているが光ビームスポット
１００から外れた位置にある磁区を示しており、１０５
はマスクされて面内磁化状態となっている磁区を示して
いる。
する。従来の超解像光磁気記録媒体は図２に示すよう
に、室温で面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化
状態となる希土類金属と遷移金属との合金からなる再生
層１と、室温に補償温度を有する希土類金属と遷移金属
との合金からなる記録層３との間に非磁性中間層２が形
成され、再生層１と記録層３とが静磁結合した構成であ
る。光ビーム４が再生層側から集光照射され情報の再生
が行われる。光ビーム４の照射に伴い媒体には光ビーム
４の強度分布に対応したガウシアン分布状の温度分布が
形成される。ここで、ディスクの移動に伴い、再生層１
の温度の高い領域は後方に移動し、光ビームスポット１
００に対して等温線１０１が形成される。再生層１は、
この温度分布に対応して、第１の温度範囲（等温線１０
１の外側）で面内磁化状態となり、第２の温度範囲（等
温線１０１の内側）で垂直磁化状態となり、第１の温度
範囲がフロントマスクを形成することになる。ここで、
第２の温度範囲において、再生層１のトータル磁化の向
きが記録層３から発生する漏洩磁界の向きを向き、等温
線１０１の内側の再生層１の垂直磁化成分のみが情報と
して再生されることにより、超解像再生動作が実現す
る。ところが、この方法によると、図２に示すような高
い密度で記録磁区１０６を形成した場合、再生層１の等
温線１０１の内側の領域に、再生可能な磁区１０３が２
個存在することになり、超解像再生本来の目的を達成す
ることが困難となることがわかる。尚、図２において、
１０４は垂直磁化状態となっているが光ビームスポット
１００から外れた位置にある磁区を示しており、１０５
はマスクされて面内磁化状態となっている磁区を示して
いる。
【００２８】ここで、再生層１においては、室温で面内
磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる特性
を実現するため、希土類金属副格子モーメントの大きさ
と遷移金属副格子モーメントの大きさとが同じ大きさに
なる補償組成に対して、希土類金属副格子モーメントを
多く含有していることが必要であり、再生層１の遷移金
属副格子モーメントの向きとトータル磁化の向きとが反
平行となる。一方、記録層３においては、室温に補償温
度を有する希土類遷移金属合金が用いられており、温度
上昇過程において、遷移金属副格子モーメントの大きさ
が希土類金属副格子モーメントより大きくなるため、記
録層３の遷移金属副格子モーメントの向きとトータル磁
化の向きとは平行となる。従って、記録層３の遷移金属
副格子モーメントの向きと漏洩磁界の向きとは平行とな
り、その漏洩磁界に対して再生層１の遷移金属副格子モ
ーメントの向きは、反平行となるように揃えられること
になる。
磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる特性
を実現するため、希土類金属副格子モーメントの大きさ
と遷移金属副格子モーメントの大きさとが同じ大きさに
なる補償組成に対して、希土類金属副格子モーメントを
多く含有していることが必要であり、再生層１の遷移金
属副格子モーメントの向きとトータル磁化の向きとが反
平行となる。一方、記録層３においては、室温に補償温
度を有する希土類遷移金属合金が用いられており、温度
上昇過程において、遷移金属副格子モーメントの大きさ
が希土類金属副格子モーメントより大きくなるため、記
録層３の遷移金属副格子モーメントの向きとトータル磁
化の向きとは平行となる。従って、記録層３の遷移金属
副格子モーメントの向きと漏洩磁界の向きとは平行とな
り、その漏洩磁界に対して再生層１の遷移金属副格子モ
ーメントの向きは、反平行となるように揃えられること
になる。
【００２９】一方、図１に示す本発明の超解像光磁気記
録媒体においては、再生層１のキュリー温度が従来の超
解像光磁気記録媒体より低く設定されており、これによ
り、ビームスポット内に新たに第３の温度範囲（等温線
１０２の内側）が形成される。この第３の温度範囲は、
再生層１がキュリー温度以上又はキュリー温度に極めて
近接した温度となっている範囲であり、再生層１の磁化
が存在しなくなるか又は極めて小さくなっている。その
ため、第３の温度範囲から発生する再生信号は存在しな
くなるか又は極めて小さいものとなる。すなわち、第３
の温度範囲がリアマスクを形成することになり、第１の
温度範囲における面内磁化によるフロントマスクととも
に、ダブルマスクによる超解像再生を実現することが可
能となる。この場合、再生層１において、磁区１０３と
磁区１０４の２個の磁区が垂直磁化状態となるが、光ビ
ームスポット１００の範囲内にある磁区１０３のみが再
生されることにより、超解像再生本来の目的を達成する
ことが可能となる。
録媒体においては、再生層１のキュリー温度が従来の超
解像光磁気記録媒体より低く設定されており、これによ
り、ビームスポット内に新たに第３の温度範囲（等温線
１０２の内側）が形成される。この第３の温度範囲は、
再生層１がキュリー温度以上又はキュリー温度に極めて
近接した温度となっている範囲であり、再生層１の磁化
が存在しなくなるか又は極めて小さくなっている。その
ため、第３の温度範囲から発生する再生信号は存在しな
くなるか又は極めて小さいものとなる。すなわち、第３
の温度範囲がリアマスクを形成することになり、第１の
温度範囲における面内磁化によるフロントマスクととも
に、ダブルマスクによる超解像再生を実現することが可
能となる。この場合、再生層１において、磁区１０３と
磁区１０４の２個の磁区が垂直磁化状態となるが、光ビ
ームスポット１００の範囲内にある磁区１０３のみが再
生されることにより、超解像再生本来の目的を達成する
ことが可能となる。
【００３０】本発明の実施の形態について図３に基づい
て説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、光
磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合につ
いて説明する。
て説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、光
磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合につ
いて説明する。
【００３１】本実施の形態に係る光磁気ディスクは、図
３に示すように、基板５上に透明誘電体層６，再生層
１，非磁性中間層２，記録層３，保護層７，オーバーコ
ート層８が、この順にて積層されたものである。
３に示すように、基板５上に透明誘電体層６，再生層
１，非磁性中間層２，記録層３，保護層７，オーバーコ
ート層８が、この順にて積層されたものである。
【００３２】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム４が対物レンズによ
り再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られてい
る光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっ
ている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の
向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向にな
る現象である。
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム４が対物レンズによ
り再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られてい
る光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっ
ている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の
向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向にな
る現象である。
【００３３】基板５は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００３４】透明誘電体層６は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａｌ
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、カー回転角が増大すべく設定される
必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層６の屈折
率をｎとした場合、透明誘電体層６の膜厚は（λ／４
ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を６８
０ｎｍとした場合、透明誘電体層６の膜厚を４０ｎｍ〜
１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、カー回転角が増大すべく設定される
必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層６の屈折
率をｎとした場合、透明誘電体層６の膜厚は（λ／４
ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を６８
０ｎｍとした場合、透明誘電体層６の膜厚を４０ｎｍ〜
１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【００３５】再生層１は、希土類遷移金属合金からなる
磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化
状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態となるよ
うに組成調整されており、ほぼ８０℃〜１２０℃で垂直
磁化状態となり、そのキュリー温度が１５０℃以上２５
０℃以下に設定されている。
磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化
状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態となるよ
うに組成調整されており、ほぼ８０℃〜１２０℃で垂直
磁化状態となり、そのキュリー温度が１５０℃以上２５
０℃以下に設定されている。
【００３６】非磁性中間層２は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａｌ
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、再生層１と記録層３とが静磁結合
すべく、その膜厚が１〜４０ｎｍに設定されている。
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、再生層１と記録層３とが静磁結合
すべく、その膜厚が１〜４０ｎｍに設定されている。
【００３７】記録層３は、希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化膜からなり、再生層１に十分な大きさの漏洩磁
界を及ぼすべく、その膜厚が、２０〜８０ｎｍの範囲に
設定されている。
垂直磁化膜からなり、再生層１に十分な大きさの漏洩磁
界を及ぼすべく、その膜厚が、２０〜８０ｎｍの範囲に
設定されている。
【００３８】保護層７は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ
等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属
合金からなり、再生層１や記録層３に用いる希土類遷移
金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであ
り、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されてい
る。
等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属
合金からなり、再生層１や記録層３に用いる希土類遷移
金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであ
り、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されてい
る。
【００３９】オーバーコート層８は、紫外線硬化樹脂ま
たは熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線
を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
たは熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線
を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
【００４０】〈実施例１〉 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
る。
【００４１】まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＡｌ合
金ターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとを
それぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプ
リピットを有し、ディスク状に形成されたポリカーボネ
ート製の基板５を基板ホルダーに配置する。スパッタ装
置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴ
ンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を
供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板５
にＡｌＮからなる透明誘電体層６を膜厚８０ｎｍで形成
した。
金ターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとを
それぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプ
リピットを有し、ディスク状に形成されたポリカーボネ
ート製の基板５を基板ホルダーに配置する。スパッタ装
置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴ
ンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を
供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板５
にＡｌＮからなる透明誘電体層６を膜厚８０ｎｍで形成
した。
【００４２】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層６上に、
（Ｇｄ0.30Ｆｅ0.70）0.93Ａｌ0.07からなる再生層１を
膜厚２５ｎｍで形成した。その再生層１は、室温におい
て面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態
となる特性を有し、そのキュリー温度が２００℃であっ
た。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層６上に、
（Ｇｄ0.30Ｆｅ0.70）0.93Ａｌ0.07からなる再生層１を
膜厚２５ｎｍで形成した。その再生層１は、室温におい
て面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態
となる特性を有し、そのキュリー温度が２００℃であっ
た。
【００４３】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層１上にＡｌＮからなる非磁
性中間層２を膜厚２０ｎｍで形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層１上にＡｌＮからなる非磁
性中間層２を膜厚２０ｎｍで形成した。
【００４４】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上
に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録層３を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層３は、２５℃に補償温度を有し、キュリー温度が
２７５℃であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上
に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録層３を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層３は、２５℃に補償温度を有し、キュリー温度が
２７５℃であった。
【００４５】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層３上にＡｌＮからなる保護
層７を膜厚２０ｎｍとして形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層３上にＡｌＮからなる保護
層７を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【００４６】次に、上記保護層７上に、紫外線硬化樹脂
をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射すること
によりオーバーコート層８を形成した。
をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射すること
によりオーバーコート層８を形成した。
【００４７】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップでレーザパワーを２．５ｍＷとして測
定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長（Ｍａｒｋ
ｌｅｎｇｔｈ）依存性を実施例１として図４に示す。比
較のため、再生層１として、室温において面内磁化状態
であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有
し、そのキュリー温度が３２０℃であるＧｄＦｅＣｏを
用いたディスクを比較例１として同図に示す。また、こ
こで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応す
る長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区ピ
ッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものであ
る。
た光ピックアップでレーザパワーを２．５ｍＷとして測
定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長（Ｍａｒｋ
ｌｅｎｇｔｈ）依存性を実施例１として図４に示す。比
較のため、再生層１として、室温において面内磁化状態
であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有
し、そのキュリー温度が３２０℃であるＧｄＦｅＣｏを
用いたディスクを比較例１として同図に示す。また、こ
こで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応す
る長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区ピ
ッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものであ
る。
【００４８】マーク長が０．６μｍと長い場合、再生層
のキュリー温度が高い比較例１のＣＮＲが高くなってい
る。これは、再生層のキュリー温度がより高い比較例１
のカー回転角がより大きくなり、その結果、再生信号の
キャリアレベルが高くなっていることに起因するもので
ある。しかし、マーク長０.４μｍの両者のＣＮＲを比
較すると、比較例１の場合に３９.０ｄＢであるのに対
して、本実施例１の場合４５.５ｄＢとなり、６.５ｄＢ
のＣＮＲ増加が観測されている。これは、再生層におい
て、ダブルマスクが実現し、より分解能の高い再生が実
施例１において実現したことを意味している。
のキュリー温度が高い比較例１のＣＮＲが高くなってい
る。これは、再生層のキュリー温度がより高い比較例１
のカー回転角がより大きくなり、その結果、再生信号の
キャリアレベルが高くなっていることに起因するもので
ある。しかし、マーク長０.４μｍの両者のＣＮＲを比
較すると、比較例１の場合に３９.０ｄＢであるのに対
して、本実施例１の場合４５.５ｄＢとなり、６.５ｄＢ
のＣＮＲ増加が観測されている。これは、再生層におい
て、ダブルマスクが実現し、より分解能の高い再生が実
施例１において実現したことを意味している。
【００４９】図５は、マーク長０.４μｍにおける、両
者のＣＮＲの再生パワー（Ｒｅａｄｐｏｗｅｒ）依存性
を示すものである。再生パワーが２ｍＷより低い場合に
は、実施例１において、ダブルマスクが実現していない
ため、キャリアレベルの高い比較例１においてより高い
ＣＮＲが得られている。しかしながら、２ｍＷ以上の再
生パワーを投入した場合には、実施例１において、再生
層１の内部にそのキュリー温度近傍の温度以上に加熱さ
れた部分が生じるため、ダブルマスクが実現し、比較例
１よりも高いＣＮＲが得られていることが分かる。
者のＣＮＲの再生パワー（Ｒｅａｄｐｏｗｅｒ）依存性
を示すものである。再生パワーが２ｍＷより低い場合に
は、実施例１において、ダブルマスクが実現していない
ため、キャリアレベルの高い比較例１においてより高い
ＣＮＲが得られている。しかしながら、２ｍＷ以上の再
生パワーを投入した場合には、実施例１において、再生
層１の内部にそのキュリー温度近傍の温度以上に加熱さ
れた部分が生じるため、ダブルマスクが実現し、比較例
１よりも高いＣＮＲが得られていることが分かる。
【００５０】次に、表１は、実施例１と比較例１におけ
る再生層１の膜厚を変えて、０.４μｍでのＣＮＲを測
定した結果を示すものである。ここで、実施例１と比較
例１とを同じ状態で比較するため、両者の再生層の膜厚
が同じ場合におけるＣＮＲを比較している。また、それ
ぞれの再生層の膜厚に対して、再生パワーを２．５ｍＷ
に設定したとき、ＣＮＲが最大となるように、記録条件
を変えて記録を行っている。
る再生層１の膜厚を変えて、０.４μｍでのＣＮＲを測
定した結果を示すものである。ここで、実施例１と比較
例１とを同じ状態で比較するため、両者の再生層の膜厚
が同じ場合におけるＣＮＲを比較している。また、それ
ぞれの再生層の膜厚に対して、再生パワーを２．５ｍＷ
に設定したとき、ＣＮＲが最大となるように、記録条件
を変えて記録を行っている。
【００５１】
【表１】
【００５２】表１から、再生層１の膜厚が１０ｎｍ以上
８０ｎｍ以下の範囲において、実施例１のＣＮＲが比較
例１のＣＮＲより高くなっていることがわかる。実施例
１の再生層１と比較例１の再生層とを比較した場合、実
施例１の再生層１のキュリー温度が比較例１の再生層の
キュリー温度より低く設定されており、再生層１と記録
層３との静磁結合力は実施例１のほうが小さくなってし
まう。この静磁結合力は、再生層の膜厚に比例する力で
あり、再生層１の膜厚を８ｎｍと薄くした場合、実施例
１の静磁結合力が極めて小さくなり、十分な大きさの静
磁結合力が得られなくなり、実施例１のＣＮＲが比較例
１のＣＮＲよりも低くなってしまう。また、再生層１の
膜厚を１００ｎｍと厚くした場合、再生層１の磁化状態
の面内磁化状態から垂直磁化状態への移行に伴い、再生
層１に存在する磁壁エネルギーが膜厚の増加とともに大
きくなり、比較的静磁結合力の小さい実施例１におい
て、十分な大きさの静磁結合力が得られなくなり、実施
例１のＣＮＲが比較例のＣＮＲよりも低くなってしま
う。以上のような理由により、再生層１の膜厚は１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下である必要がある。
８０ｎｍ以下の範囲において、実施例１のＣＮＲが比較
例１のＣＮＲより高くなっていることがわかる。実施例
１の再生層１と比較例１の再生層とを比較した場合、実
施例１の再生層１のキュリー温度が比較例１の再生層の
キュリー温度より低く設定されており、再生層１と記録
層３との静磁結合力は実施例１のほうが小さくなってし
まう。この静磁結合力は、再生層の膜厚に比例する力で
あり、再生層１の膜厚を８ｎｍと薄くした場合、実施例
１の静磁結合力が極めて小さくなり、十分な大きさの静
磁結合力が得られなくなり、実施例１のＣＮＲが比較例
１のＣＮＲよりも低くなってしまう。また、再生層１の
膜厚を１００ｎｍと厚くした場合、再生層１の磁化状態
の面内磁化状態から垂直磁化状態への移行に伴い、再生
層１に存在する磁壁エネルギーが膜厚の増加とともに大
きくなり、比較的静磁結合力の小さい実施例１におい
て、十分な大きさの静磁結合力が得られなくなり、実施
例１のＣＮＲが比較例のＣＮＲよりも低くなってしま
う。以上のような理由により、再生層１の膜厚は１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下である必要がある。
【００５３】次に、表２は、実施例１と比較例１におけ
る非磁性中間層２の膜厚を変えて、０.４μｍでのＣＮ
Ｒを測定した結果を示すものである。ここで、実施例１
と比較例１とを同じ状態で比較するため、両者の非磁性
中間層２の膜厚が同じ場合におけるＣＮＲを比較してい
る。また、それぞれの再生層１の膜厚に対して、再生パ
ワーを２．５ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが最大となる
ように、記録条件を変えて記録を行っている。
る非磁性中間層２の膜厚を変えて、０.４μｍでのＣＮ
Ｒを測定した結果を示すものである。ここで、実施例１
と比較例１とを同じ状態で比較するため、両者の非磁性
中間層２の膜厚が同じ場合におけるＣＮＲを比較してい
る。また、それぞれの再生層１の膜厚に対して、再生パ
ワーを２．５ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが最大となる
ように、記録条件を変えて記録を行っている。
【００５４】
【表２】
【００５５】表２からわかるように、非磁性中間層２の
膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲがともに２５．０ｄＢ
となり、実施例１におけるＣＮＲの増大という効果が観
測されなかった。これは、非磁性中間層２の膜厚が薄す
ぎるため、良好な静磁結合状態が得られなかったことに
よるものと考えられる。良好な静磁結合状態を得るため
には、非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍ以上に設定する必
要がある。また、非磁性中間層２の膜厚が１００ｎｍの
場合、実施例１のＣＮＲが比較例１のＣＮＲよりも低く
なってしまうことがわかる。再生層１と記録層３との間
に働く静磁結合力は、非磁性中間層２の膜厚が厚くなる
ことにより小さくなって行く。そのため、磁性中間層２
の膜厚を１００ｎｍと厚くした場合、比較的静磁結合力
の小さい実施例１において、十分な大きさの静磁結合力
が得られなくなり、実施例１のＣＮＲが比較例１のＣＮ
Ｒよりも低くなってしまう。以上のような理由により、
非磁性中間層２の膜厚は１ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
必要がある。
膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲがともに２５．０ｄＢ
となり、実施例１におけるＣＮＲの増大という効果が観
測されなかった。これは、非磁性中間層２の膜厚が薄す
ぎるため、良好な静磁結合状態が得られなかったことに
よるものと考えられる。良好な静磁結合状態を得るため
には、非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍ以上に設定する必
要がある。また、非磁性中間層２の膜厚が１００ｎｍの
場合、実施例１のＣＮＲが比較例１のＣＮＲよりも低く
なってしまうことがわかる。再生層１と記録層３との間
に働く静磁結合力は、非磁性中間層２の膜厚が厚くなる
ことにより小さくなって行く。そのため、磁性中間層２
の膜厚を１００ｎｍと厚くした場合、比較的静磁結合力
の小さい実施例１において、十分な大きさの静磁結合力
が得られなくなり、実施例１のＣＮＲが比較例１のＣＮ
Ｒよりも低くなってしまう。以上のような理由により、
非磁性中間層２の膜厚は１ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
必要がある。
【００５６】次に、表３は、実施例１と比較例１におけ
る記録層３の膜厚を変えて、０.４μｍでのＣＮＲを測
定した結果を示すものである。ここで、実施例１と比較
例１とを同じ状態で比較するため、両者の記録層３の膜
厚が同じ場合におけるＣＮＲを比較している。また、そ
れぞれの再生層１の膜厚に対して、再生パワーを２．５
ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが最大となるように、記録
条件を変えて記録を行っている。
る記録層３の膜厚を変えて、０.４μｍでのＣＮＲを測
定した結果を示すものである。ここで、実施例１と比較
例１とを同じ状態で比較するため、両者の記録層３の膜
厚が同じ場合におけるＣＮＲを比較している。また、そ
れぞれの再生層１の膜厚に対して、再生パワーを２．５
ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが最大となるように、記録
条件を変えて記録を行っている。
【００５７】
【表３】
【００５８】表３からわかるように、記録層３の膜厚を
１５ｎｍと薄くした場合、実施例１のＣＮＲが比較例１
のＣＮＲよりも低くなってしまう。これは、記録層３の
膜厚が薄くなることにより、記録層３から発生する漏洩
磁界が小さくなり、比較的静磁結合力の小さい実施例１
において、十分な大きさの静磁結合力が得られなったこ
とに起因する。また、記録層３の膜厚を１００ｎｍと厚
くした場合においても、実施例１のＣＮＲが比較例１の
ＣＮＲよりも低くなってしまう。この場合、記録層３か
らの漏洩磁界が大きくなり過ぎていることにＣＮＲ低下
の原因がある。再生層１におけるフロントマスクの形
成、すなわち、面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移
は、再生層１のＣｏ含有量により決定される。Ｃｏ含有
量が比較的多い比較例１の再生層１の場合、温度上昇に
対して面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が急激に
起こり、フロントマスクはより良好に形成されている。
そのため、記録層３からの漏洩磁界が大きくなり過ぎた
場合においても、良好なフロントマスクが維持されてい
るが、実施例１の再生層１の場合、記録層３からの漏洩
磁界が大きくなり過ぎた場合、良好なフロントマスクが
維持されなくなることにより、実施例１のＣＮＲが比較
例１のＣＮＲよりも低くなってしまう。以上のような理
由から、記録層３の膜厚は２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下で
ある必要がある。
１５ｎｍと薄くした場合、実施例１のＣＮＲが比較例１
のＣＮＲよりも低くなってしまう。これは、記録層３の
膜厚が薄くなることにより、記録層３から発生する漏洩
磁界が小さくなり、比較的静磁結合力の小さい実施例１
において、十分な大きさの静磁結合力が得られなったこ
とに起因する。また、記録層３の膜厚を１００ｎｍと厚
くした場合においても、実施例１のＣＮＲが比較例１の
ＣＮＲよりも低くなってしまう。この場合、記録層３か
らの漏洩磁界が大きくなり過ぎていることにＣＮＲ低下
の原因がある。再生層１におけるフロントマスクの形
成、すなわち、面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移
は、再生層１のＣｏ含有量により決定される。Ｃｏ含有
量が比較的多い比較例１の再生層１の場合、温度上昇に
対して面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が急激に
起こり、フロントマスクはより良好に形成されている。
そのため、記録層３からの漏洩磁界が大きくなり過ぎた
場合においても、良好なフロントマスクが維持されてい
るが、実施例１の再生層１の場合、記録層３からの漏洩
磁界が大きくなり過ぎた場合、良好なフロントマスクが
維持されなくなることにより、実施例１のＣＮＲが比較
例１のＣＮＲよりも低くなってしまう。以上のような理
由から、記録層３の膜厚は２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下で
ある必要がある。
【００５９】〔実施の形態２〕本発明の実施の形態２に
ついて、図６に基づいて説明すれば以下の通りである。
ついて、図６に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００６０】図６は本実施の形態の超解像再生動作原理
を説明する光磁気記録媒体の平面図と断面図を示すもの
である。ここで、図１と同一部分については同一符号を
付し説明を省略する。
を説明する光磁気記録媒体の平面図と断面図を示すもの
である。ここで、図１と同一部分については同一符号を
付し説明を省略する。
【００６１】図６に示す本実施の形態の超解像光磁気記
録媒体においては、再生層１のキュリー温度が従来の超
解像光磁気記録媒体より低く設定された実施の形態１に
記載の超解像光磁気記録媒体の再生層１に接して面内磁
化層９が形成されたことを特徴としている。
録媒体においては、再生層１のキュリー温度が従来の超
解像光磁気記録媒体より低く設定された実施の形態１に
記載の超解像光磁気記録媒体の再生層１に接して面内磁
化層９が形成されたことを特徴としている。
【００６２】実施の形態１を説明する図１においては、
説明の便宜上、再生層１の磁化状態が膜面に対して面内
方向から垂直方向へと瞬間的に変化することを仮定して
記述した。しかし、実際にはガウシアン分布状の強度分
布を持つ光ビーム照射に伴い、ガウシアン分布状の温度
分布が発生し、その温度分布に対応して、再生層１の磁
化状態は面内磁化状態から垂直磁化状態へと徐々に変化
して行く。したがって、図１においては、完全な面内磁
化状態として記述しているフロントマスクの部分におい
ても、再生層１の温度分布に対応して垂直磁化成分を有
し、超解像再生動作が劣化するということになる。
説明の便宜上、再生層１の磁化状態が膜面に対して面内
方向から垂直方向へと瞬間的に変化することを仮定して
記述した。しかし、実際にはガウシアン分布状の強度分
布を持つ光ビーム照射に伴い、ガウシアン分布状の温度
分布が発生し、その温度分布に対応して、再生層１の磁
化状態は面内磁化状態から垂直磁化状態へと徐々に変化
して行く。したがって、図１においては、完全な面内磁
化状態として記述しているフロントマスクの部分におい
ても、再生層１の温度分布に対応して垂直磁化成分を有
し、超解像再生動作が劣化するということになる。
【００６３】図６に示す本発明の実施の形態２において
は、再生層１に接して形成された面内磁化層９と再生層
１とが交換結合することにより、面内磁化層９のキュリ
ー温度以下の温度範囲、すなわち、面内磁化層９が磁化
を有する温度範囲において、再生層１が面内磁化状態と
なりやすくなり、上記再生層１の温度分布に対応して発
生する再生層１のフロントマスクにおける垂直磁化成分
が低く抑えられることにより、良好な超解像再生動作を
実現することが可能となる。
は、再生層１に接して形成された面内磁化層９と再生層
１とが交換結合することにより、面内磁化層９のキュリ
ー温度以下の温度範囲、すなわち、面内磁化層９が磁化
を有する温度範囲において、再生層１が面内磁化状態と
なりやすくなり、上記再生層１の温度分布に対応して発
生する再生層１のフロントマスクにおける垂直磁化成分
が低く抑えられることにより、良好な超解像再生動作を
実現することが可能となる。
【００６４】面内磁化層９は、希土類遷移金属合金から
なる磁性膜であることが望ましく、そのキュリー温度ま
で、膜面に対して面内方向に磁化を有するように組成調
整されており、そのキュリー温度が５０℃以上１８０℃
以下に設定されている。
なる磁性膜であることが望ましく、そのキュリー温度ま
で、膜面に対して面内方向に磁化を有するように組成調
整されており、そのキュリー温度が５０℃以上１８０℃
以下に設定されている。
【００６５】〈実施例２〉 （１）光磁気ディスクの形成方法 本実施の形態２の光磁気ディスクは、実施例１記載の実
施の形態１の光磁気ディスクの形成方法において、再生
層１形成後、連続して面内磁化層９を形成することによ
り、形成される。
施の形態１の光磁気ディスクの形成方法において、再生
層１形成後、連続して面内磁化層９を形成することによ
り、形成される。
【００６６】実施例１記載の形成方法に従い再生層１を
形成した後、第２のＧｄＦｅＡｌターゲットに電力を供
給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、再生層１上
に、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.82Ａｌ0.18からなる面内磁
化層９を膜厚５ｎｍで形成した。その面内磁化層９は、
キュリー温度が１２０℃であり、そのキュリー温度ま
で、膜面に対して面内方向に磁化を有する膜であった。
形成した後、第２のＧｄＦｅＡｌターゲットに電力を供
給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、再生層１上
に、（Ｇｄ0.11Ｆｅ0.89）0.82Ａｌ0.18からなる面内磁
化層９を膜厚５ｎｍで形成した。その面内磁化層９は、
キュリー温度が１２０℃であり、そのキュリー温度ま
で、膜面に対して面内方向に磁化を有する膜であった。
【００６７】次に、実施例１記載の形成方法に従い、Ａ
ｌＮからなる非磁性中間層２、記録層３、保護層７、オ
ーバーコート層８を形成した。
ｌＮからなる非磁性中間層２、記録層３、保護層７、オ
ーバーコート層８を形成した。
【００６８】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップでレーザパワーを２．５ｍＷとして測
定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長（Ｍａｒｋ
ｌｅｎｇｔｈ）依存性を実施例２として図７に示す。比
較のため、実施例１の測定結果も同図に示す。また、こ
こで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応す
る長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区ピ
ッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものであ
る。
た光ピックアップでレーザパワーを２．５ｍＷとして測
定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長（Ｍａｒｋ
ｌｅｎｇｔｈ）依存性を実施例２として図７に示す。比
較のため、実施例１の測定結果も同図に示す。また、こ
こで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マーク長に対応す
る長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区ピ
ッチで連続形成した時の信号対雑音比を表すものであ
る。
【００６９】マーク長が０．６μｍの場合、実施例１の
ＣＮＲが４７.５ｄＢであるのに対して、本実施例２の
ＣＮＲが４９.０ｄＢとなり、１.５ｄＢのＣＮＲ増加が
観測され、マーク長が０.４μｍの場合、実施例１のＣ
ＮＲが４５.５ｄＢであるのに対して、本実施例２の場
合４７.５ｄＢとなり、２.０ｄＢのＣＮＲ増加が観測さ
れている。また、マーク長が短くなるにつれて、このＣ
ＮＲ増加が大きくなっていることが分かる。これは、実
施例２の再生層１において、より効果的なダブルマスク
が実現したことにより、より分解能の高い再生が実施例
２において実現したことを意味している。
ＣＮＲが４７.５ｄＢであるのに対して、本実施例２の
ＣＮＲが４９.０ｄＢとなり、１.５ｄＢのＣＮＲ増加が
観測され、マーク長が０.４μｍの場合、実施例１のＣ
ＮＲが４５.５ｄＢであるのに対して、本実施例２の場
合４７.５ｄＢとなり、２.０ｄＢのＣＮＲ増加が観測さ
れている。また、マーク長が短くなるにつれて、このＣ
ＮＲ増加が大きくなっていることが分かる。これは、実
施例２の再生層１において、より効果的なダブルマスク
が実現したことにより、より分解能の高い再生が実施例
２において実現したことを意味している。
【００７０】次に、本実施の形態２における再生層１と
記録層３の膜厚については、実施の形態１において記述
した内容と同じ理由により、再生層１の膜厚が１０ｎｍ
以上８０ｎｍ以下であり、記録層３の膜厚が２０ｎｍ以
上８０ｎｍ以下である必要がある。
記録層３の膜厚については、実施の形態１において記述
した内容と同じ理由により、再生層１の膜厚が１０ｎｍ
以上８０ｎｍ以下であり、記録層３の膜厚が２０ｎｍ以
上８０ｎｍ以下である必要がある。
【００７１】次に、表４は、実施例２における面内磁化
層９の膜厚を変えて、マーク長０.４μｍで測定したＣ
ＮＲをＣＮＲ４２として示すものである。ここで、比較
のため、実施例２における面内磁化層９の膜厚と非磁性
中間層２の膜厚との和に等しい膜厚の非磁性中間層２を
有する実施の形態１記載のディスクにおいて、マーク長
０.４μｍで測定したＣＮＲをＣＮＲ４１として示す。
層９の膜厚を変えて、マーク長０.４μｍで測定したＣ
ＮＲをＣＮＲ４２として示すものである。ここで、比較
のため、実施例２における面内磁化層９の膜厚と非磁性
中間層２の膜厚との和に等しい膜厚の非磁性中間層２を
有する実施の形態１記載のディスクにおいて、マーク長
０.４μｍで測定したＣＮＲをＣＮＲ４１として示す。
【００７２】
【表４】
【００７３】表４から分かるように、面内磁化層９の膜
厚が１ｎｍの場合、ＣＮＲ４２はＣＮＲ４１と等しく、
面内磁化層９による再生分解能の改善は確認されなかっ
た。面内磁化層９の膜厚を２ｎｍ以上とすることによ
り、再生分解能が改善され、ＣＮＲ４２がＣＮＲ４１よ
り大きくなる。さらに、面内磁化層９の膜厚を８０ｎｍ
とすることにより、ＣＮＲ４２は１０．５ｄＢと極端に
小さくなり、ＣＮＲ４１よりも小さくなってしまう。こ
れは、実施の形態１の場合と同様に、再生層１と記録層
３との距離が離れることにより、再生層１と記録層３と
の間に働く静磁結合力が小さくなり、再生動作が不安定
となることにより、極端にＣＮＲが劣化してしまうもの
である。以上のような理由により、面内磁化層９の膜厚
は２ｎｍ以上であり、かつ、面内磁化層９の膜厚と非磁
性中間層２の膜厚との和が８０ｎｍ以下である必要があ
る。
厚が１ｎｍの場合、ＣＮＲ４２はＣＮＲ４１と等しく、
面内磁化層９による再生分解能の改善は確認されなかっ
た。面内磁化層９の膜厚を２ｎｍ以上とすることによ
り、再生分解能が改善され、ＣＮＲ４２がＣＮＲ４１よ
り大きくなる。さらに、面内磁化層９の膜厚を８０ｎｍ
とすることにより、ＣＮＲ４２は１０．５ｄＢと極端に
小さくなり、ＣＮＲ４１よりも小さくなってしまう。こ
れは、実施の形態１の場合と同様に、再生層１と記録層
３との距離が離れることにより、再生層１と記録層３と
の間に働く静磁結合力が小さくなり、再生動作が不安定
となることにより、極端にＣＮＲが劣化してしまうもの
である。以上のような理由により、面内磁化層９の膜厚
は２ｎｍ以上であり、かつ、面内磁化層９の膜厚と非磁
性中間層２の膜厚との和が８０ｎｍ以下である必要があ
る。
【００７４】〈実施例３〉実施例１及び実施例２におい
ては、再生層１として、１２０℃で垂直磁化状態とな
り、２００℃にキュリー温度を有する（Ｇｄ0.30Ｆｅ
0.70）0.93Ａｌ0.07を用いたが、本実施例においては、
ＧｄＦｅＡｌ合金の組成を変えて、超解像再生特性を調
査した。ここで、各層の膜厚を実施例１及び実施例２と
同一とし、再生層１の組成のみを変えて調査を行った。
ては、再生層１として、１２０℃で垂直磁化状態とな
り、２００℃にキュリー温度を有する（Ｇｄ0.30Ｆｅ
0.70）0.93Ａｌ0.07を用いたが、本実施例においては、
ＧｄＦｅＡｌ合金の組成を変えて、超解像再生特性を調
査した。ここで、各層の膜厚を実施例１及び実施例２と
同一とし、再生層１の組成のみを変えて調査を行った。
【００７５】表５は、実施例１及び実施例２の膜構成に
おいて、再生層１を（Ｇｄ0.30Ｆｅ0.70）YＡｌ1-Yと
し、Ｙ（ａｔｏｍ％）の値を変えて、再生層１のキュリ
ー温度Ｔｃと、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた
光ピックアップで測定した０.４μｍでのＣＮＲ（信号
対雑音比）とを測定した結果を示すものである。ＣＮＲ
５１が実施例１の構成に対する結果を、ＣＮＲ５２が実
施例２の構成に対する結果を示している。また、比較の
ため、再生層１として、キュリー温度が３２０℃のＧｄ
0.30（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.70を実施例１及び実施例２
の構成に対して用いた時のＣＮＲを比較例として記載す
る。
おいて、再生層１を（Ｇｄ0.30Ｆｅ0.70）YＡｌ1-Yと
し、Ｙ（ａｔｏｍ％）の値を変えて、再生層１のキュリ
ー温度Ｔｃと、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた
光ピックアップで測定した０.４μｍでのＣＮＲ（信号
対雑音比）とを測定した結果を示すものである。ＣＮＲ
５１が実施例１の構成に対する結果を、ＣＮＲ５２が実
施例２の構成に対する結果を示している。また、比較の
ため、再生層１として、キュリー温度が３２０℃のＧｄ
0.30（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.70を実施例１及び実施例２
の構成に対して用いた時のＣＮＲを比較例として記載す
る。
【００７６】
【表５】
【００７７】表５において、ＣＮＲ５１及びＣＮＲ５２
のいずれにおいても、０.７０≦Ｙ≦１.００の範囲にお
いて、再生層１としてキュリー温度が３２０℃のＧｄＦ
ｅＣｏを用いた場合のＣＮＲよりも大きなＣＮＲが得ら
れた。すなわち、再生層１を（Ｇｄ0.30Ｆｅ0.70）YＡ
ｌ1-Yとして、Ｙ（ａｔｏｍ％）の値を０.７０≦Ｙ≦
１.００の範囲に設定することにより、本発明特有のダ
ブルマスクが実現し、良好な超解像再生特性を得ること
が可能となる。また、表５から、再生層１のキュリー温
度は、１５０℃以上２２０℃以下である必要のあること
がわかる。
のいずれにおいても、０.７０≦Ｙ≦１.００の範囲にお
いて、再生層１としてキュリー温度が３２０℃のＧｄＦ
ｅＣｏを用いた場合のＣＮＲよりも大きなＣＮＲが得ら
れた。すなわち、再生層１を（Ｇｄ0.30Ｆｅ0.70）YＡ
ｌ1-Yとして、Ｙ（ａｔｏｍ％）の値を０.７０≦Ｙ≦
１.００の範囲に設定することにより、本発明特有のダ
ブルマスクが実現し、良好な超解像再生特性を得ること
が可能となる。また、表５から、再生層１のキュリー温
度は、１５０℃以上２２０℃以下である必要のあること
がわかる。
【００７８】次に、表６は、実施例１及び実施例２の膜
構成において、再生層１を（ＧｄXＦｅ1-X）0.93Ａｌ
0.07とし、Ｘ（ａｔｏｍ％）の値を変えて、波長６８０
ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した
０.４μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を測定した結果
を示すものである。ＣＮＲ６１が実施例１の構成に対す
る結果を、ＣＮＲ６２が実施例２の構成に対する結果を
示している。また、比較のため、再生層１として、遷移
金属合金に対する希土類希土類の割合を同一にしたＧｄ
X（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）1-Xを用いた場合のＣＮＲを比較
例として記載している。
構成において、再生層１を（ＧｄXＦｅ1-X）0.93Ａｌ
0.07とし、Ｘ（ａｔｏｍ％）の値を変えて、波長６８０
ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測定した
０.４μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）を測定した結果
を示すものである。ＣＮＲ６１が実施例１の構成に対す
る結果を、ＣＮＲ６２が実施例２の構成に対する結果を
示している。また、比較のため、再生層１として、遷移
金属合金に対する希土類希土類の割合を同一にしたＧｄ
X（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）1-Xを用いた場合のＣＮＲを比較
例として記載している。
【００７９】
【表６】
【００８０】表６において、ＣＮＲ６１及びＣＮＲ６２
のいずれも、比較例よりも高いＣＮＲが得られており、
本発明特有のダブルマスクが実現し、良好な超解像再生
特性が得られるという効果を有している。しかし、Ｘが
０．２７または０．３３の場合のＣＮＲは３０ｄＢ以下
と小さく非実用的である。良好な再生特性を得るために
は、０.２８≦Ｘ≦０.３３の範囲である必要がある。
のいずれも、比較例よりも高いＣＮＲが得られており、
本発明特有のダブルマスクが実現し、良好な超解像再生
特性が得られるという効果を有している。しかし、Ｘが
０．２７または０．３３の場合のＣＮＲは３０ｄＢ以下
と小さく非実用的である。良好な再生特性を得るために
は、０.２８≦Ｘ≦０.３３の範囲である必要がある。
【００８１】〈実施例４〉実施例３において、本発明の
再生層１として、ＧｄＦｅ合金、又は、ＧｄＦｅＡｌ合
金を用いた実施例について説明したが、これ以外に、本
発明の再生層１としては、ＧｄＦｅＣｏ合金、ＧｄＦｅ
Ｔｉ合金、ＧｄＦｅＴａ合金、ＧｄＦｅＰｔ合金、Ｇｄ
ＦｅＡｕ合金、ＧｄＦｅＣｕ合金等を用いることが可能
である。
再生層１として、ＧｄＦｅ合金、又は、ＧｄＦｅＡｌ合
金を用いた実施例について説明したが、これ以外に、本
発明の再生層１としては、ＧｄＦｅＣｏ合金、ＧｄＦｅ
Ｔｉ合金、ＧｄＦｅＴａ合金、ＧｄＦｅＰｔ合金、Ｇｄ
ＦｅＡｕ合金、ＧｄＦｅＣｕ合金等を用いることが可能
である。
【００８２】表７は、実施例１及び実施例２の膜構成に
おいて、再生層１の材料を変えて、再生層１のキュリー
温度ＴCと、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光
ピックアップで測定した０.４μｍでのＣＮＲ（信号対
雑音比）とを測定した結果を示すものである。ＣＮＲ７
１が実施例１の構成に対する結果を、ＣＮＲ７２が実施
例２の構成に対する結果を示している。また、比較のた
め、再生層１として、キュリー温度が３２０℃のＧｄ
0.30（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.70を実施例１及び実施例２
の構成に対して用いた時のＣＮＲを比較例として記載す
る。
おいて、再生層１の材料を変えて、再生層１のキュリー
温度ＴCと、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光
ピックアップで測定した０.４μｍでのＣＮＲ（信号対
雑音比）とを測定した結果を示すものである。ＣＮＲ７
１が実施例１の構成に対する結果を、ＣＮＲ７２が実施
例２の構成に対する結果を示している。また、比較のた
め、再生層１として、キュリー温度が３２０℃のＧｄ
0.30（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.70を実施例１及び実施例２
の構成に対して用いた時のＣＮＲを比較例として記載す
る。
【００８３】
【表７】
【００８４】表７において、再生層１としてＧｄ
0.30（Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15）0.70を用いた場合、ＣＮＲ７
１及びＣＮＲ７２がともに比較例より小さくなってしま
うが、それ以外の材料を再生層１として用いた場合、Ｃ
ＮＲ７１及びＣＮＲ７２がともに比較例より大きくな
り、本発明特有のダブルマスクが実現し、良好な超解像
再生特性を得ることが可能となる。また、表７におい
て、再生層１のキュリー温度ＴｃとＣＮＲとの関係を見
ると、Ｔｃを２５０℃以下にすることで、比較例よりも
高いＣＮＲが得られていることがわかる。実施例１の表
５において、再生層１のキュリー温度が１５０℃以上で
あることをすでに確認しており、この結果を合わせるこ
とにより、再生層１のキュリー温度は１５０℃以上２５
０℃以下である必要のあることがわかる。
0.30（Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15）0.70を用いた場合、ＣＮＲ７
１及びＣＮＲ７２がともに比較例より小さくなってしま
うが、それ以外の材料を再生層１として用いた場合、Ｃ
ＮＲ７１及びＣＮＲ７２がともに比較例より大きくな
り、本発明特有のダブルマスクが実現し、良好な超解像
再生特性を得ることが可能となる。また、表７におい
て、再生層１のキュリー温度ＴｃとＣＮＲとの関係を見
ると、Ｔｃを２５０℃以下にすることで、比較例よりも
高いＣＮＲが得られていることがわかる。実施例１の表
５において、再生層１のキュリー温度が１５０℃以上で
あることをすでに確認しており、この結果を合わせるこ
とにより、再生層１のキュリー温度は１５０℃以上２５
０℃以下である必要のあることがわかる。
【００８５】〈実施例５〉実施例２においては、面内磁
化層９としてキュリー温度が１２０℃の（Ｇｄ0.11Ｆｅ
0.89）0.72Ａｌ0.28を用いた場合の記録再生特性が示さ
れているが、本実施例においては、面内磁化層９のＡｌ
含有率を変えて記録再生特性を調査した結果を記述す
る。ここで、各層の膜厚は実施例２と同一とし、面内磁
化層９の組成のみを変えて調査を行った。
化層９としてキュリー温度が１２０℃の（Ｇｄ0.11Ｆｅ
0.89）0.72Ａｌ0.28を用いた場合の記録再生特性が示さ
れているが、本実施例においては、面内磁化層９のＡｌ
含有率を変えて記録再生特性を調査した結果を記述す
る。ここで、各層の膜厚は実施例２と同一とし、面内磁
化層９の組成のみを変えて調査を行った。
【００８６】表８は、面内磁化層９を膜厚５ｎｍの（Ｇ
ｄ0.11Ｆｅ0.89）YＡｌ1-Yとして、Ｙ（ａｔｏｍ％）の
値を変えて、面内磁化層９のキュリー温度ＴCと、波長
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測
定した０.４μｍでのＣＮＲ８２（信号対雑音比）とを
測定した結果を示すものである。比較のため、面内磁化
層９の存在しない構成のディスクのＣＮＲを比較例とし
て記載する。
ｄ0.11Ｆｅ0.89）YＡｌ1-Yとして、Ｙ（ａｔｏｍ％）の
値を変えて、面内磁化層９のキュリー温度ＴCと、波長
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで測
定した０.４μｍでのＣＮＲ８２（信号対雑音比）とを
測定した結果を示すものである。比較のため、面内磁化
層９の存在しない構成のディスクのＣＮＲを比較例とし
て記載する。
【００８７】
【表８】
【００８８】表８において、面内磁化層９を形成してい
ない比較例において得られたＣＮＲ（４５.５ｄＢ）よ
りも高いＣＮＲが得られるのは、０.３０≦Ｙ≦０.９０
の範囲であることがわかる。本実施例において用いた再
生層１は、実施例１と同じものであり、１２０℃の温度
で垂直磁化状態となる。すなわち、面内磁化層９は、１
２０℃以下の温度において、再生層の面内磁化マスクを
強調することができればよく、面内磁化層９のキュリー
温度の最適値は、１２０℃ということになる。しかし、
本実施例に示すように、面内磁化層９のキュリー温度
が、６０℃以上、１８０℃以下において、比較例１より
も高いＣＮＲが得られており、面内磁化層９のキュリー
温度を６０℃以上１８０℃以下とすることにより、面内
磁化マスクを強調することが可能となる。
ない比較例において得られたＣＮＲ（４５.５ｄＢ）よ
りも高いＣＮＲが得られるのは、０.３０≦Ｙ≦０.９０
の範囲であることがわかる。本実施例において用いた再
生層１は、実施例１と同じものであり、１２０℃の温度
で垂直磁化状態となる。すなわち、面内磁化層９は、１
２０℃以下の温度において、再生層の面内磁化マスクを
強調することができればよく、面内磁化層９のキュリー
温度の最適値は、１２０℃ということになる。しかし、
本実施例に示すように、面内磁化層９のキュリー温度
が、６０℃以上、１８０℃以下において、比較例１より
も高いＣＮＲが得られており、面内磁化層９のキュリー
温度を６０℃以上１８０℃以下とすることにより、面内
磁化マスクを強調することが可能となる。
【００８９】次に、表９は、面内磁化層９を膜厚５ｎｍ
の（ＧｄXＦｅ1-X）0.72Ａｌ0.28として、Ｘ（ａｔｏｍ
％）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用
いた光ピックアップで測定した０.４μｍでのＣＮＲ９
２（信号対雑音比）を測定した結果を示すものである。
比較のため、面内磁化層９の存在しない構成のディスク
のＣＮＲをを比較例として記載する。
の（ＧｄXＦｅ1-X）0.72Ａｌ0.28として、Ｘ（ａｔｏｍ
％）の値を変えて、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用
いた光ピックアップで測定した０.４μｍでのＣＮＲ９
２（信号対雑音比）を測定した結果を示すものである。
比較のため、面内磁化層９の存在しない構成のディスク
のＣＮＲをを比較例として記載する。
【００９０】
【表９】
【００９１】表９において、面内磁化層９を形成してい
ない比較例において得られたＣＮＲ（４５.５ｄＢ）よ
りも高いＣＮＲが得られるのは、０≦Ｘ≦０.１８、ま
たは、０．３３≦Ｘ≦１.００の範囲であることがわか
る。本実施例において用いた再生層１は、実施例１と同
じものであり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる。
すなわち、面内磁化層９は、少なくとも１２０℃以下の
温度において、再生層１の面内磁化マスクを強調すべ
く、面内磁化状態であることが必要である。０．１８＜
Ｘ＜０．３３の範囲においては、面内磁化層９が垂直磁
化状態となり、本実施例の目的である再生層１の面内磁
化マスクを強調するという効果を得ることができなくな
る。
ない比較例において得られたＣＮＲ（４５.５ｄＢ）よ
りも高いＣＮＲが得られるのは、０≦Ｘ≦０.１８、ま
たは、０．３３≦Ｘ≦１.００の範囲であることがわか
る。本実施例において用いた再生層１は、実施例１と同
じものであり、１２０℃の温度で垂直磁化状態となる。
すなわち、面内磁化層９は、少なくとも１２０℃以下の
温度において、再生層１の面内磁化マスクを強調すべ
く、面内磁化状態であることが必要である。０．１８＜
Ｘ＜０．３３の範囲においては、面内磁化層９が垂直磁
化状態となり、本実施例の目的である再生層１の面内磁
化マスクを強調するという効果を得ることができなくな
る。
【００９２】以上の理由より、面内磁化層９は、（Ｇｄ
XＦｅ1-X）YＡｌ1-Yにおいて、Ｙが、０.３０≦Ｙ≦０.
９０の範囲にあり、Ｘが、０≦Ｘ≦０.１８、または、
０．３３≦Ｘ≦１.００の範囲にある必要がある。
XＦｅ1-X）YＡｌ1-Yにおいて、Ｙが、０.３０≦Ｙ≦０.
９０の範囲にあり、Ｘが、０≦Ｘ≦０.１８、または、
０．３３≦Ｘ≦１.００の範囲にある必要がある。
【００９３】〈実施例６〉実施例５においては、面内磁
化層９として、ＧｄＦｅＡｌを用いた結果について記述
しているが、上記キュリー温度範囲（６０℃〜１８０
℃）を満足すればよく、他に、ＧｄＦｅＴｉ，ＧｄＦｅ
Ｔａ，ＧｄＦｅＰｔ，ＧｄＦｅＡｕ，ＧｄＦｅＣｕ，Ｇ
ｄＦｅＡｌＴｉ，ＧｄＦｅＡｌＴａ，ＮｄＦｅ，ＮｄＦ
ｅＡｌ，ＤｙＦｅ，ＤｙＦｅＡｌからなる面内磁化層を
用いることが可能である。
化層９として、ＧｄＦｅＡｌを用いた結果について記述
しているが、上記キュリー温度範囲（６０℃〜１８０
℃）を満足すればよく、他に、ＧｄＦｅＴｉ，ＧｄＦｅ
Ｔａ，ＧｄＦｅＰｔ，ＧｄＦｅＡｕ，ＧｄＦｅＣｕ，Ｇ
ｄＦｅＡｌＴｉ，ＧｄＦｅＡｌＴａ，ＮｄＦｅ，ＮｄＦ
ｅＡｌ，ＤｙＦｅ，ＤｙＦｅＡｌからなる面内磁化層を
用いることが可能である。
【００９４】表１０は、膜厚２０ｎｍの面内磁化層９と
して上記各材料を用いた時の面内磁化層９のキュリー温
度ＴCと、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピ
ックアップで測定した０.４μｍでのＣＮＲ１０２（信
号対雑音比）とを測定した結果を示すものである。比較
のため、面内磁化層９の存在しない構成のディスクのＣ
ＮＲをを比較例として記載する。
して上記各材料を用いた時の面内磁化層９のキュリー温
度ＴCと、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピ
ックアップで測定した０.４μｍでのＣＮＲ１０２（信
号対雑音比）とを測定した結果を示すものである。比較
のため、面内磁化層９の存在しない構成のディスクのＣ
ＮＲをを比較例として記載する。
【００９５】
【表１０】
【００９６】表１０より、面内磁化層９として、ＧｄＦ
ｅＴｉ，ＧｄＦｅＴａ，ＧｄＦｅＰｔ，ＧｄＦｅＡｕ，
ＧｄＦｅＣｕ，ＮｄＦｅ，ＮｄＦｅＡｌ，ＤｙＦｅ，Ｄ
ｙＦｅＡｌを用いたすべての場合において、比較例より
も高いＣＮＲが得られていることがわかる。面内磁化層
９のキュリー温度が６０℃〜１８０℃の範囲にあればよ
く、他に、上記材料を組み合わせた膜を面内磁化層９と
して用いることが可能である。
ｅＴｉ，ＧｄＦｅＴａ，ＧｄＦｅＰｔ，ＧｄＦｅＡｕ，
ＧｄＦｅＣｕ，ＮｄＦｅ，ＮｄＦｅＡｌ，ＤｙＦｅ，Ｄ
ｙＦｅＡｌを用いたすべての場合において、比較例より
も高いＣＮＲが得られていることがわかる。面内磁化層
９のキュリー温度が６０℃〜１８０℃の範囲にあればよ
く、他に、上記材料を組み合わせた膜を面内磁化層９と
して用いることが可能である。
【００９７】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体の再生方法で
は、再生層をそのキュリー温度近傍以上の温度に加熱
し、ビームスポット内の再生層に、面内磁化状態となっ
ている領域，垂直磁化状態となっている領域，磁化が極
めて弱いあるいは磁化が消失している領域の３つの領域
を形成して、フロントマスクとリアマスクを形成するた
め、小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間
隔で記録再生を行った場合においても、十分な再生信号
を得ること、すなわち、分解能の大きい磁気的超解像再
生が可能となる。
は、再生層をそのキュリー温度近傍以上の温度に加熱
し、ビームスポット内の再生層に、面内磁化状態となっ
ている領域，垂直磁化状態となっている領域，磁化が極
めて弱いあるいは磁化が消失している領域の３つの領域
を形成して、フロントマスクとリアマスクを形成するた
め、小さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間
隔で記録再生を行った場合においても、十分な再生信号
を得ること、すなわち、分解能の大きい磁気的超解像再
生が可能となる。
【００９８】また、再生層に接して面内磁化層を配置す
ることにより、再生層の面内磁化マスクを強調すること
が可能となり、より良好なダブルマスクが実現され、小
さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記
録再生を行った場合においても、十分な再生信号を得る
こと、すなわち、分解能の大きい磁気的超解像再生が可
能となる。
ることにより、再生層の面内磁化マスクを強調すること
が可能となり、より良好なダブルマスクが実現され、小
さい記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記
録再生を行った場合においても、十分な再生信号を得る
こと、すなわち、分解能の大きい磁気的超解像再生が可
能となる。
【００９９】本発明の光磁気記録媒体では、再生層が、
再生時における光ビームの照射によりキュリー温度近傍
の温度以上の温度に加熱されるように設定されている、
例えば、再生層のキュリー温度が１５０℃以上２５０℃
以下に設定されているため、再生層の温度上昇していな
い部分の面内磁化マスクによりフロントマスクが形成さ
れるとともに、再生層の温度上昇した部分において、カ
ー回転角が小さくなるか存在しなくなり、リアマスクが
形成される。このため、小さい記録ビット径及びさらに
小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場合において
も、十分な再生信号を得ること、すなわち、分解能の大
きい磁気的超解像再生を現実的に実行することが可能と
なる。
再生時における光ビームの照射によりキュリー温度近傍
の温度以上の温度に加熱されるように設定されている、
例えば、再生層のキュリー温度が１５０℃以上２５０℃
以下に設定されているため、再生層の温度上昇していな
い部分の面内磁化マスクによりフロントマスクが形成さ
れるとともに、再生層の温度上昇した部分において、カ
ー回転角が小さくなるか存在しなくなり、リアマスクが
形成される。このため、小さい記録ビット径及びさらに
小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場合において
も、十分な再生信号を得ること、すなわち、分解能の大
きい磁気的超解像再生を現実的に実行することが可能と
なる。
【０１００】また、再生層と記録層との間に非磁性中間
層を挿入しておくことにより、再生層と記録層との交換
結合を完全に遮断し、再生層と記録層との間に良好な静
磁結合を実現することが可能となる。
層を挿入しておくことにより、再生層と記録層との交換
結合を完全に遮断し、再生層と記録層との間に良好な静
磁結合を実現することが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態１の光磁気ディスクの再生
原理を示す説明図である。
原理を示す説明図である。
【図２】従来の光磁気ディスクの再生原理を示す説明図
である。
である。
【図３】本発明の実施の形態１の光磁気ディスクの構成
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図４】実施の形態１の光磁気ディスクのＣＮＲのマー
ク長依存性を示す図である。
ク長依存性を示す図である。
【図５】実施の形態１の光磁気ディスクのＣＮＲのレー
ザパワー依存性を示す図である。
ザパワー依存性を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２の光磁気ディスクの再生
原理を示す説明図である。
原理を示す説明図である。
【図７】実施の形態２のＣＮＲのマーク長依存性を示す
図である。
図である。
１ 再生層 ２ 非磁性中間層 ３ 記録層 ４ 光ビーム ５ 基板 ６ 透明誘電体層 ７ 保護膜 ８ オーバーコート層 ９ 面内磁化層 １００ 光ビームスポット １０１，１０２ 等温線 １０３ 再生可能な転写磁区 １０４ 再生不可能な転写磁区 １０５ マスクされて面内磁化状態となっている磁区
Claims (9)
- 【請求項１】 室温において面内磁化状態であり臨界温
度以上の温度で垂直磁化状態となる再生層と、該再生層
と磁気的に結合した垂直磁化膜からなる記録層とを有し
てなる光磁気記録媒体上に、光ビームを照射し、前記光
記録媒体からの反射光に基づいて記録情報の再生を行う
光磁気記録媒体の再生方法において、 再生時における前記光ビームの照射により、前記再生層
の前記光ビームが照射されている領域内に、キュリー温
度近傍の温度以上に加熱された領域を形成することを特
徴とする光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生
方法において、 前記光記録媒体は、前記再生層に接して、前記臨界温度
近傍において磁化が減少あるいは消失する面内磁化層を
有してなることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方
法。 - 【請求項３】 室温において面内磁化状態であり臨界温
度以上の温度で垂直磁化状態となる再生層と、該再生層
と磁気的に結合した垂直磁化膜からなる記録層とを有し
てなり、前記再生層に光ビームが照射されることによ
り、前記記録層に記録された情報が再生される光磁気記
録媒体において、 前記再生層は、再生時における前記光ビームの照射によ
り、キュリー温度近傍の温度以上に加熱されるよう設定
されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 室温において面内磁化状態であり臨界温
度以上の温度で垂直磁化状態となる再生層と、該再生層
と磁気的に結合した垂直磁化膜からなる記録層とを有し
てなる光磁気記録媒体において、 前記再生層のキュリー温度が、１５０℃以上２５０℃以
下であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４に記載の光磁気
記録媒体において、 光磁気ディスク基板上に、透明誘電体層，再生層，非磁
性中間層，記録層，保護層が順次形成されてなることを
特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項３乃至請求項５のいずれかに記載
の光磁気記録媒体において、 前記再生層は、一般式（Ｉ１）、及び、条件（Ｉ２）を
満足する組成からなることを特徴とする光磁気記録媒
体。 （ＧｄXＦｅ1-X）YＡｌ1-Y ・・・（Ｉ１） ０．２８≦Ｘ≦０．３３ ０．７０≦Ｙ≦１．００ ・・・（Ｉ２） - 【請求項７】 請求項３乃至請求項６のいずれかに記載
の光磁気記録媒体において、 前記再生層に接して、前記臨界温度近傍の温度において
磁化が減少あるいは消失する面内磁化層が形成されてな
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項７に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記面内磁化層のキュリー温度が、６０℃以上１８０℃
以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 請求項７または請求項８に記載の光磁気
記録媒体において、 前記面内磁化層が、一般式（ＩＩ１）、及び、条件（Ｉ
Ｉ２）を満足する組成からなることを特徴とする光磁気
記録媒体。 （ＧｄXＦｅ1-X）YＡｌ1-Y ・・・（ＩＩ１） ０≦Ｘ≦０．１８ 又は ０．３３≦Ｘ≦１．００ ０．３０≦Ｙ≦０．９０ ・・・（ＩＩ２）
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|---|---|---|---|
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| US09/258,180 US6178143B1 (en) | 1996-07-23 | 1999-02-25 | Magneto-optical recording medium for achieving super resolution reproduction of high resolution recorded information |
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|---|---|
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ID=16302957
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117544A (en) * | 1998-06-19 | 2000-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
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Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1207822A (zh) * | 1995-12-20 | 1999-02-10 | 日立马库塞鲁株式会社 | 磁光记录介质及其再生方法 |
| JP3539531B2 (ja) * | 1996-04-22 | 2004-07-07 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
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| KR19990023151A (ko) * | 1997-08-27 | 1999-03-25 | 사토 도리 | 광자기기록매체 및 그 재생방법 |
| JP3568787B2 (ja) * | 1998-09-08 | 2004-09-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及び再生装置 |
| JP3477384B2 (ja) | 1998-11-27 | 2003-12-10 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2001126328A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP3626050B2 (ja) * | 1999-11-02 | 2005-03-02 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその記録方法 |
| US6807131B1 (en) * | 2000-12-27 | 2004-10-19 | Research Investment Network, Inc. | Near-field hybrid magnetic-optical head system |
| JP2002352484A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2812817B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| EP1143434A3 (en) * | 1992-08-28 | 2001-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| JP2938284B2 (ja) * | 1992-10-06 | 1999-08-23 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 |
| US6261707B1 (en) * | 1992-11-06 | 2001-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| JPH07169123A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Nikon Corp | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JP3088619B2 (ja) * | 1994-01-17 | 2000-09-18 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| CA2142767C (en) * | 1994-02-21 | 1998-11-17 | Naoki Nishimura | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| JPH07244876A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-09-19 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生方法 |
| JP3230388B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2001-11-19 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| JPH07254175A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Canon Inc | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 |
| EP0686970A3 (en) * | 1994-06-10 | 1996-07-24 | Canon Kk | Magneto-optical recording medium and playback method using this medium |
| JP2766198B2 (ja) * | 1994-09-05 | 1998-06-18 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH08106660A (ja) * | 1994-10-05 | 1996-04-23 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
| DE19536796B4 (de) * | 1994-10-19 | 2005-11-24 | Sharp K.K. | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium |
| JP3539531B2 (ja) | 1996-04-22 | 2004-07-07 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3781823B2 (ja) * | 1996-05-27 | 2006-05-31 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| CN1221510A (zh) * | 1996-07-12 | 1999-06-30 | 日立马库塞鲁株式会社 | 磁光记录媒体及其再生方法和再生装置 |
| JP3545133B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117544A (en) * | 1998-06-19 | 2000-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
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