JPH1041281A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH1041281A
JPH1041281A JP8212027A JP21202796A JPH1041281A JP H1041281 A JPH1041281 A JP H1041281A JP 8212027 A JP8212027 A JP 8212027A JP 21202796 A JP21202796 A JP 21202796A JP H1041281 A JPH1041281 A JP H1041281A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency power
frequency
low
lower electrode
superimposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8212027A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3220383B2 (ja
Inventor
Tomoki Suemasa
智希 末正
Takeshi Ono
剛 大野
Koichiro Inasawa
剛一郎 稲沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP21202796A priority Critical patent/JP3220383B2/ja
Priority to US08/897,916 priority patent/US6089181A/en
Priority to KR1019970034385A priority patent/KR100319664B1/ko
Publication of JPH1041281A publication Critical patent/JPH1041281A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3220383B2 publication Critical patent/JP3220383B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 重畳高周波電力を用いることにより、超微細
加工が可能なプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明によれば、被処理体に対して、例
えばエッチング処理を施す際に、下部電極１１０に印加
する高周波電力を、相対的に高い周波数の高周波電力成
分を相対的に低い周波数の低周波電力成分に重畳した重
畳高周波電力とし、さらに高周波電力成分が低周波電力
成分よりも相対的に大きいように構成した。また、重畳
高周波電力の高周波電力成分の各振幅を、低周波電力成
分の振幅にあわせて最適の状態に修正及び変更すること
により、あるいは重畳高周波電力を構成している低周波
電力の正側波形を負側に折り返すことにより、高選択比
及び高エッチングレートで所望の超微細加工を行うこと
が可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の平行平板型プラズマ処理装置を用
いたエッチング処理について説明すると、気密な処理室
内に設けられている下部電極上に被処理体、例えば半導
体ウェハ（以下、「ウェハ」と称する。）を載置し、処
理室内へ所定の処理ガスを導入するとともに、処理室に
接続された真空引き手段等により、処理室内を所定の減
圧雰囲気に維持する。
【０００３】しかる後、下部電極あるいは／及び下部電
極に対向する位置に配置された上部電極に、一定周波数
の高周波電力を印加することで、両電極間にプラズマを
生じさせ、そのプラズマにより処理ガスが解離して生じ
たエッチャントイオンを、ウェハ上の被処理面に衝突さ
せることによって、所望のエッチング処理を行なってい
る。
【０００４】しかしながら、エッチング処理において、
一定周波数の高周波電力を電極に連続して印加すると、
処理室内の電子温度が上昇するため、処理ガスの解離が
過度に進行して、選択比及びエッチングレートが低下す
るという問題が生じる。
【０００５】そのため、従来の処理装置では、選択比あ
るいはエッチングレートの向上には自ずと限界があり、
特に最近の半導体デバイスの超高集積化及び小型化に伴
って求められている超微細加工において、その限界の克
服が技術的要求項目として挙げられている。
【０００６】そこで、電極に対してパルス変調された高
周波電力を印加する技術、あるいは特公平７−９５５４
４に示されているように、比較的電力の大きい相対的に
低い周波数の低周波電力成分に対して、比較的電力の小
さい相対的に高い周波数の高周波電力成分を重畳した重
畳高周波電力を印加する技術が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
ング処理において、パルス変調した高周波電力を電極に
印加した場合、選択比は向上するが、放電が持続しない
ため、パルス間隔の増加に相対してエッチングレートは
減少してしまう。また、エッチングレートを向上させる
ため高周波電力の出力を高めると、処理室内の電子温度
が上昇して選択比が得られないだけではなく、被処理面
の温度も上昇してしまい、被処理体に対する損傷が問題
となっていた。
【０００８】本発明は、従来のプラズマ処理装置が有す
る上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、処
理室内の電子温度の上昇を制御しながらも、プラズマ密
度の減少を伴わずに、高選択比及び高エッチングレート
で所望の超微細加工が可能な、新規かつ改良されたプラ
ズマ処理装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１によれば、処理室内に対向配置された上部
電極と下部電極とを備え、上記下部電極に高周波電力を
印加することにより、両電極間に反応性プラズマを生成
し、その反応性プラズマにより下部電極上に載置される
被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処
理装置において、上記下部電極に印加される高周波電力
は、第１高周波電源より発振された相対的に低い周波数
の低周波電力に対して第２高周波電源より発振された相
対的に高い周波数の高周波電力を重畳した重畳高周波電
力であり、かつその重畳高周波電力の低周波電力成分の
負側ピーク付近の高周波振幅が低周波電力成分の正側ピ
ーク付近の高周波振幅より相対的に大きいことを特徴と
している。
【００１０】また、請求項２によると、上記プラズマ処
理装置は、上記重畳高周波電力の上記低周波電力成分の
負側ピーク付近の高周波振幅を相対的に増幅する増幅手
段を備えたことを特徴としている。
【００１１】さらに、請求項３によると、上記プラズマ
処理装置は、上記重畳高周波電力の上記低周波電力成分
の正側ピーク付近の高周波振幅を相対的に減衰する減衰
手段を備えたことを特徴としている。
【００１２】下部電極に負側の重畳高周波電力が印加さ
れている際には、上部電極と下部電極との間には電子は
流れず、下部電極には負の帯電が生じる。これにより、
例えば被処理体にエッチング処理を施す場合、反応性プ
ラズマにより所定の処理ガスが解離することによって生
じた反応性イオンと電子のうち、エッチング処理に必須
の反応性イオンのみの空間、いわゆるイオンシース領域
が拡大し、反応性イオンが被処理体に引き寄せられてエ
ッチングが進行する。
【００１３】また、下部電極に正側の重畳高周波電力が
印加されている際には、上部電極と下部電極との間には
電子電流が流れるため、イオンシースの電位が低下し
て、反応性イオンが加速されず、エッチング処理には寄
与しない。
【００１４】さらに、下部電極における重畳高周波電力
の波形は、プラズマとイオンシースが持つ、いわゆるダ
イオード特性により、低周波電力の負側が印加されてい
るときは高周波電力の振幅が大きく、逆に低周波電力の
正側が印加されているときは高周波電力の振幅が小さく
なる。
【００１５】従って、本発明においては、いわゆるダイ
オード特性に逆らうことなく、低周波電力の正側が印加
されているときは高周波電力の振幅が小さく、逆に低周
波電力の負側が印加されているときは高周波電力の振幅
が大きくなるように制御し、さらにその振幅の幅も制御
することができる。これにより、高密度なプラズマを得
ることが可能となるとともに、放電を持続させながら処
理ガスが過度に解離することを防止できるため、高エッ
チングレートで均一性の高いエッチングが可能となる。
【００１６】請求項４によると、処理室内に対向配置さ
れた上部電極と下部電極とを備え、上記下部電極に高周
波電力を印加することにより、両電極間に反応性プラズ
マを生成し、その反応性プラズマにより下部電極上に載
置される被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプ
ラズマ処理装置において、第１高周波電源より発振され
る相対的に低い周波数の低周波電力の正側波形を負側に
折り返す整流手段を備え、上記下部電極に印加される高
周波電力は、上記整流手段により負側にのみ折り返され
た上記低周波電力に対して第２高周波電源より発振され
る相対的に高い周波数の高周波電力を重畳した重畳高周
波電力であることを特徴としている。
【００１７】従って、下部電極には常時負側の低周波電
力のみが印加されるため、高周波電力により解離された
プラズマ中の反応性イオンを効率的に被処理体に引き寄
せることが可能となり、エッチングレートを向上させる
ことができる。
【００１８】請求項５によると、上記重畳高周波電力の
低周波成分の負側ピーク付近の高周波振幅を他の部分の
振幅よりも相対的に増幅する増幅手段を備えたことを特
徴としている。
【００１９】従って、低周波電力の負側ピーク付近の振
幅を他の部分の振幅よりも相対的に大きくするすること
が可能となるため、さらに高密度なプラズマを得ること
ができるとともに、放電を持続させながらも処理ガスが
過度に解離することを防止することができ、高エッチン
グレートで均一性の高いエッチング処理が可能となる。
【００２０】さらに、請求項６によると、上記プラズマ
処理装置は、上記重畳高周波電力の上記高周波電力成分
は上記低周波電力成分よりも相対的に大きいことを特徴
としている。
【００２１】従って、高周波電力成分により高密度プラ
ズマが生成され、低周波電力成分によりイオンが過度に
加速されず、選択比を低下させることがなくなるため、
所望のプラズマ処理を行うことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら、
本発明にかかるプラズマ処理装置を平行平板型プラズマ
エッチング装置に適用した、実施の一形態について詳細
に説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能
及び構成を有する構成要素については、同一番号を付す
ることにより、重複説明を省略することにする。
【００２３】図１に示したプラズマエッチング装置１０
０における処理室１０２は、導電性素材、例えばアルマ
イト処理されたアルミニウムからなる、気密で開閉自在
な略円筒形状の処理容器１０４内に形成され、この処理
容器１０４自体は接地線１０６を介して接地されてい
る。
【００２４】上記処理室１０２内の底部には絶縁性素
材、例えばセラミックスの絶縁支持板１０８が設けられ
ており、この絶縁支持板１０８の上部には被処理体、例
えばウェハＷを載置可能な、略円柱状の導電性素材、例
えばアルマイト処理されたアルミニウムからなる下部電
極１１０が形成されている。
【００２５】上記下部電極１１０内には、冷媒循環手段
１１２が設けられており、上記下部電極１１０を介し
て、ウェハＷ上の被処理面を所定の温度に調節すること
が可能なように構成されている。
【００２６】上記下部電極１１０の上面中央部には、ウ
ェハＷと略同型の静電チャック１１４が設けられてい
る。上記静電チャック１１４は２枚のフィルム、例えば
高分子ポリイミドフィルム１１４ａ及び１１４ｃによっ
て、導電層１１４ｂが挟持された構成を有しており、こ
の導電層１１４ｂに対して、処理容器１０４外部の高圧
直流電源１１６から高圧直流電力、例えば１．５ｋＶの
高圧直流電力を印加することによって、この静電チャッ
ク１１４上面に載置されたウェハＷは、クーロン力によ
ってその位置で吸着保持されるように構成されている。
【００２７】上記静電チャック１１４内には、不図示の
伝熱ガス供給孔が略同心円上に形成されており、各伝熱
ガス供給孔には伝熱ガス供給管１１８を介して伝熱ガ
ス、例えばヘリウムガスが上記ウェハＷの裏面と静電チ
ャック１１４の上面との間に形成される微小空間に供給
され、冷媒循環手段１１２からの伝熱効率を高めるよう
に構成されている。
【００２８】上記下部電極１１０の上端周縁部には、静
電チャック１１４上に載置されたウェハＷを囲むよう
に、略環状のフォーカスリング１２０が配置されてい
る。このフォーカスリング１２０は、反応性イオン等を
引き寄せない絶縁性の材質、例えば石英からなり、プラ
ズマによって発生した反応性イオン等を、その内側のウ
ェハＷにだけ、効果的に入射するように構成されてい
る。
【００２９】上記下部電極１１０と処理容器１０４の内
壁との間には、複数のバッフル孔が穿設された排気リン
グ１２２が、上記下部電極１１０を囲むように形成され
ている。この排気リング１２２は、排気流の流れを整
え、処理容器１０４内から処理ガス等を、均一に排気す
るように設けられたものである。
【００３０】上記処理容器１０４の側壁下方には、排気
管１２４が設けられており、さらにこの排気管１２４に
は真空引き手段Ｐ１２６、例えばターボ分子ポンプが接
続されており、上記真空引き手段Ｐ１２６の作動によっ
て、上記排気管１２４及び排気リング１２２を介して、
処理容器１０４内は所定の減圧雰囲気、例えば１〜１０
０ｍＴｏｒｒまでの任意の減圧度にまで、真空引きでき
るように構成されている。
【００３１】上記処理容器１０４上部には、上記下部電
極１１０に対向する位置に導電性素材、例えばアルマイ
ト処理されたアルミニウムからなる上部電極１３０が設
けられている。
【００３２】また、上記上部電極１３０にはガス導入管
１３２が接続されており、このガス導入管１３２は、バ
ルブ１３４及びマスフローコントローラＭＦＣ１３６を
介して、処理ガス供給源１３８に接続されている。
【００３３】さらに、上記上部電極１３０の内部は、中
空部１３０ａを有する中空構造となっており、ウェハＷ
に対向する面１３０ｂには、多数の吐出口１３０ｃが形
成されている。従って、処理ガス供給源１３８から所定
の処理ガス、例えばＣ4Ｆ8ガスがマスフローコントロー
ラＭＦＣ１３６により流量調節された後、バルブ１３４
及びガス導入管１３２を介して、上記上部電極１３０内
の中空部１３０ａ内に導入され、さらに上記吐出口１３
０ｃを介して処理室１０２内に導入されるように構成さ
れている。
【００３４】上記処理容器１０４内にプラズマを発生さ
せるための、本実施の形態にかかる上記下部電極１１０
への重畳高周波電力の印加は、次のように行われてい
る。まず、第一高周波信号源１４０から相対的に低い周
波数、例えば３８０ｋＨｚの低周波信号が発振され、増
幅器１４２によって増幅された後、整合器１４４を介し
て、上記低周波電力導入手段に後述の高周波電力成分が
進入することを防止するために設けられたフィルタ１４
６に導入され、上記重畳高周波電力の低周波電力成分と
なる。
【００３５】一方、第二高周波信号源１４８から相対的
に高い周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波信号が
発振され、その高周波信号は変調器１５２に導入され
る。この変調器１５２には、上記第一高周波信号源１４
０から発振された低周波信号も導入される。
【００３６】上記変調器１５２は、低周波信号の位相に
応じて高周波信号の振幅を大きくしたり、小さくしたり
することができ、それにより本実施の形態においては、
低周波信号の負側では高周波信号の振幅を大きくし、低
周波信号の正側では高周波信号の振幅を小さくするよう
に調整する。なお、高周波信号の振幅が大きくなる位相
や高周波信号の振幅の大きさは、変調器１５２、増幅器
１４２及び１５０を調整することにより変更が可能であ
る。
【００３７】上記変調器１５２からの出力は、増幅器１
５０に導入された後、整合器１５６を介して、上記高周
波電力導入手段に低周波電力導入手段から供給されてい
る低周波電力成分が進入することを防止するために設け
られたフィルタ１５８に導入され、上記重畳高周波電力
の高周波電力成分となる。
【００３８】上記フィルタ１４６を介して導入される上
記低周波電力成分に、上記フィルタ１５８を介して導入
される高周波電力成分を重畳することにより、重畳高周
波電力が形成される。また、上記重畳高周波電力は、上
記高周波電力成分が上記低周波電力成分よりも相対的に
大きいように構成されている。
【００３９】ここで、本実施の形態にかかる重畳高周波
電力の波形を示すと図２のようになり、上記低周波電力
成分の負側ピーク付近の高周波振幅（ａ）は大きく、正
側ピークの高周波振幅（ｂ）は小さくなっている。
【００４０】また、上記下部電極１１０に対して、従来
の一定周波数の高周波電力のみを印加した場合と、本実
施の形態にかかる重畳高周波電力を印加した場合につい
て、Ｃ4Ｆ8ガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングし
た時のエッチングレートを図３に示した。
【００４１】これによると、本実施の形態にかかる重畳
高周波電力、例えば１５００Ｗの高周波電力成分を、例
えば１０００Ｗの低周波電力成分に重畳した重畳高周波
電力のエッチングレートは、従来の一定周波数の高周波
電力、例えば１５００Ｗの高周波電力と比較して２１％
程度、さらに１７００Ｗの高周波電力と比較しても１１
％程度向上するため、高エッチングレートが得られるこ
とがわかる。
【００４２】また、従来の一定周波数の高周波電力の電
力出力をさらに上げた場合、高エッチングレートを得る
ことは可能となるが、それに伴って処理室内の電子温度
も上昇していまい、選択比が減少してしまう。従って、
高選択比及び高エッチングレートでのエッチング処理を
可能とするためには、本実施の形態にかかる重畳高周波
電力を用いたプラズマ処理装置が有効である。
【００４３】本実施の形態にかかるプラズマ処理装置は
以上のように構成されており、例えばこのプラズマ処理
装置を用いて、ウェハＷ上の被処理膜、例えばシリコン
酸化膜のエッチング処理を施す場合について以下に説明
する。プラズマエッチング処理装置１００においては、
まずウェハＷが処理室１０２内の下部電極１１０上に載
置された後、静電チャック１１４によって吸着保持され
る。
【００４４】上記ウェハＷ上の被処理面は、上記下部電
極１１０内に設けられている冷媒循環手段１１２、及び
上記静電チャック１１４内に設けられている不図示の伝
熱ガス供給孔から供給される伝熱ガス、例えばヘリウム
ガスにより所定の温度、例えば２５゜Ｃに維持されてい
る。
【００４５】処理ガス供給源１３８から所定の処理ガ
ス、例えばＣ4Ｆ8ガスがマスフローコントローラＭＦＣ
１３６、バルブ１３４、ガス導入管１３２及び上部電極
１３０を介して、処理室１０２内に導入される。
【００４６】上記処理室１０２内は、真空引き手段Ｐ１
２６の作動により、排気管１２４及び排気リング１２２
を介して真空引きされ、所定の減圧雰囲気、例えば２０
ｍＴｏｒｒが維持されている。
【００４７】上記処理室１０２内の所定の場所にプラズ
マを発生させるため、まず第一高周波信号源１４０から
相対的に低い周波数、例えば３８０ｋＨｚの低周波電力
が発振され、増幅器１４２、整合器１４４及びフィルタ
１４６を介して、重畳高周波電力の低周波電力成分が供
給されている。
【００４８】一方、第二高周波信号源１４８から相対的
に高い周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波信号が
発振され、変調器１５２によって拡幅変調された後、増
幅器１５０、整合器１５６及びフィルタ１５８を介する
ことにより、上記重畳高周波電力の高周波電力成分とな
る。
【００４９】上記フィルタ１４６を介して導入される上
記低周波電力成分に、上記フィルタ１５８を介して導入
される高周波電力成分を重畳することにより、重畳高周
波電力が形成される。
【００５０】上記低周波電力成分の負側ピーク付近の高
周波振幅が、正側ピークの高周波振幅よりもより強調さ
れている上記重畳高周波電力を、上記下部電極１１０に
印加することにより、高選択比及び高エッチングレート
で、所望のエッチング処理を行うことができる。
【００５１】次に、図４に示したプラズマエッチング装
置２００において、本発明の別の観点における下部電極
１１０への重畳高周波電力の印加について説明する。ま
ず、第一高周波電源１７１から相対的に低い周波数、例
えば３８０ｋＨｚの低周波電力が発振され、整合器１４
４を介して全波整流器１６２に導入される。
【００５２】上記全波整流器１６２内には全波整流手
段、例えばダイオードブリッジが形成されており、上記
低周波電力の正側波形を負側に折り返すことができる。
さらに、上記負側波形のみとなった低周波電力は、上記
低周波電力導入手段に後述の高周波電力成分が進入する
ことを防止するために設けられたフィルタ１４６に導入
され、上記重畳高周波電力の低周波電力成分となる。
【００５３】一方、第二高周波電源１７２から相対的に
高い周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が発
振された後、増幅器１６４及び整合器１５６を介して、
上記高周波電力導入手段に低周波電力導入手段から供給
されている低周波電力成分が進入することを防止するた
めに設けられたフィルタ１５８に導入され、上記重畳高
周波電力の高周波電力成分となる。
【００５４】上記フィルタ１４６を介して導入される上
記負側波形のみとなった低周波電力成分に、上記フィル
タ１５８を介して導入される高周波電力成分を重畳する
ことにより、重畳高周波電力が形成される。また、上記
重畳高周波電力は、上記高周波電力成分が上記低周波電
力成分よりも相対的に大きいように構成されている。
【００５５】上記重畳高周波電力の波形は図５に示した
ように、上記低周波電力成分の振幅が負側のみとなり、
プラズマ中のイオンをウェハＷに効率よく引き寄せるこ
とが可能となり、また比較的電力の小さい低周波電力を
使用することにより、選択比及びエッチングレートがさ
らに向上することから、所望のエッチング処理を行うこ
とができる。
【００５６】なお、図１に示したプラズマエッチング装
置１００の整合器１４４とフィルタ１４６との間に、図
４に示したプラズマエッチング装置２００において説明
した全波整流器１６２を接続した構成とすることで、プ
ラズマエッチング装置１００に低周波信号の負側ピーク
付近の高周波信号振幅を他の部分より大きくする機能を
追加することが可能である。これにより、プラズマエッ
チング装置１００においては、高周波信号の振幅が小さ
い部分があるため、処理ガスの解離が過度に進むことが
なく、エッチングレート及びエッチングの均一性がさら
に向上する。
【００５７】以上、本発明の好適な実施の形態につい
て、半導体ウェハ上のシリコン酸化膜をエッチング処理
するプラズマ処理装置を例に挙げて説明したが、本発明
はかかる構成に限定されるものではない。当業者であれ
ば、特許請求の範囲の技術的思想の範疇において、各種
修正例及び変更例に想到し得るはずであり、それらにつ
いても本発明の技術的範囲に当然属するものと解され
る。
【００５８】例えば、上記実施の形態において、重畳高
周波電力を構成している低周波電力成分及び高周波電力
成分について、特定の周波数及び電力出力を例に挙げて
説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるもの
ではなく、上記周波数及び電力出力を可変とする場合に
も適用することが可能である。
【００５９】また、上記実施の形態において、重畳高周
波電力の供給構成の一例を挙げて説明したが、同一の構
成としなくても、重畳高周波電力の供給が可能な構成で
あれば、いかなる回路構成でも採用することが可能であ
る。
【００６０】さらに、上記実施の形態において、平行平
板型プラズマエッチング装置を用いて、半導体ウェハ上
の被処理体をエッチング処理する例を挙げて説明した
が、本発明は上記形態に限定されるものではなく、他の
プラズマ処理装置によるプラズマ処理、例えばＬＣＤ用
基板のアッシング処理等に適用することも可能である。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、下部電
極に印加する高周波電力を、相対的に高い周波数の高周
波電力成分を相対的に低い周波数の低周波電力成分に重
畳した重畳高周波電力とし、その重畳高周波電力の高周
波電力成分の各振幅を、低周波電力成分の振幅にあわせ
て最適の状態に修正及び変更することが可能となるた
め、処理室内の電子温度の上昇が制御され、より高密
度、高電位のイオンシース領域を得ることが可能とな
り、高選択比及び高エッチングレートで所望のエッチン
グ処理を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用可能な平行平板型プラズマエッチ
ング装置の実施の一形態を示す概略的な断面図である。
【図２】本実施の形態にかかる重畳高周波電力における
正弦波の一例を示したものである。
【図３】各電力出力における従来の高周波電力及び本実
施の形態にかかる重畳高周波電力を平行平板型プラズマ
エッチング装置に適用し、半導体ウェハに対してエッチ
ング処理を施した際の各エッチングレートの一例を示し
たものである。
【図４】本発明を適用可能な平行平板型プラズマエッチ
ング装置の実施の一形態を示す概略的な断面図ある。
【図５】本実施の形態にかかる重畳高周波電力における
正弦波の一例を示したものである。
【符号の説明】
１００、２００ プラズマエッチング装置 １０２ 処理室 １０４ 処理容器 １１０ 下部電極 １１２ 熱媒循環手段 １１４ 静電チャック １１８ 伝熱ガス供給管 １２４ 排気管 １２６ 真空引き手段 １３０ 上部電極 １３２ ガス導入管 １３４ バルブ １３６ マスフローコントローラ １３８ 処理ガス供給源 １４０ 第一高周波信号源 １４２、１５０ 増幅器 １４４、１５６ 整合器 １４６、１５８ フィルタ １４８ 第二高周波信号源 １５２ 変調器 １６２ 全波整流器 １７１ 第一高周波電源 １７２ 第二高周波電源 Ｗ ウェハ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理室内に対向配置された上部電極と下
    部電極とを備え、前記下部電極に高周波電力を印加する
    ことにより、両電極間に反応性プラズマを生成し、その
    反応性プラズマにより下部電極上に載置される被処理体
    に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に
    おいて、 前記下部電極に印加される高周波電力は、第１高周波電
    源より発振された相対的に低い周波数の低周波電力に対
    して第２高周波電源より発振された相対的に高い周波数
    の高周波電力を重畳した重畳高周波電力であり、かつそ
    の重畳高周波電力の低周波電力成分の負側ピーク付近の
    高周波振幅が低周波電力成分の正側ピーク付近の高周波
    振幅より相対的に大きいことを特徴とする、プラズマ処
    理装置。
  2. 【請求項２】 さらに、前記重畳高周波電力の前記低周
    波電力成分の負側ピーク付近の高周波振幅を相対的に増
    幅する増幅手段を備えたことを特徴とする、請求項１に
    記載のプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 さらに、前記重畳高周波電力の前記低周
    波電力成分の正側ピーク付近の高周波振幅を相対的に減
    衰する減衰手段を備えたことを特徴とする、請求項１ま
    たは２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 処理室内に対向配置された上部電極と下
    部電極とを備え、前記下部電極に高周波電力を印加する
    ことにより、両電極間に反応性プラズマを生成し、その
    反応性プラズマにより下部電極上に載置される被処理体
    に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に
    おいて、 第１高周波電源より発振される相対的に低い周波数の低
    周波電力の正側波形を負側に折り返す整流手段を備え、 前記下部電極に印加される高周波電力は、前記整流手段
    により負側にのみ折り返された前記低周波電力に対して
    第２高周波電源より発振される相対的に高い周波数の高
    周波電力を重畳した重畳高周波電力であることを特徴と
    する、プラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 前記重畳高周波電力の低周波成分の負側
    ピーク付近の高周波振幅を他の部分の振幅よりも相対的
    に増幅する増幅手段を備えたことを特徴とする、請求項
    ４に記載のプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 前記重畳高周波電力の前記高周波電力成
    分は前記低周波電力成分よりも相対的に大きいことを特
    徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処
    理装置。
JP21202796A 1996-07-23 1996-07-23 プラズマ処理装置及びその方法 Expired - Fee Related JP3220383B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21202796A JP3220383B2 (ja) 1996-07-23 1996-07-23 プラズマ処理装置及びその方法
US08/897,916 US6089181A (en) 1996-07-23 1997-07-21 Plasma processing apparatus
KR1019970034385A KR100319664B1 (ko) 1996-07-23 1997-07-23 플라즈마처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21202796A JP3220383B2 (ja) 1996-07-23 1996-07-23 プラズマ処理装置及びその方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1041281A true JPH1041281A (ja) 1998-02-13
JP3220383B2 JP3220383B2 (ja) 2001-10-22

Family

ID=16615664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21202796A Expired - Fee Related JP3220383B2 (ja) 1996-07-23 1996-07-23 プラズマ処理装置及びその方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6089181A (ja)
JP (1) JP3220383B2 (ja)
KR (1) KR100319664B1 (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6433297B1 (en) 1999-03-19 2002-08-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2002324698A (ja) * 2001-04-06 2002-11-08 Eni Technologies Inc パルス化インテリジェントｒｆ変調コントローラ
JP2003179030A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 高周波電源及びその制御方法
JP2004511097A (ja) * 2000-10-06 2004-04-08 ラム　リサーチ　コーポレーション プラズマ処理チャンバにおける単周波ｒｆ電力を用いたウェハ処理システム、処理装置、および処理方法
US6849154B2 (en) * 1998-11-27 2005-02-01 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus
KR100546273B1 (ko) * 1998-04-21 2006-04-21 삼성전자주식회사 듀얼 알.에프 전력을 갖는 반응성 이온 식각장치를 이용한 백금막 식각방법
EP1214459A4 (en) * 1999-08-17 2006-07-26 Tokyo Electron Ltd PULSE PLASMA TREATMENT METHOD AND DEVICE
JP2007503724A (ja) * 2003-08-22 2007-02-22 ラム　リサーチ　コーポレーション 多重周波数プラズマ・エッチング反応装置
JP2007103102A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Daihen Corp 高周波電源装置
EP1143497A4 (en) * 1998-11-27 2007-05-02 Tokyo Electron Ltd PLASMA ETCHING DEVICE
JP2007515761A (ja) * 2003-12-18 2007-06-14 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 二重周波数ｒｆ整合
JP2008198601A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Samsung Electronics Co Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2009071133A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Toshiba Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2009231683A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及び給電棒
KR20120009441A (ko) * 2009-04-06 2012-01-31 램 리써치 코포레이션 변조된 멀티-주파수 처리 방법
JP5082242B2 (ja) * 2003-07-16 2012-11-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜形成方法
US9460894B2 (en) 2013-06-28 2016-10-04 Lam Research Corporation Controlling ion energy within a plasma chamber
US10157729B2 (en) 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
US10325759B2 (en) 2012-02-22 2019-06-18 Lam Research Corporation Multiple control modes

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050061445A1 (en) * 1999-05-06 2005-03-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4578651B2 (ja) 1999-09-13 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置、プラズマエッチング方法
JP2001338912A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置および処理方法
US20030094239A1 (en) * 2000-06-02 2003-05-22 Quon Bill H. Apparatus and method for improving electron ecceleration
JP3792999B2 (ja) * 2000-06-28 2006-07-05 株式会社東芝 プラズマ処理装置
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6633831B2 (en) 2000-09-20 2003-10-14 Kla Tencor Technologies Methods and systems for determining a critical dimension and a thin film characteristic of a specimen
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6782337B2 (en) 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US7349090B2 (en) 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
US7106425B1 (en) 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US7130029B2 (en) 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6673637B2 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
JP3897582B2 (ja) * 2000-12-12 2007-03-28 キヤノン株式会社 真空処理方法、真空処理装置、半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2002054835A2 (en) * 2001-01-08 2002-07-11 Tokyo Electron Limited Addition of power at selected harmonics of plasma processor drive frequency
JP4657473B2 (ja) * 2001-03-06 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6974523B2 (en) * 2001-05-16 2005-12-13 Lam Research Corporation Hollow anode plasma reactor and method
US6506291B2 (en) 2001-06-14 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Substrate support with multilevel heat transfer mechanism
US6770166B1 (en) * 2001-06-29 2004-08-03 Lam Research Corp. Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor
JP4137419B2 (ja) * 2001-09-28 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2003234331A (ja) * 2001-12-05 2003-08-22 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
JP4129855B2 (ja) * 2001-12-13 2008-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20050106868A1 (en) * 2002-01-01 2005-05-19 Asao Yamashita Etching method
US20040025791A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 Applied Materials, Inc. Etch chamber with dual frequency biasing sources and a single frequency plasma generating source
JP4388287B2 (ja) * 2003-02-12 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び高周波電力供給装置
US7976673B2 (en) * 2003-05-06 2011-07-12 Lam Research Corporation RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor
KR100968571B1 (ko) * 2003-06-12 2010-07-08 삼성전자주식회사 플라즈마 챔버
US7625460B2 (en) * 2003-08-01 2009-12-01 Micron Technology, Inc. Multifrequency plasma reactor
US7431857B2 (en) * 2003-08-15 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Plasma generation and control using a dual frequency RF source
US20050106873A1 (en) * 2003-08-15 2005-05-19 Hoffman Daniel J. Plasma chamber having multiple RF source frequencies
US7510665B2 (en) * 2003-08-15 2009-03-31 Applied Materials, Inc. Plasma generation and control using dual frequency RF signals
US20050112891A1 (en) * 2003-10-21 2005-05-26 David Johnson Notch-free etching of high aspect SOI structures using a time division multiplex process and RF bias modulation
US7838430B2 (en) * 2003-10-28 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing
CN100550273C (zh) * 2003-12-18 2009-10-14 应用材料公司 双频rf匹配
JP4931799B2 (ja) * 2004-03-22 2012-05-16 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 基板の特徴を測定する、または分析のために基板を準備する方法およびシステム
US20060027329A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-09 Sinha Ashok K Multi-frequency plasma enhanced process chamber having a torroidal plasma source
US7148073B1 (en) 2005-03-15 2006-12-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for preparing a copper containing substrate for analysis
US7394067B1 (en) 2005-07-20 2008-07-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for reducing alteration of a specimen during analysis for charged particle based and other measurement systems
US7829471B2 (en) * 2005-07-29 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask
US20070031609A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Ajay Kumar Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same
US7375038B2 (en) * 2005-09-28 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication
US7695633B2 (en) * 2005-10-18 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor
US20070246443A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma process for controlling plasma ion dissociation
US20070246162A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with an inductive plasma source and a VHF capacitively coupled plasma source with variable frequency
US7727413B2 (en) * 2006-04-24 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density
US20070246163A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with independent capacitive and inductive plasma sources
US7645357B2 (en) * 2006-04-24 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency
US20070245960A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion density
US20070245961A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling plasma ion dissociation
US7264688B1 (en) 2006-04-24 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with independent capacitive and toroidal plasma sources
US20070245958A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling ion radial distribution
US7780864B2 (en) * 2006-04-24 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution
US20070246161A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with a toroidal plasma source and a VHF capacitively coupled plasma source with variable frequency
US8101444B2 (en) * 2007-08-17 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5514413B2 (ja) 2007-08-17 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
US7736914B2 (en) * 2007-11-29 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing and controlling the level of polymer formation
JP5224837B2 (ja) 2008-02-01 2013-07-03 株式会社東芝 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5390846B2 (ja) * 2008-12-09 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法
CN101989525A (zh) * 2009-08-05 2011-03-23 中微半导体设备(上海)有限公司 具备可切换偏置频率的等离子体处理腔及可切换匹配网络
JP5534366B2 (ja) * 2012-06-18 2014-06-25 株式会社京三製作所 高周波電力供給装置、及びイグニッション電圧選定方法
US9478408B2 (en) 2014-06-06 2016-10-25 Lam Research Corporation Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging
US10081869B2 (en) 2014-06-10 2018-09-25 Lam Research Corporation Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates
US10047438B2 (en) 2014-06-10 2018-08-14 Lam Research Corporation Defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas
US10332810B2 (en) 2016-10-24 2019-06-25 Kla-Tencor Corp. Process modules integrated into a metrology and/or inspection tool
US10395896B2 (en) 2017-03-03 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for ion energy distribution manipulation for plasma processing chambers that allows ion energy boosting through amplitude modulation
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
CN118315254A (zh) 2019-01-22 2024-07-09 应用材料公司 用于控制脉冲电压波形的反馈回路
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
CN111524780B (zh) * 2019-02-02 2024-07-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于超深宽比刻蚀的等离子反应器及其刻蚀方法
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US12148595B2 (en) 2021-06-09 2024-11-19 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber
US20220399186A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to reduce feature charging in plasma processing chamber
US12525441B2 (en) 2021-06-09 2026-01-13 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
JP7645732B2 (ja) * 2021-07-16 2025-03-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び処理方法
KR20230023571A (ko) * 2021-08-10 2023-02-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US12106938B2 (en) 2021-09-14 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US12315732B2 (en) 2022-06-10 2025-05-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber
US12586768B2 (en) 2022-08-10 2026-03-24 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage compensation for plasma processing applications
US12272524B2 (en) 2022-09-19 2025-04-08 Applied Materials, Inc. Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics
US12111341B2 (en) 2022-10-05 2024-10-08 Applied Materials, Inc. In-situ electric field detection method and apparatus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930130B2 (ja) * 1979-09-20 1984-07-25 富士通株式会社 気相成長方法
US4579618A (en) * 1984-01-06 1986-04-01 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
US4617079A (en) * 1985-04-12 1986-10-14 The Perkin Elmer Corporation Plasma etching system
US5888414A (en) * 1991-06-27 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control
DE59209786D1 (de) * 1991-09-20 2000-02-03 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Schutzbeschichtung von Substraten sowie Beschichtungsanlage
US5849372A (en) * 1993-09-17 1998-12-15 Isis Innovation Limited RF plasma reactor and methods of generating RF plasma
US5573597A (en) * 1995-06-07 1996-11-12 Sony Corporation Plasma processing system with reduced particle contamination

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546273B1 (ko) * 1998-04-21 2006-04-21 삼성전자주식회사 듀얼 알.에프 전력을 갖는 반응성 이온 식각장치를 이용한 백금막 식각방법
EP1143497A4 (en) * 1998-11-27 2007-05-02 Tokyo Electron Ltd PLASMA ETCHING DEVICE
US6849154B2 (en) * 1998-11-27 2005-02-01 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus
US6433297B1 (en) 1999-03-19 2002-08-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma processing method and plasma processing apparatus
EP1214459A4 (en) * 1999-08-17 2006-07-26 Tokyo Electron Ltd PULSE PLASMA TREATMENT METHOD AND DEVICE
US7166233B2 (en) 1999-08-17 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Pulsed plasma processing method and apparatus
JP2004511097A (ja) * 2000-10-06 2004-04-08 ラム　リサーチ　コーポレーション プラズマ処理チャンバにおける単周波ｒｆ電力を用いたウェハ処理システム、処理装置、および処理方法
JP2002324698A (ja) * 2001-04-06 2002-11-08 Eni Technologies Inc パルス化インテリジェントｒｆ変調コントローラ
JP2003179030A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 高周波電源及びその制御方法
JP5082242B2 (ja) * 2003-07-16 2012-11-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜形成方法
JP2012015534A (ja) * 2003-08-22 2012-01-19 Lam Res Corp 多重周波数プラズマ・エッチング反応装置及び方法
JP2007503724A (ja) * 2003-08-22 2007-02-22 ラム　リサーチ　コーポレーション 多重周波数プラズマ・エッチング反応装置
JP2007515761A (ja) * 2003-12-18 2007-06-14 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 二重周波数ｒｆ整合
JP2007103102A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Daihen Corp 高周波電源装置
JP2008198601A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Samsung Electronics Co Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2009071133A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Toshiba Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8545670B2 (en) 2007-09-14 2013-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2009231683A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及び給電棒
KR20120009441A (ko) * 2009-04-06 2012-01-31 램 리써치 코포레이션 변조된 멀티-주파수 처리 방법
JP2012523134A (ja) * 2009-04-06 2012-09-27 ラム リサーチ コーポレーション 変調多周波処理方法
US10157729B2 (en) 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
US10325759B2 (en) 2012-02-22 2019-06-18 Lam Research Corporation Multiple control modes
US9460894B2 (en) 2013-06-28 2016-10-04 Lam Research Corporation Controlling ion energy within a plasma chamber

Also Published As

Publication number Publication date
JP3220383B2 (ja) 2001-10-22
KR980012066A (ko) 1998-04-30
US6089181A (en) 2000-07-18
KR100319664B1 (ko) 2002-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3220383B2 (ja) プラズマ処理装置及びその方法
US6849154B2 (en) Plasma etching apparatus
JP4831853B2 (ja) 容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法
JP3210207B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5205378B2 (ja) Ｒｆ変調によって弾道電子ビームの均一性を制御する方法及びシステム
JP2019024090A (ja) Ｄｃバイアス変調による、粒子発生抑制装置
JP2000269196A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JPH04162623A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2008147659A (ja) 弾道電子ビーム促進プラズマ処理システムにおける均一性制御方法及びシステム
WO2000068985A1 (en) Apparatus for plasma processing
JP2004342703A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3172759B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
WO2002052628A1 (en) Plasma processing method and plasma processor
JP2009239014A (ja) 電極構造及び基板処理装置
US20190122863A1 (en) Plasma processing apparatus
CN102184830A (zh) 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
JP3062393B2 (ja) プラズマ処理装置
WO2000031787A1 (en) Dry etching device and dry etching method
TWI886259B (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之控制方法
JP3438003B2 (ja) プラズマ処理装置
WO2019146267A1 (ja) 反応性イオンエッチング装置
JP2007273596A (ja) プラズマ処理用の電極板及びプラズマ処理装置
JP2880920B2 (ja) エッチング装置
KR100733241B1 (ko) 플라즈마 에칭 장치
JP3192352B2 (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010731

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees