JPH1041283A - エッチングの終点検出方法およびエッチングの終点検出装置 - Google Patents
エッチングの終点検出方法およびエッチングの終点検出装置Info
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- JPH1041283A JPH1041283A JP21211096A JP21211096A JPH1041283A JP H1041283 A JPH1041283 A JP H1041283A JP 21211096 A JP21211096 A JP 21211096A JP 21211096 A JP21211096 A JP 21211096A JP H1041283 A JPH1041283 A JP H1041283A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングの終点検出を安定して行うことが
できるエッチングの終点検出方法およびエッチングの終
点検出装置を提供する。 【解決手段】 タングステンシリサイド／多結晶シリコ
ン構造や多結晶シリコン／酸化シリコン構造をドライエ
ッチングする場合に、３３７ｎｍの波長の発光をモニタ
ーし、その発光強度が大きく変化するときをもってタン
グステンシリサイド膜２５や多結晶シリコン膜２４のエ
ッチングの終点とする。４０５ｎｍの波長の発光も同時
にモニターし、３３７ｎｍの波長の発光とこの４０５ｎ
ｍの波長の発光とを併用してエッチングの終点検出を行
ってもよい。
できるエッチングの終点検出方法およびエッチングの終
点検出装置を提供する。 【解決手段】 タングステンシリサイド／多結晶シリコ
ン構造や多結晶シリコン／酸化シリコン構造をドライエ
ッチングする場合に、３３７ｎｍの波長の発光をモニタ
ーし、その発光強度が大きく変化するときをもってタン
グステンシリサイド膜２５や多結晶シリコン膜２４のエ
ッチングの終点とする。４０５ｎｍの波長の発光も同時
にモニターし、３３７ｎｍの波長の発光とこの４０５ｎ
ｍの波長の発光とを併用してエッチングの終点検出を行
ってもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、エッチングの終
点検出方法およびエッチングの終点検出装置に関し、特
に、高融点金属シリサイドや多結晶シリコンなどのエッ
チングに適用して好適なものである。
点検出方法およびエッチングの終点検出装置に関し、特
に、高融点金属シリサイドや多結晶シリコンなどのエッ
チングに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高密度化に伴って配線
は益々微細化の方向に進んでおり、半導体集積回路の製
造プロセスにおける配線加工技術の占める比重は益々大
きくなりつつある。
は益々微細化の方向に進んでおり、半導体集積回路の製
造プロセスにおける配線加工技術の占める比重は益々大
きくなりつつある。
【０００３】この配線の微細化を達成するために、半導
体製造装置においては、様々な工夫が試みられている。
このうち特にドライエッチング装置におけるエッチング
の終点検出については、ゲート電極を形成するためのタ
ングステンシリサイド／多結晶シリコン構造の加工の制
御や下地ゲート酸化膜の膜厚の制御を行う上で重要であ
る。
体製造装置においては、様々な工夫が試みられている。
このうち特にドライエッチング装置におけるエッチング
の終点検出については、ゲート電極を形成するためのタ
ングステンシリサイド／多結晶シリコン構造の加工の制
御や下地ゲート酸化膜の膜厚の制御を行う上で重要であ
る。
【０００４】従来、タングステンシリサイド／多結晶シ
リコン構造のゲート電極を加工するためのドライエッチ
ングの終点検出は次のようにして行っていた。すなわ
ち、上述のゲート電極を加工するためのドライエッチン
グ時には通常、ハロゲン系のエッチングガスが用いられ
る。このエッチング時には、反応室内に、主に配線材料
とエッチングガスとの反応生成物としてＷＣｌX 、ＷＢ
ｒX 、ＳｉＣｌX 、ＳｉＢｒX などの化合物が発生す
る。そして、これらの化合物がプラズマ中で励起される
ことによる発光のうち４０５ｎｍの波長の発光（ＳｉＣ
ｌX のＳｉ−Ｃｌ結合に起因する発光）をモニターし、
その発光強度を電圧値に変換し、その変化によりエッチ
ングの終点検出を行っていた。
リコン構造のゲート電極を加工するためのドライエッチ
ングの終点検出は次のようにして行っていた。すなわ
ち、上述のゲート電極を加工するためのドライエッチン
グ時には通常、ハロゲン系のエッチングガスが用いられ
る。このエッチング時には、反応室内に、主に配線材料
とエッチングガスとの反応生成物としてＷＣｌX 、ＷＢ
ｒX 、ＳｉＣｌX 、ＳｉＢｒX などの化合物が発生す
る。そして、これらの化合物がプラズマ中で励起される
ことによる発光のうち４０５ｎｍの波長の発光（ＳｉＣ
ｌX のＳｉ−Ｃｌ結合に起因する発光）をモニターし、
その発光強度を電圧値に変換し、その変化によりエッチ
ングの終点検出を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のエッチングの終点検出方法は、エッチング時の反
応条件、具体的には、エッチング面積、反応室内の雰囲
気（直前に行われたエッチングの雰囲気による）などに
よりＳｉＣｌX の生成量が変化するため、エッチング時
の反応条件に左右されやすく、終点検出を安定して行う
ことができないという欠点があった。
従来のエッチングの終点検出方法は、エッチング時の反
応条件、具体的には、エッチング面積、反応室内の雰囲
気（直前に行われたエッチングの雰囲気による）などに
よりＳｉＣｌX の生成量が変化するため、エッチング時
の反応条件に左右されやすく、終点検出を安定して行う
ことができないという欠点があった。
【０００６】したがって、この発明の目的は、上記課題
の解決を図り、エッチングの終点検出を安定して行うこ
とができるエッチングの終点検出方法およびエッチング
の終点検出装置を提供することにある。
の解決を図り、エッチングの終点検出を安定して行うこ
とができるエッチングの終点検出方法およびエッチング
の終点検出装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく、タングステンシリサイド／多結晶シリコン
構造や多結晶シリコン／酸化シリコン構造などをハロゲ
ン系のエッチングガスを用いてドライエッチングする際
に観測される種々の波長の発光強度の変化を詳細に検討
した。その結果、現時点では完全には同定されていない
が、タングステンシリサイド膜、多結晶シリコン膜、酸
化シリコン膜などをエッチングする場合に観測されるほ
ぼ３３７ｎｍの波長の発光は、４０５ｎｍなどの他の波
長の発光に比べて各膜間で発光強度に極めて大きな差が
あり、これらの膜の積層構造をエッチングした場合、こ
れらの膜間の界面が露出したときに発光強度が大きく変
化することを見出した。そして、エッチングの終点検出
を安定して行うためには、このほぼ３３７ｎｍの波長の
発光をモニターするのが最も有効であるという結論に至
り、この発明を案出するに至った。
解決すべく、タングステンシリサイド／多結晶シリコン
構造や多結晶シリコン／酸化シリコン構造などをハロゲ
ン系のエッチングガスを用いてドライエッチングする際
に観測される種々の波長の発光強度の変化を詳細に検討
した。その結果、現時点では完全には同定されていない
が、タングステンシリサイド膜、多結晶シリコン膜、酸
化シリコン膜などをエッチングする場合に観測されるほ
ぼ３３７ｎｍの波長の発光は、４０５ｎｍなどの他の波
長の発光に比べて各膜間で発光強度に極めて大きな差が
あり、これらの膜の積層構造をエッチングした場合、こ
れらの膜間の界面が露出したときに発光強度が大きく変
化することを見出した。そして、エッチングの終点検出
を安定して行うためには、このほぼ３３７ｎｍの波長の
発光をモニターするのが最も有効であるという結論に至
り、この発明を案出するに至った。
【０００８】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第１の発明は、エッチング時の発光をモニター
することによりエッチングの終点検出を行うようにした
エッチングの終点検出方法において、ほぼ３３７ｎｍの
波長の発光をモニターすることによりエッチングの終点
検出を行うようにしたことを特徴とするものである。
の発明の第１の発明は、エッチング時の発光をモニター
することによりエッチングの終点検出を行うようにした
エッチングの終点検出方法において、ほぼ３３７ｎｍの
波長の発光をモニターすることによりエッチングの終点
検出を行うようにしたことを特徴とするものである。
【０００９】この発明の第２の発明は、エッチング時の
発光をモニターすることによりエッチングの終点検出を
行うようにしたエッチングの終点検出装置において、ほ
ぼ３３７ｎｍの波長の発光をモニターすることによりエ
ッチングの終点検出を行うようにしたことを特徴とする
ものである。
発光をモニターすることによりエッチングの終点検出を
行うようにしたエッチングの終点検出装置において、ほ
ぼ３３７ｎｍの波長の発光をモニターすることによりエ
ッチングの終点検出を行うようにしたことを特徴とする
ものである。
【００１０】この発明において、被エッチング材料は、
シリコンまたはシリコン化合物である。ここで、シリコ
ンは多結晶、単結晶または非晶質のいずれであってもよ
い。また、シリコン化合物は、タングステンシリサイド
などの高融点金属シリサイドのほか、シリコンゲルマニ
ウム（ＳｉＧｅ）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などであっ
てよい。
シリコンまたはシリコン化合物である。ここで、シリコ
ンは多結晶、単結晶または非晶質のいずれであってもよ
い。また、シリコン化合物は、タングステンシリサイド
などの高融点金属シリサイドのほか、シリコンゲルマニ
ウム（ＳｉＧｅ）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などであっ
てよい。
【００１１】この発明においては、エッチングの終点検
出をより正確に行う観点から、好適には、ほぼ３３７ｎ
ｍの波長の発光に加えて、ほぼ４０５ｎｍの波長の発光
もモニターし、ほぼ３３７ｎｍの波長の発光とこのほぼ
４０５ｎｍの波長の発光とを併用してエッチングの終点
検出を行う。
出をより正確に行う観点から、好適には、ほぼ３３７ｎ
ｍの波長の発光に加えて、ほぼ４０５ｎｍの波長の発光
もモニターし、ほぼ３３７ｎｍの波長の発光とこのほぼ
４０５ｎｍの波長の発光とを併用してエッチングの終点
検出を行う。
【００１２】上述のように構成されたこの発明において
は、ほぼ３３７ｎｍの波長の発光をモニターすることに
よりエッチングの終点検出を行うようにしているので、
エッチングが進んで異なる膜間の界面が露出したときに
発光強度が大きく変化する。そして、この発光強度の大
きな変化は、エッチング時の反応条件などによりほとん
ど左右されない。したがって、この発光強度が大きく変
化したときをもってエッチングの終点とすることによ
り、従来に比べてエッチングの終点検出を安定して行う
ことができる。
は、ほぼ３３７ｎｍの波長の発光をモニターすることに
よりエッチングの終点検出を行うようにしているので、
エッチングが進んで異なる膜間の界面が露出したときに
発光強度が大きく変化する。そして、この発光強度の大
きな変化は、エッチング時の反応条件などによりほとん
ど左右されない。したがって、この発光強度が大きく変
化したときをもってエッチングの終点とすることによ
り、従来に比べてエッチングの終点検出を安定して行う
ことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００１４】まず、この一実施形態において用いられる
ドライエッチング装置について説明する。図１にこのド
ライエッチング装置を示す。
ドライエッチング装置について説明する。図１にこのド
ライエッチング装置を示す。
【００１５】図１に示すように、このドライエッチング
装置においては、反応室１内に、処理すべき半導体基板
２が載せられる下部電極３と、この下部電極３に平行な
上部電極４とが設けられている。上部電極４にはコンデ
ンサー５を介して高周波電源６が接続され、下部電極３
にはコンデンサー７を介して高周波電源８が接続されて
いる。反応室１内は図示省略した真空排気系により排気
されるようになっている。さらに、この反応室１内には
ガスライン９を通してエッチングガスが導入されるよう
になっている。符号１０、１１、１２は流量制御のため
のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を示す。
装置においては、反応室１内に、処理すべき半導体基板
２が載せられる下部電極３と、この下部電極３に平行な
上部電極４とが設けられている。上部電極４にはコンデ
ンサー５を介して高周波電源６が接続され、下部電極３
にはコンデンサー７を介して高周波電源８が接続されて
いる。反応室１内は図示省略した真空排気系により排気
されるようになっている。さらに、この反応室１内には
ガスライン９を通してエッチングガスが導入されるよう
になっている。符号１０、１１、１２は流量制御のため
のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を示す。
【００１６】このドライエッチング装置においては、反
応室１にエッチング終点検出装置１３が取り付けられて
いる。このエッチング終点検出装置１３は、３３７ｎｍ
および４０５ｎｍの波長の発光をともにモニターするこ
とができる光検出器（図示せず）を備えている。
応室１にエッチング終点検出装置１３が取り付けられて
いる。このエッチング終点検出装置１３は、３３７ｎｍ
および４０５ｎｍの波長の発光をともにモニターするこ
とができる光検出器（図示せず）を備えている。
【００１７】次に、この一実施形態によるエッチング方
法について説明する。ここでは、一例として、ＭＯＳＬ
ＳＩの製造においてＭＯＳＦＥＴのゲート電極を形成す
るためのエッチング方法について説明する。
法について説明する。ここでは、一例として、ＭＯＳＬ
ＳＩの製造においてＭＯＳＦＥＴのゲート電極を形成す
るためのエッチング方法について説明する。
【００１８】すなわち、この一実施形態においては、ま
ず、図２Ａに示すように、シリコン基板２１の表面を選
択的に酸化することによりフィールド酸化シリコン膜２
２を形成して素子間分離を行った後、このフィールド酸
化シリコン膜２２で囲まれた活性領域の表面を酸化する
ことによりゲート酸化シリコン膜２３を形成する。次
に、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition,
ＣＶＤ）法により全面に例えば多結晶シリコン膜２４を
形成した後、この多結晶シリコン膜２４にイオン注入法
または熱拡散法により不純物をドープして低抵抗化す
る。次に、この多結晶シリコン膜２４上にスパッタリン
グ法などにより例えばタングステンシリサイド膜２５を
形成する。その後、ゲート電極を形成するためのレジス
トパターン２６をリソグラフィーによりタングステンシ
リサイド膜２５上に形成する。
ず、図２Ａに示すように、シリコン基板２１の表面を選
択的に酸化することによりフィールド酸化シリコン膜２
２を形成して素子間分離を行った後、このフィールド酸
化シリコン膜２２で囲まれた活性領域の表面を酸化する
ことによりゲート酸化シリコン膜２３を形成する。次
に、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition,
ＣＶＤ）法により全面に例えば多結晶シリコン膜２４を
形成した後、この多結晶シリコン膜２４にイオン注入法
または熱拡散法により不純物をドープして低抵抗化す
る。次に、この多結晶シリコン膜２４上にスパッタリン
グ法などにより例えばタングステンシリサイド膜２５を
形成する。その後、ゲート電極を形成するためのレジス
トパターン２６をリソグラフィーによりタングステンシ
リサイド膜２５上に形成する。
【００１９】次に、シリコン基板２１を図１に示すドラ
イエッチング装置の反応室１内の下部電極３上に載せた
後、ガスライン９より、反応室１内に例えば塩素（Ｃｌ
2 ）からなるエッチングガスを例えば６０ｓｃｃｍの流
量で供給する。同時に、反応室１内を例えば３ｍＴｏｒ
ｒの圧力に保持する。そして、上部電極４と下部電極３
との間に例えば１０Ｗの高周波電力を印加して放電を起
こさせることによりエッチングガスを励起してプラズマ
を発生させ、タングステンシリサイド膜２５のエッチン
グを行う。これによって、図２Ｂに示すように、タング
ステンシリサイド膜２５がレジストパターン２６と同一
形状にエッチングされる。
イエッチング装置の反応室１内の下部電極３上に載せた
後、ガスライン９より、反応室１内に例えば塩素（Ｃｌ
2 ）からなるエッチングガスを例えば６０ｓｃｃｍの流
量で供給する。同時に、反応室１内を例えば３ｍＴｏｒ
ｒの圧力に保持する。そして、上部電極４と下部電極３
との間に例えば１０Ｗの高周波電力を印加して放電を起
こさせることによりエッチングガスを励起してプラズマ
を発生させ、タングステンシリサイド膜２５のエッチン
グを行う。これによって、図２Ｂに示すように、タング
ステンシリサイド膜２５がレジストパターン２６と同一
形状にエッチングされる。
【００２０】このときのタングステンシリサイド膜２５
のエッチングの終点検出は、このエッチング開始と同時
に３３７ｎｍおよび４０５ｎｍの波長の発光をモニター
し、それらの発光強度の変化を検出することにより行
う。
のエッチングの終点検出は、このエッチング開始と同時
に３３７ｎｍおよび４０５ｎｍの波長の発光をモニター
し、それらの発光強度の変化を検出することにより行
う。
【００２１】すなわち、図３は、上述のエッチングの進
行に伴う波長３３７ｎｍおよび４０５ｎｍの発光の強度
変化を示す。図３の横軸は秒を単位とするエッチング時
間、縦軸は発光強度を表す電圧値を示す。また、図３に
おいては、参考のため、４００ｎｍ、４１０ｎｍ、４３
０ｎｍ、４５０ｎｍの波長の発光強度の測定結果も併せ
て載せてある。図４は、図３の各波長の発光強度のグラ
フのベースラインを一定にして（規格化して）発光強度
の変化を見やすくしたグラフである。
行に伴う波長３３７ｎｍおよび４０５ｎｍの発光の強度
変化を示す。図３の横軸は秒を単位とするエッチング時
間、縦軸は発光強度を表す電圧値を示す。また、図３に
おいては、参考のため、４００ｎｍ、４１０ｎｍ、４３
０ｎｍ、４５０ｎｍの波長の発光強度の測定結果も併せ
て載せてある。図４は、図３の各波長の発光強度のグラ
フのベースラインを一定にして（規格化して）発光強度
の変化を見やすくしたグラフである。
【００２２】図３および図４に示すように、３３７ｎｍ
の波長の発光強度は、エッチング時間が約６０秒を過ぎ
た付近から急速に増加し始め、ほぼ９０秒付近でピーク
に達している。これは、タングステンシリサイド膜２５
がエッチングされてその下地の多結晶シリコン膜２４が
露出したためである。図３および図４からわかるよう
に、この３３７ｎｍの波長の発光強度の９０秒付近の変
化は、他のどの波長の発光強度に比べても、著しく大き
い。したがって、この３３７ｎｍの波長の発光強度をモ
ニターし、その発光強度が大きく変化したときをもって
エッチングの終点とすることにより、タングステンシリ
サイド膜２４のエッチングの終点検出を安定して正確に
行うことができる。
の波長の発光強度は、エッチング時間が約６０秒を過ぎ
た付近から急速に増加し始め、ほぼ９０秒付近でピーク
に達している。これは、タングステンシリサイド膜２５
がエッチングされてその下地の多結晶シリコン膜２４が
露出したためである。図３および図４からわかるよう
に、この３３７ｎｍの波長の発光強度の９０秒付近の変
化は、他のどの波長の発光強度に比べても、著しく大き
い。したがって、この３３７ｎｍの波長の発光強度をモ
ニターし、その発光強度が大きく変化したときをもって
エッチングの終点とすることにより、タングステンシリ
サイド膜２４のエッチングの終点検出を安定して正確に
行うことができる。
【００２３】なお、厳密には、上述の３３７ｎｍの波長
の発光強度の変化曲線のどの点をもってエッチングの終
点とするかについては、ある程度の任意性があるが、こ
れは一般には使用するプロセスに応じて任意に決めるこ
とができるものである。
の発光強度の変化曲線のどの点をもってエッチングの終
点とするかについては、ある程度の任意性があるが、こ
れは一般には使用するプロセスに応じて任意に決めるこ
とができるものである。
【００２４】一方、エッチングの終点検出に従来用いら
れている４０５ｎｍの波長の発光強度は、エッチング時
間が約６０秒を過ぎた付近から減少し始めている。３３
７ｎｍの波長の発光強度の変化は上昇波形であるのに対
して、この４０５ｎｍの波長の発光強度の変化は下降波
形であるので、これらの二つの波長の発光強度の変化を
比較することにより、タングステンシリサイド膜２５の
エッチングの終点検出をより正確に行うことができる。
れている４０５ｎｍの波長の発光強度は、エッチング時
間が約６０秒を過ぎた付近から減少し始めている。３３
７ｎｍの波長の発光強度の変化は上昇波形であるのに対
して、この４０５ｎｍの波長の発光強度の変化は下降波
形であるので、これらの二つの波長の発光強度の変化を
比較することにより、タングステンシリサイド膜２５の
エッチングの終点検出をより正確に行うことができる。
【００２５】以上のようにしてタングステンシリサイド
膜２５のエッチングを行った後、引き続いて多結晶シリ
コン膜２４のエッチングを行うが、このとき、この多結
晶シリコン膜２４のエッチングによる加工形状を良好と
するために、エッチングガスをＣｌ2 から例えばＣｌ2
＋ＨＢｒに切り換える。そして、このエッチングガスを
用いて、図２Ｃに示すように多結晶シリコン膜２４のエ
ッチングを行う。
膜２５のエッチングを行った後、引き続いて多結晶シリ
コン膜２４のエッチングを行うが、このとき、この多結
晶シリコン膜２４のエッチングによる加工形状を良好と
するために、エッチングガスをＣｌ2 から例えばＣｌ2
＋ＨＢｒに切り換える。そして、このエッチングガスを
用いて、図２Ｃに示すように多結晶シリコン膜２４のエ
ッチングを行う。
【００２６】この多結晶シリコン膜２４のエッチングの
終点検出は、タングステンシリサイド膜２５のエッチン
グの終点検出と同様に、３３７ｎｍの波長の発光強度の
変化を用いるか、あるいは、これにさらに４０５ｎｍの
波長の発光強度の変化を併用して行う。
終点検出は、タングステンシリサイド膜２５のエッチン
グの終点検出と同様に、３３７ｎｍの波長の発光強度の
変化を用いるか、あるいは、これにさらに４０５ｎｍの
波長の発光強度の変化を併用して行う。
【００２７】以上のように、この一実施形態によれば、
タングステンシリサイド膜２５、多結晶シリコン膜２
４、ゲート酸化シリコン膜２３の間で発光強度に大きな
差があり、これらの膜間の界面が露出したときに発光強
度が大きく変化する３３７ｎｍの波長の発光をモニター
し、この発光強度が大きく変化したときをもってタング
ステンシリサイド膜２５や多結晶シリコン膜２４のエッ
チングの終点検出を行っているので、４０５ｎｍの波長
の発光を用いる従来のエッチングの終点検出方法に比べ
てエッチングの終点検出を安定して正確に行うことがで
きる。さらに、この３３７ｎｍの波長の発光に加えて、
４０５ｎｍの波長の発光をもモニターし、それらを比較
することによりエッチングの終点検出を行うことによ
り、エッチングの終点検出をより正確に行うことができ
る。
タングステンシリサイド膜２５、多結晶シリコン膜２
４、ゲート酸化シリコン膜２３の間で発光強度に大きな
差があり、これらの膜間の界面が露出したときに発光強
度が大きく変化する３３７ｎｍの波長の発光をモニター
し、この発光強度が大きく変化したときをもってタング
ステンシリサイド膜２５や多結晶シリコン膜２４のエッ
チングの終点検出を行っているので、４０５ｎｍの波長
の発光を用いる従来のエッチングの終点検出方法に比べ
てエッチングの終点検出を安定して正確に行うことがで
きる。さらに、この３３７ｎｍの波長の発光に加えて、
４０５ｎｍの波長の発光をもモニターし、それらを比較
することによりエッチングの終点検出を行うことによ
り、エッチングの終点検出をより正確に行うことができ
る。
【００２８】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
【００２９】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値やエッチングガスなどはあくまでも例に過ぎず、必
要に応じてこれらと異なる数値やエッチングガスなどを
用いてもよい。具体的には、タングステンシリサイド膜
２５のエッチングガスとしては、Ｃｌ2 の代わりに、Ｃ
ｌ2 ＋ＨＢｒ、Ｃｌ2 ＋ＨＢｒ＋Ｏ2 などを用いてよ
い。また、多結晶シリコン膜２４のエッチングガスとし
ては、Ｃｌ2 ＋ＨＢｒ＋Ｏ2 や、これにさらにフッ素系
ガス（ＣＦ4 、ＳＦ6 など）を加えたものを用いてもよ
い。
数値やエッチングガスなどはあくまでも例に過ぎず、必
要に応じてこれらと異なる数値やエッチングガスなどを
用いてもよい。具体的には、タングステンシリサイド膜
２５のエッチングガスとしては、Ｃｌ2 の代わりに、Ｃ
ｌ2 ＋ＨＢｒ、Ｃｌ2 ＋ＨＢｒ＋Ｏ2 などを用いてよ
い。また、多結晶シリコン膜２４のエッチングガスとし
ては、Ｃｌ2 ＋ＨＢｒ＋Ｏ2 や、これにさらにフッ素系
ガス（ＣＦ4 、ＳＦ6 など）を加えたものを用いてもよ
い。
【００３０】また、上述の一実施形態においては、図１
に示すドライエッチング装置を用いているが、このドラ
イエッチング装置は一例に過ぎず、反応室の構成、ガス
供給方法、高周波電源の数や種類、真空排気方法などが
異なる他のドライエッチング装置を用いてもよい。
に示すドライエッチング装置を用いているが、このドラ
イエッチング装置は一例に過ぎず、反応室の構成、ガス
供給方法、高周波電源の数や種類、真空排気方法などが
異なる他のドライエッチング装置を用いてもよい。
【００３１】さらに、上述の一実施形態においては、こ
の発明をＭＯＳＦＥＴのゲート電極を形成するためのエ
ッチングに適用した場合について説明したが、この発明
は、各種の半導体装置の製造においてシリコンまたはシ
リコン化合物からなるパターンを形成するためのエッチ
ングに適用することが可能である。
の発明をＭＯＳＦＥＴのゲート電極を形成するためのエ
ッチングに適用した場合について説明したが、この発明
は、各種の半導体装置の製造においてシリコンまたはシ
リコン化合物からなるパターンを形成するためのエッチ
ングに適用することが可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ほぼ３３７ｎｍの波長の発光をモニターすることに
よりエッチングの終点検出を行うようにしていることに
より、エッチングの終点検出を安定して行うことができ
る。
ば、ほぼ３３７ｎｍの波長の発光をモニターすることに
よりエッチングの終点検出を行うようにしていることに
より、エッチングの終点検出を安定して行うことができ
る。
【図１】この発明の一実施形態において用いられるドラ
イエッチング装置を示す略線図である。
イエッチング装置を示す略線図である。
【図２】この発明の一実施形態によるエッチング方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図３】この発明の一実施形態によるエッチング方法に
おけるエッチングの終点検出を説明するための発光強度
のエッチング時間による変化を表すグラフである。
おけるエッチングの終点検出を説明するための発光強度
のエッチング時間による変化を表すグラフである。
【図４】図３に示すグラフにおけるベースラインを一定
にしたグラフである。
にしたグラフである。
１・・・反応室、１３・・・エッチング終点検出装置、
２１・・・シリコン基板、２４・・・多結晶シリコン
膜、２５・・・タングステンシリサイド膜、２６・・・
レジストパターン
２１・・・シリコン基板、２４・・・多結晶シリコン
膜、２５・・・タングステンシリサイド膜、２６・・・
レジストパターン
Claims (5)
- 【請求項１】 エッチング時の発光をモニターすること
によりエッチングの終点検出を行うようにしたエッチン
グの終点検出方法において、 ほぼ３３７ｎｍの波長の発光をモニターすることにより
エッチングの終点検出を行うようにしたことを特徴とす
るエッチングの終点検出方法。 - 【請求項２】 被エッチング材料はシリコンまたはシリ
コン化合物であることを特徴とする請求項１記載のエッ
チングの終点検出方法。 - 【請求項３】 ほぼ４０５ｎｍの波長の発光もモニター
し、上記ほぼ３３７ｎｍの波長の発光と上記ほぼ４０５
ｎｍの波長の発光とを併用してエッチングの終点検出を
行うようにしたことを特徴とする請求項１記載のエッチ
ングの終点検出方法。 - 【請求項４】 エッチング時の発光をモニターすること
によりエッチングの終点検出を行うようにしたエッチン
グの終点検出装置において、 ほぼ３３７ｎｍの波長の発光をモニターすることにより
エッチングの終点検出を行うようにしたことを特徴とす
るエッチングの終点検出装置。 - 【請求項５】 ほぼ４０５ｎｍの波長の発光もモニター
し、上記ほぼ３３７ｎｍの波長の発光と上記ほぼ４０５
ｎｍの波長の発光とを併用してエッチングの終点検出を
行うようにしたことを特徴とする請求項４記載のエッチ
ングの終点検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21211096A JPH1041283A (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | エッチングの終点検出方法およびエッチングの終点検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21211096A JPH1041283A (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | エッチングの終点検出方法およびエッチングの終点検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041283A true JPH1041283A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16617050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21211096A Pending JPH1041283A (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | エッチングの終点検出方法およびエッチングの終点検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007015938A3 (en) * | 2005-07-29 | 2007-03-29 | Advanced Micro Devices Inc | Method for patterning an underbump metallizattion layer using a dry etc process |
| JP2020120072A (ja) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
1996
- 1996-07-23 JP JP21211096A patent/JPH1041283A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007015938A3 (en) * | 2005-07-29 | 2007-03-29 | Advanced Micro Devices Inc | Method for patterning an underbump metallizattion layer using a dry etc process |
| US7585759B2 (en) | 2005-07-29 | 2009-09-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Technique for efficiently patterning an underbump metallization layer using a dry etch process |
| JP2020120072A (ja) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |