JPH1041259A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
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- JPH1041259A JPH1041259A JP19681396A JP19681396A JPH1041259A JP H1041259 A JPH1041259 A JP H1041259A JP 19681396 A JP19681396 A JP 19681396A JP 19681396 A JP19681396 A JP 19681396A JP H1041259 A JPH1041259 A JP H1041259A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子のバックラップ後にウエハにクラッ
クや割れが入ることを防止するためのウエハのエッジ部
の丸め処理工程を迅速化する。 【解決手段】ドーム型研削加工機は回転体であるホルダ
ー１の内側に砥石３が固着され、ホルダー１は開口部か
ら中心に向かって（図の上方に向かって）連続的に狭ま
った形状をしている。その頂点にはホルダー支柱２が固
着され、砥石３は上方に向かっては連続しており、水平
方向にはホルダー１の内面に複数個等間隔に分割されて
固着されている。ウエハステージ６とホルダー支柱２の
中心軸は一致しており、このウエハステージ６に半導体
ウエハ４が真空チャック等で固着される。ホルダー１を
高速回転させ、半導体ウエハ４のエッジ部５が砥石３の
表面に接触するまでウエハステージ６を上昇させ、半導
体ウエハ４の鋭角となっているエッジ部５を研削して鈍
角とする。
クや割れが入ることを防止するためのウエハのエッジ部
の丸め処理工程を迅速化する。 【解決手段】ドーム型研削加工機は回転体であるホルダ
ー１の内側に砥石３が固着され、ホルダー１は開口部か
ら中心に向かって（図の上方に向かって）連続的に狭ま
った形状をしている。その頂点にはホルダー支柱２が固
着され、砥石３は上方に向かっては連続しており、水平
方向にはホルダー１の内面に複数個等間隔に分割されて
固着されている。ウエハステージ６とホルダー支柱２の
中心軸は一致しており、このウエハステージ６に半導体
ウエハ４が真空チャック等で固着される。ホルダー１を
高速回転させ、半導体ウエハ４のエッジ部５が砥石３の
表面に接触するまでウエハステージ６を上昇させ、半導
体ウエハ４の鋭角となっているエッジ部５を研削して鈍
角とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハのエ
ッジ部を研削加工で鋭角状から鈍角状にする半導体素子
の製造装置に関する。
ッジ部を研削加工で鋭角状から鈍角状にする半導体素子
の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】パワーデバイスなどの半導体素子は半導
体ウエハにｐ形やｎ形の不純物を拡散して製造される。
この半導体ウエハは機械的強度を保つために、拡散処理
が終了するまでは半導体ウエハが厚い状態で処理が行わ
れ、処理が終了したあとで、所定厚みまで拡散処理が行
われれない裏面を研削加工で研磨する。この裏面研削
（通称バックラップという）で半導体ウエハの外周部が
鋭角状になりその後の半導体ウエハのカット等の処理で
半導体ウエハのエッジ部にクラックが入り、半導体ウエ
ハが割れることがあるために、バックラップの後に半導
体ウエハの外周部を丸めて、外周部を鈍角状にしてい
た。
体ウエハにｐ形やｎ形の不純物を拡散して製造される。
この半導体ウエハは機械的強度を保つために、拡散処理
が終了するまでは半導体ウエハが厚い状態で処理が行わ
れ、処理が終了したあとで、所定厚みまで拡散処理が行
われれない裏面を研削加工で研磨する。この裏面研削
（通称バックラップという）で半導体ウエハの外周部が
鋭角状になりその後の半導体ウエハのカット等の処理で
半導体ウエハのエッジ部にクラックが入り、半導体ウエ
ハが割れることがあるために、バックラップの後に半導
体ウエハの外周部を丸めて、外周部を鈍角状にしてい
た。
【０００３】図４は従来の研削加工装置と半導体ウエハ
の要部断面図で、同図（ａ）は研削加工前の図で同図
（ｂ）は研削中の図である。図４において、ホルダー３
１に固着された砥石３２の側面には凹状に加工された凹
部３６が形成されている。ウエハステージ３５に固定さ
れた半導体ウエハ３３の側面の鋭角のエッジ部３４をこ
の凹部３６に当てて、砥石３２を高速で自転させ、一方
半導体ウエハ３３をゆっくりと回転させ、半導体ウエハ
３３のエッジ部３４を研削加工する。この研削加工によ
りエッジ部３４を鈍角状にして、バックラップ（半導体
ウエハの裏面を研磨加工してウエハ厚みを薄くするこ
と）された薄い半導体ウエハ３３にバックラップ後の工
程でクラックが入るのを防止している。
の要部断面図で、同図（ａ）は研削加工前の図で同図
（ｂ）は研削中の図である。図４において、ホルダー３
１に固着された砥石３２の側面には凹状に加工された凹
部３６が形成されている。ウエハステージ３５に固定さ
れた半導体ウエハ３３の側面の鋭角のエッジ部３４をこ
の凹部３６に当てて、砥石３２を高速で自転させ、一方
半導体ウエハ３３をゆっくりと回転させ、半導体ウエハ
３３のエッジ部３４を研削加工する。この研削加工によ
りエッジ部３４を鈍角状にして、バックラップ（半導体
ウエハの裏面を研磨加工してウエハ厚みを薄くするこ
と）された薄い半導体ウエハ３３にバックラップ後の工
程でクラックが入るのを防止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法で
は次の課題がある。 １）バックラップした後で半導体ウエハを取り外して、
研削加工装置のホルダーに半導体ウエハを再度取り付け
直さなければならず、半導体ウエハの取り外しと取り付
け工程に時間がかかる。 ２）また半導体ウエハを研削加工装置に取り付ける場合
に砥石の凹部に半導体ウエハの端面が来るようにホルダ
ーの高さを高精度に合わせる作業に手間取る。 ３）砥石の凹部の幅は一定であり、半導体ウエハの厚さ
により半導体ウエハのエッジ部の仕上がり形状が変化す
る。また、一定の形状にしようとするとホルダーの位置
の微調整が必要となり時間がかかる。これらのことをま
とめると製造工数がかかるということになる。
は次の課題がある。 １）バックラップした後で半導体ウエハを取り外して、
研削加工装置のホルダーに半導体ウエハを再度取り付け
直さなければならず、半導体ウエハの取り外しと取り付
け工程に時間がかかる。 ２）また半導体ウエハを研削加工装置に取り付ける場合
に砥石の凹部に半導体ウエハの端面が来るようにホルダ
ーの高さを高精度に合わせる作業に手間取る。 ３）砥石の凹部の幅は一定であり、半導体ウエハの厚さ
により半導体ウエハのエッジ部の仕上がり形状が変化す
る。また、一定の形状にしようとするとホルダーの位置
の微調整が必要となり時間がかかる。これらのことをま
とめると製造工数がかかるということになる。
【０００５】この発明の目的は、前記の課題を解決し
て、研削加工工数の低減と半導体ウエハの厚さに依存せ
ずにエッジ部形状を一定にできる半導体素子の製造装置
を提供することにある。
て、研削加工工数の低減と半導体ウエハの厚さに依存せ
ずにエッジ部形状を一定にできる半導体素子の製造装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の目的を達成す
るために、半導体ウエハの外周端部を研削加工するもの
において、回転体と、回転体の内面に設置されて半導体
ウエハの外周端部に当接し、半導体ウエハを研削加工す
る砥石と、半導体ウエハを固定する固定台とを具備する
構成とする。また前記回転体の内面の円周上に複数個の
砥石が設置されるとよい。また回転体の内面の直径が異
なる箇所において、複数個の砥石が設置されるとよい。
その砥石の粒度が＃８００ないし＃１５００であると効
果的である。
るために、半導体ウエハの外周端部を研削加工するもの
において、回転体と、回転体の内面に設置されて半導体
ウエハの外周端部に当接し、半導体ウエハを研削加工す
る砥石と、半導体ウエハを固定する固定台とを具備する
構成とする。また前記回転体の内面の円周上に複数個の
砥石が設置されるとよい。また回転体の内面の直径が異
なる箇所において、複数個の砥石が設置されるとよい。
その砥石の粒度が＃８００ないし＃１５００であると効
果的である。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１にこの発明の第１実施例の要
部構成を示し、同図（ａ）は側面断面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した平面断面図である。図
１において、ドーム型研削加工機はドーム型回転体であ
るホルダー１の内側に砥石３が固着され、ホルダー１は
開口部から中心に向かって（図の上方に向かって）連続
的に狭まった形状をしており、その頂点にはホルダー支
柱２が固着されている。砥石３は同図（ａ）のように上
方に向かっては連続しており、同図（ｂ）のように水平
方向にはホルダー１の内面に複数個等間隔に分割されて
固着されている。ウエハステージ６とホルダー支柱２の
中心軸は一致しており、このウエハステージ６に半導体
ウエハ４が真空チャック等で固着される。ホルダー１を
高速回転させ、半導体ウエハ４のエッジ部５が砥石３の
表面に接触するまでウエハステージ６を上昇させ、半導
体ウエハ４の鋭角となっているエッジ部５を研削して鈍
角とする。半導体ウエハ４のエッジ部５が常に砥石３の
表面に接触するようにウエハステージ６は上方に微動す
るように調整されている。こうすることで半導体ウエハ
４の厚みが異なっても砥石３に接触する半導体ウエハ４
のエッジ部５の角度はほぼ一定となり、研削加工された
エッジ部５の形状が半導体ウエハ４の厚みよって変化し
ない。また砥石３を等間隔に設けることで砥石３の研削
粉が砥石３から有効に除去され、研削がスムーズに行わ
れ、さらに、砥石３の量を減じることで研削加工機のコ
ストを低減できる。砥石３の粒度は＃８００から＃１５
００がよい。＃８００より粗くなると半導体ウエハ４の
研削面にクラックが入ったり、また加工歪みの除去が困
難になる。一方＃１５００より細かくなると研削量が少
なく研削時間が長くなる不都合がでてくる。尚、ホルダ
ー１の形状はドーム型でなくとも、砥石３を確実に固定
することができれば、例えば梁状のものでもよい。
部構成を示し、同図（ａ）は側面断面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した平面断面図である。図
１において、ドーム型研削加工機はドーム型回転体であ
るホルダー１の内側に砥石３が固着され、ホルダー１は
開口部から中心に向かって（図の上方に向かって）連続
的に狭まった形状をしており、その頂点にはホルダー支
柱２が固着されている。砥石３は同図（ａ）のように上
方に向かっては連続しており、同図（ｂ）のように水平
方向にはホルダー１の内面に複数個等間隔に分割されて
固着されている。ウエハステージ６とホルダー支柱２の
中心軸は一致しており、このウエハステージ６に半導体
ウエハ４が真空チャック等で固着される。ホルダー１を
高速回転させ、半導体ウエハ４のエッジ部５が砥石３の
表面に接触するまでウエハステージ６を上昇させ、半導
体ウエハ４の鋭角となっているエッジ部５を研削して鈍
角とする。半導体ウエハ４のエッジ部５が常に砥石３の
表面に接触するようにウエハステージ６は上方に微動す
るように調整されている。こうすることで半導体ウエハ
４の厚みが異なっても砥石３に接触する半導体ウエハ４
のエッジ部５の角度はほぼ一定となり、研削加工された
エッジ部５の形状が半導体ウエハ４の厚みよって変化し
ない。また砥石３を等間隔に設けることで砥石３の研削
粉が砥石３から有効に除去され、研削がスムーズに行わ
れ、さらに、砥石３の量を減じることで研削加工機のコ
ストを低減できる。砥石３の粒度は＃８００から＃１５
００がよい。＃８００より粗くなると半導体ウエハ４の
研削面にクラックが入ったり、また加工歪みの除去が困
難になる。一方＃１５００より細かくなると研削量が少
なく研削時間が長くなる不都合がでてくる。尚、ホルダ
ー１の形状はドーム型でなくとも、砥石３を確実に固定
することができれば、例えば梁状のものでもよい。
【０００８】図２にこの発明の第２実施例の要部側面断
面を示す。この図は図１（ａ）に相当する図である。図
１（ｂ）に相当する図は類似しているために省略する。
図１と異なる点はドーム型支持体であるホルダー１１の
形状が階段状に中心に向かって狭くなる点である。同図
では図示されていない半導体ウエハの直径が８インチ、
６インチ、５インチの３種類に対応できるように、ホル
ダー１１の内面に砥石１３が固着される。図に示されて
いない半導体ウエハのエッジ部はその直径にあった砥石
１３の表面に接触し、研削加工される。対応できる直径
は３種類に限らない。この構成とすることで、半導体ウ
エハの直径が異なってもホルダー１を交換する必要がな
い。
面を示す。この図は図１（ａ）に相当する図である。図
１（ｂ）に相当する図は類似しているために省略する。
図１と異なる点はドーム型支持体であるホルダー１１の
形状が階段状に中心に向かって狭くなる点である。同図
では図示されていない半導体ウエハの直径が８インチ、
６インチ、５インチの３種類に対応できるように、ホル
ダー１１の内面に砥石１３が固着される。図に示されて
いない半導体ウエハのエッジ部はその直径にあった砥石
１３の表面に接触し、研削加工される。対応できる直径
は３種類に限らない。この構成とすることで、半導体ウ
エハの直径が異なってもホルダー１を交換する必要がな
い。
【０００９】図３はこの発明の適用例でバックラップ工
程と組み合わせた工程を同図（ａ）から同図（ｄ）に示
す。同図（ａ）は半導体ウエハ４をウエハステージ６に
固着した状態である。同図（ｂ）はホルダー２１に固着
されたバックラップ用の砥石２２で半導体ウエハ４をバ
ックラップする際の、半導体ウエハ４の裏面に砥石２２
が接触する前の状態である。砥石２２に半導体ウエハ４
の裏面を接触させ、砥石２２を回転させて半導体ウエハ
４のバックラップを行う。同図（ｃ）はこの発明の研削
加工機を使用してエッジ処理（エッジ部５を丸める）を
行う状態で、ドーム型支持体であるホルダー１に固着さ
れている砥石３にウエハステージ６に固定された半導体
ウエハ４のエッジ部５を接触させて、ホルダー１を回転
させてエッジ部を丸める。この図は砥石３に半導体ウエ
ハ４のエッジ部を接触させる前の状態を示す。同図
（ｄ）はエッジ部５が丸められた後で半導体ウエハ４の
裏面を水洗、乾燥させた後、半導体ウエハ４をウエハス
テージから外す状態で、外す前の図である。同図（ａ）
から同図（ｄ）に示されるこれらの工程では半導体ウエ
ハ４をウエハステージ６から外すことなくバックラッ
プ、エッジ処理、洗浄、乾燥の各工程を行うことがで
き、工程のインライン化が可能となり、製造工数を大幅
に低減できる。
程と組み合わせた工程を同図（ａ）から同図（ｄ）に示
す。同図（ａ）は半導体ウエハ４をウエハステージ６に
固着した状態である。同図（ｂ）はホルダー２１に固着
されたバックラップ用の砥石２２で半導体ウエハ４をバ
ックラップする際の、半導体ウエハ４の裏面に砥石２２
が接触する前の状態である。砥石２２に半導体ウエハ４
の裏面を接触させ、砥石２２を回転させて半導体ウエハ
４のバックラップを行う。同図（ｃ）はこの発明の研削
加工機を使用してエッジ処理（エッジ部５を丸める）を
行う状態で、ドーム型支持体であるホルダー１に固着さ
れている砥石３にウエハステージ６に固定された半導体
ウエハ４のエッジ部５を接触させて、ホルダー１を回転
させてエッジ部を丸める。この図は砥石３に半導体ウエ
ハ４のエッジ部を接触させる前の状態を示す。同図
（ｄ）はエッジ部５が丸められた後で半導体ウエハ４の
裏面を水洗、乾燥させた後、半導体ウエハ４をウエハス
テージから外す状態で、外す前の図である。同図（ａ）
から同図（ｄ）に示されるこれらの工程では半導体ウエ
ハ４をウエハステージ６から外すことなくバックラッ
プ、エッジ処理、洗浄、乾燥の各工程を行うことがで
き、工程のインライン化が可能となり、製造工数を大幅
に低減できる。
【００１０】
【発明の効果】この発明によれば、回転体の内側に砥石
を固着することで、各種直径と厚みの異なる半導体ウエ
ハを砥石の交換なしに研削加工ができ、研削加工工数の
低減と半導体ウエハのエッジ部形状を一定にできる。ま
たバックラップ機と組み合わせて、工程のインライン化
ができる。
を固着することで、各種直径と厚みの異なる半導体ウエ
ハを砥石の交換なしに研削加工ができ、研削加工工数の
低減と半導体ウエハのエッジ部形状を一定にできる。ま
たバックラップ機と組み合わせて、工程のインライン化
ができる。
【図１】この発明の第１実施例の要部構成図であり、
（ａ）は側面断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で
切断した平面断面図
（ａ）は側面断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で
切断した平面断面図
【図２】この発明の第２実施例の要部側面断面図
【図３】この発明の適用例でバックラップ工程と組み合
わせた工程図
わせた工程図
【図４】従来の研削加工装置と半導体ウエハの要部断面
図で、（ａ）は研削加工前の図で（ｂ）は研削後の図
図で、（ａ）は研削加工前の図で（ｂ）は研削後の図
１ ホルダー ２ ホルダー支柱 ３ 砥石 ４ 半導体ウエハ ５ エッジ部 ６ ウエハステージ １１ ホルダー １２ ホルダー支柱 １３ 砥石 ２１ ホルダー ２２ 砥石 ３１ ホルダー ３２ 砥石 ３３ 半導体ウエハ ３４ エッジ部 ３５ ウエハステージ ３６ 凹部
Claims (4)
- 【請求項１】半導体ウエハの外周端部を研削加工するも
のにおいて、回転体と、回転体の内面に設置されて半導
体ウエハの外周端部に当接し、、半導体ウエハを研削加
工する砥石と、半導体ウエハを固定する固定台とを具備
することを特徴とする半導体素子の製造装置。 - 【請求項２】回転体の内面の円周上に複数個の砥石が設
置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素
子の製造装置。 - 【請求項３】回転体の内面の直径が異なる箇所におい
て、複数個の砥石が設置されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体素子の製造装置 - 【請求項４】砥石の粒度が＃８００ないし＃１５００で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19681396A JP3545883B2 (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19681396A JP3545883B2 (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041259A true JPH1041259A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3545883B2 JP3545883B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=16364093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19681396A Expired - Fee Related JP3545883B2 (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3545883B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7108589B2 (en) | 2000-04-04 | 2006-09-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| JP2008084522A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-04-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および製造装置、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクの製造方法、ならびに磁気ディスク |
| CN117655928A (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-08 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 晶圆处理方法及装置 |
| WO2025204443A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | 株式会社東京精密 | 加工方法、及び、加工装置 |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP19681396A patent/JP3545883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7108589B2 (en) | 2000-04-04 | 2006-09-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| JP2008084522A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-04-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および製造装置、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクの製造方法、ならびに磁気ディスク |
| CN117655928A (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-08 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 晶圆处理方法及装置 |
| WO2025204443A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | 株式会社東京精密 | 加工方法、及び、加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3545883B2 (ja) | 2004-07-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20040406 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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