JPH1045672A - 光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステルの製造方法 - Google Patents
光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステルの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学活性医薬品や光学活性農薬などの有効な
製造中間体である光学活性4−ヒドロキシ−3−メチル
ブタン酸t−ブチルエステルを安定な状態で収率よく製
造する方法を提供すること。 【解決手段】 光学活性3−カルボキシブタン酸t−ブ
チルエステルをボラン錯体を用いて還元して次式(1)
で表される光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン
酸t−ブチルエステルを製造する。 t−C4H9OOCCH2C*H(CH3)CH2OH (1) (但し、式中、*はその炭素が不斉炭素であることを示
す。)
製造中間体である光学活性4−ヒドロキシ−3−メチル
ブタン酸t−ブチルエステルを安定な状態で収率よく製
造する方法を提供すること。 【解決手段】 光学活性3−カルボキシブタン酸t−ブ
チルエステルをボラン錯体を用いて還元して次式(1)
で表される光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン
酸t−ブチルエステルを製造する。 t−C4H9OOCCH2C*H(CH3)CH2OH (1) (但し、式中、*はその炭素が不斉炭素であることを示
す。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学活性医薬品、
光学活性農薬などに用いられる中間体である光学活性4
−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステル
の製造方法に関する。
光学活性農薬などに用いられる中間体である光学活性4
−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステル
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブ
タン酸エステルの合成方法としては、光学活性3−カル
ボキシブタン酸メチルエステルをボラン−ジメチルスル
フィド錯体の様なボラン錯体を用いて、エステルを還元
せずにカルボキシル基のみを選択的に還元する方法が報
告されている(Biosci. Biotech. Biochem., 57(2) 265
(1993))。
タン酸エステルの合成方法としては、光学活性3−カル
ボキシブタン酸メチルエステルをボラン−ジメチルスル
フィド錯体の様なボラン錯体を用いて、エステルを還元
せずにカルボキシル基のみを選択的に還元する方法が報
告されている(Biosci. Biotech. Biochem., 57(2) 265
(1993))。
【0003】しかしながら、上記方法に従い4−ヒドロ
キシ−3−メチルブタン酸エステルを製造すると、得ら
れる4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチルエステ
ルは不安定で容易にβ−メチル−γ−ブチロラクトンに
変化するという欠点を有していることが明らかとなっ
た。本発明者らのその後の検討によるとメチルエステル
ではなくt−ブチルエステルであれば酸性条件にしない
限り極めて安定であることが分かった。しかしながら、
光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチ
ルエステルを製造する場合、還元するカルボキシル基の
他に酸性条件に不安定なt−ブチルエステル基が存在し
ているため、通常のボラン錯体では分解しやすいため、
その有効な合成方法が望まれていた。
キシ−3−メチルブタン酸エステルを製造すると、得ら
れる4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチルエステ
ルは不安定で容易にβ−メチル−γ−ブチロラクトンに
変化するという欠点を有していることが明らかとなっ
た。本発明者らのその後の検討によるとメチルエステル
ではなくt−ブチルエステルであれば酸性条件にしない
限り極めて安定であることが分かった。しかしながら、
光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチ
ルエステルを製造する場合、還元するカルボキシル基の
他に酸性条件に不安定なt−ブチルエステル基が存在し
ているため、通常のボラン錯体では分解しやすいため、
その有効な合成方法が望まれていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
活性医薬品や光学活性農薬などの有効な製造中間体であ
る光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブ
チルエステルを安定な状態で収率よく製造する方法を提
供することである。
活性医薬品や光学活性農薬などの有効な製造中間体であ
る光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブ
チルエステルを安定な状態で収率よく製造する方法を提
供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、光学活性
4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステ
ルの製造方法について鋭意研究を重ねた結果、光学活性
3−カルボキシブタン酸t−ブチルエステルを立体を保
持したまま選択的に還元する方法を見い出し、本発明を
完成させた。
4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステ
ルの製造方法について鋭意研究を重ねた結果、光学活性
3−カルボキシブタン酸t−ブチルエステルを立体を保
持したまま選択的に還元する方法を見い出し、本発明を
完成させた。
【0006】即ち、本発明の要旨は、光学活性3−カル
ボキシブタン酸t−ブチルエステルをボラン錯体を用い
て還元することを特徴とする次式(1)で表される光学
活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエ
ステルの製造方法にある。 t−C4H9OOCCH2C*H(CH3)CH2OH (1) (但し、式中、*はその炭素が不斉炭素であることを示
す。)
ボキシブタン酸t−ブチルエステルをボラン錯体を用い
て還元することを特徴とする次式(1)で表される光学
活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエ
ステルの製造方法にある。 t−C4H9OOCCH2C*H(CH3)CH2OH (1) (但し、式中、*はその炭素が不斉炭素であることを示
す。)
【0007】
【発明の実施の形態】本発明において用いられるボラン
錯体の具体例としては、ボラン−テトラヒドロフラン、
ボラン−ジメチルスルフィド、ボラン−ジメチルアミ
ン、ボラン−トリメチルアミン、ボラン−トリエチルア
ミン、ボラン−ピリジンなどが例示できる。これらの
内、臭気の問題、錯体の還元力および最終製品の収率な
どの観点から、ボラン−テトラヒドロフラン錯体が好ま
しいものである。
錯体の具体例としては、ボラン−テトラヒドロフラン、
ボラン−ジメチルスルフィド、ボラン−ジメチルアミ
ン、ボラン−トリメチルアミン、ボラン−トリエチルア
ミン、ボラン−ピリジンなどが例示できる。これらの
内、臭気の問題、錯体の還元力および最終製品の収率な
どの観点から、ボラン−テトラヒドロフラン錯体が好ま
しいものである。
【0008】ボラン−テトラヒドロフラン錯体は、例え
ば、ガス状のボランをテトラヒドロフランに溶解させて
調製することも可能であるが、安全性などを考慮して、
工業的には通常、水素化ホウ素アルカリ金属のテトラヒ
ドロフラン懸濁液に3フッ化ホウ素を加えて析出するフ
ッ化ホウ素ナトリウムを濾別して調製することができ
る。
ば、ガス状のボランをテトラヒドロフランに溶解させて
調製することも可能であるが、安全性などを考慮して、
工業的には通常、水素化ホウ素アルカリ金属のテトラヒ
ドロフラン懸濁液に3フッ化ホウ素を加えて析出するフ
ッ化ホウ素ナトリウムを濾別して調製することができ
る。
【0009】ボラン−テトラヒドロフラン錯体を水素化
ホウ素アルカリ金属のテトラヒドロフラン懸濁液に3フ
ッ化ホウ素を加えて調製する際において用いられる水素
化ホウ素アルカリ金属としては、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウムなどが挙げられる。ここで、
水素化ホウ素アルカリ金属の3フッ化ホウ素に対する使
用量は任意に設定することができる。しかし、当量値の
120%を超える反応条件では過剰に用いた水素化ホウ
素アルカリ金属が有効に使われないので不経済であり、
当量値の100%以下の使用量での反応条件では懸濁状
態にある水素化ホウ素アルカリ金属粒子内部の成分が有
効に3フッ化ホウ素との反応に使用されないために、反
応条件の酸性化を防ぐことが難しくなる。その結果、酸
に不安定なt−ブチルエステル基の分解、還元による副
反応が起きて製品の純度が低下する。そのため、水素化
ホウ素アルカリ金属の3フッ化ホウ素に対する使用量と
しては過剰量、例えば当量値の102〜120%の範囲
内で用いることが好ましい。
ホウ素アルカリ金属のテトラヒドロフラン懸濁液に3フ
ッ化ホウ素を加えて調製する際において用いられる水素
化ホウ素アルカリ金属としては、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウムなどが挙げられる。ここで、
水素化ホウ素アルカリ金属の3フッ化ホウ素に対する使
用量は任意に設定することができる。しかし、当量値の
120%を超える反応条件では過剰に用いた水素化ホウ
素アルカリ金属が有効に使われないので不経済であり、
当量値の100%以下の使用量での反応条件では懸濁状
態にある水素化ホウ素アルカリ金属粒子内部の成分が有
効に3フッ化ホウ素との反応に使用されないために、反
応条件の酸性化を防ぐことが難しくなる。その結果、酸
に不安定なt−ブチルエステル基の分解、還元による副
反応が起きて製品の純度が低下する。そのため、水素化
ホウ素アルカリ金属の3フッ化ホウ素に対する使用量と
しては過剰量、例えば当量値の102〜120%の範囲
内で用いることが好ましい。
【0010】還元反応における反応液中のボラン錯体の
濃度については特に制限はない。ハンドリング性を考慮
すると1モル/L程度の錯体を用いて反応させるのが好
ましいが、生産性を高めるには1モル/L以上のボラン
錯体を用いて、反応物濃度を高めて反応させると効果が
ある。しかし、あまり反応物濃度が高すぎると反応液の
粘度が高くなって反応の制御が困難になるのみならず、
後処理で固形分が大量に生成するので回収率が低下する
恐れがある。従って、本発明を実施するに際してはボラ
ン錯体の濃度は0.5〜3.0モル/Lの間で設定する
のが好ましい。
濃度については特に制限はない。ハンドリング性を考慮
すると1モル/L程度の錯体を用いて反応させるのが好
ましいが、生産性を高めるには1モル/L以上のボラン
錯体を用いて、反応物濃度を高めて反応させると効果が
ある。しかし、あまり反応物濃度が高すぎると反応液の
粘度が高くなって反応の制御が困難になるのみならず、
後処理で固形分が大量に生成するので回収率が低下する
恐れがある。従って、本発明を実施するに際してはボラ
ン錯体の濃度は0.5〜3.0モル/Lの間で設定する
のが好ましい。
【0011】反応温度は副反応を抑制するためには0℃
以下に設定するのが好ましく、特に−25℃以下に設定
するのが好ましいが、ボラン錯体の濃度が高くなると粘
度が高くなるので、反応の進行に連れて25℃程度まで
反応温度を上げることは差し支えない。
以下に設定するのが好ましく、特に−25℃以下に設定
するのが好ましいが、ボラン錯体の濃度が高くなると粘
度が高くなるので、反応の進行に連れて25℃程度まで
反応温度を上げることは差し支えない。
【0012】反応は、ボラン錯体をあらかじめ製造し
て、冷却したボラン錯体の中に原料である光学活性3−
カルボキシブタン酸t−ブチルエステルを滴下する方法
が一般的であり、また副反応を防ぐためにもこの方法が
好ましい。
て、冷却したボラン錯体の中に原料である光学活性3−
カルボキシブタン酸t−ブチルエステルを滴下する方法
が一般的であり、また副反応を防ぐためにもこの方法が
好ましい。
【0013】反応溶媒はテトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタンなどのエーテル系溶剤が特に好ましい。
シエタンなどのエーテル系溶剤が特に好ましい。
【0014】後処理は、酸性条件にするとβ−メチル−
γ−ブチロラクトンの副生やt−ブチルエステルの分解
が起きる可能性がある。また、塩基性条件ではラセミ化
反応が起こる可能性があるので、メタノールを添加して
ボラン錯体を不活性化する方法が最も好ましい。
γ−ブチロラクトンの副生やt−ブチルエステルの分解
が起きる可能性がある。また、塩基性条件ではラセミ化
反応が起こる可能性があるので、メタノールを添加して
ボラン錯体を不活性化する方法が最も好ましい。
【0015】反応液を後処理した後に溶剤やメタノール
などの低沸分を留去することにより目的物を得ることが
できるが、アルコールが副生した場合には、生成物を例
えばヘキサン、酢酸エチル、クロロホルム、メチルエチ
ルケトンなどの溶剤に溶解して、水またはpH8〜10
のアルカリで洗浄することにより除去あるいは低減する
ことができる。また、アルデヒドが残存する場合には、
メタノールを添加してボラン錯体を不活性化した後に水
素化ホウ素アルカリ金属を残存するアルデヒドに対して
等モル以上加える事によりアルデヒドを減少させること
ができる。
などの低沸分を留去することにより目的物を得ることが
できるが、アルコールが副生した場合には、生成物を例
えばヘキサン、酢酸エチル、クロロホルム、メチルエチ
ルケトンなどの溶剤に溶解して、水またはpH8〜10
のアルカリで洗浄することにより除去あるいは低減する
ことができる。また、アルデヒドが残存する場合には、
メタノールを添加してボラン錯体を不活性化した後に水
素化ホウ素アルカリ金属を残存するアルデヒドに対して
等モル以上加える事によりアルデヒドを減少させること
ができる。
【0016】
【実施例】以下に本発明を実施例により示す。
【0017】実施例1 水素化ホウ素ナトリウム31.2gを1Lの無水テトラ
ヒドロフランに懸濁させた。これに氷冷下、3フッ化ホ
ウ素−ジエチルエーテル錯体123mlを徐々に加え、
1時間攪拌した後、析出したフッ化ホウ素ナトリウムを
窒素気流下で濾別した(水素化ホウ素ナトリウムは3フ
ッ化ホウ素に対して1.1当量)。
ヒドロフランに懸濁させた。これに氷冷下、3フッ化ホ
ウ素−ジエチルエーテル錯体123mlを徐々に加え、
1時間攪拌した後、析出したフッ化ホウ素ナトリウムを
窒素気流下で濾別した(水素化ホウ素ナトリウムは3フ
ッ化ホウ素に対して1.1当量)。
【0018】上記の様に調製したボラン−テトラヒドロ
フラン錯体溶液90mlに、(R)−3−カルボキシブ
タン酸t−ブチルエステル(光学純度98%ee)1
1.3gを30mlの無水テトラヒドロフランに溶かし
た溶液を、氷冷下、2〜5℃で滴下した後、同温度で2
時間反応させた。反応後、この反応液にメタノール10
0mlを、氷冷下、徐々に加えた。得られた反応液を濃
縮して、粗(R)−4−ヒドロキシ−3−メチルブタン
酸t−ブチルエステル9.3gを得た。液体クロマトグ
ラフィーで分析したところ、(R)−4−ヒドロキシ−
3−メチルブタン酸t−ブチルエステル97.0%、
(R)−メチルコハク酸0.1%、(R)−2−メチル
−1,4−ブタンジオール2.1%、不明物0.8%で
あった(液体クロマトグラフィー条件:カラムODS−
120A(東ソー製)4.6mmφ×25cm、移動相
アセトニトリル/水/リン酸=40/60/0.1、
流速1.0ml/分、検出 UV220nm)。なお、
(R)−2−メチル−1,4−ブタンジオールは、常法
によりトシレートに誘導した後、液体クロマトグラフィ
ーで分析した(液体クロマトグラフィー条件:カラムO
DS−120A(東ソー製)4.6mmφ×25cm、
移動相 アセトニトリル/水/リン酸=70/30/
0.1、流速 1.0ml/分、検出 UV254n
m)。
フラン錯体溶液90mlに、(R)−3−カルボキシブ
タン酸t−ブチルエステル(光学純度98%ee)1
1.3gを30mlの無水テトラヒドロフランに溶かし
た溶液を、氷冷下、2〜5℃で滴下した後、同温度で2
時間反応させた。反応後、この反応液にメタノール10
0mlを、氷冷下、徐々に加えた。得られた反応液を濃
縮して、粗(R)−4−ヒドロキシ−3−メチルブタン
酸t−ブチルエステル9.3gを得た。液体クロマトグ
ラフィーで分析したところ、(R)−4−ヒドロキシ−
3−メチルブタン酸t−ブチルエステル97.0%、
(R)−メチルコハク酸0.1%、(R)−2−メチル
−1,4−ブタンジオール2.1%、不明物0.8%で
あった(液体クロマトグラフィー条件:カラムODS−
120A(東ソー製)4.6mmφ×25cm、移動相
アセトニトリル/水/リン酸=40/60/0.1、
流速1.0ml/分、検出 UV220nm)。なお、
(R)−2−メチル−1,4−ブタンジオールは、常法
によりトシレートに誘導した後、液体クロマトグラフィ
ーで分析した(液体クロマトグラフィー条件:カラムO
DS−120A(東ソー製)4.6mmφ×25cm、
移動相 アセトニトリル/水/リン酸=70/30/
0.1、流速 1.0ml/分、検出 UV254n
m)。
【0019】上記粗生成物を、酢酸エチル200mlに
溶解させ、10%炭酸ナトリウム水溶液50mlで2回
洗浄した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した
後、濃縮して、(R)−4−ヒドロキシ−3−メチルブ
タン酸t−ブチルエステル(光学純度98%ee;
(R)−β−メチル−γ−ブチロラクトンに誘導した
後、旋光度を測定して求めた。[α]D 20=+24.4
6゜(c=2,メタノール))9.1gを得た(収率8
7%)。
溶解させ、10%炭酸ナトリウム水溶液50mlで2回
洗浄した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した
後、濃縮して、(R)−4−ヒドロキシ−3−メチルブ
タン酸t−ブチルエステル(光学純度98%ee;
(R)−β−メチル−γ−ブチロラクトンに誘導した
後、旋光度を測定して求めた。[α]D 20=+24.4
6゜(c=2,メタノール))9.1gを得た(収率8
7%)。
【0020】実施例2 実施例1において1.2当量(120%)の水素化ホウ
素ナトリウムを用いて調製したボラン−テトラヒドロフ
ラン錯体を用いた点、および、原料として(S)−3−
カルボキシブタン酸t−ブチルエステル(光学純度97
%ee)10.2gを用いた点以外は実施例1と同様に
操作を行ったところ、(s)−4−ヒドロキシ−3−メ
チルブタン酸t−ブチルエステル(光学純度97%e
e;(S)−β−メチル−γ−ブチロラクトンに誘導し
た後、旋光度を測定して求めた。[α]D 20=−23.
28゜(c=4,メタノール))8.0gを得た(収率
85%)。
素ナトリウムを用いて調製したボラン−テトラヒドロフ
ラン錯体を用いた点、および、原料として(S)−3−
カルボキシブタン酸t−ブチルエステル(光学純度97
%ee)10.2gを用いた点以外は実施例1と同様に
操作を行ったところ、(s)−4−ヒドロキシ−3−メ
チルブタン酸t−ブチルエステル(光学純度97%e
e;(S)−β−メチル−γ−ブチロラクトンに誘導し
た後、旋光度を測定して求めた。[α]D 20=−23.
28゜(c=4,メタノール))8.0gを得た(収率
85%)。
【0021】実施例3 水素化ホウ素ナトリウム28.4g(3フッ化ホウ素に
対して1.0当量)を用いて調製したボラン−テトラヒ
ドロフラン錯体を用いた以外は、実施例1と同様に操作
を行い、粗生成物10.0gを得た。分析の結果、目的
化合物は80.2%であり、(R)−メチルコハク酸
9.8%、(R)−メチル−1,4−ブタンジオール
7.6%、不明物2.4%であった。
対して1.0当量)を用いて調製したボラン−テトラヒ
ドロフラン錯体を用いた以外は、実施例1と同様に操作
を行い、粗生成物10.0gを得た。分析の結果、目的
化合物は80.2%であり、(R)−メチルコハク酸
9.8%、(R)−メチル−1,4−ブタンジオール
7.6%、不明物2.4%であった。
【0022】
【発明の効果】本発明は、光学活性医薬、光学活性農薬
などの製造に有効な光学活性中間体である光学活性4−
ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステルを
安定な状態で収率よく製造することができる効果を有す
る。特に、3フッ化ホウ素に対して当量値を超える量の
水素化ホウ素アルカリ金属を用いて調製されたボラン−
テトラヒドロフラン錯体を用いるとより収率よく製造す
ることができる。
などの製造に有効な光学活性中間体である光学活性4−
ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステルを
安定な状態で収率よく製造することができる効果を有す
る。特に、3フッ化ホウ素に対して当量値を超える量の
水素化ホウ素アルカリ金属を用いて調製されたボラン−
テトラヒドロフラン錯体を用いるとより収率よく製造す
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂下 啓一 東京都中央区京橋二丁目3番19号 三菱レ イヨン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 光学活性3−カルボキシブタン酸t−ブ
チルエステルをボラン錯体を用いて還元することを特徴
とする次式(1)で表される光学活性4−ヒドロキシ−
3−メチルブタン酸t−ブチルエステルの製造方法。 t−C4H9OOCCH2C*H(CH3)CH2OH (1) (但し、式中、*はその炭素が不斉炭素であることを示
す。) - 【請求項2】 ボラン錯体が、ボラン−テトラヒドロフ
ラン錯体である請求項1記載の製造方法。 - 【請求項3】 ボラン−テトラヒドロフラン錯体が、水
素化ホウ素アルカリ金属を3フッ化ホウ素に対して当量
値を超える量を用いて調製されたものである請求項2記
載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11255997A JPH1045672A (ja) | 1996-05-02 | 1997-04-30 | 光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-111613 | 1996-05-02 | ||
| JP11161396 | 1996-05-02 | ||
| JP11255997A JPH1045672A (ja) | 1996-05-02 | 1997-04-30 | 光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1045672A true JPH1045672A (ja) | 1998-02-17 |
Family
ID=26450966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11255997A Pending JPH1045672A (ja) | 1996-05-02 | 1997-04-30 | 光学活性4−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸t−ブチルエステルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1045672A (ja) |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP11255997A patent/JPH1045672A/ja active Pending
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