JPH1045874A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH1045874A JPH1045874A JP8201738A JP20173896A JPH1045874A JP H1045874 A JPH1045874 A JP H1045874A JP 8201738 A JP8201738 A JP 8201738A JP 20173896 A JP20173896 A JP 20173896A JP H1045874 A JPH1045874 A JP H1045874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- weight
- embedded image
- resin
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 流動性、反り特性、及び高温保管特性に優れ
た半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）下記式（Ｅ−１）のエポキシ樹
脂、（Ｂ）下記式（Ｈ−１）のフェノール樹脂硬化剤、
（Ｃ）下記式（Ｃ−１）の硬化促進剤、及び（Ｄ）無機
充填材からなることを特徴とする半導体封止用樹脂組成
物。 【化１】 【化２】 【化３】
た半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）下記式（Ｅ−１）のエポキシ樹
脂、（Ｂ）下記式（Ｈ−１）のフェノール樹脂硬化剤、
（Ｃ）下記式（Ｃ−１）の硬化促進剤、及び（Ｄ）無機
充填材からなることを特徴とする半導体封止用樹脂組成
物。 【化１】 【化２】 【化３】
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、流動性に優れ、こ
れを用いて封止した半導体デバイスの反りが小さく、特
にＱＦＰやボール・グリッド・アレイ（以下、ＢＧＡと
いう）用に最適の半導体封止用樹脂組成物に関するもの
である。
れを用いて封止した半導体デバイスの反りが小さく、特
にＱＦＰやボール・グリッド・アレイ（以下、ＢＧＡと
いう）用に最適の半導体封止用樹脂組成物に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ本体を機械的、化学的作用から保護
するために、半導体封止用樹脂組成物（以下、樹脂組成
物という）が開発、生産されてきた。半導体デバイスが
進歩するに従い、樹脂組成物に対する要求特性は変化し
つつある。半導体デバイスの中でも、マイクロプロセッ
サに代表されるロジックＩＣは、非常な勢いで進歩しつ
つあり、それに適用されるパッケージに関しても、従来
のＱＦＰに加えて、ＢＧＡのような特殊な構造のものが
注目されている。これらの大型、薄型、多ピン、及びハ
イパワーのパッケージにおいては、樹脂組成物に対す
る、従来の要求特性に加えて、以下の要求特性がクロー
ズアップされてきている。 大型、薄型のパッケージは反り易いため、反りを低減で
きる樹脂組成物 大型、薄型、多ピン化のため、流動性の高い樹脂組成物 ハイパワー化のため、高温になり易いので、熱安定性に
優れた樹脂組成物 しかし、現在までこれらの問題を解決できる樹脂組成物
は得られていない。
するために、半導体封止用樹脂組成物（以下、樹脂組成
物という）が開発、生産されてきた。半導体デバイスが
進歩するに従い、樹脂組成物に対する要求特性は変化し
つつある。半導体デバイスの中でも、マイクロプロセッ
サに代表されるロジックＩＣは、非常な勢いで進歩しつ
つあり、それに適用されるパッケージに関しても、従来
のＱＦＰに加えて、ＢＧＡのような特殊な構造のものが
注目されている。これらの大型、薄型、多ピン、及びハ
イパワーのパッケージにおいては、樹脂組成物に対す
る、従来の要求特性に加えて、以下の要求特性がクロー
ズアップされてきている。 大型、薄型のパッケージは反り易いため、反りを低減で
きる樹脂組成物 大型、薄型、多ピン化のため、流動性の高い樹脂組成物 ハイパワー化のため、高温になり易いので、熱安定性に
優れた樹脂組成物 しかし、現在までこれらの問題を解決できる樹脂組成物
は得られていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、流動性に優
れ、これを用いて封止した半導体デバイスは、反り特
性、更に高温保管特性に優れた樹脂組成物を提供するも
のである。
れ、これを用いて封止した半導体デバイスは、反り特
性、更に高温保管特性に優れた樹脂組成物を提供するも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）下記式
（１）〜（３）の内から選ばれる１種以上のエポキシ樹
脂、（Ｂ）下記式（４）及び／又は式（５）のフェノー
ル樹脂硬化剤、（Ｃ）下記式（６）〜（８）の内から選
ばれる１種以上の硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填材か
らなり、全樹脂組成物中に硬化促進剤（Ｃ）を０．０５
〜１．０重量％含むことを特徴とする半導体封止用樹脂
組成物である。
（１）〜（３）の内から選ばれる１種以上のエポキシ樹
脂、（Ｂ）下記式（４）及び／又は式（５）のフェノー
ル樹脂硬化剤、（Ｃ）下記式（６）〜（８）の内から選
ばれる１種以上の硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填材か
らなり、全樹脂組成物中に硬化促進剤（Ｃ）を０．０５
〜１．０重量％含むことを特徴とする半導体封止用樹脂
組成物である。
【化４】
【０００５】
【化５】
【０００６】
【化６】
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるエポキシ樹脂
は、式（１）に示されるトリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、式（２）、式（３）に示されるナフタレン型エ
ポキシ樹脂であり、単独でも混合して用いてもよい。ト
リフェノールメタン型のエポキシ樹脂は、主鎖が剛直で
屈曲性がないので成形品のガラス転移点（以下、Ｔgと
いう）が高くなる。又、ナフタレン型のエポキシ樹脂
は、分子同士が重なっており分子運動が抑制され、成形
品のＴgが高くなる。成形品のＴgが高くなると、大型、
薄型パッケージにおいては、反りが大幅に低減し、熱安
定性も大幅に改善される。従って、式（１）〜（３）の
エポキシ樹脂を樹脂組成物に適用することによって、反
りと耐熱性の問題が改善される。式（１）中の官能基Ｒ
1は、水素、メチル基、又はターシャリ−ブチル基であ
り、これらは同一でも異なっていてもよい。式（１）、
式（３）のｎは、１≦ｎ≦２０で、より好ましくは１≦
ｎ≦１０であり、２０を越えると成形時の流動性が劣
る。これらのエポキシ樹脂の平均分子量、エポキシ当量
は特に限定しないが、信頼性向上のため、イオン性不純
物は極力少ないことが望ましい。更に、式（１）〜
（３）以外のエポキシ樹脂を、全エポキシ樹脂中に、５
０重量％未満使用してもよい。しかし、５０重量％を越
えると、Ｔgが低下し、反り特性と高温保管特性が低下
するので望ましくない。併用されるエポキシ樹脂として
は、特に限定しないが、例えば、オルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ス
チルベン型エポキシ樹脂、その他シリコーン変性エポキ
シ樹脂等が挙げられる。
は、式（１）に示されるトリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、式（２）、式（３）に示されるナフタレン型エ
ポキシ樹脂であり、単独でも混合して用いてもよい。ト
リフェノールメタン型のエポキシ樹脂は、主鎖が剛直で
屈曲性がないので成形品のガラス転移点（以下、Ｔgと
いう）が高くなる。又、ナフタレン型のエポキシ樹脂
は、分子同士が重なっており分子運動が抑制され、成形
品のＴgが高くなる。成形品のＴgが高くなると、大型、
薄型パッケージにおいては、反りが大幅に低減し、熱安
定性も大幅に改善される。従って、式（１）〜（３）の
エポキシ樹脂を樹脂組成物に適用することによって、反
りと耐熱性の問題が改善される。式（１）中の官能基Ｒ
1は、水素、メチル基、又はターシャリ−ブチル基であ
り、これらは同一でも異なっていてもよい。式（１）、
式（３）のｎは、１≦ｎ≦２０で、より好ましくは１≦
ｎ≦１０であり、２０を越えると成形時の流動性が劣
る。これらのエポキシ樹脂の平均分子量、エポキシ当量
は特に限定しないが、信頼性向上のため、イオン性不純
物は極力少ないことが望ましい。更に、式（１）〜
（３）以外のエポキシ樹脂を、全エポキシ樹脂中に、５
０重量％未満使用してもよい。しかし、５０重量％を越
えると、Ｔgが低下し、反り特性と高温保管特性が低下
するので望ましくない。併用されるエポキシ樹脂として
は、特に限定しないが、例えば、オルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ス
チルベン型エポキシ樹脂、その他シリコーン変性エポキ
シ樹脂等が挙げられる。
【０００８】本発明で用いられるフェノール樹脂硬化剤
は、式（４）に示されるトリフェノールメタン型フェノ
ールノボラック樹脂、式（５）に示されるナフタレン型
フェノール樹脂であり、これらは単独でも混合して用い
てもよい。エポキシ樹脂と同様に、トリフェノールメタ
ン型やナフタレン型の主鎖をもつフェノール樹脂硬化剤
は、高いＴgを有する成形品を得ることができる。式
（４）中の官能基Ｒ2は、水素、メチル基、又はメトキ
シ基であり、これらは同一でも異なっていてもよい。式
（４）、式（５）のｎは、１≦ｎ≦２０で、より好まし
くは１≦ｎ≦１０であり、２０を越えると成形時の流動
性が劣る。これらのフェノール樹脂硬化剤の分子量、水
酸基当量は特に限定されないが、信頼性向上のため、イ
オン性不純物は極力少ないことが望ましい。更に、式
（４）、式（５）以外のフェノール樹脂硬化剤を、全フ
ェノール樹脂硬化剤中に、５０重量％未満使用してもよ
い。しかし、５０重量％を越えると、Ｔgが低下し、反
り特性と高温保管特性が低下するので望ましくない。併
用されるフェノール樹脂硬化剤としては特に限定しない
が、例えば、フェノールノボラック樹脂、パラキシリレ
ン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノール
Ｆ型樹脂、そしてこれらのシリコーン変性フェノール樹
脂等が挙げられる。エポキシ樹脂やフェノール樹脂硬化
剤の添加量は、特に限定しないが、エポキシ樹脂とフェ
ノール樹脂硬化剤の合計量は、全樹脂組成物中に、５〜
３０重量％が好ましい。５重量％未満だと流動性が得ら
れず、３０重量％を越えると耐湿信頼性が劣る。
は、式（４）に示されるトリフェノールメタン型フェノ
ールノボラック樹脂、式（５）に示されるナフタレン型
フェノール樹脂であり、これらは単独でも混合して用い
てもよい。エポキシ樹脂と同様に、トリフェノールメタ
ン型やナフタレン型の主鎖をもつフェノール樹脂硬化剤
は、高いＴgを有する成形品を得ることができる。式
（４）中の官能基Ｒ2は、水素、メチル基、又はメトキ
シ基であり、これらは同一でも異なっていてもよい。式
（４）、式（５）のｎは、１≦ｎ≦２０で、より好まし
くは１≦ｎ≦１０であり、２０を越えると成形時の流動
性が劣る。これらのフェノール樹脂硬化剤の分子量、水
酸基当量は特に限定されないが、信頼性向上のため、イ
オン性不純物は極力少ないことが望ましい。更に、式
（４）、式（５）以外のフェノール樹脂硬化剤を、全フ
ェノール樹脂硬化剤中に、５０重量％未満使用してもよ
い。しかし、５０重量％を越えると、Ｔgが低下し、反
り特性と高温保管特性が低下するので望ましくない。併
用されるフェノール樹脂硬化剤としては特に限定しない
が、例えば、フェノールノボラック樹脂、パラキシリレ
ン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノール
Ｆ型樹脂、そしてこれらのシリコーン変性フェノール樹
脂等が挙げられる。エポキシ樹脂やフェノール樹脂硬化
剤の添加量は、特に限定しないが、エポキシ樹脂とフェ
ノール樹脂硬化剤の合計量は、全樹脂組成物中に、５〜
３０重量％が好ましい。５重量％未満だと流動性が得ら
れず、３０重量％を越えると耐湿信頼性が劣る。
【０００９】本発明で用いられる硬化促進剤は、式
（６）〜（８）に示されるテトラフェニルホスホニウム
・テトラ有機酸ボレート塩であり、これらは単独でも混
合して用いてもよい。式（６）〜（８）の硬化促進剤
は、エポキシ基／水酸基の硬化反応の触媒作用におい
て、大きな温度依存性を有することが特徴であり、触媒
活性点であるリン原子の非共有電子対に高温を印加され
ない限り触媒活性が発現しないので、低温では触媒活性
が低く、高温では触媒活性が高い。従って、樹脂組成物
の混練時の温度（１００℃前後）では、エポキシ基／水
酸基の反応は起こらない。そのため、流動性に優れた低
粘度の樹脂組成物を得ることができるので、大型、薄型
のパッケージにも問題なく充填できる。一方、成形時
（１７５℃程度）には素早く硬化反応が起こるので、優
れた成形性を示す。式（６）中のＲ3、式（７）中の
Ｒ4、及び式（８）中のＲ5は、前記した通りである。更
に、式（６）〜（８）以外の硬化促進剤を、全硬化促進
剤中に、８０重量％未満使用してもよい。しかし、８０
重量％を越えると、流動特性が低下するので望ましくな
い。なお、併用される硬化促進剤は、エポキシ基／水酸
基の反応を促進させるものであればよく、特に限定しな
いが、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニ
ルホスホニウム・テトラボレート塩、トリフェニルホス
ホニウム・トリハイドロボレート、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７等が挙げられる。硬
化促進剤の添加量は、全樹脂組成物中に、０．０５〜
１．０重量％が好ましい。０．０５重量％未満だと硬化
が遅く、良好な成形品が得られない。１．０重量％を越
えると硬化が速すぎ、同様に良好な成形品が得られな
い。
（６）〜（８）に示されるテトラフェニルホスホニウム
・テトラ有機酸ボレート塩であり、これらは単独でも混
合して用いてもよい。式（６）〜（８）の硬化促進剤
は、エポキシ基／水酸基の硬化反応の触媒作用におい
て、大きな温度依存性を有することが特徴であり、触媒
活性点であるリン原子の非共有電子対に高温を印加され
ない限り触媒活性が発現しないので、低温では触媒活性
が低く、高温では触媒活性が高い。従って、樹脂組成物
の混練時の温度（１００℃前後）では、エポキシ基／水
酸基の反応は起こらない。そのため、流動性に優れた低
粘度の樹脂組成物を得ることができるので、大型、薄型
のパッケージにも問題なく充填できる。一方、成形時
（１７５℃程度）には素早く硬化反応が起こるので、優
れた成形性を示す。式（６）中のＲ3、式（７）中の
Ｒ4、及び式（８）中のＲ5は、前記した通りである。更
に、式（６）〜（８）以外の硬化促進剤を、全硬化促進
剤中に、８０重量％未満使用してもよい。しかし、８０
重量％を越えると、流動特性が低下するので望ましくな
い。なお、併用される硬化促進剤は、エポキシ基／水酸
基の反応を促進させるものであればよく、特に限定しな
いが、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニ
ルホスホニウム・テトラボレート塩、トリフェニルホス
ホニウム・トリハイドロボレート、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７等が挙げられる。硬
化促進剤の添加量は、全樹脂組成物中に、０．０５〜
１．０重量％が好ましい。０．０５重量％未満だと硬化
が遅く、良好な成形品が得られない。１．０重量％を越
えると硬化が速すぎ、同様に良好な成形品が得られな
い。
【００１０】本発明で用いられる無機充填材は、特に限
定しないが、例えば、溶融シリカ粉末、球状シリカ粉
末、結晶シリカ粉末、２次凝集シリカ粉末、アルミナ等
が挙げられる。特に、コスト、信頼性、及び流動性の点
から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。なお、この無機
充填材は、シランカップリング剤や、チタネートカップ
リング剤、その他の表面処理剤によって予め表面処理さ
れていてもよい。又、平均粒径、最大粒径、粒度分布、
比表面積に関しても特に制限はない。又、耐湿信頼性向
上のため、イオン性不純物は極力少ないことが望まし
い。本発明における無機充填材の配合量は、全樹脂組成
物中に、６５〜９３重量％が好ましい。
定しないが、例えば、溶融シリカ粉末、球状シリカ粉
末、結晶シリカ粉末、２次凝集シリカ粉末、アルミナ等
が挙げられる。特に、コスト、信頼性、及び流動性の点
から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。なお、この無機
充填材は、シランカップリング剤や、チタネートカップ
リング剤、その他の表面処理剤によって予め表面処理さ
れていてもよい。又、平均粒径、最大粒径、粒度分布、
比表面積に関しても特に制限はない。又、耐湿信頼性向
上のため、イオン性不純物は極力少ないことが望まし
い。本発明における無機充填材の配合量は、全樹脂組成
物中に、６５〜９３重量％が好ましい。
【００１１】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成
分の他、必要に応じて、カーボンブラック等の着色剤、
臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、シ
リコーンオイル、シリコーンゴム、各種ゴム成分等の低
応力成分、シランカップリング剤等を添加することがで
きる。本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、そ
の他の添加剤等をミキサーで常温混合し、ロール、押し
出し機等の一般混練機を用いて混練し、冷却後粉砕し成
形材料とすることができる。
分の他、必要に応じて、カーボンブラック等の着色剤、
臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、シ
リコーンオイル、シリコーンゴム、各種ゴム成分等の低
応力成分、シランカップリング剤等を添加することがで
きる。本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、そ
の他の添加剤等をミキサーで常温混合し、ロール、押し
出し機等の一般混練機を用いて混練し、冷却後粉砕し成
形材料とすることができる。
【００１２】
実施例１ エポキシ樹脂（Ｅ−１） １０．６０重量部
【化７】
【００１３】 フェノール樹脂硬化剤（Ｈ−１） ６．１０重量部
【化８】
【００１４】 硬化促進剤（Ｃ−１） ０．５０重量部
【化９】
【００１５】 球状溶融シリカ（平均粒径１５μｍ） ７９．７０重量部 カーボンブラック ０．３０重量部 臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂 １．００重量部 三酸化アンチモン １．００重量部 エポキシシランカップリング剤 ０．５０重量部 カルナバワックス ０．３０重量部 を、ミキサーで常温混合し、１００℃で二軸ロールを用
いて混練し、冷却後粉砕し成形材料とした。得られた成
形材料の反り特性、高化式粘度、及び高温保管特性を評
価した。
いて混練し、冷却後粉砕し成形材料とした。得られた成
形材料の反り特性、高化式粘度、及び高温保管特性を評
価した。
【００１６】評価方法 高化式粘度：フローテスター（（株）島津製作所・製Ｃ
ＦＴ−５００）を用いて、１７５℃、圧力１０kgｆ／cm
2、キャピラリー径０．５mmで測定した。単位はポイ
ズ。 反り特性：ビスマレイミド・トリアジン（ガラス基板）
積層板１と前記成形材料を１７５℃、２分間で一体成形
し、図１に示す形状の成形品を得、１７５℃、８時間の
ポストキュアを行った後、常温に戻し、図２に示す要領
で、反り量（mm）を測定した。 高温保管特性：リードフレームにＩＣチップをマウント
し、金線をボンディングした後に、ＤＩＰパッケージを
成形した。得られた成形品をポストキュアした。その
後、１８５℃で１０００時間処理し、内部のＩＣチップ
の電気抵抗を測定した。通常０．６Ωである電気抵抗の
回路が、劣化して電気抵抗１Ω以上となった場合を不良
と見なし、８パッケージ中の不良個数を測定した。結果
を表１に示す。
ＦＴ−５００）を用いて、１７５℃、圧力１０kgｆ／cm
2、キャピラリー径０．５mmで測定した。単位はポイ
ズ。 反り特性：ビスマレイミド・トリアジン（ガラス基板）
積層板１と前記成形材料を１７５℃、２分間で一体成形
し、図１に示す形状の成形品を得、１７５℃、８時間の
ポストキュアを行った後、常温に戻し、図２に示す要領
で、反り量（mm）を測定した。 高温保管特性：リードフレームにＩＣチップをマウント
し、金線をボンディングした後に、ＤＩＰパッケージを
成形した。得られた成形品をポストキュアした。その
後、１８５℃で１０００時間処理し、内部のＩＣチップ
の電気抵抗を測定した。通常０．６Ωである電気抵抗の
回路が、劣化して電気抵抗１Ω以上となった場合を不良
と見なし、８パッケージ中の不良個数を測定した。結果
を表１に示す。
【００１７】実施例２〜９ 表１の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得、同様に評価した。実施例６で用いたエポキシ
樹脂は、式（３）でｎ＝１．９のものである。結果を表
１に示す。 比較例１〜４ 表２の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得、同様に評価した。結果を表２に示す。実施
例、比較例で用いた各成分の構造について、下記に示
す。
材料を得、同様に評価した。実施例６で用いたエポキシ
樹脂は、式（３）でｎ＝１．９のものである。結果を表
１に示す。 比較例１〜４ 表２の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得、同様に評価した。結果を表２に示す。実施
例、比較例で用いた各成分の構造について、下記に示
す。
【化１０】
【００１８】
【化１１】
【００１９】
【化１２】
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物は、流動性に優れ、
これを用いることにより、反り特性及び高温保管特性に
優れた半導体装置を得ることができる。
これを用いることにより、反り特性及び高温保管特性に
優れた半導体装置を得ることができる。
【図１】 積層板と成形材料を一体成形した成形品の模
式図。
式図。
【図２】 一体成形品の反り量を示す模式図。
【符号の説明】 １ 積層板 ２ 硬化物 ａ １２６．０mm、ｂ １０．０mm、ｃ ０．８mm、ｄ
０．４ｍｍ
０．４ｍｍ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）下記式（１）〜（３）の内から選
ばれる１種以上のエポキシ樹脂、（Ｂ）下記式（４）及
び／又は式（５）のフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）下記
式（６）〜（８）の内から選ばれる１種以上の硬化促進
剤、及び（Ｄ）無機充填材からなり、全樹脂組成物中に
硬化促進剤（Ｃ）を０．０５〜１．０重量％含むことを
特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 【化１】 【化２】 【化３】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20173896A JP3672386B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20173896A JP3672386B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1045874A true JPH1045874A (ja) | 1998-02-17 |
| JP3672386B2 JP3672386B2 (ja) | 2005-07-20 |
Family
ID=16446126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20173896A Expired - Fee Related JP3672386B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3672386B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004067717A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006518800A (ja) * | 2003-02-20 | 2006-08-17 | ヘンケル コーポレイション | 第四級有機ホスホニウム塩含有成型組成物 |
| JP2006299249A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2007204511A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2013087137A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Panasonic Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20173896A patent/JP3672386B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004067717A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006518800A (ja) * | 2003-02-20 | 2006-08-17 | ヘンケル コーポレイション | 第四級有機ホスホニウム塩含有成型組成物 |
| JP2006299249A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2007204511A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2013087137A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Panasonic Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3672386B2 (ja) | 2005-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20130064000A (ko) | 전자 부품 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 사용하는 전자 부품이 장착된 장치 | |
| JPH06102714B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP6102112B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JPH1045874A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP4710200B2 (ja) | エリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法及びエリア実装型半導体装置 | |
| JPH04275325A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH09143345A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| KR100201708B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 | |
| JPH1135797A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3011807B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2000026707A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2000186183A (ja) | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP3093051B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH11181237A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4379972B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2994127B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3004454B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP3568654B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3093050B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH06100658A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2002179882A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3239970B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11106608A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4379977B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3032067B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050412 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050419 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050419 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |