JPH104109A

JPH104109A - 半導体装置の製造方法およびその製造に用いる切断装置

Info

Publication number: JPH104109A
Application number: JP8153626A
Authority: JP
Inventors: Atsuhiko Taguchi; 温彦田口
Original assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Systems Co Ltd
Priority date: 1996-06-14
Filing date: 1996-06-14
Publication date: 1998-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】脱落レジンに起因する製品不良や製造不良等
の発生を防止する。【解決手段】複数のリードを有するリードフレームの
所定領域を樹脂で封止して封止体を形成した後、前記リ
ードを連結するタイバーおよび前記封止領域から食み出
たリード間レジンバリを切断除去し、その後前記リード
を切断し、ついで前記リードを成形することを特徴とす
る半導体装置の製造方法であって、前記リードフレーム
の封止領域から延びるエアーベント領域に形成されたエ
アーベント部レジンをリードフレーム部分の切断ととも
に切断除去した後、前記タイバーや前記リード間レジン
バリを切断除去する。前記エアーベント部レジンの切断
前に封止体を有するリードフレームに高圧気体を吹き付
けて脱落し易いレジン塊を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法およびその製造に用いる切断装置に関し、特に、リー
ドフレームの所定領域を樹脂（レジン）で封止（モール
ド）した際、モールド型のエアーベントに流入して硬化
したレジン（エアーベント部レジン）を効果的に除去す
る技術に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ（集積回路装置）等の半導体装置に
おいて、半導体チップ等を封止する封止構造として樹脂
による封止構造が知られている。

【０００３】樹脂封止（レジンパッケージ）型半導体装
置は、リードフレームを使用して製造される。半導体チ
ップの固定およびワイヤボンディングが終了したリード
フレームは、トランスファモールド装置によって所定領
域をモールドされる。その後封止領域から食み出したレ
ジンバリを除去した後、リードを連結するタイバー（ダ
ム）の切断除去，リード切断，リード成形を行って所望
の半導体装置を製造している。

【０００４】レジンバリは、モールド型の合わせ面から
滲み出てリード表裏面に付着する薄いレジンバリ（レジ
ンフラッシュ）と、リードやダムによって囲まれる領域
に形成されかつリードフレームの厚さと略同一の厚さと
なる厚いレジンバリ（リード間レジンバリまたはダム内
レジンバリ、以下リード間レジンバリと呼称する）とが
ある。

【０００５】日経ＢＰ社発行「ＶＬＳＩパッケージング
技術（下）」1993年５月15日発行、Ｐ41〜Ｐ43には、バ
リ取りについて記載されている。同文献には、モールド
後、リード間やリード表面のバリを除去（バリ取り工
程）した後、ハンダ・メッキ，ハンダ・ディップ，スズ
・メッキ等の外装処理を行い、その後リード成形（トリ
ミングおよびフオーミング）を行う旨記載されている。
前記バリ取りは、高圧水法や液体ホーニング法によって
行われる。

【０００６】また、同文献には、バリを除いておかない
と、外装処理後にバリが剥離し、リードフレームの素地
が露出して、アウタ・リードのハンダ濡れ性，耐食性が
損なわれる旨記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本出願人においては、
前記文献に記載されているような高圧水法や液体ホーニ
ング法によるバリ取り作業を採用せず、工程短縮のため
にモールド完了後リード間に発生した厚いレジンバリ
（リード間レジンバリ）を切断するとともにリードを連
結するタイバー（ダム）を切断し、その後リードの切断
を行っている。前記リード間レジンバリの切断除去，タ
イバー切断，リード切断は切断装置によって行ってい
る。

【０００８】また、リードフレームから切り離されて単
品となった半導体装置を成形装置にかけ、パッケージか
ら突出するリードの成形を行う。

【０００９】レジンバリの割れ欠けによる脱落は、下記
のように切断不良，成形不良，搬送トラブル等製品製造
不良を引き起こすことが知られている。

【００１０】すなわち、リードフレームからレジンバリ
が脱落してリードフレーム（リード）やパッケージに付
着すると、切断金型では、リードフレームをクランプし
た際付着したレジンの介在によって段差が生じ、リード
の付け根のパッケージ部分に大きな力が作用してパッケ
ージにクラック（割れ），欠け等が生じる。図１６にリ
ードフレーム１に部分的に形成された封止体（パッケー
ジ）２にクラック３が発生した状態を示し、図１７にパ
ッケージ２に欠け４が発生した状態を示す。なお、図１
６および図１７において、５はリード、８はタイバー、
１２はフローキャビティ部レジンである。

【００１１】また、前記応力はパッケージの内部にまで
及び、半導体チップにクラックや割れが発生することも
ある。これらの現象は製品不良の原因となる。

【００１２】また、成形金型でのレジンバリの付着は、
リードの変形やレジンバリ付着不良に繋がり、製品製造
不良の原因となる。図１８にリード５が曲がった（曲が
りリード６：リード曲がり不良）半導体装置７を示し、
図１９にリード５に脱落レジン（異物）９が付着した半
導体装置７を示す。なお、半導体装置７はＳＯＪ（Smal
l Outline J Leaded）構造になっている。

【００１３】また、金型内の搬送レール，装置の搬送レ
ールに脱落レジンが付着すると、搬送不良を引き起こ
し、金型破損やリードフレーム（半導体装置）破損が発
生し、生産不能や歩留り低下等の製造不良を引き起こ
す。

【００１４】さらに、他の後工程を見た場合、レジン塊
の付着は選別工程におけるソケットとリードのコンタク
ト不良を引き起こす。

【００１５】そこで、本出願人にあっては、作業者が手
作業でリードフレームにエアーを吹き付け（エアーブロ
ー）、脱落し易いレジンバリ部分を吹き飛ばし、その
後、切断・成形を着工している。これは、高圧水法や液
体ホーニング法によるバリ取り作業は、単独の工程とし
なければならないが、切断装置設置場所でのエアーブロ
ーによるレジンバリ除去作業は独立した工程としなくて
もよいことになり、半導体装置の製造工程の短縮を図る
ことができ、半導体装置の製造コストの低減を達成する
ことができることになる。

【００１６】しかし、前記エアーブローでは脱落し易い
レジン部分を除去できないこともある。

【００１７】本発明者は、前記脱落レジンの発生状態に
ついて分析検討した結果、以下の事実を知った。

【００１８】リードフレームは、０．１５〜０．２ｍｍ
以上の厚さのものが使用される。したがって、リードや
ダムによって囲まれかつパッケージに繋がる厚いレジン
バリ（リード間レジンバリ）は、リードフレームに曲げ
等大きな力を加えない限り剥離し難い。

【００１９】一方、モールド型の合わせ面から滲み出し
てリードの表裏面に形成されるレジンバリ（レジンフラ
ッシュとも称する）は樹脂分が多くかつ極めて薄いため
リードから剥離し難い。

【００２０】他方、モールド型にはキャビティ内の空気
を外に逃がすためにエアーベントが設けられている。し
たがって、エアーベントに流入したレジンも硬化する。
エアーベント内で硬化したエアーベント部レジンは、エ
アーベントの深さ（高さ）が３０〜４０μｍ程度と薄い
ことから、その厚さも薄く機械的強度が小さい。したが
って、割れ欠けが発生し易く脱落し易い。

【００２１】そこで、本発明者は一連の切断作業で、脱
落し易いエアーベント部レジンを最初に切断除去し、そ
の後の切断時のエアーベント部レジンの脱落に起因する
製品製造不良を防止することを思い立ち本発明をなし
た。

【００２２】本発明の目的は、脱落レジンに起因する製
品不良や製造不良等の発生を防止できる半導体装置の製
造方法およびその製造に用いる切断装置を提供すること
にある。

【００２３】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００２５】（１）複数のリードを有するリードフレー
ムの所定領域を樹脂で封止して封止体を形成した後、前
記リードを連結するタイバーおよび前記封止領域から食
み出たリード間レジンバリを切断除去し、その後前記リ
ードを切断し、ついで前記リードを成形することを特徴
とする半導体装置の製造方法であって、前記リードフレ
ームの封止領域から延びるエアーベント領域に形成され
たエアーベント部レジンをリードフレーム部分の切断と
ともに切断除去した後、前記タイバーや前記リード間レ
ジンバリを切断除去する。前記エアーベント部レジンの
切断前に封止体を有するリードフレームに高圧気体を吹
き付けて脱落し易いレジン塊を除去する。

【００２６】（２）前記手段（１）の構成において、前
記リードフレームにフローキャビティ部レジンを形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法において、前
記フローキャビティ部レジンと前記エアーベント部レジ
ンをリードフレームを切断して同時に除去する。

【００２７】（３）前記手段（２）の構成において、前
記エアーベント部レジンをフローキャビティ部レジンと
連結させるようにトランスファモールドする。前記エア
ーベント部レジンの厚さを数１００μｍ程度の厚さに形
成する。

【００２８】（４）トランスファモールドによって所定
部が封止されたリードフレームのリード間のレジンバリ
と前記リード相互等を連結するタイバーを単独の切断機
構または個別の切断機構で切断除去した後、前記リード
を前記リードフレームから切り離す切断装置であって、
前記リードフレームのエアーベント部レジンを含む領域
を最初に切断除去するエアーベント部レジン切断除去機
構が設けられている。前記エアーベント部レジン切断除
去機構は前記リードフレームに形成された前記エアーベ
ント部レジンおよび前記フローキャビティ部レジンを同
時に切断するように構成されている。前記エアーベント
部レジン切断除去機構を始めとする各切断機構の各パン
チは単一の油圧シリンダまたは空圧シリンダによって同
時に作動するように構成されている。

【００２９】前記（１）の手段によれば、脱落し易いエ
アーベント部レジンを最初に切断除去した後、リード間
レジンバリやタイバーの切断除去を行うとともに、リー
ドの切断を行うことから、リード間レジンバリやタイバ
ー切断除去時およびリード切断時、リードフレームにエ
アーベント部レジンが存在しないためレジン塊の飛散が
なく、脱落レジンに起因する製品製造不良の発生を抑え
ることができる。

【００３０】また、前記エアーベント部レジンはリード
フレーム部分に張り付いたまま切断除去されるため、小
さな塊となって広く飛散することがなく、製品や切断部
分周囲を汚染しなくなる。

【００３１】また、エアーベント部レジンの切断前にリ
ードフレーム全体に高圧気体を吹き付けることから、脱
落し易いレジン塊は除去され、リードフレーム等や切断
装置に脱落レジンが付着しなくなり、より一層脱落レジ
ンに起因する製品製造不良を防止することができる。

【００３２】前記（２）の手段によれば、前記フローキ
ャビティ部レジンと前記エアーベント部レジンを同時に
切断除去することから、効率良く切断除去ができる。

【００３３】前記（３）の手段によれば、前記エアーベ
ント部レジンとフローキャビティ部レジンが連結され、
かつ前記エアーベント部レジンの厚さを数１００μｍ程
度と厚くなるため、クラックが入り難くなるとともに脱
落し難くなり、脱落レジンの発生率を一層低くしてリー
ドフレームから切断除去できる。

【００３４】前記（４）の手段によれば、タイバー切
断，リード間レジンバリ切断等の切断に先立って最初に
エアーベント部レジンの切断除去が行われることから、
以後の切断時、リードフレームにエアーベント部レジン
が存在しないためレジン塊の飛散がなく、脱落レジンに
起因する製品製造不良の発生を抑えることができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００３６】（実施形態１）図１乃至図１２は本発明の
一実施形態（実施形態１）である半導体装置の製造に係
わる図であって、図１はエアーベント部レジンの切断除
去状態を示すリードフレームの斜視図、図２は半導体装
置の製造における切断工程を示すフローチャート、図３
は半導体装置の製造において使用するリードフレームを
示す斜視図、図４はリードフレームの一部を示す斜視
図、図５はトランスファモールド後のリードフレームの
一部を示す斜視図、図６はトランスファモールド後のリ
ードフレームの一部を示す正面図、図７はエアーベント
部レジンを切断除去した状態を示すリードフレームの斜
視図である。

【００３７】また、図８は切断装置の外観を示す模式
図、図９は切断装置のエアーベント部レジン切断除去機
構を示す模式図、図１０はエアーベント部レジン切断除
去機構を示す模式的断面図、図１１はフローキャビティ
部レジンおよびリード間レジンバリを切断除去したリー
ドフレームの斜視図、図１２はフローキャビティ部レジ
ンおよびリード間レジンバリを切断除去する切断型を示
す斜視図である。

【００３８】本実施形態１では、図１８に示すようなＳ
ＯＪ型の半導体装置に本発明を適用した例について説明
する。

【００３９】半導体装置の製造においては、最初に図３
に示すようなリードフレーム１が用意される。リードフ
レーム１は、０．１５〜０．２ｍｍ程度の厚さの鉄−ニ
ッケル系合金板，銅板，銅合金板等をエッチングまたは
精密プレスによってパターニングすることによって形成
される。

【００４０】リードフレーム１は、平行に延在する一対
の外枠１６と、前記一対の外枠１６に直交しかつ前記一
対の外枠１６を連結する内枠１７とからなっている。ま
た、前記一対の外枠１６と隣接する２本の内枠１７とに
よって形成される枠の中央には、矩形の支持板（タブ）
１９が位置している。この支持板１９は、前記外枠１６
の内側から延在する支持リード２０に支持されている。
前記支持リード２０は途中で二股となり、二股側が外枠
１６に固定される構造となっている。また、支持リード
２０の裏面には、図４に示すように、分断が容易となる
ように、分断方向に沿ってＶ字状の溝（ノッチ）２１が
設けられている。

【００４１】前記支持リード２０が延在する外枠１６の
中央部分は幅が広くなっている。そして、一方の幅広部
２２にはフローキャビティ部レジンを形成するために矩
形の穴２３が設けられている。トランスファモールドに
よって形成するフローキャビティ部レジンは、前記穴２
３の内側に形成されるようになる。また、前記穴２３の
中央に沿ってフローキャビティ部レジンを支持する支持
リード２４が設けられている。図示しないが、この支持
リード２４の付け根部分にも分断を容易にするために分
断方向に沿ってＶ字状の溝が設けられている。この溝は
リードフレーム１の裏面に設けられている。

【００４２】一方、前記内枠１７の内側から枠内に向け
て複数のリード５が延在している。これらリード５は前
記外枠１６に平行になっている。また、リード５は、そ
の途中をタイバー８によって支持されている。最も外側
のタイバー８の一端は前記外枠１６の幅広部２２に連結
されている。

【００４３】また、一部のリード５は前記タイバー８よ
りも枠中心側で屈曲し、先端を前記支持板１９の近傍に
臨ませている。

【００４４】他方、前記リードフレーム１の外枠１６に
は、ガイド孔２７が設けられている。このガイド孔２７
は、リードフレーム１の移送や位置決め等のガイドとし
て利用される。なお、前記リードフレーム１は必要に応
じて所望個所にメッキが施される。

【００４５】つぎに、このようなリードフレーム１を使
用してＳＯＪ型の半導体装置を製造する方法について説
明する。

【００４６】図３に示すように、リードフレーム１の支
持板１９上に半導体チップ３０を固定する。その後、前
記半導体チップ３０の図示しない電極とリード５の先端
を導電性のワイヤ３１で接続する。

【００４７】つぎに、常用のトランスファモールド装置
によってリードフレーム１の所定部分に封止体（パッケ
ージ）２を形成する。図５および図６に示すように、リ
ードフレーム１には、パッケージ２，前記パッケージ２
に連なる導入路レジン３５，エアーベント部レジン１
１，フローキャビティ導入路レジン３６が形成される。
前記パッケージ２，フローキャビティ部レジン１２およ
びエアーベント部レジン１１はリードフレーム１の表裏
両面に亘って設けられ、前記導入路レジン３５およびフ
ローキャビティ導入路レジン３６はリードフレーム１の
裏面（下面）に設けられている。エアーベント部レジン
１１の厚さは３０〜４０μｍ程度となっている。

【００４８】前記導入路レジン３５は、パッケージ２を
形成するためのモールド型のキャビティに溶けたレジン
を案内するランナーやゲート等レジン導入路の内部で硬
化したレジンである。また、フローキャビティ導入路レ
ジン３６は、前記キャビティとフローキャビティ間を連
通させるレジン導入路内で硬化したレジンである。

【００４９】図５に点々を施して示すように、幅広部２
２およびタイバー８の内側であり、かつリード５間やリ
ード５と支持リード２０間等には、リード間レジンバリ
１０が発生している。

【００５０】つぎに、このようなリードフレーム１に対
して切断がなされる。切断工程は、たとえば、図２のフ
ローチャートに示すように、作業の開始後、エアーベン
ト部レジン切断（ステップ１０１）、不要レジン部切断
（ステップ１０２）、タイバー切断（ステップ１０
３）、リード切断（ステップ１０４）と続き作業を終了
する。前記ステップ１０２の不要レジン部切断は、本実
施形態ではフローキャビティ部レジン１２とリード間レ
ジンバリ１０の同時切断除去である。

【００５１】図８は切断装置４０の概略を示す模式図で
あり、左側から右側向けてエアーベント部レジン切断除
去機構４１，不要レジン部切断機構４２，タイバー切断
機構４３，リード切断機構４４が順次配設されている。
図示はしないが、リードフレーム１は切断装置４０の左
側から順次ローディングされ、前記各機構の各加工ステ
ーションで所定の切断加工がなされ、右側からアンロー
ディングされるように構成されている。

【００５２】前記各機構には、ダイ４１ａ，４２ａ，４
３ａ，４４ａおよびパンチ４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ，４
４ｂが配設されている。前記パンチ４１ｂ，４２ｂ，４
３ｂ，４４ｂは単一の可動天盤４５の下面に固定されて
いる。この可動天盤４５は、コラム４６の上部に配置さ
れた上プラテン４７に取り付けられた油圧シリンダ４８
のピストン４９の先端部分に固定されている。したがっ
て、前記油圧シリンダ４８の一回の下降，上昇動作によ
って、パンチ４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ，４４ｂは降下し
て、一回の切断加工を終了する。前記油圧シリンダは空
圧シリンダでもよい。

【００５３】図９はリードフレーム１に対して最初に切
断加工を行うエアーベント部レジン切断除去機構４１の
一部を示す模式的な分解斜視図である。ダイ４１ａに対
して相対的に降下するパンチ４１ｂはパンチガイド４１
ｃによってガイドされてリードフレーム１の切断加工を
行う。前記パンチ４１ｂは、図１に示すように、リード
フレーム１の表面に形成された２か所のエアーベント部
レジン１１を、リードフレーム１の一部を切断しながら
切り落とす構造となっている。図１において斜線を施し
た矩形部分が切断除去領域５０である。すなわち、エア
ーベント部レジン切断除去機構４１では、図１０に示す
ように、ダイ４１ａ上に載置されたリードフレーム１の
切断除去領域５０（図１参照）をパンチ４１ｂで打ち抜
く。打ち抜かれた打ち抜き片５１は、図示しない真空バ
キューム機構によって所定箇所に排除される。前記打ち
抜きは、図７に示すように、リードフレーム１の幅広部
２２を欠くように切断し、タイバー８を分断する。

【００５４】このエアーベント部レジン切断除去機構４
１では、リードフレーム１をダイ４１ａとパンチ４１ｂ
でクランプするが、クランプを解除する前にエアーベン
ト部レジン１１を囲むリードフレーム部分を打ち抜く。
したがって、前記クランプによってリードフレーム１に
力が加わり、エアーベント部レジン１１にクラックが発
生しても、エアーベント部レジン１１は打ち抜かれた打
ち抜き片５１と共に密閉された空間内にパンチ４１ｂで
押し入れられ、かつ真空バキュームによって所定箇所に
排除されることになるため、レジン塊がリードフレーム
１やパッケージ２に付着することがない。

【００５５】なお、前記エアーベント部レジン切断除去
機構４１によるリードフレーム部分の切断においては、
切断除去領域５０は前記リードフレーム１の穴２３内に
まで及ぶため、フローキャビティ部レジン１２とパッケ
ージ２との間のリードフレーム部分５２は、支持リード
２４によってのみ支持される構造となる。

【００５６】つぎに、不要レジン部切断機構４２によっ
て、フローキャビティ部レジン１２とエアーベント部レ
ジン１１を切断除去する（図１１参照）。この際、エア
ーベント部レジン１１は既に除去されていることから、
エアーベント部レジン１１のクラックおよび欠けによっ
て発生する脱落レジンの汚染はない。

【００５７】フローキャビティ部レジン１２は、リード
フレーム１の穴２３部分に形成され、穴２３を横切って
設けられる支持リード２４にのみ支持される構造となっ
ている。また、前述のように、フローキャビティ部レジ
ン１２とパッケージ２との間のリードフレーム部分５２
は、支持リード２０によってのみ支持される構造になっ
ている。また、前記支持リード２０のパッケージ２の付
け根部分は、図１２に示すように、応力集中を起こすよ
うに溝２１が分断方向に沿って設けられているととも
に、図示はしないが前記支持リード２４も幅広部２２と
の付け根部分に分断方向に沿って応力集中を起こすよう
に溝が設けられている。

【００５８】したがって、図１２に示すように、不要レ
ジン部切断機構４２の切断型（ダイ４２ａとパンチ４２
ｂ）においては、前記フローキャビティ部レジン１２お
よびリードフレーム部分５２を付き落とす構造となって
いる。すなわち、ダイ４２ａは、パッケージ２を支持す
る支持部５３と、リードフレーム１の幅広部２２を支持
する支持部５４とを有する。また、パンチ４２ｂは前記
フローキャビティ部レジン１２とリードフレーム部分５
２を付き落とす付き落とし部５４を有している。

【００５９】また、不要レジン部切断機構４２では、前
記フローキャビティ部レジン１２の切断除去と同時にリ
ード間レジンバリ１０を切断除去する。したがって、図
示はしてないが、前記ダイ４２ａには各リードを支持す
る支持部が設けられ、前記パンチ４２ｂにはリード間レ
ジンバリ１０を切断除去する切断刃５５が設けられてい
る。

【００６０】付き落とされたフローキャビティ部レジン
１２部分等は、真空バキューム機構によって所定箇所に
排除される。

【００６１】前記エアーベント部レジン切断除去におい
て、エアーベント部レジン１１に起因する脱落レジンの
リードフレーム１やパッケージ２への付着が発生してて
いないことから、不要レジン部切断においては、リード
フレーム１をクランプした際、脱落レジンの付着に起因
するクランプ不良が起きず、パッケージクラックや半導
体チップクラックが発生しなくなり、信頼性の高い半導
体装置を高歩留りで製造することができる。また、脱落
レジンがパッケージ２の表面に付着することがないこと
から、脱落レジンの付着に起因するパッケージ表面の圧
痕の発生やクラックが発生を防止することができる。

【００６２】つぎに、タイバー切断機構４３で、リード
５を支持するタイバー８を切断除去する。切断除去され
たタイバー８部分は、真空バキューム機構によって所定
箇所に排除される。この際、エアーベント部レジン１１
は既に除去されていることから、エアーベント部レジン
１１のクラックおよび欠けによって発生する脱落レジン
のリードフレームでの汚染はない。このタイバー切断に
おいて、前記リードフレーム１やパッケージ２に脱落レ
ジンが付着していないことから、リードフレーム１をク
ランプした際クランプ不良が起きず、脱落レジンの介在
によってリードに圧痕が発生したり、リード曲がりが発
生しなくなる。

【００６３】つぎに、前記リード切断機構４４で、各リ
ード５は所定の位置で切断される。この際、エアーベン
ト部レジン１１は既に除去されていることから、エアー
ベント部レジン１１のクラックおよび欠けによって発生
する脱落レジンのリードフレームでの汚染はない。この
リード切断において、前記リードフレーム１やパッケー
ジ２に脱落レジンが付着していないことから、リードフ
レーム１をクランプした際クランプ不良が起きず、脱落
レジンの介在によってリードに圧痕が発生したり、リー
ド曲がりが発生しなくなる。

【００６４】切断装置４０においては、リードフレーム
１，パッケージ２，切断・成形型および搬送機構等に、
エアーベント部レジン１１に起因する脱落レジン付着が
発生しないことから、半導体チップ破損，パッケージ破
損等の製品不良を引き起こさない。また、脱落レジンの
付着に起因する切断・成形型の破損が起きなくなる。ま
た、リードフレームの搬送機構の駆動部分に脱落レジン
が付着しないことから、リードフレームの搬送不良が発
生しなくなり、切断・成形装置の稼働率の低下を引き起
こすこともない。これにより、製造歩留りの向上、生産
性の向上から製品コストの低減を達成することができ
る。

【００６５】一方、リード切断によって、真っ直ぐに延
在するリード５を有する半導体装置が製造される。そこ
で、個別化された半導体装置を、図示はしないが、成形
装置に掛け、リードを所望の形状に成形する。本実施形
態１の場合は、リードはＪ−リード構造に成形される。
この際、リードやパッケージに脱落レジンが付着してい
ないことから、リード変形やレジンバリ付着不良が発生
しなくなる。

【００６６】本実施形態１によれば、トランスファモー
ルド後の切断・成形において、切断・成形着工前にエア
ーブローによって脱落し易いレジン塊を除去する。ま
た、切断・成形に際して、脱落レジンとなり易いエアー
ベント部レジンを最初に切断除去するため、脱落レジン
の付着に起因する製品不良が防止できるとともに、切断
・成形装置の可動率の向上が達成できる。

【００６７】また、製造された半導体装置において、リ
ードに脱落レジンが付着していないことから、選別工程
においてソケットとリードのコンタクト状態が良好とな
り、安定した選別測定テストが達成できる。

【００６８】なお、本実施形態では、リード間レジンバ
リ１０をフローキャビティ部レジン１２と同時に切断除
去したが、リード間レジンバリ１０をタイバー８と同時
に切断する構成にしてもよい。

【００６９】（実施形態２）図１３は本発明の他の実施
形態（実施形態２）である半導体装置の製造における切
断除去領域を示すリードフレームの平面図である。

【００７０】本実施形態２では、図１３に示すように、
エアーベント部レジン１１とフローキャビティ部レジン
１２を含む領域を切断除去領域５０として切断除去す
る。本実施形態２では、前記実施形態１が奏する効果に
加えて、切断除去面積が大きくなり、切断除去片の廃棄
回収が確実になる効果がある。

【００７１】（実施形態３）図１４は本発明の他の実施
形態（実施形態３）である半導体装置の製造においてト
ランスファモールドされたリードフレームを示す斜視
図、図１５は本実施形態３の半導体装置の製造における
切断除去領域を示すリードフレームの平面図である。

【００７２】本実施形態３は、エアーベント部レジン１
１を厚くしたものである。エアーベント部レジン１１を
厚くするため、図示はしないが、モールド型においてエ
アーベントをフローキャビティに連通させた構造として
ある。すなわち、前記エアーベントの深さ（高さ）を、
前記実施形態１の場合の１０倍の厚さ、すなわち４００
〜５００μｍとし、エアーベント部レジン１１の厚さを
４００〜５００μｍとする。これによってエアーベント
部レジン１１の機械的強度が向上し、割れ，欠けが発生
しなくなり、リードフレームに張り付いたまま確実にフ
ローキャビティ部レジン１２と共に切断除去することが
できる。

【００７３】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００７４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００７５】（１）トランスファモールド後の切断・成
形において、切断の最初に脱落し易いエアーベント部レ
ジンを切断除去することから、脱落レジンの付着に起因
するパッケージの割れ，欠けを防止できるため、歩留り
の向上が図れるとともに半導体装置の信頼性の向上を図
ることができる。

【００７６】（２）トランスファモールド後の切断・成
形において、切断の最初に脱落し易いエアーベント部レ
ジンを切断除去することから、脱落レジンの付着に起因
する切断・成形型の破損を防止することができる。特
に、打ち抜いた打ち抜き片を密閉空間に落とし込みかつ
真空バキュームによって所定箇所に排除するため、切断
金型の破損を防止することができる。

【００７７】（３）トランスファモールド後の切断・成
形において、切断の最初に脱落し易いエアーベント部レ
ジンを切断除去することから、脱落レジンの付着に起因
する搬送機構等の切断・成形装置の駆動系のトラブル発
生を防止できるため、装置稼働率の向上から生産性の向
上を図ることができる。

【００７８】（４）トランスファモールド後の切断・成
形において、切断装置にリードフレームを供給する前に
エアーブローをした後切断・成形を行い、従来のように
独立したレジンバリ取り工程を必要としないことから、
工程数の低減によって半導体装置の製造コストの低減を
図ることができる。

【００７９】（５）製造された半導体装置において、リ
ードに脱落レジンが付着していないことから、選別工程
においてソケットとリードのコンタクト状態が良好とな
り、安定した選別測定テストが達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体装置の製造におけるエアーベント部レジンの切断除去
状態を示すリードフレームの斜視図である。

【図２】本実施形態１の半導体装置の製造における切断
工程を示すフローチャートである。

【図３】本実施形態１の半導体装置の製造において使用
するリードフレームを示す斜視図である。

【図４】本実施形態１で使用するリードフレームの一部
を示す斜視図である。

【図５】本実施形態１の半導体装置の製造におけるトラ
ンスファモールド後のリードフレームの一部を示す斜視
図である。

【図６】本実施形態１の半導体装置の製造におけるトラ
ンスファモールド後のリードフレームの一部を示す正面
図である。

【図７】本実施形態１の半導体装置の製造においてエア
ーベント部レジンを切断除去した状態を示すリードフレ
ームの斜視図である。

【図８】本実施形態１の切断装置の外観を示す模式図で
ある。

【図９】本実施形態１の切断装置のエアーベント部レジ
ン切断除去機構を示す模式図である。

【図１０】本実施形態１の切断装置のエアーベント部レ
ジン切断除去機構を示す模式的断面図である。

【図１１】本実施形態１の半導体装置の製造においてフ
ローキャビティ部レジンおよびリード間レジンバリを切
断除去したリードフレームの斜視図である。

【図１２】本実施形態１の半導体装置の製造においてフ
ローキャビティ部レジンおよびリード間レジンバリを切
断除去する切断型を示す斜視図である。

【図１３】本発明の他の実施形態（実施形態２）である
半導体装置の製造における切断除去領域を示すリードフ
レームの平面図である。

【図１４】本発明の他の実施形態（実施形態３）である
半導体装置の製造においてトランスファモールドされた
リードフレームを示す斜視図である。

【図１５】本実施形態３の半導体装置の製造における切
断除去領域を示すリードフレームの平面図である。

【図１６】パッケージにクラックが発生した状態を示す
斜視図である。

【図１７】パッケージに欠けが発生した状態を示す斜視
図である。

【図１８】リード曲がり不良が発生した半導体装置を示
す斜視図である。

【図１９】リードにレジンバリが付着した半導体装置を
示す斜視図である。

【符号の説明】

１…リードフレーム、２…封止体（パッケージ）、３…
クラック、４…欠け、５…リード、６…曲がりリード、
７…半導体装置、８…タイバー、９…脱落レジン、１０
…リード間レジンバリ、１１…エアーベント部レジン、
１２…フローキャビティ部レジン、１６…外枠、１７…
内枠、２０…支持リード、２１…溝、２２…幅広部、２
３…穴、２４…支持リード、２７…ガイド孔、３０…半
導体チップ、３１…ワイヤ、３５…導入路レジン、３６
…フローキャビティ導入路レジン、４０…切断装置、４
１…エアーベント部レジン切断除去機構、４１ａ，４２
ａ，４３ａ，４４ａ…ダイ、４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ，
４４ｂ…パンチ、４１ｃ…パンチガイド、４５…可動天
盤、４６…コラム、４７…上プラテン、５０…切断除去
領域、５１…打ち抜き片、５２…リードフレーム部分、
５４…付き落とし部、５５…切断刃。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のリードを有するリードフレームの
所定領域を樹脂で封止して封止体を形成した後、前記リ
ードを連結するタイバーおよび前記封止領域から食み出
たリード間レジンバリを切断除去し、その後前記リード
を切断し、ついで前記リードを成形することを特徴とす
る半導体装置の製造方法であって、前記リードフレーム
の封止領域から延びるエアーベント領域に形成されたエ
アーベント部レジンをリードフレーム部分の切断ととも
に切断除去した後、前記タイバーや前記リード間レジン
バリを切断除去することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【請求項２】前記リードフレームにフローキャビティ
部レジンを形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法において、前記フローキャビティ部レジンと前記エ
アーベント部レジンをリードフレームを切断して同時に
除去することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項３】前記エアーベント部レジンをフローキャ
ビティ部レジンと連結させるようにトランスファモール
ドすることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項４】前記エアーベント部レジンの厚さを数１
００μｍ程度の厚さに形成することを特徴とする請求項
３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記エアーベント部レジンの切断前に封
止体を有するリードフレームに高圧気体を吹き付けて脱
落し易いレジン塊を除去することを特徴とする請求項１
乃至請求項４のいずれか１項記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項６】トランスファモールドによって所定部が
封止されたリードフレームのリード間のレジンバリと前
記リード相互等を連結するタイバーを単独の切断機構ま
たは個別の切断機構で切断除去した後、前記リードを前
記リードフレームから切り離す切断装置であって、前記
リードフレームのエアーベント部レジンを含む領域を最
初に切断除去するエアーベント部レジン切断除去機構が
設けられていることを特徴とする切断装置。
【請求項７】前記エアーベント部レジン切断除去機構
は前記リードフレームに形成された前記エアーベント部
レジンおよび前記フローキャビティ部レジンを同時に切
断するように構成されていることを特徴とする請求項１
記載の切断装置。
【請求項８】前記エアーベント部レジン切断除去機構
を始めとする各切断機構の各パンチは単一の油圧シリン
ダまたは空圧シリンダによって同時に作動するように構
成されていることを特徴とする請求項７記載の切断装
置。