JPH104238A - 半導体レーザ、光ピックアップ装置ならびに光記録および／または再生装置 - Google Patents
半導体レーザ、光ピックアップ装置ならびに光記録および／または再生装置Info
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- JPH104238A JPH104238A JP8175560A JP17556096A JPH104238A JP H104238 A JPH104238 A JP H104238A JP 8175560 A JP8175560 A JP 8175560A JP 17556096 A JP17556096 A JP 17556096A JP H104238 A JPH104238 A JP H104238A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザの構造パラメータの変動に対す
るデバイス特性の変化を最小限に抑え、レーザ光の水平
方向における放射角を精密に制御する。 【解決手段】 ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４
の最上層部、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５およ
びｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６のストライプ
部の両側にｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７を設
け、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７およびｐ型
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６上に、ｐ型Ａｌ0.5
Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ
クラッド層９およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０を順
次積層する。ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，
６，８およびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７に
対して、屈折率の高いｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波
層５および屈折率の低いｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラ
ッド層９により、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向
と垂直な方向に、二つの等価複素屈折率段差を設ける。
るデバイス特性の変化を最小限に抑え、レーザ光の水平
方向における放射角を精密に制御する。 【解決手段】 ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４
の最上層部、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５およ
びｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６のストライプ
部の両側にｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７を設
け、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７およびｐ型
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６上に、ｐ型Ａｌ0.5
Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ
クラッド層９およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０を順
次積層する。ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，
６，８およびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７に
対して、屈折率の高いｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波
層５および屈折率の低いｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラ
ッド層９により、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向
と垂直な方向に、二つの等価複素屈折率段差を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザ並
びにこの半導体レーザを光源に用いた光ピックアップ装
置ならびに光記録および／または再生装置に関する。
びにこの半導体レーザを光源に用いた光ピックアップ装
置ならびに光記録および／または再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の実屈折率導波型の半導体
レーザを示す。ここで、図９Ａは、この従来の実屈折率
導波型の半導体レーザの構造を示す略線図、図９Ｂは、
図９Ａに対応した屈折率分布を示す略線図である。図９
Ａに示すように、この従来の実屈折率導波型の半導体レ
ーザにおいては、半導体基板（図示せず）上にｎ型クラ
ッド層１０１、活性層１０２およびｐ型クラッド層１０
３を有している。ｐ型クラッド層１０３の上層部は、一
方向に延びる所定幅のストライプ形状を有している。こ
のストライプ部１０３ａの延在する方向は、この実屈折
率導波型半導体レーザの共振器長方向に対応する。この
ストライプ部１０３ａの両側の部分には、ｐ型クラッド
層１０３に比べて屈折率の低い低屈折率領域１０４が設
けられている。
レーザを示す。ここで、図９Ａは、この従来の実屈折率
導波型の半導体レーザの構造を示す略線図、図９Ｂは、
図９Ａに対応した屈折率分布を示す略線図である。図９
Ａに示すように、この従来の実屈折率導波型の半導体レ
ーザにおいては、半導体基板（図示せず）上にｎ型クラ
ッド層１０１、活性層１０２およびｐ型クラッド層１０
３を有している。ｐ型クラッド層１０３の上層部は、一
方向に延びる所定幅のストライプ形状を有している。こ
のストライプ部１０３ａの延在する方向は、この実屈折
率導波型半導体レーザの共振器長方向に対応する。この
ストライプ部１０３ａの両側の部分には、ｐ型クラッド
層１０３に比べて屈折率の低い低屈折率領域１０４が設
けられている。
【０００３】図９Ｂに、この従来の実屈折率導波型の半
導体レーザの等価屈折率分布を示す。図９Ｂに示すよう
に、この従来の実屈折率導波型の半導体レーザは、スト
ライプ部１０３ａに対応する部分における屈折率が高
く、その両側の低屈折率領域１０４に対応する部分にお
ける屈折率が低い、ステップ状の屈折率分布を有してい
る。すなわち、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と
垂直な方向に一つの等価屈折率段差を有している。これ
によりレーザ発振の横基本モードの安定化が図られてい
る。
導体レーザの等価屈折率分布を示す。図９Ｂに示すよう
に、この従来の実屈折率導波型の半導体レーザは、スト
ライプ部１０３ａに対応する部分における屈折率が高
く、その両側の低屈折率領域１０４に対応する部分にお
ける屈折率が低い、ステップ状の屈折率分布を有してい
る。すなわち、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と
垂直な方向に一つの等価屈折率段差を有している。これ
によりレーザ発振の横基本モードの安定化が図られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の実屈折率
導波型の半導体レーザにおいては、ｐ型クラッド層１０
３の上層部に設けられたストライプ部１０３ａは、ｐ型
クラッド層１０３を全面に成長させた後、このｐ型クラ
ッド層１０３をウエットエッチング法によりエッチング
することにより形成されたものである。しかしながら、
上述の従来の実屈折率導波型の半導体レーザでは、この
エッチング時のエッチング速度の制御性が悪いため、形
成されたストライプ部１０３の幅（ストライプ幅）にば
らつきが生じるという問題があった。具体的には、この
ストライプ幅は±０．３μｍ以上ばらつく。このため、
このストライプ幅により定まるレーザ光の水平方向の放
射角θ//が±２°以上ばらつくという問題があった。
導波型の半導体レーザにおいては、ｐ型クラッド層１０
３の上層部に設けられたストライプ部１０３ａは、ｐ型
クラッド層１０３を全面に成長させた後、このｐ型クラ
ッド層１０３をウエットエッチング法によりエッチング
することにより形成されたものである。しかしながら、
上述の従来の実屈折率導波型の半導体レーザでは、この
エッチング時のエッチング速度の制御性が悪いため、形
成されたストライプ部１０３の幅（ストライプ幅）にば
らつきが生じるという問題があった。具体的には、この
ストライプ幅は±０．３μｍ以上ばらつく。このため、
このストライプ幅により定まるレーザ光の水平方向の放
射角θ//が±２°以上ばらつくという問題があった。
【０００５】また、上述の従来の実屈折率導波型の半導
体レーザを、光ピックアップ装置や光記録および／また
は再生装置の光源として用いる場合には、次のような問
題を引き起こしていた。すなわち、レーザ光の水平方向
の放射角θ//が下限を越えた場合には、レンズの周辺光
量が低下し、これにより光ディスクの表面での光スポッ
トが広がるという問題があった。一方、レーザ光の水平
方向の放射角θ//が上限を越えた場合には、例えば、光
ディスクへの記録時に半導体レーザにおいて、さらなる
出射パワーを必要とし、信頼性を損ねるという問題があ
った。
体レーザを、光ピックアップ装置や光記録および／また
は再生装置の光源として用いる場合には、次のような問
題を引き起こしていた。すなわち、レーザ光の水平方向
の放射角θ//が下限を越えた場合には、レンズの周辺光
量が低下し、これにより光ディスクの表面での光スポッ
トが広がるという問題があった。一方、レーザ光の水平
方向の放射角θ//が上限を越えた場合には、例えば、光
ディスクへの記録時に半導体レーザにおいて、さらなる
出射パワーを必要とし、信頼性を損ねるという問題があ
った。
【０００６】したがって、この発明の目的は、半導体レ
ーザの構造パラメータの変動に対するデバイス特性の変
化を最小限に抑えることにより、レーザ光の水平方向に
おける放射角を精密に制御することができる半導体レー
ザ並びにこのような半導体レーザを光源として用いた光
ピックアップ装置ならびに光記録および／または再生装
置を提供することにある。
ーザの構造パラメータの変動に対するデバイス特性の変
化を最小限に抑えることにより、レーザ光の水平方向に
おける放射角を精密に制御することができる半導体レー
ザ並びにこのような半導体レーザを光源として用いた光
ピックアップ装置ならびに光記録および／または再生装
置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明による半導体レーザは、ｐｎ
接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向に、少な
くとも二つ以上の等価複素屈折率段差を有し、等価複素
屈折率段差のうち、発光中心から見て最も近い等価複素
屈折率段差および次に近い等価複素屈折率段差は、少な
くとも光が等価複素屈折率段差を感じることができる距
離以上互いに離れていることを特徴とするものである。
に、この発明の第１の発明による半導体レーザは、ｐｎ
接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向に、少な
くとも二つ以上の等価複素屈折率段差を有し、等価複素
屈折率段差のうち、発光中心から見て最も近い等価複素
屈折率段差および次に近い等価複素屈折率段差は、少な
くとも光が等価複素屈折率段差を感じることができる距
離以上互いに離れていることを特徴とするものである。
【０００８】この発明の第２の発明は、光源に半導体レ
ーザを用いた光ピックアップ装置において、半導体レー
ザは、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方
向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折率段差を有
し、等価複素屈折率段差のうち、発光中心から見て最も
近い等価複素屈折率段差および次に近い等価複素屈折率
段差は、少なくとも光が等価複素屈折率段差を感じるこ
とができる距離以上互いに離れていることを特徴とする
ものである。
ーザを用いた光ピックアップ装置において、半導体レー
ザは、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方
向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折率段差を有
し、等価複素屈折率段差のうち、発光中心から見て最も
近い等価複素屈折率段差および次に近い等価複素屈折率
段差は、少なくとも光が等価複素屈折率段差を感じるこ
とができる距離以上互いに離れていることを特徴とする
ものである。
【０００９】この発明の第３の発明は、光源に半導体レ
ーザを用いた光記録および／または再生装置において、
半導体レーザは、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向
と垂直な方向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折率
段差を有し、等価複素屈折率段差のうち、発光中心から
見て最も近い等価複素屈折率段差および次に近い等価複
素屈折率段差は、少なくとも光が等価複素屈折率段差を
感じることができる距離以上互いに離れていることを特
徴とするものである。ここで、光記録および／または再
生装置には、記録および再生が可能なもの、再生のみ可
能なものおよび記録のみ可能なものが含まれる。
ーザを用いた光記録および／または再生装置において、
半導体レーザは、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向
と垂直な方向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折率
段差を有し、等価複素屈折率段差のうち、発光中心から
見て最も近い等価複素屈折率段差および次に近い等価複
素屈折率段差は、少なくとも光が等価複素屈折率段差を
感じることができる距離以上互いに離れていることを特
徴とするものである。ここで、光記録および／または再
生装置には、記録および再生が可能なもの、再生のみ可
能なものおよび記録のみ可能なものが含まれる。
【００１０】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、半導体レーザのｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方
向と垂直な方向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折
率段差を有するため、一つの等価屈折率段差を有する従
来の実屈折率導波型の半導体レーザに比べて、レーザ光
の水平方向の放射角の制御性が良好である。
ば、半導体レーザのｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方
向と垂直な方向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折
率段差を有するため、一つの等価屈折率段差を有する従
来の実屈折率導波型の半導体レーザに比べて、レーザ光
の水平方向の放射角の制御性が良好である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の図１
〜図６において、同一または対応する部分には同一の符
号を付す。図１は、この発明の第１の実施形態によるリ
ッジ埋め込み型の半導体レーザを示す。ここでは、Ａｌ
ＧａＡｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザを例に説
明する。図１に示すように、この半導体レーザにおいて
は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａ
ｓクラッド層２、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３、ｐ型
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ光導波層５およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓク
ラッド層６が順次積層されている。ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４の最上層部、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ光導波層５およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓク
ラッド層６は、一方向に延びる所定幅のストライプ形状
を有している。このストライプ部の延在する方向は、こ
の半導体レーザの共振器長方向に対応している。リッジ
ストライプ部の両側の部分には、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓ電流狭窄層７が設けられ、これによって電流狭窄構
造が形成されている。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の図１
〜図６において、同一または対応する部分には同一の符
号を付す。図１は、この発明の第１の実施形態によるリ
ッジ埋め込み型の半導体レーザを示す。ここでは、Ａｌ
ＧａＡｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザを例に説
明する。図１に示すように、この半導体レーザにおいて
は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａ
ｓクラッド層２、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３、ｐ型
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ光導波層５およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓク
ラッド層６が順次積層されている。ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４の最上層部、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ光導波層５およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓク
ラッド層６は、一方向に延びる所定幅のストライプ形状
を有している。このストライプ部の延在する方向は、こ
の半導体レーザの共振器長方向に対応している。リッジ
ストライプ部の両側の部分には、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓ電流狭窄層７が設けられ、これによって電流狭窄構
造が形成されている。
【００１２】ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６お
よびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７上には、ｐ
型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８が積層されてい
る。このｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８上に
は、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラッド層９およびｐ型
ＧａＡｓコンタクト層１０が順次積層されている。ここ
で、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラッド層９は、その上
面がほぼ平坦となるように設けられている。ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層１０上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電
極のようなｐ側電極１１が設けられている。一方、ｎ型
ＧａＡｓ基板１の裏面には、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａ
ｕ電極のようなｎ側電極１２が設けられている。
よびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７上には、ｐ
型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８が積層されてい
る。このｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８上に
は、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラッド層９およびｐ型
ＧａＡｓコンタクト層１０が順次積層されている。ここ
で、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラッド層９は、その上
面がほぼ平坦となるように設けられている。ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層１０上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電
極のようなｐ側電極１１が設けられている。一方、ｎ型
ＧａＡｓ基板１の裏面には、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａ
ｕ電極のようなｎ側電極１２が設けられている。
【００１３】この半導体レーザにおいては、ｐ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，６，８およびｎ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７は、互いにほぼ等しい屈
折率を有している。また、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光
導波層７は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，
６，８およびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７の
屈折率よりも高い屈折率を有し、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4
Ａｓクラッド層９は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッ
ド層４，６，８およびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭
窄層７の屈折率よりも低い屈折率を有している。
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，６，８およびｎ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７は、互いにほぼ等しい屈
折率を有している。また、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光
導波層７は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，
６，８およびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７の
屈折率よりも高い屈折率を有し、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4
Ａｓクラッド層９は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッ
ド層４，６，８およびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭
窄層７の屈折率よりも低い屈折率を有している。
【００１４】ここで、ストライプ部におけるｐ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４の厚さは、例えば約０．
３〜０．５μｍに選ばれる。ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ
光導波層５の厚さは、例えば５０〜１００ｎｍに選ばれ
る。また、ストライプ部の両側の部分におけるｎ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層８の合計の厚さは、例えば０．３〜
０．５μｍに選ばれる。図１中、Ｌ1 はｐ型Ａｌ0.3 Ｇ
ａ0.7 Ａｓ光導波層５の幅を示す。この場合、Ｌ1 はこ
の半導体レーザのストライプ幅にほぼ等しい。また、Ｌ
2 はｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８の表面の段
差の下部８ａ間の幅を示す。この場合、Ｌ1 は例えば
２．５〜３．５μｍに選ばれ、Ｌ2 は例えば２．７〜
４．５μｍに選ばれる。
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４の厚さは、例えば約０．
３〜０．５μｍに選ばれる。ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ
光導波層５の厚さは、例えば５０〜１００ｎｍに選ばれ
る。また、ストライプ部の両側の部分におけるｎ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層８の合計の厚さは、例えば０．３〜
０．５μｍに選ばれる。図１中、Ｌ1 はｐ型Ａｌ0.3 Ｇ
ａ0.7 Ａｓ光導波層５の幅を示す。この場合、Ｌ1 はこ
の半導体レーザのストライプ幅にほぼ等しい。また、Ｌ
2 はｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８の表面の段
差の下部８ａ間の幅を示す。この場合、Ｌ1 は例えば
２．５〜３．５μｍに選ばれ、Ｌ2 は例えば２．７〜
４．５μｍに選ばれる。
【００１５】図１Ｂは、この半導体レーザの等価複素屈
折率分布を示す。ここでは、この半導体レーザのｎ型Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａ
ｓ活性層３およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層
４のｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向
における等価複素屈折率（ｎ）の実部（Ｒｅ（ｎ））の
分布を、図１Ａと対応させて示す。
折率分布を示す。ここでは、この半導体レーザのｎ型Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａ
ｓ活性層３およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層
４のｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向
における等価複素屈折率（ｎ）の実部（Ｒｅ（ｎ））の
分布を、図１Ａと対応させて示す。
【００１６】図１Ｂに示すように、この半導体レーザに
おいては、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直
な方向に、二つの等価複素屈折率段差を有している。こ
こでは、これらの二つの等価複素屈折率段差を、発光中
心から見て近い順に第１の等価複素屈折率段差および第
２の等価複素屈折率段差とする。この場合、これらの第
１の等価複素屈折率段差および第２の等価複素屈折率段
差の間隔は、光が等価複素屈折率段差を感じることがで
きるように、０．１μｍ以上、例えば０．３μｍ離れて
いる。また、この場合、第１の等価複素屈折率段差およ
び第２の等価複素屈折率段差は、等価複素屈折率の実部
のみの変化によるものである。ここで、第１の等価複素
屈折率段差は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５の
両端部に対応している。また、第２の等価複素屈折率段
差は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８の表面の
段差の下部８ａに対応している。
おいては、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直
な方向に、二つの等価複素屈折率段差を有している。こ
こでは、これらの二つの等価複素屈折率段差を、発光中
心から見て近い順に第１の等価複素屈折率段差および第
２の等価複素屈折率段差とする。この場合、これらの第
１の等価複素屈折率段差および第２の等価複素屈折率段
差の間隔は、光が等価複素屈折率段差を感じることがで
きるように、０．１μｍ以上、例えば０．３μｍ離れて
いる。また、この場合、第１の等価複素屈折率段差およ
び第２の等価複素屈折率段差は、等価複素屈折率の実部
のみの変化によるものである。ここで、第１の等価複素
屈折率段差は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５の
両端部に対応している。また、第２の等価複素屈折率段
差は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８の表面の
段差の下部８ａに対応している。
【００１７】上述のように構成されたこの半導体レーザ
を製造するためには、まず、図３に示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド
層２、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓ層４、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５
およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６を、例え
ば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により順次成
長させる。
を製造するためには、まず、図３に示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド
層２、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓ層４、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５
およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６を、例え
ば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により順次成
長させる。
【００１８】次に、図４に示すように、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓクラッド層６の全面に例えば化学気相成長
（ＣＶＤ）法により二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜や窒
化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜を形成した後、これをエッ
チングによりパターニングして所定幅のストライプ形状
のマスク１３を形成する。次に、このマスク１３をエッ
チングマスクとして用いて、ウエットエッチング法によ
りｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４の最上層部ま
でエッチングする。これによって、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４の最上層部、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ光導波層５およびｐ型クラッド層６が、一方向
の延びる所定幅のストライプ形状にパターニングされ
る。次に、エッチングに用いたマスク１３を除去した
後、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４の最上層
部、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５およびｐ型Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６のストライプ部の両側
の部分に、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７を形
成する。次に、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７
およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６上に、例
えばＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラ
ッド層８、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラッド層９およ
びｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０を順次成長させる。
ａ0.5 Ａｓクラッド層６の全面に例えば化学気相成長
（ＣＶＤ）法により二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜や窒
化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜を形成した後、これをエッ
チングによりパターニングして所定幅のストライプ形状
のマスク１３を形成する。次に、このマスク１３をエッ
チングマスクとして用いて、ウエットエッチング法によ
りｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓクラッド層４の最上層部ま
でエッチングする。これによって、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４の最上層部、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ光導波層５およびｐ型クラッド層６が、一方向
の延びる所定幅のストライプ形状にパターニングされ
る。次に、エッチングに用いたマスク１３を除去した
後、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４の最上層
部、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５およびｐ型Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６のストライプ部の両側
の部分に、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７を形
成する。次に、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７
およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層６上に、例
えばＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラ
ッド層８、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラッド層９およ
びｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０を順次成長させる。
【００１９】次に、図１に示すように、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１０の全面にｐ側電極１１を形成するととも
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極１２を形成す
る。以上により、目的とする半導体レーザを製造する。
ンタクト層１０の全面にｐ側電極１１を形成するととも
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極１２を形成す
る。以上により、目的とする半導体レーザを製造する。
【００２０】上述のように構成されたこの半導体レーザ
によれば、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直
な方向に、二つの等価複素屈折率段差を有しているの
で、ストライプ幅のばらつきによるレーザ光の水平方向
の放射角θ//のばらつきを最小限に抑えることができ
る。これにより、レーザ光の水平方向の放射角θ//を精
密に制御することができるとともに、製造歩留まりを著
しく向上させることができる。さらに、レーザ発振の横
基本モードの安定化が図られるため、キンクレベルが高
く高出力時の動作が安定するという効果も得られる。
によれば、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直
な方向に、二つの等価複素屈折率段差を有しているの
で、ストライプ幅のばらつきによるレーザ光の水平方向
の放射角θ//のばらつきを最小限に抑えることができ
る。これにより、レーザ光の水平方向の放射角θ//を精
密に制御することができるとともに、製造歩留まりを著
しく向上させることができる。さらに、レーザ発振の横
基本モードの安定化が図られるため、キンクレベルが高
く高出力時の動作が安定するという効果も得られる。
【００２１】次に、この発明の第２の実施形態について
説明する。図５は、この第２の実施形態による半導体レ
ーザを示す。この半導体レーザにおいては、ｐ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８上に、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ
0.4 Ａｓクラッド層９の代わりにｐ型ＧａＡｓ光導波層
１４が設けられている。このｐ型ＧａＡｓ光導波層１４
は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，６，８お
よびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７の屈折率よ
りも低い屈折率を有し、かつ、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活
性層３からの光の波長に対して吸収係数を有する。その
他のことは、図１に示した第１の実施形態による半導体
レーザと同様であるので説明を省略する。
説明する。図５は、この第２の実施形態による半導体レ
ーザを示す。この半導体レーザにおいては、ｐ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８上に、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ
0.4 Ａｓクラッド層９の代わりにｐ型ＧａＡｓ光導波層
１４が設けられている。このｐ型ＧａＡｓ光導波層１４
は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，６，８お
よびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７の屈折率よ
りも低い屈折率を有し、かつ、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活
性層３からの光の波長に対して吸収係数を有する。その
他のことは、図１に示した第１の実施形態による半導体
レーザと同様であるので説明を省略する。
【００２２】図５Ｂは、上述のように構成された半導体
レーザの等価複素屈折率分布を示す。ここでは、この半
導体レーザのｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４のｐｎ接合と平行、かつ、共振器
長方向と垂直な方向における等価複素屈折率（ｎ）の実
部（Ｒｅ（ｎ））および虚部（Ｉｍ（ｎ））の分布を、
図５Ａと対応させて示す。
レーザの等価複素屈折率分布を示す。ここでは、この半
導体レーザのｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４のｐｎ接合と平行、かつ、共振器
長方向と垂直な方向における等価複素屈折率（ｎ）の実
部（Ｒｅ（ｎ））および虚部（Ｉｍ（ｎ））の分布を、
図５Ａと対応させて示す。
【００２３】図５Ｂに示すように、この半導体レーザに
おいては、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直
な方向に、二つの等価複素屈折率段差を有している。こ
こでは、これらの二つの等価複素屈折率段差を、発光中
心から見て近い順に第１の等価複素屈折率段差および第
２の等価複素屈折率段差とする。この場合、これらの第
１の等価複素屈折率段差および第２の等価複素屈折率段
差の間隔は、光が等価複素屈折率段差を感じることがで
きるように、０．１μｍ以上、例えば０．３μｍに選ば
れる。また、この場合、第１の等価複素屈折率段差は等
価複素屈折率の実部のみの変化によるものであり、第２
の等価複素屈折率段差は等価複素屈折率の実部および虚
部の変化によるものである。ここで、第１の等価複素屈
折率段差は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５の両
端部に対応している。また、第２の等価複素屈折率段差
は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８の表面の段
差の下部８ａに対応している。
おいては、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直
な方向に、二つの等価複素屈折率段差を有している。こ
こでは、これらの二つの等価複素屈折率段差を、発光中
心から見て近い順に第１の等価複素屈折率段差および第
２の等価複素屈折率段差とする。この場合、これらの第
１の等価複素屈折率段差および第２の等価複素屈折率段
差の間隔は、光が等価複素屈折率段差を感じることがで
きるように、０．１μｍ以上、例えば０．３μｍに選ば
れる。また、この場合、第１の等価複素屈折率段差は等
価複素屈折率の実部のみの変化によるものであり、第２
の等価複素屈折率段差は等価複素屈折率の実部および虚
部の変化によるものである。ここで、第１の等価複素屈
折率段差は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５の両
端部に対応している。また、第２の等価複素屈折率段差
は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８の表面の段
差の下部８ａに対応している。
【００２４】この半導体レーザの製造方法は、第１の実
施形態による半導体レーザの製造方法と同様であるの
で、説明を省略する。この第２の実施形態によれば、第
１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
施形態による半導体レーザの製造方法と同様であるの
で、説明を省略する。この第２の実施形態によれば、第
１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００２５】次に、この発明の第３の実施形態について
説明する。図６は、この第３の実施形態による半導体レ
ーザを示す。図６に示すように、この半導体レーザにお
いては、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８上に、
ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導波層１５が積層されてい
る。このｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導波層１５上に
は、その上面が平坦となるようにｐ型ＧａＡｓ光導波層
兼コンタクト層１６が設けられている。このｐ型ＧａＡ
ｓ光導波層兼コンタクト層１６上にはｐ側電極１１が設
けられている。ここで、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導
波層１５は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，
６，８およびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７の
屈折率よりも低い屈折率を有する。また、ｐ型ＧａＡｓ
光導波層兼コンタクト層１６は、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4
Ａｓ光導波層１５の屈折率よりも低い屈折率を有し、か
つ、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３からの光の波長に対
して吸収係数を有する。その他のことは、第１の実施形
態による半導体レーザと同様であるので説明を省略す
る。
説明する。図６は、この第３の実施形態による半導体レ
ーザを示す。図６に示すように、この半導体レーザにお
いては、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８上に、
ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導波層１５が積層されてい
る。このｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導波層１５上に
は、その上面が平坦となるようにｐ型ＧａＡｓ光導波層
兼コンタクト層１６が設けられている。このｐ型ＧａＡ
ｓ光導波層兼コンタクト層１６上にはｐ側電極１１が設
けられている。ここで、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導
波層１５は、ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層４，
６，８およびｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層７の
屈折率よりも低い屈折率を有する。また、ｐ型ＧａＡｓ
光導波層兼コンタクト層１６は、ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4
Ａｓ光導波層１５の屈折率よりも低い屈折率を有し、か
つ、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３からの光の波長に対
して吸収係数を有する。その他のことは、第１の実施形
態による半導体レーザと同様であるので説明を省略す
る。
【００２６】図６Ｂは、上述のように構成された半導体
レーザの等価複素屈折率分布を示す。ここでは、この半
導体レーザのｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４のｐｎ接合と平行、かつ、共振器
長方向と垂直な方向における等価複素屈折率（ｎ）の実
部（Ｒｅ（ｎ））および虚部（Ｉｍ（ｎ））の分布を、
図６Ａと対応させて示す。
レーザの等価複素屈折率分布を示す。ここでは、この半
導体レーザのｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活性層３およびｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層４のｐｎ接合と平行、かつ、共振器
長方向と垂直な方向における等価複素屈折率（ｎ）の実
部（Ｒｅ（ｎ））および虚部（Ｉｍ（ｎ））の分布を、
図６Ａと対応させて示す。
【００２７】図６Ｂに示すように、この半導体レーザに
おいては、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直
な方向に、三つの等価複素屈折率段差を有している。こ
こでは、これらの三つの等価複素屈折率段差を、発光中
心から見て近い順に第１の等価複素屈折率段差、第２の
等価複素屈折率段差および第３の等価複素屈折率段差と
する。この場合、第１の等価複素屈折率段差および第２
の等価複素屈折率段差の間隔は、光が等価複素屈折率段
差を感じることができるように、０．１μｍ以上、例え
ば０．３μｍに選ばれる。また、第１の等価複素屈折率
段差および第２の等価複素屈折率段差は等価複素屈折率
の実部のみの変化によるものであり、第３の等価複素屈
折率段差は等価複素屈折率の実部および虚部の変化によ
るものである。ここで、第１の等価複素屈折率段差は、
ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５の両端部に対応し
ている。また、第２の等価複素屈折率段差は、ｐ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８の表面の段差の下部８ａ
に対応している。また、第３の等価屈折率段差は、ｐ型
Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導波層１５の表面の段差の下部
１５ａに対応している。
おいては、ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直
な方向に、三つの等価複素屈折率段差を有している。こ
こでは、これらの三つの等価複素屈折率段差を、発光中
心から見て近い順に第１の等価複素屈折率段差、第２の
等価複素屈折率段差および第３の等価複素屈折率段差と
する。この場合、第１の等価複素屈折率段差および第２
の等価複素屈折率段差の間隔は、光が等価複素屈折率段
差を感じることができるように、０．１μｍ以上、例え
ば０．３μｍに選ばれる。また、第１の等価複素屈折率
段差および第２の等価複素屈折率段差は等価複素屈折率
の実部のみの変化によるものであり、第３の等価複素屈
折率段差は等価複素屈折率の実部および虚部の変化によ
るものである。ここで、第１の等価複素屈折率段差は、
ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層５の両端部に対応し
ている。また、第２の等価複素屈折率段差は、ｐ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層８の表面の段差の下部８ａ
に対応している。また、第３の等価屈折率段差は、ｐ型
Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導波層１５の表面の段差の下部
１５ａに対応している。
【００２８】この半導体レーザの製造方法は、第１の実
施形態による半導体レーザの製造方法と同様であるの
で、説明を省略する。この第３の実施形態によれば、ｐ
ｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向に、三
つの等価複素屈折率段差を有することにより、第１の実
施形態と同様な効果を得ることができる。
施形態による半導体レーザの製造方法と同様であるの
で、説明を省略する。この第３の実施形態によれば、ｐ
ｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向に、三
つの等価複素屈折率段差を有することにより、第１の実
施形態と同様な効果を得ることができる。
【００２９】次に、この発明の第４の実施形態について
説明する。図７は、この第４の実施形態による光ピック
アップ装置の構成の一例を示す略線図である。図７に示
すように、この光ピックアップ装置においては、光源と
して半導体レーザ２１を有している。この半導体レーザ
２１としては、例えば、第１〜第３の実施形態による半
導体レーザのいずれかが用いられる。この半導体レーザ
２１から出射されたレーザ光２２はグレーティング２３
を介してハーフミラー２４に入射し、このハーフミラー
２４で反射して入射方向と垂直方向に曲げられる。ハー
フミラー２４で反射したレーザ光２２は、対物レンズ２
５を通って光ディスク２６に入射される。この光ディス
ク２６で反射されたレーザ光２２は、再び対物レンズ２
５を通ってハーフミラー２４に入射し、このハーフミラ
ー２４を透過して信号検出用のフォトダイオード２７に
入射して受光される。
説明する。図７は、この第４の実施形態による光ピック
アップ装置の構成の一例を示す略線図である。図７に示
すように、この光ピックアップ装置においては、光源と
して半導体レーザ２１を有している。この半導体レーザ
２１としては、例えば、第１〜第３の実施形態による半
導体レーザのいずれかが用いられる。この半導体レーザ
２１から出射されたレーザ光２２はグレーティング２３
を介してハーフミラー２４に入射し、このハーフミラー
２４で反射して入射方向と垂直方向に曲げられる。ハー
フミラー２４で反射したレーザ光２２は、対物レンズ２
５を通って光ディスク２６に入射される。この光ディス
ク２６で反射されたレーザ光２２は、再び対物レンズ２
５を通ってハーフミラー２４に入射し、このハーフミラ
ー２４を透過して信号検出用のフォトダイオード２７に
入射して受光される。
【００３０】この第４の実施形態による光ピックアップ
装置によれば、半導体レーザ２１として、第１〜第３の
実施形態による半導体レーザのいずれかを用いているた
め、この半導体レーザ２１のレーザ光の水平方向の放射
角θ//のばらつきを最小限に抑えることができる。この
ため、この半導体レーザ２１のレーザ光の水平方向の放
射角θ//を精密に制御することができるので、この放射
角θ//がその下限を越えることにより光ディスク２６の
表面で光スポットが広がるという従来の問題がなくな
る。
装置によれば、半導体レーザ２１として、第１〜第３の
実施形態による半導体レーザのいずれかを用いているた
め、この半導体レーザ２１のレーザ光の水平方向の放射
角θ//のばらつきを最小限に抑えることができる。この
ため、この半導体レーザ２１のレーザ光の水平方向の放
射角θ//を精密に制御することができるので、この放射
角θ//がその下限を越えることにより光ディスク２６の
表面で光スポットが広がるという従来の問題がなくな
る。
【００３１】次に、この発明の第５の実施形態について
説明する。図８は、この第５の実施形態による光記録再
生装置の記録再生光学系の構成の一例を示す略線図であ
る。図８に示すように、この光記録再生装置の記録再生
光学系においては、光源として半導体レーザ３１を有し
ている。この半導体レーザ３１としては、例えば第１〜
第３の実施形態による半導体レーザのいずれかが用いら
れる。この半導体レーザ３１から出射されたレーザ光３
２はグレーティング３３を介して偏光ビームスプリッタ
３４に入射される。偏光ビームスプリッタ３４に入射し
たレーザ光３２のうち、一部はこの偏光ビームスプリッ
タ３４により入射方向と垂直方向に曲げられモニタ用の
フォトダイオード３５に入射され、残りはこの偏光ビー
ムスプリッタ３４を通り、コリメータレンズ３６および
対物レンズ３７を介して光磁気ディスク３８に入射され
る。光磁気ディスク３８で反射されたレーザ光３２は、
再び対物レンズ３７およびコリメータレンズ３６を介し
て偏光ビームスプリッタ３４に入射される。この偏光ビ
ームスプリッタ３４に入射したレーザ光３２は、この偏
光ビームスプリッタ３４により入射方向と垂直方向に曲
げられた後、ウォラストンプリズム３９およびシリンド
リカルレンズ４０を介して、信号検出用のフォトダイオ
ード４１に入射して受光される。
説明する。図８は、この第５の実施形態による光記録再
生装置の記録再生光学系の構成の一例を示す略線図であ
る。図８に示すように、この光記録再生装置の記録再生
光学系においては、光源として半導体レーザ３１を有し
ている。この半導体レーザ３１としては、例えば第１〜
第３の実施形態による半導体レーザのいずれかが用いら
れる。この半導体レーザ３１から出射されたレーザ光３
２はグレーティング３３を介して偏光ビームスプリッタ
３４に入射される。偏光ビームスプリッタ３４に入射し
たレーザ光３２のうち、一部はこの偏光ビームスプリッ
タ３４により入射方向と垂直方向に曲げられモニタ用の
フォトダイオード３５に入射され、残りはこの偏光ビー
ムスプリッタ３４を通り、コリメータレンズ３６および
対物レンズ３７を介して光磁気ディスク３８に入射され
る。光磁気ディスク３８で反射されたレーザ光３２は、
再び対物レンズ３７およびコリメータレンズ３６を介し
て偏光ビームスプリッタ３４に入射される。この偏光ビ
ームスプリッタ３４に入射したレーザ光３２は、この偏
光ビームスプリッタ３４により入射方向と垂直方向に曲
げられた後、ウォラストンプリズム３９およびシリンド
リカルレンズ４０を介して、信号検出用のフォトダイオ
ード４１に入射して受光される。
【００３２】この第５の実施形態による光記録再生装置
の記録再生光学系によれば、半導体レーザ３１として第
１〜第３の実施形態に半導体レーザのいずれかを用いて
いるため、第４の実施形態と同様な効果を得ることがで
きる。さらに、これに加えて、半導体レーザ３１のレー
ザ光の水平方向の放射角θ//がその上限を越えることに
より、例えば光磁気ディスク３８への記録時にさらなる
記録パワーを必要とし、半導体レーザ３１の信頼性を損
ねるという従来の問題がなくなる。
の記録再生光学系によれば、半導体レーザ３１として第
１〜第３の実施形態に半導体レーザのいずれかを用いて
いるため、第４の実施形態と同様な効果を得ることがで
きる。さらに、これに加えて、半導体レーザ３１のレー
ザ光の水平方向の放射角θ//がその上限を越えることに
より、例えば光磁気ディスク３８への記録時にさらなる
記録パワーを必要とし、半導体レーザ３１の信頼性を損
ねるという従来の問題がなくなる。
【００３３】以上この発明の実施形態について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。例えば、実施形態において挙げた数
値、材料、構造などはあくまで例に過ぎず、これに限定
されるものではない。具体的には、例えば、この発明は
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ以外の他の材料系の半導体
レーザにも適用することができる。また、例えば、第４
の実施形態による光ピックアップ装置および第５の実施
形態による光記録再生装置の記録再生光学系の構成は一
例に過ぎず、異なる構成のものであってもよい。また、
第１〜第３の実施形態による半導体レーザは、上述の光
ピックアップ装置や光記録再生装置のほかに、相変化型
光記録再生装置の光源として用いることもできる。
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。例えば、実施形態において挙げた数
値、材料、構造などはあくまで例に過ぎず、これに限定
されるものではない。具体的には、例えば、この発明は
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ以外の他の材料系の半導体
レーザにも適用することができる。また、例えば、第４
の実施形態による光ピックアップ装置および第５の実施
形態による光記録再生装置の記録再生光学系の構成は一
例に過ぎず、異なる構成のものであってもよい。また、
第１〜第３の実施形態による半導体レーザは、上述の光
ピックアップ装置や光記録再生装置のほかに、相変化型
光記録再生装置の光源として用いることもできる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体レーザのｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方
向と垂直な方向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折
率段差を有しているので、半導体レーザの構造パラメー
タのばらつきによるレーザ光の水平方向の放射角のばら
つきを最小限に抑えることができる。これにより、レー
ザ光の水平方向の放射角を精密に制御することが可能で
あるとともに、製造歩留まりを著しく向上させることが
できる。
ば、半導体レーザのｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方
向と垂直な方向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折
率段差を有しているので、半導体レーザの構造パラメー
タのばらつきによるレーザ光の水平方向の放射角のばら
つきを最小限に抑えることができる。これにより、レー
ザ光の水平方向の放射角を精密に制御することが可能で
あるとともに、製造歩留まりを著しく向上させることが
できる。
【図１】 この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡ
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザを示す断面図お
よびその等価複素屈折率分布を示す略線図である。
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザを示す断面図お
よびその等価複素屈折率分布を示す略線図である。
【図２】 この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡ
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザの製造方法を説
明するための断面図である。
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザの製造方法を説
明するための断面図である。
【図３】 この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡ
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザの製造方法を説
明するための断面図である。
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザの製造方法を説
明するための断面図である。
【図４】 この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＡ
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザの製造方法を説
明するための断面図である。
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザの製造方法を説
明するための断面図である。
【図５】 この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡ
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザを示す断面図お
よびその等価複素屈折率分布を示す略線図である。
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザを示す断面図お
よびその等価複素屈折率分布を示す略線図である。
【図６】 この発明の第３の実施形態によるＡｌＧａＡ
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザを示す断面図お
よびその等価複素屈折率分布を示す略線図である。
ｓ系のリッジ埋め込み型の半導体レーザを示す断面図お
よびその等価複素屈折率分布を示す略線図である。
【図７】 この発明の第４の実施形態による光ピックア
ップ装置の構成を示す略線図である。
ップ装置の構成を示す略線図である。
【図８】 この発明の第５の実施形態による光記録再生
装置の記録再生光学系の構成を示す略線図である。
装置の記録再生光学系の構成を示す略線図である。
【図９】 従来の実屈折率導波型の半導体レーザを示す
断面図およびその等価屈折率分布を示す略線図である。
断面図およびその等価屈折率分布を示す略線図である。
１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層、３・・・Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活
性層、４，６，８・・・ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓクラ
ッド層、５・・・ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層、
７・・・ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層、９・・
・Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラッド層、１０・・・ｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層、１１・・・ｐ側電極、１２・・・
ｎ側電極、１４・・・ｐ型ＧａＡｓ光導波層、１５・・
・ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導波層、１６・・・ｐ型
ＧａＡｓ光導波層兼コンタクト層
0.5 Ａｓクラッド層、３・・・Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ活
性層、４，６，８・・・ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓクラ
ッド層、５・・・ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層、
７・・・ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ電流狭窄層、９・・
・Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓクラッド層、１０・・・ｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層、１１・・・ｐ側電極、１２・・・
ｎ側電極、１４・・・ｐ型ＧａＡｓ光導波層、１５・・
・ｐ型Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ光導波層、１６・・・ｐ型
ＧａＡｓ光導波層兼コンタクト層
Claims (8)
- 【請求項１】 ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と
垂直な方向に、少なくとも二つ以上の等価複素屈折率段
差を有し、 上記等価複素屈折率段差のうち、上記発光中心から見て
最も近い等価複素屈折率段差および次に近い等価複素屈
折率段差は、少なくとも光が等価複素屈折率段差を感じ
ることができる距離以上互いに離れていることを特徴と
する半導体レーザ。 - 【請求項２】 全ての上記等価複素屈折率段差はその実
部のみの変化によることを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザ。 - 【請求項３】 全ての上記等価複素屈折率段差はその実
部の変化を伴い、かつ、少なくとも一つ以上の上記等価
複素屈折率段差はその虚部の変化を伴うことを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 上記等価複素屈折率段差のうち、上記発
光中心から見て最も近い等価複素屈折率段差および次に
近い等価複素屈折率段差は、少なくとも０．１μｍ以上
互いに離れていることを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ。 - 【請求項５】 二つの上記等価複素屈折率段差を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 三つ以上の上記等価複素屈折率段差を有
することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 光源に半導体レーザを用いた光ピックア
ップ装置において、上記半導体レーザは、 ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向に、
少なくとも二つ以上の等価複素屈折率段差を有し、 上記等価複素屈折率段差のうち、上記発光中心から見て
最も近い等価複素屈折率段差および次に近い等価複素屈
折率段差は、少なくとも光が等価複素屈折率段差を感じ
ることができる距離以上互いに離れていることを特徴と
する光ピックアップ装置。 - 【請求項８】 光源に半導体レーザを用いた光記録およ
び／または再生装置において、 上記半導体レーザは、 ｐｎ接合と平行、かつ、共振器長方向と垂直な方向に、
少なくとも二つ以上の等価複素屈折率段差を有し、 上記等価複素屈折率段差のうち、上記発光中心から見て
最も近い等価複素屈折率段差および次に近い等価複素屈
折率段差は、少なくとも光が等価複素屈折率段差を感じ
ることができる距離以上互いに離れていることを特徴と
する光記録および／または再生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556096A JP3451841B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザ、光ピックアップ装置ならびに光記録および／または再生装置 |
| US08/873,106 US5940423A (en) | 1996-06-14 | 1997-06-11 | Semiconductor laser, optical pickup device, and optical record and/or reproducing apparatus |
| IDP972018A ID18345A (id) | 1996-06-14 | 1997-06-12 | Laser semi konduktor, alat pengangkat optik, dan aparat pereproduksi dan atau perekam optik |
| KR1019970024783A KR980006671A (ko) | 1996-06-14 | 1997-06-14 | 반도체 레이저, 광학 픽업 장치와 광학 기록 및/또는 재생 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556096A JP3451841B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザ、光ピックアップ装置ならびに光記録および／または再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104238A true JPH104238A (ja) | 1998-01-06 |
| JP3451841B2 JP3451841B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=15998224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17556096A Expired - Fee Related JP3451841B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザ、光ピックアップ装置ならびに光記録および／または再生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5940423A (ja) |
| JP (1) | JP3451841B2 (ja) |
| KR (1) | KR980006671A (ja) |
| ID (1) | ID18345A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060303A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US7164701B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| US7736922B2 (en) | 2003-01-23 | 2010-06-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser element and method of fabrication thereof |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1195864A3 (en) | 2000-10-04 | 2004-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP3797151B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2006-07-12 | ソニー株式会社 | レーザダイオード、光学ピックアップ装置、光ディスク装置および光通信装置 |
| JP2003060306A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-28 | Rohm Co Ltd | リッジ型半導体レーザ素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57170584A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP17556096A patent/JP3451841B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-11 US US08/873,106 patent/US5940423A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 ID IDP972018A patent/ID18345A/id unknown
- 1997-06-14 KR KR1019970024783A patent/KR980006671A/ko not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060303A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US7164701B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| US7736922B2 (en) | 2003-01-23 | 2010-06-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser element and method of fabrication thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980006671A (ko) | 1998-03-30 |
| ID18345A (id) | 1998-04-02 |
| US5940423A (en) | 1999-08-17 |
| JP3451841B2 (ja) | 2003-09-29 |
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