JPH1045461A - 耐食性部材 - Google Patents
耐食性部材Info
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- JPH1045461A JPH1045461A JP8201566A JP20156696A JPH1045461A JP H1045461 A JPH1045461 A JP H1045461A JP 8201566 A JP8201566 A JP 8201566A JP 20156696 A JP20156696 A JP 20156696A JP H1045461 A JPH1045461 A JP H1045461A
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- JP
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- plasma
- group
- sintered body
- corrosion
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のガラス、石英、ステンレス、アルミナ、
ＡｌＮの焼結体は、耐食性が不十分であるのに対して、
周期律表表第２ａ族及び第３ａ族元素化合物は、高い耐
食性を示すが、特性が不安定であった。 【解決手段】フッ素系や塩素系などのハロゲン性腐食ガ
ス或いはそれらのプラズマに曝される部位を、周期律表
第２ａ族、第３ａ族元素のうちの少なくとも１種を含
む、例えば酸化物、スピネル、コージェライト、ＹＡ
Ｇ、シリケートなどの複合化合物を主体とし、その表面
粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、気孔率が３％以下のセラミ
ック焼結体によって構成する。
ＡｌＮの焼結体は、耐食性が不十分であるのに対して、
周期律表表第２ａ族及び第３ａ族元素化合物は、高い耐
食性を示すが、特性が不安定であった。 【解決手段】フッ素系や塩素系などのハロゲン性腐食ガ
ス或いはそれらのプラズマに曝される部位を、周期律表
第２ａ族、第３ａ族元素のうちの少なくとも１種を含
む、例えば酸化物、スピネル、コージェライト、ＹＡ
Ｇ、シリケートなどの複合化合物を主体とし、その表面
粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、気孔率が３％以下のセラミ
ック焼結体によって構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にハロゲン系腐
食性ガスおよびハロゲン系プラズマに対して、高い耐食
性を有する、プラズマ処理装置や半導体製造用又は液晶
プロセス用プラズマ装置内部にて使用される内壁材やウ
ェハ支持具、保護カバー、絶縁リング等の治具として使
用される耐食性部材に関するものである。
食性ガスおよびハロゲン系プラズマに対して、高い耐食
性を有する、プラズマ処理装置や半導体製造用又は液晶
プロセス用プラズマ装置内部にて使用される内壁材やウ
ェハ支持具、保護カバー、絶縁リング等の治具として使
用される耐食性部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造のドライプロセスやプラズマ
コーティング、放電管、プラズマディスプレイなど、プ
ラズマの利用は近年急速に進んでいる。半導体における
プラズマプロセスとしては、フッ素系、塩素系等のハロ
ゲン系腐食ガスが、その反応性の高さから、気相成長、
エッチングやクリーニングに利用されている。
コーティング、放電管、プラズマディスプレイなど、プ
ラズマの利用は近年急速に進んでいる。半導体における
プラズマプロセスとしては、フッ素系、塩素系等のハロ
ゲン系腐食ガスが、その反応性の高さから、気相成長、
エッチングやクリーニングに利用されている。
【０００３】これらの腐食性ガスやプラズマに接触する
部材は、高い耐食性が要求される。
部材は、高い耐食性が要求される。
【０００４】従来より被処理物以外のこれらプラズマに
接触する部材は、一般にガラスや石英などのＳｉＯ2 を
主成分とする材料やステンレス、モネル等の耐食性金属
が多用されている。
接触する部材は、一般にガラスや石英などのＳｉＯ2 を
主成分とする材料やステンレス、モネル等の耐食性金属
が多用されている。
【０００５】また、半導体製造製造時において、ウェハ
を支持固定するサセプタ材としてアルミナ焼結体、サフ
ァイア、ＡｌＮの焼結体、又はこれらをＣＶＤ法等によ
り表面被覆したものが耐食性に優れるとして使用されて
いる。また、グラファイト、窒化硼素をコーティングし
たヒータ等も使用されている。
を支持固定するサセプタ材としてアルミナ焼結体、サフ
ァイア、ＡｌＮの焼結体、又はこれらをＣＶＤ法等によ
り表面被覆したものが耐食性に優れるとして使用されて
いる。また、グラファイト、窒化硼素をコーティングし
たヒータ等も使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来から用い
られているガラスや石英ではプラズマ中の耐食性が不充
分で消耗が激しく、特にハロゲンプラズマに接すると接
触面がエッチングされ、表面性状が変化したり、光透過
性が必要とされる部材では、表面が次第に白く曇って透
光性が低下する等の問題が生じていた。また、ステンレ
スなどの金属を使用した部材でも耐食性が不充分なた
め、腐食によって特に半導体製造においては不良品発生
の原因となる。
られているガラスや石英ではプラズマ中の耐食性が不充
分で消耗が激しく、特にハロゲンプラズマに接すると接
触面がエッチングされ、表面性状が変化したり、光透過
性が必要とされる部材では、表面が次第に白く曇って透
光性が低下する等の問題が生じていた。また、ステンレ
スなどの金属を使用した部材でも耐食性が不充分なた
め、腐食によって特に半導体製造においては不良品発生
の原因となる。
【０００７】アルミナ、ＡｌＮの焼結体は、上記の材料
に比較してハロゲン系ガスに対して耐食性に優れるもの
の、高温でプラズマと接すると腐食が徐々に進行して焼
結体の表面から結晶粒子の脱粒が生じ、パーティクル発
生の原因になるという問題が起きている。
に比較してハロゲン系ガスに対して耐食性に優れるもの
の、高温でプラズマと接すると腐食が徐々に進行して焼
結体の表面から結晶粒子の脱粒が生じ、パーティクル発
生の原因になるという問題が起きている。
【０００８】本発明者らは、ハロゲン系腐食ガス及びプ
ラズマに対する耐食性に優れた材料の検討を重ねた結
果、まず、ハロゲン系腐食ガス又はプラズマとの反応が
進行すると、表面にハロゲン化物が生成されること、そ
して周期律表第２ａ族、第３ａ族元素を含むハロゲン化
物は融点が高く安定であることから、周期律表第２ａ
族、第３ａ族化合物が耐食性部材として好適であること
を先に提案した。
ラズマに対する耐食性に優れた材料の検討を重ねた結
果、まず、ハロゲン系腐食ガス又はプラズマとの反応が
進行すると、表面にハロゲン化物が生成されること、そ
して周期律表第２ａ族、第３ａ族元素を含むハロゲン化
物は融点が高く安定であることから、周期律表第２ａ
族、第３ａ族化合物が耐食性部材として好適であること
を先に提案した。
【０００９】その中でもこれらの焼結体は、あらゆる形
状品に適用できるとともに適度の強度を有することか
ら、各種構造体としても適用できるためにその有用性が
高いものである。しかしながら、周期律表第２ａ族、第
３ａ族元素を含む焼結体において、耐食性が安定しない
という問題があり、焼結体の組織や表面状態によって耐
食性が変化するという問題があった。
状品に適用できるとともに適度の強度を有することか
ら、各種構造体としても適用できるためにその有用性が
高いものである。しかしながら、周期律表第２ａ族、第
３ａ族元素を含む焼結体において、耐食性が安定しない
という問題があり、焼結体の組織や表面状態によって耐
食性が変化するという問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは検
討を重ねた結果、耐食性に優れた周期律表第２ａ、３ａ
族元素化合物であっても、材料のプラズマに曝される表
面が粗ければ、それだけ腐食性ガスやプラズマに接触す
る面積が大きくなり耐食性は低下すること、また、焼結
体中に気孔が存在すると、表面に現れた気孔部分で腐食
の進行が早く、ハロゲンガスと接触すると表面状態の劣
化を助長し材料の寿命を短縮させることから、焼結体の
表面粗さ及び気孔率を所定のレベルに制御することによ
り、その影響を抑制可能なことを知見した。
討を重ねた結果、耐食性に優れた周期律表第２ａ、３ａ
族元素化合物であっても、材料のプラズマに曝される表
面が粗ければ、それだけ腐食性ガスやプラズマに接触す
る面積が大きくなり耐食性は低下すること、また、焼結
体中に気孔が存在すると、表面に現れた気孔部分で腐食
の進行が早く、ハロゲンガスと接触すると表面状態の劣
化を助長し材料の寿命を短縮させることから、焼結体の
表面粗さ及び気孔率を所定のレベルに制御することによ
り、その影響を抑制可能なことを知見した。
【００１１】即ち、本発明の耐食性部材は、フッ素系や
塩素系などのハロゲン性腐食ガス或いはそれらのプラズ
マに曝される部位が、周期律表第２ａ族、第３ａ族元素
のうちの少なくとも１種を含む化合物を主体とし、その
表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、気孔率が３％以下の焼
結体によって構成することを特徴とする。
塩素系などのハロゲン性腐食ガス或いはそれらのプラズ
マに曝される部位が、周期律表第２ａ族、第３ａ族元素
のうちの少なくとも１種を含む化合物を主体とし、その
表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、気孔率が３％以下の焼
結体によって構成することを特徴とする。
【００１２】つまり、本発明者らの研究によれば、部材
表面で腐食進行の起点となるのは気孔だけではなく、表
面の傷やマイクロクラックなどによりエッジが形成され
ると、そこに電界が集中し、腐食の進行が加速される。
それを防ぐためにも部材の表面は滑らかに仕上げる必要
がある。表面粗さＲａが大きくなると、腐食性ガスやプ
ラズマとの接触によって凹凸形成が促進され、材料の寿
命を低下させてしまう。その為、表面粗さＲａを１μｍ
以下とすることにより、電界の集中を防止し腐食の進行
を抑制することができるのである。
表面で腐食進行の起点となるのは気孔だけではなく、表
面の傷やマイクロクラックなどによりエッジが形成され
ると、そこに電界が集中し、腐食の進行が加速される。
それを防ぐためにも部材の表面は滑らかに仕上げる必要
がある。表面粗さＲａが大きくなると、腐食性ガスやプ
ラズマとの接触によって凹凸形成が促進され、材料の寿
命を低下させてしまう。その為、表面粗さＲａを１μｍ
以下とすることにより、電界の集中を防止し腐食の進行
を抑制することができるのである。
【００１３】また、同様に焼結体中の気孔率を３％以下
とすることにより、気孔部の腐食による表面性状の劣
化、表面積の増加に伴う耐食性の低下を防止することが
可能となるのである。
とすることにより、気孔部の腐食による表面性状の劣
化、表面積の増加に伴う耐食性の低下を防止することが
可能となるのである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の耐食性部材は、ハロゲン
系ガスやプラズマに曝される部材であり、ハロゲン系ガ
スとしては、ＳＦ6 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃｌ
Ｆ3 、ＨＦ等のフッ素系ガス、Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 、Ｓｉ
Ｃｌ4 等の塩素系ガス、ＨＢｒ、Ｂｒ2 等の臭素系ガ
ス、ＨＩ等のヨウ素系ガス等であり、これらのガスが導
入された雰囲気にマイクロ波や高周波等を導入するとこ
れらのガスがプラズマ化される。
系ガスやプラズマに曝される部材であり、ハロゲン系ガ
スとしては、ＳＦ6 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃｌ
Ｆ3 、ＨＦ等のフッ素系ガス、Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 、Ｓｉ
Ｃｌ4 等の塩素系ガス、ＨＢｒ、Ｂｒ2 等の臭素系ガ
ス、ＨＩ等のヨウ素系ガス等であり、これらのガスが導
入された雰囲気にマイクロ波や高周波等を導入するとこ
れらのガスがプラズマ化される。
【００１５】また、エッチング効果をより高めるため、
ハロゲン系のガスと共にＡｒなど不活性ガスを導入して
プラズマを発生させる場合もある。
ハロゲン系のガスと共にＡｒなど不活性ガスを導入して
プラズマを発生させる場合もある。
【００１６】本発明の耐食性部材では、このようなハロ
ゲン系腐食ガス或いはそのプラズマ中で使用される部材
を、周期律表第２ａ族、第３ａ族元素のうちの少なくと
も１種を含む化合物を主体とする焼結体にて構成する。
この焼結体は、構成元素である周期律表２ａ族、第３ａ
族元素がハロゲンと反応して安定な化合物を形成するた
め、それ自体従来材料よりも格段に優れた耐食性を有す
る。
ゲン系腐食ガス或いはそのプラズマ中で使用される部材
を、周期律表第２ａ族、第３ａ族元素のうちの少なくと
も１種を含む化合物を主体とする焼結体にて構成する。
この焼結体は、構成元素である周期律表２ａ族、第３ａ
族元素がハロゲンと反応して安定な化合物を形成するた
め、それ自体従来材料よりも格段に優れた耐食性を有す
る。
【００１７】用いられる周期律表第２ａ族元素としては
Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａが好適で、周期律表第３ａ族元素とし
てはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｌｕが
好適であり、化合物としては酸化物、窒化物、炭化物、
硼化物、フッ化物等が挙げられる。これらは、ハロゲン
化ガスやそれらのプラズマと長時間接触することによっ
て各元素を含むハロゲン化物を形成することになる。そ
の他、前記周期律表第２ａ族、第３ａ族元素を含む化合
物としては、これらの元素と、Ａｌ等の周期律表第３ｂ
族元素、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ等の元素を含む
複合酸化物であってもよく、具体的には、ＡＢ2 Ｏ
4 （Ａは周期律表第２ａ族元素、Ｂは周期律表第３ｂ族
元素）で表されるスピネル型結晶またはコージェライト
結晶や、周期律表第３ａ族元素とＡｌとの化合物として
ペロブスカイト型（ＹＡＰ型）、メリライト型（ＹＡＭ
型）、ガーネット型（ＹＡＧ型）化合物、さらにはＳｉ
との複合化合物として、周期律表第２ａ、３ａ族元素の
シリケート化合物等も使用できる。
Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａが好適で、周期律表第３ａ族元素とし
てはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｌｕが
好適であり、化合物としては酸化物、窒化物、炭化物、
硼化物、フッ化物等が挙げられる。これらは、ハロゲン
化ガスやそれらのプラズマと長時間接触することによっ
て各元素を含むハロゲン化物を形成することになる。そ
の他、前記周期律表第２ａ族、第３ａ族元素を含む化合
物としては、これらの元素と、Ａｌ等の周期律表第３ｂ
族元素、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ等の元素を含む
複合酸化物であってもよく、具体的には、ＡＢ2 Ｏ
4 （Ａは周期律表第２ａ族元素、Ｂは周期律表第３ｂ族
元素）で表されるスピネル型結晶またはコージェライト
結晶や、周期律表第３ａ族元素とＡｌとの化合物として
ペロブスカイト型（ＹＡＰ型）、メリライト型（ＹＡＭ
型）、ガーネット型（ＹＡＧ型）化合物、さらにはＳｉ
との複合化合物として、周期律表第２ａ、３ａ族元素の
シリケート化合物等も使用できる。
【００１８】更に、この部材を構成する焼結体において
は、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、より好ましく
は０．１μｍ以下とすることが重要である。部材の表面
粗さが１μｍを越えると腐食性ガスやプラズマに接触す
る面積が大きくなり耐食性は大きく低下する。従って、
部材表面は限りなく鏡面処理されていることが好まし
い。また、材料表面で腐食進行の起点となるのは気孔だ
けではなく、表面の傷やマイクロクラックなどにより、
エッジが形成されるとそこに電界が集中し、腐食の進行
が加速される。それを防ぐためにも部材の表面は滑らか
に仕上げる必要がある。
は、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、より好ましく
は０．１μｍ以下とすることが重要である。部材の表面
粗さが１μｍを越えると腐食性ガスやプラズマに接触す
る面積が大きくなり耐食性は大きく低下する。従って、
部材表面は限りなく鏡面処理されていることが好まし
い。また、材料表面で腐食進行の起点となるのは気孔だ
けではなく、表面の傷やマイクロクラックなどにより、
エッジが形成されるとそこに電界が集中し、腐食の進行
が加速される。それを防ぐためにも部材の表面は滑らか
に仕上げる必要がある。
【００１９】また、部材を構成する焼結体の気孔率を３
％以下、特に１％以下とする事で、部材表面の局部的な
腐食の進行と表面状態の劣化を防止することが出来る。
気孔率が３％を越えると、前述したような望ましい表面
状態（鏡面）を得ることが難しく、また鏡面状態を得ら
れたとしても腐食雰囲気に曝されているうちに表面に残
った気孔部から腐食が進行し、表面状態が劣化して部材
の寿命低下を引き起こすこととなる。
％以下、特に１％以下とする事で、部材表面の局部的な
腐食の進行と表面状態の劣化を防止することが出来る。
気孔率が３％を越えると、前述したような望ましい表面
状態（鏡面）を得ることが難しく、また鏡面状態を得ら
れたとしても腐食雰囲気に曝されているうちに表面に残
った気孔部から腐食が進行し、表面状態が劣化して部材
の寿命低下を引き起こすこととなる。
【００２０】本発明の耐食性部材の製造法としては、所
定の気孔率、表面粗さの条件を満たす緻密な焼結体が得
られれば、どのような方法でも構わない。例えば、周知
の方法によって、成形、焼成した焼結体、反応焼結体、
周知のゾルゲル法で液相を所定の基体表面に塗布し焼成
したものであってもよい。
定の気孔率、表面粗さの条件を満たす緻密な焼結体が得
られれば、どのような方法でも構わない。例えば、周知
の方法によって、成形、焼成した焼結体、反応焼結体、
周知のゾルゲル法で液相を所定の基体表面に塗布し焼成
したものであってもよい。
【００２１】具体的には、出発原料として、周期律表第
３ａ族元素、第２ａ族元素の金属粉末、あるいは酸化
物、炭化物、窒化物、炭酸塩、酢酸塩などの化合物粉末
を用いて、最終的に作製される焼結体と同じ組成となる
ように秤量した混合粉末、または前記出発原料を所定比
率で混合したのちに仮焼処理し粉砕して作製した複合化
合物粉末、反応焼結によって焼結体を形成し得る金属粉
末と前記化合物或いは複合化合物との混合粉末、加熱処
理によってセラミックスに分解する有機系、無機系のセ
ラミックス前駆体等がある。また、必要に応じて焼結を
促進するための助剤を添加することもできる。
３ａ族元素、第２ａ族元素の金属粉末、あるいは酸化
物、炭化物、窒化物、炭酸塩、酢酸塩などの化合物粉末
を用いて、最終的に作製される焼結体と同じ組成となる
ように秤量した混合粉末、または前記出発原料を所定比
率で混合したのちに仮焼処理し粉砕して作製した複合化
合物粉末、反応焼結によって焼結体を形成し得る金属粉
末と前記化合物或いは複合化合物との混合粉末、加熱処
理によってセラミックスに分解する有機系、無機系のセ
ラミックス前駆体等がある。また、必要に応じて焼結を
促進するための助剤を添加することもできる。
【００２２】この様な原料を、所望の形状に成形、或い
は基体に塗布して焼成する。成形方法としては、通常の
乾式プレス、静水圧プレス、鋳込み成形、押し出し成
形、シート状成形等、目的形状を得るのに適した成形方
法を利用出来る。
は基体に塗布して焼成する。成形方法としては、通常の
乾式プレス、静水圧プレス、鋳込み成形、押し出し成
形、シート状成形等、目的形状を得るのに適した成形方
法を利用出来る。
【００２３】成形体は、材料に応じて緻密化に適した雰
囲気、圧力、温度で焼成し、必要であれば１０００〜２
０００気圧の不活性ガス中で熱処理する熱間静水圧法に
よって焼結体中の気孔を消失すればよい。
囲気、圧力、温度で焼成し、必要であれば１０００〜２
０００気圧の不活性ガス中で熱処理する熱間静水圧法に
よって焼結体中の気孔を消失すればよい。
【００２４】また、用いる材質によっては、焼成後の焼
結体表面に荒れ等が発生する場合もあるが、そのような
場合には、焼結体の少なくともガスまたはプラズマに接
触する表面を周知の研磨処理によって表面粗さ１μｍ以
下まで鏡面研磨処理することで本発明の耐食性部材を作
製することができる。
結体表面に荒れ等が発生する場合もあるが、そのような
場合には、焼結体の少なくともガスまたはプラズマに接
触する表面を周知の研磨処理によって表面粗さ１μｍ以
下まで鏡面研磨処理することで本発明の耐食性部材を作
製することができる。
【００２５】
実施例１ 表１に示すような各材料の高純度微粉末を成形し、１３
００〜１８００℃で焼成し、気孔率の異なる焼結体を作
製した。なお、気孔率０％の試料はいずれもその焼結体
を２０００気圧のアルゴンガス中で熱間静水圧焼成（Ｈ
ＩＰ）したものである。そしてこれら気孔率の異なる試
料を平面研削及びラップによって適当な面粗さに研磨
し、気孔率と面粗さの異なる各試料を準備した。
００〜１８００℃で焼成し、気孔率の異なる焼結体を作
製した。なお、気孔率０％の試料はいずれもその焼結体
を２０００気圧のアルゴンガス中で熱間静水圧焼成（Ｈ
ＩＰ）したものである。そしてこれら気孔率の異なる試
料を平面研削及びラップによって適当な面粗さに研磨
し、気孔率と面粗さの異なる各試料を準備した。
【００２６】ＲＩＥプラズマエッチング装置にて、これ
らをＳＦ6 プラズマに室温で３時間曝し、エッチング速
度を重量変化から算出した。これらのエッチング速度に
ついて、同一の材質品について、表面粗さＲａおよび気
孔率が最も小さな試料のエッチング速度を１．００とし
た時のそれ以外の試料のエッチング速度を相対値として
算出し表１に示した。
らをＳＦ6 プラズマに室温で３時間曝し、エッチング速
度を重量変化から算出した。これらのエッチング速度に
ついて、同一の材質品について、表面粗さＲａおよび気
孔率が最も小さな試料のエッチング速度を１．００とし
た時のそれ以外の試料のエッチング速度を相対値として
算出し表１に示した。
【００２７】
【表１】
【００２８】材質によってそれぞれエッチング速度の絶
対値は異なるが、いずれの試料も表面粗さＲａが１μｍ
を越えるか、気孔率が３％を越えると、エッチング速度
がＨＩＰ処理／鏡面処理した試料の２倍以上になってい
ることがわかる。従って、同一材質であっても表面粗さ
および気孔率が耐食性を決定する大きな要因となってい
ることが理解される。
対値は異なるが、いずれの試料も表面粗さＲａが１μｍ
を越えるか、気孔率が３％を越えると、エッチング速度
がＨＩＰ処理／鏡面処理した試料の２倍以上になってい
ることがわかる。従って、同一材質であっても表面粗さ
および気孔率が耐食性を決定する大きな要因となってい
ることが理解される。
【００２９】実施例２ 実施例１と同様に作製した各試料を、ＲＩＥプラズマエ
ッチング装置にて、ＨＣｌプラズマに３時間曝し、実施
例１と同様な評価を行った。結果は表２に示した。
ッチング装置にて、ＨＣｌプラズマに３時間曝し、実施
例１と同様な評価を行った。結果は表２に示した。
【００３０】
【表２】
【００３１】表２の結果からも明らかなように、この場
合も実施例１と同様に表面粗さＲａが１μｍを越える、
或いは気孔率が３％を越えるとエッチング速度（相対
値）が２を越えるものであった。
合も実施例１と同様に表面粗さＲａが１μｍを越える、
或いは気孔率が３％を越えるとエッチング速度（相対
値）が２を越えるものであった。
【００３２】実施例３ 実施例１と同様に作製した試料を、ＲＩＥプラズマエッ
チング装置にて、ＨＢｒプラズマに３時間曝し、実施例
１と同様な評価を行った。結果は表２に示した。
チング装置にて、ＨＢｒプラズマに３時間曝し、実施例
１と同様な評価を行った。結果は表２に示した。
【００３３】
【表３】
【００３４】表３の結果からも明らかなように、この場
合も実施例１と同様に表面粗さＲａが１μｍを越える、
或いは気孔率が３％を越えるとエッチング速度（相対
値）が２を越えるものであった。
合も実施例１と同様に表面粗さＲａが１μｍを越える、
或いは気孔率が３％を越えるとエッチング速度（相対
値）が２を越えるものであった。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の耐食性部材
は、ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマに曝される
部材を構成する焼結体の気孔率および表面粗さを特定範
囲内に制御することにより、その焼結体材料が有する本
来の耐食性を充分に引き出すことが可能となり、それに
より、半導体や液晶製造用のプラズマ処理装置内の内壁
材や治具等、具体的にはウェハ固定用のクランプリン
グ、エッチング装置の電極回りの絶縁リングや電極カバ
ー等に使用することにより、長寿命化を図ることが出来
る。
は、ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマに曝される
部材を構成する焼結体の気孔率および表面粗さを特定範
囲内に制御することにより、その焼結体材料が有する本
来の耐食性を充分に引き出すことが可能となり、それに
より、半導体や液晶製造用のプラズマ処理装置内の内壁
材や治具等、具体的にはウェハ固定用のクランプリン
グ、エッチング装置の電極回りの絶縁リングや電極カバ
ー等に使用することにより、長寿命化を図ることが出来
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 35/443 Ｃ０４Ｂ 35/16 Ｚ 35/56 35/44 35/58 １０１ １０１ １０５ 35/56 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】フッ素系や塩素系などのハロゲン性腐食ガ
ス或いはそれらのプラズマに曝される部位が、周期律表
第２ａ族、第３ａ族元素のうちの少なくとも１種を含む
化合物を主体とし、その表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以
下、気孔率が３％以下のセラミック焼結体によって構成
されることを特徴とする耐食性部材。
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